JP6864888B2 - X線検査装置、x線薄膜検査方法およびロッキングカーブ測定方法 - Google Patents
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Description
そのため、ゲートを構成するGeSi薄膜や化合物半導体薄膜の膜厚や組成の分析、さらにはGeSi薄膜や化合物半導体薄膜に分布する歪の解析などにも対応できるX線検査装置の開発が望まれている。
そこで、本出願人は、先に提案したX線薄膜検査装置の改良を重ね、極めて高い角度分解能をも備えたX線検査装置の発明を完成させるに至った。
さらに、本発明は、かかるX線検査装置を用いた新規のX線薄膜検査方法とロッキングカーブ測定方法の提供を目的とする。
検査対象の試料を配置する試料台と、
試料台に配置された試料の画像を観察する画像観察手段と、
画像観察手段による試料の画像観察結果に基づき制御され、試料台を水平面上で直交する2方向、高さ方向、および面内回転方向に移動させる位置決め機構と、
試料台に配置された試料の表面と同一平面内に含まれる回転軸を中心に、当該試料の表面と垂直な仮想平面に沿ってそれぞれ独立して旋回する第1,第2の旋回部材を含むゴニオメータと、
第1の旋回部材に搭載され、試料台に配置された試料の表面と同一平面内に設定した検査位置へ特性X線を集光して照射するX線照射ユニットと、
第2の旋回部材に搭載されたX線検出器と、
を備えている。
X線を発生するX線管と、
X線管から放射されたX線を入射し、特定波長の特性X線のみを取り出すとともに、当該取り出した特性X線をあらかじめ設定した検査位置へ集光させるX線光学素子と、
を含んでいる。
試料の表面と直交しかつ光軸を含む仮想の垂直面内で高さが縮小していくように特性X線を集光する第1のX線光学素子と、仮想の垂直面と直交しかつ光軸を含む仮想の平面内で幅が縮小していくように特性X線を集光する第2のX線光学素子と、を含んでいる。
第1のX線光学素子を、高い結晶性を有する結晶材料で構成することにより、その結晶材料から反射してくる特性X線の発散角度が小さく、よってX線検査において高い角度分解能を得ることができる。
第1のX線光学素子は、固有のロッキングカーブ幅が0.06゜以下の結晶材料によって構成することが好ましい。このように高い結晶性を有する結晶材料で構成した第1のX線光学素子から取り出された特性X線を使用することで、X線検査において0.06゜以下の高い角度分解能を得ることができる。しかも、かかる構成の第1のX線光学素子によれば、例えば、特性X線の高さ寸法を検査位置で100マイクロメータ以下、望ましくは50マイクロメータ以下とすることも可能となる。
集光角度制御部材により特性X線の集光角度を小さくすることで、X線照射ユニットを構成する光学系の球面収差を低減でき、これによりX線の集光面積を小さくすることができる。
上述したX線光学素子により得られた小さな集光角度で高い分解能の集光X線を、さらに集光角度制御部材によってその集光角度を小さく制限して試料に照射するとともに、試料から反射してきたX線を1次元X線検出器や2次元X線検出器で検出する構成とすることで、半導体製造ラインを流れる半導体ウエーハに対して迅速かつ高精度なX線薄膜検査方法を実行することが可能となる。
半導体製造ラインを流れる半導体ウエーハを検査対象の試料とし、上述した構成のX線検査装置を用いて、半導体ウエーハの表面に成膜された薄膜を検査するためのX線薄膜検査方法であって、
半導体ウエーハの表面において画像観察手段により認識できるユニークポイントをあらかじめ設定するとともに、当該ユニークポイントを基準としてX線薄膜検査の被測定部位の位置情報を設定し、次の(a)〜(c)の工程を含むことを特徴とする。
(b) 画像観察手段により認識されたユニークポイントを基準として、被測定部位の位置情報に基づき、位置決め機構を制御して試料台を移動させ、被測定部位を検査位置に位置決めする工程
(c) X線照射ユニットから検査位置に特性X線を集光してX線検査を実行する工程
(i) 試料に対して、測定対象となる結晶格子面を選定する(工程1)。
(ii) 選定した結晶格子面を対象として、試料における基板結晶のブラッグ角に基づき決定した試料表面に対する角度位置に、X線照射ユニットとX線検出器とを配置する(工程2)。
