TW202129687A - 電漿處理裝置及電漿處理裝置的運轉方法 - Google Patents
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Abstract
為了提供一種使良品率提升的電漿處理裝置或電漿處理裝置的運轉方法，具備：
被配置於真空容器內部的處理室內的試料台；
形成用以處理其上方的晶圓的電漿的電漿形成空間及在下方與前述電漿形成空間連通的下部空間；
被配置於前述下部空間的底部的排氣口；
加熱包圍該下部空間的前述真空容器的下部的加熱器；
前述晶圓的處理時，檢測出前述處理室內的壓力的第1真空計；
與被配置於包圍此下方的前述下部空間的外周的處理室的內壁的開口連通的校正用的第2真空計；及
利用前述處理室內的壓力設為0的程度的壓力值及高於此的複數的壓力值的前述第1及第2真空計的輸出來修正前述第1真空計的輸出的修正機。
Description
本發明是有關利用在真空容器內的處理室形成的電漿來處理配置於該處理室內的半導體晶圓等的基板狀的試料之電漿裝置及電漿處理裝置的運轉方法，特別是有關一面利用檢測處理室內部的壓力的壓力計的輸出來調節處理室內的壓力，一面處理前述試料的電漿裝置及電漿處理裝置的運轉方法。
上述般的電漿處理裝置，以往為了調節處理室內的壓力而使用的壓力計的輸出是隨著裝置的運轉時間的經過或稀少的處理的片數的累計變大而從初期的狀態變動的情形為人所知。因此，一旦到達預定的運轉時間或試料的處理片數，則將為了調節試料的處理中的壓力而使用的壓力計比較其輸出與被確認精度的基準用的別的壓力計的輸出而進行修正。
作為如此的以往的技術的例子，有記載於日本特開2004-273682號公報(專利文獻1)者為人所知。此以往技術是揭示：不僅被連接至處理室的控制用壓力計，還藉由被連接至與處理室連接的空間的校正用壓力計，不需要在大氣壓下進行的控制用的壓力計的校正作業的技術。
又，作為別的例子，日本特開2010-251464號公報(專利文獻2)是揭示：藉由將校正用壓力計與在成膜處理時用以控制壓力的控制用壓力計的受理處設為相同，將在校正用的壓力計及控制用的壓力計的檢測壓力的條件設為相同，可在接近實際的成膜的處理的條件的狀態下進行控制用的壓力計的零點校正，以高的精度實現處理的壓力的條件之技術。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2004-273682號公報
專利文獻2：日本特開2010-251464號公報
(發明所欲解決的課題)
在上述以往技術中，由於其次的點的考慮不夠充分，因此發生問題。
亦即，上述專利文獻1是在使被連接的處理室與加載鎖定室連通形成1個的空間之狀態下，專利文獻2是校正用壓力計與處理室內部的壓力的調節用的壓力計的兩者會被連接至處理室而具備構成。而且，皆是在將處理室內部真空排氣而減壓至預定的真空度之後，將該處理室調節成複數的不同的壓力的狀態，在各個的壓力的狀態中比較校正用的壓力計的輸出與處理室的壓力調節用的壓力計，利用其結果來對壓力調節用的壓力計的輸出施加修正的技術。
然而，本以往技術是未考慮有關在氣密地閉塞加載鎖定室與處理室之間的閘閥的狀態下將加載鎖定室及處理室排氣而減壓之後再度開啟閘閥而使兩者的壓力形成相同之後，比較被連接至加載鎖定室的校正用壓力計與被連接至處理室的壓力調節用的壓力計，以包含接近在處理室內部被實施的處理的條件之接近0的壓力的狀態、所謂高真空的壓力的狀態的複數的壓力的條件修正上述壓力調節用的壓力計的輸出。發生使用以壓力更高的條件進行校正的壓力計來調節的處理室的高真空度的壓力的值成為不正確的問題。
而且，在專利文獻2中也是未考慮有關如利用電漿來蝕刻處理半導體晶圓上的處理對象的膜的情況般，以高真空度的壓力的條件修正校正用的壓力計的輸出的點。因此，上述以往技術，用以製造半導體裝置的實際的晶圓的處理中的壓力的值大幅度偏離所望者，對晶圓的處理結果造成不良影響，在處理後取得的加工形狀的尺寸的偏差大，有損處理的良品率。
本發明的目的是在於提供一種使良品率提升的電漿處理裝置或電漿處理裝置的運轉方法。
(用以解決課題的手段)
上述的目的是藉由下述的電漿處理裝置或其運轉方法來達成，
該電漿處理裝置，係具備：
試料台，其係被配置於真空容器內部的處理室內，處理對象的晶圓被載置於其上面；
電漿形成空間，其係前述處理室的前述試料台上方的空間，利用被供給的處理用的氣體來形成用以處理前述晶圓的電漿；
下部空間，其係前述試料台的下方的前述處理室的下部的空間，經由前述試料台外周的該處理室內的空間來與前述電漿形成空間連通；
排氣口，其係被配置於前述下部空間的底部，與將前述處理室內部排氣而減壓的排氣裝置連通；
加熱器，其係加熱包圍該下部空間的前述真空容器的下部；
第1真空計，其係在前述晶圓的處理時檢測出前述處理室內的壓力；
校正用的第2真空計，其係此第1真空計的下方，與被配置於包圍前述下部空間的外周的處理室的內壁的開口連通；及
修正機，其係利用前述處理室內的壓力設為0的程度的壓力值及高於此的複數的壓力值的前述第1及第2真空計的輸出來修正前述第1真空計的輸出。
[發明的效果]
若根據本發明，則可提供一種使良品率提升的電漿處理裝置或電漿處理裝置的運轉方法。
以下，利用圖面來說明本案發明的實施形態。
實施例
以下，利用圖1~圖5來說明本發明的實施例。圖1是模式性地表示本發明的實施例的真空處理室的構成的概略的縱剖面圖。
圖1所示的電漿處理裝置100是具有真空容器，該真空容器是大致分成包含在中央部具有圓形的排氣口124的底板109及被配置於其上方且內側的側壁面具有圓筒形的上部容器101以及被配置其下方的下部容器102和被夾於該等之間的試料台底部107。而且，在真空容器的下方是具備包含被連結於此而配置的渦輪分子泵等的排氣泵103的排氣部。更在真空容器的上方配置具有用以在真空容器內部的空間形成電漿的預定的頻率的電場傳播於內側的導波管122及螺線管線圈(solenoid coil)105的電漿形成部。
