CN113439334B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 338
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 13
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 claims description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- -1 Polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Abstract
一种显示基板,包括:衬底、设置在所述衬底一侧的多个发光器件,以及光线调节层。所述多个发光器件相互间隔设置。所述光线调节层中的至少一部分位于所述多个发光器件之间的间隙内,以使所述多个发光器件中的至少一个发光器件的侧壁被所述光线调节层包围;所述光线调节层的材料包括吸光材料;所述光线调节层被配置为,对射向至所述光线调节层的光线进行吸收。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode,简称Mini LED)指的是晶粒尺寸大约为100μm的发光二极管。因Mini LED具有自发光、高效率、高亮度、高可靠度、节能及反应速度快等诸多优点,能够实现每个像素的单独定址,并被应用至微显示、手机电视等中等尺寸显示到影院大屏幕显示等领域中。
发明内容
一方面,提供一种显示基板。所述显示基板包括:衬底、设置在所述衬底一侧的多个发光器件,以及光线调节层。所述多个发光器件相互间隔设置。所述光线调节层中的至少一部分位于所述多个发光器件之间的间隙内,以使所述多个发光器件中的至少一个发光器件的侧壁被所述光线调节层包围;所述光线调节层的材料包括吸光材料;所述光线调节层被配置为,对射向至所述光线调节层的光线进行吸收。
在一些实施例中,所述光线调节层中,位于所述多个发光器件之间的间隙内的部分的厚度为所述多个发光器件的厚度的0.5~1.5倍。
在一些实施例中,所述光线调节层的材料包括黑色油墨、黑胶和黑色光阻材料中的至少一种。
在一些实施例中,所述光线调节层的材料的吸收系数为2×10-5m-1~0.8m-1。
在一些实施例中,所述光线调节层远离所述衬底的表面,与所述多个发光器件远离所述衬底的表面持平,或者,相对于所述衬底高于或低于所述多个发光器件远离所述衬底的表面。
在一些实施例中,相对于所述衬底,所述光线调节层远离所述衬底的表面比所述多个发光器件远离所述衬底的表面高0μm~50μm,或者,比所述多个发光器件远离所述衬底的表面低0μm~15μm。
在一些实施例中,所述光线调节层包括:位于所述多个发光器件之间的间隙内的第一子光线调节层,以及设置在所述第一子光线调节层远离所述衬底的一侧的第二子光线调节层。所述第一子光线调节层远离所述衬底的表面,与所述多个发光器件远离所述衬底的表面持平,或者相对于所述衬底高于或低于所述多个发光器件远离所述衬底的表面。所述第一子光线调节层的材料包括反光材料。所述第一子光线调节层被配置为,将由发光器件入射至所述第一子光线调节层中的光线反射回所述发光器件中。所述第二子光线调节层远离所述衬底的表面,与所述多个发光器件远离所述衬底的表面持平,或者相对于所述衬底高于所述多个发光器件远离所述衬底的表面。所述第二子光线调节层的材料包括吸光材料。所述第二子光线调节层被配置为,对射向至所述第二子光线调节层的光线进行吸收。
在一些实施例中,所述第一子光线调节层中的反光材料的反射率为85%~95%。
在一些实施例中,所述第一子光线调节层的材料包括白色油墨、白胶、或金属材料中的至少一种。
在一些实施例中,所述第一子光线调节层远离所述衬底的表面距所述衬底的距离,与所述多个发光器件远离所述衬底的表面距所述衬底的距离之间的差值为-15μm~15μm。
在一些实施例中,所述第二子光线调节层的厚度为10μm~15μm。
在一些实施例中,所述第二子光线调节层在所述衬底上的正投影与所述多个发光器件在所述衬底上的正投影无重叠或大致无重叠。或者,所述多个发光器件在所述衬底上的正投影位于所述第二子光线调节层在所述衬底上的正投影内。
在一些实施例中,所述显示基板,还包括:覆盖在所述多个发光器件中的每个发光器件的侧壁的光反射层。
另一方面,提供一种显示基板的制备方法。所述显示基板的制备方法包括:提供衬底;在所述衬底的一侧设置相互间隔的多个发光器件;在设置有所述多个发光器件的衬底上形成光线调节层;所述光线调节层中的至少一部分位于所述多个发光器件之间的间隙,以使所述多个发光器件中的至少一个发光器件的侧壁被所述光线调节层包围;所述光线调节层的材料包括吸光材料;所述光线调节层被配置为,对射向至所述光线调节层的光线进行吸收。
在一些实施例中,所述在设置有所述多个发光器件的衬底上形成光线调节层,包括:在所述多个发光器件之间的间隙内形成第一子光线调节层;所述第一子光线调节层远离所述衬底的表面,与所述多个发光器件远离所述衬底的表面持平,或者相对于所述衬底高于或低于所述多个发光器件远离所述衬底的表面;所述第一子光线调节层的材料包括反光材料。在所述第一子光线调节层远离所述衬底的一侧形成第二子光线调节层;所述第二子光线调节层远离所述衬底的表面,与所述多个发光器件远离所述衬底的表面持平,或者相对于所述衬底高于所述多个发光器件远离所述衬底的表面;所述第二子光线调节层的材料包括吸光材料。
