JP7210065B2 - 透過型小角散乱装置 - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims description 52
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 66
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 67
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 30
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/201—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials by measuring small-angle scattering
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
- G01N23/20016—Goniometers
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
- G01N23/20025—Sample holders or supports therefor
-
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/05—Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection
- G01N2223/054—Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection small angle scatter
-
- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
- G01N2223/307—Accessories, mechanical or electrical features cuvettes-sample holders
-
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
- G01N2223/309—Accessories, mechanical or electrical features support of sample holder
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
- G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
- G01N2223/3306—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts object rotates
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
- G01N2223/6116—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices semiconductor wafer
Description
このような縦型の配置構造とすることで、比較的狭い面積の床面にも設置することができる。
このように各アーム部材を畳むことにより、全長を短くしてコンパクトな形態とすることができる。
さらに、試料保持枠の内周縁には、複数箇所から吸着支持片を内側へ突き出して設け、これら吸着支持片によって試料の外周縁部の一部分を吸着支持する構成としてもよい。
しかも、吸着支持片によって支持された一部の微小領域を除く試料のほぼ全域に対し、X線照射ユニットからのX線をX線透過孔を通して照射できるため、測定可能領域を広く確保することができる。
この構成によれば、くさび状に組み合わされた案内部材と摺動部材との間は常にがたつくことなく摺接状態を保っているので、試料保持部を正確に上下方向へ移動させて所望の高さ位置へ位置決めすることができる。
筐体要素部材を筐体本体に重ねて畳んだ状態とすることで、高さ寸法の小さいコンパクトな形態を形成でき、外部筐体の運搬作業や設置作業がきわめて容易となる。
10:ゴニオメータ、11:旋回アーム、12:第1アーム部材、13:第2アーム部材、14:第3アーム部材、12a,13a:案内レール、15:下部保持部材、16:上部保持部材、17:支持部材
20:X線照射ユニット、21:X線管、22:集光ミラー、23:アパーチャ、24:ガードスリット、25:スリット
30:二次元X線検出器、31:ダイレクトビームストッパ、32:真空パス、
35:光学顕微鏡、36:レーザ傾き測定器、36a:レーザ光源、36b:レーザ検出器、37:移動テーブル、
40:試料ステージ、41:枠体、42:試料保持部、43:空洞、50:基枠、51:X軸移動枠、52:χ軸旋回台、52a:軸受、53:Y軸移動台、54:Z軸駆動台、55:Z軸移動台、56:試料保持枠、57:X線透過孔、58:吸着支持片、59:真空ノズル、60:回転ガイド部、61:回転支持部、62:支持ローラ、63:従動側プーリ、64:面内回転用駆動モータ、65:駆動側プーリ、66:駆動ベルト、67:X軸駆動用モータ、68:ボールねじ、69:ねじ軸、70:ナット部材、71:案内レール、72:スライダ、73:軸受、74:揺動支軸、75:Y軸駆動用モータ、76:ボールねじ、77:ねじ軸、78:軸受、79:ナット部材、80:Z軸駆動用モータ、81:案内部材、82:摺動部材、83:案内レール、84:スライダ、85:χ軸駆動用モータ、86:駆動力伝達ベルト、87:ウォーム、88:ウォームホイール、89:駆動側プーリ、90:従動側プーリ、91:案内レール、92:スライダ、93:案内レール、94:スライダ、95:ボールねじ、96:ナット部材、
