JP6904079B2 - スイッチング電源装置 - Google Patents

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Description

本発明は、前段に配置された力率改善(PFC:Power Factor Correct)回路とその後段に縦列接続したDC−DCコンバータとを有して交流電源から直流出力電圧を生成する2段構成のスイッチング電源装置に関する。
照明用の電源回路や消費電力が75ワット(W)以上の家電製品に使用される電源装置には、前段に力率改善回路、後段にDC−DCコンバータを配置した2段構成のスイッチング電源装置が使用されている。力率改善回路は、スイッチング電源装置で発生する高調波電流をある制限値以下に抑え、力率を改善するもので、交流入力電圧から昇圧された直流の中間電圧を生成する。DC−DCコンバータは、力率改善回路によって生成された中間電圧から所定の値の直流電圧を出力する。
このような2段構成のスイッチング電源装置が起動するときには、まず、前段の力率改善回路が起動し、その後、後段のDC−DCコンバータが起動する必要がある。これは、中間電圧が十分に昇圧していない状態でDC−DCコンバータが起動した場合に、DC−DCコンバータが起動に失敗してしまうからである。
そこで、力率改善回路がDC−DCコンバータよりも先に確実に起動するようにしたスイッチング電源装置が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。この特許文献1に記載のスイッチング電源装置によれば、力率改善回路は、力率改善回路用の第1の制御IC(IC:Integrated Circuit)を有し、DC−DCコンバータは、DC−DCコンバータ用の第2の制御ICを有している。
第1の制御ICは、第1の電源端子を有し、第1の電源端子の電圧が第1の閾値を超えると起動し、力率改善回路を駆動する。第2の制御ICは、高電圧入力端子と、高電圧の入力電圧から起動電流を生成する起動回路と、起動電流を出力する第2の電源端子とを有している。第2の制御ICは、第2の電源端子から出力された起動電流が充電されるコンデンサの電圧が第1の閾値よりも高い第2の閾値を超えると起動し、DC−DCコンバータを駆動する。
第2の電源端子と第1の電源端子はダイオードを介して接続されている。当該ダイオードのアノードは第2の電源端子に接続され、カソードは第1の電源端子に接続されている。このため、第1の電源端子の電圧は、第2の電源端子の電圧が第1の閾値よりも高い第2の閾値を超えるよりも先に第1の閾値を超えることになり、したがって、第1の制御ICは、第2の制御ICよりも先に起動することになる。
第1の制御ICが起動すると、第1の制御ICは、力率改善回路を駆動するが、そのときの制御電源は、第1の電源端子に接続されたコンデンサの充電電圧が用いられる。しかし、第1の制御ICの制御電源は、その充電電圧だけでは不足するため、力率改善回路が備えるインダクタと誘導結合された補助巻線を設け、力率改善回路のスイッチング動作時に補助巻線に発生される電力を用いて、不足分の電力を補うようにしている。
その後、第2の電源端子の電圧が第2の閾値を超えると第2の制御ICが起動し、DC−DCコンバータを駆動する。DC−DCコンバータがスイッチング動作を開始すると、DC−DCコンバータが備えるトランスに設けられた補助巻線に電力が発生する。このトランスの補助巻線に発生した電力は、第2の電源端子にも供給され、第1の制御ICおよび第2の制御ICの制御電源として用いられる。このとき、第2の制御ICでは、その起動回路が遮断するように制御され、これによって、高電圧の入力電圧からの起動電流の生成が停止され、高電圧の入力電圧による電力消費が低減される。
以上のスイッチング電源装置によれば、第1の制御ICを起動する第1の閾値を第2の制御ICを起動する第2の閾値よりも低く設定することで、力率改善回路をDC−DCコンバータよりも先に起動させることができる。また、力率改善回路が起動したときの制御電源は、起動回路の起動電流とインダクタの補助巻線による電力とを用い、DC−DCコンバータが起動したときの制御電源は、インダクタの補助巻線による電力とトランスの補助巻線による電力とを用いている。
特開2015−219946号公報
しかしながら、特許文献1に記載のスイッチング電源装置では、第1の制御ICが起動したときの制御電源は、インダクタの補助巻線により発生された電力を用いて電力不足を補っている。このため、補助巻線およびその整流平滑回路が必要になり、その分、スイッチング電源装置のコストが高くなる。しかも、補助巻線およびその整流平滑回路の設置スペースが必要なことから、スイッチング電源装置の小型化・軽量化を阻害する要因になっている。
また、トランスの補助巻線から供給される電力は、インダクタの補助巻線から供給される電力が加算されて第1の制御ICおよび第2の制御ICの制御電源として用いている。このため、第2の制御ICにトランスの2次側の出力電圧が過電圧状態にあることを検出する過電圧保護機能を設ける場合、第2の電源端子に接続されたコンデンサの充電電圧を過電圧検出に用いることができない。すなわち、トランスの補助巻線に発生される電圧は、トランスの2次側巻線に発生される電圧に比例した電圧であるので、これがそのまま第2の電源端子に印加されるならば、その電圧を用いてトランスの2次側の出力電圧をトランスの1次側で予測するのに用いることができる。しかし、トランスの補助巻線から供給される電圧にインダクタの補助巻線に発生される電圧が加わることによって、トランスの2次側の出力電圧をトランスの1次側で予測することができなくなる。このため、トランスの2次側に過電圧検出回路を設け、さらに、その過電圧検出回路の検出信号をフォトカプラで1次側にフィードバックする回路が必要になるので、過電圧検出回路およびフィードバック回路の構成の分だけ、コストが増加してしまう。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、インダクタの補助巻線を不要にし、トランスの1次側で過電圧検出が可能なスイッチング電源装置を提供することを目的とする。
本発明では、上記の課題を解決するために、交流電源から直流の中間電圧を生成する力率改善回路と、中間電圧から所定の値の直流電圧を生成するDC−DCコンバータと、力率改善回路およびDC−DCコンバータの制御機能を1つのICに内蔵した制御ICと、を備えたスイッチング電源装置が提供される。このスイッチング電源装置の制御ICは、交流電源を整流した脈流から電圧を調整した電流を出力して制御IC用電源のコンデンサに充電する起動回路と、コンデンサの電圧を監視し、そのコンデンサの電圧が低電圧保護解除電圧に達すると、力率改善回路に動作開始を指示する第1のイネーブル信号を出力する低電圧保護回路と、第1のイネーブル信号を受けて力率改善回路のスイッチング制御を開始する第1の制御回路と、力率改善回路のスイッチング動作を検出してDC−DCコンバータに動作開始を指示する第2のイネーブル信号を出力するスイッチング動作検出回路と、第2のイネーブル信号を受けてDC−DCコンバータのスイッチング制御を開始する第2の制御回路と、を有している。力率改善回路は、インダクタおよびスイッチング素子を有し、インダクタの電流がゼロになってからスイッチング素子をオンするように制御する電流臨界モードで動作の昇圧回路である。また、第1の制御回路は、インダクタを流れる電流を監視してインダクタを流れる電流がゼロになったとき、スイッチング素子をターンオンする信号を出力する電流ゼロ検出比較器と、中間電圧に比例した中間電圧比例電圧と第1の基準電圧との差を増幅するエラーアンプと、該エラーアンプの出力電圧と力率改善回路用発振器の第1のタイミング用コンデンサを定電流充電することによって生成された第1のランプ電圧とを比較し、第1のランプ電圧がエラーアンプの出力電圧を上回ったときスイッチング素子をターンオフする信号を出力する所定の比較器と、を有する。第1の制御回路は、さらに、インダクタを流れる電流を電圧に変換する電流検出抵抗と、電流検出抵抗によって検出された信号をレベルシフトして電流ゼロ検出比較器に供給する第1のレベルシフタと、電流ゼロ検出比較器によって検出された電流ゼロ検出信号を遅延させる遅延回路と、を有している。
上記構成のスイッチング電源装置は、力率改善回路がスイッチング動作を開始したことを検出してDC−DCコンバータを動作開始させているので、力率改善回路およびDC−DCコンバータの動作開始順序を確実に順守される。力率改善回路がスイッチング動作を開始した直後に最短時間でDC−DCコンバータが動作を開始し、力率改善回路およびDC−DCコンバータが両方とも完全に立ち上がる前であることから、制御IC用電源は、そのコンデンサだけで間に合う。したがって、インダクタに補助巻線を設け、そこから、起動時の電力を補充するということは不要になる。また、インダクタの補助巻線から電力が供給されることはないので、トランスの1次側で正確な出力電圧を推定できることから、トランスの1次側に過電圧検出回路の設置が可能になる。
本実施の形態に係るスイッチング電源装置の構成例を示す回路図である。 制御ICの構成例を示す機能ブロック図である。 本実施の形態に係るスイッチング電源装置の動作波形を示す図である。 PFC制御回路の具体的な構成例を示す回路図である。 PFC制御回路のリスタートタイマの具体的な構成例を示す回路図である。 PFC制御回路の発振波形を示す図であって、(A)はエラーアンプErrAMPの出力電圧となるPFC_COMP端子の電圧が低いとき、(B)はPFC_COMP端子の電圧が高いときである。 PFCスイッチング検出回路を説明する図であって、(A)はPFCスイッチング検出回路の具体的な構成例を示す回路図、(B)はPFCスイッチング検出回路の入出力波形を示す図である。 LLC制御回路の具体的な構成例を示す回路図である。 LLC制御回路がスイッチング動作を開始したときのソフトスタート動作における波形を示す図であって、(A)はソフトスタートコンデンサの電圧が低いときのスイッチング波形、(B)はソフトスタートコンデンサの電圧が高いときのスイッチング波形である。
以下、本発明の実施の形態について、インダクタの電流が0になってからスイッチング素子をオンする電流臨界モードの力率改善回路と、LLC電流共振型のDC−DCコンバータとを備えたスイッチング電源装置を例に、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において、端子名とその端子における電圧、信号などは、同じ符号を用いることがある。
図1は本実施の形態に係るスイッチング電源装置の構成例を示す回路図、図2は制御ICの構成例を示す機能ブロック図、図3は本実施の形態に係るスイッチング電源装置の動作波形を示す図である。
本実施の形態に係るスイッチング電源装置は、図1に示したように、力率改善回路10と、DC−DCコンバータ20と、力率改善回路10およびDC−DCコンバータ20の制御機能を1つのICに内蔵した制御IC30とを備えている。