上部容器101、下部容器102、試料台底部107是該等的外側的壁面會面向電漿處理裝置100的周圍的環境，內側的壁面會包圍藉由排氣泵103來減壓且形成電漿的空間的處理室104的周圍。該等的構件的內壁面是具備水平方向的剖面為具有圓形的圓筒形狀，以各個的構件的包圍的處理室104的圓筒形的中心在上下方向一致或近似於此的程度的位置，內側壁面的接縫的階差會儘可能縮小的方式，將O型環等的密封構件夾於其間而推壓於上下方向，定位而互相地連接。在如此連接的狀態下，該等的構件是構成真空隔壁，處理室104的內部與外部的環境之間會被氣密地區劃。
處理室104的上部的空間是作為放電部，形成電漿的空間，在其下方配置有處理對象的晶圓108會被載置於上面的試料台106。本實施例的處理室104是在試料台106底面的下方，在與處理室104底面之間具有空間，且在試料台106底面的下方的處理室104的底面是配置有排出處理室104內的氣體或電漿等的粒子的排氣口124的圓形狀的開口。
在上部容器101的上方是配置有：
具有環形狀，具有導電性的環狀構件製的接地環116；
被載置於接地環116上面上方，具有環形狀的放電阻擋部基底(block base)119；及
被載置於放電阻擋部基底119上，包圍放電部的外周，具有圓筒形狀的放電部容器117。
放電部容器117的圓筒形的內側的側壁部分是覆蓋放電阻擋部基底119的內周側的側壁而配置，且放電部容器117的內側，在與形成電漿的空間的放電部之間是配置有覆蓋放電部容器117的內側壁面而配置的石英製的內筒，抑制電漿與放電部容器117的內側壁的相互作用，減低損傷或消耗。
在放電部容器117的外側的壁面上，加熱器118會被捲於該壁面的外周側，接觸於該壁面而配置。加熱器118是與未圖示的直流電源電性連接，從直流電源供給電流而發熱，放電部容器117的內側壁面的溫度會被調節成為所望的範圍內的值。
放電部容器117及放電阻擋部基底119的下端面與被配置於其下方的上部容器101上端面之間是配置有由具有導電性的材料所構成的環狀構件的接地環116。接地環116是其上面與放電部容器117的圓筒形狀部的下端下面之間，以及接地環116下面與上部構件101上端上面，夾著O型環而連接，藉由供給將該等推壓於上下方向的力，處理室104的內外會被氣密地密封。接地環116雖未圖示，但實際與接地電極電性連接，藉由內周側的端部在處理室104內部的放電部從周圍突出至中央側而與電漿接觸，電漿的電位會被調節成所有者的所望的範圍內。而且，在接地環116的內周側端部的上面上方是內筒114會在與放電部容器117的內側壁面之間隔開間隙來載置而配置。
而且，在放電部117的上端上方是夾著O型環來載置環狀的構件的氣體環(gas ring)115，該氣體環115是配置有為了在處理室104內形成電漿而被供給的處理用的氣體的通路。在氣體環115的上面的上方是夾著O型環來載置具有圓板形狀的窗構件112，該窗構件112是構成真空容器而被供給至放電部的電場會透過的石英等的介電質製的構件，窗構件112外周緣部下面與氣體環115的上面會互相連接。
在窗構件112的下面下方是隔開間隙來配置石英等的介電質製的圓板狀構件的淋浴板113，覆蓋處理室104的放電部上方而構成其頂面。在淋浴板113的中央部的圓形的區域是配置有複數的貫通孔。在氣體環115的內部是具備：夾著流量調節器(質量流控制器、MFC)經由配管來與未圖示的具有複數的槽而構成的氣體源連接的處理用氣體的供給路，及被連通至窗構件112與淋浴板113之間的間隙的氣體流路115’。藉由流量調節器來調節其流量或速度的來自各種類的氣體源的氣體是沿著配管供給而作為1個的氣體供給路合流之後，通過氣體環115內的氣體流路115’來流入至窗構件112及淋浴板113之間的間隙內，在該間隙內擴散之後，從淋浴板113的中央部的複數的貫通孔，由上方導入至處理室104。
窗構件112、淋浴板113、氣體環115、放電部容器117、放電阻擋部基底119是夾著O型環而連結，構成真空容器，且與內筒114一起構成放電阻擋部。放電阻擋部是如後述般沿著未圖示的昇降機(lifter)的上下方向的軸來移動於上下方向，被構成為可分解或組合真空容器。放電阻擋部是亦可構成包含接地環116，或亦可構成為在上部容器101與接地環116之間可將真空容器分割成上下而分解。
在窗構件112的上方是配置有用以傳播微波的電場的導波管122，該微波的電場是為了在處理室104的放電部形成電漿而供給。
導波管122是具備：
圓筒形的圓形導波管部，其係沿著上下方向的軸而延伸，與其上下方向的軸垂直的水平方向的剖面為具有圓形；及
方形導波管部，其係沿著水平方向的軸而延伸，與水平方向的軸垂直的上下方向的剖面為具有矩形或方形，且其一端部會與圓形導波管部的上端部連接，
在方形導波管部的另一端側的部分是配置有振盪形成電場的磁控管(magnetron)123。
被形成的微波的電場是在水平方向傳播於方形導波管部，在圓形導波管部的上端改變方向而朝向下方的窗構件112下方的處理室104傳播。
圓形導波管部的下端部是在此下端部下方，窗構件112的上方，與具有和該窗構件112相同或近似於視為此的程度的大小的內徑之圓筒形的空洞部121的圓形的頂部的中央部連接。圓形導波管部的內部與空洞部121的內部的空洞是經由與圓形的頂部中央的圓形導波管的內徑相同的圓形的開口來連通，空洞部121是構成導波管122的一部分。傳播於圓形導波管內的微波的電場是被導入至空洞部121內之後，在空洞部121內部形成所望的電場的模式，透過窗構件112及下方的淋浴板113來傳播至處理室104內。
而且，在本實施例中，複數段的環狀的螺線管線圈105會包圍空洞部121上方的導波管122的圓形導波管部的外周側、及空洞部121以及放電部容器117的圓筒形的外側側壁的外周側，與軛一起被配置於上下方向。該等螺線管線圈105是與未圖示的直流電源電性連接而供給直流電流來產生磁場。從導波管122供給的微波的電場及從螺線管線圈105產生而供給的磁場會在處理室104內部互相地作用，產生電子迴旋共振(Eletron Cyclotron Resonance、ECR)，激發被供給至處理室104內的處理用氣體的原子或分子，使該等電離或解離，在晶圓108的處理中的放電部內形成電漿。
