JP6821801B2 - Ｃｏｂ表示モジュール及びその製造方法、ｌｅｄデバイス及びその製造方法 - Google Patents

Ｃｏｂ表示モジュール及びその製造方法、ｌｅｄデバイス及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6821801B2
JP6821801B2 JP2019521739A JP2019521739A JP6821801B2 JP 6821801 B2 JP6821801 B2 JP 6821801B2 JP 2019521739 A JP2019521739 A JP 2019521739A JP 2019521739 A JP2019521739 A JP 2019521739A JP 6821801 B2 JP6821801 B2 JP 6821801B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flow path
display module
light
light emitting
packaging adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019521739A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019533905A (ja
Inventor
▲伝▼▲標▼ ▲劉▼
▲伝▼▲標▼ ▲劉▼
▲曉▼▲鋒▼ ▲劉▼
▲曉▼▲鋒▼ ▲劉▼
峰 ▲顧▼
峰 ▲顧▼
快 秦
快 秦
Original Assignee
佛山市国星光▲電▼股▲フン▼有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 佛山市国星光▲電▼股▲フン▼有限公司 filed Critical 佛山市国星光▲電▼股▲フン▼有限公司
Publication of JP2019533905A publication Critical patent/JP2019533905A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6821801B2 publication Critical patent/JP6821801B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は光電デバイスの製造分野に属し、具体的に、ＣＯＢ表示モジュール及びその製造方法に関し、ＬＥＤデバイス及びその製造方法に関する。
ＣＯＢ技術（Ｃｈｉｐ−ｏｎ−Ｂｏａｒｄ）は「フリップチップパッケージ技術」とも呼ばれ、ＬＥＤチップを配線板に載置して、次にワイヤボンディングを行い、さらにパッケージ接着剤でＬＥＤチップとリード線を封止して保護するプロセスである。ＬＥＤデバイスを分立することにより集積されたＳＭＤ技術に比べて、ＣＯＢ技術は表示モジュールまたはディスプレイの画素点間隔を効果的に縮小し、解像度を向上させることができ、また製造プロセスを簡略化し、パッケージ及び溶接の製造コストを低減し、及び放熱性能を向上させる等の利点を有する。しかしながら、ＣＯＢ技術は、隣接する発光ユニットのＬＥＤチップが発光する場合、互いに干渉し、混光現象が発生し、表示コントラストを低下させるという問題に直面する。この問題を解決するために、従来技術において、一般的に配線板に格子状の黒色マスクを貼り付け、黒色マスクを用いて隣接する発光ユニットを隔離する。
黒色マスクは混光現象を低減し、ＣＯＢ表示モジュールのコントラストを向上させることができるが、同時にＬＥＤチップが発した一部の光を吸収し、光損失をもたらし、出光効果を弱める。
従来技術の上記欠陥について、本発明の第１の目的は、コントラストが高く、光損失が小さく、集光効果が高いＣＯＢモジュールを提供することである。
本発明による技術的解決手段は以下のとおりである：
ＣＯＢ表示モジュールは、ＰＣＢ基板、複数のＬＥＤ発光ユニット、パッケージング接着剤層及び遮光層を含み、前記複数のＬＥＤ発光ユニットが前記ＰＣＢ基板に取り付け固定され、前記パッケージング接着剤層は前記ＰＣＢ基板を覆い、その上のＬＥＤ発光ユニットを被覆し、各隣接する２つのＬＥＤ発光ユニットの間のパッケージング接着剤層に１つの流路が設けられ、前記遮光層が前記流路内に充填され、さらに反射層を含み、前記反射層が前記流路の両側壁を覆い、前記パッケージング接着剤層と遮光層との間に位置する。
従来技術に比べて、本発明に係るＣＯＢ表示モジュールに遮光層だけでなく、反射層も設けられる。該遮光層がカップ状構造に形成され、各ＬＥＤ発光ユニットの周囲を囲み、隣接する２つのＬＥＤ発光ユニットが互いに発した光線の混光現象を効果的に減少させ、表示のコントラスト及び解像度を向上させることができる。該反射層は集光効果を実現し、ＬＥＤ発光ユニットが発した光が遮光層に吸収されることを回避し、光損失を減少させ、発光輝度及び出光効果を向上させる。したがって、該ＣＯＢ表示モジュールはコントラストが高く、解像度が高く、光損失が小さく、集光効果が高いという利点を有する。
なお、前記遮光層は前記流路の両側壁及び底部を覆い、前記流路の両側壁を覆う遮光層の間にすき間を残し、または前記遮光層は前記流路を完全に充填する。
なお、前記遮光層は前記流路を部分的に充填し、その表面はパッケージング接着剤層の出光面より低い。
なお、前記反射層は前記流路の各側壁に覆われる厚さが０.１ｍｍより小さい。
なお、前記反射層は前記流路の底部を覆う。
なお、前記遮光層は黒色ＰＰＡプラスチックまたは黒色ＰＣＴプラスチックまたは黒色ＥＭＣプラスチックである。
なお、前記反射層はアルミニウムまたはスズまたは銀を添加したエポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂またはポリカーボネートである。
なお、前記流路の深さはパッケージング接着剤層とＰＣＢ板の厚さの和より小さい。
なお、前記流路の深さは前記パッケージング接着剤層の厚さよりも小さい。
なお、前記パッケージング接着剤層の厚さは０.５ｍｍ〜１．６ｍｍであり、前記流路の深さは０.３ｍｍ〜１.５ｍｍである。
なお、前記パッケージング接着剤層の厚さは０.１５ｍｍ〜１．６ｍｍであり、前記流路の深さは０.０８ｍｍ〜１.５ｍｍである。
なお、前記ＰＣＢ板は単層配線板または多層配線板である。
なお、前記複数のＬＥＤ発光ユニットがリニアアレイまたは三角形アレイのように配列され、前記各ＬＥＤ発光ユニットは１つの赤色光ＬＥＤチップ、１つの緑色光ＬＥＤチップ及び１つのブルー光ＬＥＤチップを含み、前記赤色光ＬＥＤチップ、緑色光ＬＥＤチップ及びブルー光ＬＥＤチップはそれぞれフェイスアップチップまたはフリップチップのいずれかである。
なお、少なくとも１つの駆動ＩＣ、少なくとも１つの電気抵抗及び少なくとも１つのコンデンサを含み、前記駆動ＩＣ、電気抵抗及びコンデンサは前記ＰＣＢ基板の裏面に取り付けられる。
本発明の第２の目的は、ＣＯＢ表示モジュールの製造方法を提供することであり、その製造方法は、
複数のＬＥＤ発光ユニットをＰＣＢ基板に取り付け固定するステップＳ１と、
パッケージング接着剤を該ＰＣＢ基板に覆い、その上のＬＥＤ発光ユニットを被覆し、パッケージング接着剤層を形成し、隣接する２つのＬＥＤ発光ユニットの間のパッケージング接着剤層に１つの流路を形成させるステップＳ２と、
反射材料を前記流路の両側壁に覆い、反射層を形成するステップＳ３と、
