JPH0513544A - 真空チヤンバを有する半導体製造装置 - Google Patents
真空チヤンバを有する半導体製造装置Info
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- JPH0513544A JPH0513544A JP18411791A JP18411791A JPH0513544A JP H0513544 A JPH0513544 A JP H0513544A JP 18411791 A JP18411791 A JP 18411791A JP 18411791 A JP18411791 A JP 18411791A JP H0513544 A JPH0513544 A JP H0513544A
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- pressure
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造装置において、所定のプロセスを
行う真空チャンバ内の圧力を測定するキャパシタンスマ
ノメータの較正を正確かつ容易に行うことができるよう
にした半導体製造装置を提供することを目的とするもの
である。 【構成】 真空チャンバ１に第１のバルブ６を介して連
結されたキャパシタンスマノメータ８の零点を較正する
ために、このキャパシタンスマノメータに第２のバルブ
９を連結された電離真空計１１を設けるとともにキャパ
シタンスマノメータに、その最低検出圧力よりも低い圧
力を作用させることができる高真空排気用のターボポン
プ１０を連結し、通常のプロセスを行っているときは第
１のバルブを開き、第２のバルブを閉じて真空チャンバ
の圧力をキャパシタンスマノメータで測定し、較正を行
うときは第１のバルブを閉じ、第２のバルブを開き、タ
ーボポンプを動作させ、キャパシタンスマノメータに最
低検出圧力よりも低い圧力を与え、そのときのキャパシ
タンスマノメータの指示が０Ｖとなるように調整する。
行う真空チャンバ内の圧力を測定するキャパシタンスマ
ノメータの較正を正確かつ容易に行うことができるよう
にした半導体製造装置を提供することを目的とするもの
である。 【構成】 真空チャンバ１に第１のバルブ６を介して連
結されたキャパシタンスマノメータ８の零点を較正する
ために、このキャパシタンスマノメータに第２のバルブ
９を連結された電離真空計１１を設けるとともにキャパ
シタンスマノメータに、その最低検出圧力よりも低い圧
力を作用させることができる高真空排気用のターボポン
プ１０を連結し、通常のプロセスを行っているときは第
１のバルブを開き、第２のバルブを閉じて真空チャンバ
の圧力をキャパシタンスマノメータで測定し、較正を行
うときは第１のバルブを閉じ、第２のバルブを開き、タ
ーボポンプを動作させ、キャパシタンスマノメータに最
低検出圧力よりも低い圧力を与え、そのときのキャパシ
タンスマノメータの指示が０Ｖとなるように調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体の製造装置、特に
プロセス用の真空排気設備と、このプロセス用真空排気
設備に連結され、内部で半導体ウエファを処理する真空
チャンバと、この真空チャンバの内部圧力を測定するキ
ャパシタンスマノメータとを具える半導体の製造装置に
関するものである。
プロセス用の真空排気設備と、このプロセス用真空排気
設備に連結され、内部で半導体ウエファを処理する真空
チャンバと、この真空チャンバの内部圧力を測定するキ
ャパシタンスマノメータとを具える半導体の製造装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に真空チャンバを有する半導体の製
造装置においては、真空チャンバ内の圧力をモニタする
必要があるが、この圧力モニタには通常キャパシタンス
マノメータが多く使用されている。このキャパシタンス
マノメータで測定される真空チャンバ内の圧力は、通常
プロセス真空度として管理され、重要なプロセスパラメ
ータとなっている。
造装置においては、真空チャンバ内の圧力をモニタする
必要があるが、この圧力モニタには通常キャパシタンス
マノメータが多く使用されている。このキャパシタンス
マノメータで測定される真空チャンバ内の圧力は、通常
プロセス真空度として管理され、重要なプロセスパラメ
ータとなっている。
【０００３】上述したキャパシタンスマノメータは、経
時的には零点のドリフトや、急激な圧力変動による指示
値のずれなどを起こし易いので、安定シリアルデータプ
ロセス条件を維持して半導体製造の歩留りを向上させる
ために頻繁に較正作業を行う必要がある。
時的には零点のドリフトや、急激な圧力変動による指示
値のずれなどを起こし易いので、安定シリアルデータプ
ロセス条件を維持して半導体製造の歩留りを向上させる
ために頻繁に較正作業を行う必要がある。
【０００４】キャパシタンスマノメータの較正として
は、オフセット調整と、リニアリティ調整とがあるが、
