KR20200019253A - Amoled 픽셀 구동 회로 및 픽셀 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 AMOLED 픽셀 구동 회로 및 픽셀 구동 방법을 제공하며, 상기 구동 회로는 제2 커패시터의 타단이 상기 제1 커패시터의 일단에 전기적으로 연결되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 게이트가 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 드레인이 상기 유기 발광 다이오드의 음극 및 상기 제3 박막 트랜지스터의 소스에 각각 전기적으로 연결되고, 상기 제3 박막 트랜지스터의 게이트가 제2 스캔 신호에 접속되는 것을 포함한다.

Description

AMOLED 픽셀 구동 회로 및 픽셀 구동 방법
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 AMOLED 픽셀 구동 회로 및 픽셀 구동 방법에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Display, OLED) 디스플레이 장치는 자체 발광, 낮은 구동 전압, 높은 발광 효율, 짧은 응답 시간, 높은 선명도 및 명암비, 180°에 근접한 시야각, 넓은 사용 온도 범위, 구현 가능한 플렉시블 디스플레이와 대면적 풀컬러 디스플레이 등 많은 장점으로 인해 성장 잠재력이 가장 높은 디스플레이 장치가 되었다.
종래의 AMOLED 픽셀 구동 회로는 통상적으로 2T1C 구조, 즉 2개의 박막 트랜지스터에 1개의 커패시터를 추가한 구조로 전압을 전류로 변환한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기존 2T1C 구조의 AMOLED 픽셀 구동 회로는 제1 박막 트랜지스터(T10), 제2 박막 트랜지스터(T20), 커패시터(C10) 및 유기 발광 다이오드(D10)를 포함하고, 상기 제1 박막 트랜지스터(T10)는 구동 박막 트랜지스터이고, 상기 제2 박막 트랜지스터(T20)는 스위치 박막 트랜지스터이고, 상기 커패시터(C10)는 스토리지 커패시터이다. 구체적으로, 상기 제2 박막 트랜지스터(T20)의 게이트는 스캔 신호(Gate)에 접속되고, 소스는 데이터 신호(Data)에 접속되고, 드레인은 제1 박막 트랜지스터(T10)의 게이트에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 박막 트랜지스터(T10)의 소스는 전원 양전압(OVDD)에 접속되고, 드레인은 유기 발광 다이오드(D10)의 양극에 전기적으로 연결되고, 유기 발광 다이오드(D10)의 음극은 전원 음전압(OVSS)에 접속된다. 커패시터(C10)의 일단은 제1 박막 트랜지스터(T10)의 게이트에 전기적으로 연결되고, 타단은 제1 박막 트랜지스터(T10)의 소스에 전기적으로 연결된다. 상기 2T1C 픽셀 구동 회로가 AMOLED를 구동할 때, 유기 발광 다이오드(D10)를 통해 흐르는 전류는 다음을 충족시킨다.
I=k X (Vgs-Vth)2
여기에서, I는 유기 발광 다이오드(D10)를 통해 흐르는 전류이고, k는 구동 박막 트랜지스터의 고유 전도인자이고, Vgs는 제1 박막 트랜지스터(T10)의 게이트와 소스 사이의 전압차이고, Vth는 제1 박막 트랜지스터(T10)의 문턱 전압이고, 유기 발광 다이오드(D10)를 통해 흐르는 전류는 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압과 관련이 있음을 알 수 있다.
패널 제조 공정의 불안정성 등의 요인으로 인해 패널 내 각 픽셀 구동 회로 내의 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압에 차이가 나게 된다. 각 픽셀 구동 회로 내의 구동 박막 트랜지스터에 동일한 데이터 전압을 인가하더라도, 유기 발광 다이오드로 유입되는 전류가 불일치하여 표시되는 이미지 품질의 균일성에 영향을 미친다. 또한 구동 박막 트랜지스터의 구동 시간이 길어질수록 박막 트랜지스터의 재료는 노후화 및 변이되어 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압에 드리프트가 발생하며, 박막 트랜지스터 재료의 노후화 정도가 달라 각 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 드리프트의 양도 다르기 때문에 패널 디스플레이가 고르지 않고, 동시에 구동 박막 트랜지스터의 턴온 전압이 상승하고 유기 발광 다이오드로 유입되는 전류가 낮아져 패널 밝기 감소 및 발광 효율 저하 등의 문제가 발생한다.
따라서 종래 기술에 존재하는 문제점을 해결하기 위해 AMOLED 픽셀 구동 회로 및 픽셀 구동 방법을 제공할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 패널 디스플레이의 균일성, 패널의 밝기 및 발광 효율을 향상시킬 수 있는 AMOLED 픽셀 구동 회로 및 픽셀 구동 방법을 제공하는 데에 있다.