100:中央処理装置、101:X線照射コントローラ、102:画像認識回路、103:フォーカスコントローラ、104:位置決めコントローラ、105:ゴニオコントローラ、106:記憶部、107:検出制御回路、110:試料位置決め機構、
200:外部筐体、201:筐体本体、202,203:筐体要素部材、210,211:案内レール、220:遮蔽パネル、
300:ファンフィルターユニット、310:基板搬送装置(EFEM)、320:電装部
〔概要〕
まず、本発明の実施形態に係る透過型小角散乱装置の概要を説明する。
試料にX線ビームを照射したときに、X線ビームの進行方向の近傍の小さな角度領域(小角領域)でX線が散乱する。この散乱を小角散乱と称し、これを測定することにより物質に関する粒径や周期構造などを知ることができる。さらに近年においては、この小角散乱測定により、半導体デバイスを形成する薄膜に対して種々の情報を得るための分析手法の開発が進められている。
この小角散乱を測定するための装置が、小角散乱装置である。
これに対し、本実施形態に係る透過型小角散乱装置は、半導体製造ラインが構築されたクリーンルーム内の制限された面積の床面にも設置可能とするために、X線源と二次元X線検出器とを上下方向に配置した縦型の構造となっている。
〔全体構造〕
図1Aは、本発明の実施形態に係る透過型小角散乱装置の全体構造を模式的に示す側面構成図、図1Bは、同じく正面構成図である。また、図2および図3は、透過型小角散乱装置の外観をそれぞれ異なる方向から見た斜視図である。
試料Sは、試料位置決め機構によって、光学顕微鏡35の下方位置へ移動することができる。
次に、図4および図5を主に参照して、ゴニオメータの旋回アームと、それに搭載される各構成要素の詳細構造を説明する。
図4は、本実施形態に係る透過型小角散乱装置を構成するゴニオメータの旋回アームと、その旋回アームに搭載された構成要素の外観を示す斜視図である。図5は、図4に示したゴニオメータの旋回アームを畳んで全長を短くした状態を示す斜視図である。
この第1アーム部材12に対して、第2アーム部材13が長手方向にスライドするとともに、第2アーム部材13に対して第3アーム部材14が長手方向にスライドして、図5に示すように、各アーム部材12,13,14が重なり合って畳まれる構造としてある。
このように各アーム部材12,13,14を畳むことにより、全長を短くしてコンパクトな形態とすることができる。
旋回アーム11を図5に示すコンパクトな形態にすることで、搬送作業や現場での据付け作業がきわめて容易となり、その作業に要する作業時間の短縮と労力の軽減を実現することができる。
この真空パス32は、内部が密閉されて真空状態を形成しており、両端面は、X線吸収率は小さいカーボン、ボロンカーバイド、カプトンなどの材料で形成してある。これにより、試料Sを透過してきたX線および散乱X線を透過するとともに、空気散乱の発生を防止することができる。
図6は、X線照射ユニットと二次元X線検出器との間に構成される光学系を模式的に示す図である。
X線照射ユニット20は、X線管21と、集光ミラー22と、アパーチャ23とを構成要素に含んでいる。また、試料Sの手前にはガードスリット24が配置される。
集光ミラー22は、二次元X線検出器30の検出面に焦点が合うように調整され、焦点において縦横100μm以下、好ましくは50μm以下の矩形スポットにX線を集光させる機能を有している。
通常のスリットは、X線が当たると寄生散乱が発生してバックグラウンドが大きくなる欠点がある。これに対してゲルマニウムの単結晶で形成されたガードスリット24は、寄生散乱を低減でき、バックグラウンドを抑制することができる。
なお、集光ミラー22とガードスリット24の間に、さらにX線の断面積を絞るためのスリット25を配置してもよい。
次に、図7~図12を主に参照して、試料ステージの詳細構造を説明する。
図7は、本実施形態に係る透過型小角散乱装置を構成する試料ステージの外観を示す斜視図である。図8は、試料を支持する試料保持部を拡大して示す平面図、図9~図11は、試料位置決め機構を説明するために試料ステージのそれぞれ異なる部位を注目して見た斜視図、図12は、試料ステージの縦断面図である。
試料位置決め機構は、試料保持部42に支持された試料Sを面内回転(φ回転)させるための面内回転機構と、試料保持部42に支持された試料Sの表面と平行な前後方向(Y軸方向)に、試料保持部42を移動させるためのY軸移動機構と、試料保持部42に支持された試料Sの表面と平行な横方向(X軸方向)に、試料保持部42を移動するためのX軸移動機構と、試料保持部42に支持された試料Sの表面と垂直な上下方向(Z軸方向)に、試料保持部42を移動するためのZ軸移動機構と、試料保持部42をχ軸周りに揺動させるχ軸揺動機構と、を含んでいる。
試料Sは、これら吸着支持片58の上面に外周縁部の一部分が配置され、これら吸着支持片58の上面に真空吸着される。なお、各吸着支持片58の上面には、真空ノズル59が開口しており、図示しない真空吸引装置により真空ノズル59は真空吸引される。
試料保持部42を構成する試料保持枠56は、円形の外周縁部に回転ガイド部60が形成してあり、この回転ガイド部60がZ軸移動台55の上面の複数箇所(図では4箇所)に設けた回転支持部61により、面内回転自在に支持されている。各回転支持部61は、上下一対の支持ローラ62によって回転ガイド部60を上下方向から支持している。
X軸移動枠51は、X軸移動機構を介して基枠50の上に搭載されている。