１つのマスクを用意し、該マスクは前記複数のＬＥＤ発光ユニットの個数に一致する取付孔を有し、次に該マスクを前記ＰＣＢ基板に取り付け、各ＬＥＤ発光ユニットをそれぞれ各取付孔内に配置し、該マスクを前記流路内に充填される遮光層とさせ、または遮光材料を前記流路内に注入し、前記流路内に充填される遮光層を形成するステップＳ４と、を含む。
なお、ステップＳ４は、遮光材料を前記流路内に注入し、前記流路の両側壁と底部に覆われる遮光層を形成し、前記反射層は前記パッケージング接着剤層と遮光層との間に位置することである。
なお、ステップＳ３において、射出成形金型を用いて反射材料を前記流路内に注入し、該流路の両側壁に覆われる反射層を形成し、または該流路の両側壁及び底部に覆われる反射層を形成する。
なお、ステップＳ３において、保護フィルムを前記パッケージング接着剤層の出光面に覆って、次に反射材料を前記流路の両側壁にスプレーし、または前記流路の両側壁及び底部にスプレーし、スプレーした後に前記保護フィルムを除去する。
なお、ステップＳ１において、複数のＬＥＤ発光ユニットをマトリックスに配列し、それぞれ該ＰＣＢ基板に取り付け固定され、ステップＳ３において、複数本保護フィルムをそれぞれ各行のＬＥＤ発光ユニット上のパッケージング接着剤層の出光面に横方向に覆って、次に隣接する２行のＬＥＤ発光ユニットの間の流路に反射材料をスプレーした後、保護フィルムを除去し、さらに該複数本保護フィルムをそれぞれ各列のＬＥＤ発光ユニット上のパッケージング接着剤層の出光面に縦方向に覆って、さらに隣接する２列のＬＥＤ発光ユニットの間の流路に反射材料をスプレーして、最後に該複数本保護フィルムを除去する。
なお、ステップＳ４において、射出成形金型を用いて遮光材料を前記流路内に注入し、形成された遮光層を該流路に完全に充填させまたは前記流路の両側壁を覆う遮光層の間にすき間を残させる。
なお、ステップＳ２において、前記パッケージング接着剤層を切断することにより前記流路を形成し、切断流路の深さはパッケージング接着剤層とＰＣＢ板の厚さの和より小さく、または射出成形金型を用いてパッケージング接着剤を前記ＰＣＢ基板に覆い、前記流路を有するパッケージング接着剤層を形成し、前記流路の深さは前記パッケージング接着剤層の厚さの以下である。
本発明のＣＯＢ表示モジュールの製造方法は実現し及び操作しやすく、ステップはシンプルで合理的である。
本発明の第３の目的はＬＥＤデバイスの製造方法を提供することであり、該製造方法は、まず上記いずれか一項に記載のＣＯＢ表示モジュールの製造方法に応じてＣＯＢ表示モジュールを製造するステップと、次にカッターで製造されたＣＯＢ表示モジュールの流路に沿って貫通式切断を行い、単一のＬＥＤデバイスを得るステップと、を含み、前記カッターの幅は前記流路の幅より小さく、その切断位置は前記流路の中間に位置する。
本発明の第４の目的はＬＥＤデバイスを提供することであり、前記ＬＥＤデバイスは上記ＬＥＤデバイスの製造方法により製成される。
本発明をよりよく理解し実施するために、以下に図面を参照しながら詳細に説明する。
本発明のＣＯＢ表示モジュールの平面図である。 図１の第１の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。 図１の第２の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。 図１の第３の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。 図１の第４の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。 本発明のＣＯＢ表示モジュールの製造方法のステップフローチャートである。 図６のフローチャートの概略図である。 ステップＳ２で得られたＣＯＢ表示モジュールの半製品の構成図である。 複数本のストライプ状の保護フィルムがパッケージング接着剤層を横方向に覆う概略図である。 複数本のストライプ状の保護フィルムがパッケージング接着剤層を横方向に覆う概略図である。 図１の第５の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。 図１の第６の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。 図１の第７の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。 図１の第８の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。 図１の第９の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。 図１の第１０の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。 図１の第１１の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。 本発明のＬＥＤデバイスを製造する概略図である。 本発明のＬＥＤデバイスを製造する概略図である。
（実施例１）
図１と図２を同時に参照して、図１は本発明のＣＯＢ表示モジュールの平面図であり、図２は図１の第１の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。本発明はＣＯＢ表示モジュールを提供し、該ＣＯＢ表示モジュールはＰＣＢ基板１、複数のＬＥＤ発光ユニット２、複数の駆動ＩＣ３、パッケージング接着剤層４ 、遮光層５及び反射層６を含む。
前記複数のＬＥＤ発光ユニット２が前記ＰＣＢ基板１の正面に取り付け固定され、前記複数の駆動ＩＣ３が前記ＰＣＢ基板１の裏面に取り付け固定され、前記複数のＬＥＤ発光ユニット２が前記複数の駆動ＩＣ３とそれぞれ電気的に接続される。前記パッケージング接着剤層４は前記ＰＣＢ基板１の正面を覆い、その上のＬＥＤ発光ユニット２を被覆する。隣接する２つのＬＥＤ発光ユニット２の間のパッケージング接着剤層４に１つの凹溝状の流路４１が設けられる。前記遮光層５は前記流路４１の両側壁及び底部を覆う。前記反射層６は前記流路４１の両側壁を覆い、前記パッケージング接着剤層４と前記遮光層５との間に位置する。
前記ＰＣＢ基板１は積層されるように設けられた上層配線板１１及び下層配線板１２を含み、該上層配線板１１及び該下層配線板１２はいずれも単層配線板または多層配線板であってもよい。
前記複数のＬＥＤ発光ユニット２は、該ＰＣＢ基板１の上層配線板１１に均一に分布し、具体的には、マトリックス配列、正三角形のように配列され、好ましくはマトリックス配列である。前記各ＬＥＤ発光ユニット２は一組のＲＧＢ ＬＥＤチップであり、１つの赤色光ＬＥＤチップ２１、１つの緑色光ＬＥＤチップ２２及び１つのブルー光ＬＥＤチップ２３を含み、該赤色光ＬＥＤチップ２１、緑色光ＬＥＤチップ２２及びブルー光ＬＥＤチップ２３はそれぞれリード線を介して該ＰＣＢ基板１に電気的に接続される。
前記複数駆動ＩＣ３はそれぞれ該ＰＣＢ基板１の下層配線板１２の底部に取り付け固定される。該駆動ＩＣ３は通常用のＬＤ駆動チップを指す。
前記パッケージング接着剤層４が該ＰＣＢ板１の正面に平らに覆われ、その厚さＨは０.５ｍｍ〜１.６ｍｍである。前記流路４１の深さｈは０.３ｍｍ〜１.５ｍｍであり、該パッケージング接着剤層４の厚さＨより小さい。各ＬＥＤ発光ユニット２に覆われたパッケージング接着剤層４の表面はその出光面４２である。該パッケージング接着剤層４はエポキシ樹脂またはシリコン樹脂等の材料である。
