JP6910560B1 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の運転方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、別の例として、特開2010−251464号公報(特許文献2)には、校正用圧力計と成膜処理時に圧力を制御するための制御用圧力計との取付箇所と同じにして校正用の圧力計と制御用の圧力計とでの圧力を検知する条件を同じにすることで、実際の成膜する処理の条件に近い状態で制御用の圧力計のゼロ点校正を可能にして、処理における圧力の条件を高い精度で実現する技術が開示されている。
101…上部容器
102…下部容器
103…真空ポンプ
104…処理室
105…ソレノイドコイル
106…試料台
107…試料台ベース
108…ウエハ
109…ベースプレート
110…排気口蓋
111…排気調節機
112…窓部材
113…シャワープレート
114…内筒
115…ガスリング
115’…ガス流路
116…アースリング
117…放電部容器
118…ヒータ
119…放電ブロックベース
120…試料台底蓋
121…空洞部
122…導波管
123…マグネトロン
124…排気口
125…支柱
126…真空搬送容器
127…バルブボックス
128,129…ゲートバルブ
130…駆動機
201…リフター
202…放電部容器ユニット
203…可動軸
204…連結アーム
301…試料台ユニット
302…可動軸
303…連結アーム
401…閉込めリング
402…第1の真空計
403…開閉弁
404…第2の真空計
405…開閉弁
406…ロアヒータ
407…制御部
408…ペニング真空計
409…管路
410…開閉弁
Claims (10)
- 真空容器内部の処理室内に配置されその上面に処理対象のウエハが載置される試料台と、前記処理室の前記試料台上方の空間であって供給された処理用のガスを用いて前記ウエハを処理するためのプラズマが形成されるプラズマ形成空間と、前記試料台の下方の前記処理室の下部の空間であって前記試料台外周の当該処理室内の空間を介して前記プラズマ形成空間と連通された下部空間と、前記下部空間の底部に配置され前記処理室内部を排気して減圧する排気装置と連通された排気口と、当該下部空間を囲む前記真空容器の下部を加熱する加熱器と、前記ウエハの処理に際して前記処理室内の圧力を検出する第1の真空計と、この第1の真空計の下方であって前記下部空間の外周を囲む処理室の内壁に配置された開口と連通された校正用の第2の真空計と、前記処理室内の圧力が0と見做せる程度の圧力値及びこれより高い複数の圧力値における前記第1及び第2の真空計の出力を用いて前記第1の真空計の出力を補正する補正機とを備えたプラズマ処理装置。
- 請求項1に記載のプラズマ処理装置であって、
前記試料台の側壁の外周を囲んで前記上面より下方に配置され前記処理用のガスまたはプラズマの粒子が通過する複数の貫通孔を備えたリング状の板部材を備え、前記第1の真空計と連通された開口が前記リング状の板部材の下方の前記処理室の内壁に配置されたプラズマ処理装置。 - 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記下部空間を囲む処理室の内壁が前記加熱器によって前記ウエハの処理中に前記処理用のガスまたはプラズマ中の粒子の付着が抑制される温度に加熱されるプラズマ処理装置。 - 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記補正機が、前記処理室内の圧力が0と見做せる程度の高い真空度まで減圧された後に前記排気口が気密に閉塞された状態で前記処理室内に所定の期間だけガスが供給された後に当該供給が停止されて前記処理室内の圧力が上昇した状態で前記第1及び第2の真空計を用いて当該圧力値を検出することを複数回繰り返した結果を用いて前記第1の真空計の出力を補正するプラズマ処理装置。 - 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記補正機が、0と見做せる程度の圧力値及びこれより高い複数の圧力値における前記第1の真空計の出力を所定の数式を用いて近似した値に補正するプラズマ処理装置。 - 真空容器内部の処理室内に配置されその上面に処理対象のウエハが載置される試料台と、前記処理室の前記試料台上方の空間であって供給された処理用のガスを用いて前記ウエハを処理するためのプラズマが形成されるプラズマ形成空間と、前記試料台の下方の前記処理室の下部の空間であって前記試料台外周の当該処理室内の空間を介して前記プラズマ形成空間と連通された下部空間と、前記下部空間の底部に配置され前記処理室内部を排気して減圧する排気装置と連通された排気口と、当該下部空間を囲む前記真空容器の下部を加熱する加熱器と、前記ウエハの処理に際して前記処理室内の圧力を検出する第1の真空計と、この第1の真空計の下方であって前記下部空間の外周を囲む処理室の内壁に配置された開口と連通された校正用の第2の真空計とを備えたプラズマ処理装置において、所定の枚数の前記ウエハを処理した後に前記処理室内の圧力を0と見做せる程度の圧力にした状態及びこれより高い複数の圧力にした状態における前記第1及び第2の真空計の出力を用いて前記第1の真空計の出力を補正するプラズマ処理装置の運転方法。
- 請求項6に記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、
前記試料台の側壁の外周を囲んで前記上面より下方に配置され前記処理用のガスまたはプラズマの粒子が通過する複数の貫通孔を備えたリング状の板部材を備え、前記第1の真空計と連通された開口が前記リング状の板部材の下方の前記処理室の内壁に配置されたプラズマ処理装置の運転方法。 - 請求項6または7に記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、
前記下部空間を囲む処理室の内壁が前記加熱器によって前記ウエハの処理中に前記処理用のガスまたはプラズマ中の粒子の付着が抑制される温度に加熱されるプラズマ処理装置の運転方法。 - 請求項6または7に記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、
前記処理室内部を圧力が0と見做せる程度まで減圧した後に前記排気口を気密に閉塞した状態で前記処理室内に所定の期間だけガスを供給した後当該供給を停止して前記処理室内の圧力を上昇させた状態で前記第1及び第2の真空計を用いて圧力値を検出することを複数回繰り返した結果を用いて前記第1の真空計の出力を補正するプラズマ処理装置の運転方法。 - 請求項6または7に記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、
前記0と見做せる程度の圧力値及びこれより高い複数の圧力値における前記第1の真空計の出力を所定の数式を用いて近似した値に補正するプラズマ処理装置の運転方法。
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---|---|---|---|---|
US20220155170A1 (en) * | 2020-11-18 | 2022-05-19 | Westermeyer Industries Inc. | Differential Pressure Monitor, and Corresponding Systems and Methods |
US11493909B1 (en) * | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method for detecting environmental parameter in semiconductor fabrication facility |
KR20230133264A (ko) | 2022-03-09 | 2023-09-19 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 |
CN115815087B (zh) * | 2022-12-13 | 2023-11-17 | 拓荆科技股份有限公司 | 紫外固化设备 |
CN117096067B (zh) * | 2023-10-17 | 2024-03-01 | 广州市艾佛光通科技有限公司 | 干法刻蚀机台及干法刻蚀方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002020873A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-23 | Canon Inc | 真空処理方法 |
JP2002280362A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体の製造方法及び装置 |
JP2006344738A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007027496A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
JP2010251464A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Panasonic Corp | 真空処理装置 |
