JP6882591B2 - Ａｍｏｌｅｄピクセル駆動回路及びピクセル駆動方法 - Google Patents

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Description

本発明はディスプレイ技術の分野に関するものであり、特にＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路及びピクセル駆動方法に関するものである。
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）表示装置は、自発光、低駆動電圧、高発光効率、短応答時間、高解像度、高コントラスト、１８０°に近い視野角、広動作温度範囲、フレキシブル表示の実現可能性、及び大面積フルカラー表示の実現可能性等の様々な優れた点を有しており、開発ポテンシャルが最も高いディスプレイ装置といえる。
従来のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路は通常、２Ｔ１Ｃの構造を有し、即ち、２つの薄膜トランジスタに１つのキャパシタを加えた構造であり、電圧を電流に変換するものである。
図１に示すように、現存の２Ｔ１Ｃの構造を有するＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路は、第１薄膜トランジスタＴ１０と、第２薄膜トランジスタＴ２０と、キャパシタＣ１０と、有機発光ダイオードＤ１０とを含む。ここで、前記第１薄膜トランジスタＴ１０は駆動薄膜トランジスタであり、前記第２薄膜トランジスタＴ２０はスイッチング薄膜トランジスタであり、前記キャパシタＣ１０はストレージキャパシタである。具体的には、前記第２薄膜トランジスタＴ２０のゲート電極は走査信号Ｇａｔｅを受信し、ソース電極はデータ信号Ｄａｔａを受信し、ドレイン電極は第１薄膜トランジスタＴ１０のゲート電極に電気的に接続されている。前記第１薄膜トランジスタＴ１０のソース電極は電源の正電圧ＯＶＤＤを受け取り、ドレイン電極は有機発光ダイオードＤ１０のアノードに電気的に接続されている。有機発光ダイオードＤ１０のカソードは電源の負電圧ＯＶＳＳを受け取る。キャパシタＣ１０の一端は第１薄膜トランジスタＴ１０のゲート電極に電気的に接続されており、他端は第１薄膜トランジスタＴ１０のソース電極に電気的に接続されている。当該２Ｔ１Ｃのピクセル駆動回路でＡＭＯＬＥＤを駆動させているとき、有機発光ダイオードＤ１０を流れる電流は以下の式を満たす。
Figure 0006882591
ここで、Ｉは有機発光ダイオードＤ１０を流れる電流を表し、kは駆動薄膜トランジスタの真性導電率を表し、Ｖｇｓは第１薄膜トランジスタＴ１０のゲート電極とソース電極との間の電圧差を表し、Ｖｔｈは第１薄膜トランジスタＴ１０の閾値電圧を表す。従って、有機発光ダイオードＤ１０を流れる電流は、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧に関係していることが分かる。
パネルの製造工程における不安定性等の要因により、パネル内の各ピクセル駆動回路における駆動薄膜トランジスタの閾値電圧が変動する。等しいデータ電圧を各ピクセル駆動回路内の駆動薄膜トランジスタに印加した場合でも、有機発光ダイオードを流れる電流は一致せず、表示画像の品質の均一性に影響を与えることとなる。また、駆動薄膜トランジスタの駆動時間が長くなるにつれて、薄膜トランジスタの材料が劣化して変質し、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧にドリフトが生じるようになる。さらに、薄膜トランジスタの材料により劣化の程度が異なるため、各駆動薄膜トランジスタの閾値電圧のドリフト量も異なる。このため、パネル表示が不均一になる現象が現れると共に、駆動薄膜トランジスタの起動電圧が上昇し、有機発光ダイオードを流れる電流が低下することで、パネル輝度の低下、発光効率の低下等の問題が発生していた。
従って、従来技術で生じていた問題を解決することのできる、ＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路及びピクセル駆動方法を提供する必要がある。
本発明の目的は、パネル表示の均一性、輝度及び発光効率を向上させることのできる、ＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路及びピクセル駆動方法を提供することである。
上記の技術課題を解決するために、本発明はＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路を提供し、当該ＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路は、
第１薄膜トランジスタと、第２薄膜トランジスタと、第３薄膜トランジスタと、第４薄膜トランジスタと、第５薄膜トランジスタと、第６薄膜トランジスタと、第１キャパシタと、第２キャパシタと、有機発光ダイオードとを含み、
前記有機発光ダイオードのアノードは電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの一端は前記電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの他端は前記第１キャパシタの一端に電気的に接続されており、
前記第５薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第５薄膜トランジスタのソース電極は前記電源の正電圧を受け取り、前記第５薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記有機発光ダイオードのカソード及び前記第３薄膜トランジスタのソース電極にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第３薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第３薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第２薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ接続されており、
前記第２薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第２薄膜トランジスタのソース電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、
前記第１薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、前記第１薄膜トランジスタのソース電極は、前記第１キャパシタの他端、前記第４薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第６薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第６薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第６薄膜トランジスタのソース電極は電源の負電圧を受け取り、