상기 기술 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 AMOLED 픽셀 구동 회로를 제공하며, 여기에는
제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터, 제6 박막 트랜지스터, 제1 커패시터, 제2 커패시터 및 유기 발광 다이오드가 포함되고,
상기 유기 발광 다이오드의 양극은 전원 양전압에 접속되고, 상기 제2 커패시터의 일단은 전원 양전압에 접속되고, 상기 제2 커패시터의 타단은 상기 제1 커패시터의 일단에 전기적으로 연결되고,
상기 제5 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 소스는 상기 전원 양전압에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 유기 발광 다이오드의 음극 및 상기 제3 박막 트랜지스터의 소스에 각각 전기적으로 연결되고,
상기 제3 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제1 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제2 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 연결되고,
상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제2 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고,
상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제1 커패시터의 타단, 상기 제4 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제6 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 전기적으로 연결되고,
상기 제6 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제6 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
상기 제4 박막 트랜지스터의 게이트는 제3 스캔 신호에 접속되고, 상기 제4 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 전압에 접속되고,
상기 제1 스캔 신호, 상기 제2 스캔 신호 및 상기 제3 스캔 신호는 모두 외부 타이밍 제어기에 의해 생성되고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터이다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로에 있어서, 상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 중 하나이다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로에 있어서, 상기 제1 스캔 신호, 제2 스캔 신호 및 제3 스캔 신호는 서로 조합하여 초기화 단계, 문턱 전압 저장 단계 및 발광 표시 단계에 순차적으로 대응되고,
상기 초기화 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제2 스캔 신호는 모두 고전위이고, 상기 제3 스캔 신호는 저전위이고,
상기 문턱 전압 저장 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제3 스캔 신호는 모두 고전위이고, 상기 제2 스캔 신호는 저전위이고,
상기 발광 표시 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제3 스캔 신호는 모두 저전위이고, 상기 제2 스캔 신호는 고전위이다.
상기 기술 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 AMOLED 픽셀 구동 회로를 제공하며, 여기에는
제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터, 제6 박막 트랜지스터, 제1 커패시터, 제2 커패시터 및 유기 발광 다이오드가 포함되고,
상기 유기 발광 다이오드의 양극은 전원 양전압에 접속되고, 상기 제2 커패시터의 일단은 전원 양전압에 접속되고, 상기 제2 커패시터의 타단은 상기 제1 커패시터의 일단에 전기적으로 연결되고,
상기 제5 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 소스는 상기 전원 양전압에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 유기 발광 다이오드의 음극 및 상기 제3 박막 트랜지스터의 소스에 각각 전기적으로 연결되고,
상기 제3 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제1 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제2 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 연결되고,
상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제2 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고,
상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제1 커패시터의 타단, 상기 제4 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제6 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 전기적으로 연결되고,
상기 제6 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제6 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
상기 제4 박막 트랜지스터의 게이트는 제3 스캔 신호에 접속되고, 상기 제4 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 전압에 접속된다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로에 있어서, 상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 중 하나이다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로에 있어서, 상기 제1 스캔 신호, 상기 제2 스캔 신호 및 상기 제3 스캔 신호는 모두 외부 타이밍 제어기에 의해 생성된다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로에 있어서, 상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터이다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로에 있어서, 상기 제1 스캔 신호, 제2 스캔 신호 및 제3 스캔 신호는 서로 조합하여 초기화 단계, 문턱 전압 저장 단계 및 발광 표시 단계에 순차적으로 대응되고,
상기 초기화 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제2 스캔 신호는 모두 고전위이고, 상기 제3 스캔 신호는 저전위이고,
상기 문턱 전압 저장 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제3 스캔 신호는 모두 고전위이고, 상기 제2 스캔 신호는 저전위이고,
상기 발광 표시 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제3 스캔 신호는 모두 저전위이고, 상기 제2 스캔 신호는 고전위이다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로에 있어서, 상기 제1 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터이고, 상기 제5 박막 트랜지스터는 스위치 박막 트랜지스터이다.
본 발명은 AMOLED 픽셀 구동 방법을 더 제공하며, 여기에는
AMOLED 픽셀 구동 회로를 제공하는 단계;
초기화 단계에 진입하는 단계;
문턱 전압 저장 단계에 진입하는 단계; 및
발광 표시 단계에 진입하는 단계가 포함되고,
여기에서 상기 AMOLED 픽셀 구동 회로는,
제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터, 제6 박막 트랜지스터, 제1 커패시터, 제2 커패시터 및 유기 발광 다이오드가 포함되고,
상기 유기 발광 다이오드의 양극은 전원 양전압에 접속되고, 상기 제2 커패시터의 일단은 전원 양전압에 접속되고, 상기 제2 커패시터의 타단은 상기 제1 커패시터의 일단에 전기적으로 연결되고,