在一些实施例中,形成所述第一子光线调节层采用点胶工艺、喷胶工艺和3D打印工艺中的任一种。形成所述第二子光线调节层采用点胶工艺、喷胶工艺、线涂工艺、3D打印工艺、光刻工艺和注塑成型工艺中的任一种。
在一些实施例中,所述在设置有所述多个发光器件的衬底上形成光线调节层,包括:在所述多个发光器件远离所述衬底的一侧形成光线调节薄膜;相对于所述衬底,所述光线调节薄膜远离所述衬底的表面高于所述多个发光器件远离所述衬底的表面;所述光线调节薄膜包括吸光材料。对所述光线调节薄膜进行打磨,使所述光线调节薄膜的厚度减小,形成所述光线调节层。
又一方面,提供一种显示装置。所述显示装置包括:如上述一些实施例中所述的显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程等的限制。
图1为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的俯视图;
图2为图1中所示显示基板的一种沿A-A'向的剖视图;
图3为图1中所示显示基板的另一种沿A-A'向的剖视图;
图4为图1中所示显示基板的又一种沿A-A'向的剖视图;
图5为图1中所示显示基板的又一种沿A-A'向的剖视图;
图6为根据本公开一些实施例中的另一种显示基板的俯视图;
图7为图6中所示显示基板的一种沿B-B'向的剖视图;
图8为图6中所示显示基板的另一种沿B-B'向的剖视图;
图9为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的光路图;
图10为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的制备方法的流程图;
图11为根据本公开一些实施例中的一种形成光线调节层的流程图;
图12为图11中所示的一种形成光线调节层的一种制备流程图;
图13为图11中所示的一种形成光线调节层的另一种制备流程图;
图14为图11中所示的一种形成光线调节层的又一种制备流程图;
图15为根据本公开一些实施例中的另一种形成光线调节层的流程图;
图16为图15中所示的另一种形成光线调节层的一种制备流程图;
图17为根据本公开一些实施例中的一种显示装置的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义,均包括以下A、B和C的组合:仅A,仅B,仅C,A和B的组合,A和C的组合,B和C的组合,及A、B和C的组合。
在相关技术中,Mini LED可以发出多种颜色的光,例如红色、绿色、蓝色或白色。在将Mini LED应用到显示装置中时,Mini LED能够设置在显示装置所具有的子像素区域内,直接作为子像素进行显示。
显示装置中设置有向Mini LED提供电信号的衬底,该衬底以及Mini LED均可能会对入射至各自表面上的光线进行反射。这样在显示装置显示亮度为0的情况下,显示装置的显示面会因衬底以及Mini LED的反射作用而显示有亮度,导致显示装置的对比度降低。
本公开的一些实施例提供了一种显示基板100。如图1~图9所示,显示基板100包括:衬底1,设置在衬底1一侧的多个发光器件2,以及光线调节层3。
在一些示例中,上述多个发光器件2中的每个发光器件2为LED(Light EmittingDiode,发光二极管)、Mini LED或Micro LED(Micro Light Emitting Diode,微型发光二极管)。
在一些示例中,如图9所示,每个发光器件2包括:被配置为发出光线的发光层21,以及设置在发光层21的一侧的透射层22。在将发光器件2设置在衬底1上之后,透射层22位于发光层21的远离衬底1的一侧。发光层21中发出的光线会先穿过透射层22后,才向显示侧出射。发光层21中发出的光线在穿过透射层22后会被打散,并从多个方向射出,这样可以降低光线密度,提高发光器件2出光的均匀度。例如,透射层22包括折射率为1.78的蓝宝石材料形成。在一些示例中,透射层22也可以包括空气。
衬底1具有呈阵列状排布的多个子像素区域,每个发光器件2对应设置在一个子像素区域内,多个发光器件2相互间隔设置。
在一些示例中,上述衬底1被配置为,为每个发光器件2提供驱动电压,以使得发光器件2能够在该驱动电压的驱动下发光。
示例性的,衬底1可以包括衬底基板以及设置在衬底基板上的多个像素驱动电路,该多个像素驱动电路与多个子像素区域一一对应。这样每个发光器件2便可以在对应的像素驱动电路所提供的驱动电压的驱动下发光。
上述像素驱动电路的结构包括多种,例如“2T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等结构。此处,“T”表示为薄膜晶体管,位于“T”前面的数字表示为薄膜晶体管的个数,“C”表示为存储电容器,位于“C”前面的数字表示为存储电容器的个数。每种结构的像素驱动电路所包括的多个薄膜晶体管中,有一个薄膜晶体管为驱动晶体管。
当然,本公开实施例除了采用上述驱动方式对多个发光器件2进行驱动以外,还可以采用其他的驱动方式。例如,本公开实施例还可以采用无源驱动的方式或IC(IntegratedCircuit,集成电路)驱动的方式对多个发光器件2进行驱动。