前記反射層６は前記流路４１の両側壁を完全に覆い、前記反射層６が前記流路４１の各側壁に覆わされる厚さのｄ１が０.１ｍｍより小さい。該反射層６は反射材料であり、具体的にはアルミニウムまたはスズまたは銀を添加したエポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂またはポリカーボネート等の反射効果を有する材料であり、それはミラー効果を有し、集光を実現し、ＬＥＤ発光ユニット２が発した光が遮光層５に吸収されることを回避し、光損失を低減し、発光輝度及び出光効果を向上させることができる。
前記遮光層５は前記流路４１の両側壁及び底部を完全に覆う。該遮光層５は遮光材料であり、具体的には暗色の遮光材料であってもよく、好ましくは黒色材料であり、具体的には黒色ＰＰＡプラスチックまたは黒色ＰＣＴプラスチックである。該遮光層５がカップ状構造に形成され、各ＬＥＤ発光ユニット２の周囲を囲み、隣接する２つのＬＥＤ発光ユニットが互いに発した光線の混光現象を効果的に減少させ、表示のコントラスト及び解像度を向上させることができる。該遮光層５は前記流路４１の両側壁及び底部に互いに結合され、結合力が強く、従来の黒色マスクを貼り付ける方法に比べて、該遮光層５はより脱落しにくい。
図２及び図３に示すように、隣接する２つのＬＥＤ発光ユニット２の間の流路４１の幅Ｌが１.２ｍｍより大きい場合、該流路４１の両側壁に覆われる遮光層５の間にすき間を残す。該遮光層５は該流路４１の各側壁に覆われる厚さのｄ２は０.３ｍｍ〜０.５ｍｍであり、その頂面５１が前記パッケージング接着剤層４の出光面４２と面一である。該遮光層５は該流路４１の底部に覆われる厚さｄ３が０.１ｍｍ〜０.２ｍｍである。このように設けられた目的は遮光層５の材料使用量を減少させ、コストを節約することであり、隣接する２つのＬＥＤ発光ユニット２の間の間隔が大きく、解像度に対する要求が低いＣＯＢ表示モジュールに適用することである。異なる製造プロセス及び実際の需要に応じて、前記反射層６は前記流路４１の底部を覆ってもよく、前記流路４１の底部を覆わなくてもよい。
図４及び図５に示すように、隣接する２つのＬＥＤ発光ユニット２の間の流路４１の幅Ｌが１.２ｍｍ以下である場合、該遮光層５が該流路４１に完全に充填され、その頂面５１が前記パッケージング接着剤層４の出光面４２と面一である。このように設けられた目的は製造プロセスを簡略化し、生産効率を向上させることであり、隣接する２つのＬＥＤ発光ユニット２の間の間隔が小さく、解像度に対する要求が高いＣＯＢ表示モジュールに適用することである。異なる製造プロセス及び実際の需要に応じて、前記反射層６は前記流路４１の底部を覆ってもよく、前記流路４１の底部を覆わなくてもよい。
図６及び図７を同時に参照して、図６は本発明のＣＯＢ表示モジュールの製造方法のステップフローチャートであり、図７は図６のフローチャートの概略図である。上記ＣＯＢ表示モジュールに基づいて、本発明は、さらにＣＯＢ表示モジュールの製造方法を提供する。該製造方法は、
複数のＬＥＤ発光ユニット２をＰＣＢ基板１に取り付け固定するステップＳ１と、
パッケージング接着剤を該ＰＣＢ基板１に覆い、その上のＬＥＤ発光ユニット２を被覆し、パッケージング接着剤層４を形成し、隣接する２つのＬＥＤ発光ユニット２の間のパッケージング接着剤層４に流路４１を形成させるステップＳ２と、
反射材料を前記流路４１の両側壁に覆い、反射層６を形成するステップＳ３と、
遮光材料を前記流路４１内に注入し、前記流路４１の両側壁及び底部に覆われる遮光層５を形成し、前記反射層は前記パッケージング接着剤４と前記遮光層５との間に位置するステップＳ４と、を含む。
具体的には、ステップＳ１において、複数のＬＥＤ発光ユニット２をマトリックスに配列し、それぞれ該ＰＣＢ基板１に取り付け固定されて、次にワイヤボンディングにより各ＬＥＤ発光ユニット２における赤色光ＬＥＤチップ２１、緑色光ＬＥＤチップ２２及びブルー光ＬＥＤチップ２３をそれぞれ該ＰＣＢ基板１に電気的に接続する。
ステップＳ２において、射出成形金型を用いてパッケージング接着剤を該ＰＣＢ基板１に平らに覆い、その上のＬＥＤ発光ユニット２を被覆し、該射出成形金型を用いて隣接する２つのＬＥＤ発光ユニット２の間のパッケージング接着剤層４に１つの流路４１を形成させてもよく、切断、カット等の方法で該流路４１を設けてもよい。
ステップＳ３において、射出成形金型を用いて遮光材料を前記流路４１内に注入し、射出成形金型の具体的な形状及び使用方法に応じて、該流路４１の両側壁に覆われる反射層６を形成し、または該流路４１の両側壁及び底部に覆われる反射層６を形成する。
ステップＳ４において、射出成形金型を用いて遮光材料を前記流路４１内に注入し、形成される遮光層５を該流路４１に完全に充填させまたは前記流路４１の両側壁を覆う遮光層５の間にすき間を残させる。
当業者は実際の需要に応じて、例えば流路４１の幅、反射層６の寸法パラメータまたは遮光層５の寸法パラメータ等に基づいて、上記ステップにおける対応する射出成形金型を選択しまたは製造することができ、創造的な労力を必要としない。
（実施例２）
本実施例は実施例１の内容と基本的に同じであり、区別は以下のとおりである：ステップＳ３において、保護フィルムを前記パッケージング接着剤層４の出光面４２に覆って、次に反射材料を前記流路４１の両側壁にスプレーし、または前記流路４１の両側壁及び底部にスプレーし、スプレーした後、前記保護フィルムを除去する。
図８に参照して、それはステップＳ２で得られたＣＯＢ表示モジュールの半製品の構成図である。前記パッケージング接着剤層４が前記複数のＬＥＤ発光ユニット２に覆われる。隣接する２つのＬＥＤ発光ユニット２の間のパッケージング接着剤層４に流路４１が設けられるため、該パッケージング接着剤層４はマトリックス状に配列された複数の立方体を形成し、各立方体の頂面は該パッケージング接着剤層４の出光面４２である。
ステップＳ３において、図９に示すように、複数本のストライプ状の保護フィルム７をそれぞれ各行ＬＥＤ発光ユニット２のパッケージング接着剤層４の出光面４２に横方向に覆って、次に隣接する２行のＬＥＤ発光ユニット２の間の流路４１に反射材料をスプレーした後、該複数の保護フィルム７を除去すると、前記各立方体の互いに平行な一対の側面に反射層６が覆われる。
次に、図１０に示すように、該複数本のストライプ状の保護フィルム７をそれぞれ各列のＬＥＤ発光ユニット２のパッケージング接着剤層４の出光面４２に縦方向に覆って、次に隣接する２列のＬＥＤ発光ユニット２の間の流路４１に反射材料をスプレーすると、前記各立方体の互いに平行な他の一対の側面に反射層６が覆われる。最後に、前記複数のストライプ状の保護フィルム７を除去して、反射層６を完全に覆ったＣＯＢ表示モジュール半製品を取得し、その後、ステップＳ４を行うことができる。
または、まず該複数本のストライプ状の保護フィルム７を縦方向に覆ってもよい、次に反射材料をスプレーし、該複数本の保護フィルム７を除去した後、その横方向に覆って、次に反射材料をスプレーする。上記「横方向」、「縦方向」、「行」及び「列」は容易に説明するためだけで、ステップ３の実際の操作順序を限定するものではない。
前記保護フィルム７は一般的なシールであり、パッケージング接着剤層４に貼り付けることができる。該複数本のストライプ状の保護フィルム７の端部を接続することができ、一度に全ての保護フィルム７を貼り付けまたははがしやすい。