상기 제5 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 소스는 상기 전원 양전압에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 유기 발광 다이오드의 음극 및 상기 제3 박막 트랜지스터의 소스에 각각 전기적으로 연결되고,
상기 제3 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제1 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제2 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 연결되고,
상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제2 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고,
상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제1 커패시터의 타단, 상기 제4 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제6 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 전기적으로 연결되고,
상기 제6 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제6 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
상기 제4 박막 트랜지스터의 게이트는 제3 스캔 신호에 접속되고, 상기 제4 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 전압에 접속되고,
상기 초기화 단계에서 상기 제1 스캔 신호는 고전위를 제공하고 상기 제2 및 제5 박막 트랜지스터는 켜지고, 상기 제2 스캔 신호는 고전위를 제공하고 상기 제3 및 제6 박막 트랜지스터는 켜지고, 상기 제3 스캔 신호는 저전위를 제공하고 상기 제4 박막 트랜지스터는 꺼지고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트의 전압은 상기 전원 양전압과 같고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스의 전압은 상기 전원 음전압과 같고,
문턱 전압 저장 단계에서 상기 제1 스캔 신호는 고전위를 제공하고 상기 제2 및 제5 박막 트랜지스터는 켜지고, 상기 제2 스캔 신호는 저전위를 제공하고 상기 제3 및 제6 박막 트랜지스터는 꺼지고, 상기 제3 스캔 신호는 고전위를 제공하고 상기 제4 박막 트랜지스터는 켜지고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스의 전압은 상기 데이터 전압과 같고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트의 전압은 Vd+Vth로 변하고, 여기에서 Vd는 데이터 전압이고, Vth는 상기 제1 박막 트랜지스터의 문턱 전압이고,
상기 발광 표시 단계에서 상기 제1 스캔 신호는 저전위를 제공하고 상기 제2 및 제5 박막 트랜지스터는 꺼지고, 상기 제2 스캔 신호는 고전위를 제공하고 상기 제3 및 제6 박막 트랜지스터는 켜지고, 상기 제3 스캔 신호는 저전위를 제공하고 상기 제4 박막 트랜지스터는 꺼지고, 상기 유기 발광 다이오드는 발광하고 상기 유기 발광 다이오드를 통해 흐르는 전류는 상기 제1 박막 트랜지스터의 문턱 전압과 무관하다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법에 있어서, 상기 발광 표시 단계에서 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스의 전압은 상기 전원 음전압으로 변하고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트의 전압은 Vd+Vth+δV로 변하여, 상기 유기 발광 다이오드를 통해 흐르는 전류가 상기 제1 박막 트랜지스터의 문턱 전압과 무관해지고, 여기에서 δV는 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스의 전압이 데이터 전압으로부터 전원 음전압까지 변경된 후 상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트의 전압에 미치는 영향이다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법에 있어서, 상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 중 하나이다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법에 있어서, 상기 제1 스캔 신호, 상기 제2 스캔 신호 및 상기 제3 스캔 신호는 모두 외부 타이밍 제어기에 의해 생성된다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법에 있어서, 상기 제1 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터이고, 상기 제5 박막 트랜지스터는 스위치 박막 트랜지스터이다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법에 있어서, 상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터이다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로 및 픽셀 구동 방법은 기존의 픽셀 구동 회로를 개선함으로써, 유기 발광 다이오드에 대한 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압의 영향을 제거하고 패널 디스플레이의 균일성을 개선하였으며, OLED 소자의 노후화로 인해 나타나는 밝기 감소, 발광 효율 저하 등의 문제도 방지하였다.
도 1은 종래의 2T1C 구조의 AMOLED 픽셀 구동 회로의 회로도이다.
도 2는 종래의 5T2C 구조의 AMOLED 픽셀 구동 회로의 회로도이다.
도 3은 종래의 8T1C 구조의 AMOLED 픽셀 구동 회로의 회로도이다.
도 4는 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로의 회로도이다.
도 5는 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로의 타이밍도이다.
도 6은 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법에서 단계 2의 모식도이다.
도 7은 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법에서 단계 3의 모식도이다.
도 8은 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 방법에서 단계 4의 모식도이다.
이하 각 실시예의 설명은 본 발명이 구현될 수 있는 특정 실시예를 도시하기 위해 첨부 도면을 참조하여 이루어진다. 본 발명에서 "상", "하", "전", "후", "좌", "우", "안", "밖", "측면" 등과 같은 방향 용어는 첨부 도면의 방향을 참고하기 위한 것에 불과하다. 따라서 사용되는 방향 용어는 본 발명을 설명하고 이해하기 위한 것이며 본 발명을 제한하지 않는다. 도면에서 구조가 유사한 구성 요소는 동일한 부호로 표시된다.
구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 드리프트 문제의 경우, 종래 기술에서는 일반적으로 AMOLED 픽셀 구동 회로를 개선하여 박막 트랜지스터 및 상응하는 제어 신호를 증가시키고 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하여 유기 발광 다이오드가 발광할 때 이를 통과하는 전류와 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압이 무관하게 만든다. 도 2를 참조하면, 종래의 AMOLED 픽셀 구동 회로는 5T2C 구조, 즉 5개의 박막 트랜지스터에 2개의 커패시터를 추가하는 구조를 채택하며, 여기에는 제1 박막 트랜지스터(T21), 제2 박막 트랜지스터(T22), 제3 박막 트랜지스터(T23), 제4 박막 트랜지스터(T24), 제5 박막 트랜지스터(T25), 제1 커패시터(C20), 제2 커패시터(C21) 및 유기 발광 다이오드(D20)가 포함되고, 구체적으로 각 구성 요소의 연결 방식은, 제1 박막 트랜지스터(T21)의 게이트가 스캔 신호(S11)에 접속되고, 소스가 데이터 신호에 접속되고, 드레인이 제1 노드(Q)에 전기적으로 연결되는 것이다. 제2 박막 트랜지스터(T22)의 게이트는 스캔 신호(S12)에 접속되고, 소스는 제1 노드(Q)에 전기적으로 연결되고, 드레인은 유기 발광 다이오드(D20)의 양극에 전기적으로 연결된다.