通常リニアリティ調整については余り変動がなく、また
ユーザーサイドでの調整が困難でもあるためルーチンワ
ークとしてはオフセット調整のみを行っている。キャパ
シタンスマノメータのオフセット調整方法としては、キ
ャパシタンスマノメータの最低検出圧力（通常１×１０
-4Torr）よりも低い圧力を作用させ、そのときのキャパ
シタンスマノメータの指示が０Ｖとなるようにしてい
る。
は、オフセット調整と、リニアリティ調整とがあるが、
通常リニアリティ調整については余り変動がなく、また
ユーザーサイドでの調整が困難でもあるためルーチンワ
ークとしてはオフセット調整のみを行っている。キャパ
シタンスマノメータのオフセット調整方法としては、キ
ャパシタンスマノメータの最低検出圧力（通常１×１０
-4Torr）よりも低い圧力を作用させ、そのときのキャパ
シタンスマノメータの指示が０Ｖとなるようにしてい
る。
【０００５】真空チャンバの真空排気系としてターボポ
ンプ、クライオポンプ、拡散ポンプなどの高真空排気設
備を具えている半導体製造装置においては、この高真空
排気設備を稼働させて真空チャンバの圧力をキャパシタ
ンスマノメータの最低検出圧力よりも低い値に設定でき
るが、このような高真空排気設備を持たない半導体製造
装置においては、真空チャンバ内を１×１０-4Torrより
も低い圧力とすることができない。したがって、キャパ
シタンスマノメータを製造装置から取り外し、別に設け
た較正用の高真空チャンバに取り付けて較正作業を行
い、較正後再び製造装置の真空チャンバに取り付けてい
る。
ンプ、クライオポンプ、拡散ポンプなどの高真空排気設
備を具えている半導体製造装置においては、この高真空
排気設備を稼働させて真空チャンバの圧力をキャパシタ
ンスマノメータの最低検出圧力よりも低い値に設定でき
るが、このような高真空排気設備を持たない半導体製造
装置においては、真空チャンバ内を１×１０-4Torrより
も低い圧力とすることができない。したがって、キャパ
シタンスマノメータを製造装置から取り外し、別に設け
た較正用の高真空チャンバに取り付けて較正作業を行
い、較正後再び製造装置の真空チャンバに取り付けてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のキャパシタンス
マノメータの較正方法では、上述したようにキャパシタ
ンスマノメータを真空チャンバから取り外して較正した
後、真空チャンバに取り付けるようにしているため、次
のような欠点がある。 （１）キャパシタンスマノメータは圧力の変動によって
指示値が変動するので、較正用真空チャンバと製造装置
の真空チャンバとの間を持ち運ぶときには、キャパシタ
ンスマノメータの内部を真空状態に維持しなければなら
ず、取扱がきわめて面倒となる。 （２）キャパシタンスマノメータは取り付けの姿勢によ
っても指示値が変動するので較正時は製造装置に取り付
けられるのと同じ姿勢で較正用の真空チャンバに取り付
けなければならず、面倒であるとともに取り付け姿勢の
誤差による較正誤差も避けられない。 （３）キャパシタンスマノメータの較正のためだけに高
額な較正用装置、すなわち高真空排気設備を有する高真
空チャンバを設置する必要がある。 （４）較正時の工程数が多く、作業が面倒になるととも
に（３）の欠点と相俟ってランニングコストが高くな
る。
マノメータの較正方法では、上述したようにキャパシタ
ンスマノメータを真空チャンバから取り外して較正した
後、真空チャンバに取り付けるようにしているため、次
のような欠点がある。 （１）キャパシタンスマノメータは圧力の変動によって
指示値が変動するので、較正用真空チャンバと製造装置
の真空チャンバとの間を持ち運ぶときには、キャパシタ
ンスマノメータの内部を真空状態に維持しなければなら
ず、取扱がきわめて面倒となる。 （２）キャパシタンスマノメータは取り付けの姿勢によ
っても指示値が変動するので較正時は製造装置に取り付
けられるのと同じ姿勢で較正用の真空チャンバに取り付
けなければならず、面倒であるとともに取り付け姿勢の
誤差による較正誤差も避けられない。 （３）キャパシタンスマノメータの較正のためだけに高
額な較正用装置、すなわち高真空排気設備を有する高真
空チャンバを設置する必要がある。 （４）較正時の工程数が多く、作業が面倒になるととも
に（３）の欠点と相俟ってランニングコストが高くな
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した欠点を
解消するために、プロセス用の真空排気設備と、このプ
ロセス用真空排気設備に連結され、内部で半導体ウエフ
ァを処理する真空チャンバと、この真空チャンバに第１
のバルブを介して連結され、その内部圧力を測定するキ
ャパシタンスマノメータと、このキャパシタンスマノメ
ータに第２のバルブを介して連結され、キャパシタンス
マノメータに作用する圧力を、前記キャパシタンスマノ
メータの最低検出圧力よりも低い圧力に維持することが
できる較正用高真空排気設備とを具え、前記第１バルブ