X軸移動機構は、X軸駆動用モータ67と、ボールねじ68と、案内レール71と、スライダ72とを含んでいる。
基枠50には、X軸駆動用モータ67と、ボールねじ68のねじ軸69と、案内レール71とが設置してある。
案内レール71はX軸方向に延びており、この案内レール71に沿ってスライダ72が移動自在となっている。案内レール71は、基枠50の両端部にそれぞれ設置してあり、各案内レール71に組み合わされたスライダ72が、X軸移動枠51を移動自在に支持している。
ねじ軸69には、ナット部材70が噛み合わされており、ねじ軸69の回転に伴い、ナット部材70がX軸方向に移動する。ナット部材70は、X軸移動枠51に固定され、ナット部材70と一体にX軸移動枠51がX軸方向に移動する。
ねじ軸77には、ナット部材79が噛み合わされており、ねじ軸77の回転に伴い、ナット部材79がY軸方向に移動する。ナット部材79は、Y軸移動台53に固定され、ナット部材79と一体にY軸移動台53がY軸方向に移動する。
Y軸移動台53の上には、Y軸方向に延びる案内レール93が設置してあり、その案内レール93にスライダ94が組み合わされている(図12参照)。Z軸駆動台54は、そのスライダ94に支持されてY軸移動台53の上に搭載されている。
そして、図12に示すナット部材96がそのねじ軸に噛み合わされており、当該ねじ軸の回転に伴い、ナット部材96がY軸方向に移動する。ナット部材96は、Z軸駆動台54に固定され、当該ナット部材96と一体にZ軸駆動台54がY軸方向に移動する。
案内部材81は、Z軸駆動台54の両端部にそれぞれ設置してある。それらの各案内部材81に組み合わされた摺動部材82は、Z軸移動台55の底面に固定されている。
くさび状に組み合わされた案内部材81と摺動部材82との間は常にがたつくことなく摺接状態を保っているので、試料保持部42を正確に上下方向へ移動させて所望の高さ位置へ位置決めすることができる。
χ軸揺動機構は、X軸移動枠51とχ軸旋回台52との間に組み込まれている。すなわち、χ軸揺動機構は、χ軸駆動用モータ85と、駆動力伝達ベルト86と、ウォーム87およびウォームホイール88とを含んでいる。
扇形のウォームホイール88は、X軸移動枠51の一端部に設けられた軸受52aの下方位置に設けられ、そのピッチ円は軸受52aに支持された揺動支軸74の同一軸上に位置決めされている。
図13は、本実施形態に係る透過型小角散乱装置を外部筐体で覆った状態を示す斜視図である。図15Aは同じく左側面図、図15Bは同じく平面図、図16は同じく縦断面図である。図14は、外部筐体を畳んだ状態を示す斜視図である。
一般に、X線を使用する透過型小角散乱装置は、X線に対する防護のために、外部筐体により周囲を覆った状態で据え付けられる。
具体的には、図15Aおよび図15Bに示すように、筐体本体201に対して中段の筐体要素部材202は、案内レール210に沿って上下方向に移動自在となっており、さらに筐体要素部材202に対して上段の筐体要素部材203が、案内レール211に沿って上下方向に移動自在となっている。
そして、図示しない駆動モータからの駆動力を、図示しない駆動機構を介して各筐体要素部材202、203に伝達して、これら各筐体要素部材202,203を上下方向に駆動する構成としてある。
外部筐体200は重量物のため、筐体本体201に対して各筐体要素部材202,203を分解する構造では、分解・組立て作業が煩雑となるが、上述したように駆動モータによる駆動力をもって筐体要素部材202、203を上下方向へ駆動する構造とすることで、現場での分解・組立て作業が必要なくなり、現場での設置作業や撤去作業がいっそう容易となる。
遮蔽パネル220は、ファンフィルターユニット300からのエアーの上方への流動を遮り、半導体ウェハとその周辺に対するエアーの効率的かつ経済的な供給を実現している。
図17は、本実施形態に係る透過型小角散乱装置を組み込んだ半導体検査装置の外観を示す斜視図である。
同図に示すように、透過型小角散乱装置の周囲を覆う外部筐体200の外側には、上述したファンフィルターユニット300の他、基板搬送装置(EFEM)310や、電装部320が併設されて、半導体検査装置が構築される。
また、電装部320には、透過型小角散乱装置への電力供給用の電源や、同装置を制御するためのコンピュータが設置されている。
さらに、半導体検査装置は、図示しないユーティリティ供給のための設備を備えている。
これらの構成により、本実施形態に係る透過型小角散乱装置を組み込んだ半導体検査装置は、半導体ウェハを自動搬送し、半導体製造工程の途中でインラインによる自動測定の実施を実現している。
図18は本実施形態に係る透過型小角散乱装置の制御系を示すブロック図である。
X線照射ユニット20の制御は、X線照射コントローラ101が実行する。
また、光学顕微鏡35が捉えた試料Sの画像は、画像認識回路102で画像認識される。これら光学顕微鏡35と画像認識回路102は、試料保持部42に配置された試料Sの画像を観察する画像観察手段を構成している。なお、光学顕微鏡35の焦点位置はフォーカスコントローラ103によって調整される。
X線照射コントローラ101、画像認識回路102、フォーカスコントローラ103、位置決めコントローラ104、ゴニオコントローラ105の各構成部は、中央処理装置100から送られてくる設定情報に基づいてそれぞれ作動する。ここで、設定情報はレシピとしてあらかじめ記憶部106に記憶されており、中央処理装置100が読み出して上記各構成部に出力する。
二次元X線検出器30は、検出制御回路107によって制御される。
図19は、上述した構成の本実施形態に係る透過型小角散乱装置による測定動作の実行手順を示すフローチャートである。