제1 커패시터(C20)의 일단은 제1 노드(Q)에 연결되고, 타단은 전원 양전압(OVDD)에 접속되고, 제2 커패시터(C21)의 일단은 제1 노드(Q)에 연결되고, 타단은 제5 박막 트랜지스터(T25)의 게이트 및 제4 박막 트랜지스터(T24)의 소스에 전기적으로 연결되고, 제4 박막 트랜지스터(T24)의 드레인은 제2 노드(P)에 전기적으로 연결되고, 제4 박막 트랜지스터(T24)의 게이트는 제2 스캔 신호(S12)에 접속되며, 제5 박막 트랜지스터(T25)의 소스는 전원 양전압(OVDD)에 접속되고, 제5 박막 트랜지스터(T25)의 드레인은 제2 노드(P)에 전기적으로 연결되고, 제3 박막 트랜지스터(T23)의 게이트는 발광 신호(EM)에 접속되고, 소스는 제2 노드(P)에 전기적으로 연결되고, 드레인은 유기 발광 다이오드(D20)의 양극에 전기적으로 연결되고, 유기 발광 다이오드(D20)의 음극은 전원 음전압(OVSS)에 연결된다.
상기 5T2C 아키텍처는 구동 TFT의 Vth를 제거할 수 있으나, Data Writing과 Emission 단계에서 A 노드의 전위가 Vdata+OVDD-Vth-Vref로 유지하여 변하지 않고 Vref는 기준 전압이며, 패널 OLED의 불균일성으로 인해 각 픽셀의 유기 발광 다이오드 밝기가 일치하지 않기 때문에, Vref가 너무 크면 OLED가 reset 단계에서 발광하고, Vref가 너무 작으면 상기 Data Writing과 Emission 단계에서 A 노드의 전위가 너무 커져 구동 TFT가 차단 상태가 되어 Vref의 크기가 일정하지 않다.
도 3에서 도시하는 바와 같이, 기존의 다른 AMOLED 픽셀 구동 회로는 8T1C의 구조, 즉 8개의 박막 트랜지스터에 1개의 커패시터를 추가하는 구조를 채택하며, 여기에는 제1 박막 트랜지스터(T31), 제2 박막 트랜지스터(T32), 제3 박막 트랜지스터(T33), 제4 박막 트랜지스터(T34), 제5 박막 트랜지스터(T35), 제6 박막 트랜지스터(T36), 제7 박막 트랜지스터(T37), 제8 박막 트랜지스터(T38), 커패시터(C30) 및 유기 발광 다이오드(D30)가 포함되고, 구체적으로 각 구성 요소의 연결 방식은 다음과 같다. 즉, 제1 박막 트랜지스터(T31)의 게이트가 스캔 신호(S2)에 접속되고, 소스는 기준 전압(Vref)에 접속되고, 드레인은 커패시터(C30)의 일단 및 제7 박막 트랜지스터(T37)의 소스에 전기적으로 연결되고, 커패시터(C30)의 타단과 제3 박막 트랜지스터(T33)의 소스 및 제5 박막 트랜지스터(T35)의 게이트에 연결되고, 제3 박막 트랜지스터(T33)의 드레인은 제4 박막 트랜지스터(T34)의 소스 및 제2 박막 트랜지스터(T32)의 드레인에 연결되고, 제2 박막 트랜지스터(T32)의 게이트는 스캔 신호(S1)에 접속되고, 제2 박막 트랜지스터(T32)의 소스는 전압(Vini)에 접속된다. 제3 박막 트랜지스터(T33)와 제4 박막 트랜지스터(T34)의 게이트는 스캔 신호(S2)에 접속된다.
제4 박막 트랜지스터(T34)의 드레인은 제5 박막 트랜지스터(T35)의 드레인과 유기 발광 다이오드(D30)의 양극에 연결되고, 유기 발광 다이오드(D30)의 음극은 전원 음전압(VSS)에 접속되고, 제5 박막 트랜지스터(T35)의 소스는 제8 박막 트랜지스터(T38)의 드레인 및 제7 박막 트랜지스터(T37)의 드레인에 연결되고, 제7 박막 트랜지스터(T37)의 소스는 제6 박막 트랜지스터(T36)의 드레인에 연결되고, 제6 박막 트랜지스터(T36)의 소스는 전원의 양전압(VDD)에 접속되고, 제6 박막 트랜지스터(T36)의 게이트와 제7 박막 트랜지스터(T37)의 게이트는 모두 스캔 신호(S3)에 접속되고, 제8 박막 트랜지스터(T38)의 게이트는 스캔 신호(S2)에 접속되고, 제8 박막 트랜지스터(T38)의 소스는 데이터 전압(Vdata)에 접속된다.
상기 8T1C 아키텍처는 구동 TFT의 Vth를 제거할 수 있으나, 사용되는 TFT의 수량이 비교적 많아 패널의 개구율을 낮춰 디스플레이 밝기를 감소시키며, TFT가 비교적 많으면 기생 용량 등의 문제를 야기할 수 있다. 다른 한편으로는, 상기 아키텍처는 Vref와 Vini의 두 가지 추가 전원이 필요하므로 입력 신호 소스가 비교적 많다.
도 4를 참조하면, 도 4는 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로의 회로도이다.