を閉、第２のバルブを開とし、前記較正用高真空排気設
備を動作させて前記キャパシタンスマノメータの較正を
行うよう構成したことを特徴とするものである。
解消するために、プロセス用の真空排気設備と、このプ
ロセス用真空排気設備に連結され、内部で半導体ウエフ
ァを処理する真空チャンバと、この真空チャンバに第１
のバルブを介して連結され、その内部圧力を測定するキ
ャパシタンスマノメータと、このキャパシタンスマノメ
ータに第２のバルブを介して連結され、キャパシタンス
マノメータに作用する圧力を、前記キャパシタンスマノ
メータの最低検出圧力よりも低い圧力に維持することが
できる較正用高真空排気設備とを具え、前記第１バルブ
を閉、第２のバルブを開とし、前記較正用高真空排気設
備を動作させて前記キャパシタンスマノメータの較正を
行うよう構成したことを特徴とするものである。
【０００８】本発明はさらに上述したキャパシタンスマ
ノメータの較正を自動的に行うようにした半導体の製造
装置を提供しようとするものであり、プロセス用の真空
排気設備と、このプロセス用真空排気設備に連結され、
内部で半導体ウエファを処理する真空チャンバと、この
真空チャンバに第１の電磁バルブを介して連結され、そ
の内部圧力を測定するキャパシタンスマノメータと、こ
のキャパシタンスマノメータに第２の電磁バルブを介し
て連結され、キャパシタンスマノメータに作用する圧力
を、前記キャパシタンスマノメータの最低検出圧力より
も低い圧力に維持することができる較正用高真空排気設
備と、この較正用高真空排気設備に連結され、前記キャ
パシタンスマノメータの最低検出圧力よりも低い圧力を
検出することができる高真空計と、所定のタイミング
で、前記第１電磁バルブを閉、第２の電磁バルブを開と
し、前記較正用高真空排気設備を動作させて前記キャパ
シタンスマノメータの較正動作を自動的に開始させ、前
記高真空計で所定の高真空度に達したことが検出された
後に、前記キャパシタンスマノメータの較正を自動的に
行う制御手段とを具えることを特徴とするものである。
ノメータの較正を自動的に行うようにした半導体の製造
装置を提供しようとするものであり、プロセス用の真空
排気設備と、このプロセス用真空排気設備に連結され、
内部で半導体ウエファを処理する真空チャンバと、この
真空チャンバに第１の電磁バルブを介して連結され、そ
の内部圧力を測定するキャパシタンスマノメータと、こ
のキャパシタンスマノメータに第２の電磁バルブを介し
て連結され、キャパシタンスマノメータに作用する圧力
を、前記キャパシタンスマノメータの最低検出圧力より
も低い圧力に維持することができる較正用高真空排気設
備と、この較正用高真空排気設備に連結され、前記キャ
パシタンスマノメータの最低検出圧力よりも低い圧力を
検出することができる高真空計と、所定のタイミング
で、前記第１電磁バルブを閉、第２の電磁バルブを開と
し、前記較正用高真空排気設備を動作させて前記キャパ
シタンスマノメータの較正動作を自動的に開始させ、前
記高真空計で所定の高真空度に達したことが検出された
後に、前記キャパシタンスマノメータの較正を自動的に
行う制御手段とを具えることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明による半導体製造装置によれば、キャパ
シタンスマノメータの較正時には、半導体製造装置内に
組み込まれた較正用の高真空排気設備を運転することで
キャパシタンスマノメータに作用する圧力をその最低検
出圧力よりも低い圧力とすることができるので、キャパ
シタンスマノメータを製造装置から取り外すことなく較
正を行うことができる。したがって、キャパシタンスマ
ノメータの取り外し、持ち運びに伴う指示値の変動を無
くすことができ、また取り付け姿勢の誤差に基づく較正
誤差も無くすことができる。また、較正時には、キャパ
シタンスマノメータの取り付け部分およびキャパシタン
スマノメータの内部のみを高真空とすれば良いので、大
型で高価な高真空排気設備を設ける必要はないとともに
短時間で必要な高真空度に達するのでキャパシタンスマ
ノメータを取り外す手間の必要ないことと相俟って較正
時間を大幅に短縮することができる。さらに、高真空排
気設備の補助排気設備として半導体製造装置のものを利
用することもでき、その場合には設備費を安価とするこ
とができる。
シタンスマノメータの較正時には、半導体製造装置内に
組み込まれた較正用の高真空排気設備を運転することで
キャパシタンスマノメータに作用する圧力をその最低検
出圧力よりも低い圧力とすることができるので、キャパ
シタンスマノメータを製造装置から取り外すことなく較
正を行うことができる。したがって、キャパシタンスマ
ノメータの取り外し、持ち運びに伴う指示値の変動を無
くすことができ、また取り付け姿勢の誤差に基づく較正
誤差も無くすことができる。また、較正時には、キャパ
シタンスマノメータの取り付け部分およびキャパシタン
スマノメータの内部のみを高真空とすれば良いので、大
型で高価な高真空排気設備を設ける必要はないとともに