試料台106是被配置於環狀的試料台底部107的內側的中央部，藉由連接該等之間的複數根的支撐樑來被連接於試料台底部107。本實施例的支撐樑是就圖上一點劃線所示具有圓筒形的試料台106的上下方向的中心軸而言，從上方看，在其周方向相同或近似於此的程度的每個角度放射狀地配置成所謂軸對稱。藉由如此的構成，在上部容器101的內側的放電部內被形成的電漿或被供給的氣體、在晶圓108的處理中產生的反應生成物等的粒子會藉由排氣泵103的動作，在試料台106與上部容器101之間及試料台106與試料台底部107之間的空間，通過支撐樑彼此之間的空間，通過下部容器102內側的空間，通過試料台106的正下方的排氣口124而排出，在晶圓108上面上方的處理室104內部的粒子的流動，有關晶圓108的周方向，偏差會被減低，晶圓108的處理的均一性會提升。
試料台106是在內部具有空間，藉由試料台底蓋120氣密地密封內外而安裝底面，該空間會被密封。而且，在複數根的支撐樑的內部是配置有與試料台底部107的外側的大氣壓的環境連通的通路，試料台106內部的空間與該外側之處會被連通。該等的空間及通路是被配置於試料台底部107的外側，形成將電力或冷媒、氣體等的流體供給至試料台的電纜或配管等的供給路的配置用的區域。該通路及試料台106內的空間是與環境同樣的大氣壓或近似於視為此程度的壓力。
又，上部容器101及下部容器102是在各個的外側壁具有未圖示的凸緣部。下部容器102及其上方的上部容器101是對於底板109各個的凸緣部會利用螺絲或螺栓來締結定位。另外，本實施例的上部容器101、下部容器102、試料台底部107的外周側壁是具有圓筒形狀，但該等是水平剖面形狀亦可不是圓形，而是矩形或其他的形狀。
底板109是在設置電漿處理裝置100的無塵室等的建築物的地板上與複數根的支柱125的上端部連接，被載置於該等支柱125上而支撐。亦即，包含底板109的真空容器是經由複數根的支柱125來定位於建築物的地板面上。
而且，在底板109的下方的支柱125彼此之間的空間是配置有排氣泵103，經由排氣口124來與處理室104連通。排氣口124是在試料台106的正下方，通過其圓形的開口的中心的上下方向的軸是配置於與上述中心軸一致或近似於視為此程度的位置，在排氣口124上方的處理室104的內部是配置有對於該排氣口124移動至閉塞或上下方向的具有大略圓板形狀的排氣口蓋110。排氣口蓋110是隨著被配置於底板109的下方且具有致動器(actuator)等的驅動用的機器的排氣調節機111的動作而移動至上下，藉此增減從排氣口124排出的處理室104內的粒子的流路的面積，取得增減來自排氣口124的處理室104內的粒子的排氣的傳導性(conductance)的流量調節閥的機能，根據來自未圖示的控制部的指令訊號來驅動排氣口蓋110，而調節藉由排氣泵103所排出的內部的粒子的量或速度。
電漿處理裝置100的真空容器是與在水平方向鄰接配置的別的真空容器，亦即配置有搬送機械手的真空搬送容器126連結，該搬送機械手是在內部被減壓的空間的搬送室，將晶圓108保持於臂的尖端部的上面而搬送於該搬送室內。電漿處理裝置100與真空搬送容器之間，是內部的處理室104與真空搬送室會經由晶圓108所通過內側的通路之閘門來連通。而且，在真空搬送室內是具備閘閥128，該閘閥128是將移動於上下方向且對於真空搬送容器126內側壁面移動於水平方向而配置於該內側壁面的閘門的開口開放及與內側壁面夾著O型環抵接而氣密地閉塞開口。
而且，本實施例是在上部容器101與真空搬送容器之間配置有在內部的空間內具備別的閘閥129的閥箱127。閥箱127是其2個端部的各者會夾著O型環等的密封構件來連接至上部容器101的外側側壁面及真空搬送容器的側壁面的各者，在內部具有從外部的大氣壓的環境氣密地區劃的空間。閥箱127的一方的端部的側壁面是與真空搬送容器126側壁的閘門的開口的周圍連接，另一方的端部的側壁面是與被配置於上部容器101的側壁的閘門的開口的周圍連接，藉此閥箱127內的空間是構成晶圓108被載置於搬送機械手的臂而搬送的通路。
另外，被配置於閥箱127內部的閘閥129是移動於上下方向，且對於上部容器101的外側壁移動於水平方向，而將上部容器101的閘門的開口開放或夾著O型環抵接而氣密地密封。在真空搬送容器126、閥箱127的各個的下方是配置有用以和被配置於各個的內部的閘閥128，129連接而使該等移動的致動器等的驅動機130。
又，本實施例的閥箱127是以螺絲或螺栓等來與下端被連接至建築物的地板面而定位的別的支柱125的上端部連接而被支撐於此，閥箱127的一端部的側壁面會與閘門外周側的上部容器101的外側壁面夾著O型環而連接，被定位為可實現氣密的密封而配置。圖1的實施例的閥箱127是除了藉由支柱125來被支撐於建築物的地板面上的形態以外，亦可為藉由被連接至底板109下方的支柱125的別的支柱125來支撐，或以螺絲或螺栓等來締結於底板109的真空搬送容器側的端部的上面而定位的形態。
在晶圓108的處理之前，在預先被減壓的處理室104的內部，處理前的晶圓108會被載置保持於搬送機械手的臂的尖端部上面，從真空搬送室內通過閥箱127內部的空間來搬入。晶圓108是若在處理室104內部，在試料台106上面上方，從被保持於臂上的狀態交接至從試料台106上面突出的複數的銷上，則真空機械手的臂會從處理室104退出至真空搬送室內。晶圓108被載置於試料台106上面，且閘閥129被驅動而上部容器101的閘門被氣密地閉塞。
在此狀態下，藉由流量調節器來調節流量或速度的複數的氣體所構成的處理用的氣體會從氣體供給路及氣體流路115’通過窗構件112與淋浴板113的間隙及淋浴板113的貫通孔而導入至處理室104內，且藉由與排氣口124連通的排氣泵103的動作排除處理室104內的氣體的粒子，處理室104內的壓力會藉由該等的平衡來調節成適於處理的範圍內的值。而且，利用磁控管123形成的微波的電場會傳播於導波管122及空洞部121內而透過窗構件112，淋浴板113來供給至處理室104內，且藉由螺線管線圈105形成的磁場會被供給至處理室104內，利用處理用的氣體來形成電漿於放電部內。
在晶圓108被載置於上面而保持的狀態下，預定的頻率的高頻電力會被供給至被配置於試料台106的內部的未圖示的電極，在晶圓108的上面上方形成在與電漿之間具有差的偏壓電位，電漿中的離子等的荷電粒子會藉由該電位差來引誘至晶圓108上面，衝突於具有被預先配置於晶圓108上面的處理對象的膜層及被層疊於其上方的光阻劑等的材料所構成的遮罩層之膜構造的該處理對象的膜層而進行蝕刻處理。