도 4에서 도시하는 바와 같이, 본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로는 제1 박막 트랜지스터(T1), 제2 박막 트랜지스터(T2), 제3 박막 트랜지스터(T3), 제4 박막 트랜지스터(T4), 제5 박막 트랜지스터(T5), 제6 박막 트랜지스터(T6), 제1 커패시터(C1), 제2 커패시터(C2) 및 유기 발광 다이오드(D1)를 포함한다. 여기에서 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)는 구동 박막 트랜지스터이고, 상기 제5 박막 트랜지스터(T5)는 스위치 박막 트랜지스터이다.
구체적인 각 구성 요소의 연결 방식은 다음과 같다. 즉, 상기 유기 발광 다이오드(D1)의 양극은 전원 양전압(OVDD)에 접속되고, 상기 제2 커패시터(C2)의 일단은 전원 양전압(OVDD)에 접속되고, 상기 제2 커패시터(C2)의 타단은 상기 제1 커패시터(C1)의 일단에 전기적으로 연결되고,
상기 제5 박막 트랜지스터(T5)의 게이트는 제1 스캔 신호(Scan1)에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터(T5)의 소스는 전원 양전압(OVDD)에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터(T5)의 드레인은 상기 유기 발광 다이오드(D1)의 음극과 전기적으로 연결되고,
상기 제3 박막 트랜지스터(T3)의 게이트는 제2 스캔 신호(Scan2)에 접속되고, 상기 제3 박막 트랜지스터(T3)의 소스는 상기 유기 발광 다이오드의 음극과 전기적으로 연결되고, 즉 상기 제3 박막 트랜지스터(T3)의 소스는 상기 유기 발광 다이오드(D1)의 음극 및 제5 박막 트랜지스터(T5)의 드레인과 각각 전기적으로 연결된다. 상기 제3 박막 트랜지스터(T3)의 드레인은 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 드레인과 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)의 드레인에 각각 연결되고,
상기 제2 박막 트랜지스터(T2)의 게이트는 제1 스캔 신호(Scan1)에 접속되고, 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)의 소스는 상기 제2 커패시터(C2)와 상기 제1 커패시터(C1) 사이의 노드에 전기적으로 연결된다.
상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 게이트는 제2 커패시터(C2)와 상기 제1 커패시터(C1) 사이의 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 소스는 상기 제1 커패시터(C1)에 타단에 전기적으로 연결된다.
상기 제6 박막 트랜지스터(T6)의 게이트는 제2 스캔 신호(Scan2)에 접속되고, 상기 제6 박막 트랜지스터(T6)의 소스는 전원 음전압(OVSS)에 접속되고, 상기 제6 박막 트랜지스터(T6)의 드레인은 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 드레인에 전기적으로 연결되고, 즉 제6 박막 트랜지스터(T6)의 드레인은 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 소스, 제1 커패시터(C1)의 타단 및 제4 박막 트랜지스터(T4)의 드레인에 각각 전기적으로 연결된다.
상기 제4 박막 트랜지스터(T4)의 게이트는 제3 스캔 신호(Scan3)에 접속되고, 상기 제4 박막 트랜지스터(T4)의 소스는 데이터 전압(Vd)에 접속되고, 상기 제4 박막 트랜지스터(T4)의 드레인은 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 소스에 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 제4 박막 트랜지스터(T4)의 드레인은 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 소스, 상기 제6 박막 트랜지스터(T6)의 드레인 및 제1 커패시터(C1)의 타단에 전기적으로 연결된다.
상기 제1 박막 트랜지스터(T1), 제2 박막 트랜지스터(T2), 제3 박막 트랜지스터(T3), 제4 박막 트랜지스터(T4), 제5 박막 트랜지스터(T5) 및 제6 박막 트랜지스터(T6)는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 및 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 중 하나이다.
상기 제1 스캔 신호(Scan1), 제2 스캔 신호(Scan2) 및 제3 스캔 신호(Scan3)는 모두 외부 타이밍 제어기에 의해 생성된다.
상기 제1 박막 트랜지스터(T1), 제2 박막 트랜지스터(T2), 제3 박막 트랜지스터(T3), 제4 박막 트랜지스터(T4), 제5 박막 트랜지스터(T5) 및 제6 박막 트랜지스터(T6)는 모두 N형 박막 트랜지스터이다.
상기 제1 스캔 신호(Scan1), 제2 스캔 신호(Scan2) 및 제3 스캔 신호(Scan3)는 서로 조합하여 초기화 단계, 문턱 전압 저장 단계 및 발광 표시 단계에 순차적으로 대응되고,
상기 AMOLED 픽셀 구동 회로를 기반으로, 본 발명은 AMOLED 픽셀 구동 방법을 더 제공하며, 여기에는 이하 단계가 포함된다.
단계 S101: AMOLED 픽셀 구동 회로를 제공한다.
구체적으로 도 4와 상기 내용을 참조한다.
단계 S102: 초기화 단계에 진입한다.
도 5 및 도 6에서 도시하는 바와 같이, 상기 초기화 단계, 즉 t0-t1 시간 구간에서, 상기 제1 스캔 신호(Scan1)와 상기 제2 스캔 신호(Scan2)는 모두 고전위이고, 상기 제3 스캔 신호(Scan3)는 저전위이다.