短時間で必要な高真空度に達するのでキャパシタンスマ
ノメータを取り外す手間の必要ないことと相俟って較正
時間を大幅に短縮することができる。さらに、高真空排
気設備の補助排気設備として半導体製造装置のものを利
用することもでき、その場合には設備費を安価とするこ
とができる。
【００１０】さらに、第２の発明においては、キャパシ
タンスマノメータの較正を任意のタイミングで自動的に
行うことができる。例えば、半導体ウエファを交換する
度、ロットを交換する度、または較正開始スイッチを設
けてそれを操作したときにキャパシタンスマノメータの
較正を自動的に行うことができ、プロセス圧力の管理を
確実かつ容易に行うことができ、歩留りをさらに向上す
ることができる。
タンスマノメータの較正を任意のタイミングで自動的に
行うことができる。例えば、半導体ウエファを交換する
度、ロットを交換する度、または較正開始スイッチを設
けてそれを操作したときにキャパシタンスマノメータの
較正を自動的に行うことができ、プロセス圧力の管理を
確実かつ容易に行うことができ、歩留りをさらに向上す
ることができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明による半導体製造装置の一実施
例の全体の構成を示すブロック図であり、本例ではウエ
ファに形成した酸化膜をドライエッチングする装置を例
に採ったが、本発明は他のプロセスを実施する装置に適
用することができることは勿論である。真空チャンバ１
内には図示しないオートローダによって半導体ウエファ
が搬入され、エッチング後オートアンローダによって排
出するように構成されている。また、真空チャンバ１に
は、パイプ２を介してCF4, CHF3 などのプロセスガスが
選択的に供給されるように構成されている。
例の全体の構成を示すブロック図であり、本例ではウエ
ファに形成した酸化膜をドライエッチングする装置を例
に採ったが、本発明は他のプロセスを実施する装置に適
用することができることは勿論である。真空チャンバ１
内には図示しないオートローダによって半導体ウエファ
が搬入され、エッチング後オートアンローダによって排
出するように構成されている。また、真空チャンバ１に
は、パイプ２を介してCF4, CHF3 などのプロセスガスが
選択的に供給されるように構成されている。
【００１２】真空チャンバ１は、コンダクタンスバルブ
３およびチャンバアイソレーションバルブ４を介して真
空ポンプ５に連結し、この真空ポンプを動作させて真空
チャンバの内部を５×１０-3程度の圧力に減圧すること
ができる。真空チャンバ１はさらに、キャパシタンスマ
ノメータアイソレーションバルブ（第１のバルブ）６お
よびＴ字状パイプ７を介してキャパシタンスマノメータ
８を連結する。このＴ字状パイプ７はさらに、較正用バ
ルブ（第２のバルブ）９を介してターボポンプ１０に連
結する。また、較正用バルブ９をターボポンプ１０との
間には電離真空計１１を設け、ターボポンプによる高真
空度を測定できるようにする。ターボポンプ１０はさら
に、ターボポンプアイソレーションバルブ１２を介して
真空ポンプ５に連結する。
３およびチャンバアイソレーションバルブ４を介して真
空ポンプ５に連結し、この真空ポンプを動作させて真空
チャンバの内部を５×１０-3程度の圧力に減圧すること
ができる。真空チャンバ１はさらに、キャパシタンスマ
ノメータアイソレーションバルブ（第１のバルブ）６お
よびＴ字状パイプ７を介してキャパシタンスマノメータ
８を連結する。このＴ字状パイプ７はさらに、較正用バ
ルブ（第２のバルブ）９を介してターボポンプ１０に連
結する。また、較正用バルブ９をターボポンプ１０との
間には電離真空計１１を設け、ターボポンプによる高真
空度を測定できるようにする。ターボポンプ１０はさら
に、ターボポンプアイソレーションバルブ１２を介して
真空ポンプ５に連結する。
【００１３】通常のプロセスを行う場合には、較正用バ
ルブ９およびターボポンプアイソレーションバルブ１２
は閉じておく。真空チャンバ１の内部にウエファを搬入
し、真空ポンプ５によって真空チャンバの内部を減圧す
る。真空チャンバ１の内部の圧力をキャパシタンスマノ
メータ８で測定し、５×１０-3Torrの到達真空度に達し
た後、パイプ２を介してプロセスガスを導入する。この
間、コンダクタンスバルブ３を調整して真空チャンバの
圧力が３×１０-1Torr程度の圧力となるように制御す
る。この圧力調整は通常のように自動的に行うが、その
ためにキャパシタンスマノメータ８の出力信号を制御回
路１３に供給する。真空チャンバ１の圧力が予め設定し
た規定の圧力になったら、高周波電力を印加して真空チ
ャンバ１内でプラズマを発生させ、ウエファ表面に形成
されている酸化膜をドライエッチングする。
ルブ９およびターボポンプアイソレーションバルブ１２
は閉じておく。真空チャンバ１の内部にウエファを搬入
し、真空ポンプ５によって真空チャンバの内部を減圧す
る。真空チャンバ１の内部の圧力をキャパシタンスマノ
メータ８で測定し、５×１０-3Torrの到達真空度に達し