前記第４薄膜トランジスタのゲート電極は第３走査信号を受信し、前記第４薄膜トランジスタのソース電極はデータ電圧を受け取り、
前記第１走査信号、前記第２走査信号及び前記第３走査信号はいずれも、外部のタイミングコントローラによって生成され、前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、Ｎ型薄膜トランジスタである。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路において、前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ及びアモルファスシリコン薄膜トランジスタの内のいずれかである。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路において、前記第１走査信号、前記第２走査信号及び前記第３走査信号は組み合わさり、順に初期化段階、閾値電圧記憶段階、及び発光表示段階に対応しており、
前記初期化段階において、前記第１走査信号及び前記第２走査信号はいずれも高電位にあり、前記第３走査信号は低電位にあり、
前記閾値電圧記憶段階において、前記第１走査信号及び前記第３走査信号はいずれも高電位にあり、前記第２走査信号は低電位にあり、
前記発光表示段階において、前記第１走査信号及び前記第３走査信号はいずれも低電位にあり、前記第２走査信号は高電位にある。
上述の技術課題を解決するために、本発明はＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路を提供し、当該ＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路は、
第１薄膜トランジスタと、第２薄膜トランジスタと、第３薄膜トランジスタと、第４薄膜トランジスタと、第５薄膜トランジスタと、第６薄膜トランジスタと、第１キャパシタと、第２キャパシタと、有機発光ダイオードとを含み、
前記有機発光ダイオードのアノードは電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの一端は前記電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの他端は前記第１キャパシタの一端に電気的に接続されており、
前記第５薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第５薄膜トランジスタのソース電極は前記電源の正電圧を受け取り、前記第５薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記有機発光ダイオードのカソード及び前記第３薄膜トランジスタのソース電極にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第３薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第３薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第２薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ接続されており、
前記第２薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第２薄膜トランジスタのソース電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、
前記第１薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、前記第１薄膜トランジスタのソース電極は、前記第１キャパシタの他端、前記第４薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第６薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第６薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第６薄膜トランジスタのソース電極は電源の負電圧を受け取り、
前記第４薄膜トランジスタのゲート電極は第３走査信号を受信し、前記第４薄膜トランジスタのソース電極はデータ電圧を受け取る。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路において、前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ及びアモルファスシリコン薄膜トランジスタの内のいずれかである。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路において、前記第１走査信号、前記第２走査信号及び前記第３走査信号はいずれも、外部のタイミングコントローラによって生成される。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路において、前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、Ｎ型薄膜トランジスタである。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路において、前記第１走査信号、前記第２走査信号及び前記第３走査信号は組み合わさり、順に初期化段階、閾値電圧記憶段階、及び発光表示段階に対応しており、
前記初期化段階において、前記第１走査信号及び前記第２走査信号はいずれも高電位にあり、前記第３走査信号は低電位にあり、
前記閾値電圧記憶段階において、前記第１走査信号及び前記第３走査信号はいずれも高電位にあり、前記第２走査信号は低電位にあり、
前記発光表示段階において、前記第１走査信号及び前記第３走査信号はいずれも低電位にあり、前記第２走査信号は高電位にある。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路において、前記第１薄膜トランジスタは駆動薄膜トランジスタであり、前記第５薄膜トランジスタはスイッチング薄膜トランジスタである。
本発明はＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法をさらに提供し、当該ＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法は、
ＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路を提供するステップと、
初期化段階に入るステップと
閾値電圧記憶段階に入るステップと
発光表示段階に入るステップと、を含み、