상기 제1 스캔 신호(Scan1)는 고전위를 제공하여 상기 제2 및 제5 박막 트랜지스터(T2, T5)를 켠다. 상기 제2 스캔 신호(Scan2)는 고전위를 제공하여 상기 제3 및 제6 박막 트랜지스터(T3, T6)를 켠다. 상기 제3 스캔 신호(Scan3)는 저전위를 제공하고, 상기 제4 박막 트랜지스터(T4)는 꺼지고, OVDD는 제1 박막 트랜지스터(T1)의 게이트(g 노드로 칭함)를 충전하여, 상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트(Vg)의 전압이 전원 양전압(OVDD)과 같도록 만든다. 제6 박막 트랜지스터(T6)가 켜지기 때문에, OVSS가 제1 박막 트랜지스터(T1)의 소스(s 노드라 칭함)를 충전하여, 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 소스(Vs)의 전압이 전원 음전압(OVSS)과 같도록 만든다. 상기 제5 박막 트랜지스터(T5)가 켜지기 때문에, 유기 발광 다이오드(D1)는 발광하지 않으며, 이 단계에서 g 노드와 s 노드 전위의 초기화가 완료된다.
단계 S103: 문턱 전압 저장 단계에 진입한다.
도 5 및 도 7에서 도시하는 바와 같이, 상기 문턱 전압 저장 단계, 즉 t1-t2 시간 구간에서 상기 제1 스캔 신호(Scan1)와 상기 제3 스캔 신호(Scan3)는 모두 고전위이고, 상기 제2 스캔 신호(Scan2)는 저전위이다.
상기 제1 스캔 신호(Scan1)는 고전위를 제공하여 상기 제2 및 제5 박막 트랜지스터(T2, T5)를 켜고, 상기 제2 스캔 신호(Scan2)는 저전위를 제공하여 제3 및 제6 박막 트랜지스터(T3, T6)를 끈다. 상기 제3 스캔 신호(Scan3)는 고전위를 제공하고, 상기 제4 박막 트랜지스터(T4)가 켜져 데이터 전압(Vd)이 s 노드를 충전하고, 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 소스(Vs)의 전압은 데이터 전압(Vd)과 같다. 제2 박막 트랜지스터(T2)가 켜지고 제3 박막 트랜지스터(T3)가 꺼지므로, g 노드와 s 노드 사이의 핀치 전압이 구동 박막 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)이 될 때까지 g 노드 전위가 제1 및 제2 박막 트랜지스터(T1, T2)를 통해 방전되도록 만든다.
Vg와 Vs 사이에는 이하 공식이 충족된다.
Vg-Vs=Vth
여기에서 Vs=Vd이고,
Vg는
Vg=Vd+Vth이다.
즉, 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전압은 Vd+Vth까지 변한다. 여기에서 Vg는 g 노드 전압이고, Vs는 s 노드 전압이고, Vd는 데이터 전압이고, Vth는 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 문턱 전압이다.
상기 제5 박막 트랜지스터(T5)가 켜지기 때문에, 유기 발광 다이오드(D1)는 발광하지 않으며, 이 단계에서 문턱 전압(Vth) 전위에 대한 저장이 완료된다.
단계 S104: 발광 표시 단계에 진입한다.
도 5 및 도 8에서 도시하는 바와 같이, 상기 발광 표시 단계, 즉 t2-t3 시간 구간에서 상기 제1 스캔 신호(Scan1)와 상기 제3 스캔 신호(Scan3)는 모두 저전위이고, 상기 제2 스캔 신호(Scan2)는 고전위이다.
상기 제1 스캔 신호(Scan1)는 저전위를 제공하여 상기 제2 및 제5 박막 트랜지스터(T2, T5)는 꺼진다. 상기 제2 스캔 신호(Scan2)는 고전위를 제공하여 상기 제3 및 제6 박막 트랜지스터(T3, T6)가 켜진다. 상기 제3 스캔 신호(Scan3)는 저전위를 제공하여 상기 제4 박막 트랜지스터(T4)는 꺼진다. 제5 박막 트랜지스터(T5)가 꺼지므로, 유기 발광 다이오드(D1)가 발광하고, 상기 유기 발광 다이오드를 통해 흐르는 전류는 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 문턱 전압과 무관하다.
구체적으로 제4 박막 트랜지스터(T4)가 꺼지고 제6 박막 트랜지스터(T6)가 켜지므로, s 노드 전위는 Vs=OVSS로 변하고 T2는 꺼진다.
용량 결합 이론에 따라 g 노드 전위(Vg)는 이하와 같이 획득할 수 있다.
Vg=Vd+Vth+δV
여기에서 δV는 이하와 같다.
δV=(OVSS-Vd)*C1/(C1+C2)
여기에서 δV는 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 소스의 전압이 데이터 전압으로부터 전원 음전압까지 변경된 후 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)의 게이트의 전압에 미치는 영향이고, C1은 제1 커패시터의 용량값이고, C2는 제2 커패시터의 용량값이다.
g 노드와 s 노드 사이의 핀치 전압(Vgs)은 이때 이하와 같이 변경된다.
Vgs=Vg-Vs=δV+Vth+Vd-OVSS
유기 발광 다이오드(D1)를 통해 흐르는 전류는 이하를 충족시킨다.