制御IC30は、力率改善回路10に用いられるPFC_OUT端子、PFC_RT端子、PFC_FB端子、PFC_CS端子およびPFC_COMP端子を有している。制御IC30は、また、DC−DCコンバータ20に用いられるVB端子、HO端子、VS端子、LO端子、LLC_FB端子、LLC_CS端子およびLLC_SS端子を有している。制御IC30は、さらに、電源関係のVH端子、VCC端子およびGND端子を有している。
力率改善回路10において、交流電源ACの両方の端子は、ダイオードブリッジDBに接続され、ダイオードブリッジDBの正極出力端子は、インダクタLpの一方の端子に接続されている。インダクタLpの他方の端子は、ダイオードDpのアノード端子に接続され、ダイオードDpのカソード端子は、平滑コンデンサCbulkの正極端子に接続されている。ダイオードブリッジDBの負極出力端子は、電流検出抵抗Rsの一方の端子に接続され、電流検出抵抗Rsの他方の端子は、平滑コンデンサCbulkの負極端子と制御IC30のGND端子とに接続されている。インダクタLpとダイオードDpとの接続点は、スイッチング素子Qを介して制御IC30のGND端子に接続されている。スイッチング素子Qは、図示の例では、NチャネルMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)を使用している。このスイッチング素子Qにおいて、そのドレイン端子がインダクタLpとダイオードDpとの接続点に接続され、ゲート端子が制御IC30のPFC_OUT端子に接続され、ソース端子が制御IC30のGND端子とに接続されている。ダイオードブリッジDB、インダクタLp、ダイオードDp、平滑コンデンサCbulkおよびスイッチング素子Qは、ダイオードDpから出力される平均電流波形を交流入力電圧の正弦波に近づけて力率を改善し、かつ、昇圧した直流の中間電圧Vbulkを出力する回路を構成している。
ダイオードブリッジDBと電流検出抵抗Rsとの接続点は、抵抗R1の一方の端子に接続され、抵抗R1の他方の端子は、制御IC30のPFC_CS端子およびコンデンサC1の一方の端子に接続されている。コンデンサC1の他方の端子は、制御IC30のGND端子に接続されている。平滑コンデンサCbulkの正極端子には、抵抗R2の一方の端子が接続され、抵抗R2の他方の端子は、抵抗R3の一方の端子に接続され、抵抗R3の他方の端子は、平滑コンデンサCbulkの負極端子に接続されている。抵抗R2と抵抗R3との接続点は、制御IC30のPFC_FB端子に接続されている。そして、制御IC30のPFC_RT端子は、抵抗R4の一方の端子に接続され、制御IC30のPFC_COMP端子は、位相補償用のコンデンサCcompの一方の端子に接続されている。抵抗R4の他方の端子およびコンデンサCcompの他方の端子は、それぞれ制御IC30のGND端子に接続されている。
交流電源ACの両方の端子は、また、ダイオードD1,D2のアノード端子に接続され、ダイオードD1,D2のカソード端子は、ともに接続され、さらに、電流制限用の抵抗R5の一方の端子に接続されている。抵抗R5の他方の端子は、制御IC30のVH端子に接続されている。
DC−DCコンバータ20は、ハイサイドのスイッチング素子Q1とローサイドのスイッチング素子Q2とを直列に接続して構成したハーフブリッジ回路を有している。スイッチング素子Q1,Q2は、図示の例では、NチャネルMOSFETを使用している。スイッチング素子Q1のドレイン端子は、力率改善回路10の平滑コンデンサCbulkの正極端子に接続され、スイッチング素子Q2のソース端子は、力率改善回路10の平滑コンデンサCbulkの負極端子に接続されている。
ハイサイドのスイッチング素子Q1のゲート端子は、抵抗R6の一方の端子に接続され、抵抗R6の他方の端子は、制御IC30のHO端子に接続されている。ローサイドのスイッチング素子Q2のゲート端子は、抵抗R7の一方の端子に接続され、抵抗R7の他方の端子は、制御IC30のLO端子に接続されている。スイッチング素子Q1,Q2の共通の接続点は、制御IC30のVS端子と、コンデンサC2の一方の端子とに接続され、コンデンサC2の他方の端子は、制御IC30のVB端子に接続されている。
スイッチング素子Q1,Q2の共通の接続点は、また、トランスT1の1次巻線P1の一方の端子に接続され、1次巻線P1の他方の端子は、共振コンデンサCrの一方の端子に接続されている。共振コンデンサCrの他方の端子は、制御IC30のGND端子に接続されている。ここで、トランスT1の1次巻線P1と2次巻線S1,S2との間にあるリーケージインダクタンスおよび共振コンデンサCrは、共振回路を構成している。なお、リーケージインダクタンスを用いず、共振コンデンサCrにトランスT1を構成するインダクタンスとは別のインダクタを直列に接続して、当該インダクタを共振回路の共振リアクタンスとするようにしてもよい。共振コンデンサCrの一方の端子は、また、分流コンデンサCrdの一方の端子に接続され、分流コンデンサCrdの他方の端子は、抵抗Rcsの一方の端子に接続され、抵抗Rcsの他方の端子は、制御IC30のGND端子に接続されている。分流コンデンサCrdと抵抗Rcsとの共通の接続点は、抵抗R8の一方の端子に接続され、抵抗R8の他方の端子は、制御IC30のLLC_CS端子とコンデンサC3の一方の端子に接続されている。コンデンサC3の他方の端子は、制御IC30のGND端子に接続されている。
制御IC30のVCC端子は、抵抗R9の一方の端子に接続され、抵抗R9の他方の端子は、ダイオードD3のアノード端子に接続され、ダイオードD3のカソード端子は、制御IC30のVB端子に接続されている。
トランスT1は、その1次側に補助巻線P2を有している。補助巻線P2の一方の端子は、ダイオードD4のアノード端子に接続され、ダイオードD4のカソード端子は、コンデンサCvccの正極端子に接続されている。コンデンサCvccの負極端子は、補助巻線P2の他方の端子と制御IC30のGND端子とに接続されている。ダイオードD4とコンデンサCvccとの共通の接続点は、制御IC30のVCC端子に接続されている。そして、制御IC30のLLC_SS端子は、ソフトスタートコンデンサCssの一方の端子に接続され、ソフトスタートコンデンサCssの他方の端子は、制御IC30のGND端子に接続されている。
トランスT1の2次巻線S1の一方の端子は、ダイオードD5のアノード端子に接続され、2次巻線S2の一方の端子は、ダイオードD6のアノード端子に接続されている。ダイオードD5,D6のカソード端子は、出力コンデンサCoの正極端子に接続されている。出力コンデンサCoの負極端子は、2次巻線S1,S2の共通の接続点とグランドに接続されている。2次巻線S1,S2、ダイオードD5,D6および出力コンデンサCoは、2次巻線S1,S2に生起された交流電圧を整流・平滑して直流の出力電圧Voに変換する回路を構成し、スイッチング電源装置の出力回路を構成している。
出力コンデンサCoの正極端子は、抵抗R10を介してフォトカプラPC1の発光ダイオードのアノード端子に接続され、発光ダイオードのカソード端子は、シャントレギュレータSR1のカソード端子に接続されている。発光ダイオードのアノード端子とカソード端子との間には、抵抗R11が接続されている。シャントレギュレータSR1のアノード端子は、グランドに接続されている。シャントレギュレータSR1は、出力コンデンサCoの正極端子と負極端子との間に直列接続された抵抗R12,R13の接続点に接続されたリファレンス端子を有している。シャントレギュレータSR1は、リファレンス端子とカソード端子との間に、抵抗R14およびコンデンサC4の直列回路が接続されている。このシャントレギュレータSR1は、出力電圧Vo(出力コンデンサCoの両端電圧)を分圧した電圧と内蔵の基準電圧との差に応じた電流をフォトカプラPC1の発光ダイオードに流すものである。フォトカプラPC1のフォトトランジスタは、そのコレクタ端子が制御IC30のLLC_FB端子に接続され、エミッタ端子が制御IC30のGND端子に接続され、コレクタ端子とエミッタ端子との間には、コンデンサC5が接続されている。
制御IC30は、図2に示したように、入力端子がVH端子に接続された起動回路31を有し、起動回路31の出力端子は、VCC端子に接続されている。VCC端子は、低電圧保護(UVLO:Under Voltage Lock Out)回路32に接続され、この低電圧保護回路32は、起動回路31に接続されている。
制御IC30は、また、力率改善回路10を制御するPFC制御回路(第1の制御回路)33、PFCスイッチング検出回路(スイッチング動作検出回路)34、DC−DCコンバータ20を制御するLLC制御回路(第2の制御回路)35、ハイサイド駆動回路36およびローサイド駆動回路37を有している。PFC制御回路33は、低電圧保護回路32、PFC_OUT端子、PFC_RT端子、PFC_FB端子、PFC_CS端子、PFC_COMP端子およびPFCスイッチング検出回路34に接続されている。PFCスイッチング検出回路34は、低電圧保護回路32およびLLC制御回路35に接続されている。LLC制御回路35は、LLC_FB端子、LLC_CS端子、LLC_SS端子、ハイサイド駆動回路36およびローサイド駆動回路37に接続されている。ハイサイド駆動回路36は、VB端子、HO端子、VS端子に接続され、ローサイド駆動回路37は、LO端子に接続されている。
次に、以上の構成を有するスイッチング電源装置の動作について図3の動作波形を参照しながら説明する。
まず、電源が投入されて交流電源ACから交流電圧ACINが入力されると、その交流電圧ACINは、ダイオードD1,D2によって全波整流される。全波整流された脈流は、抵抗R5を介して制御IC30のVH端子に入力される。VH端子には、高耐圧の起動回路31が接続されており、この起動回路31で電圧を調整した電流がVCC端子から出力される。VCC端子には、コンデンサCvccが接続されており、このコンデンサCvccは、VCC端子から出力された電流によって充電される。VCC端子が制御IC30自体の電源端子であり、VCC端子に印加されるコンデンサCvccの電圧が制御IC30の電源電圧となる。
このとき、力率改善回路10は、まだ、起動されていない。しかし、交流電圧ACINがダイオードブリッジDBにより全波整流され、インダクタLpおよび平滑コンデンサCbulkにより平滑されているので、力率改善回路10は、交流電圧ACINを整流・平滑しただけの電圧の中間電圧Vbulkを出力している。
制御IC30のVCC端子には、VCC端子の電圧を検出する低電圧保護回路32が接続されている。この低電圧保護回路32は、VCC端子の電圧を2つの閾値Vccon,Vccoff(Vccon>Vccoff)と比較するヒステリシス比較器を有している。低電圧保護回路32は、起動時にPFC制御回路33の動作をロックアウトする低電圧保護信号を出力し、VCC端子の電圧が低電圧であることによる力率改善回路10の誤動作を防止する。VCC端子の電圧がUVLO解除電圧である閾値Vcconを上回ると、低電圧保護回路32は、PFC制御回路33に動作開始を指示する信号Enb1(第1のイネーブル信号)を出力する。PFC制御回路33は、信号Enb1を受けると、低電圧保護機能が解除されて待機状態から動作状態に切り替えられる。なお、低電圧保護回路32は、VCC端子の電圧が閾値Vccoffを下回ることがあると、再び低電圧保護信号を出力する。