た後、パイプ２を介してプロセスガスを導入する。この
間、コンダクタンスバルブ３を調整して真空チャンバの
圧力が３×１０-1Torr程度の圧力となるように制御す
る。この圧力調整は通常のように自動的に行うが、その
ためにキャパシタンスマノメータ８の出力信号を制御回
路１３に供給する。真空チャンバ１の圧力が予め設定し
た規定の圧力になったら、高周波電力を印加して真空チ
ャンバ１内でプラズマを発生させ、ウエファ表面に形成
されている酸化膜をドライエッチングする。
【００１４】キャパシタンスマノメータ８の較正を行う
場合には、チャンバアイソレーションバルブ４およびキ
ャパシタンスマノメータアイソレーションバルブ６を閉
じ、較正用バルブ９およびターボポンプアイソレーショ
ンバルブ１２を開き、ターボポンプを起動するとともに
電離真空計１１を作動させて真空度を測定する。電離真
空計１１で測定される真空度がキャパシタンスマノメー
タ８の最低検出圧力である１×１０-4Torrよりも低くな
ったら、キャパシタンスマノメータの零点を調整する。
すなわち、このときにキャパシタンスマノメータ8 から
出力される電圧が０Ｖとなるように調整する。
場合には、チャンバアイソレーションバルブ４およびキ
ャパシタンスマノメータアイソレーションバルブ６を閉
じ、較正用バルブ９およびターボポンプアイソレーショ
ンバルブ１２を開き、ターボポンプを起動するとともに
電離真空計１１を作動させて真空度を測定する。電離真
空計１１で測定される真空度がキャパシタンスマノメー
タ８の最低検出圧力である１×１０-4Torrよりも低くな
ったら、キャパシタンスマノメータの零点を調整する。
すなわち、このときにキャパシタンスマノメータ8 から
出力される電圧が０Ｖとなるように調整する。
【００１５】今、真空チャンバの圧力をキャパシタンス
マノメータ８の最低検出圧力よりも低い圧力としてキャ
パシタンスマノメータの較正を行うものとする場合、真
空チャンバ１の容積を５０リットルとすると、２００リ
ットル／秒程度の排気速度を持った大型のターボポンプ
が必要になるが、本発明においてはターボポンプで排気
する部分はＴ字状のパイプ７とキャパシタンスマノメー
タ８の内部のみであるのでその容積は高々１リットル程
度であり、したがってターボポンプとしては３０リット
ル／秒程度の小型のもので十分である。
マノメータ８の最低検出圧力よりも低い圧力としてキャ
パシタンスマノメータの較正を行うものとする場合、真
空チャンバ１の容積を５０リットルとすると、２００リ
ットル／秒程度の排気速度を持った大型のターボポンプ
が必要になるが、本発明においてはターボポンプで排気
する部分はＴ字状のパイプ７とキャパシタンスマノメー
タ８の内部のみであるのでその容積は高々１リットル程
度であり、したがってターボポンプとしては３０リット
ル／秒程度の小型のもので十分である。
【００１６】図２は本発明による半導体製造装置の他の
実施例の構成を示すブロック図であり、図１に示した部
分と同じものには同じ符号を付けて示すとともにその説
明を省略する。本例はキャパシタンスマノメータ８の較
正を自動的に行うようにしたものである。すなわち、電
離真空計１１の出力信号を零点較正回路２１に供給し、
この零点較正回路から出力される較正信号をキャパシタ
ンスマノメータ８に供給する。キャパシタンスマノメー
タ８の出力信号は比較回路２２に供給するとともに制御
回路２３に接続し、比較回路の出力信号も制御回路に供
給する。バルブ３，４，６，９，１２は電磁バルブを以
て構成し、これらの電磁バルブを制御回路２３によって
制御し、前例と同様にコンダクタンスバルブ３の開度も
制御回路によって調整する。さらに、制御回路２３は電
離真空計１１およびターボポンプ１０の動作をも制御す
るように構成する。制御回路２３にはさらに、モード選
択スイッチ２４を接続する。このモード選択スイッチ２
４には、キャパシタンスマノメータ８の較正を行うタイ
ミングを指定するスイッチを設ける。すなわち、モード
選択スイッチ２４には、半導体ウエファを交換する毎に
キャパシタンスマノメータ８を較正するスイッチ２４ａ
と、半導体ウエファのロッドを交換する毎にキャパシタ
ンスマノメータの較正を行うスイッチ２４ｂと、任意の
タイミングでキャパシタンスマノメータの較正を行うス
イッチ２４ｃとを設ける。
実施例の構成を示すブロック図であり、図１に示した部
分と同じものには同じ符号を付けて示すとともにその説
明を省略する。本例はキャパシタンスマノメータ８の較
正を自動的に行うようにしたものである。すなわち、電
離真空計１１の出力信号を零点較正回路２１に供給し、
この零点較正回路から出力される較正信号をキャパシタ
ンスマノメータ８に供給する。キャパシタンスマノメー
タ８の出力信号は比較回路２２に供給するとともに制御
回路２３に接続し、比較回路の出力信号も制御回路に供
給する。バルブ３，４，６，９，１２は電磁バルブを以
て構成し、これらの電磁バルブを制御回路２３によって
制御し、前例と同様にコンダクタンスバルブ３の開度も
