JP6907060B2 - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 137
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 56
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 101000942118 Homo sapiens C-reactive protein Proteins 0.000 description 5
- 101000920800 Homo sapiens Endoplasmic reticulum-Golgi intermediate compartment protein 2 Proteins 0.000 description 5
- 101000583156 Homo sapiens Pituitary homeobox 1 Proteins 0.000 description 5
- KJWMGLBVDNMNQW-VWTMXFPPSA-N Pectenotoxin 1 Chemical compound O[C@@H]1[C@H](C)CCO[C@]1(O)[C@H]1O[C@@H]2/C=C/C(/C)=C/[C@H](C)C[C@](C)(O3)CC[C@@H]3[C@](O3)(O4)CC[C@@]3(CO)C[C@@H]4[C@@H](O3)C(=O)C[C@]3(C)[C@@H](O)[C@@H](O3)CC[C@@]3(O3)CCC[C@H]3[C@@H](C)C(=O)O[C@@H]2C1 KJWMGLBVDNMNQW-VWTMXFPPSA-N 0.000 description 5
- 102100030345 Pituitary homeobox 1 Human genes 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 101000622137 Homo sapiens P-selectin Proteins 0.000 description 4
- 102100023472 P-selectin Human genes 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 208000009989 Posterior Leukoencephalopathy Syndrome Diseases 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/587—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired sequentially, e.g. using the combination of odd and even image fields
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/65—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
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- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/626—Reduction of noise due to residual charges remaining after image readout, e.g. to remove ghost images or afterimages
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
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- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Description
(変形例)
図11は、実施例2の変形例における撮像素子103の単位画素1100の回路構成の一例を示している。単位画素1100は、1つのPDに対し、2つの画素メモリを備えるように構成されている。
200 単位画素
210 デジタル出力処理回路(補正部)
301 フォトダイオード(光電変換部)
304 フローティングディフュージョン部(電荷保持部)
900 単位画素
901 フォトダイオード(光電変換部)
904 画素メモリ(電荷保持部)
1100 単位画素
1101 フォトダイオード(光電変換部)
1104a,1104b 画素メモリ(電荷保持部)
Claims (10)
- 入射光に基づいて生成された電荷を蓄積する光電変換部と、前記電荷を保持する電荷保持部と、前記光電変換部から前記電荷保持部に前記電荷を転送する転送部と、を備える単位画素と、
前記単位画素から出力された信号に対するオフセット補正を行う補正部と、を有し、
前記補正部は、前記転送部により前記電荷を複数回転送する場合の前記オフセット補正のためのオフセット値が前記転送部により前記電荷を1回転送する場合の前記オフセット値よりも大きくなるように、前記転送部による前記電荷の転送回数に応じて前記オフセット値を変更することを特徴とする撮像素子。 - 前記補正部は、前記単位画素から出力された信号に対するゲイン補正を行うことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 前記補正部は、さらに前記光電変換部から前記電荷保持部への転送時の電圧に応じて前記オフセット値および前記ゲイン補正のゲイン値を変更することを特徴とする請求項2に記載の撮像素子。
- 前記補正部は、さらに前記光電変換部から前記電荷保持部への転送時の転送パルスの傾きに応じて前記オフセット値および前記ゲイン補正のゲイン値を変更することを特徴とする請求項2または3に記載の撮像素子。
- 前記補正部は、さらに前記光電変換部から前記電荷保持部への転送時の温度に応じて前記オフセット値および前記ゲイン補正のゲイン値を変更することを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記補正部は、さらに前記撮像素子の撮像面の領域に応じて前記オフセット値および前記ゲイン補正のゲイン値を変更することを特徴とする請求項2から5のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記電荷保持部は、フローティングディフュージョン部であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記撮像素子は、複数の前記単位画素を有し、
前記電荷保持部は、フローティングディフュージョン部とは異なるメモリ部であり、
複数の前記光電変換部は、同一のタイミングで、電荷を転送することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の撮像素子。 - 前記単位画素は、複数の前記電荷保持部を備えることを特徴とする請求項8に記載の撮像素子。
- 入射光に基づいて生成された電荷を蓄積する光電変換部と、前記電荷を保持する電荷保持部と、前記光電変換部から前記電荷保持部に前記電荷を転送する転送部と、を備える撮像素子と、
前記撮像素子から出力された信号に対するオフセット補正を行う補正部と、を有し、
前記補正部は、前記転送部により前記電荷を複数回転送する場合の前記オフセット補正のためのオフセット値が前記転送部により前記電荷を1回転送する場合の前記オフセット値よりも大きくなるように、前記転送部による前記電荷の転送回数に応じて前記オフセット値を変更することを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017142106A JP6907060B2 (ja) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | 撮像素子および撮像装置 |
US16/039,457 US10594968B2 (en) | 2017-07-21 | 2018-07-19 | Image sensor and imaging apparatus |
CN201810805557.0A CN109286738B (zh) | 2017-07-21 | 2018-07-20 | 图像传感器和摄像设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017142106A JP6907060B2 (ja) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | 撮像素子および撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019022198A JP2019022198A (ja) | 2019-02-07 |
JP6907060B2 true JP6907060B2 (ja) | 2021-07-21 |
Family
ID=65014334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017142106A Active JP6907060B2 (ja) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | 撮像素子および撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10594968B2 (ja) |