ここでは、半導体デバイスの回路パターンが形成された半導体ウェハを試料Sとした場合の測定動作について説明する。
ここで、記憶部106には、半導体ウェハの表面に形成されているユニークポイントが、レシピとしてあらかじめ記憶してある。ユニークポイントとしては、例えば、半導体ウェハの表面に形成される特徴的なパターン形状など、光学顕微鏡35からの画像情報により画像認識回路102が判断に迷うことなく認識できる部位が設定される。
ここで、例えば、半導体ウェハの表面に形成された深穴のチルト角の解析などの形状解析測定を実施する場合は、ゴニオメータ10の旋回アーム11を駆動するか、またはχ軸揺動機構により半導体ウェハを揺動して、半導体ウェハに対するX線の光軸角度を変更することで、深穴のチルト角などの形状解析を実行することができる。
半導体デバイスは、通常、半導体ウェハ上に形成され、測定対象となる散乱体が半導体ウェハの主面に平行な方向に周期的に配列している。
測定対象としては、半導体デバイスを構成する微細なホールやピラーが挙げられる。
半導体デバイスは、微細化・高集積化が日進月歩で進化しており、ホールやピラーの径が数十nm、深さ(高さ)が数μmと、極めて微細かつ高アスペクトになるケースがある。このような構造に対し、本実施形態に係る透過型小角散乱装置を用いることで、これらホールやピラーの正確な三次元形状を特定することができる。
図20Aに示すように、ゴニオメータ10の旋回アーム11に、二次元X線検出器30とともにレーザ傾き測定器36を併設する。これら二次元X線検出器30とレーザ傾き測定器36は、横方向に移動する移動テーブル37に搭載してある。
そして、図示しない駆動モータの駆動力をもって移動テーブル37が横方向に移動して、X線照射ユニット20から出射されるX線の光軸Oと対向する位置に、二次元X線検出器30とレーザ傾き測定器36のいずれか一方を切り替えて配置できる構造となっている。
半導体ウェハの表面傾き調整により、半導体ウェハに形成されたホールやピラーの、半導体ウェハの表面に対する位置関係(傾き)を測定することが可能となり、デバイス形状に関する有益な情報を得ることができる。
この後、図19のフローチャートに従い、小角散乱測定を実行していく。
図20Bに示す構成では、レーザ傾き測定器36を光学顕微鏡35と並べて設置してある。半導体ウェハ表面の傾きを測定するには、試料ステージ40のY軸移動機構やX軸移動機構を駆動して、試料保持部42に支持した半導体ウェハ(試料S)を、レーザ傾き測定器36の下方位置まで移動させる。
レーザ傾き測定器36は、半導体ウェハの表面にレーザ光源36aからのレーザ光を照射し、同表面から反射してきたレーザ光をレーザ検出器36bにより検出することで、半導体ウェハの表面の傾きを測定できる機能を有している。
ここで、レーザ傾き測定器36は、例えば、あらかじめ水平面を基準とした傾きを測定できるようにレーザ光源36aおよびレーザ検出器36bの位置を調整しておけば、水平面または鉛直軸に対する半導体ウェハ表面の傾きを測定することができる。
例えば、旋回アームは、図4に示したように3つのアーム部材12,13,14による構成に限定されるものではなく、2または4つ以上のアーム部材で構成することもできる。
Claims (6)
- 検査対象となる試料を配置する試料保持部と、
前記試料保持部を移動させる試料位置決め機構と、
旋回アームを含むゴニオメータと、
前記旋回アームに搭載されたX線照射ユニットと、
前記旋回アームに搭載された二次元X線検出器とを備え、
前記旋回アームは、鉛直方向の配置状態を原点として、当該原点から水平方向に延びるθ軸周りに回動自在であり、
前記X線照射ユニットは、前記旋回アームの下側端部に搭載され、
前記二次元X線検出器は、前記旋回アームの上側端部に搭載されており、
前記試料保持部に配置された試料に対して、前記X線照射ユニットから出射した収束X線を下方から照射するとともに、当該試料を透過した収束X線の周囲に生じた散乱X線を前記二次元X線検出器が前記試料の上方位置で検出することを特徴とする透過型小角散乱装置。 - 前記旋回アームは、複数のアーム部材によって構成してあり、そのうち一つのアーム部材が前記ゴニオメータのθ回転軸に固定されており、当該θ回転軸に固定されたアーム部材に対し、他のアーム部材がスライドして重なり合う構成としたことを特徴とする請求項1に記載の透過型小角散乱装置。
- 前記試料保持部は、試料保持枠の内側に形成され、
前記試料保持枠の内側はX線透過孔となっており、このX線透過孔に対面する状態で前記試料を支持する構成であることを特徴とする請求項1又は2に記載の透過型小角散乱装置。 - 前記試料保持枠の内周縁には、複数箇所から吸着支持片が内側へ突き出しており、これら吸着支持片によって前記試料の外周縁部の一部分を吸着支持する構成であることを特徴とする請求項3に記載の透過型小角散乱装置。
- 前記試料位置決め機構は、前記試料保持部に支持された試料を面内回転させるための面内回転機構と、前記試料保持部を前後方向に移動させるためのY軸移動機構と、前記試料保持部を横方向に移動するためのX軸移動機構と、前記試料保持部を上下方向に移動するためのZ軸移動機構と、前記試料保持部を揺動させる揺動機構とを含み、
前記Z軸移動機構は、くさび状に組み合わされた案内部材と摺動部材とを含み、前記案内部材が一方向に移動することで前記摺動部材を押し上げ、前記案内部材が逆方向に移動することで前記摺動部材を下降させる構成であって、当該摺動部材とともに前記試料保持部を上下方向に移動させることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の透過型小角散乱装置。 - 周囲を覆うための外部筐体を備えた透過型小角散乱装置であって、