一旦處理對象的膜層的蝕刻處理到達至預定的剩餘膜厚度或深度的情形藉由未圖示的檢測器來檢測出，則停止往試料台106內部的電極的高頻電力的供給以及停止電漿的形成，而結束蝕刻處理。其次，在將處理室104內部的粒子充分地排除之後，驅動閘閥129，開放上部容器101的閘門，搬送用機械手的臂通過該閘門而進入處理室104內，晶圓108從試料台106交接至臂上，藉由臂退出至處理室104外，處理後的晶圓108被搬出至真空搬送室。
是否有其次應被處理的未處理的晶圓108是藉由控制部來判定，當有其次的晶圓108時，晶圓108再度通過閘門來搬入至處理室104內而被交接至試料台106之後，與上述同樣地進行對晶圓108的蝕刻處理。當判定成無其次應被處理的晶圓108時，停止或休止為了製造半導體裝置而處理晶圓108的電漿處理裝置100的運轉。
其次，利用圖2，3來說明有關本實施例的電漿處理裝置100的保養或檢查等的維修的作業的流程。圖2及圖3是模式性地表示對於圖1所示的實施例的電漿處理裝置的維修的作業及此時的電漿處理裝置的狀態的圖。並且，各個的圖的(a)是從圖面垂直上方處看下方時的電漿處理裝置100的真空容器的平面圖，b)是縱剖面圖。
在該等的圖所示的實施例中，對於處理室104實施維修之後處理晶圓108的片數或在處理室104內該處理被實施的時間的累積值到達被預定的值的情形藉由上述的控制部來檢測出，則控制部結束在處理室104內的到達該值的晶圓108的處理，其次被搬出至處理室104外之後，由控制部發送指令訊號至電漿處理裝置100的各部分，為了製造電漿處理裝置100的半導體裝置而處理晶圓108的運轉(定常運轉)會被切換成用以進行維修的運轉(維修運轉)。電漿處理裝置100的維修運轉的模式是根據來自控制部的指令訊號，驅動器130動作，藉由閘閥128來氣密地閉塞真空搬送容器126內的面對真空搬送室的閘門，處理室104側的空間與真空搬送室側的空間會被密封，可將處理室104內形成大氣壓而開放上部。
亦即，處理室104底部的排氣口蓋110會藉由排氣調節機111的驅動，在與排氣口124的上方的開口周圍的底板109上面隔著O型環等的密封構件來抵接而排氣口124在下方的排氣路徑與處理室104之間被氣密地密封的狀態下，空氣或氣體被導入至處理室104內而處理室104內的壓力被增大。一旦處理室104內的壓力增大至與環境相同或近似於視為此的程度的值的情形藉由控制部來檢測出且通知，則工作人員會使真空容器的上部分移動至上方而分解真空容器，可對於電漿處理裝置100周圍的環境開放處理室104。
工作人員是首先使被連結至下部被固定於底板109且在上下方向具有軸的昇降機201的螺線管線圈105及磁控管導波管122作為集合該等的單元沿著上述軸來移動至上方。在此狀態下，構成真空容器的上部的窗構件112的上面會露出。
在本實施例中，工作人員是在此狀態下，將構成真空容器的上部的放電阻擋部卸下。首先，使窗構件112、淋浴板113及石英內筒114進一步從安裝氣體導入環115之處移動至上方向及水平方向而卸下。然後，工作人員是將經由連結臂204來連結至昇降機201的上下方向的軸的放電阻擋部基底119及被安裝於其上的放電部容器117、加熱器118一起作為集合該等的放電部容器單元202，如箭號所示般，使沿著昇降機201的上下方向的軸來與連結臂204一起朝上方移動。
本實施例的連結臂204是一端部會藉由螺絲或螺栓來與放電阻擋部基底119締結而固定，另一端部會在旋轉昇降機201的側壁的外側，與該昇降機201的上下方向的軸，可沿著該上下方向的軸來移動地連結。而且，連結臂204是具備：包含與昇降機201的上下方向的軸平行配置的上下方向的可動軸203，連結臂204的一端部可繞著此可動軸203旋轉地連結的關節部。
工作人員是藉由使令移動至上方而位於在上下方向離位於下方的接地環116或上部容器101有充分的距離之處的放電部容器單元202繞著可動軸203水平地旋轉於逆時針方向，使從上方看往上部容器101或試料台底部107的被投影至正上方的區域外側移動。在本實施例中，放電部容器單元202是圖上底板109的右端部，繞著從閥箱127看被配置於遠離試料台106的中心軸之處而連接的昇降機201的旋轉軸203，從上方看使繞著逆時針旋轉，但昇降機201亦可將位置配置於相反側(圖中底板109的左端部)，使放電部容器單元202從上方看旋轉於順時針方向而卸下。
並且，使放電部容器單元202從放電部容器117的上下方向的中心軸與試料台106的中心軸一致或視為此之處卸下旋轉的角度是設為180度，但可設為90度以上270度以下。但，若考慮作業性，則是180度±20度為合適。
在本實施例中，接地環116是未與放電阻擋部基底119或放電部容器117連接固定，因此放電部容器單元202被卸下後，接地環119從上部容器101上端上方卸下。在此狀態下，上部容器101是可使往試料台底部107的上方移動而卸下。亦即，在可更換(swap)的狀態下，可卸下上部容器101。
本實施例是在接地環116被卸下的狀態下，將被載置於試料台底部107上的上部容器101締結於底板109而固定位置的螺絲或螺栓會被卸下，該等之間的連接會被解除。在此狀態下，上部容器101與包含載置上部容器101的試料台底部107及試料台106、複數的支撐樑的試料台單元301是如圖3所示般，沿著昇降機201的上下方向的軸來與連結臂303一起使移動至上方之後，繞著被配置於昇降機201的側壁外側的連結臂303的關節部的可動軸302，使水平地旋轉於逆時針方向，從鉛正上方看，往被投影至下部容器102的上方的區域外移動。
亦即，與上述放電部容器單元202同樣地，連結臂303是一端部會藉由螺絲或螺栓來與試料台底部119締結而固定，另一端部會在旋轉昇降機201的側壁的外側，與該昇降機201的上下方向的軸，可沿著該上下方向的軸來移動地連結。而且，連結臂303是具備：包含與昇降機201的上下方向的軸平行配置的上下方向的可動軸302，連結臂303的一端部可繞著此可動軸302旋轉地連結的關節部。