(iii) X線照射ユニットからのX線を試料表面に照射するとともに、試料から反射してくる回折X線の反射角度と強度を、X線検出器によって検出する(工程3)。
(iv) X線検出器が検出した回折X線の反射角度と強度に基づきロッキングカーブを求め、当該ロッキングカーブに関するデータを解析する(工程4)。
(I) 試料に対して、2つの等価な非対称反射の結晶格子面を選定する(工程A)。
(II) 選定した一方の結晶格子面を対象として、試料における基板結晶のブラッグ角に基づき決定した試料表面に対する角度位置に、X線照射ユニットとX線検出器とを配置する(工程B)。
(III) X線照射ユニットからのX線を試料表面に照射するとともに、試料から反射してくる回折X線の反射角度と強度を、X線検出器によって検出する(工程C)。
(IV) 選定した他方の結晶格子面を対象として、試料における基板結晶のブラッグ角に基づき決定した試料表面に対する角度位置に、X線照射ユニットとX線検出器とを配置する(工程D)。
(V) X線照射ユニットからのX線を試料表面に照射するとともに、試料から反射してくる回折X線の反射角度と強度を、X線検出器によって検出する(工程E)。
(VI) X線検出器が検出した回折X線の反射角度と強度に基づきロッキングカーブを求め、当該ロッキングカーブに関するデータを解析する(工程F)。
(VI-I) 試料の基板結晶での回折ピークと、当該試料の薄膜結晶での2つの等価な非対称反射の回折ピークとの角度差を求める(工程F−1)。
(VI-II) 上記(VI-I)の操作で求めた回折ピークの角度差から、試料の薄膜結晶についての格子定数を算出する(工程F−2)。
(VI-III) 試料の薄膜結晶についての既知の弾性定数と算出した格子定数から、薄膜結晶の歪み、薄膜結晶の応力が開放された状態での格子定数、薄膜結晶の組成及び薄膜結晶の応力の少なくとも一つを算出する(工程F−3)。
(VI-IV) 上記(VI-III)の操作で得られた算出結果を出力する(工程F−4)。
X線照射ユニットから試料表面に照射するX線を、集光角度制御部材により2゜以上の集光角度に設定し、当該2゜以上の角度範囲のX線を試料の表面に照射し、
且つ、X線検出器は、1次元X線検出器又は2次元X線検出器で構成し、試料から反射してくる回折X線を当該X線検出器に入射させて、当該回折X線の反射角度と強度を検出する構成とすることが好ましい。
X線照射ユニットから出射した集光X線が、すべての角度範囲で均一な強度であれば問題ないが、実際には僅かながらも強度が不均一となることは否めない。そこで、X線照射ユニットを揺動させることで、入射角度に対するX線強度分布を均一化させ、高精度なロッキングカーブ測定方法を実現することができる。
このように大きな角度範囲でX線照射ユニットとX線検出器とを連動して走査させることで、X線照射ユニットから出射した集光X線の入射角度に対する強度分布が大きい場合や、基板結晶からの回折X線のピーク角度と、薄膜結晶からの回折X線のピーク角度が大きく離れている場合であっても、試料へ照射するX線の強度を均一化させ、高精度なロッキングカーブ測定方法を実現することができる。
〔X線検査装置の基本構成〕
図1はX線検査装置の全体構造を示す斜視図、図2Aは同装置の正面図である。
X線検査装置は、試料台10、位置決め機構20、ゴニオメータ30、X線照射ユニット40、X線検出器50、CCDカメラ等からなる光学顕微鏡60を備えている。
θS軸を中心に旋回する第1の旋回アーム32には、X線照射ユニット40が搭載してある。また、θD軸を中心に旋回する第2の旋回アーム33にはX線検出器50が搭載してある。
X線照射ユニット40からの特性X線が照射される位置が検査位置となり、試料台10の上面に配置された試料の被測定部位は、位置決め機構20によってこの検査位置へ位置決めされる。なお、検査位置は、試料台10に配置された試料の表面と同一平面内に設定される。
試料台10に配置した試料(例えば、半導体ウエーハ)の被測定部位は、位置決め機構20により試料台10を移動させることで、光学顕微鏡60の下方位置に配置される。そして、この位置から検査位置に向かって水平方向へ移動させることで、試料(例えば、半導体ウエーハ)の被測定部位が検査位置に位置決めされる。
