JP2507356B2 - 排気システム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は真空圧で処理を行う装置の排気システムに関
し、特に真空圧を高精度に管理できる排気システムに関
する。

〔従来の技術〕

従来、処理室を真空圧に保って処理を行う装置では、
真空圧を測定するための測定器、即ち真空圧計が排気系
内に付設されて排気システムが構成される。通常、この
種の真空圧を測定するには、真空圧計の中でも経時変化
やその他の原因による誤差の発生が極めて少ないイオン
ゲージ型の真空圧計が好適である。しかしながら、現在
提供されているイオンゲージの測定領域は、10^-3（Torr
以下同じ）以上の極めて高い真空圧領域であるため、こ
のイオンゲージを10^-2程度の真空圧を使用する半導体装
置等の処理装置にそのまま使用することは難しい。

このため、従来では隔膜型の真空圧計が用いられてい
るが、この真空圧計は前記したような範囲の圧力の測定
には有効でも経時変化による誤差が比較的大きく、較正
が必要な必要不可欠のものとされる。例えば、オプティ
カル・マイクロリソグラフィー，エス ピー アイ イ
ー334（SPIE Vol334 Optical Microlithography）にこ
の種の真空ゲージの較正方法が記載されている。

しかしながら、従来における真空圧計の較正には、圧
力が既知の真空圧を用意し、この真空圧を基準として真
空圧計の較正を行っているため、処理装置とともに基準
となる真空圧を発生させる較正用の真空圧系統を処理装
置とは別個に設ける必要がある。したがって、処理装置
全体が複雑化し、かつコスト高になるという問題が生じ
ている。

本発明の目的は、較正用の真空圧系統を別個に設ける
ことなく、真空圧計の較正を可能とし、これにより処理
装置の構造の簡易化及び低コスト化を可能とする排気シ
ステムを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の排気システムは、処理装置の主排気系を高真
空排気系として構成し、これにイオンゲージ型の真空圧
計を配設する一方、処理装置に配設する隔膜型真空圧計
をこのイオンゲージ型真空圧計の測定値に基づいて較正
し得るように構成している。

〔作用〕

主排気系としての高真空排気系の真空圧をイオンゲー
ジ型真空圧計で測定し、これを隔膜型真空圧計の基準値
として較正できるので、較正用の真空系統を処理装置と
は別個に設ける必要はなく、構造の簡易化及び低コスト
化を達成できる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。

図は本発明の全体構成を示す図であり、ここでは本発
明をドライエッチング装置に適用した例を示している。

真空処理室１は、内部に上部電極２及び下部電極３を
内装し、上部電極２には高周波電源４を接続し、下部電
極３は被エッチング材５を載置するとともにグランドに
接続している。また、処理室１の上部にはガス導入口６
を開口し、ガス導入管７を通してマスフローコントロー
ラ（MFC）８で流量制御された処理ガスが図外のガス源
から導入される。また、処理室１の下部に開口した排気
口９には排気管10を接続し、ターボ分子ポンプ11及びロ
ータリポンプ12を接続して内部を高真空圧に真空引きで
きるようにしている。

そして、前記処理室１の一部には隔膜型の真空圧計13
を配設する一方、前記排気管10にはイオンゲージ型の真
空圧計14を配設し、かつ両真空圧計13,14を比較演算回
路15で相互に接続させた構成となっている。前記隔膜型
の真空圧計13は10^-2程度の真空圧を測定でき、イオンゲ
ージ型の真空圧計14は10^-3程度の真空圧を測定できる。
また、前記比較演算回路15は、イオンゲージ型の真空圧
計14の測定値を取り込み、この値に基づいて所要の演算
を行い、隔膜型の真空圧計13の基準値（零点）を補正す
る信号を出力するように構成している。

なお、図において16はバルブである。

したがって、この構成によれば処理の前にターボ分子
ポンプ11及びロータリポンプ12を用いて処理室１を10^-3
程度の高真空圧（処理真空圧よりも高い真空圧）に設定
し、この状態でイオンゲージ型真空圧計14によって真空
圧を測定する。この測定値は比較演算回路15に取り込ま
れ、所要の演算が行われて、補正信号が出力される。

したがって、この出力に基づいて隔膜型真空圧計13の
零点を合わせる等、所要の較正を自動で行うことができ
る。

次いで、排気系での真空引き動作を通常状態とし、処
理室１を処理に適した10^-2程度の真空圧に設定するが、
この時の真空圧は隔膜型真空圧計13で測定でき、処理室
１内を希望の真空圧に設定することができる。この際、
隔膜型真空圧計１は較正を行った直後であるので、経時
変化やその他の原因による誤差の影響は殆ど存在せず、
処理室１内の真空圧を高精度に設定することが可能とな
る。

このように本実施例装置では、処理室１の排気系で較
正用真空圧を得ているので、較正用の排気系を別個に設
ける必要はなく、装置構成の簡易化及び低コスト化を達
成できる。また、較正用の真空計には経時変化等の誤差
の少ないイオンゲージ型真空圧計を用い、かつ処理の度
毎に自動で較正を行うので、処理室の真空圧を極めて高
精度に設定できる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、処理装置の主排気系を
高真空排気系として構成し、これにイオンゲージ型の真
空圧計を配設する一方、処理装置に配設する隔膜型真空
圧計を前記イオンゲージ型真空圧計の測定値に基づいて
較正し得るように構成しているので、較正用の真空系統
を処理装置とは別個に設ける必要はなく、構造の簡易化
及び低コスト化を達成できる。また、処理の度毎に較正
を行うことにより、処理室の真空圧を高精度に設定する
ことができ、歩留のよい真空処理を実現できる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例の全体構成図である。 １…処理室、２…上部電極、３…下部電極、４…高周波
電源、５…被エッチング材、６…ガス導入口、７…ガス
導入管、８…マスフローコントローラ、９…排気口、10
…排気管、11…ターボ分子ポンプ、12…ロータリポン
プ、13…イオンゲージ型真空圧計、14…隔膜型真空圧
計、15…比較演算回路、16…バルブ、17…圧力制御バル
ブ。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】内部で真空処理を行う処理室と、該処理室
   に接続して前記処理室内を真空引きする排気系と、前記
   処理室の真空圧を測定する真空圧計とを備える排気シス
   テムにおいて、前記排気系を高真空排気系として構成
   し、前記排気系にイオンゲージ型真空圧計を配設し、前
   記処理室の真空圧を測定する真空圧計を前記イオンゲー
   ジ型真空圧計の測定値に基づいて較正し得るように構成
   したことを特徴とした排気システム。
2. 【請求項２】処理室の真空圧を測定する真空圧計が隔膜
   型真空圧計である特許請求の範囲第１項記載の排気シス
   テム。