PFC制御回路33は、信号Enb1を受けて動作を開始すると、後述のエラーアンプErrAMPの働きによりPFC_COMP端子からソース電流を出力する。これにより、PFC_COMP端子に接続された位相補償用のコンデンサCcompが充電されてPFC_COMP端子の電圧が上昇していく。そのPFC_COMP端子の電圧があらかじめ設定されたスイッチング開始電圧である閾値Vth_comp(第1の閾値電圧)を上回ると、PFC制御回路33はスイッチング素子Qをスイッチングさせる駆動信号pfc_outの出力を開始し、PFC_OUT端子からその駆動信号pfc_outが出力される。スイッチング素子Qがスイッチング動作を開始することにより、力率改善回路10が起動して昇圧動作を開始し、昇圧した中間電圧Vbulkを出力するようになる。
この中間電圧Vbulkは、抵抗R2,R3による分圧回路によって分圧され、分圧された電圧は、PFC_FB端子に供給され、力率改善回路10は、中間電圧Vbulkが一定の電圧を維持するように制御する。また、電流検出抵抗Rsが力率改善回路10を流れる電流を検出して電圧に変換し、変換された電圧は、抵抗R1およびコンデンサC1によるノイズフィルタを介してPFC_CS端子に供給される。PFC制御回路33では、その変換された電圧を監視し、力率改善回路10に流れる電流が所定の閾値を上回った場合には、内蔵の過電流保護回路が動作し、力率改善回路10は、スイッチング動作が停止される。
PFC制御回路33が信号Enb1を受けたと同じタイミングで、信号Enb1は、起動回路31にも供給されている。これにより、起動回路31の動作が停止され、起動回路31での消費電力が削減される。
PFC制御回路33は、駆動信号pfc_outを出力しているとき、PFCスイッチング検出回路34にPFCスイッチング信号pfc_qが供給される。PFCスイッチング検出回路34は、PFCスイッチング信号pfc_qを受けてPFC制御回路33がスイッチング動作を開始していることを検出すると、LLC制御回路35に対し動作開始を指示する信号Enb2(第2のイネーブル信号)を出力する。PFCスイッチング検出回路34は、PFC制御回路33がスイッチング動作を開始した直後にLLC制御回路35に対し動作開始を指示しているので、LLC制御回路35の動作開始を最短で指示することができる。
LLC制御回路35は、信号Enb2を受けるとアクティブに切り替わる。LLC制御回路35がアクティブになると、ソフトスタート端子(LLC_SS端子)に定電流が供給され、LLC_SS端子に接続されたソフトスタートコンデンサCssの充電が開始される。ソフトスタートコンデンサCssの電圧がスイッチング動作を開始する電圧Vth_sson(第2の閾値電圧)を超えると、LLC制御回路35は、ハイサイド駆動信号hioutおよびローサイド駆動信号looutを出力する。このとき、力率改善回路10が出力する中間電圧Vbulkは、交流電圧ACINを整流・平滑しただけの電圧から電圧ΔVupだけ高くなっている。ハイサイド駆動信号hioutは、ハイサイド駆動回路36に供給され、ローサイド駆動信号looutは、ローサイド駆動回路37に供給される。ハイサイド駆動回路36では、入力されたハイサイド駆動信号hioutがレベルシフト回路にてレベルシフトされ、駆動回路によって駆動能力が高められ、HO端子に供給される。ローサイド駆動回路37では、入力されたローサイド駆動信号looutが駆動回路によって駆動能力が高められ、LO端子に供給される。これにより、DC−DCコンバータ20は、スイッチング動作を開始し、トランスT1の2次側から出力される出力電圧Voは、徐々に上昇する。トランスT1の2次側の出力電圧Voが上昇し始めると、トランスT1の補助巻線P2の電圧も上昇し、制御IC30のVCC端子へ電流が供給されるようになる。
この出力電圧Voは、シャントレギュレータSR1により検出され、フォトカプラPC1を介してLLC_FB端子にフィードバックされることで、所定の一定の電圧に制御される。このDC−DCコンバータ20がスイッチング動作をしているとき、共振コンデンサCrを流れる電流が分流コンデンサCrdおよび抵抗Rcsによって分流され、分流された電流が抵抗Rcsにより電圧Vcsに変換される。この電圧Vcsは、抵抗R8およびコンデンサC3によるノイズフィルタを介してLLC_CS端子に供給される。LLC制御回路35では、その電圧Vcsを監視し、所定の閾値を上回った場合には、内蔵の過電流保護回路が動作し、DC−DCコンバータ20のスイッチング動作が停止される。
以上のように、このスイッチング電源装置は、インダクタLpの補助巻線を用いていないので、スイッチング電源装置のコストを低減することができる。また、制御IC30の電源にインダクタLpの補助巻線から供給される電流を用いていないため、トランスT1の補助巻線P2に、トランスT1の2次側巻線に発生される電圧に比例した電圧を得ることができる。このことは、LLC制御回路35に過電圧保護機能を内蔵させることを可能にする。さらに、このスイッチング電源装置は、電源が投入されたとき、まず、PFC制御回路33がアクティブになり、PFC制御回路33がスイッチング動作を開始してから時間Δtだけ遅れてLLC制御回路35をアクティブにするようにしている。すなわち、力率改善回路10の昇圧動作で中間電圧Vbulkが十分に上昇してから、後段のDC−DCコンバータ20が動作するため、後段の電流供給能力が大きくなり、その結果、安定した起動特性を得ることができる。
なお、このLLC制御回路35のスイッチングを遅延させている期間、VCC端子への電流供給を停止しているためにVCC端子の電圧は低下する。VCC端子の電圧が下がり過ぎて閾値Vccoffまで低下してしまうと、再び低電圧保護回路32の保護回路が動作してしまう。このため、VCC端子に接続されたコンデンサCvccに蓄積された電荷でVCC端子の電圧が閾値Vccoff以上に維持されるようにコンデンサCvccの容量が設定されている。
次に、制御IC30のPFC制御回路33、PFCスイッチング検出回路34およびLLC制御回路35の具体的な構成例について説明する。
図4はPFC制御回路33の具体的な構成例を示す回路図、図5はPFC制御回路33のリスタートタイマの具体的な構成例を示す回路図、図6はPFC制御回路33の発振波形を示す図であって、(A)はエラーアンプErrAMPの出力電圧となるPFC_COMP端子の電圧が低いとき、(B)はPFC_COMP端子の電圧が高いときである。
PFC制御回路33は、低電圧保護回路32から動作開始を指示する信号Enb1を受けるEnb1端子を有している。このEnb1端子は、インバータINV1の入力端子に接続され、インバータINV1の出力端子には、信号Enb1を反転した信号Enb1barが出力される。
PFC_FB端子は、エラーアンプErrAMPの反転入力端子(−)に接続されている。このエラーアンプErrAMPは、非反転入力端子(+)への入力電圧と反転入力端子(−)への入力電圧の差電圧を電流に変換するオペレーショナルトランスコンダクタンスアンプ(OTA:Operational Transconductance Amplifier)の構成を有するものである。エラーアンプErrAMPの非反転入力端子(+)には、基準電圧の2.5ボルト(V)が印加され、エラーアンプErrAMPの出力端子は、PFC_COMP端子に接続されている。エラーアンプErrAMPは、PFC_FB端子の電圧が2.5Vより低くなるほどソース電流を大きく変化させ、またPFC_FB端子の電圧が2.5Vより高くなるほどシンク電流を大きく変化させた電流信号pfc_compを出力する。PFC制御回路33は、PFC_FB端子の電圧が2.5Vになるようにパルス幅変調(PWM:Pulse Width Modulation)制御を行う。このため、PFC_FB端子に接続される中間電圧検出用の分圧回路は、中間電圧Vbulkが目標の電圧(たとえば、400V)まで昇圧されたときに、2.5Vになるように抵抗R2,R3の分圧比が設定されている。
エラーアンプErrAMPの出力端子は、また、NチャネルMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタNM1のドレイン端子に接続されている。NチャネルMOSトランジスタNM1のゲート端子には、信号Enb1barが印加され、NチャネルMOSトランジスタNM1のソース端子は、GNDラインに接続されている。これにより、NチャネルMOSトランジスタNM1は、信号Enb1barによってエラーアンプErrAMPの出力端子をGNDラインに固定またはGNDラインから開放するスイッチとして機能する。
PFC_RT端子は、NチャネルMOSトランジスタNM2のソース端子およびオペアンプAmp1の反転入力端子(−)に接続されている。オペアンプAmp1の非反転入力端子(+)には、基準電圧の2.8Vが印加され、オペアンプAmp1の出力端子は、NチャネルMOSトランジスタNM2のゲート端子に接続されている。NチャネルMOSトランジスタNM2のドレイン端子は、PチャネルMOSトランジスタPM1,PM2のドレイン端子に接続されている。PチャネルMOSトランジスタPM1,PM2のソース端子は、5Vの電源ラインに接続されている。PチャネルMOSトランジスタPM1のゲート端子には、信号Enb1が印加される。PチャネルMOSトランジスタPM2のゲート端子は、自身のドレイン端子とPチャネルMOSトランジスタPM3のゲート端子とに接続されている。PチャネルMOSトランジスタPM3は、ソース端子が5Vの電源ラインに接続されている。ここで、NチャネルMOSトランジスタNM2およびオペアンプAmp1は、オペアンプAmp1の仮想短絡によりPFC_RT端子を2.8Vに固定し、その固定された2.8VをPFC_RT端子に接続された抵抗R4に印加する。これにより、カレントミラー回路を構成するPチャネルMOSトランジスタPM2には、2.8Vと抵抗R4の値とによって決まる電流が流れ、その電流をコピーした電流IrampがPチャネルMOSトランジスタPM3から出力される。なお、PチャネルMOSトランジスタPM1は、信号Enb1がハイ(H)レベルのとき、オフされて、PチャネルMOSトランジスタPM2,PM3は、カレントミラー回路として動作し、一定の電流Irampを出力する。一方、信号Enb1がロー(L)レベルのとき、PチャネルMOSトランジスタPM1は、オンされ、PチャネルMOSトランジスタPM3は、そのゲート端子が電源の電圧の5Vにされることで、オフされる。これにより、電流Irampが不要の場合に、電流Irampの出力を停止して消費電力の低減を図ることができる。