工作人員是如圖上的箭號所示般，使載置上部容器101的試料台單元301移動至上方而使位於在上下方向離位於下方的下部容器101有充分的距離之處後，藉由使繞著可動軸302水平地旋轉於逆時針方向，從閥箱127的彎曲的連接面剝下上部容器101的閘門開口的周圍的側壁，從與閥箱127接觸的位置僅預定的角度使繞著可動軸302移動之後，一旦將試料台底部107固定在關節部周圍的該角度的位置。在此狀態下，上部容器101與試料台單元301是從上方看重疊於下部容器102的被投影至上方的區域的一部分。
將離開閥箱127的上部容器101移動至上方及水平方向而卸下之後，使試料台單元301再度繞著可動軸302水平地旋轉，從上方看使往被投影至下部容器102正上方的區域外側移動。在本實施例中，試料台單元301是繞著昇降機201的旋轉軸302，從上方看使繞著逆時針旋轉，但昇降機201亦可將位置配置於相反側(圖中底板109的左端部)，使試料台單元301從上方看旋轉於順時針方向而卸下。
藉由試料台單元301從被投影至上方的區域除去，下部容器102可容易從底板109上面卸下。本實施例的上部容器101及下部容器102是在被卸下之後按照被預定的程序，實施洗淨或反應生成物的除去或被覆表面的皮膜的除去及再度的被覆等的維修。替換實施如此的維修的卸下的上部容器101或下部容器102，在維修運轉之前預先被準備的使用前或上述預定的維修完了的上部容器101等的更換零件會在底板109上，以和上述的卸下時者相反的程序安裝。
另一方面，下部容器102被卸下之後，進行底板109的表面或排氣口蓋110的表面的檢查或保養的作業。底板109的上面的大的比例的部分是以下部容器102所覆蓋，因此與上部容器101或下部容器102作比較，隨著處理室104內的晶圓108的處理而產生的反應生成物的附著的量少。因此，排氣口蓋110藉由工作人員來進行洗淨或清掃之後，在底板109的上面安裝下部容器102。
在本實施例的電漿處理裝置100的真空容器是具備複數個用以檢測出被配置於內部的空間之處理室104內的壓力的真空計。利用圖4來說明該等的真空計與真空容器的連結。圖4是模式性地表示對於圖1所示的實施例的電漿處理裝置的維修的作業及此時的電漿處理裝置的狀態的圖。
另外，在本圖中，顯示構成真空容器的上部容器101及其下方的構件的主要部。構成被配置於比上部容器101更上方的真空容器的構件及構成電漿形成部的螺線管線圈105、導波管122及被連接於此的構件、以及在底板109下方被連接於此的支柱125是被省略。又，有關在圖1~3所示者附上同樣的符號的要素也是無特別必要時其說明是被省略。
在本實施例中，在真空容器內部的試料台106的側壁的外周側，與上部容器101的內周側壁之間配置有封閉環401。封閉環401是以內周緣部包圍具有圓筒形的試料台106的外周側壁的外周側而配置的圓筒形的構件所構成。而且，封閉環401是在此內周緣部的上端部的外周側對於試料台106的上下方向的中心軸，從上方看在半徑方向外側延伸於水平方向(圖上紙面方向)的板狀的凸緣部會包圍內周緣部而配置成環狀，該等內周緣部與凸緣部會以一體的構件所構成。
封閉環401的內周緣部及凸緣部是皆具備金屬製的基體及在其表面由礬土或氧化釔等的陶瓷材料所構成的被膜。本實施例的封閉環401是經由試料台106或試料台底部107來與下部容器102或底板109電性連接，與底板109同樣地，晶圓108的處理中是形成接地電位。而且，在平面形狀為環狀的凸緣部的板狀部分，予以貫通於上下方向的貫通孔的複數個會包圍試料台106而配置。
亦即，試料台106是從上方看藉由封閉環401的凸緣部所包圍，且亦藉由在試料台106與上部容器101之間被配置於封閉環401的凸緣部的環或圓弧狀的區域內的多數的貫通孔內部的空間所包圍。從上方看被配置於處理室104的試料台106外周側的環或至少1個的圓弧狀的區域內的該等的空間是在試料台106上面的晶圓108與淋浴板113之間的空間被形成的電漿或被供給至處理室104內的氣體或在晶圓108的處理中被形成的反應生成物等的粒子會通過至下方而流動，成為移動至試料台106下方，排氣口124上方的處理室104內的空間的通路。另外，在本實施例中，在晶圓108的處理中，在試料台106的下方的空間是電漿不被形成。
封閉環401是其凸緣部會在試料台106與上部容器101之間的空間橫穿過上述的粒子的流動的方向而延伸於水平方向(圖上紙面的方向)配置，藉此抑制經由凸緣部的貫通孔來使氣體的粒子或電漿中的中性的粒子移動，且電漿內的荷電粒子移動至下方。亦即，抑制電漿的荷電粒子到達封閉環401的下方的試料台106或構成試料台106的外周側壁面或處理室104的內壁面的構件的表面而發生與構成該等的構件的材料相互作用，或附著於其表面。
而且，本實施例是在晶圓108的處理時，檢測出處理室104內部的壓力的第1真空計402會被連接至試料台底部107的外側壁面。第1真空計402是被構成可與和貫通試料台底部107的環狀的部分的貫通孔的外側的開口周圍的側壁面連接的管路經由被配置於其上且開閉該管路內部的氣體的通路的開閉閥403連接，經由貫通孔來與處理室104的內部連通。另外，本實施例的第1真空計402是可使用不易受反應性氣體的腐蝕的影響，氣體種類的依存關係小的電容式真空計(capacitance manometer)。
而且，校正用的第2真空計404會被連結至本實施例的底板109的下方而配置。第2真空計404是與和貫通底板109的貫通孔的下端的開口周圍的底面連接的管路409經由被配置於此管路409上且開閉管路409內的氣體的通路的開閉閥405連接。底板109的貫通孔是被配置於上下方向的軸與被配置於最遠離處理室104的電漿產生的空間的下部容器102的底面的貫通孔一致或近似於視為此的程度的位置，第2真空計404與處理室104內部的試料台106下方的空間會經由一起貫通下部容器102及底板109的1個的貫通孔來連通。
第2真空計與處理室104之間的開閉閥405是可與開閉第1真空計402與處理室104之間的連通的開閉閥403獨立調節開閉的動作。開閉閥405是在晶圓108的處理中，將管路409維持於閉塞的狀態，抑制第2真空計404暴露於處理室104內的具有活性的氣體的粒子，減低自由基或副生成物附著至第2真空計404內部的隔膜(diaphragm)而有損檢測壓力的精度。