衬底1中的衬底基板包括多种结构。示例性的,衬底基板为柔性衬底基板,例如PET(Polyethylene terephthalate,聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底基板、PEN(Polyethylenenaphthalate two formic acid glycol ester,聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底基板或PI(Polyimide,聚酰亚胺)衬底基板。示例性的,衬底基板为刚性衬底基板,例如玻璃衬底基板或PMMA(Polymethyl methacrylate,聚甲基丙烯酸甲酯)衬底基板。
上述多个发光器件2相互间隔设置,也即多个发光器件2之间具有间隙。如图2~图5、图7和图8所示,上述光线调节层3中的至少一部分位于该多个发光器件2之间的间隙内,以使该多个发光器件2中的至少一个发光器件2的侧壁23被光线调节层3包围。发光器件2的侧壁23指的是,发光器件2中垂直或大致垂直于衬底1的表面。
上述光线调节层3中的至少一部分位于该多个发光器件2之间的间隙内,包括多种设置方式。
例如,光线调节层3中的一部分位于该多个发光器件2之间的间隙内,此时,如图3和图5所示,在发光器件2沿垂直于衬底1延伸的方向上,光线调节层3的另一部分可以位于相邻两个发光器件2之间的区域内;或,如图7和图8所示,光线调节层3的另一部分还可以位于该至少一个发光器件2远离衬底1的表面,这样光线调节层3既可以对多个发光器件2中的至少一个发光器件2的侧壁23形成包围,还可以对该至少一个发光器件2的远离衬底1的表面形成包围覆盖。
又如,如图2和图4所示,光线调节层3全部位于该多个发光器件2之间的间隙内,对多个发光器件2中的至少一个发光器件2的侧壁23形成包围。
通过设置光线调节层3,能够对多个发光器件2中的至少一个发光器件2的侧壁23甚至是远离衬底1的表面形成保护,避免该至少一个发光器件2的侧壁23甚至是远离衬底1的表面在生产过程中产生被因剐蹭而脱落或破损的情况,进而避免影响该至少一个发光器件2的品质。而且,设置光线调节层3,还可以将该至少一个发光器件2较好的固定在衬底1上,减少甚至避免发生发光器件2松动难以良好发光的情况,进而确保显示基板100的良好显示效果。
在一些示例中,光线调节层3的材料包括吸光材料。光线调节层3被配置为,对射向至光线调节层3的光线进行吸收。这也就意味着,射向至光线调节层3的光线中,较多的光线会被吸收,这样可以有效减少被光线调节层3所反射的光线的量。
由此,本公开实施例中提供的显示基板100,通过设置光线调节层3,使得光线调节层3的至少一部分位于多个发光器件2之间的间隙内,不仅可以对多个发光器件2中的至少一个发光器件2形成保护,避免该至少一个发光器件2在生产过程中产生被因剐蹭而脱落或破损而被影响品质,还可以对该至少一个发光器件2形成固定的作用,确保显示基板100的良好显示效果。
而且,本公开实施例中提供的显示基板100中,所设置的光线调节层3的材料包括吸光材料,这样可以利用光线调节层3对射向至光线调节层3的光线进行吸收,减少被光线调节层3反射的光线的量。由于光线调节层3的至少一部分设置在多个发光器件2之间的间隙内,这样光线调节层3能够对衬底1、至少一个发光器件2的侧壁23甚至远离衬底1的表面形成遮挡,减少衬底1和该至少一个发光器件2所反射的光线的量,减少因衬底1和该至少一个发光器件2的反射而射向外界(也即与显示基板100的显示面相对的大气中)的光线的量,进而在显示基板100显示亮度为0的情况下,可以使得显示基板100的显示面处于更黑的状态。
此外,本公开实施例通过调节提供给发光器件2的驱动电压,即可使得显示基板所显示的亮度与未设置光线调节层3时的亮度相同。这也就意味着,本公开实施例不仅可以确保显示基板100能够显示未设置光线调节层3时的最大灰阶亮度,还可以使得显示基板100能够显示比未设置光线调节层3时的最低灰阶,增大了亮态最值和暗态最值之间的差异范围,有效增加显示基板100的对比度。
本公开的实施例中,光线调节层3的材料包括吸光材料,包括多种情况。也即,光线调节层3的全部的材料包括吸光材料,或光线调节层3的至少一部分的材料包括吸光材料。这两种情况与光线调节层3的结构相关。
在一些实施例中,如图2、图3和图7所示,光线调节层3为一层薄膜的结构,全部的光线调节层3的材料包括吸光材料。
示例性的,光线调节层3的材料包括黑色油墨、黑胶和黑色光阻材料等中的至少一种,但光线调节层3的材料不限于此。此处,吸光材料即为黑色油墨、黑胶和黑色光阻材料等中的至少一种。其中,黑胶例如为掺杂有黑粉的硅胶,例如,该黑胶中,每100g的硅胶中掺杂0.5g~1.5g的黑粉。
在一些示例中,光线调节层3中,位于该多个发光器件2之间的间隙内的部分的厚度D1(也即沿垂直于衬底1的方向的尺寸)为该多个发光器件3的厚度D2(也即沿垂直于衬底1的方向的尺寸)的0.5~1.5倍。
此处,如图2和图3所示,光线调节层3中位于该多个发光器件2之间的间隙内的部分指的是,沿垂直于衬底1的方向上,光线调节层3的位于相邻两个发光器件2之间的部分,该部分包括在发光器件2沿垂直于衬底1延伸的方向上,位于相邻两个发光器件2之间的部分,不包括位于发光器件2的背离衬底1的一侧的部分。