χ軸揺動機構は、湾曲ガイド11に対して揺動台12が揺動自在に組み込まれ、図示しない駆動モータからの駆動力をもって、揺動台12が湾曲ガイド11に沿って揺動する構成となっている。揺動台12の上部に設けた試料台10は、揺動台12と一体に揺動する。
次に、X線照射ユニットについて、図3〜図6を参照して詳細に説明する。
図3〜図6に示すX線照射ユニット40は、X線管41と、第1のX線光学素子42と、第2のX線光学素子43と、集光スリット44(スリット部材)とを構成要素として含んでいる。これらの各構成要素は、図示しないユニット本体に内蔵されている。ユニット本体は、第1の旋回アーム32に搭載することができるコンパクトな寸法形状としてある。
なお、集光スリット44は、図6にのみ表示してあり、図3及び図4では省略してある。
特に、ターゲット材料として銅(Cu)を用いれば、後述する第1,第2のX線光学素子42,43により、高い角度分解能を有するCu−Kα1の特性X線のみを取り出すことができる。したがって、このCu−Kα1の特性X線を試料に照射することで、良好なスループットでのX線薄膜検査が実現可能となる。
結晶材料としては、例えば、Ge(1 1 1)やSi(1 1 1)を使用することができる。Ge(1 1 1)を用いた場合は、0.06°以下のロッキングカーブ幅が得られる。また、Si(1 1 1)を用いた場合は、0.02°以下のロッキングカーブ幅が得られる。
また、第1のX線光学素子42は、特定波長の特性X線のみを取り出して単色化する機能を有している。
図7はX線検査装置の制御系を示すブロック図である。
X線照射ユニット40の制御は、XGコントローラ101が実行する。
また、光学顕微鏡60が捉えた試料の画像は、画像認識回路102で画像認識される。これら光学顕微鏡60と画像認識回路102は、試料台10に配置された試料の画像を観察する画像観察手段を構成している。なお、光学顕微鏡60の焦点位置はフォーカスコントローラ103によって調整される。
ゴニオメータ30は、ゴニオコントローラ106によって駆動制御される。
XGコントローラ101、画像認識回路102、フォーカスコントローラ103、位置決めコントローラ104、ゴニオコントローラ106の各構成部は、中央処理装置(CPU)100から送られてくる設定情報に基づいてそれぞれ作動する。ここで、設定情報は、レシピとして、あらかじめ記憶部110に記憶されており、中央処理装置(CPU)100が読み出して上記各構成部に出力する。
また、X線検査装置は、装置の動作に必要な各種設定をオペレータが入力するためのキーボードやマウス等からなる操作部201を備えている。さらに、X線検査装置は、液晶ディスプレイ等で構成された表示部202と、ネットワーク経由してのデータ通信を実行する通信部203とを備えている。
図8は半導体ウエーハを検査対象としたX線薄膜検査方法の実行手順を示すフローチャートである。
記憶部110には、X線薄膜検査を実行するためのソフトウエアがあらかじめ記憶されており、中央処理装置(CPU)100はそのソフトウエアに従い、以下のような処理ステップを実行していく。
ここで、半導体ウエーハの表面には、光学顕微鏡60からの画像情報により画像認識回路102が特定することができるユニークポイントが、レシピとしてあらかじめ記憶部110に設定してある。そして、そのユニークポイントを基準として、被測定部位の位置情報がレシピとしてあらかじめ記憶部110に設定してある。ユニークポイントとしては、例えば、半導体ウエーハの表面に形成される特徴的なパターン形状など、画像認識回路102が判断に迷うことなく認識できる部位を設定する。
以上の各ステップは半導体ウエーハに設定した被測定部位のすべてについて実行され(ステップS5)、すべての被測定部位の検査が終了した後に終了する。
次に、上述した構成のX線検査装置を用いたロッキングカーブ測定の方法について詳細に説明する。
ロッキングカーブ測定方法は、例えば、基板結晶にエピタキシャル成長させた薄膜結晶の格子定数を求める分析手法として知られている。
さらに、本実施形態に係るX線検査装置には、表面と平行でない2つの等価な結晶格子面(すなわち、非対称反射の結晶格子面)を対象としてロッキングカーブ測定方法を実施する手段が組み込まれている。このロッキングカーブ測定手段は、ソフトウエアとして図7の記憶部110に記憶されており、中央処理装置(CPU)100によって実行される。