前記外部筐体は、筐体本体と、一または複数の筐体要素部材とを含み、前記筐体本体に対して前記筐体要素部材が上下方向に移動自在であり、
前記筐体要素部材を前記筐体本体と重ねて畳んだ形態と、前記筐体要素部材を前記筐体本体から引き延ばした形態とを形成することを特徴とした請求項1乃至5のいずれか一項に記載の透過型小角散乱装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022210972A JP7401130B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-12-27 | 透過型小角散乱装置 |
JP2022210973A JP7401131B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-12-27 | 透過型小角散乱装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019065112 | 2019-03-28 | ||
JP2019065112 | 2019-03-28 | ||
PCT/JP2020/000234 WO2020194986A1 (ja) | 2019-03-28 | 2020-01-08 | 透過型小角散乱装置 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022210972A Division JP7401130B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-12-27 | 透過型小角散乱装置 |
JP2022210973A Division JP7401131B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-12-27 | 透過型小角散乱装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020194986A1 JPWO2020194986A1 (ja) | 2020-10-01 |
JP7210065B2 true JP7210065B2 (ja) | 2023-01-23 |
Family
ID=72609717
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021508782A Active JP7210065B2 (ja) | 2019-03-28 | 2020-01-08 | 透過型小角散乱装置 |
JP2022210972A Active JP7401130B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-12-27 | 透過型小角散乱装置 |
JP2022210973A Active JP7401131B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-12-27 | 透過型小角散乱装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022210972A Active JP7401130B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-12-27 | 透過型小角散乱装置 |
JP2022210973A Active JP7401131B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-12-27 | 透過型小角散乱装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11754515B2 (ja) |
JP (3) | JP7210065B2 (ja) |
KR (2) | KR102650008B1 (ja) |
CN (1) | CN113631913A (ja) |
DE (1) | DE112020001594T5 (ja) |
IL (1) | IL286449B2 (ja) |
TW (2) | TWI808308B (ja) |
WO (1) | WO2020194986A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7458935B2 (ja) * | 2020-08-26 | 2024-04-01 | キオクシア株式会社 | 計測装置、及び、計測方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004177248A (ja) | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Rigaku Corp | X線分析装置 |
JP2005221363A (ja) | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Rigaku Corp | X線分析用試料支持装置及びx線分析装置 |
JP2005221362A (ja) | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Rigaku Corp | X線分析装置及び試料分析システム |
WO2007026461A1 (ja) | 2005-08-29 | 2007-03-08 | Rigaku Corporation | 縦横小角x線散乱装置及び小角x線散乱の測定方法 |