另外，第2真空計404是為了校正第1真空計402的處理室104內部的壓力的檢測值而具備，基於此，使用視為與第1真空計402同型或種類，具有同動作、精度的真空計為理想。
在本實施例中，管路409是經由將在管路409與潘寧真空計408之間的通路的連通予以開閉的開閉閥410來連結潘寧真空計408，作為精度佳檢測出減壓至高真空度的處理室104內部的壓力之別的真空計。電離真空計的潘寧真空計408是可比第1真空計402、第2真空計404更高的精度檢測出高真空度的壓力的值，另一方面，使用與第2真空計404同型、種類的第1真空計402之晶圓108的處理中的處理室104的壓力的範圍是具有比該等的壓力計更明顯精度低或無法使用的特性。
並且，在本實施例的下部容器102的外側的側壁上，被供給電力而發熱的底面加熱器406會卷於側壁面上而配置，藉由發熱來加熱下部容器102的內壁面，藉此抑制往該內壁面的生成物的附著或堆積。與第2真空計404連通的貫通孔的上端的開口是比利用圖5說明的加熱器406更位於下方。
如本圖所示般，第1真空計402、第2真空計404、開閉閥403，405，410是在與控制部407之間，不限於有線或無線，連接為可發送接收包含命令檢測的結果的輸出或動作的訊號之電性的訊號。而且，本圖所示的控制部407是對於排氣調節機111、底面加熱器406，真空泵103也同樣地連接為發送接收電訊號。
控制部407是具備由至少1個以上的元件所構成的電路。
控制部407是具有：
收訊部，其係具備介面，該介面是接收來自第1真空計402及第2壓力計404的輸出，且發送用以調節排氣調節機111或開閉閥403，405，410、底面加熱器406、排氣泵103的動作的訊號；
半導體微處理器等的運算部，其係從在收訊部接收的訊號來算出表示壓力的值的資料，利用該壓力值的資料來算出適當的壓力的修正值；及
記憶部，其係包含記憶表示算出的壓力的值的訊號作為資料的RAM，ROM等的記憶體或硬碟、DVDROM等的記憶裝置。
如後述般，本實施例的控制部407是在電漿處理裝置100的維修運轉中，發送調節開閉閥403，405，410的動作的訊號，且利用從來自第2真空計404及潘寧真空計408的訊號取得的壓力值來校正根據來自第1真空計402的訊號的壓力的檢測值。而且，不管晶圓108的處理中或非處理中，為了將處理室104的壓力形成理想的範圍內的值，發送用以利用從來自第1真空計402或第2真空計404的訊號檢測出的壓力值來調節排氣調節機111的動作的指令訊號。而且，接收從未圖示的溫度感測器輸出的訊號，調節從被電性連接至底面加熱器406的電源輸出的電力的大小，發送用以將下部容器102的內側表面的溫度形成所期的範圍內的值的指令訊號。
其次，利用圖5來說明修正在電漿處理裝置100的維修運轉中被實施的利用第1真空計402來檢測出的處理室104內部的壓力值的程序。圖5是表示校正圖1所示的實施例的電漿處理裝置的維修運轉中的第1真空計時的動作的流程的時間圖。
本實施例的第1真空計402的校正是在從電漿處理裝置100的運轉作為製造半導體裝置的工程處理晶圓108的定常運轉切換成維修運轉時在該定常運轉的最後被實施的晶圓108的處理之後將處理室104排氣至高的真空度而減壓(高真空排氣的)工程、及在結束維修運轉而切換成定常運轉之前被實施的高真空排氣工程之間，使處理室104內的壓力變化成不同的複數的值時，利用從作為校正的對象的第1真空計402及作為校正的基準的計器的第2真空計404的各者的輸出取得的值來實施。特別是在前後的高真空排氣工程之間，具備：用以在複數的處理室104內部的壓力的條件中比較使用第1真空計402及第2真空計404的處理室104內部的壓力的值，利用其結果來算出修正從第1真空計402的輸出檢測出的值的量之修正值算出工程。
使用如此的第1真空計402的壓力的檢測結果的校正進行後的電漿處理裝置100的定常運轉，即使在處理室104的晶圓108的複數的步驟的處理的壓力的條件不同時，也可利用在校正被算出的修正值(修正參數值)來逐次修正根據第1真空計402的處理室104內部的壓力的值。藉此，高精度實現處理室104內的處理的條件，提升晶圓108的處理的良品率。
首先，根據來自控制部407的指令訊號，定常運轉的最後的晶圓108被搬出至處理室108外之後，閘閥129會被氣密地閉塞，處理室104內部會對於閥箱126內部或真空搬送室密封。在此狀態下，在控制部407檢測出電漿處理裝置100的運轉的模式從定常運轉切換成維修運轉之後，根據來自控制部407的指令訊號，作為校正的初期段階的高真空排氣工程，在晶圓108未被搭載於試料台106上的狀態，且氣體未被供給至處理室104內的狀態下，藉由排氣調節機111，排氣口蓋110會在最上的位置維持排氣口124被開放的狀態，藉由真空泵103的動作，處理室104內部的粒子被排除至處理室104外，處理室104內部被減壓。
高真空排氣工程預定的期間繼續後，接收來自潘寧真空計408的輸出訊號的控制部407會利用該訊號來判定處理室104內部的壓力是否到達至被預定的預定的真空度的壓力。若被判定為到達至預定的真空度，則例如更在僅預定的時間(本例是1秒)繼續排氣的時刻t1，根據來自控制部407的訊號，驅動第1真空計402的開閉閥403及第2壓力計404的開閉閥405而開放管路，第1真空計402及第2真空計404檢測的結果會從該等輸出而發送至控制部407。控制部407是將從接收的來自第1真空計402及第2真空計404的輸出所檢測出的各個的壓力的值及表示該等的差分的值的資料儲存於記憶部內的記憶體或記憶裝置。
從被記憶的時刻t1的第1真空計402及第2真空計404的輸出所檢測出的壓力的值的差分與各個的壓力的值是可使用在第1真空計402或第2真空計404的動作的異常的有無的檢測。在控制部407中檢測出從來自第1真空計402或第2壓力計404的至少一方的輸出所檢測出的值或該等的值的差分的值為被預定的容許範圍外者時，控制部407是在實施所具備的警報器或被電性連接的顯示機上進行異常的發生的警告。