中央処理装置100は、試料台10に配置された試料Sに対して、2つの非対称反射の結晶格子面をあらかじめ選定し(ステップS10)、各非対称反射の結晶格子面に対して、同図の手順に従ってロッキングカーブ測定方法を実施する。
まず一方の非対称反射の結晶格子面(1 1 5)を対象として、Si基板結晶Soのブラッグ角に基づき決定した試料Sの表面に対する角度α,βの位置に、X線照射ユニット40とX線検出器50を配置する(ステップS11)。
同図に示すロッキングカーブは、縦軸を回折X線の強度、横軸を回折X線の反射角度に設定して、X線検出器50による回折X線の検出データを表示したものである。なお、回折X線の反射角度(横軸)は、Si基板結晶Soの結晶格子面(1 1 5)(-1 -1 5)のそれぞれから反射してきた回折X線のピーク強度Isiが現れる角度を原点0に設定してある。Si基板結晶Soにはひずみが無いので、同じ角度位置に結晶格子面(1 1 5)(-1 -1 5)のそれぞれから反射してきた回折X線のピーク強度Isiが現れる。
同様に、結晶格子面(-1 -1 5)から反射してきた回折X線を観察すると、Si基板結晶Soから反射してきた回折X線のピーク強度IsiからΔβ(-1 -1 5)だけずれた角度に、GeSi薄膜Saから反射してきた回折X線のピーク強度Igeが現れていることがわかる。
なお、Δβ(1 1 5)とΔβ(-1 -1 5)との間にずれ角度が生じるのは、GeSi薄膜Saに歪みが生じていることを示している。
本来、SiとGeSiは同じ立方晶系であるので、それぞれの結晶格子面(1 1 5)や(-1 -1 5)は平行のはずである。しかし、図13に示すように、GeSi薄膜Saの面内方向における結晶格子が、Si基板結晶Soに拘束されてない状態(R−Sa)に対して、Si基板結晶Soに拘束され結晶格子が縮んだ状態(S−Sa)となると、その影響で法線方向に結晶格子が伸び、両者の結晶格子面(1 1 5)や(-1 -1 5)の間に偏差角Δχが生じる。
Δβ(-1 -1 5)=Δθ+Δχ (2)
Δθ=(Δβ(1 1 5)+Δβ(-1 -1 5))/2 (3)
Δχ=−(Δβ(1 1 5)−Δβ(-1 -1 5))/2 (4)
2d×sin(θ+Δθ)=λ (5)
1/d=√{(1/a)2+(1/a)2+(5/c)2} (6)
上式(6)において、未知数は格子定数aとcである。
cosχ0=(0 0 1)(1 1 5)/|(0 0 1)||(1 1 5)|
=5/3√(3) (7)
tan(χ0+Δχ)=(c/5)/√(2a) (8)
したがって、上式(6)と(8)の連立方程式を解くことで、GeSiの面内の格子定数a及び法線方向の格子定数cを算出することができる。
図13に示すように、GeSi薄膜Saの面内方向における結晶格子がSi基板結晶Soに拘束され結晶格子が縮んだ状態(S−Sa)となっているか、あるいはGeSi薄膜Saの面内方向における結晶格子がSi基板結晶Soに拘束されることなく結晶格子が開放された状態(R−Sa)となっているかを判別するには、GeSiの面内の格子定数a及び法線方向の格子定数cを未知数として、これを解析する必要がある。そのために、上述したロッキングカーブ測定手段では、2つの等価な非対称反射の結晶格子面を対象として測定を実施した。
上述したロッキングカーブ測定手段では、X線照射ユニット40と、X線検出器50とを固定してロッキングカーブ測定方法を実施したが、図14A〜図14Cに示すように、X線照射ユニット40は、試料Sの表面と直交しかつ光軸を含む仮想の垂直面内で揺動させて、ロッキングカーブ測定方法を実施する構成とすることもできる。
X線照射ユニット40を揺動させることで、入射角度に対するX線強度分布を均一化させ、高精度なロッキングカーブ測定方法を実現することができる。
この場合は、X線検出器50は、TDIモードによる走査方式をもって、試料から反射してくる回折X線を測定する。TDIモードによる走査方式を採用することで、図15A〜図15Cに示すように、広い角度範囲で高精度なロッキングカーブ測定方法を実施することが可能となる。例えば、集光X線の高角側にある一方の外縁XOL1が、低角側にあるGeSi薄膜Saの回折条件を満たすブラッグ角αGeSiとほぼ一致する角度(図15B)から、集光X線の低角側にある他方の外縁XOL2が、低角側にあるSi基板結晶Soの回折条件を満たすブラッグ角αSiとほぼ一致する角度(図15C)までの広い範囲で走査させることができる。