前記ＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路は、
第１薄膜トランジスタと、第２薄膜トランジスタと、第３薄膜トランジスタと、第４薄膜トランジスタと、第５薄膜トランジスタと、第６薄膜トランジスタと、第１キャパシタと、第２キャパシタと、有機発光ダイオードとを含み、
前記有機発光ダイオードのアノードは電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの一端は前記電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの他端は前記第１キャパシタの一端に電気的に接続されており、
前記第５薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第５薄膜トランジスタのソース電極は前記電源の正電圧を受け取り、前記第５薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記有機発光ダイオードのカソード及び前記第３薄膜トランジスタのソース電極にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第３薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第３薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第２薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ接続されており、
前記第２薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第２薄膜トランジスタのソース電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、
前記第１薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、前記第１薄膜トランジスタのソース電極は、前記第１キャパシタの他端、前記第４薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第６薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第６薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第６薄膜トランジスタのソース電極は電源の負電圧を受け取り、
前記第４薄膜トランジスタのゲート電極は第３走査信号を受信し、前記第４薄膜トランジスタのソース電極はデータ電圧を受け取り、
前記初期化段階において、前記第１走査信号が高電位を提供することで、前記第２薄膜トランジスタ及び前記第５薄膜トランジスタはオンとなり、前記第２走査信号が高電位を提供することで、前記第３薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはオンとなり、前記第３走査信号が低電位を提供することで、前記第４薄膜トランジスタはオフとなり、前記第１薄膜トランジスタのゲート電極の電圧と前記電源の正電圧が等しくなり、前記第１薄膜トランジスタのソース電極の電圧と前記電源の負電圧が等しくなり、
前記閾値電圧記憶段階において、前記第１走査信号が高電位を提供することで、前記第２薄膜トランジスタ及び前記第５薄膜トランジスタはオンとなり、前記第２走査信号が低電位を提供することで、前記第３薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはオフとなり、前記第３走査信号が高電位を提供することで、前記第４薄膜トランジスタはオンとなり、前記第１薄膜トランジスタのソース電極の電圧と前記データ電圧が等しくなり、前記第１薄膜トランジスタのゲート電極の電圧はＶｄ＋Ｖｔｈに変化し、Ｖｄはデータ電圧を表し、Ｖｔｈは前記第１薄膜トランジスタの閾値電圧を表し、
前記発光表示段階において、前記第１走査信号が低電位を提供することで、前記第２薄膜トランジスタ及び前記第５薄膜トランジスタはオフとなり、前記第２走査信号が高電位を提供することで、前記第３薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはオンとなり、前記第３走査信号が低電位を提供することで、前記第４薄膜トランジスタはオフとなり、前記有機発光ダイオードが発光し、且つ前記有機発光ダイオードを流れる電流と、前記第１薄膜トランジスタの閾値電圧が無関係になる。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法では、前記発光表示段階において、前記第１薄膜トランジスタのソース電極の電圧が前記電源の負電圧に変化し、前記第１薄膜トランジスタのゲート電極の電圧がＶｄ＋Ｖｔｈ＋δＶに変化することで、前記有機発光ダイオードを流れる電流と、前記第１薄膜トランジスタの閾値電圧とを無関係なものとし、δＶは、前記第１薄膜トランジスタのソース電極の電圧が前記データ電圧から前記電源の負電圧に変化した後に、前記第１薄膜トランジスタのゲート電極の電圧にもたらされる影響を表す。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法において、前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ及びアモルファスシリコン薄膜トランジスタの内のいずれかである。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法において、前記第１走査信号、前記第２走査信号及び前記第３走査信号はいずれも、外部のタイミングコントローラによって生成される。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法において、前記第１薄膜トランジスタは駆動薄膜トランジスタであり、前記第５薄膜トランジスタはスイッチング薄膜トランジスタである。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法において、前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、Ｎ型薄膜トランジスタである。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路及びピクセル駆動方法において、現存するピクセル駆動回路を改善することにより、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧による有機発光ダイオードへの影響を取り除くことができ、パネル表示の均一性を向上させ、加えて、ＯＬＥＤ部品の劣化に伴うパネルにおける輝度の低下や、発光効率の低下等の問題を回避することができる。