JP (1) | JP6907060B2 (ja) |
CN (1) | CN109286738B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202005357A (zh) * | 2018-05-25 | 2020-01-16 | 原相科技股份有限公司 | 改善像素感測效率的電路 |
JP2024115947A (ja) * | 2023-02-15 | 2024-08-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法、画像処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
JP2024115946A (ja) * | 2023-02-15 | 2024-08-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法、画像処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002027326A (ja) | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Minolta Co Ltd | デジタルカメラ |
JP4379764B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2009-12-09 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置の固定パターンノイズ抑制方法及び固体撮像装置 |
JP4678824B2 (ja) | 2004-11-30 | 2011-04-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、画像処理装置、及び画像処理方法 |
US7755116B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-07-13 | Ess Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling charge transfer in CMOS sensors with an implant by the transfer gate |
US20070001101A1 (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-04 | Ess Technology, Inc. | Programmable rise/fall time control circuit |
JP4745876B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-08-10 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置及び画像処理方法 |
JP5013811B2 (ja) * | 2006-10-26 | 2012-08-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び補正方法 |
JP2008252851A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | Ccd型固体撮像素子及び撮影装置並びに撮像画像データ補正方法 |
JP5187550B2 (ja) * | 2007-08-21 | 2013-04-24 | ソニー株式会社 | 撮像装置 |
JP5245984B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2013-07-24 | ソニー株式会社 | 撮像素子、読み出し信号の変換方法およびカメラ |
GB2477083A (en) * | 2010-01-13 | 2011-07-27 | Cmosis Nv | Pixel structure with multiple transfer gates to improve dynamic range |
JP5499789B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2014-05-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器 |
JP5746521B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2015-07-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法、プログラム並びに記憶媒体 |
JP2012231421A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Nikon Corp | 撮像装置 |
CN102231016B (zh) * | 2011-06-28 | 2013-03-20 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种液晶模组亮度补偿方法、装置和系统 |
US9118883B2 (en) * | 2011-11-28 | 2015-08-25 | Semiconductor Components Industries, Llc | High dynamic range imaging with multi-storage pixels |
JP5917160B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2016-05-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、画像処理装置、画像処理方法およびプログラム |
JP2013157657A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-15 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法および電子機器 |
US8698922B2 (en) * | 2012-02-14 | 2014-04-15 | Omni Vision Technologies, Inc. | Black level correction for imaging pixels |
JP5299597B1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-25 | コニカミノルタ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2013192059A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Sony Corp | 固体撮像装置および駆動方法、並びに、電子機器 |
US9651690B2 (en) * | 2013-08-21 | 2017-05-16 | Carestream Health, Inc. | Temperature compensation for thin film transistors in digital x-ray detectors |
US9332200B1 (en) * | 2014-12-05 | 2016-05-03 | Qualcomm Incorporated | Pixel readout architecture for full well capacity extension |
JP6701710B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2020-05-27 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
JP6734649B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2020-08-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、及び、撮像装置の制御方法 |
-
2017
- 2017-07-21 JP JP2017142106A patent/JP6907060B2/ja active Active
-
2018
- 2018-07-19 US US16/039,457 patent/US10594968B2/en active Active
- 2018-07-20 CN CN201810805557.0A patent/CN109286738B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10594968B2 (en) | 2020-03-17 |
JP2019022198A (ja) | 2019-02-07 |
US20190028664A1 (en) | 2019-01-24 |
CN109286738A (zh) | 2019-01-29 |
CN109286738B (zh) | 2021-11-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200720 |
|
A977 | Report on retrieval |
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