TDIモードでは、図16に示すように、複数の並列配置されたX線検出器a1、a2、a3、a4を並列方向(図のQ方向)に走査して、X線検出器1個分が移動するタイミングt1、t2、t3、t4で各X線検出器a1、a2、a3、a4から検出データを読み出す。そして、各X線検出器a1、a2、a3、a4の検出データを走査角度2θ1、2θ2、2θ3、2θ4毎に足し合わせて、各走査角度2θ1、2θ2、2θ3、2θ4におけるX線強度を求める。
一般に、TDIモードによる測定は、測定の迅速化とともに各走査角度において大きな検出強度が得られる利点を有している。
次に、上述した構成のX線検査装置を用いた逆格子マップ測定について詳細に説明する。
逆格子マップ測定は、結晶試料における非対称反射の結晶格子面から反射してきた回折X線の、逆格子空間での強度分布を測定する手法である。この逆格子マップ測定によっても、例えば、基板結晶にエピタキシャル成長させた薄膜結晶の格子定数を求めることができる。
図18は逆格子マップの一例を示している。同図の逆格子マップは、横軸を対象の結晶格子面に対するX線の入射角度αとし、縦軸を対象の結晶格子面からの回折X線の反射角度βとして、X線検出器50が検出した回折X線の逆格子空間での強度分布を表示している。
Qx、QzからGeSi薄膜Saの格子定数(a、c)を求める算出式はすでに公知であるので、詳細な説明は省略する。
例えば、上述した実施形態のX線検査装置は、半導体製造ラインを流れる半導体ウエーハを検査対象としていたが、これに限らず、例えば、半導体製造ラインの後工程において半導体素子の微小部位を被測定部位としたX線検査にも適用することが可能である。
Claims (16)
- 検査対象の試料を配置する試料台と、
前記試料台に配置された試料の画像を観察する画像観察手段と、
前記画像観察手段による前記試料の画像観察結果に基づき制御され、前記試料台を水平面上で直交する2方向、高さ方向、および面内回転方向に移動させる位置決め機構と、
前記試料台に配置された試料の表面と同一平面内に含まれる回転軸を中心に、当該試料の表面と垂直な仮想平面に沿ってそれぞれ独立して旋回する第1,第2の旋回部材を含むゴニオメータと、
前記第1の旋回部材に搭載され、前記試料台に配置された試料の表面と同一平面内に設定した検査位置へ特性X線を集光して照射するX線照射ユニットと、
前記第2の旋回部材に搭載されたX線検出器と、
を備え、
前記X線照射ユニットは、
X線を発生するX線管と、
前記X線管から放射されたX線を入射し、特定波長の特性X線のみを取り出すとともに、当該取り出した特性X線を前記検査位置へ集光させるX線光学素子と、を含み、
さらに前記X線光学素子は、
前記試料の表面と直交しかつ光軸を含む仮想の垂直面内で高さが縮小していくように前記特性X線を集光する第1のX線光学素子と、前記仮想の垂直面と直交しかつ光軸を含む仮想の平面内で幅が縮小していくように前記特性X線を集光する第2のX線光学素子と、を含み、
前記第1のX線光学素子は、高い結晶性を有する結晶材料で構成し、
前記第2のX線光学素子は、多層膜ミラーで構成したことを特徴とするX線検査装置。 - 前記第1のX線光学素子は、結晶材料を用いて、且つ固有のロッキング幅が0.06°以下の結晶格子面でX線を反射させるように構成したことを特徴とする請求項1のX線検査装置。
- 前記X線照射ユニットは、前記試料の表面と直交しかつ光軸を含む仮想の垂直面内での前記特性X線の集光角度を制御する集光角度制御部材を含むことを特徴とした請求項1又は2に記載のX線検査装置。
- 前記集光角度制御部材は、前記第1のX線光学素子で集光されてきた特性X線を任意の幅だけ透過させるスリットを有するスリット部材により構成したことを特徴とする請求項3のX線検査装置。
- 前記X線照射ユニットは、前記X線管、前記X線光学素子、および前記スリット部材の各構成要素を、前記第1の旋回部材に搭載して旋回できるユニット本体に内蔵したことを特徴とする請求項4のX線検査装置。