PチャネルMOSトランジスタPM3のドレイン端子は、コンデンサC10の一方の端子とNチャネルMOSトランジスタNM3のドレイン端子に接続されている。コンデンサC10の他方の端子は、NチャネルMOSトランジスタNM3のソース端子と、コンデンサC11の一方の端子と、オペアンプAmp2の出力端子とに接続されている。コンデンサC11の他方の端子は、GNDラインに接続されている。オペアンプAmp2は、その出力端子を反転入力端子(−)に接続してボルテージフォロアを構成し、非反転入力端子(+)に印加された0.6Vに等しい電圧を出力して、コンデンサC11の端子間電圧を0.6Vに固定している。この0.6Vは、力率改善回路10のスイッチング開始電圧である閾値Vth_comp(図3参照)に相当する。コンデンサC10に並列に接続されたNチャネルMOSトランジスタNM3は、そのゲート端子に後述する信号pfc_qbが印加されている。信号pfc_qbがHレベルのとき、NチャネルMOSトランジスタNM3は、オンされて、コンデンサC10が短絡されている。信号pfc_qbがLレベルのときは、NチャネルMOSトランジスタNM3は、オフされて、コンデンサC10は、電流Irampによって定電流で充電される。これにより、PチャネルMOSトランジスタPM3のドレイン端子とコンデンサC10との接続点には、0.6Vから一定の傾きで立ち上がるランプ信号Rampが生成される。
ランプ信号Rampは、PWM(パルス幅変調)比較器PWM_Compの非反転入力端子(+)に入力され、PWM比較器PWM_Compの反転入力端子(−)には、エラーアンプErrAMPが出力した電流信号pfc_compが入力される。PWM比較器PWM_Compの出力は、オア回路OR1の入力端子の1つに接続されている。
ランプ信号Rampは、また、比較器Tonmaxの非反転入力端子(+)に入力され、比較器Tonmaxの反転入力端子(−)には、ランプ信号Rampの上限値を規定する4.0Vが印加されている。比較器Tonmaxの出力は、オア回路OR1の入力端子の1つに接続されている。
PFC_CS端子は、力率改善回路10に流れる電流に相当する電圧が供給される。このPFC_CS端子に供給される電圧は、力率改善回路10に流れる電流が大きいほど絶対値が大きくなる負電圧であるので、ここでは、その負電圧を正電圧にレベルシフトしている。レベルシフトされた電圧は、力率改善回路10に流れる電流が大きいほど低くなるような正電圧となる。負電圧を正電圧にレベルシフトするために、PFC_CS端子は、抵抗R21,R22,R23を直列に接続した分圧回路を介して基準電圧である0.8Vのラインに接続されている。抵抗R21と抵抗R22との接続点は、過電流検出比較器OCP_Compの反転入力端子(−)に接続され、過電流検出比較器OCP_Compの非反転入力端子(+)には基準電圧の115ミリボルト(mV)が印加されている。過電流検出比較器OCP_Compの出力端子は、オア回路OR1の入力端子の1つに接続されている。
抵抗R22と抵抗R23との接続点は、電流ゼロ検出比較器ZCD_Compの非反転入力端子(+)に接続され、電流ゼロ検出比較器ZCD_Compの反転入力端子(−)には、基準電圧の20mVが印加されている。電流ゼロ検出比較器ZCD_Compの出力端子は、リスタートタイマ41およびZCD遅延回路42に接続されている。リスタートタイマ41およびZCD遅延回路42の出力は、オア回路OR2の入力端子に接続され、オア回路OR2の出力端子は、パルス生成回路43に接続されている。パルス生成回路43の出力は、リセット優先のRSフリップフロップ44のセット端子に接続され、RSフリップフロップ44のリセット端子は、オア回路OR1の出力端子が接続されている。RSフリップフロップ44の出力端子は、PFCスイッチング検出回路34にPFCスイッチング信号pfc_qを出力するPFC_Q端子に接続され、また、インバータINV2の入力端子に接続されている。インバータINV2の出力端子は、NチャネルMOSトランジスタNM3のゲート端子およびリスタートタイマ41に接続され、反転された信号pfc_qbを出力する。RSフリップフロップ44の出力端子は、また、ドライバ45の入力端子に接続され、ドライバ45の出力端子は、PFC_OUT端子に接続されている。
リスタートタイマ41は、図5に示したように、信号pfc_qbおよび信号Enb1を入力するアンド回路AND1を有し、アンド回路AND1の出力端子は、NチャネルMOSトランジスタNM4のゲート端子に接続されている。NチャネルMOSトランジスタNM4のドレイン端子は、定電流回路46が接続され、NチャネルMOSトランジスタNM4のソース端子は、GNDラインに接続されている。NチャネルMOSトランジスタNM4のドレイン端子と定電流回路46との接続点は、コンデンサC12の一方の端子とインバータINV3の入力端子とに接続されている。コンデンサC12の他方の端子は、GNDラインに接続されている。インバータINV3の出力端子は、インバータINV4の入力端子に接続され、インバータINV4の出力端子は、アンド回路AND1の入力端子およびワンショット回路47の入力端子に接続されている。ワンショット回路47の出力端子は、オア回路OR2の入力端子に接続されるとともに、RSフリップフロップ48のリセット端子に接続されている。RSフリップフロップ48のセット端子には、電流ゼロ検出信号zcdが入力され、RSフリップフロップ48の出力端子は、アンド回路AND1の入力端子に接続されている。
次に、制御IC30のPFC制御回路33の動作について説明する。まず、起動直後は、起動回路31が起動電流をコンデンサCvccに供給することによってVCC端子の電圧が上昇する。VCC端子の電圧がUVLO解除電圧である閾値Vcconに達するまでの期間、低電圧保護回路32が出力する信号Enb1は、Lレベルである。
このとき、PFC制御回路33では、PチャネルMOSトランジスタPM1がオンして電流Irampの供給を停止し、NチャネルMOSトランジスタNM1がPFC_COMP端子をGNDラインに固定してPFC_COMP端子の電圧が上昇しないようにしている。また、リスタートタイマ41も、Lレベルの信号Enb1が入力されることによって、Lレベルの信号を出力している。さらに、オア回路OR1にも、Hレベルの信号Enb1barが入力されているので、RSフリップフロップ44がリセット状態にされている。したがって、RSフリップフロップ44が出力するPFCスイッチング信号pfc_qは、Lレベルであり、PFC_OUT端子もLレベルに固定されている。
このとき、インバータINV2は、Hレベルの信号pfc_qbを出力している。このため、NチャネルMOSトランジスタNM3がオンして、発振器のタイミング用のコンデンサC10の両端子が短絡されている。これにより、ランプ信号Rampは、0.6Vに固定されている。
PFC_COMP端子の電圧は、GNDラインに固定されているため、ランプ信号Rampの0.6Vより低く、PWM比較器PWM_Compの出力は、Hレベルとなっている。これにより、RSフリップフロップ44がリセットされ、PFC_OUT端子は、Lレベルとなる。なお、信号Enb1barが反転してNチャネルMOSトランジスタNM1がオフし、PFC_COMP端子の電圧が上昇を開始しても、その値が0.6Vより低い間は、PWM比較器PWM_Compの出力は、Hレベルのままである。
VCC端子の電圧が上昇してUVLO解除電圧の閾値Vcconを上回ると、低電圧保護回路32からHレベルの信号Enb1がPFC制御回路33に入力される。これにより、PチャネルMOSトランジスタPM1がオフして電流Irampの供給が開始されるとともに、NチャネルMOSトランジスタNM1がオフしてPFC_COMP端子のGNDラインへの固定が解除される。
力率改善回路10がスイッチングを開始していないときは、まだ、中間電圧Vbulkは昇圧動作をしていないので低く、したがって、その中間電圧Vbulkを分圧したPFC_FB端子の電圧も低い。この場合、エラーアンプErrAMPは、大きなソース電流を出力し、PFC_COMP端子に接続された位相補償用のコンデンサCcompを充電する。
初期の信号Enb1がLレベルの期間は、電流検出抵抗Rsに電流が流れていないので電流ゼロ検出信号zcdはHレベルとなっている。また、上述のようにRSフリップフロップ44がリセットされている状態なので、信号pfc_qbはHレベルとなっている。この状態では信号Enb1がLレベルなのでアンド回路AND1の出力がLレベルとなっている。そのため、NチャネルMOSトランジスタNM4がオフしていて、定電流回路46によるコンデンサC12の充電は中止されることなく継続され、コンデンサC12の充電の充電電圧は直にインバータINV3の反転閾値に達して、インバータINV4の出力がHレベルになる。
この状態で信号Enb1がHレベルに反転すると、アンド回路AND1の出力がHレベルとなり、NチャネルMOSトランジスタNM4がオンしてコンデンサC12の電荷を放電する。すると、インバータINV4の出力がLレベルになるのでアンド回路AND1の出力が再びLレベルになって、定電流回路46によるコンデンサC12の充電が再開される。
以降、「コンデンサC12の充電電圧がインバータINV3の反転閾値に達する→コンデンサC12の電荷が放電されてコンデンサC12の充電が再開される」というサイクルが繰り返される。そして、コンデンサC12の充電電圧がインバータINV3の反転閾値に達する毎に、ワンショット回路47からスタートパルスが出力される。
パルス生成回路43は、ワンショット回路47からスタートパルスを受けてRSフリップフロップ44をセットするパルスを出力するが、RSフリップフロップ44にリセット信号が入力されている間は、無効な信号となっている。
上述のように、PFC_COMP端子の電圧が0.6V以上となるとRSフリップフロップ44のリセット信号が外れ、その後にワンショット回路47からスタートパルスが出力されるとRSフリップフロップ44がセットされ、信号pfc_qbがLレベルとなって、上記サイクルは終了し、以下の通常サイクルに移行する。
通常サイクルは、「RSフリップフロップ44がセットされてスイッチング素子Qのオン動作とコンデンサC12の充電が開始される→スイッチング素子Qのオフ条件が満たされるとRSフリップフロップ44がリセットされてスイッチング素子Qがオフする→インダクタLpに流れる電流が減少し、電流ゼロ検出比較器ZCD_Compが電流ゼロを検出すると、コンデンサC12の電荷が放電される→ZCD遅延回路42による遅延時間が経過すると、RSフリップフロップ44がセットされてコンデンサC12の充電が再開される」というサイクルになる。
なお、コンデンサC12による充放電の周期が電流ゼロ検出比較器ZCD_Compにより電流ゼロを検出する周期よりも長く設定されているため、通常はスタートパルスが生成されるのは、起動直後だけである。但し、なんらかのトラブルで電流ゼロ検出比較器ZCD_Compが電流ゼロを検出しない状態が継続すると、リスタートタイマ41が強制的にスイッチング素子Qをオフさせる。