US20170307548A1 (en) | 2016-04-22 | 2017-10-26 | Kla-Tencor Corporation | Beam Shaping Slit For Small Spot Size Transmission Small Angle X-Ray Scatterometry |
WO2018016430A1 (ja) | 2016-07-16 | 2018-01-25 | 株式会社リガク | 複合検査システム |
JP2018028470A (ja) | 2016-08-18 | 2018-02-22 | 株式会社リガク | X線回折装置 |
US20180113084A1 (en) | 2016-10-21 | 2018-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Calibration Of A Small Angle X-Ray Scatterometry Based Metrology System |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5116014B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2013-01-09 | 株式会社リガク | 小角広角x線測定装置 |
EP2326941B1 (de) * | 2008-09-24 | 2014-09-17 | GE Sensing & Inspection Technologies GmbH | Vorrichtung zur materialprüfung von prüfobjekten mittels röntgenstrahlung |
US9606073B2 (en) * | 2014-06-22 | 2017-03-28 | Bruker Jv Israel Ltd. | X-ray scatterometry apparatus |
KR102144281B1 (ko) * | 2014-10-14 | 2020-08-13 | 가부시키가이샤 리가쿠 | X선 박막 검사 장치 |
WO2016092614A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置、表示装置、及び欠陥分類装置 |
US10684238B2 (en) | 2016-01-11 | 2020-06-16 | Bruker Technologies Ltd. | Method and apparatus for X-ray scatterometry |
US10876978B2 (en) | 2016-07-15 | 2020-12-29 | Rigaku Corporation | X-ray inspecting device, X-ray thin film inspecting method, and method for measuring rocking curve |
US11047806B2 (en) | 2016-11-30 | 2021-06-29 | Kla-Tencor Corporation | Defect discovery and recipe optimization for inspection of three-dimensional semiconductor structures |
JP2018132491A (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 株式会社コベルコ科研 | 検査装置、検査システム、および検査方法 |
KR102311459B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2021-10-13 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 프로그램 |
US11073487B2 (en) | 2017-05-11 | 2021-07-27 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for characterization of an x-ray beam with high spatial resolution |
US10634628B2 (en) * | 2017-06-05 | 2020-04-28 | Bruker Technologies Ltd. | X-ray fluorescence apparatus for contamination monitoring |
CN109387531B (zh) * | 2018-10-31 | 2022-11-15 | 宁波英飞迈材料科技有限公司 | 一种衍射消光摇摆曲线成像测量装置和方法 |
-
2020
- 2020-01-08 DE DE112020001594.7T patent/DE112020001594T5/de active Pending
- 2020-01-08 CN CN202080024801.5A patent/CN113631913A/zh active Pending
- 2020-01-08 IL IL286449A patent/IL286449B2/en unknown
- 2020-01-08 KR KR1020217030910A patent/KR102650008B1/ko active IP Right Grant
- 2020-01-08 US US17/442,169 patent/US11754515B2/en active Active
- 2020-01-08 KR KR1020247008987A patent/KR20240042152A/ko unknown