前記保護フィルム７は反射材料が該パッケージング接着剤層４の出光面４２を汚染することを防止することができる。反射材料をスプレーする方式で流路４１の両側壁に反射層６を覆い、射出成形反射材料に比べて、対応する注型金型を使用しまたは特別にカスタマイズする必要がなく、製造コストを低減し、便利で迅速である。
従来の技術に対して、本発明に係るＣＯＢ表示モジュールに遮光層だけでなく、反射層も設けられ、従って、コントラストが高く、解像度が高く、光損失が小さいという利点を有する。また、該ＣＯＢ表示モジュールの製造方法はシンプルで合理的であり、実現しやすい。
（実施例３）
図１及び図１１を同時に参照して、図１は本発明のＣＯＢ表示モジュールの平面図であり、図１１は図１の第５の実施形態のＡ−Ａ方向の断面図である。本発明はＣＯＢ表示モジュールを提供し、該ＣＯＢ表示モジュールはＰＣＢ基板１、複数のＬＥＤ発光ユニット２ 、少なくとも１つの駆動ＩＣ３、少なくとも１つの電気抵抗、少なくとも１つのコンデンサ、パッケージング接着剤層４、遮光層５及び反射層６を含む。
前記複数のＬＥＤ発光ユニット２が前記ＰＣＢ基板１の正面に取り付け固定され、前記駆動ＩＣ３、電気抵抗及びコンデンサが前記ＰＣＢ基板１の裏面に取り付け固定される。前記パッケージング接着剤層４は前記ＰＣＢ基板１の正面を覆い、その上のＬＥＤ発光ユニット２を被覆する。隣接する２つのＬＥＤ発光ユニット２の間のパッケージング接着剤層４に１つの凹溝状の流路４１が設けられる。前記遮光層５は、前記流路４１に充填される。前記反射層６は前記流路４１の両側壁を覆い、前記パッケージング接着剤層４と前記遮光層５との間に位置する。
前記ＰＣＢ基板１は単層配線板または多層配線板である。
前記複数のＬＥＤ発光ユニット２が該ＰＣＢ基板１に均一に分布し、具体的にリニアアレイまたは三角形アレイのように配列される。前記各ＬＥＤ発光ユニット２は一組のＲＧＢＬＥＤチップであり、１つの赤色光ＬＥＤチップ２１、１つの緑色光ＬＥＤチップ２２及び１つのブルー光ＬＥＤチップ２３を含み、該赤色光ＬＥＤチップ２１、緑色光ＬＥＤチップ２２及びブルー光ＬＥＤチップ２３はそれぞれフェイスアップチップまたはフリップチップのいずれかであり、それぞれリード線を介して、該ＰＣＢ基板１に電気的に接続される。
前記パッケージング接着剤層４は該ＰＣＢ板１の正面に平らに覆われ、その厚さＨは０.１５ｍｍ〜１.６ｍｍである。前記流路４１の深さｈは０.０８ｍｍ〜１.５ｍｍである。前記流路４１の深さｈはパッケージング接着剤層４とＰＣＢ板１の厚さの和より小さい。
各ＬＥＤ発光ユニット２に覆われるパッケージング接着剤層４の表面はその出光面４２である。該パッケージング接着剤層４はエポキシ樹脂またはシリコン樹脂等の材料である。
前記反射層６は前記流路４１の両側壁を完全に覆い、前記反射層６が前記流路４１の各側壁に覆われる厚さのｄ１が０.１ｍｍより小さい。該反射層６は反射材料であり、具体的にはアルミニウムまたはスズまたは銀を添加したエポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂またはポリカーボネート等の反射効果を有する材料であり、それはミラー効果を有し、集光を実現し、ＬＥＤ発光ユニット２からの光が遮光層５に吸収され、光損失を低減し、発光輝度及び出光効果を向上させる。
該遮光層５は遮光材料であり、具体的には暗色の遮光材料であってもよく、好ましくは黒色材料であり、具体的には黒色ＰＰＡプラスチックまたは黒色ＰＣＴプラスチックである。該遮光層５がカップ状構造に形成され、各ＬＥＤ発光ユニット２の周囲を囲み、隣接する二つのＬＥＤ発光ユニット２が発する光線の混光現象を効果的に減少させ、表示のコントラスト及び解像度を向上させることができる。
本発明のＣＯＢ表示モジュールは様々な実施形態を有する。
図１１に示すように、前記流路４１の深さｈはパッケージング接着剤層４の厚さＨより小さい。前記遮光層５は流路４１を部分的に充填し、その表面５２はパッケージング接着剤層４の出光面４２より低い。
図１２に示すように、前記流路４１の深さｈがパッケージング接着剤層４の厚さＨに等しい。前記遮光層５は流路４１を完全に充填し、その表面５２は接着剤層４の出光面４２と面一である。
図１３に示すように、前記流路４１の深さｈがパッケージング接着剤層４の厚さＨに等しい。前記遮光層５は流路４１を部分的に充填し、その表面５２はパッケージング接着剤層４の出光面４２より低い。
図１４に示すように、前記流路４１の深さｈはパッケージング接着剤層４の厚さＨに等しい。前記遮光層５は流路４１の両側壁及び底部を覆い、流路４１の両側壁を覆う遮光層５の間にすき間を残す。前記遮光層５の頂面５１は接着剤層４の出光面４２と面一である。
図１５に示すように、前記流路４１の深さｈはパッケージング接着剤層４の厚さＨより大きく、パッケージング接着剤層４とＰＣＢ板１の厚さの和より小さい。前記遮光層５は流路４１を完全に充填し、その表面５２は接着剤層４の出光面４２と面一である。
図１６に示すように、前記流路４１の深さｈはパッケージング接着剤層４の厚さＨより大きく、パッケージング接着剤層４とＰＣＢ板１の厚さの和より小さい。前記遮光層５は流路４１を部分的に充填し、その表面５２はパッケージング接着剤層４の出光面４２より低い。
図１７に示すように、前記流路４１の深さｈはパッケージング接着剤層４の厚さＨより大きく、パッケージング接着剤層４とＰＣＢ板１の厚さの和より小さい。前記遮光層５は流路４１の両側壁及び底部を覆い、流路４１の両側壁を覆う遮光層５の間にすき間が残る。前記遮光層５の頂面５１は接着剤層４の出光面４２と面一である。
図１１〜１７に示される反射層６は流路４１の底部を覆わず、異なる製造プロセス及び実際の需要に応じて、前記反射層６は流路４１の底部を覆ってもよい。
上記ＣＯＢ表示モジュールに基づいて、本発明は、さらにＣＯＢ表示モジュールの製造方法を提供する。該製造方法は、
複数のＬＥＤ発光ユニット２をＰＣＢ基板１に取り付け固定するステップＳ１と、
パッケージング接着剤を該ＰＣＢ基板１に覆い、その上のＬＥＤ発光ユニット２を覆い、パッケージング接着剤層４を形成し、隣接する２つのＬＥＤ発光ユニット２の間のパッケージング接着剤層４に１つの流路４１を形成させるステップＳ２と、
反射材料を前記流路４１の両側壁に覆い、反射層６を形成するステップＳ３と、
１つのマスクを用意し、該マスクは前記複数のＬＥＤ発光ユニット２の個数に一致する取付孔を有し、次に該マスクを前記ＰＣＢ基板１に取り付け、各ＬＥＤ発光ユニット２をそれぞれ各取付孔内に配置し、該マスクを前記流路４１内に充填される遮光層５とさせ、または遮光材料を前記流路４１内に注入し、前記流路４１内に充填される遮光層５を形成するステップＳ４と、を含む。
具体的には、ステップＳ１において、複数のＬＥＤ発光ユニット２をマトリックスに配列し、それぞれ該ＰＣＢ基板１に取り付け固定され、次にワイヤボンディングにより各ＬＥＤ発光ユニット２における赤色光ＬＥＤチップ２１、緑色光ＬＥＤチップ２２及びブルー光ＬＥＤチップ２３をそれぞれ該ＰＣＢ基板１に電気的に接続される。
ステップＳ２において、射出成形金型を用いてパッケージング接着剤を該ＰＣＢ基板１に平らに覆い、その上のＬＥＤ発光ユニット２を被覆し、該射出成形金型を用いて隣接する２つのＬＥＤ発光ユニット２の間のパッケージング接着剤層４に１つの流路４１を形成させてもよく、前記流路４１の深さｈは前記パッケージング接着剤層４の厚さＨ以下である。また、前記パッケージング接着剤層４を切断することにより流路４１を形成してもよく、切断流路４１の深さｈはパッケージング接着剤層４とＰＣＢ板１の厚さの和より小さい。