制御回路によって調整する。さらに、制御回路２３は電
離真空計１１およびターボポンプ１０の動作をも制御す
るように構成する。制御回路２３にはさらに、モード選
択スイッチ２４を接続する。このモード選択スイッチ２
４には、キャパシタンスマノメータ８の較正を行うタイ
ミングを指定するスイッチを設ける。すなわち、モード
選択スイッチ２４には、半導体ウエファを交換する毎に
キャパシタンスマノメータ８を較正するスイッチ２４ａ
と、半導体ウエファのロッドを交換する毎にキャパシタ
ンスマノメータの較正を行うスイッチ２４ｂと、任意の
タイミングでキャパシタンスマノメータの較正を行うス
イッチ２４ｃとを設ける。
【００１７】今、モード選択スイッチ２４のスイッチ２
４ａが駆動され、ウエファ毎にキャパシタンスマノメー
タ８の較正を行うモードが選択される場合について説明
する。真空チャンバ１でのプロセスを制御するコンピュ
ータからウエファの処理が完了し、ウエファが真空チャ
ンバから排出されたことを示す信号が制御回路２３に供
給されると、制御回路はバルブ４および６を閉じ、バル
ブ９および１２を開く。この状態でターボポンプ１０の
内部が真空排気される。タイマによって予め決められた
１０〜２０秒の時間が経過した後、制御回路２３はター
ボポンプ１０へ信号を送り、これを駆動する。ターボポ
ンプ１０の回転数が所定の値に達したら制御回路２３は
電離真空計１１へ信号を送り、これを動作状態とする。
４ａが駆動され、ウエファ毎にキャパシタンスマノメー
タ８の較正を行うモードが選択される場合について説明
する。真空チャンバ１でのプロセスを制御するコンピュ
ータからウエファの処理が完了し、ウエファが真空チャ
ンバから排出されたことを示す信号が制御回路２３に供
給されると、制御回路はバルブ４および６を閉じ、バル
ブ９および１２を開く。この状態でターボポンプ１０の
内部が真空排気される。タイマによって予め決められた
１０〜２０秒の時間が経過した後、制御回路２３はター
ボポンプ１０へ信号を送り、これを駆動する。ターボポ
ンプ１０の回転数が所定の値に達したら制御回路２３は
電離真空計１１へ信号を送り、これを動作状態とする。
【００１８】ターボポンプ１０によってＴ字状パイプ７
の内部は減圧されて行くが、この圧力を電離真空計１１
で測定し、この測定値は制御回路２３に送られる。制御
回路２３において、電離真空計１１で測定される真空度
が１×１０-4Torrよりも低くなったことを検知したら、
制御回路は零点較正回路２１へ較正開始信号を送り、キ
ャパシタンスマノメータ８の零点較正を開始させる。
の内部は減圧されて行くが、この圧力を電離真空計１１
で測定し、この測定値は制御回路２３に送られる。制御
回路２３において、電離真空計１１で測定される真空度
が１×１０-4Torrよりも低くなったことを検知したら、
制御回路は零点較正回路２１へ較正開始信号を送り、キ
ャパシタンスマノメータ８の零点較正を開始させる。
【００１９】このとき、キャパシタンスマノメータ８か
らの出力信号を比較器２２に供給し、ここで基準電圧で
ある０Ｖと比較する。キャパシタンスマノメータ８の出
力電圧が０Ｖとなったことを比較器２２の出力で確認し
た後、制御回路２３は較正動作の終了作業に入り、ター
ボポンプ１０、電離真空計１１の動作を停止し、バルブ
９および１２を閉じ、バルブ４および６を開く。
らの出力信号を比較器２２に供給し、ここで基準電圧で
ある０Ｖと比較する。キャパシタンスマノメータ８の出
力電圧が０Ｖとなったことを比較器２２の出力で確認し
た後、制御回路２３は較正動作の終了作業に入り、ター
ボポンプ１０、電離真空計１１の動作を停止し、バルブ
９および１２を閉じ、バルブ４および６を開く。
【００２０】モード選択スイッチ２４のスイッチ２４ｂ
を閉じるときは、プロセスコンピュータからウエファの
ロッドが切り換わるときに較正開始信号が制御回路２３
に供給され、上述した較正動作が自動的に行われる。ま
た、スイッチ２４ｃが閉じられるときは、当該ウエファ
の処理が終了するとプロセスコンピュータから較正開始
信号が制御回路２３に供給され、上述した較正動作が自
動的に行われる。
を閉じるときは、プロセスコンピュータからウエファの
ロッドが切り換わるときに較正開始信号が制御回路２３
に供給され、上述した較正動作が自動的に行われる。ま
た、スイッチ２４ｃが閉じられるときは、当該ウエファ
の処理が終了するとプロセスコンピュータから較正開始
信号が制御回路２３に供給され、上述した較正動作が自
動的に行われる。
【００２１】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変形が可能である。上述した実施
例では半導体ウエファに形成された酸化膜をドライエッ
チングするための真空チャンバの圧力を測定するキャパ
シタンスマノメータの較正を行うようにしたが、他の任
意のプロセスを行う真空チャンバの圧力を測定するキャ
パシタンスマノメータの較正を行うことができる。ま
た、上述した実施例では較正時にキャパシタンスマノメ