示例性的,光线调节层3中位于该多个发光器件2之间的间隙内的部分的厚度D1为该多个发光器件3的厚度D2的1倍。也即光线调节层3中位于该多个发光器件2之间的间隙内的部分的厚度D1与该多个发光器件3的厚度D2几乎相等。此时,如图2所示,光线调节层3远离衬底1的表面P,与该多个发光器件2远离衬底1的表面Q持平。
示例性的,光线调节层3中位于该多个发光器件2之间的间隙内的部分的厚度D1与该多个发光器件3的厚度D2之间的倍数大于或等于0.5倍,且小于1倍。也即光线调节层3中位于该多个发光器件2之间的间隙内的部分的厚度D1小于该多个发光器件3的厚度D2。此时,光线调节层3远离衬底1的表面P,低于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q。示例性的,相对于衬底1,光线调节层3远离衬底1的表面P比该多个发光器件2远离衬底1的表面Q低0μm~15μm。例如,相对于衬底1,光线调节层3远离衬底1的表面P比该多个发光器件2远离衬底1的表面Q低5μm、7μm、10μm、13μm或15μm等。此外,在光线调节层3远离衬底1的表面P比该多个发光器件2远离衬底1的表面Q低0μm的情况下,则意味着二者持平。
需要说明的是,光线调节层3被配置为对射向至光线调节层3的光线进行吸收,此处的光线不仅包括由外界射向至光线调节层3的光线,还包括由发光器件2所发出的且射向至光线调节层3的光线。
此处,光线调节层3对光的吸收公式为:I=I0×e-aL,其中,I为光线进入光线调节层3之前的光强,I0为光线穿过光线调节层3射出之后的光强,为α为光线调节层3的吸收系数,L为光线在光线调节层3中行进的光程。由该公式可知,光线在光线调节层3中行进的光程越短,则光线调节层3对光线的吸收越少。
本公开实施例通过将光线调节层3远离衬底1的表面P,设置为与发光器件2远离衬底1的表面Q持平或者低于发光器件2远离衬底1的表面Q,这样不仅可以利用光线调节层3对发光器件2进行保护和固定,以确保显示基板100的显示效果,还可以使得发光器件2所发出的光线在光线调节层3中的行进路程较短,减少光线调节层3对发光器件2所发出的光线的吸收,减少光线的损失。此外,由于可以减少光线的损失,这样在确保显示基板100所需显示亮度的情况下,可以避免给发光器件2提供较大的驱动电压,降低功耗。
示例性的,光线调节层3中位于该多个发光器件2之间的间隙内的部分的厚度D1与该多个发光器件3的厚度D2之间的倍数大于1且小于或等于1.5。也即,光线调节层3中位于该多个发光器件2之间的间隙内的部分的厚度D1,大于发光器件3的厚度D2。此时,如图3和图7所示,相对于衬底1,光线调节层3远离衬底1的表面P高于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q。
在相对于衬底1,光线调节层3远离衬底1的表面P高于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q的情况下,光线调节层3有多种设置方式。
例如,如图1和图3所示,光线调节层3包围每个发光器件2的侧壁23,未对各发光器件2背离衬底1的表面Q形成覆盖。
又如,如图6和图7所示,该多个发光器件2在衬底1上的正投影位于光线调节层3在衬底1上的正投影内。光线调节层3在包围每个发光器件2的侧壁23的同时,对各发光器件2背离衬底1的表面Q形成覆盖。
本公开实施例通过将光线调节层3远离衬底1的表面P设置为高于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q,可以减小甚至避免各发光器件2对外界入射至各发光器件2的光线的反射,这样有利于确保在显示基板100显示亮度为0的情况下,显示面处于较黑的状态,有效提高显示基板100的对比度。
在本示例中,相对于衬底1,光线调节层3远离衬底1的表面P高于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q的尺寸,根据实际需要选择设置,以既能够有效提高显示基板100的对比度,又能避免产生较大的光线损失为准。
示例性的,相对于衬底1,光线调节层3远离衬底1的表面P比该多个发光器件2远离衬底1的表面Q高0μm~50μm。例如,相对于衬底1,光线调节层3远离衬底1的表面P比该多个发光器件2远离衬底1的表面Q高10μm、20μm、30μm、40μm或50μm等。此外,在光线调节层3远离衬底1的表面P比该多个发光器件2远离衬底1的表面Q高0μm的情况下,则意味着二者持平。
需要说明的是,根据光线调节层3对光的吸收公式可知,光线调节层3对光线的吸收,还与光线调节层3的吸收系数相关,光线调节层3的吸收系数越小,则光线调节层3对光线的吸收越少。
示例性的,光线调节层3的吸收系数为2×10-5m-1~0.8m-1。这样可以减少光线调节层3对发光器件2所发出的光线的吸收,减少光线的损失。进而可以在确保显示基板100所需显示亮度的情况下,避免给发光器件2提供较大的驱动电压,降低功耗。
在另一些实施例中,如图4、图5和图8所示,光线调节层3为由多层薄膜层叠的结构,光线调节层3中的至少一层薄膜的材料包括吸光材料。
在一些示例中,光线调节层3为由两层薄膜层叠的结构。光线调节层3包括:位于该多个发光器件2之间的间隙内的第一子光线调节层31。第一子光线调节层31的材料包括反光材料。第一子光线调节层31被配置为,将由发光器件2入射至第一子光线调节层31中的光线反射回发光器件2中。