ステップＳ３において、射出成形金型を用いて遮光材料を前記流路４１に注入し、射出成形金型の具体的な形状及び使用方法に応じて、該流路４１の両側壁に覆われる反射層６を形成し、または該流路４１の両側壁及び底部に覆われる反射層６を形成する。
ステップＳ４において、射出成形金型を用いて遮光材料を前記流路４１に注入し、形成された遮光層５を該流路４１に完全に充填させまたは前記流路４１の両側壁を覆う遮光層５の間にすき間を残させる。
（実施例４）
図１８及び図１９を参照して、図１８は本発明がＬＥＤデバイスを製造する概略図であり、図１９は本発明のＬＥＤデバイスの構成概略図である。
本発明に係るＬＥＤデバイスの製造方法は、まず実施例１〜３におけるＣＯＢ表示モジュールの製造方法に応じて、ＣＯＢ表示モジュールを製造するステップと、次にカッターＫで製造されたＣＯＢ表示モジュールの流路４１に沿って貫通式切断を行い、単一のＬＥＤデバイスを得るステップと、を含み、前記カッターＫの幅Ｌ０は前記流路４１の幅Ｌより小さく、その切断位置は前記流路４１の中間に位置する。
前記ＣＯＢ表示モジュールは、ＬＥＤデバイスを製造する場合、そのＰＣＢ基板１の裏面に駆動ＩＣ、電気抵抗及びコンデンサを取り付ける必要がない。
得られたＬＥＤデバイスはチップＬＥＤデバイスであり、基板１’、ＬＥＤ発光ユニット２、パッケージング接着剤層４’、遮光層５’及び反射層６’を含む。前記ＬＥＤ発光ユニット２が基板１’に設けられ、前記パッケージング接着剤層４’はＬＥＤ発光ユニット２を被覆し、前記遮光層５’がパッケージング接着剤層４’の側壁に設けられ、前記反射層６’はパッケージング接着剤層４’の側壁を被覆し、パッケージング接着剤層４’と遮光層５’との間に位置する。
前記基板１’は元のＣＯＢ表示モジュールにおけるＰＣＢ基板１を切断されることのより得られる。前記ＬＥＤ発光ユニット２は切断する前のＣＯＢ表示モジュールにおけるＬＥＤ発光ユニット２であり、それは赤色光ＬＥＤチップ２１、緑色光ＬＥＤコアシート２２及びブルー光ＬＥＤチップ２３を含む。前記パッケージング接着剤層４’は切断する前のＣＯＢ表示モジュールにおけるパッケージング接着剤層４に対応する。前記遮光層５ ’は切断する前のＣＯＢ表示モジュールにおける遮光層５に対応する。前記反射層６ ’は切断する前のＣＯＢ表示モジュールにおける反射層６に対応する。
本発明に係るＣＯＢ表示モジュールに遮光層だけでなく、反射層が設けられる。したがって、コントラストが高く、解像度が高く、光損失が小さいという利点を有する。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明についてのさまざまな修正及び変形は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなければ、これらの修正及び変形は、本発明の請求項及び同等の技術範囲に属すれば、本発明もこれらの修正及び変形を含むことを意図する。
１ ＰＣＢ基板
２ ＬＥＤ発光ユニット
４ 接着剤層
４ パッケージング接着剤
５ 遮光層
６ 反射層
７ 保護フィルム
１１ 上層配線板
１２ 下層配線板
２１ 赤色光ＬＥＤチップ
２２ 緑色光ＬＥＤチップ
２３ ブルー光ＬＥＤチップ
４１ 流路
４２ 出光面
５１ 頂面
５２ 表面

Claims (21)

  1. ＰＣＢ基板、複数のＬＥＤ発光ユニット、パッケージング接着剤層及び遮光層を含み、
    前記複数のＬＥＤ発光ユニットが前記ＰＣＢ基板に取り付け固定され、前記パッケージング接着剤層が前記ＰＣＢ基板を覆い、その上のＬＥＤ発光ユニットを被覆し、各隣接する２つのＬＥＤ発光ユニットの間のパッケージング接着剤層に１つの流路が設けられ、前記遮光層が前記流路内に充填されるＣＯＢ表示モジュールであって、
    さらに反射層を含み、前記反射層は前記流路の両側壁を覆い、前記パッケージング接着剤層と遮光層との間に位置し、前記遮光層は前記流路の両側壁及び底部を覆い、前記流路の両側壁を覆う遮光層の間にすき間を残すことを特徴とするＣＯＢ表示モジュール。
  2. 前記遮光層は前記流路を部分的に充填し、その表面はパッケージング接着剤層の出光面より低いことを特徴とする請求項１に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  3. 前記反射層は前記流路の各側壁に覆われる厚さが０.１ｍｍより小さいことを特徴とする請求項１に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  4. 前記反射層は前記流路の底部を覆うことを特徴とする請求項１に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  5. 前記遮光層は黒色ＰＰＡプラスチックまたは黒色ＰＣＴプラスチックまたは黒色ＥＭＣプラスチックであることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  6. 前記反射層はアルミニウムまたはスズまたは銀を添加したエポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂またはポリカーボネートであることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  7. 前記流路の深さはパッケージング接着剤層とＰＣＢ板の厚さの和より小さいことを特徴とする請求項１に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  8. 前記流路の深さは前記パッケージング接着剤層の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  9. 前記パッケージング接着剤層の厚さは０.５ｍｍ〜１．６ｍｍであり、前記流路の深さは０.３ｍｍ〜１.５ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  10. 前記パッケージング接着剤層の厚さは０.１５ｍｍ〜１．６ｍｍであり、前記流路の深さは０.０８ｍｍ〜１.５ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  11. 前記ＰＣＢ基板は単層配線板または多層配線板であることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  12. 前記複数のＬＥＤ発光ユニットはリニアアレイまたは三角形アレイのように配列され、前記各ＬＥＤ発光ユニットは１つの赤色光ＬＥＤチップ、１つの緑色光ＬＥＤチップ及び１つのブルー光ＬＥＤチップを含み、前記赤色光ＬＥＤチップ、緑色光ＬＥＤチップ及びブルー光ＬＥＤチップはそれぞれフェイスアップチップまたはフリップチップのいずれかであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  13. 少なくとも１つの駆動ＩＣ、少なくとも１つの電気抵抗及び少なくとも１つのコンデンサを含み、前記駆動ＩＣ、電気抵抗及びコンデンサが前記ＰＣＢ基板の裏面に取り付けられることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のＣＯＢ表示モジュール。