I=k(Vgs-Vth)2=k(Vd-OVSS+δV)2
상기 식을 조합하여 획득한 최종 유기 발광 다이오드(D1)을 통해 흐르는 전류는 이하와 같다.
I=k[(Vd-OVSS)*C2/(C1+C2)]2
유기 발광 다이오드의 전류가 구동 박막 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Vth)과 무관하며, 유기 발광 다이오드에 대한 문턱 전압(Vth)의 영향이 제거되기 때문에 패널 디스플레이의 균일성 및 발광 효율이 향상됨을 알 수 있다.
본 발명의 AMOLED 픽셀 구동 회로 및 픽셀 구동 방법은 기존의 픽셀 구동 회로를 개선함으로써, 유기 발광 다이오드에 대한 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압의 영향을 제거하고 패널 디스플레이의 균일성을 개선하였으며, OLED 소자의 노후화로 인해 나타나는 밝기 감소, 발광 효율 저하 등의 문제도 방지하였다.
상기 내용을 종합하면, 본 발명은 상기와 같이 바람직한 실시예를 개시하였으나, 상기 바람직한 실시예는 본 발명을 제한하지 않는다. 본 발명이 속한 기술 분야의 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변형과 개선을 진행할 수 있으므로, 본 발명의 보호 범위는 특허청구범위를 기준으로 한다.

Claims (15)

  1. AMOLED 픽셀 구동 회로에 있어서,
    제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터, 제6 박막 트랜지스터, 제1 커패시터, 제2 커패시터 및 유기 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 유기 발광 다이오드의 양극은 전원 양전압에 접속되고, 상기 제2 커패시터의 일단은 상기 전원 양전압에 접속되고, 상기 제2 커패시터의 타단은 상기 제1 커패시터의 일단에 전기적으로 연결되고,
    상기 제5 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 소스는 상기 전원 양전압에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 유기 발광 다이오드의 음극 및 상기 제3 박막 트랜지스터의 소스에 각각 전기적으로 연결되고,
    상기 제3 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제1 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제2 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 연결되고,
    상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제2 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고,
    상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제1 커패시터의 타단, 상기 제4 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제6 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 전기적으로 연결되고,
    상기 제6 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제6 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
    상기 제4 박막 트랜지스터의 게이트는 제3 스캔 신호에 접속되고, 상기 제4 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 전압에 접속되고,
    상기 제1 스캔 신호, 상기 제2 스캔 신호 및 상기 제3 스캔 신호는 모두 외부 타이밍 제어기에 의해 생성되고, 상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터인 AMOLED 픽셀 구동 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 중 하나인 AMOLED 픽셀 구동 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스캔 신호, 제2 스캔 신호 및 제3 스캔 신호는 서로 조합하여 초기화 단계, 문턱 전압 저장 단계 및 발광 표시 단계에 순차적으로 대응되고,
    상기 초기화 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제2 스캔 신호는 모두 고전위이고, 상기 제3 스캔 신호는 저전위이고,
    상기 문턱 전압 저장 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제3 스캔 신호는 모두 고전위이고, 상기 제2 스캔 신호는 저전위이고,
    상기 발광 표시 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제3 스캔 신호는 모두 저전위이고, 상기 제2 스캔 신호는 고전위인 AMOLED 픽셀 구동 회로.
  4. AMOLED 픽셀 구동 회로에 있어서,
    제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터, 제6 박막 트랜지스터, 제1 커패시터, 제2 커패시터 및 유기 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 유기 발광 다이오드의 양극은 전원 양전압에 접속되고, 상기 제 2 커패시터의 일단은 전원 양전압에 접속되고, 상기 제2 커패시터의 타단은 상기 제1 커패시터의 일단에 전기적으로 연결되고,
    상기 제5 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 소스는 상기 전원 양전압에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 유기 발광 다이오드의 음극 및 상기 제3 박막 트랜지스터의 소스에 각각 전기적으로 연결되고,
    상기 제3 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제1 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제2 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 연결되고,
    상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제2 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고,
    상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제1 커패시터의 타단, 상기 제4 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제6 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 전기적으로 연결되고,
    상기 제6 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제6 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
    상기 제4 박막 트랜지스터의 게이트는 제3 스캔 신호에 접속되고, 상기 제4 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 전압에 접속되는 AMOLED 픽셀 구동 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 중 하나인 AMOLED 픽셀 구동 회로.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 스캔 신호, 상기 제2 스캔 신호 및 상기 제3 스캔 신호는 모두 외부 타이밍 제어기에 의해 생성되는 AMOLED 픽셀 구동 회로.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터인 AMOLED 픽셀 구동 회로.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 스캔 신호, 제2 스캔 신호 및 제3 스캔 신호는 서로 조합하여 초기화 단계, 문턱 전압 저장 단계 및 발광 표시 단계에 순차적으로 대응되고,
    상기 초기화 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제2 스캔 신호는 모두 고전위이고, 상기 제3 스캔 신호는 저전위이고,
    상기 문턱 전압 저장 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제3 스캔 신호는 모두 고전위이고, 상기 제2 스캔 신호는 저전위이고,
    상기 발광 표시 단계에서 상기 제1 스캔 신호와 상기 제3 스캔 신호는 모두 저전위이고, 상기 제2 스캔 신호는 고전위인 AMOLED 픽셀 구동 회로.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 제1 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터이고, 상기 제5 박막 트랜지스터는 스위치 박막 트랜지스터인 AMOLED 픽셀 구동 회로.