JP2017167102A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力測定装置及びこれを用いた排気システム、並びに基板処理装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2951718B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1999-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力ゲージ出力の零点調整装置 |
JPH0513544A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | Kawasaki Steel Corp | 真空チヤンバを有する半導体製造装置 |
JP2004119448A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Nec Kyushu Ltd | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
JP2004273682A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | 処理装置 |
FR2902027B1 (fr) * | 2006-06-08 | 2008-12-05 | Sidel Participations | Machine de traitement de recipients par plasma, comprenant un circuit de vide embarque |
JP5280928B2 (ja) * | 2009-04-22 | 2013-09-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置の運転方法 |
JP2011002345A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | プラズマ近傍およびプラズマ中でのガス分解率測定装置及び測定方法 |
US8616043B2 (en) * | 2010-04-30 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for calibrating pressure gauges in a substrate processing system |
JP2012023164A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP5743266B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置及びキャリブレーション方法 |
JP5870568B2 (ja) * | 2011-05-12 | 2016-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、プラズマ処理装置、成膜方法及び記憶媒体 |
CN104747539B (zh) * | 2013-12-26 | 2017-07-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种密封装置及等离子体加工设备 |
US9240308B2 (en) * | 2014-03-06 | 2016-01-19 | Applied Materials, Inc. | Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source, an abatement system, and vacuum processing system |
JP6945120B2 (ja) | 2014-08-29 | 2021-10-06 | 株式会社Flosfia | 金属膜形成方法 |
JP6567886B2 (ja) * | 2015-06-15 | 2019-08-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
CN106373907B (zh) * | 2015-07-22 | 2019-01-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种真空锁系统及其对基片的处理方法 |
CN108242380B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-09-06 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种均匀抽真空的双工位真空处理器 |
US10559451B2 (en) * | 2017-02-15 | 2020-02-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus with concentric pumping for multiple pressure regimes |
JP6869765B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2021-05-12 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP7122102B2 (ja) * | 2017-11-08 | 2022-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給システム及びガス供給方法 |
JP6971805B2 (ja) * | 2017-11-28 | 2021-11-24 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN108896239A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-11-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | 压力计组件及真空干刻蚀装置 |
JP6750928B2 (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-02 | 株式会社日立ハイテク | 真空処理装置 |
-
2020
- 2020-01-23 US US16/980,966 patent/US11244803B2/en active Active
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- 2020-01-23 WO PCT/JP2020/002267 patent/WO2021149212A1/ja active Application Filing
- 2020-01-23 KR KR1020207024580A patent/KR102421985B1/ko active IP Right Grant
- 2020-08-28 TW TW109129481A patent/TWI760826B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002020873A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-23 | Canon Inc | 真空処理方法 |
JP2002280362A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体の製造方法及び装置 |
JP2006344738A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007027496A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
JP2010251464A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Panasonic Corp | 真空処理装置 |
JP2017167102A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力測定装置及びこれを用いた排気システム、並びに基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI760826B (zh) | 2022-04-11 |
KR20210095995A (ko) | 2021-08-04 |
US11244803B2 (en) | 2022-02-08 |
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CN113439327B (zh) | 2023-07-25 |
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TW202129687A (zh) | 2021-08-01 |
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