従来における、ＡＭＯＬＥＤに用いられる２Ｔ１Ｃ型ピクセル駆動回路の回路図である。 従来における、ＡＭＯＬＥＤに用いられる５Ｔ２Ｃ型ピクセル駆動回路の回路図である。 従来における、ＡＭＯＬＥＤに用いられる８Ｔ１Ｃ型ピクセル駆動回路の回路図である。 本発明におけるＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路の回路図である。 本発明におけるＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路のタイムシーケンス図である。 本発明におけるＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法のステップ２を示す図である。 本発明におけるＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法のステップ３を示す図である。 本発明におけるＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法のステップ４を示す図である。
以下における各実施形態の説明は添付の図式を参照してなされており、本発明で実施可能な特定の実施形態が例示されている。本発明で用いられている方向を示す用語として、例えば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、「側面」等は、添付の図式における方向を参照するためのものにすぎない。従って、用いられている方向を示す用語は、本発明の説明及び理解に供されるものであり、本発明を限定するものではない。図中、同様の構造を有するユニットには同一の符号が付されている。
駆動薄膜トランジスタの閾値電圧のドリフトという課題に対して、従来技術では通常、ＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路を改善し、薄膜トランジスタの数及び対応する制御信号の数を増やすことで、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧に対して補償を行ない、有機発光ダイオードの発光時において、有機発光ダイオードを流れる電流と駆動薄膜トランジスタの閾値電圧とを無関係なものとしていた。図２を参照されたい。現存するＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路は、５Ｔ２Ｃの構造を採用しており、即ち、５つの薄膜トランジスタに２つのキャパシタを加えた構造である。当該回路は、第１薄膜トランジスタＴ２１と、第２薄膜トランジスタＴ２２と、第３薄膜トランジスタＴ２３と、第４薄膜トランジスタＴ２４と、第５薄膜トランジスタＴ２５と、第１キャパシタＣ２０と、第２キャパシタＣ２１と、有機発光ダイオードＤ２０とを含む。各部品の具体的な接続態様として、第１薄膜トランジスタＴ２１のゲート電極は走査信号Ｓ１１を受信し、ソース電極はデータ信号を受信し、ドレイン電極は第１ノードＱに電気的に接続されている。第２薄膜トランジスタＴ２２のゲート電極は走査信号Ｓ１２を受信し、ソース電極は第１ノードＱに電気的に接続されており、ドレイン電極は有機発光ダイオードＤ２０のアノードに電気的に接続されている。
第１キャパシタＣ２０の一端は第１ノードＱに接続されており、他端は電源の正電圧ＯＶＤＤを受け取る。第２キャパシタＣ２１の一端は第１ノードＱに接続されており、他端は第５薄膜トランジスタＴ２５のゲート電極及び第４薄膜トランジスタＴ２４のソース電極に電気的に接続されている。第４薄膜トランジスタＴ２４のドレイン電極は第２ノードＰに電気的に接続されており、第４薄膜トランジスタＴ２４のゲート電極は第２走査信号Ｓ１２を受信する。第５薄膜トランジスタＴ２５のソース電極は電源の正電圧ＯＶＤＤを受け取り、第５薄膜トランジスタＴ２５のドレイン電極は第２ノードＰに電気的に接続されている。第３薄膜トランジスタＴ２３のゲート電極は発光信号ＥＭを受信し、ソース電極は第２ノードＰに電気的に接続されており、ドレイン電極は有機発光ダイオードＤ２０のアノードに電気的に接続されている。有機発光ダイオードＤ２０のカソードは、電源の負電圧ＯＶＳＳに接続されている。
上記５Ｔ２Ｃの構造は駆動ＴＦＴのＶｔｈを取り除くことができるが、Ｄａｔａ Ｗｒｉｔｉｎｇ書き込み段階及びＥｍｉｓｓｉｏｎ段階において、ノードＡの電位はＶｄａｔａ＋ＯＶＤＤ−Ｖｔｈ−Ｖｒｅｆを維持する。Ｖｒｅｆは基準電圧であり、パネル内のＯＬＥＤの不均一性により、各ピクセルの有機発光ダイオードの輝度は一致せず、Ｖｒｅｆが高くなりすぎると、ＯＬＥＤはｒｅｓｅｔ段階で発光する。Ｖｒｅｆが低くなりすぎると、上記Ｄａｔａ Ｗｒｉｔｉｎｇ段階及びＥｍｉｓｓｉｏｎ段階におけるノードＡの電位が高くなりすぎてしまい、駆動ＴＦＴがオフの状態になるため、Ｖｒｅｆの値が不安定なものとなる。
図３に示すように、現存する他のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路は８Ｔ１Ｃの構造を採用しており、即ち、８つの薄膜トランジスタに１つのキャパシタを加えた構造である。当該回路は、第１薄膜トランジスタＴ３１と、第２薄膜トランジスタＴ３２と、第３薄膜トランジスタＴ３３と、第４薄膜トランジスタＴ３４と、第５薄膜トランジスタＴ３５と、第６薄膜トランジスタＴ３６と、第７薄膜トランジスタＴ３７と、第８薄膜トランジスタＴ３８と、キャパシタＣ３０と、有機発光ダイオードＤ３０とを含む。各部品の具体的な接続態様として、第１薄膜トランジスタＴ３１のゲート電極は走査信号Ｓ２を受信し、ソース電極は基準電圧Ｖｒｅｆを受け取り、ドレイン電極はキャパシタＣ３０の一端及び第７薄膜トランジスタＴ３７のソース電極に電気的に接続されている。キャパシタＣ３０の他端は第３薄膜トランジスタＴ３３のソース電極及び第５薄膜トランジスタＴ３５のゲート電極に接続されており、第３薄膜トランジスタのＴ３３のドレイン電極は第４薄膜トランジスタＴ３４のソース電極及び第２薄膜トランジスタＴ３２のドレイン電極に接続されている。第２薄膜トランジスタＴ３２のゲート電極は走査信号Ｓ１を受信し、第２薄膜トランジスタＴ３２のソース電極は電圧Ｖｉｎｉを受け取る。第３薄膜トランジスタＴ３３のゲート電極及び第４薄膜トランジスタＴ３４のゲート電極は走査信号Ｓ２を受信する。
第４薄膜トランジスタＴ３４のドレイン電極は第５薄膜トランジスタＴ３５のドレイン電極及び有機発光ダイオードＤ３０のアノードに接続されており、有機発光ダイオードＤ３０のカソードは電源の負電圧ＶＳＳを受け取り、第５薄膜トランジスタＴ３５のソース電極は第８薄膜トランジスタＴ３８のドレイン電極及び第７薄膜トランジスタＴ３７のドレイン電極に接続されており、第７薄膜トランジスタＴ３７のソース電極は第６薄膜トランジスタＴ３６のドレイン電極に接続されており、第６薄膜トランジスタＴ３６のソース電極は電源の正電圧ＶＤＤを受け取り、第６薄膜トランジスタＴ３６のゲート電極及び第７薄膜トランジスタＴ３７のゲート電極はいずれも走査信号Ｓ３を受信し、第８薄膜トランジスタＴ３８のゲート電極は走査信号Ｓ２を受信し、第８薄膜トランジスタＴ３８のソース電極はデータ電圧Ｖｄａｔａを受信する。
