JP6822609B1 - 熱電変換素子モジュールおよび熱電変換素子モジュールの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1に係る熱電変換素子モジュール100の断面図である。熱電変換素子モジュール100は、第1絶縁基板10と、第1絶縁基板10の上方に設けられた第2絶縁基板20とを有する。第1絶縁基板10と第2絶縁基板20は対向する。
図3は、実施の形態2に係る熱電変換素子モジュール200の断面図である。熱電変換素子モジュール200は、第1絶縁基板210aと第2絶縁基板220aを備える。第1絶縁基板210aと第2絶縁基板220aの間には、実施の形態1と同様に、電極41a〜41d、電極42a〜42c、n型熱電素子31a〜31cおよびp型熱電素子32a〜32cにより電気回路が形成される。
図4は、実施の形態3に係る熱電変換素子モジュール300の断面図である。本実施の形態では、第1絶縁基板10の下に第1金属層311が設けられる。第1金属層311の下には第1絶縁層12が設けられる。また、第2絶縁基板20の上に第2金属層321が設けられる。第2金属層321の上には第2絶縁層22が設けられる。これ以外の構成は、実施の形態1と同様である。このように、第1絶縁基板10および第2絶縁基板20には、メタライズが施されていても良い。
Claims (7)
- 第1絶縁基板と、
前記第1絶縁基板の上方に設けられた第2絶縁基板と、
前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に設けられたn型熱電素子と、
前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に設けられたp型熱電素子と、
前記第2絶縁基板のうち前記第1絶縁基板と対向する面である裏面に設けられ、前記n型熱電素子の上端側と前記p型熱電素子の上端側とを電気的に接続する第1電極と、
前記第1絶縁基板の上面に設けられ、前記n型熱電素子の下端側と電気的に接続された第2電極と、
前記第1絶縁基板の前記上面に設けられ、前記p型熱電素子の下端側と電気的に接続された第3電極と、
前記第1絶縁基板の下に設けられた第1金属層と、
前記第1電極と前記第2電極と前記第3電極とを露出させるように、前記第1金属層の下に設けられた第1絶縁層と、
前記第2絶縁基板の上に設けられた第2金属層と、
前記第1電極と前記第2電極と前記第3電極とを露出させるように、前記第2金属層の上に設けられた第2絶縁層と、
を備えることを特徴とする熱電変換素子モジュール。 - 前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板はセラミック基板であり、
前記第1絶縁層と前記第2絶縁層は不焼成であることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換素子モジュール。 - 前記第1絶縁層の焼成温度は、前記第1絶縁基板の焼成温度以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の熱電変換素子モジュール。
- 前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板は、グリーンシートから形成されることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の熱電変換素子モジュール。
- 前記第1絶縁層と前記第2絶縁層は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化チタンまたは非導電性の有機材料から形成されることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の熱電変換素子モジュール。
- 第1絶縁基板と、
前記第1絶縁基板の上方に設けられた第2絶縁基板と、
前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に設けられたn型熱電素子と、
前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に設けられたp型熱電素子と、
前記第2絶縁基板のうち前記第1絶縁基板と対向する面である裏面に設けられ、前記n型熱電素子の上端側と前記p型熱電素子の上端側とを電気的に接続する第1電極と、
前記第1絶縁基板の上面に設けられ、前記n型熱電素子の下端側と電気的に接続された第2電極と、
前記第1絶縁基板の前記上面に設けられ、前記p型熱電素子の下端側と電気的に接続された第3電極と、
前記第1絶縁基板の下に設けられた第1金属層と、
前記第1金属層の下に設けられた第1絶縁層と、
前記第2絶縁基板の上に設けられた第2金属層と、
前記第2金属層の上に設けられた第2絶縁層と、
前記第1絶縁層の下に設けられた第3絶縁基板と、
前記第3絶縁基板の下に設けられた第3絶縁層と、
前記第2絶縁層の上に設けられた第4絶縁基板と、
前記第4絶縁基板の上に設けられた第4絶縁層と、
を備えることを特徴とする熱電変換素子モジュール。 - 第1絶縁基板と前記第1絶縁基板の上方に設けられた第2絶縁基板との間にn型熱電素子とp型熱電素子とを設け、前記第2絶縁基板のうち前記第1絶縁基板と対向する面である裏面に設けられた第1電極で前記n型熱電素子の上端側と前記p型熱電素子の上端側とを電気的に接続し、前記第1絶縁基板の上面に設けられた第2電極と前記n型熱電素子の下端側とを電気的に接続し、前記第1絶縁基板の前記上面に設けられた第3電極と前記p型熱電素子の下端側とを電気的に接続し、
前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板とを焼成した後に、前記第1電極と前記第2電極と前記第3電極とを露出させるように前記第1絶縁基板の下に第1絶縁層を設け、前記第1電極と前記第2電極と前記第3電極とを露出させるように前記第2絶縁基板の上に第2絶縁層を設けることを特徴とする熱電変換素子モジュールの製造方法。
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