- 前記X線検出器は、1次元X線検出器又は2次元X線検出器で構成することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のX線検査装置
- 基板結晶に薄膜結晶をエピタキシャル成長させた試料に対してロッキングカーブ測定方法を実行するロッキングカーブ測定手段を備えた請求項1乃至6のいずれか一項に記載のX線検査装置であって、
前記ロッキングカーブ測定手段は、次の(i)〜(iv)の操作を実行する機能を有していることを特徴とするX線検査装置。
(i) 前記試料に対して、測定対象となる結晶格子面を選定する。
(ii) 選定した結晶格子面を対象として、前記試料における基板結晶のブラッグ角に基づき決定した試料表面に対する角度位置に、前記X線照射ユニットと前記X線検出器とを配置する。
(iii) 前記X線照射ユニットからのX線を前記試料表面に照射するとともに、前記試料から反射してくる回折X線の反射角度と強度を、前記X線検出器によって検出する。
(iv) 前記X線検出器が検出した回折X線の反射角度と強度に基づきロッキングカーブを求め、当該ロッキングカーブに関するデータを解析する。 - 基板結晶に薄膜結晶をエピタキシャル成長させた試料に対してロッキングカーブ測定方法を実行するロッキングカーブ測定手段を備えた請求項1乃至6に記載のX線検査装置であって、
前記ロッキングカーブ測定手段は、次の(I)〜(VI)の操作を実行する機能を有していることを特徴とするX線検査装置。
(I) 前記試料に対して、2つの等価な非対称反射の結晶格子面を選定する。
(II) 選定した一方の結晶格子面を対象として、前記試料における基板結晶のブラッグ角に基づき決定した試料表面に対する角度位置に、前記X線照射ユニットと前記X線検出器とを配置する。
(III) 前記X線照射ユニットからのX線を前記試料表面に照射するとともに、前記試料から反射してくる回折X線の反射角度と強度を、前記X線検出器によって検出する。
(IV) 選定した他方の結晶格子面を対象として、前記試料における基板結晶のブラッグ角に基づき決定した試料表面に対する角度位置に、前記X線照射ユニットと前記X線検出器とを配置する。
(V) 前記X線照射ユニットからのX線を前記試料表面に照射するとともに、前記試料から反射してくる回折X線の反射角度と強度を、前記X線検出器によって検出する。
(VI) 前記X線検出器が検出した回折X線の反射角度と強度に基づきロッキングカーブを求め、当該ロッキングカーブに関するデータを解析する。 - 前記ロッキングカーブ測定手段は、前記(VI)の操作において、さらに次の(VI-I)〜(VI-IV)の操作を実行する機能を有していることを特徴とする請求項8のX線検査装置。
(VI-I) 前記試料の基板結晶での回折ピークと、当該試料の薄膜結晶での2つの等価な非対称反射の回折ピークとの角度差を求める。
(VI-II) 前記(VI-I)の操作で求めた回折ピークの角度差から、前記試料の薄膜結晶についての格子定数を算出する。
(VI-III) 前記試料の薄膜結晶についての既知の弾性定数と前記算出した格子定数から、薄膜結晶の歪み、薄膜結晶の応力が開放された状態での格子定数、薄膜結晶の組成及び薄膜結晶の応力の少なくとも一つを算出する。
(VI-IV) 前記(VI-III)の操作で得られた算出結果を出力する。 - 前記請求項7又は8のX線検査装置において、
前記X線照射ユニットは、前記試料の表面と直交しかつ光軸を含む仮想の垂直面内での前記特性X線の集光角度を制御する集光角度制御部材を含み、前記X線照射ユニットから前記試料表面に照射するX線を、前記集光角度制御部材により2゜以上の集光角度に設定し、当該2゜以上の角度範囲のX線を前記試料の表面に照射し、
且つ、前記X線検出器は、1次元X線検出器又は2次元X線検出器で構成し、前記試料から反射してくる回折X線を当該X線検出器に入射させて、当該回折X線の反射角度と強度を検出する構成としたことを特徴とするX線検査装置。 - 請求項10のX線検査装置において、
前記X線照射ユニットを、前記試料の表面と直交しかつ光軸を含む仮想の垂直面内で揺動させて、前記試料表面にX線を照射する構成としたことを特徴とするX線検査装置。 - 請求項10のX線検査装置において、
前記X線検出器と、前記X線照射ユニットを、前記試料の表面と直交しかつ光軸を含む仮想の垂直面内で連動して走査させ、TDIモードによる走査方式をもって、前記試料か