電流ゼロ検出比較器ZCD_Compが電流ゼロを検出すると、ZCD遅延回路42が電流ゼロ検出信号zcdを、スイッチング素子Qのドレインに印加される共振電圧が最小となる位相との差分だけ遅延させ、遅延された信号がパルス生成回路43に供給される。これにより、パルス生成回路43からスイッチングを継続するためのパルスが出力され、RSフリップフロップ44がセットされ、出力端子からHレベルのPFCスイッチング信号pfc_qが出力される。このとき、PFCスイッチング信号pfc_qは、ドライバ45により駆動能力が増加されて駆動信号pfc_outとなり、PFC_OUT端子からスイッチング素子Qのゲート端子に供給される。これにより、スイッチング素子Qは、オンされてインダクタLpとダイオードDpとの接続点の電圧、すなわち、スイッチング素子Qのドレイン電圧がゼロになる。スイッチング素子QがオンしたときにインダクタLpには、インダクタLpに印加される電圧(AC入力の整流電圧)とオンしてからの時間に比例した電流が流れる。
HレベルのPFCスイッチング信号pfc_qは、インバータINVにより反転されてLレベルの信号pfc_qbになり、これがNチャネルMOSトランジスタNM3のゲート端子に供給される。これにより、NチャネルMOSトランジスタNM3は、オフするため、PチャネルMOSトランジスタPM3のドレイン端子とコンデンサC10との接続点には、0.6Vから一定の傾きで立ち上がるランプ信号Rampが生成される。このランプ信号Rampは、PWM比較器PWM_CompによってエラーアンプErrAMPが出力した電流信号pfc_compと比較される。ランプ信号Rampの電圧がエラーアンプErrAMPの出力した電流信号pfc_compを上回ると、PWM比較器PWM_Compは、Hレベルの信号を出力し、この信号は、オア回路OR1を介してRSフリップフロップ44のリセット端子に供給される。これにより、RSフリップフロップ44は、リセットされてLレベルのPFCスイッチング信号pfc_qを出力する。これにより、スイッチング素子Qは、オフされる。このとき、インダクタLpの電流は、平滑コンデンサCbulkを充電して中間電圧Vbulkを作る電流となり、時間とともに減少する。
RSフリップフロップ44が出力したLレベルのPFCスイッチング信号pfc_qは、インバータINVにより反転されてHレベルの信号pfc_qbとなり、NチャネルMOSトランジスタNM3のゲート端子に供給される。これにより、NチャネルMOSトランジスタNM3は、オンされてコンデンサC10は短絡される。
このようにして、力率改善回路10は、電流信号pfc_compとランプ信号Rampとの比較によりPWM動作をして、PFC_FB端子が2.5Vに、すなわち、中間電圧Vbulkが目標の電圧(たとえば、400V)になるように制御される。そのPWM動作では、PFC_FB端子が2.5Vより高いとき、エラーアンプErrAMPは、シンク電流を出力する。このとき、図6(A)に示したように、PFC_COMP端子の電圧V_pfc_comp_1は、PFC_COMP端子に接続されたコンデンサCcompの電荷が放電されるため、低くなる。これにより、PFC_OUT端子から出力される駆動信号pfc_outのパルス幅が狭くなって中間電圧Vbulkの電圧が下げられる。一方、PFC_FB端子が2.5Vより低いとき、エラーアンプErrAMPは、ソース電流を出力する。このとき、図6(B)に示したように、PFC_COMP端子の電圧V_pfc_comp_2は、PFC_COMP端子に接続されたコンデンサCcompが充電されるため、高くなる。これにより、PFC_OUT端子から出力される駆動信号pfc_outのパルス幅が広くなって中間電圧Vbulkの電圧が上げられる。
なお、PFC_COMP端子の電圧は入力電圧の1周期程度ではほとんど変わらないので、入力電圧の1周期の間のスイッチング素子Qのオン時間は一定と見做すことができる。そのため、各スイッチング周期における入力電流のピーク値は、入力電圧に比例することになり(ピーク電流=L1の印加電圧×オン時間/L1(L1は、インダクタLpのインダクタンス))、力率改善が行われることになる。
さらに、このPFC制御回路33において、過電流検出比較器OCP_Compが過電流を検出してHレベルの過電流保護信号ocp1を出力すると、RSフリップフロップ44がリセットされ、スイッチング動作が強制的に停止される。また、ランプ信号Rampの電圧が4.0Vを上回ったことを比較器Tonmaxが検出したときにも、RSフリップフロップ44がリセットされ、駆動信号pfc_outがLレベルにされてスイッチング動作が強制的に停止される。
図7はPFCスイッチング検出回路を説明する図であって、(A)はPFCスイッチング検出回路の具体的な構成例を示す回路図、(B)はPFCスイッチング検出回路の入出力波形を示す図である。
PFCスイッチング検出回路34は、図7(A)に示したように、インバータINV5とRSフリップフロップ49とを有している。PFCスイッチング信号pfc_qを受ける端子は、RSフリップフロップ49のセット端子に接続され、RSフリップフロップ49の出力端子は、信号Enb2を出力する端子に接続されている。信号Enb1を受ける端子は、インバータINV5の入力端子に接続され、インバータINV5の出力端子は、RSフリップフロップ49のリセット端子に接続されている。
PFCスイッチング検出回路34は、低電圧保護回路32から信号Enb1が入力されており、信号Enb1がLレベルの期間は、図7(B)に示したように、RSフリップフロップ49がリセットされていて、Lレベルの信号Enb2を出力している。
ここで、PFCスイッチング検出回路34にPFC制御回路33に動作開始を指示するHレベルの信号Enb1が入力されると、RSフリップフロップ49は、PFCスイッチング信号pfc_qを受け入れる状態になる。RSフリップフロップ49は、PFCスイッチング信号pfc_qが入力されると、PFCスイッチング信号pfc_qが最初にHレベルとなった時点で出力状態が切り替わり、Hレベルの信号Enb2を出力する。その後、PFCスイッチング検出回路34は、信号Enb1が再びLレベルに戻るまで信号Enb2をHレベルに維持する。
このように、PFCスイッチング検出回路34は、Hレベルの信号Enb1が入力されているときに、スイッチング素子Qをスイッチングする駆動信号pfc_outと基本的に同じ信号であるPFCスイッチング信号pfc_qが入力されると、Hレベルの信号Enb2を出力する。このHレベルの信号Enb2は、LLC制御回路35に動作開始を指示する信号として供給される。
図8はLLC制御回路の具体的な構成例を示す回路図、図9はLLC制御回路がスイッチング動作を開始したときのソフトスタート動作における波形を示す図であって、(A)はソフトスタートコンデンサの電圧が低いときのスイッチング波形、(B)はソフトスタートコンデンサの電圧が高いときのスイッチング波形である。
LLC制御回路35は、PFCスイッチング検出回路34から動作開始を指示する信号Enb2を受けるEnb2端子を有している。このEnb2端子は、インバータINV11の入力端子が接続され、インバータINV11の出力端子には、信号Enb2を反転した信号Enb2barが出力される。
LLC制御回路35は、フォトカプラPC1のフォトトランジスタのコレクタ端子およびコンデンサC5が接続されるLLC_FB端子を有し、このLLC_FB端子は、プルアップ抵抗R31の一方の端子に接続されている。プルアップ抵抗R31の他方の端子は、5Vの電源ラインに接続されている。LLC_FB端子は、また、NチャネルMOSトランジスタNM11のドレイン端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタNM11のソース端子は、GNDラインに接続され、ゲート端子には、信号Enb2を反転した信号Enb2barが印加されている。プルアップ抵抗R31とNチャネルMOSトランジスタNM11のドレイン端子との接続点からは、信号llc_fbが出力される。
LLC制御回路35は、また、ソフトスタートコンデンサCssが接続されるLLC_SS端子を有し、このLLC_SS端子は、定電流回路51の一方の端子に接続され、定電流回路51の他方の端子は、5Vの電源ラインに接続されている。LLC_SS端子は、また、NチャネルMOSトランジスタNM12のドレイン端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタNM12のソース端子は、GNDラインに接続され、ゲート端子には、信号Enb2を反転した信号Enb2barが印加されている。定電流回路51とNチャネルMOSトランジスタNM12のドレイン端子との接続点からは、信号llc_ssが出力される。
LLC制御回路35は、LLC発振器のタイミングコンデンサCoscを有しており、このタイミングコンデンサCoscの一方の端子は、NチャネルMOSトランジスタNM13のドレイン端子に接続されている。NチャネルMOSトランジスタNM13のソース端子は、タイミングコンデンサCoscの他方の端子とともにGNDラインに接続され、ゲート端子には、信号Enb2を反転した信号Enb2barが印加されている。
タイミングコンデンサCoscの一方の端子には、急速充電および緩速充電が可能な充電回路が接続されている。すなわち、この充電回路は、PチャネルMOSトランジスタPM11,PM12を有し、これらPチャネルMOSトランジスタPM11,PM12のソース端子は、5Vの電源ラインに接続されている。PチャネルMOSトランジスタPM11,PM12のドレイン端子は、ともに接続されるとともに、NチャネルMOSトランジスタNM14のドレイン端子に接続されている。NチャネルMOSトランジスタNM14のソース端子は、抵抗R32の一方の端子に接続され、抵抗R32の他方の端子は、GNDラインに接続されている。NチャネルMOSトランジスタNM14のソース端子は、また、オペアンプAmp3の反転入力端子(−)に接続されている。オペアンプAmp3の非反転入力端子(+)には、基準電圧の0.5Vが印加され、オペアンプAmp3の出力端子は、NチャネルMOSトランジスタNM14のゲート端子に接続されている。PチャネルMOSトランジスタPM12のドレイン端子は、自身のゲート端子とPチャネルMOSトランジスタPM13,PM14のゲート端子に接続され、PチャネルMOSトランジスタPM13,PM14のソース端子は、5Vの電源ラインに接続されている。
ここで、PチャネルMOSトランジスタPM12とPチャネルMOSトランジスタPM13およびPチャネルMOSトランジスタPM14とは、カレントミラー回路を構成している。カレントミラー回路の入力電流は、オペアンプAmp3とNチャネルMOSトランジスタNM14とによって抵抗R32に印加する電圧を、オペアンプAmp3の2つの入力の仮想短絡により0.5Vに固定することで得られる電流である。この入力電流は、コピーされて、PチャネルMOSトランジスタPM13およびPチャネルMOSトランジスタPM14のドレイン端子から入力電流に比例した電流が出力される。この実施の形態では、PチャネルMOSトランジスタPM14が出力する電流を電流Iとしたとき、PチャネルMOSトランジスタPM13が出力する電流を電流I*8となるようにミラー比が設定されている。