- 2020-01-08 JP JP2021508782A patent/JP7210065B2/ja active Active
- 2020-01-08 WO PCT/JP2020/000234 patent/WO2020194986A1/ja active Application Filing
- 2020-02-24 TW TW109105789A patent/TWI808308B/zh active
- 2020-02-24 TW TW112121553A patent/TW202340710A/zh unknown
-
2022
- 2022-12-27 JP JP2022210972A patent/JP7401130B2/ja active Active
- 2022-12-27 JP JP2022210973A patent/JP7401131B2/ja active Active
-
2023
- 2023-07-31 US US18/228,021 patent/US20230384248A1/en active Pending
- 2023-07-31 US US18/228,024 patent/US20230375485A1/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004177248A (ja) | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Rigaku Corp | X線分析装置 |
JP2005221363A (ja) | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Rigaku Corp | X線分析用試料支持装置及びx線分析装置 |
JP2005221362A (ja) | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Rigaku Corp | X線分析装置及び試料分析システム |
WO2007026461A1 (ja) | 2005-08-29 | 2007-03-08 | Rigaku Corporation | 縦横小角x線散乱装置及び小角x線散乱の測定方法 |
US20170307548A1 (en) | 2016-04-22 | 2017-10-26 | Kla-Tencor Corporation | Beam Shaping Slit For Small Spot Size Transmission Small Angle X-Ray Scatterometry |
WO2018016430A1 (ja) | 2016-07-16 | 2018-01-25 | 株式会社リガク | 複合検査システム |
JP2018028470A (ja) | 2016-08-18 | 2018-02-22 | 株式会社リガク | X線回折装置 |
US20180113084A1 (en) | 2016-10-21 | 2018-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Calibration Of A Small Angle X-Ray Scatterometry Based Metrology System |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
X線・中性子小角散乱で何がわかるか?,SPring-8産業利用研究会(第26回)-放射光X線による金属材料評価技術-,日本,2008年12月09日 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113631913A (zh) | 2021-11-09 |
DE112020001594T5 (de) | 2021-12-23 |
TW202340710A (zh) | 2023-10-16 |
IL286449B1 (en) | 2023-11-01 |
WO2020194986A1 (ja) | 2020-10-01 |
KR20210144723A (ko) | 2021-11-30 |
JP2023052136A (ja) | 2023-04-11 |
JPWO2020194986A1 (ja) | 2020-10-01 |
TWI808308B (zh) | 2023-07-11 |
KR102650008B1 (ko) | 2024-03-22 |
TW202037909A (zh) | 2020-10-16 |
IL286449B2 (en) | 2024-03-01 |
JP2023033347A (ja) | 2023-03-10 |
US20230384248A1 (en) | 2023-11-30 |
KR20240042152A (ko) | 2024-04-01 |
JP7401130B2 (ja) | 2023-12-19 |
US20220170869A1 (en) | 2022-06-02 |
IL286449A (en) | 2021-12-01 |
JP7401131B2 (ja) | 2023-12-19 |
US11754515B2 (en) | 2023-09-12 |
US20230375485A1 (en) | 2023-11-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211220 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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