  14. 複数のＬＥＤ発光ユニットをＰＣＢ基板に取り付け固定するステップＳ１と、
    パッケージング接着剤を該ＰＣＢ基板に覆い、その上のＬＥＤ発光ユニットを被覆し、パッケージング接着剤層を形成し、隣接する２つのＬＥＤ発光ユニットの間のパッケージング接着剤層に１つの流路を形成させるステップＳ２と、
    反射材料を前記流路の両側壁に覆い、反射層を形成するステップＳ３と、
    遮光材料を前記流路内に注入し、前記流路内に充填される遮光層を形成するステップＳ４と、を含み、
    ステップＳ４は、遮光材料を前記流路内に注入し、前記流路の両側壁と底部に覆われる遮光層を形成し、前記反射層は前記パッケージング接着剤層と遮光層との間に位置することであり、前記流路の両側壁を覆う遮光層の間にすき間を残すことを特徴とするＣＯＢ表示モジュールの製造方法。
  15. ステップＳ３において、射出成形金型を用いて反射材料を前記流路内に注入し、該流路の両側壁に覆われる反射層を形成し、または該流路の両側壁及び底部に覆われる反射層を形成することを特徴とする請求項１４に記載のＣＯＢ表示モジュールの製造方法。
  16. ステップＳ３において、保護フィルムを前記パッケージング接着剤層の出光面に覆って、次に反射材料を前記流路の両側壁にスプレーし、または前記流路の両側壁及び底部にスプレーし、スプレーした後に前記保護フィルムを除去することを特徴とする請求項１４に記載のＣＯＢ表示モジュールの製造方法。
  17. ステップＳ１において、複数のＬＥＤ発光ユニットをマトリックスに配列し、それぞれ該ＰＣＢ基板に取り付け固定し、ステップＳ３において、複数本保護フィルムをそれぞれ各行のＬＥＤ発光ユニット上のパッケージング接着剤層の出光面に横方向に覆って、次に隣接する２行のＬＥＤ発光ユニットの間の流路に反射材料をスプレーした後、保護フィルムを除去して、さらに該複数本保護フィルムをそれぞれ各列のＬＥＤ発光ユニット上のパッケージング接着剤層の出光面に縦方向に覆って、さらに隣接する２列のＬＥＤ発光ユニットの間の流路に反射材料をスプレーして、最後に該複数本保護フィルムを除去することを特徴とする請求項１６に記載のＣＯＢ表示モジュールの製造方法。
  18. ステップＳ４において、射出成形金型を用いて遮光材料を前記流路内に注入し、前記流路の両側壁を覆う遮光層の間にすき間を残すことを特徴とする請求項１４に記載のＣＯＢ表示モジュールの製造方法。
  19. ステップＳ２において、前記パッケージング接着剤層を切断することにより前記流路を形成し、切断流路の深さはパッケージング接着剤層とＰＣＢ板の厚さの和より小さく、または射出成形金型を用いてパッケージング接着剤を前記ＰＣＢ基板に覆って、前記流路を有するパッケージング接着剤層を形成し、前記流路の深さは前記パッケージング接着剤層の厚さの以下であることを特徴とする請求項１４に記載のＣＯＢ表示モジュールの製造方法。
  20. まず請求項１４〜１９のいずれか１項に記載のＣＯＢ表示モジュールの製造方法に応じて、ＣＯＢ表示モジュールを製造するステップと、次にカッターで製造されたＣＯＢ表示モジュールの流路に沿って貫通式切断を行い、単一のＬＥＤデバイスを得るステップと、を含み、
    前記カッターの幅は前記流路の幅より小さく、その切断位置は前記流路の中間に位置することを特徴とするＬＥＤデバイスの製造方法。
  21. 請求項２０に記載のＬＥＤデバイスの製造方法により製成されたことを特徴とするＬＥＤデバイス。
JP2019521739A 2016-10-27 2017-10-17 Ｃｏｂ表示モジュール及びその製造方法、ｌｅｄデバイス及びその製造方法 Active JP6821801B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610955146.0 2016-10-27
CN201610955146.0A CN107994109A (zh) 2016-10-27 2016-10-27 一种cob显示模组及其制造方法
PCT/CN2017/106468 WO2018077058A1 (zh) 2016-10-27 2017-10-17 Cob显示模组及其制造方法、led器件及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019533905A JP2019533905A (ja) 2019-11-21
JP6821801B2 true JP6821801B2 (ja) 2021-01-27

Family

ID=62024388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019521739A Active JP6821801B2 (ja) 2016-10-27 2017-10-17 Ｃｏｂ表示モジュール及びその製造方法、ｌｅｄデバイス及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10804250B2 (ja)
JP (1) JP6821801B2 (ja)
KR (1) KR102184250B1 (ja)
CN (1) CN107994109A (ja)
WO (1) WO2018077058A1 (ja)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7177336B2 (ja) * 2018-07-20 2022-11-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110930890A (zh) * 2018-09-20 2020-03-27 深圳市海讯高科技术有限公司 一种cob显示屏面罩及其作业方法
CN109192748A (zh) * 2018-09-26 2019-01-11 利亚德光电股份有限公司 Led显示模组
JP7108182B2 (ja) * 2018-09-26 2022-07-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102694329B1 (ko) 2018-12-10 2024-08-13 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 모듈 제조 방법
CN111477117A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 深圳光峰科技股份有限公司 Led显示屏及其制备方法
DE102019203502A1 (de) * 2019-03-14 2020-09-17 Volkswagen Aktiengesellschaft Beleuchtungseinheit für ein Kraftfahrzeug
US11088306B2 (en) * 2019-04-08 2021-08-10 Innolux Corporation Light-emitting devices and methods for manufacturing the same
CN110364516A (zh) * 2019-07-18 2019-10-22 深圳市科米三悠科技有限公司 一种基于铜线键合的cob显示屏封装方法