此处,第一子光线调节层31位于该多个发光器件2之间的间隙内,包括:第一子光线调节层31的一部分或者全部位于该多个发光器件2之间的间隙内。
示例性的,第一子光线调节层31全部位于该多个发光器件2之间的间隙内。如图4所示,相对于衬底1,第一子光线调节层31远离衬底1的表面P1,低于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q,第一子光线调节层31能够对各发光器件2的侧壁23的一部分形成包围。或,如图8所示,第一子光线调节层31远离衬底1的表面P1,与该多个发光器件2远离衬底1的表面Q持平,第一子光线调节层31能够对各发光器件2的侧壁23的形成包围。
示例性的,第一子光线调节层31的一部分位于该多个发光器件2之间的间隙内。如图5所示,相对于衬底1,第一子光线调节层31远离衬底1的表面P1,高于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q,第一子光线调节层31能够对各发光器件2的侧壁23的形成包围。此时,如图5所示,第一子光线调节层31在衬底1上的正投影与该多个发光器件2在衬底1上的正投影无重叠。
上述第一子光线调节层31的材料包括反光材料,也即第一子光线调节层31能够对射向至第一子光线调节层31的光线进行反射。示例性的,如图9所示,第一子光线调节层31对各发光器件2的侧壁23形成包围,这样发光器件2所发出的光在入射至发光器件2的侧壁23后,会在包围该侧壁23的第一子光线调节层31的作用下发生反射,射回发光器件2内。也就是说,发光器件2所发出的光能够在第一子光线调节层31的作用下发生至少一次反射,并使得反射后的光线可以从发光器件2的背离衬底1的表面射出。这样可以减少甚至避免射向至发光器件2的侧壁23的光线被吸收,提高从发光器件2的背离衬底1的表面射出的光线的量,有利于提高显示基板100的光效,降低提高显示基板100的功耗。
在一些示例中,光线调节层3还包括:设置在第一子光线调节层31远离衬底1的一侧的第二子光线调节层32。第二子光线调节层32的材料包括吸光材料。第二子光线调节层32被配置为,对射向至第二子光线调节层32中的光线进行吸收。
此处,第二子光线调节层32设置在第一子光线调节层31远离衬底1的一侧,包括但不限于:第二子光线调节层32设置在第一子光线调节层31远离衬底1的一侧表面上,也即两者直接接触。
第二子光线调节层32设置在第一子光线调节层31远离衬底1的一侧之后,如图4所示,第二子光线调节层32远离衬底1的表面P(即为光线调节层3远离衬底1的包面P),与该多个发光器件2远离衬底1的表面Q持平。或者,如图5和图8所示,相对于衬底1,第二子光线调节层32远离衬底1的表面P,高于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q。
第二子光线调节层32的图案包括多种。
例如,如图4和图5所示,第一子光线调节层31在衬底1上的正投影与第二子光线调节层31在衬底1上的正投影重合,此时,第二子光线调节层32在衬底1上的正投影与该多个发光器件2在衬底1上的正投影无重叠或大致无重叠。这样可以利用第二子光线调节层32对第一子光线调节层31进行覆盖,利用第二子光线调节层32对由外界射向至第二子光线调节层32的光线进行吸收,避免该光线射向至第一子光线调节层31并被第一子光线调节层31反射,影响显示基板100在显示亮度为0的情况下的显示面的状态,进而避免影响显示基板100的对比度。
又如,如图8所示,第一子光线调节层31在衬底1上的正投影位于第二子光线调节层32在衬底1上的正投影内,此时,多个发光器件2在衬底1上的正投影位于第二子光线调节层32在衬底1上的正投影内。这样可以利用第二子光线调节层32对第一子光线调节层31和多个发光器件2进行覆盖,利用第二子光线调节层32对由外界射向至第二子光线调节层32的光线进行吸收,避免该光线射向至第一子光线调节层31或多个发光器件2并被第一子光线调节层31或多个发光器件2反射,影响显示基板100在显示亮度为0的情况下的显示面的状态,进而避免影响显示基板100的对比度。
由此,本公开实施例通过设置包括第一光线调节层31和第二光线调节层32的光线调节层3,既可以提高显示基板100的光效,降低提高显示基板100的功耗,还可以确保显示基板100具有较高的对比度。
在一些示例中,第一子光线调节层31中的反光材料的反射率为85%~95%。这样可以有效确保第一子光线调节层31对各发光器件2射向至第一子光线调节层31的光线具有良好的反射效果,确保显示基板100具有较高的光效,较低的功耗。
第一子光线调节层31的材料包括多种。示例性的,第一子光线调节层31的材料包括白色油墨、白胶、或金属材料等中的至少一种,但第一子光线调节层31的材料不限于此。此处,反光材料即为白色油墨、白胶、或金属材料等中的至少一种。上述白胶例如为掺杂有钛白粉的硅胶。上述金属材料例如为具有较高反射率的金、铜或钼。
第二子光线调节层32的材料包括多种。示例性的,第二子光线调节层32的材料包括黑色油墨、黑胶和黑色光阻材料等中的至少一种,但第二子光线调节层32的材料不限于此。此处,吸光材料即为黑色油墨、黑胶和黑色光阻材料等中的至少一种。