  10. AMOLED 픽셀 구동 방법에 있어서,
    AMOLED 픽셀 구동 회로를 제공하는 단계;
    초기화 단계에 진입하는 단계;
    문턱 전압 저장 단계에 진입하는 단계; 및
    발광 표시 단계에 진입하는 단계를 포함하고,
    여기에서 상기 AMOLED 픽셀 구동 회로는,
    제1 박막 트랜지스터, 제2 박막 트랜지스터, 제3 박막 트랜지스터, 제4 박막 트랜지스터, 제5 박막 트랜지스터, 제6 박막 트랜지스터, 제1 커패시터, 제2 커패시터 및 유기 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 유기 발광 다이오드의 양극은 전원 양전압에 접속되고, 상기 제 2 커패시터의 일단은 전원 양전압에 접속되고, 상기 제2 커패시터의 타단은 상기 제1 커패시터의 일단에 전기적으로 연결되고,
    상기 제5 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 소스는 상기 전원 양전압에 접속되고, 상기 제5 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 유기 발광 다이오드의 음극 및 상기 제3 박막 트랜지스터의 소스에 각각 전기적으로 연결되고,
    상기 제3 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제3 박막 트랜지스터의 드레인은 상기 제1 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제2 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 연결되고,
    상기 제2 박막 트랜지스터의 게이트는 제1 스캔 신호에 접속되고, 상기 제2 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고,
    상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트는 상기 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터 사이의 노드에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스는 상기 제1 커패시터의 타단, 상기 제4 박막 트랜지스터의 드레인 및 상기 제6 박막 트랜지스터의 드레인에 각각 전기적으로 연결되고,
    상기 제6 박막 트랜지스터의 게이트는 제2 스캔 신호에 접속되고, 상기 제6 박막 트랜지스터의 소스는 전원 음전압에 접속되고,
    상기 제4 박막 트랜지스터의 게이트는 제3 스캔 신호에 접속되고, 상기 제4 박막 트랜지스터의 소스는 데이터 전압에 접속되고,
    상기 초기화 단계에서 상기 제1 스캔 신호는 고전위를 제공하고 상기 제2 및 제5 박막 트랜지스터는 켜지고, 상기 제2 스캔 신호는 고전위를 제공하고 상기 제3 및 제6 박막 트랜지스터는 켜지고, 상기 제3 스캔 신호는 저전위를 제공하고 상기 제4 박막 트랜지스터는 꺼지고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트의 전압은 상기 전원 양전압과 같고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스의 전압은 상기 전원 음전압과 같고,
    문턱 전압 저장 단계에서 상기 제1 스캔 신호는 고전위를 제공하고 상기 제2 및 제5 박막 트랜지스터는 켜지고, 상기 제2 스캔 신호는 저전위를 제공하고 상기 제3 및 제6 박막 트랜지스터는 꺼지고, 상기 제3 스캔 신호는 고전위를 제공하고 상기 제4 박막 트랜지스터는 켜지고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스의 전압은 상기 데이터 전압과 같고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트의 전압은 Vd+Vth로 변하고, 여기에서 Vd는 데이터 전압이고, Vth는 상기 제1 박막 트랜지스터의 문턱 전압이고,
    상기 발광 표시 단계에서 상기 제1 스캔 신호는 저전위를 제공하고 상기 제2 및 제5 박막 트랜지스터는 꺼지고, 상기 제2 스캔 신호는 고전위를 제공하고 상기 제3 및 제6 박막 트랜지스터는 켜지고, 상기 제3 스캔 신호는 저전위를 제공하고 상기 제4 박막 트랜지스터는 꺼지고, 상기 유기 발광 다이오드는 발광하고 상기 유기 발광 다이오드를 통해 흐르는 전류는 상기 제 1 박막 트랜지스터의 문턱 전압과 무관한 AMOLED 픽셀 구동 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 발광 표시 단계에서 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스의 전압은 상기 전원 음전압으로 변하고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트의 전압은 Vd+Vth+δV로 변하여, 상기 유기 발광 다이오드를 통해 흐르는 전류가 상기 제1 박막 트랜지스터의 문턱 전압과 무관해지고, 여기에서 δV는 상기 제1 박막 트랜지스터의 소스의 전압이 데이터 전압으로부터 전원 음전압까지 변경된 후 상기 제1 박막 트랜지스터의 게이트의 전압에 미치는 영향인 AMOLED 픽셀 구동 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터, 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 중 하나인 AMOLED 픽셀 구동 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 스캔 신호, 상기 제2 스캔 신호 및 상기 제3 스캔 신호는 모두 외부 타이밍 제어기에 의해 생성되는 AMOLED 픽셀 구동 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제1 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터이고, 상기 제5 박막 트랜지스터는 스위치 박막 트랜지스터인 AMOLED 픽셀 구동 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 상기 제3 박막 트랜지스터, 상기 제4 박막 트랜지스터, 상기 제5 박막 트랜지스터 및 상기 제6 박막 트랜지스터는 모두 N형 박막 트랜지스터인 AMOLED 픽셀 구동 방법.
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