PチャネルMOSトランジスタPM13のドレイン端子は、PチャネルMOSトランジスタPM15のソース端子に接続されている。PチャネルMOSトランジスタPM15のドレイン端子は、PチャネルMOSトランジスタPM14のドレイン端子およびタイミングコンデンサCoscの一方の端子に接続されている。PチャネルMOSトランジスタPM15のゲート端子には、Lレベルの後述する信号min_cmpが印加されてPチャネルMOSトランジスタPM15がオンされているときには、電流I*(1+8)がタイミングコンデンサCoscに供給される。ゲート端子にHレベルの信号min_cmpが印加されてPチャネルMOSトランジスタPM15がオフされているときには、電流IがタイミングコンデンサCoscに供給される。
以上の充電回路は、2種類の電流を供給することができるので、タイミングコンデンサCoscとともに、2つの傾斜を有するランプ電圧が生成されるランプ電圧生成回路を構成している。
また、PチャネルMOSトランジスタPM12に並列に接続されたPチャネルMOSトランジスタPM11は、ゲート端子に信号Enb2が印加されている。Lレベルの信号Enb2が印加されてPチャネルMOSトランジスタPM11がオンした場合、PチャネルMOSトランジスタPM12,PM13,PM14は、それらのゲート端子が5Vの電源ラインに接続されることによってオフされる。すなわち、充電回路は、タイミングコンデンサCoscへの充電電流供給動作を停止する。
タイミングコンデンサCoscの一方の端子は、また、比較器52,53,54の非反転入力端子(+)にそれぞれ接続されている。比較器53の反転入力端子(−)には信号llc_ssが印加され、比較器54の反転入力端子(−)には信号llc_fbが印加されている。比較器52の反転入力端子(−)には、基準電圧の0.4Vが印加され、比較器52の出力端子は、ワンショット回路55の入力端子に接続されるとともに、PチャネルMOSトランジスタPM15のゲート端子にも接続されている。ワンショット回路55の出力端子は、RSフリップフロップ56のセット端子に接続され、RSフリップフロップ56の出力端子は、アンド回路AND2,AND3の一方の入力端子に接続されている。比較器53,54の出力端子は、オア回路OR3の入力端子に接続され、オア回路OR3の出力端子は、オア回路OR4の一方の入力端子とトグルフリップフロップ57のトリガ端子Tとに接続されている。オア回路OR4の出力端子は、RSフリップフロップ56のリセット端子に接続されている。トグルフリップフロップ57の出力端子は、アンド回路AND2の他方の入力端子に接続され、トグルフリップフロップ57の反転出力端子は、アンド回路AND3の他方の入力端子に接続されている。アンド回路AND2の出力端子は、ローサイド駆動信号looutを出力する端子に接続され、アンド回路AND3の出力端子は、ハイサイド駆動信号hioutを出力する端子に接続されている。
オア回路OR3の出力端子は、また、デッドタイム信号発生器58の入力端子に接続され、デッドタイム信号発生器58の出力端子は、NチャネルMOSトランジスタNM15のゲート端子に接続されている。NチャネルMOSトランジスタNM15のドレイン端子は、タイミングコンデンサCoscの一方の端子に接続され、NチャネルMOSトランジスタNM15のソース端子は、GNDラインに接続されている。デッドタイム信号発生器58には、また、デッドタイム信号の発生動作を許可する信号Enb2が入力されている。
LLC制御回路35は、共振電流に比例した電流を電圧に変換した電流検出信号が入力されるLLC_CS端子を有している。このLLC_CS端子は、抵抗R33の一方の端子に接続され、抵抗R33の他方の端子は、抵抗R34の一方の端子に接続され、抵抗R34の他方の端子は、5Vの電源ラインに接続されている。この抵抗R33,R34は、0Vを基準に正負に変化する電流検出信号を0V以上にレベルシフトするためのものである。
抵抗R33と抵抗R34との共通の接続点は、ローサイド過電流検出用の比較器Lo_ocpおよびハイサイド過電流検出用の比較器Hi_ocpの非反転入力端子(+)にそれぞれ接続されている。比較器Lo_ocpの反転入力端子(−)には、基準電圧の0.5Vが印加され、比較器Hi_ocpの反転入力端子(−)には、基準電圧の4.5Vが印加されている。比較器Lo_ocpの出力端子は、インバータINV12の入力端子に接続され、インバータINV12の出力端子は、アンド回路AND4の一方の入力端子に接続されている。比較器Hi_ocpの出力端子は、アンド回路AND5の一方の入力端子に接続されている。アンド回路AND4の他方の入力端子には、ローサイド駆動信号looutが入力され、アンド回路AND5の他方の入力端子には、ハイサイド駆動信号hioutが入力されている。アンド回路AND4,AND5の出力端子は、オア回路OR5の入力端子にそれぞれ接続され、オア回路OR5の出力端子は、オア回路OR4の他方の入力端子に接続されている。ここで、比較器Hi_ocp、比較器Lo_ocp、インバータINV12、アンド回路AND4、アンド回路AND5およびオア回路OR5は、過電流保護回路を構成している。
以上の構成のLLC制御回路35において、まず、PFC制御回路33がスイッチング素子Qのスイッチングを開始する前は、信号Enb2がLレベルとなっており、その逆相の信号Enb2barは、Hレベルとなっている。このとき、LLC_SS端子、LLC_FB端子、LLC発振器のタイミングコンデンサCoscは、NチャネルMOSトランジスタNM11,NM12,NM13でGNDラインに固定されており、スイッチングしない状態にある。
PFCスイッチング検出回路34がスイッチング素子Qのスイッチング開始を検出すると、PFCスイッチング検出回路34が出力する信号Enb2は、Hレベルに切り替わる。このとき、LLC_SS端子、LLC_FB端子、LLC発振器のタイミングコンデンサCoscをGNDラインに固定していたNチャネルMOSトランジスタNM11,NM12,NM13は、オフされる。これにより、LLC_SS端子に接続されているソフトスタートコンデンサCss、LLC_FB端子に接続されているコンデンサC5およびLLC発振器のタイミングコンデンサCoscへの充電が開始される。
ただ、この時点では、タイミングコンデンサCoscは、NチャネルMOSトランジスタNM15によってもGNDラインに固定されているので、タイミングコンデンサCoscへの充電は、開始されない。
信号Enb2がHレベルになることによって、デッドタイム信号発生器58が動作を開始し、一定のデッドタイムが経過するとタイミングコンデンサCoscをGNDラインに固定していたNチャネルMOSトランジスタNM15をオフにする。このとき、既に、PチャネルMOSトランジスタPM11はオフされ、比較器52からLレベルの信号min_cmpを受けているPチャネルMOSトランジスタPM15はオンにしているので、タイミングコンデンサCoscは、急速充電が開始される。
タイミングコンデンサCoscの電圧が0.4Vに達すると、比較器52の出力状態がHレベルに切り替わる。これにより、PチャネルMOSトランジスタPM15がオフされるので、図9(A)および(B)に示したように、タイミングコンデンサCoscの充電は、タイミングコンデンサCoscの電圧が0.4Vに達した時点で緩速充電に切り替わる。
このとき、ワンショット回路55によってターンオン信号が生成され、RSフリップフロップ56をセットし、アンド回路AND2,AND3の一方の入力端子にHレベルの信号が入力される。すなわち、比較器52の反転入力端子(−)に印加された基準電圧である0.4Vが、LLC電流共振型のDC−DCコンバータ20のスイッチング開始電圧である閾値Vth_sson(図3参照)に相当する。一方、ターンオフ信号toffは、比較器53,54およびオア回路OR3によって生成される。すなわち、タイミングコンデンサCoscの電圧が0.4Vから信号llc_fbの電圧、または信号llc_ssの電圧のどちらか低い方の電圧に達したときにターンオフ信号toffが生成される。このターンオフ信号toffは、オア回路OR4を介してRSフリップフロップ56のリセット端子に入力される。このため、アンド回路AND2またはアンド回路AND3から出力されるローサイド駆動信号looutまたはハイサイド駆動信号hioutのオン幅は、ターンオン信号が生成されてからターンオフ信号toffが生成されるまでの間である。したがって、図9(A)に示したように、ソフトスタートコンデンサCssの電圧Vllc_ss_1が低いときは、ローサイド駆動信号looutまたはハイサイド駆動信号hioutのオン幅は、狭くなってスイッチング周波数が高くなっている。一方、図9(B)に示したように、ソフトスタートコンデンサCssの電圧Vllc_ss_2が高いときは、ローサイド駆動信号looutまたはハイサイド駆動信号hioutのオン幅は、広くなってスイッチング周波数が低くなっている。
図9(A)、図9(B)は、信号llc_ss<信号llc_fbとなっているソフトスタートのときの動作を示すものであるが、信号llc_ss>信号llc_fbとなる通常動作のときの、信号llc_fbとスイッチング周波数の関係も図9(A)、図9(B)と同様である。すなわち、信号llc_fbが大きいほどスイッチング周波数が低くなる。なお、LLC電流共振型のDC−DCコンバータ20では、スイッチング周波数が低いほど出力電圧/入力電圧の比率が高くなる。
また、ターンオフ信号toffは、トグルフリップフロップ57のトリガ端子Tに入力されている。トグルフリップフロップ57は、ターンオフ信号toffが入力されるたびに、出力信号および反転出力信号が交互に反転する。このトグルフリップフロップ57の出力信号および反転出力信号をアンド回路AND2,AND3の他方の入力端子に入力することで、ローサイド駆動信号looutおよびハイサイド駆動信号hioutを交互に生成するようにしている。ローサイド駆動信号looutは、ローサイド駆動回路37に送られ、ローサイド駆動回路37ではドライバにより駆動能力が高められた信号が生成され、LO端子からスイッチング素子Q2のゲート端子に供給される。ハイサイド駆動信号hioutは、ハイサイド駆動回路36に送られ、ハイサイド駆動回路36ではレベルシフタを通した後、ドライバにより駆動能力が高められた信号が生成され、HO端子からスイッチング素子Q1のゲート端子に供給される。
LLC_FB端子に接続されたコンデンサC5を充電するプルアップ抵抗R31によるプルアップ電流は、LLC_SS端子からソフトスタートコンデンサCssを充電する定電流回路51の電流よりも大きく設定してある。このため、LLC_FB端子の電圧Vllc_fbは、LLC_SS端子の電圧Vllc_ssよりも先に上昇するため、LLC電流共振型のDC−DCコンバータ20の動作開始直後はLLC_SS端子の電圧でスイッチング周波数が制御される。
LLC_SS端子の電圧は、定電流回路51によりソフトスタートコンデンサCssが定電流充電されることにより、徐々に上昇する。これにより、ローサイド駆動信号looutおよびハイサイド駆動信号hioutのオン幅が広げられ、発振周波数が最大周波数から徐々に低下するソフトスタート動作が行われる。