上記８Ｔ１Ｃの構造は駆動ＴＦＴのＶｔｈを取り除くことができるが、使用されているＴＦＴの数が比較的多いため、パネルの開口率が低下し、表示輝度が低下することとなり、且つ、比較的多いＴＦＴは寄生容量等の問題を引き起こす場合もある。一方、この構造は２つの外部電源ＶｒｅｆとＶｉｎｉが必要となるため、入力信号源の数が比較的多くなる。
図４を参照されたい。図４は、本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路を示す回路図である。
図４に示すように、本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路は、第１薄膜トランジスタＴ１と、第２薄膜トランジスタＴ２と、第３薄膜トランジスタＴ３と、第４薄膜トランジスタＴ４と、第５薄膜トランジスタＴ５と、第６薄膜トランジスタＴ６と、第１キャパシタＣ１と、第２キャパシタＣ２と、有機発光ダイオードＤ１とを含む。ここで、第１薄膜トランジスタＴ１は駆動薄膜トランジスタであり、前記第５薄膜トランジスタＴ５はスイッチング薄膜トランジスタである。
各部品の具体的な接続態様は以下の通りである。前記有機発光ダイオードＤ１のアノードは電源の正電圧ＯＶＤＤを受け取り、前記第２キャパシタＣ２の一端は電源の正電圧ＯＶＤＤを受け取り、前記第２キャパシタＣ２の他端は前記第１キャパシタＣ１の一端に電気的に接続されている。
前記第５薄膜トランジスタＴ５のゲート電極は第１走査信号Ｓｃａｎ１を受信し、前記第５薄膜トランジスタＴ５のソース電極は電源の正電圧ＯＶＤＤを受け取り、前記第５薄膜トランジスタＴ５のドレイン電極は、前記有機発光ダイオードＤ１のカソードに電気的に接続されている。
前記第３薄膜トランジスタＴ３のゲート電極は第２走査信号Ｓｃａｎ２を受信し、前記第３薄膜トランジスタＴ３のソース電極は前記有機発光ダイオードのカソードに電気的に接続されており、即ち、前記第３薄膜トランジスタＴ３のソース電極は、前記有機発光ダイオードＤ１のカソード及び第５薄膜トランジスタＴ５のドレイン電極にそれぞれ電気的に接続されている。前記第３薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極は、前記第１薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極及び前記第２薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極にそれぞれ接続されている。
前記第２薄膜トランジスタＴ２のゲート電極は第１走査信号Ｓｃａｎ１を受信し、前記第２薄膜トランジスタＴ２のソース電極は、前記第２キャパシタＣ２と前記第１キャパシタＣ１との間にあるノードに電気的に接続されている。
前記第１薄膜トランジスタＴ１のゲート電極は、前記第２キャパシタＣ２と前記第１キャパシタＣ１との間にあるノードに電気的に接続されており、前記第１薄膜トランジスタＴ１のソース電極は、前記第１キャパシタＣ１の他端に電気的に接続されている。
前記第６薄膜トランジスタＴ６のゲート電極は第２走査信号Ｓｃａｎ２を受信し、前記第６薄膜トランジスタＴ６のソース電極は電源の負電圧ＯＶＳＳを受け取り、前記第６薄膜トランジスタＴ６のドレイン電極は前記第１薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極に電気的に接続されている。即ち、第６薄膜トランジスタＴ６のドレイン電極は、前記第１薄膜トランジスタＴ１のソース電極、第１キャパシタＣ１の他端、及び第４薄膜トランジスタＴ４のドレイン電極にそれぞれ電気的に接続されている。
前記第４薄膜トランジスタＴ４のゲート電極は第３走査信号Ｓｃａｎ３を受信し、前記第４薄膜トランジスタＴ４のソース電極はデータ電圧Ｖｄを受け取り、前記第４薄膜トランジスタＴ４のドレイン電極は前記第１薄膜トランジスタＴ１のソース電極に電気的に接続されている。 即ち、前記第４薄膜トランジスタＴ４のドレイン電極は、前記第１薄膜トランジスタＴ１のソース電極、第６薄膜トランジスタＴ６のドレイン電極、及び第１キャパシタＣ１の他端に電気的に接続されている。
前記第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５及び第６薄膜トランジスタＴ６はいずれも、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ及びアモルファスシリコン薄膜トランジスタの内のいずれかである。
前記第１走査信号Ｓｃａｎ１、第２走査信号Ｓｃａｎ２及び第３走査信号Ｓｃａｎ３はいずれも、外部のタイミングコントローラによって生成される。
前記第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５及び第６薄膜トランジスタＴ６はいずれも、Ｎ型薄膜トランジスタである。
前記第１走査信号Ｓｃａｎ１、第２走査信号Ｓｃａｎ２及び第３走査信号Ｓｃａｎ３は組み合わさり、順に初期化段階、閾値電圧記憶段階、及び発光表示段階に対応する。
上述のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路に基づいて、本発明はＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法をさらに提供し、当該方法は以下のようなステップを含む。
Ｓ１０１、ＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路を提供する。
具体的には、図４及び上述の記載内容を参照されたい。
Ｓ１０２、初期化段階に入る。
図５及び図６に示すように、前記初期化段階、即ち期間ｔ０−ｔ１では、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１及び前記第２走査信号Ｓｃａｎ２はいずれも高電位にあり、前記第３走査信号Ｓｃａｎ３は低電位にある。
前記第１走査信号Ｓｃａｎ１が高電位を提供することで、前記第２薄膜トランジスタＴ２及び第５薄膜トランジスタＴ５はオンとなる。前記第２走査信号Ｓｃａｎ２が高電位を提供することで、前記第３薄膜トランジスタＴ３及び第６薄膜トランジスタＴ６はオンとなる。前記第３走査信号Ｓｃａｎ３が低電位を提供するため、前記第４薄膜トランジスタＴ４はオフとなり、ＯＶＤＤは第１薄膜トランジスタＴ１のゲート電極（ノードｇと略称する）に対して充電を行ない、前記第１薄膜トランジスタのゲート電極Ｖｇの電圧と電源の正電圧ＯＶＤＤが等しくなるようにする。第６薄膜トランジスタＴ６がオンとなることで、ＯＶＳＳは第１薄膜トランジスタＴ１のソース電極（ノードｓと略称する）に対して充電を行ない、前記第１薄膜トランジスタＴ１のソース電極Ｖｓの電圧と電源の負電圧ＯＶＳＳが等しくなるようにする。第５薄膜トランジスタＴ５が起動することで、有機発光ダイオードＤ１は発光せず、本段階はノードｇとノードｓの電位の初期化を完了させる。
Ｓ１０３、閾値電圧記憶段階に入る。