在一些示例中,相对于衬底1,第一子光线调节31远离衬底1的表面P1与多个发光器件2远离衬底1的表面Q之间的关系,可以根据实际需要选择设置。示例性的,第一子光线调节层31远离衬底1的表面P1距衬底1的距离D3(也即第一子光线调节层31在沿垂直于衬底1的方向上的尺寸),与该多个发光器件2远离衬底1的表面Q距衬底1的距离D2(也即发光器件2的厚度)之间的差值为-15μm~15μm。也即,相对于衬底1,第一子光线调节31远离衬底1的表面P1可以最多低于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q15μm,或第一子光线调节31远离衬底1的表面P1可以最多高于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q15μm。这样可以有效确保第一子光线调节层31对各发光器件2射向至第一子光线调节层31的光线的反射效果。
第二子光线调节层32的厚度D4(也即第二子光线调节层32在沿垂直于衬底1的方向上的尺寸)可以根据实际需要选择设置。在一些示例中,第二子光线调节层32的厚度D4为10μm~15μm。例如,第二子光线调节层32的厚度D4为10μm、11μm、13μm或15μm等。
需要说明的是,第一子光线调节层31远离衬底1的表面P1距衬底1的距离D3,与该多个发光器件2远离衬底1的表面Q距衬底1的距离D2之间的差值的设置,与第二子光线调节层32的厚度D4的设置,需要确保第二子光线调节层32远离衬底1的表面P与该多个发光器件2远离衬底1的表面Q持平,或相对于衬底1高于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q。
例如,第一子光线调节层31远离衬底1的表面P1距衬底1的距离D3,与该多个发光器件2远离衬底1的表面Q距衬底1的距离D2之间的差值设置为-15μm,则第二子光线调节层32的厚度D4设置为15μm。又如,第一子光线调节层31远离衬底1的表面P1距衬底1的距离D3,与该多个发光器件2远离衬底1的表面Q距衬底1的距离D2之间的差值设置为-10μm,则第二子光线调节层32的厚度D4设置为10μm~15μm。
此处,本公开对上述实施例中所提及的几种方案的相对亮度进行示意性说明。
例如:如图2所示的方案中,光线调节层3为一层薄膜的结构,且光线调节层3远离衬底1的表面P与发光器件2远离衬底1的表面Q持平;如图7所示的方案中,光线调节层3为一层薄膜的结构,且相对于衬底1,光线调节层3远离衬底1的表面P高于发光器件2远离衬底1的表面Q;以及,如图4所示的方案中,光线调节层3为两层薄膜的结构,且第二子光线调节层32远离衬底1的表面P与发光器件2远离衬底1的表面Q持平。
相对亮度指的是,在提供相同驱动电压的情况下,以某一实施例中显示基板100所显示的亮度为基准100%,其他实施例中显示基板100所显示的亮度。
例如,以如图2所示的方案为基准,如图7所示的方案的相对亮度为25%~50%,如图4所示的方案的相对亮度为115%~130%。
由此,将光线调节层3远离衬底1的表面P设置为与发光器件2远离衬底1的表面Q持平,或在第二子光线调节层32和衬底1之间设置第一子光线调节层31,有利于减少对发光器件2所发出的光线的吸收,也即有利于降低显示基板100的功耗。
在一些实施例中,如图7所示,本公开实施例提供的显示基板100,还包括:覆盖在每个发光器件2的侧壁23上的光反射层4。该反射层4被配置为,将由发光器件2入射至反射层4的光线反射回发光器件2中。也就是说,发光器件2所发出的光能够在反射层4的作用下发生至少一次反射,并使得反射后的光线可以从发光器件2的背离衬底1的表面射出。这样可以利用反射层4提高从发光器件2的背离衬底1的表面射出的光线的量,有利于提高显示基板100的光效,降低提高显示基板100的功耗。而且,在设置光反射层4之后,光线调节层3的结构可以仅设置为一层薄膜的结构,有利于简化光线调节层3的制备工艺。
本公开的一些实施例提供了一种显示基板的制备方法。如图10所示,该显示基板的制备方法包括:S100~S300。
S100,提供衬底。
S200,在衬底的一侧设置相互间隔的多个发光器件。
在一些示例中,可以采用巨量转移的方式将该多个发光器件设置在衬底的一侧。该多个发光器件和衬底之间可以设置有多个焊点,以使得多个发光器件能够通过对应的焊点与衬底实现电连接。
在一些示例中,上述衬底被配置为,为每个发光器件提供驱动电压,以使得发光器件能够在该驱动电压的驱动下发光。由此,上述S100中所提供的衬底中,包括与每个发光器件相对应的像素驱动电路。该像素驱动电路可以通过对应的焊点与对应的发光器件电连接。
在一些示例中,衬底的一侧形成有至少一层功能薄膜(例如绝缘层、钝化层或平坦层等),上述多个发光器件形成在该至少一层功能薄膜的远离衬底的一侧表面上。
S300,在设置有上述多个发光器件的衬底上形成光线调节层。该光线调节层中的至少一部分位于该多个发光器件之间的间隙,以使该多个发光器件中的至少一个发光器件的侧壁被光线调节层包围。光线调节层的材料包括吸光材料。所述光线调节层被配置为,对射向至所述光线调节层的光线进行吸收。
上述光线调节层包括多种结构。例如,光线调节层为由一层薄膜构成的结构。又如光线调节层为由两层薄膜构成的结构。光线调节层的结构不限于此。
此处,形成光线调节层的工艺流程与光线调节层的结构相关。
在一些实施例中,光线调节层为由两层薄膜构成的结构。
如图11所示,上述S300中,在设置有多个发光器件的衬底上形成光线调节层,包括:S310a~S320a。