其次，在維持開閉閥403及開閉閥405被開放的狀態，驅動排氣調節機111，排氣口蓋110移動至下方而氣密地閉塞排氣口124，防止處理室104內部的粒子流出至外部。在此狀態下，惰性氣體會通過氣體環115的氣體流路115’與淋浴板113的貫通孔，僅預定的期間τ被供給至處理室104內而停止。而且，在僅預定的時間維持此狀態之後的時刻t2，第1真空計402及第2真空計404的輸出會被發送至控制部407，在控制部407中從接收的各個的輸出訊號算出該等所示的壓力的值及該等的差分的值，該等的資料會與時刻t1者同樣地被儲存於記憶部。期間τ之後預定的時間經過後，從真空計的輸出檢測出壓力，是為了至處理室104內的壓力在供給惰性氣體之後安定形成穩定的狀態為止，等待檢測。
而且，與時刻t1~t2的情況同樣，藉由控制部407來維持閉塞排氣口蓋110的狀態，惰性氣體僅期間τ導入至處理室104之後停止供給，在經過預定的時間之後的時刻t3或t4，從第1真空計402、第2真空計404的輸出檢測出各者所示的壓力的值與該等的差分的值，記憶於記憶部。若為該等的真空計的檢測的處理室104的壓力的範圍內，則亦可進行包含高真空排氣工程的在2個以上的不同的時間點的真空計所示的壓力值及差分值的檢測，及表示該等的值的資料的記憶。
本實施例是利用如此在複數的時間點(本例是時刻t1~t4的4點)的從第1真空計402、第2真空計404的輸出所檢測出的壓力值及差分值，第1真空計402的輸出或此所示的壓力的值與成為基準的第2真空計404的輸出或壓力的值的相關的關係會近似作為使用運算部按照被記憶於控制部407內的記憶部的軟體的算法來算出的參數的多項式。控制部407是利用被記憶於記憶部的關係到參數的該多項式，算出對於在處理室104被實施的處理中從第1真空計402的輸出檢測出的處理室104的壓力的值的資料之修正的量。
例如，算出傾斜度的值，作為在控制部407的記憶部中被記憶的時刻t1，t2的壓力值的差分與(時刻t2的壓力值)-(時刻t1的壓力值)的值的比，亦即1次式的參數，利用以此傾斜度的值作為參數的1次式來算出從在任意的壓力的值的第1真空計402及第2真空計404的輸出取得的壓力值的差。藉由上述的近似多項式在運算部中被算出的任意的壓力值與從對應於該壓力值的第1真空計的輸出取得的值的修正值或修正後的壓力值彼此地被建立關係的資料是被儲存於控制部407的記憶部內而結束修正值算出工程。
控制部407是一旦修正值算出工程結束，則驅動排氣調節機111來使排氣口蓋110移動至最上的位置而將排氣口124全開，與修正值算出工程之前的第1高真空排氣工程同樣地，實施再度將處理室104內部排氣而減壓至預定的真空度的壓力的第2高真空排氣工程。在控制部407中，至使用潘寧真空計408來檢測出處理室104內部的壓力到達至被預定的真空度的值為止，第2高真空排氣工程預定的期間進行後，在更僅1秒繼續該高真空排氣的時刻t5，控制部407驅動第2真空計404的開閉閥405來使管路氣密地閉塞。
而且，控制部407是在修正值算出工程中從記憶部讀出根據多項式來算出的對應於該真空度的壓力之修正的值，利用該修正值來修正在時刻t5從第1真空計402所輸出的訊號檢測出的壓力值。亦即，進行第1真空計402的修正。此修正是在第2高真空排氣工程到達的壓力的值比時刻t2~t4的處理室104的壓力更充分地小時，成為使從第1真空計402的輸出取得的壓力值偏移(offset)者。在第1、第2高真空排氣工程到達的真空度的壓力是同值為理想。
在第2高真空排氣工程之後，控制部407是將電漿處理裝置100的運轉切換成定常運轉的模式。在定常運轉中，被偏移的值會作為處理室104的壓力值在控制部407被檢測出，調節處理的條件而實施晶圓108的處理。如此，在維修運轉的第1真空計402的修正進行之後再開始電漿處理裝置100的定常運轉，晶圓108被搬入至處理室104內實施處理。而且，根據來自對於任意的壓力的值進行精度佳的修正的第1真空計402的輸出之檢測值，調節排氣調節機111的動作，實施藉由排氣口蓋110的開度或離排氣口124入口的高度位置的增減之處理室104內部的壓力的調節。
在控制部407中，從第1真空計402的輸出取得的壓力值相對於從在修正值算出工程中算出的成為在任意的壓力點的基準的第2真空計404的輸出取得的壓力值的差分會被修正而檢測出處理室104的壓力，藉此即使處理中的壓力的條件按照處理的工程而被變更成不同的值，也可逐次正確地進行修正而高精度實現壓力，提升處理的良品率。
上述實施例是在處理、預定的晶圓108後的累積的片數或時間到達預定的值之後，在維修運轉中實施第1真空計402的校正，但亦可按各個的晶圓108的處理進行修正值算出工程。此情況是結束任意的1片的晶圓108的處理將該處理後的晶圓108搬出至處理室104外之後，實施第1高真空排氣工程、修正值算出工程及第2高真空排氣工程而進行第1真空計402的校正之後，實施其次的晶圓108的處理。包含如此的修正值算出工程之校正的頻率是使用者可鑑於處理能力提升或被檢測出的處理室104內的壓力值的變動的大小，每批等利用控制部407來任意地設定。
又，上述實施例是檢測出時刻t1~t4的4點或若包含在第2高真空排氣工程的使偏移的t5則為5點的處理室104內部的壓力，實施第1真空計402的校正，但適當的時刻的點數是按照在修正值算出工程使用的近似多項式的次數或使近似的統計或數學的手法來選擇。
又，上述的實施例中，亦可利用在修正值算出工程中算出的參數的近似的多項式，對於任意的壓力值算出從第1真空計402的輸出檢測出的壓力值的修正量，將藉此修正的值(被修正值)與從該第1真空計402的輸出檢測出的壓力值建立對應而使作為資料表儲存於控制部407的記憶部。此情況，在第2高真空排氣工程的壓力值的被修正值，亦即偏移的量也預先修正在算出工程被算出，因此在時刻t5使來自第1真空計402的輸出的檢測值偏移的工程是變成不需要。
在上述的實施例中，在依t1~t4的順序逐漸變大的複數的不同的壓力值，使用第1真空計及第2真空計來測定處理室內的壓力，利用從該等的輸出取得的壓力的差分值，算出以被預定的壓力值作為參數的式子的係數。修正裝置407是藉由將利用如此取得的式子來修正第1真空計402所檢測的壓力的輸出值後的值傳送至壓力控制裝置111，處理室內的壓力會被精度佳地調節。
藉由如此的構成，可減低在處理室內被實施的處理中的壓力偏離所望者的量，使該處理的良品率提升。