KR20210028784A (ko) * 2019-09-04 2021-03-15 삼성전자주식회사 발광 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 소자
CN110649011A (zh) * 2019-09-10 2020-01-03 深圳雷曼光电科技股份有限公司 单元板及其制作方法
JP7196813B2 (ja) * 2019-10-14 2022-12-27 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
KR102241420B1 (ko) 2019-11-06 2021-04-16 주식회사 대한전광 양면 cob 구조의 고해상-초박형 디스플레이용 led모듈 제작 방법 및 양면 cob 타입의 초박형 디스플레이용 led모듈
CN111029334B (zh) * 2019-12-06 2022-11-15 惠州视维新技术有限公司 Led显示面板及其制造方法
CN111179774A (zh) * 2020-01-21 2020-05-19 深圳市艾比森光电股份有限公司 Led显示模组及led显示屏
CN113439334B (zh) * 2020-01-23 2024-03-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US11810904B2 (en) * 2020-02-24 2023-11-07 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro light emitting diode structure and manufacturing method thereof and micro light emitting diode device
CN111341219B (zh) * 2020-03-13 2023-04-18 东莞市中麒光电技术有限公司 Led显示屏模组及其制备方法
CN111477653B (zh) * 2020-04-22 2023-08-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
CN111640850A (zh) * 2020-06-01 2020-09-08 江西兆驰光元科技股份有限公司 Led显示器件及其制备方法、显示设备
CN111899654B (zh) * 2020-07-20 2024-08-23 利亚德智慧显示(深圳)有限公司 显示屏、发光模组及其制造方法
US20220148928A1 (en) * 2020-11-11 2022-05-12 Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co., Ltd. Detection method and detection structure for display backplane
KR102476734B1 (ko) * 2020-11-26 2022-12-12 한국광기술원 투명 디스플레이용 플렉시블 led 패키지 및 그의 제조 방법
CN113014702B (zh) * 2021-02-19 2024-01-05 Oppo广东移动通信有限公司 显示屏组件以及电子设备
CN113764546A (zh) * 2021-08-30 2021-12-07 东莞市中麒光电技术有限公司 一种Mini-LED器件、LED显示模块及其制作方法
CN114447192B (zh) * 2022-01-20 2023-09-19 东莞市中麒光电技术有限公司 显示模块制造方法、显示模块及显示屏
CN116224650A (zh) * 2022-12-15 2023-06-06 安徽立光电子材料股份有限公司 一种用于Mini LED背光模组的光源组件及其制作方法
CN115867070A (zh) * 2022-12-28 2023-03-28 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法、终端
CN117613155B (zh) * 2024-01-23 2024-06-07 长春希龙显示技术有限公司 一种黑度一致性的显示模组及其封装方法
KR102675378B1 (ko) * 2024-01-30 2024-06-14 (주)더서울테크 대비도가 개선된 led전광판용 led모듈 및 이를 이용한 led전광판

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3291278B2 (ja) * 1999-10-19 2002-06-10 サンユレック株式会社 光電子部品の製造方法
JP4177049B2 (ja) 2002-08-28 2008-11-05 シャープ株式会社 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法
KR100570973B1 (ko) * 2003-05-02 2006-04-13 삼성에스디아이 주식회사 광차단용 기판을 구비한 표시장치 및 그의 제조방법
KR100956888B1 (ko) * 2008-01-24 2010-05-11 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP4402735B1 (ja) * 2008-12-16 2010-01-20 ポリマテック株式会社 キーシート、遮光性導光シート、押釦スイッチおよびキーシートの製造方法
JP5423475B2 (ja) * 2009-03-06 2014-02-19 日亜化学工業株式会社 光半導体装置の製造方法
US8576574B2 (en) * 2010-04-21 2013-11-05 Stmicroelectronics Pte Ltd. Electromagnetic interference shielding on semiconductor devices
JP5622494B2 (ja) 2010-09-09 2014-11-12 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
CN102683543B (zh) * 2011-03-15 2015-08-12 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
JP2013062416A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Toshiba Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP5865038B2 (ja) * 2011-11-30 2016-02-17 日東電工株式会社 素子接続用基板、その製造方法および発光ダイオード装置
JP5896758B2 (ja) * 2012-01-25 2016-03-30 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
KR101319360B1 (ko) * 2013-03-04 2013-10-16 유버 주식회사 칩온보드형 ｕｖ ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP6186904B2 (ja) * 2013-06-05 2017-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN203588605U (zh) 2013-10-23 2014-05-07 深圳市奥伦德科技有限公司 二次压模二次切割封装的led点阵模块