ら反射してくる回折X線を測定する構成としたことを特徴とするX線検査装置。 - 半導体製造ラインを流れる半導体ウエーハを検査対象の試料とし、請求項1乃至12のいずれか一項に記載のX線検査装置を用いて、前記半導体ウエーハの表面に成膜された薄膜を検査するためのX線薄膜検査方法であって、
半導体ウエーハの表面において前記画像観察手段により認識できるユニークポイントをあらかじめ設定するとともに、当該ユニークポイントを基準としてX線薄膜検査の被測定部位の位置情報を設定し、
次の(a)〜(c)の工程を含むことを特徴とするX線薄膜検査方法。
(a) 前記試料台に配置された半導体ウエーハに対し、その表面に設定された前記ユニークポイントを前記画像観察手段により認識する工程
(b) 前記画像観察手段により認識されたユニークポイントを基準として、前記被測定部位の位置情報に基づき、前記位置決め機構を制御して前記試料台を移動させ、前記被測定部位を前記検査位置に位置決めする工程
(c) 前記X線照射ユニットから前記検査位置に特性X線を集光してX線検査を実行する工程 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載のX線検査装置を用いて、基板結晶に薄膜結晶をエピタキシャル成長させた試料に対してロッキングカーブを測定する方法であって、次の工程1〜工程4を含むことを特徴とするロッキングカーブ測定方法。
工程1 前記試料に対して、測定対象となる結晶格子面を選定する。
工程2 選定した結晶格子面を対象として、前記試料における基板結晶のブラッグ角に基づき決定した試料表面に対する角度位置に、前記X線照射ユニットと前記X線検出器とを配置する。
工程3 前記X線照射ユニットからのX線を前記試料表面に照射するとともに、前記試料から反射してくる回折X線の反射角度と強度を、前記X線検出器によって検出する。
工程4 前記X線検出器が検出した回折X線の反射角度と強度に基づきロッキングカーブを求め、当該ロッキングカーブに関するデータを解析する。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載のX線検査装置を用いて、基板結晶に薄膜結晶をエピタキシャル成長させた試料に対してロッキングカーブを測定する方法であって、次の工程A〜工程Fの工程を含むことを特徴とするロッキングカーブ測定方法。
工程A 前記試料に対して、2つの等価な非対称反射の結晶格子面を選定する。
工程B 選定した一方の結晶格子面を対象として、前記試料における基板結晶のブラッグ角に基づき決定した試料表面に対する角度位置に、前記X線照射ユニットと前記X線検出器とを配置する。
工程C 前記X線照射ユニットからのX線を前記試料表面に照射するとともに、前記試料から反射してくる回折X線の反射角度と強度を、前記X線検出器によって検出する。
工程D 選定した他方の結晶格子面を対象として、前記試料における基板結晶のブラッグ角に基づき決定した試料表面に対する角度位置に、前記X線照射ユニットと前記X線検出器とを配置する。
工程E 前記X線照射ユニットからのX線を前記試料表面に照射するとともに、前記試料から反射してくる回折X線の反射角度と強度を、前記X線検出器によって検出する。
工程F 前記X線検出器が検出した回折X線の反射角度と強度に基づきロッキングカーブを求め、当該ロッキングカーブに関するデータを解析する。 - 請求項15のロッキングカーブ測定方法において、前記工程Fは、さらに次の工程F−1〜工程F−4を含むことを特徴とするロッキングカーブ測定方法。
工程F−1 前記試料の基板結晶での回折ピークと、当該試料の薄膜結晶での2つの等価な非対称反射の回折ピークとの角度差を求める。
工程F−2 前記工程F−1の操作で求めた回折ピークの角度差から、前記試料の薄膜結晶についての格子定数を算出する。
工程F−3 前記試料の薄膜結晶についての既知の弾性定数と前記算出した格子定数から、薄膜結晶の歪み、薄膜結晶の応力が開放された状態での格子定数、薄膜結晶の組成及び薄膜結晶の応力の少なくとも一つを算出する。
工程F−4 前記工程F−3で得られた算出結果を出力する。
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