100:電漿處理裝置
101:上部容器
102:下部容器
103:真空泵
104:處理室
105:螺線管線圈
106:試料台
107:試料台底部
108:晶圓
109:底板
110:排氣口蓋
111:排氣調節機
112:窗構件
113:淋浴板
114:內筒
115:氣體環
115’:氣體流路
116:接地環
117:放電部容器
118:加熱器
119:放電阻擋部基底
120:試料台底蓋
121:空洞部
122:導波管
123:磁控管
124:排氣口
125:支柱
126:真空搬送容器
127:閥箱
128,129:閘閥
130:驅動機
201:昇降機
202:放電部容器單元
203:可動軸
204:連結臂
301:試料台單元
302:可動軸
303:連結臂
401:封閉環
402:第1真空計
403:開閉閥
404:第2真空計
405:開閉閥
406:底面加熱器
407:控制部
408:潘寧真空計
409:管路
410:開閉閥
[圖1]是模式性地表示本發明的實施例的電漿處理裝置的構成的概略的縱剖面圖。
[圖2]是模式性地表示對於圖1所示的實施例的電漿處理裝置的維修的作業及此時的電漿處理裝置的狀態的圖。
[圖3]是模式性地表示對於圖1所示的實施例的電漿處理裝置的維修的作業及此時的電漿處理裝置的狀態的圖。
[圖4]是模式性地表示對於圖1所示的實施例的電漿處理裝置的維修的作業及此時的電漿處理裝置的狀態的圖。
[圖5]是表示校正圖1所示的實施例的電漿處理裝置的維修運轉中的第1真空計時的動作的流程的時間圖。
101:上部容器
102:下部容器
103:真空泵
106:試料台
107:試料台底部
108:晶圓
109:底板
110:排氣口蓋
111:排氣調節機
124:排氣口
401:封閉環
402:第1真空計
403:開閉閥
404:第2真空計
405:開閉閥
406:底面加熱器
407:控制部
408:潘寧真空計
409:管路
410:開閉閥
Claims (10)
- 一種電漿處理裝置，其特徵係具備： 試料台，其係被配置於真空容器內部的處理室內，處理對象的晶圓被載置於其上面； 電漿形成空間，其係前述處理室的前述試料台上方的空間，利用被供給的處理用的氣體來形成用以處理前述晶圓的電漿； 下部空間，其係前述試料台的下方的前述處理室的下部的空間，經由前述試料台外周的該處理室內的空間來與前述電漿形成空間連通； 排氣口，其係被配置於前述下部空間的底部，與將前述處理室內部排氣而減壓的排氣裝置連通； 加熱器，其係加熱包圍該下部空間的前述真空容器的下部； 第1真空計，其係在前述晶圓的處理時檢測出前述處理室內的壓力； 校正用的第2真空計，其係此第1真空計的下方，與被配置於包圍前述下部空間的外周的處理室的內壁的開口連通；及 修正機，其係利用前述處理室內的壓力設為0的程度的壓力值及高於此的複數的壓力值的前述第1及第2真空計的輸出來修正前述第1真空計的輸出。
- 如請求項1記載的電漿處理裝置，其中，具備環狀的板構件，其係包圍前述試料台的側壁的外周，比前述上面更靠下方配置，具備前述處理用的氣體或電漿的粒子通過的複數的貫通孔， 與前述第1真空計連通的開口係被配置於前述環狀的板構件的下方的前述處理室的內壁。
- 如請求項1或2記載的電漿處理裝置，其中，包圍前述下部空間的處理室的內壁係藉由前述加熱器來加熱至在前述晶圓的處理中抑制前述處理用氣體或電漿中的粒子的附著的溫度。
- 如請求項1或2記載的電漿處理裝置，其中，前述修正機，係前述處理室內的壓力被減壓至視為0的程度的高真空度之後，在前述排氣口被氣密地閉塞的狀態下，氣體僅預定的期間被供給至前述處理室內之後，該供給被停止，在前述處理室內的壓力上昇的狀態下，利用重複複數次使用前述第1及第2真空計而檢測出該壓力值之結果來修正前述第1真空計的輸出。
- 如請求項1或2記載的電漿處理裝置，其中，前述修正機，係利用預定的數學式來將視為0的程度的壓力值及高於此的複數的壓力值的前述第1真空計的輸出修正成近似的值。
- 一種電漿處理裝置的運轉方法，其特徵為：在電漿處理裝置中，處理預定的片數的前述晶圓之後，利用將前述處理室內的壓力形成視為0的程度的壓力的狀態及形成高於此的複數的壓力的狀態之前述第1及第2真空計的輸出來修正前述第1真空計的輸出， 該電漿處理裝置，係具備： 試料台，其係被配置於真空容器內部的處理室內，處理對象的晶圓被載置於其上面； 電漿形成空間，其係前述處理室的前述試料台上方的空間，利用被供給的處理用的氣體來形成用以處理前述晶圓的電漿； 下部空間，其係前述試料台的下方的前述處理室的下部的空間，經由前述試料台外周的該處理室內的空間來與前述電漿形成空間連通； 排氣口，其係被配置於前述下部空間的底部，與將前述處理室內部排氣而減壓的排氣裝置連通； 加熱器，其係加熱包圍該下部空間的前述真空容器的下部； 第1真空計，其係在前述晶圓的處理時檢測出前述處理室內的壓力；及 校正用的第2真空計，其係此第1真空計的下方，與被配置於包圍前述下部空間的外周的處理室的內壁的開口連通。
- 如請求項6記載的電漿處理裝置的運轉方法，其中，具備環狀的板構件，其係包圍前述試料台的側壁的外周，比前述上面更靠下方配置，具備前述處理用的氣體或電漿的粒子通過的複數的貫通孔， 與前述第1真空計連通的開口係被配置於前述環狀的板構件的下方的前述處理室的內壁。
- 如請求項6或7記載的電漿處理裝置的運轉方法，其中，包圍前述下部空間的處理室的內壁係藉由前述加熱器來加熱至在前述晶圓的處理中抑制前述處理用氣體或電漿中的粒子的附著的溫度。
- 如請求項6或7記載的電漿處理裝置的運轉方法，其中，將前述處理室內部減壓至壓力視為0的程度之後，在氣密地閉塞前述排氣口的狀態下，僅預定的期間供給氣體至前述處理室內之後停止該供給，在使前述處理室內的壓力上昇的狀態下，利用重複複數次使用前述第1及第2真空計而檢測出該壓力值之結果來修正前述第1真空計的輸出。
- 如請求項6或7記載的電漿處理裝置的運轉方法，其中，利用預定的數學式來將視為前述0的程度的壓力值及高於此的複數的壓力值的前述第1真空計的輸出修正成近似的值。
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