なお、Hレベルの信号Enb2が入力されてから、LLC_SS端子が0.4Vに達するまではスイッチング動作をしない。したがって、外部接続のソフトスタートコンデンサCssの容量を調整することにより、PFCスイッチングを検出してからDC−DCコンバータ20のスイッチング開始までの時間の調整が可能である。
過電流検出のためのLLC_CS端子は、共振コンデンサCrの電流を分流コンデンサCrdにより分流し、抵抗Rcsにて電圧Vcsに変換し、さらに抵抗R8およびコンデンサC3によるフィルタを通した信号を受けている。
LLC_CS端子は、GNDラインを基準にハイサイドがオンしている場合はプラス電圧に、ローサイドがオンしている場合はマイナス電圧に電流検出信号が変化する。制御IC30内ではマイナス電圧は扱えないので、LLC_CS端子の電圧を5Vから抵抗R33,R34による抵抗分圧で0V基準のレベルを2.5Vの基準にレベルシフトして、比較器Hi_ocp,Lo_ocpで比較するようにしている。図示の例では、比較器Hi_ocp,Lo_ocpの基準電圧に4.5Vおよび0.5Vを使用しているが、これらは、LLC_CS端子の電圧に換算すると、4Vおよび−4Vとなる。
ここで、比較器Hi_ocpが過電流に相当する電圧を検出した場合、ハイサイド駆動信号hioutがオンしている期間に、アンド回路AND5の出力をオア回路OR5,OR4を介してRSフリップフロップ56のリセット端子に供給する。RSフリップフロップ56がリセットされると、ハイサイド駆動信号hioutは、強制的にオフされる。比較器Lo_ocpが過電流に相当する電圧を検出した場合、ローサイド駆動信号looutがオンしている期間、アンド回路AND4の出力をオア回路OR5,OR4を介してRSフリップフロップ56のリセット端子に供給する。RSフリップフロップ56がリセットされると、ローサイド駆動信号looutは、強制的にオフされる。
以上の実施の形態は、電流臨界モードの力率改善回路10とLLC電流共振コンバータのDC−DCコンバータ20との組み合わせを例に説明したが、これらは単なる例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。たとえば、力率改善回路は、電流臨界モードのものに限定されるのではなく、電流連続モード、電流不連続モードなど、他の方式の力率改善回路とすることができる。また、DC−DCコンバータについても、LLC電流共振コンバータに限定されるものではなく、フライバックPWMコンバータ、疑似共振コンバータ(QR)、フォワードコンバータなどを採用することができる。
10 力率改善回路
20 DC−DCコンバータ
30 制御IC
31 起動回路
32 低電圧保護回路
33 PFC制御回路
34 PFCスイッチング検出回路
35 LLC制御回路
36 ハイサイド駆動回路
37 ローサイド駆動回路
41 リスタートタイマ
42 ZCD遅延回路
43 パルス生成回路
44 RSフリップフロップ
45 ドライバ
46 定電流回路
47 ワンショット回路
48,49 RSフリップフロップ
51 定電流回路
52,53,54 比較器
55 ワンショット回路
56 RSフリップフロップ
57 トグルフリップフロップ
58 デッドタイム信号発生器
AC 交流電源
AND1,AND2,AND3,AND4,AND5 アンド回路
Amp1,Amp2,Amp3 オペアンプ
C1,C2,C3,C4,C5,C10,C11,C12 コンデンサ
Cbulk 平滑コンデンサ
Ccomp コンデンサ
o 出力コンデンサ
Cosc タイミングコンデンサ
Cr 共振コンデンサ
Crd 分流コンデンサ
Css ソフトスタートコンデンサ
Cvcc コンデンサ
D1,D2,D3,D4,D5,D6 ダイオード
DB ダイオードブリッジ
Dp ダイオード
ErrAMP エラーアンプ
Hi_ocp 比較器
INV,INV1,INV2,INV3,INV4,INV5,INV11,INV12 インバータ
Lo_ocp 比較器
Lp インダクタ
NM1,NM2,NM3,NM4,NM11,NM12,NM13,NM14,NM15 NチャネルMOSトランジスタ
OCP_Comp 過電流検出比較器
OR1,OR2,OR3,OR4,OR5 オア回路
P1 1次巻線
P2 補助巻線
PC1 フォトカプラ
PM1,PM2,PM3,PM11,PM12,PM13,PM14,PM15 PチャネルMOSトランジスタ
PWM_Comp PWM比較器
Q,Q1,Q2 スイッチング素子
R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9,R10,R11,R12,R13,R14,R21,R22,R23,R32,R33,R34,Rcs 抵抗
R31 プルアップ抵抗
Rs 電流検出抵抗
S1,S2 2次巻線
SR1 シャントレギュレータ
T1 トランス
Tonmax 比較器
ZCD_Comp 電流ゼロ検出比較器

Claims (22)

  1. 交流電源から直流の中間電圧を生成する力率改善回路と、
    前記中間電圧から所定の値の直流電圧を生成するDC−DCコンバータと、
    前記力率改善回路および前記DC−DCコンバータの制御機能を1つのICに内蔵した制御ICと、
    を備え、前記制御ICは、
    前記交流電源を整流した脈流から電圧を調整した電流を出力して制御IC用電源のコンデンサに充電する起動回路と、
    前記コンデンサの電圧を監視し、前記コンデンサの電圧が低電圧保護解除電圧に達すると、前記力率改善回路に動作開始を指示する第1のイネーブル信号を出力する低電圧保護回路と、
    前記第1のイネーブル信号を受けて前記力率改善回路のスイッチング制御を開始する第1の制御回路と、
    前記力率改善回路のスイッチング動作を検出して前記DC−DCコンバータに動作開始を指示する第2のイネーブル信号を出力するスイッチング動作検出回路と、
    前記第2のイネーブル信号を受けて前記DC−DCコンバータのスイッチング制御を開始する第2の制御回路と、
    を有し、
    前記力率改善回路は、インダクタおよびスイッチング素子を有し、前記インダクタの電流がゼロになってから前記スイッチング素子をオンするように制御する電流臨界モードで動作の昇圧回路であり、
    前記第1の制御回路は、前記インダクタを流れる電流を監視して前記インダクタを流れる電流がゼロになったとき、前記スイッチング素子をターンオンする信号を出力する電流ゼロ検出比較器と、前記中間電圧に比例した中間電圧比例電圧と第1の基準電圧との差を増幅するエラーアンプと、該エラーアンプの出力電圧と力率改善回路用発振器の第1のタイミング用コンデンサを定電流充電することによって生成された第1のランプ電圧とを比較し、前記第1のランプ電圧が前記エラーアンプの出力電圧を上回ったとき前記スイッチング素子をターンオフする信号を出力する所定の比較器と、を有し、
    前記第1の制御回路は、さらに、前記インダクタを流れる電流を電圧に変換する電流検出抵抗と、前記電流検出抵抗によって検出された信号をレベルシフトして前記電流ゼロ検出比較器に供給する第1のレベルシフタと、前記電流ゼロ検出比較器によって検出された電流ゼロ検出信号を遅延させる遅延回路と、を有している、
    イッチング電源装置。
  2. 前記第1の制御回路は、前記エラーアンプの出力電圧が第1の閾値電圧を上回ると前記スイッチング素子のスイッチングを開始させる、請求項1記載のスイッチング電源装置。
  3. 前記DC−DCコンバータは、ハーフブリッジ回路を構成して前記中間電圧をスイッチングするハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子と、前記ハイサイドスイッチング素子または前記ローサイドスイッチング素子に並列に接続される電流共振回路と、1次巻線が前記電流共振回路の一部をなすトランスと、前記トランスの2次巻線に誘起された電圧を整流し、平滑化して所定の値の前記直流電圧を出力する出力回路とを有するLLC電流共振コンバータである、請求項1記載のスイッチング電源装置。
  4. 前記第2の制御回路は、DC−DCコンバータ用発振器の第2のタイミング用コンデンサを定電流充電することによって第2のランプ電圧を生成するランプ電圧生成回路と、前記第2のランプ電圧が所定の電圧を上回ったときに前記ハイサイドスイッチング素子または前記ローサイドスイッチング素子をターンオンする信号を出力する第1の比較器と、前記出力回路の前記直流電圧を分圧した電圧と第2の基準電圧との差に応じたフィードバック電圧を前記第2のランプ電圧と比較して前記第2のランプ電圧が前記フィードバック電圧を上回ったときにオンしている前記ハイサイドスイッチング素子または前記ローサイドスイッチング素子をターンオフする信号を出力する第2の比較器と、前記ターンオンする信号を受けてセットされ、前記ターンオフする信号を受けてリセットされるRSフリップフロップと、前記第1の比較器の出力信号を受けて前記RSフリップフロップの出力信号を前記ハイサイドスイッチング素子を駆動するハイサイド駆動用出力信号と前記ローサイドスイッチング素子を駆動するローサイド駆動用出力信号とに振り分けるトグルフリップフロップとを有している、請求項3記載のスイッチング電源装置。
  5. 前記DC−DCコンバータは、さらに、ソフトスタートコンデンサを有し、前記第2の制御回路は、さらに、前記第2のイネーブル信号を受けて前記ソフトスタートコンデンサの充電を行うための定電流回路を有し、前記ソフトスタートコンデンサの電圧が第2の閾値電圧を上回ると前記DC−DCコンバータのスイッチングを開始させる、請求項1記載のスイッチング電源装置。
  6. 前記DC−DCコンバータは、さらに、前記電流共振回路の共振電流に比例した電流を電圧に変換して出力する電流検出回路を有し、前記第2の制御回路は、さらに、前記電流検出回路によって検出された信号をレベルシフトする第2のレベルシフタと、前記第2のレベルシフタにレベルシフトされた信号をハイサイド用閾値およびローサイド閾値とそれぞれ比較する第3の比較器および第4の比較器と、前記第3の比較器または前記第4の比較器が過電流を検出したときに前記RSフリップフロップをリセットする信号を出力する過電流保護回路とを有する、請求項4記載のスイッチング電源装置。
  7. 交流電源から直流の中間電圧を生成する力率改善回路と、
    前記中間電圧から所定の値の直流電圧を生成するDC−DCコンバータと、
    前記力率改善回路および前記DC−DCコンバータの制御機能を1つのICに内蔵した制御ICと、
    を備え、前記制御ICは、
    前記交流電源を整流した脈流から電圧を調整した電流を出力して制御IC用電源のコンデンサに充電する起動回路と、
    前記コンデンサの電圧を監視し、前記コンデンサの電圧が低電圧保護解除電圧に達すると、前記力率改善回路に動作開始を指示する第1のイネーブル信号を出力する低電圧保護回路と、