図５及び図７に示すように、当該閾値電圧記憶段階、即ち期間ｔ１−ｔ２では、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１及び前記第３走査信号Ｓｃａｎ３はいずれも高電位にあり、前記第２走査信号Ｓｃａｎ２は低電位にある。
前記第１走査信号Ｓｃａｎ１が高電位を提供することで、前記第２薄膜トランジスタＴ２及び第５薄膜トランジスタＴ５はオンとなる。前記第２走査信号Ｓｃａｎ２が低電位を提供することで、前記第３薄膜トランジスタＴ３及び第６薄膜トランジスタＴ６はオフとなる。前記第３走査信号Ｓｃａｎ３が高電位を提供することで、前記第４薄膜トランジスタＴ４はオンとなり、データ電圧Ｖｄはノードｓに対して充電を行なうようになり、前記第１薄膜トランジスタＴ１のソース電極Ｖｓの電圧とデータ電圧Ｖｄが等しくなる。第２薄膜トランジスタＴ２が起動し、第３薄膜トランジスタＴ３がオフとなることで、ノードｇとノードｓとの間の差電圧が駆動薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに達するまで、ノードｇの電位が第１薄膜トランジスタＴ１及び第２薄膜トランジスタＴ２を介して放電されることとなる。
ＶｇとＶｓは下記の式を満たし、
Figure 0006882591
ここで、Ｖｓ＝Ｖｄであるため、
Ｖｇは、
Figure 0006882591
となる。即ち、前記第１薄膜トランジスタＴ１のゲート電極の電圧はＶｄ＋Ｖｔｈに変化する。ここで、Ｖｇはノードｇの電圧を表し、Ｖｓはノードｓの電圧を表し、Ｖｄはデータ電圧を表し、Ｖｔｈは前記第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧を表す。
第５薄膜トランジスタＴ５が起動することで、有機発光ダイオードＤ１は発光せず、本段階は閾値電圧Ｖｔｈの電位の記憶を完了させる。
Ｓ１０４、発光表示段階に入る。
図５及び図８に示すように、発光表示段階、即ち期間ｔ２−ｔ３では、前記第１走査信号Ｓｃａｎ１及び前記第３走査信号Ｓｃａｎ３はいずれも低電位にあり、前記第２走査信号Ｓｃａｎ２は高電位にある。
前記第１走査信号Ｓｃａｎ１が低電位を提供することで、前記第２薄膜トランジスタＴ２及び第５薄膜トランジスタＴ５はオフとなる。前記第２走査信号Ｓｃａｎ２が高電位を提供することで、前記第３薄膜トランジスタＴ３及び第６薄膜トランジスタＴ６はオンとなる。前記第３走査信号Ｓｃａｎ３が低電位を提供することで、前記第４薄膜トランジスタＴ４はオフとなる。第５薄膜トランジスタＴ５がオフとなるため、有機発光ダイオードＤ１は発光し、且つ前記有機発光ダイオードを流れる電流と、前記第１薄膜トランジスタＴ１の閾値電圧が無関係になる。
具体的には、第４薄膜トランジスタＴ４がオフとなり、第６薄膜トランジスタＴ６がオンとなるため、ノードｓの電位はＶｓ＝ＯＶＳＳに変化し、Ｔ２はオフとなる。
容量結合の法則から、ノードｇの電位Ｖｇは以下のように求められる。
Figure 0006882591
ここでδＶは、以下の通りである。
Figure 0006882591
ここでδＶは、前記第１薄膜トランジスタＴ１のソース電極の電圧がデータ電圧から電源の負電圧に変化した後に、前記第１薄膜トランジスタＴ１のゲート電極の電圧にもたらされる影響を表す。Ｃ１は第１キャパシタの容量値を表し、Ｃ２は第２キャパシタの容量値を表す。
ノードｇとノードｓとの間の差電圧Ｖｇｓはこの際、以下のように変化する。
Figure 0006882591
有機発光ダイオードＤ１を流れる電流は、下記の式を満たす。
Figure 0006882591
上記の式を組み合わせて、最終的に求められる有機発光ダイオードＤ１を流れる電流は、以下の通りである。
Figure 0006882591
これから分かるように、有機発光ダイオードの電流は駆動薄膜トランジスタ（Ｔ１）の閾値電圧Ｖｔｈと無関係であり、閾値電圧Ｖｔｈの有機発光ダイオードに対する影響が取り除かれるため、パネル表示の均一性及び発光効率を向上させることができる。
本発明のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路及びピクセル駆動方法において、現存するピクセル駆動回路を改善することにより、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧による有機発光ダイオードへの影響を取り除くことができ、パネル表示の均一性を向上させ、加えて、ＯＬＥＤ部品の劣化に伴うパネルにおける輝度の低下や、発光効率の低下等の問題を回避することができる。
以上のように、本発明はその好ましい実施形態を通じて上記において開示されたが、上述の好ましい実施形態は本発明を限定するためのものではない。本分野の通常の技術者は、本発明の趣旨及び範囲から逸脱しない限りにおいて、様々な変更及び修整を施すことができる。従って、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で定められた範囲を基準とする。

Claims (12)

  1. 第１薄膜トランジスタと、第２薄膜トランジスタと、第３薄膜トランジスタと、第４薄膜トランジスタと、第５薄膜トランジスタと、第６薄膜トランジスタと、第１キャパシタと、第２キャパシタと、有機発光ダイオードとを含むＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路であって、
    前記有機発光ダイオードのアノードは電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの一端は前記電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの他端は前記第１キャパシタの一端に電気的に接続されており、
    前記第５薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第５薄膜トランジスタのソース電極は前記電源の正電圧を受け取り、前記第５薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記有機発光ダイオードのカソード及び前記第３薄膜トランジスタのソース電極にそれぞれ電気的に接続されており、
    前記第３薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第３薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第２薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ接続されており、
    前記第２薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第２薄膜トランジスタのソース電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、