S310a,如图13中(a)、图14中(a)和图15中(a)所示,在该多个发光器件2之间的间隙内形成第一子光线调节层31。第一子光线调节层31远离衬底1的表面P1,与该多个发光器件2远离衬底1的表面Q持平,或者相对于衬底1高于或低于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q。第一子光线调节层31的材料包括反光材料。
第一子光线调节层31的材料包括多种。示例性的,第一子光线调节层31的材料包括白色油墨、白胶、或金属材料中的至少一种。此处,白胶例如为掺杂有钛白粉的硅胶。金属材料可以包括具有较高反射率的金、铜或钼等。
第一子光线调节层31的形成工艺与其所包括的材料相关。
示例性的,在第一子光线调节层31的材料包括白色油墨或白胶的情况下,由于白色油墨或白胶为具有流体性质的材料,此时,可以采用点胶工艺、喷胶工艺和3D打印工艺中的任一种形成第一子光线调节层31。
示例性的,在第一子光线调节层31的材料包括金属材料的情况下,可以采用3D打印工艺形成第一子光线调节层31。
需要说明的是,在第一子光线调节层31的材料包括白色油墨或白胶的情况下,上述S310a中,在该多个发光器件2之间的间隙内形成第一子光线调节层31,包括:S3101a~S3102a。
S3101a,采用点胶工艺、喷胶工艺和3D打印工艺中的任一种,在该多个发光器件2之间的间隙内形成第一子光线调节薄膜。由于白色油墨或白胶具有流体性质,这些材料能够在该多个发光器件2之间的间隙内自发的流动,较为均匀的填充在该多个发光器件2之间的间隙内,形成第一子光线调节薄膜。
S3102a,对第一子光线调节薄膜进行烘烤处理,形成第一子光线调节层31。
示例性的,上述烘烤处理的温度范围为140℃~160℃,烘烤处理的时间的范围为1h~2h。
此处,具有流体性质的材料经流动后形成第一子光线调节薄膜,之后经烘烤处理所形成的第一子光线调节层31的形貌包括多种。
例如,如图4所示,第一子光线调节层31的与各发光器件2的侧壁相接触的部分的厚度(也即沿垂直于衬底1的方向上的尺寸),大于第一子光线调节层31的未与各发光器件2的侧壁相接触的部分的厚度(也即沿垂直于衬底1的方向上的尺寸),此时,该形貌可以为第一子光线调节层31的位于中间的部分相对与位于边缘的部分凹陷。
又如,如图8所示,第一子光线调节层31的与各发光器件2的侧壁相接触的部分的厚度,小于第一子光线调节层31的未与各发光器件2的侧壁相接触的部分的厚度,此时,该形貌可以为第一子光线调节层31的位于中间的部分相对与位于边缘的部分凸起。
通过对第一子光线调节薄膜进行烘烤处理,可以将液态的第一子光线调节薄膜转化为固态的第一子光线调节层31,这样可以使得所形成的第一子光线调节层31具有较为稳定的形态,避免后续第二子光线调节层32的形成,并避免形成第二子光线调节层32的过程中对第一子光线调节层31形成污染。
S320a,在第一子光线调节层31远离衬底1的一侧形成第二子光线调节层32。第二子光线调节层32远离衬底1的表面P,与该多个发光器件2远离衬底1的表面Q持平,或者相对于衬底1高于该多个发光器件2远离衬底1的表面Q。第二子光线调节层32的材料包括吸光材料。
此处,第二子光线调节层32的材料包括黑色油墨、黑胶和黑色光阻材料中的至少一种。
形成第二子光线调节层32的工艺包括多种。示例性的,形成第二子光线调节层32可以采用点胶工艺、喷胶工艺、线涂工艺、3D打印工艺、光刻工艺和注塑成型工艺中的任一种。
需要说明的是,第二子光线调节层32的材料具有流体性质。上述S310a中,在该多个发光器件2之间的间隙内形成第一子光线调节层31,包括:S3201a~S3202a。
S3201a,在第一子光线调节层31远离衬底1的一侧形成第二子光线调节薄膜32'。
示例性的,如图13中(b)所示,采用点胶工艺、喷胶工艺、线涂工艺和3D打印工艺中的任一种,形成第二子光线调节薄膜32'。
示例性的,如图12中(b)和(c)所示,采用注塑成型工艺形成第二子光线调节薄膜32'。采用注塑成型工艺形成第二子光线调节薄膜32'的工艺过程例如为:在多个发光器件2的远离衬底1的一侧设置注塑成型模具5,并抽真空形成真空环境,通过注胶孔51在注塑成型模具5和第一子光线调节层31之间注入第二子光线调节层32的材料,形成第二子光线调节薄膜32'。此处,如图12中(d)所示,可以在对第二子光线调节薄膜32'进行烘烤处理使得第二子光线调节薄膜32'固化后,去除注塑成型模具5。对第二子光线调节薄膜32'的烘烤处理,可以参照S3202a中提及的内容。
S3202a,对第二子光线调节薄膜32'进行烘烤处理,形成第二子光线调节层32。
示例性的,上述烘烤处理的温度范围为140℃~160℃,烘烤处理的时间的范围为1h~2h。
通过对第二子光线调节薄膜32'进行烘烤处理,可以将液态的第二子光线调节薄膜32'转化为固态的第二子光线调节层32,这样可以使得所形成的第二子光线调节层32具有较为稳定的形态。
此外,在采用光刻工艺形成第二子光线调节层32的过程例如为:如图14中(b)所示,采用点胶工艺、喷胶工艺、线涂工艺和3D打印工艺中的任一种,形成第二子光线调节薄膜32';如图14中(c)所示,对第二子光线调节薄膜32'进行烘烤处理,之后采用光刻工艺对烘烤处理后的第二子光线调节薄膜32'进行刻蚀,形成第二子光线调节层32。
在另一些实施例中,光线调节层为由一层薄膜构成的结构。