JP6276557B2 (ja) * 2013-10-25 2018-02-07 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
CN103531108B (zh) * 2013-10-30 2015-10-07 广东威创视讯科技股份有限公司 一种led显示屏及其封装方法
CN103594463B (zh) * 2013-11-19 2017-01-18 长春希达电子技术有限公司 晶圆倒置式集成led显示封装模块
CN103680340A (zh) * 2013-12-18 2014-03-26 长春希达电子技术有限公司 一种适合于超高显示密度的集成led显示封装模块
US9356185B2 (en) * 2014-06-20 2016-05-31 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact light sensing modules including reflective surfaces to enhance light collection and/or emission, and methods of fabricating such modules
JP6762736B2 (ja) * 2015-03-16 2020-09-30 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 光反射層付光半導体素子、および、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法
CN204632804U (zh) 2015-05-29 2015-09-09 广州市鸿利光电股份有限公司 芯片级封装led
CN106486026B (zh) * 2015-09-02 2019-08-23 佛山市国星光电股份有限公司 一种cob显示模块的封装方法及其显示模块
US10304813B2 (en) * 2015-11-05 2019-05-28 Innolux Corporation Display device having a plurality of bank structures
CN206210838U (zh) * 2016-10-27 2017-05-31 佛山市国星光电股份有限公司 一种cob显示模组
US10553768B2 (en) * 2018-04-11 2020-02-04 Nichia Corporation Light-emitting device
JP7196813B2 (ja) * 2019-10-14 2022-12-27 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10804250B2 (en) 2020-10-13
WO2018077058A1 (zh) 2018-05-03
JP2019533905A (ja) 2019-11-21
KR20190053926A (ko) 2019-05-20
US20190244939A1 (en) 2019-08-08
KR102184250B1 (ko) 2020-12-01
CN107994109A (zh) 2018-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6821801B2 (ja) Ｃｏｂ表示モジュール及びその製造方法、ｌｅｄデバイス及びその製造方法
US9564567B2 (en) Light emitting device package and method of fabricating the same
KR101884628B1 (ko) 발광 모듈 및 백라이트 유닛
US8471287B2 (en) LED package and method for making the same
KR101766299B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR100961231B1 (ko) 초미세 사이드뷰 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
CN206210838U (zh) 一种cob显示模组
CN102738351A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
CN106683578A (zh) 可消除模块间色彩差异的led显示屏及其制造方法
CN207651486U (zh) 一种高清led显示屏模组结构
CN106531730A (zh) Led封装组件及其制造方法
EP3711090A1 (en) System and method for chip-on-board light emitting diode
US11316085B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
US20110014732A1 (en) Light-emitting module fabrication method
CN206340544U (zh) 一种表面贴装式rgb‑led封装模组
CN206497891U (zh) Led模组和led封装组件
KR101984897B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP5436353B2 (ja) 発光装置
CN210575900U (zh) 一体化光电显示单元及其光电显示装置
KR102066518B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
CN206497900U (zh) Led封装组件以及led模组
KR20130077141A (ko) 유리 기판을 이용한 엘이디 모듈 및 그 제조 방법
TWI783724B (zh) 顯示面板
US11868005B2 (en) Partitioning member, planar light source, and liquid crystal display device
KR101370790B1 (ko) 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190418

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200422

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200511

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200811

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210106

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6821801

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250