    前記第１薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、前記第１薄膜トランジスタのソース電極は、前記第１キャパシタの他端、前記第４薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第６薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ電気的に接続されており、
    前記第６薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第６薄膜トランジスタのソース電極は電源の負電圧を受け取り、
    前記第４薄膜トランジスタのゲート電極は第３走査信号を受信し、前記第４薄膜トランジスタのソース電極はデータ電圧を受け取り、
    前記第１走査信号、前記第２走査信号及び前記第３走査信号はいずれも、外部のタイミングコントローラによって生成され、
    前記第１走査信号、前記第２走査信号及び前記第３走査信号は組み合わさり、順に初期化段階、閾値電圧記憶段階、及び発光表示段階に対応しており、
    前記初期化段階において、前記第１走査信号及び前記第２走査信号はいずれも高電位にあり、前記第３走査信号は低電位にあり、
    前記閾値電圧記憶段階において、前記第１走査信号及び前記第３走査信号はいずれも高電位にあり、前記第２走査信号は低電位にあり、
    前記発光表示段階において、前記第１走査信号及び前記第３走査信号はいずれも低電位にあり、前記第２走査信号は高電位にあり、
    前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、Ｎ型薄膜トランジスタであることを特徴とするＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路。
  2. 前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ及びアモルファスシリコン薄膜トランジスタの内のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路。
  3. 第１薄膜トランジスタと、第２薄膜トランジスタと、第３薄膜トランジスタと、第４薄膜トランジスタと、第５薄膜トランジスタと、第６薄膜トランジスタと、第１キャパシタと、第２キャパシタと、有機発光ダイオードとを含むＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路であって、
    前記有機発光ダイオードのアノードは電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの一端は前記電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの他端は前記第１キャパシタの一端に電気的に接続されており、
    前記第５薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第５薄膜トランジスタのソース電極は前記電源の正電圧を受け取り、前記第５薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記有機発光ダイオードのカソード及び前記第３薄膜トランジスタのソース電極にそれぞれ電気的に接続されており、
    前記第３薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第３薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第２薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ接続されており、
    前記第２薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第２薄膜トランジスタのソース電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、
    前記第１薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、前記第１薄膜トランジスタのソース電極は、前記第１キャパシタの他端、前記第４薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第６薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ電気的に接続されており、
    前記第６薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第６薄膜トランジスタのソース電極は電源の負電圧を受け取り、
    前記第４薄膜トランジスタのゲート電極は第３走査信号を受信し、前記第４薄膜トランジスタのソース電極はデータ電圧を受け取り、
    前記第１走査信号、前記第２走査信号及び前記第３走査信号は組み合わさり、順に初期化段階、閾値電圧記憶段階、及び発光表示段階に対応しており、
    前記初期化段階において、前記第１走査信号及び前記第２走査信号はいずれも高電位にあり、前記第３走査信号は低電位にあり、
    前記閾値電圧記憶段階において、前記第１走査信号及び前記第３走査信号はいずれも高電位にあり、前記第２走査信号は低電位にあり、
    前記発光表示段階において、前記第１走査信号及び前記第３走査信号はいずれも低電位にあり、前記第２走査信号は高電位にあり、
    前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、Ｎ型薄膜トランジスタであることを特徴とするＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路。
  4. 前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ及びアモルファスシリコン薄膜トランジスタの内のいずれかであることを特徴とする請求項３に記載のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路。
  5. 前記第１走査信号、前記第２走査信号及び前記第３走査信号はいずれも、外部のタイミングコントローラによって生成されることを特徴とする請求項３に記載のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路。
  6. 前記第１薄膜トランジスタは駆動薄膜トランジスタであり、前記第５薄膜トランジスタはスイッチング薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項３に記載のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路。
  7. ＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路を提供するステップと、