    前記第1のイネーブル信号を受けて前記力率改善回路のスイッチング制御を開始する第1の制御回路と、
    前記力率改善回路のスイッチング動作を検出して前記DC−DCコンバータに動作開始を指示する第2のイネーブル信号を出力するスイッチング動作検出回路と、
    前記第2のイネーブル信号を受けて前記DC−DCコンバータのスイッチング制御を開始する第2の制御回路と、
    を有し、
    前記DC−DCコンバータは、ハーフブリッジ回路を構成して前記中間電圧をスイッチングするハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子と、前記ハイサイドスイッチング素子または前記ローサイドスイッチング素子に並列に接続される電流共振回路と、1次巻線が前記電流共振回路の一部をなすトランスと、前記トランスの2次巻線に誘起された電圧を整流し、平滑化して所定の値の前記直流電圧を出力する出力回路とを有するLLC電流共振コンバータであり、
    前記第2の制御回路は、DC−DCコンバータ用発振器の第2のタイミング用コンデンサを定電流充電することによって第2のランプ電圧を生成するランプ電圧生成回路と、前記第2のランプ電圧が所定の電圧を上回ったときに前記ハイサイドスイッチング素子または前記ローサイドスイッチング素子をターンオンする信号を出力する第1の比較器と、前記出力回路の前記直流電圧を分圧した電圧と第2の基準電圧との差に応じたフィードバック電圧を前記第2のランプ電圧と比較して前記第2のランプ電圧が前記フィードバック電圧を上回ったときにオンしている前記ハイサイドスイッチング素子または前記ローサイドスイッチング素子をターンオフする信号を出力する第2の比較器と、前記ターンオンする信号を受けてセットされ、前記ターンオフする信号を受けてリセットされるRSフリップフロップと、前記第1の比較器の出力信号を受けて前記RSフリップフロップの出力信号を前記ハイサイドスイッチング素子を駆動するハイサイド駆動用出力信号と前記ローサイドスイッチング素子を駆動するローサイド駆動用出力信号とに振り分けるトグルフリップフロップとを有している、
    スイッチング電源装置。
  8. 前記力率改善回路は、インダクタおよびスイッチング素子を有し、前記インダクタの電流がゼロになってから前記スイッチング素子をオンするように制御する電流臨界モードで動作の昇圧回路である、請求項7記載のスイッチング電源装置。
  9. 前記第1の制御回路は、前記インダクタを流れる電流を監視して前記インダクタを流れる電流がゼロになったとき、前記スイッチング素子を前記ターンオンする信号を出力する電流ゼロ検出比較器と、前記中間電圧に比例した中間電圧比例電圧と第1の基準電圧との差を増幅するエラーアンプと、該エラーアンプの出力電圧と力率改善回路用発振器の第1のタイミング用コンデンサを定電流充電することによって生成された第1のランプ電圧とを比較し、前記第1のランプ電圧が前記エラーアンプの出力電圧を上回ったとき前記スイッチング素子を前記ターンオフする信号を出力する所定の比較器と、を有する請求項8記載のスイッチング電源装置。
  10. 前記第1の制御回路は、前記エラーアンプの出力電圧が第1の閾値電圧を上回ると前記スイッチング素子のスイッチングを開始させる、請求項9記載のスイッチング電源装置。
  11. 前記DC−DCコンバータは、さらに、ソフトスタートコンデンサを有し、前記第2の制御回路は、さらに、前記第2のイネーブル信号を受けて前記ソフトスタートコンデンサの充電を行うための定電流回路を有し、前記ソフトスタートコンデンサの電圧が第2の閾値電圧を上回ると前記DC−DCコンバータのスイッチングを開始させる、請求項7記載のスイッチング電源装置。
  12. 前記DC−DCコンバータは、さらに、前記電流共振回路の共振電流に比例した電流を電圧に変換して出力する電流検出回路を有し、前記第2の制御回路は、さらに、前記電流検出回路によって検出された信号をレベルシフトするレベルシフタと、前記レベルシフタにレベルシフトされた信号をハイサイド用閾値およびローサイド閾値とそれぞれ比較する第3の比較器および第4の比較器と、前記第3の比較器または前記第4の比較器が過電流を検出したときに前記RSフリップフロップをリセットする信号を出力する過電流保護回路とを有する、請求項7記載のスイッチング電源装置。
  13. 交流電源から直流の中間電圧を生成する力率改善回路と、
    前記中間電圧から所定の値の直流電圧を生成するDC−DCコンバータと、
    前記力率改善回路および前記DC−DCコンバータの制御機能を1つのICに内蔵した制御ICと、
    を備え、前記制御ICは、
    前記交流電源を整流した脈流から電圧を調整した電流を出力して制御IC用電源のコンデンサに充電する起動回路と、
    前記コンデンサの電圧を監視し、前記コンデンサの電圧が低電圧保護解除電圧に達すると、前記力率改善回路に動作開始を指示する第1のイネーブル信号を出力する低電圧保護回路と、
    前記第1のイネーブル信号を受けて前記力率改善回路のスイッチング制御を開始する第1の制御回路と、
    前記力率改善回路のスイッチング動作を検出して前記DC−DCコンバータに動作開始を指示する第2のイネーブル信号を出力するスイッチング動作検出回路と、
    前記第2のイネーブル信号を受けて前記DC−DCコンバータのスイッチング制御を開始する第2の制御回路と、
    を有し、
    前記第2の制御回路は、前記第2のイネーブル信号を受信してから、前記中間電圧がスイッチング素子の駆動に要する電圧値に達するまでの遅延時間の経過後となる所定時間に前記DC−DCコンバータのスイッチング制御を開始し、
    前記DC−DCコンバータは、さらに、ソフトスタートコンデンサを有し、前記第2の制御回路は、さらに、前記第2のイネーブル信号を受けて前記ソフトスタートコンデンサの充電を行うための定電流回路を有し、前記ソフトスタートコンデンサの電圧が第2の閾値電圧を上回ると前記DC−DCコンバータのスイッチングを開始させる、
    スイッチング電源装置。
  14. 前記DC−DCコンバータは、ハーフブリッジ回路を構成して前記中間電圧をスイッチングするハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子を含み、
    前記第1の制御回路は、前記第1のイネーブル信号を受けて前記力率改善回路のスイッチング制御を開始して、前記力率改善回路で生成される前記中間電圧を昇圧させる、請求項13記載のスイッチング電源装置。
  15. DC−DCコンバータ用発振器のタイミング用コンデンサを定電流充電することによって第2のランプ電圧を生成するランプ電圧生成回路と、
    前記直流電圧を分圧した電圧と第2の基準電圧との差に応じたフィードバック電圧と、前記第2のランプ電圧と前記ソフトスタートコンデンサの充電電圧とのうちの低い方と比較してオンしている前記ハイサイドスイッチング素子または前記ローサイドスイッチング素子をターンオフする信号を出力する第2の比較器と、をさらに有する請求項14に記載のスイッチング電源装置。
  16. 前記力率改善回路は、インダクタおよび前記スイッチング素子を有し、前記インダクタの電流がゼロになってから前記スイッチング素子をオンするように制御する電流臨界モードで動作の昇圧回路である、請求項13記載のスイッチング電源装置。
  17. 前記第1の制御回路は、前記インダクタを流れる電流を監視して前記インダクタを流れる電流がゼロになったとき、前記スイッチング素子をターンオンする信号を出力する電流ゼロ検出比較器と、前記中間電圧に比例した中間電圧比例電圧と第1の基準電圧との差を増幅するエラーアンプと、該エラーアンプの出力電圧と力率改善回路用発振器のタイミング用コンデンサを定電流充電することによって生成された第1のランプ電圧とを比較し、前記第1のランプ電圧が前記エラーアンプの出力電圧を上回ったとき前記スイッチング素子をターンオフする信号を出力する所定の比較器と、を有している、請求項16記載のスイッチング電源装置。
  18. 前記第1の制御回路は、さらに、前記インダクタを流れる電流を電圧に変換する電流検出抵抗と、前記電流検出抵抗によって検出された信号をレベルシフトして前記電流ゼロ検出比較器に供給する第1のレベルシフタと、前記電流ゼロ検出比較器によって検出された電流ゼロ検出信号を遅延させる遅延回路とを有している、請求項17記載のスイッチング電源装置。
  19. 前記第1の制御回路は、前記エラーアンプの出力電圧が第1の閾値電圧を上回ると前記スイッチング素子のスイッチングを開始させる、請求項17記載のスイッチング電源装置。
  20. 前記DC−DCコンバータは、ハーフブリッジ回路を構成して前記中間電圧をスイッチングするハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子と、前記ハイサイドスイッチング素子または前記ローサイドスイッチング素子に並列に接続される電流共振回路と、1次巻線が前記電流共振回路の一部をなすトランスと、前記トランスの2次巻線に誘起された電圧を整流し、平滑化して所定の値の前記直流電圧を出力する出力回路とを有するLLC電流共振コンバータである、請求項13記載のスイッチング電源装置。
  21. 前記第2の制御回路は、DC−DCコンバータ用発振器のタイミング用コンデンサを定電流充電することによってランプ電圧を生成するランプ電圧生成回路と、前記ランプ電圧が所定の電圧を上回ったときに前記ハイサイドスイッチング素子または前記ローサイドスイッチング素子をターンオンする信号を出力する第1の比較器と、前記出力回路の前記直流電圧を分圧した電圧と第2の基準電圧との差に応じたフィードバック電圧を前記ランプ電圧と比較して前記ランプ電圧が前記フィードバック電圧を上回ったときにオンしている前記ハイサイドスイッチング素子または前記ローサイドスイッチング素子をターンオフする信号を出力する第2の比較器と、前記ターンオンする信号を受けてセットされ、前記ターンオフする信号を受けてリセットされるRSフリップフロップと、前記第1の比較器の出力信号を受けて前記RSフリップフロップの出力信号を前記ハイサイドスイッチング素子を駆動するハイサイド駆動用出力信号と前記ローサイドスイッチング素子を駆動するローサイド駆動用出力信号とに振り分けるトグルフリップフロップとを有している、請求項20記載のスイッチング電源装置。
  22. 前記DC−DCコンバータは、さらに、前記電流共振回路の共振電流に比例した電流を電圧に変換して出力する電流検出回路を有し、前記第2の制御回路は、さらに、前記電流検出回路によって検出された信号をレベルシフトする第2のレベルシフタと、前記第2のレベルシフタにレベルシフトされた信号をハイサイド用閾値およびローサイド閾値とそれぞれ比較する第3の比較器および第4の比較器と、前記第3の比較器または前記第4の比較器が過電流を検出したときに前記RSフリップフロップをリセットする信号を出力する過電流保護回路とを有する、請求項21記載のスイッチング電源装置。
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