ータの最低検出圧力よりも低い圧力を作るためにターボ
ポンプを用いたが、クライオポンプ、拡散ポンプなどの
高真空排気設備を用いることもできる。
ものではなく、幾多の変形が可能である。上述した実施
例では半導体ウエファに形成された酸化膜をドライエッ
チングするための真空チャンバの圧力を測定するキャパ
シタンスマノメータの較正を行うようにしたが、他の任
意のプロセスを行う真空チャンバの圧力を測定するキャ
パシタンスマノメータの較正を行うことができる。ま
た、上述した実施例では較正時にキャパシタンスマノメ
ータの最低検出圧力よりも低い圧力を作るためにターボ
ポンプを用いたが、クライオポンプ、拡散ポンプなどの
高真空排気設備を用いることもできる。
【００２２】
【発明の効果】上述したように、本発明による半導体製
造装置によれば、真空チャンバ内の圧力を測定するキャ
パシタンスマノメータの較正を、キャパシタンスマノメ
ータを製造装置から取り外すことなく行うことができる
ので、キャパシタンスマノメータを取り外したり持ち運
んだりすることによる較正誤差を皆無とすることができ
るとともに較正作業は非常に簡単となる。特に、上述し
た実施例のようにキャパシタンスマノメータに高真空を
作用させるのに、既存の真空排気系に補助排気設備を付
加する場合には較正のための設備は小型となり、設備費
も安価となる。また、較正を自動的に行うようにした発
明では、較正作業はさらに簡単になるとともに人的ミス
も無くなり、プロセス管理を確実且つ正確に行うことが
でき、半導体製造の歩留りを向上することができる。
造装置によれば、真空チャンバ内の圧力を測定するキャ
パシタンスマノメータの較正を、キャパシタンスマノメ
ータを製造装置から取り外すことなく行うことができる
ので、キャパシタンスマノメータを取り外したり持ち運
んだりすることによる較正誤差を皆無とすることができ
るとともに較正作業は非常に簡単となる。特に、上述し
た実施例のようにキャパシタンスマノメータに高真空を
作用させるのに、既存の真空排気系に補助排気設備を付
加する場合には較正のための設備は小型となり、設備費
も安価となる。また、較正を自動的に行うようにした発
明では、較正作業はさらに簡単になるとともに人的ミス
も無くなり、プロセス管理を確実且つ正確に行うことが
でき、半導体製造の歩留りを向上することができる。
【図１】図１は本発明による半導体製造装置の一実施例
全体の構成を示すブロック図である。
全体の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は同じく本発明による半導体製造装置の他
の実施例の全体の構成を示すブロック図である。
の実施例の全体の構成を示すブロック図である。
１ 真空チャンバ
３ コンダクタンスバルブ
４ ポンプアイソレーションバルブ
５ 真空ポンプ
６ キャパシタンスマノメータアイソレーションバルブ
（第１バルブ） ８ キャパシタンスマノメータ ９ 構成用バルブ（第２バルブ） １０ ターボポンプ １１ 電離真空計 １２ ターボポンプアイソレーションバルブ ２１ 零点較正回路 ２２ 比較器 ２３ 制御回路 ２４ モード選択スイッチ
（第１バルブ） ８ キャパシタンスマノメータ ９ 構成用バルブ（第２バルブ） １０ ターボポンプ １１ 電離真空計 １２ ターボポンプアイソレーションバルブ ２１ 零点較正回路 ２２ 比較器 ２３ 制御回路 ２４ モード選択スイッチ
Claims (2)
- 【請求項１】 プロセス用の真空排気設備と、このプロ
セス用真空排気設備に連結され、内部で半導体ウエファ
を処理する真空チャンバと、この真空チャンバに第１の
バルブを介して連結され、その内部圧力を測定するキャ
パシタンスマノメータと、このキャパシタンスマノメー
タに第２のバルブを介して連結され、キャパシタンスマ
ノメータに作用する圧力を、前記キャパシタンスマノメ
ータの最低検出圧力よりも低い圧力に維持することがで
きる較正用高真空排気設備とを具え、前記第１バルブを
閉、第２のバルブを開とし、前記較正用高真空排気設備
を動作させて前記キャパシタンスマノメータの較正を行
うよう構成したことを特徴とする真空チャンバを有する
半導体製造装置。 - 【請求項２】 プロセス用の真空排気設備と、このプロ
セス用真空排気設備に連結され、内部で半導体ウエファ
を処理する真空チャンバと、この真空チャンバに第１の
電磁バルブを介して連結され、その内部圧力を測定する
キャパシタンスマノメータと、このキャパシタンスマノ
メータに第２の電磁バルブを介して連結され、キャパシ
タンスマノメータに作用する圧力を、前記キャパシタン
スマノメータの最低検出圧力よりも低い圧力に維持する
ことができる較正用高真空排気設備と、この較正用高真
空排気設備に連結され、前記キャパシタンスマノメータ
の最低検出圧力よりも低い圧力を検出することができる
高真空計と、所定のタイミングで、前記第１電磁バルブ
を閉、第２の電磁バルブを開とし、前記較正用高真空排
気設備を動作させて前記キャパシタンスマノメータの較
正動作を自動的に開始させ、前記高真空計で所定の高真