    初期化段階に入るステップと、
    閾値電圧記憶段階に入るステップと、
    発光表示段階に入るステップと、を含むＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法であって、
    前記ＡＭＯＬＥＤピクセル駆動回路は、第１薄膜トランジスタと、第２薄膜トランジスタと、第３薄膜トランジスタと、第４薄膜トランジスタと、第５薄膜トランジスタと、第６薄膜トランジスタと、第１キャパシタと、第２キャパシタと、有機発光ダイオードとを含み、
    前記有機発光ダイオードのアノードは電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの一端は前記電源の正電圧を受け取り、前記第２キャパシタの他端は前記第１キャパシタの一端に電気的に接続されており、
    前記第５薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第５薄膜トランジスタのソース電極は前記電源の正電圧を受け取り、前記第５薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記有機発光ダイオードのカソード及び前記第３薄膜トランジスタのソース電極にそれぞれ電気的に接続されており、
    前記第３薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第３薄膜トランジスタのドレイン電極は、前記第１薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第２薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ接続されており、
    前記第２薄膜トランジスタのゲート電極は第１走査信号を受信し、前記第２薄膜トランジスタのソース電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、
    前記第１薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２キャパシタと前記第１キャパシタとの間にあるノードに電気的に接続されており、前記第１薄膜トランジスタのソース電極は、前記第１キャパシタの他端、前記第４薄膜トランジスタのドレイン電極及び前記第６薄膜トランジスタのドレイン電極にそれぞれ電気的に接続されており、
    前記第６薄膜トランジスタのゲート電極は第２走査信号を受信し、前記第６薄膜トランジスタのソース電極は電源の負電圧を受け取り、
    前記第４薄膜トランジスタのゲート電極は第３走査信号を受信し、前記第４薄膜トランジスタのソース電極はデータ電圧を受け取り、
    前記初期化段階において、前記第１走査信号が高電位を提供することで、前記第２薄膜トランジスタ及び前記第５薄膜トランジスタはオンとなり、前記第２走査信号が高電位を提供することで、前記第３薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはオンとなり、前記第３走査信号が低電位を提供することで、前記第４薄膜トランジスタはオフとなり、前記第１薄膜トランジスタのゲート電極の電圧と前記電源の正電圧が等しくなり、前記第１薄膜トランジスタのソース電極の電圧と前記電源の負電圧が等しくなり、
    前記閾値電圧記憶段階において、前記第１走査信号が高電位を提供することで、前記第２薄膜トランジスタ及び前記第５薄膜トランジスタはオンとなり、前記第２走査信号が低電位を提供することで、前記第３薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはオフとなり、前記第３走査信号が高電位を提供することで、前記第４薄膜トランジスタはオンとなり、前記第１薄膜トランジスタのソース電極の電圧と前記データ電圧が等しくなり、前記第１薄膜トランジスタのゲート電極の電圧はＶｄ＋Ｖｔｈに変化し、Ｖｄはデータ電圧を表し、Ｖｔｈは前記第１薄膜トランジスタの閾値電圧を表し、
    前記発光表示段階において、前記第１走査信号が低電位を提供することで、前記第２薄膜トランジスタ及び前記第５薄膜トランジスタはオフとなり、前記第２走査信号が高電位を提供することで、前記第３薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはオンとなり、前記第３走査信号が低電位を提供することで、前記第４薄膜トランジスタはオフとなり、前記有機発光ダイオードが発光し、且つ前記有機発光ダイオードを流れる電流と、前記第１薄膜トランジスタの閾値電圧が無関係になることを特徴とするＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法。
  8. 前記発光表示段階において、前記第１薄膜トランジスタのソース電極の電圧が前記電源の負電圧に変化し、前記第１薄膜トランジスタのゲート電極の電圧がＶｄ＋Ｖｔｈ＋δＶに変化することで、前記有機発光ダイオードを流れる電流と、前記第１薄膜トランジスタの閾値電圧とを無関係なものとし、δＶは、前記第１薄膜トランジスタのソース電極の電圧が前記データ電圧から前記電源の負電圧に変化した後に、前記第１薄膜トランジスタのゲート電極の電圧にもたらされる影響を表すことを特徴とする請求項７に記載のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法。
  9. 前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ、酸化物半導体薄膜トランジスタ及びアモルファスシリコン薄膜トランジスタの内のいずれかであることを特徴とする請求項７に記載のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法。
  10. 前記第１走査信号、前記第２走査信号及び前記第３走査信号はいずれも、外部のタイミングコントローラによって生成されることを特徴とする請求項７に記載のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法。
  11. 前記第１薄膜トランジスタは駆動薄膜トランジスタであり、前記第５薄膜トランジスタはスイッチング薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項７に記載のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法。
  12. 前記第１薄膜トランジスタ、前記第２薄膜トランジスタ、前記第３薄膜トランジスタ、前記第４薄膜トランジスタ、前記第５薄膜トランジスタ及び前記第６薄膜トランジスタはいずれも、Ｎ型薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項７に記載のＡＭＯＬＥＤピクセル駆動方法。
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