空度に達したことが検出された後に、前記キャパシタン
スマノメータの較正を自動的に行う制御手段とを具える
ことを特徴とする真空チャンバを有する半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18411791A JPH0513544A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 真空チヤンバを有する半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18411791A JPH0513544A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 真空チヤンバを有する半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513544A true JPH0513544A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16147681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18411791A Pending JPH0513544A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 真空チヤンバを有する半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513544A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012849A1 (fr) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Tokyo Electron Limited | Appareil de traitement thermique |
| JP2018204437A (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-27 | 株式会社島津製作所 | 真空ポンプ、真空排気システムおよび排気システム用コントローラ |
| CN113439327A (zh) * | 2020-01-23 | 2021-09-24 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57108631A (en) * | 1980-11-03 | 1982-07-06 | Perkin Elmer Corp | Automatic zero adjustor for capacitive manometer |
| JPS62126903A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-09 | 日本プラントシ−ダ−株式会社 | 種子の吸引搬出装置 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP18411791A patent/JPH0513544A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57108631A (en) * | 1980-11-03 | 1982-07-06 | Perkin Elmer Corp | Automatic zero adjustor for capacitive manometer |
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| US7044731B2 (en) | 2001-07-30 | 2006-05-16 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| KR100814582B1 (ko) * | 2001-07-30 | 2008-03-17 | 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 | 열처리 장치 |
| JP2018204437A (ja) * | 2017-05-30 | 2018-12-27 | 株式会社島津製作所 | 真空ポンプ、真空排気システムおよび排気システム用コントローラ |
| CN113439327A (zh) * | 2020-01-23 | 2021-09-24 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法 |
| CN113439327B (zh) * | 2020-01-23 | 2023-07-25 | 株式会社日立高新技术 | 等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法 |
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