如图15所示,上述S300中,在设置有多个发光器件的衬底上形成光线调节层,包括:S310b~S320b。
S310b,如图16中(a)所示,在该多个发光器件2远离衬底1的一侧形成光线调节薄膜3'。相对于衬底1,光线调节薄膜3'远离衬底1的表面高于多个发光器件2远离衬底1的表面。光线调节薄膜3'包括吸光材料。
示例性的,形成光线调节薄膜3'的工艺包括点胶工艺、喷胶工艺、线涂工艺和3D打印工艺中的任一种。
S320b,如图16中(b)所示,对光线调节薄膜3'进行打磨,使光线调节薄膜3'的厚度减小,形成光线调节层3。
示例性的,相对于衬底1,所形成的光线调节层3远离衬底1的表面P比发光器件2远离衬底1的表面Q高0μm~50μm。在所形成的光线调节层3远离衬底1的表面P比发光器件2远离衬底1的表面Q高0μm的情况下,两者持平。
此处,在S310b之后,在S320b之前,在设置有多个发光器件的衬底上形成光线调节层,还包括对光线调节薄膜3'进行烘烤处理,以使得光线调节薄膜3'由液态转变为固态,便于对光线调节薄膜3'的远离衬底1的表面进行打磨。
上述打磨可以采用研磨工艺。这样可以使得所形成的光线调节层3的远离衬底1的表面P较为平整(例如该表面的波动范围为-5μm~5μm),避免所制备的显示基板出现显示不均的现象。
此外,在又一些实施例中,在光线调节层为由一层薄膜构成的结构的情况下,在设置有多个发光器件的衬底上形成光线调节层,包括:在多个发光器件的间隙内形成光线调节薄膜,对该光线调节薄膜进行烘烤处理,形成光线调节层。光线调节层远离衬底的表面与该多个发光器件背离衬底的表面持平,或者低于该多个发光器件背离衬底的表面。
此处,形成光线调节薄膜的工艺可以包括点胶工艺、喷胶工艺、线涂工艺、3D打印工艺、光刻工艺和注塑成型工艺中的任一种。上述烘烤处理的温度范围可以为140℃~160℃,烘烤处理的时间范围可以为1h~2h。
本公开的一些实施例提供了一种显示装置200。如图17所示,该显示装置200包括如上述一些实施例中提供的显示基板100。
上述显示装置200所包括的显示基板100,具有与上述一些实施例中提供的显示基板100相同的结构和有益效果,此处不再赘述。
在一些实施例中,上述显示装置200为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种显示基板,包括:
衬底;
设置在所述衬底一侧的多个发光器件,所述多个发光器件相互间隔设置;以及,
光线调节层,所述光线调节层中的一部分位于所述多个发光器件之间的间隙内,以使所述多个发光器件中的至少一个发光器件的侧壁被所述光线调节层包围;所述光线调节层的材料包括吸光材料;所述光线调节层被配置为,对射向至所述光线调节层的光线进行吸收;
所述光线调节层包括:
位于所述多个发光器件之间的间隙内的第一子光线调节层;所述第一子光线调节层的材料包括反光材料;所述第一子光线调节层被配置为,将由发光器件入射至所述第一子光线调节层中的光线反射回所述发光器件中;以及,
设置在所述第一子光线调节层远离所述衬底的一侧的第二子光线调节层;所述第二子光线调节层的材料包括吸光材料;所述第二子光线调节层被配置为,在显示基板显示亮度为0的情况下,对由外界射向至所述第二子光线调节层的光线进行吸收,以提高显示基板的对比度;
所述第一子光线调节层远离所述衬底的表面,相对于所述衬底高于所述多个发光器件远离所述衬底的表面;所述第二子光线调节层远离所述衬底的表面,相对于所述衬底高于所述多个发光器件远离所述衬底的表面;
所述第一子光线调节层在所述衬底上的正投影位于所述第二子光线调节层在所述衬底上的正投影内,所述多个发光器件在所述衬底上的正投影位于所述第二子光线调节层在所述衬底上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述光线调节层中,位于所述多个发光器件之间的间隙内的部分的厚度,与所述多个发光器件的厚度之间的倍数大于1且小于或等于1.5。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板,其中,所述第二子光线调节层的材料包括黑色油墨、黑胶和黑色光阻材料中的至少一种。
4.根据权利要求1或2所述的显示基板,其中,所述第二子光线调节层的材料的吸收系数为2×10-5 m-1~0.8m-1。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一子光线调节层中的反光材料的反射率为85%~95%。
6.根据权利要求1或5所述的显示基板,其中,所述第一子光线调节层的材料包括白色油墨、白胶、或金属材料中的至少一种。
7.根据权利要求1或2所述的显示基板,其中,所述第一子光线调节层远离所述衬底的表面距所述衬底的距离,与所述多个发光器件远离所述衬底的表面距所述衬底的距离之间的差值大于0且小于或等于15μm。
8.根据权利要求1或2所述的显示基板,其中,所述第二子光线调节层的厚度为10μm~15μm。
9.根据权利要求1或2所述的显示基板,还包括:覆盖在所述多个发光器件中的每个发光器件的侧壁的光反射层。
10.一种显示基板的制备方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底的一侧设置相互间隔的多个发光器件;
在设置有所述多个发光器件的衬底上形成光线调节层;所述光线调节层中的至少一部分位于所述多个发光器件之间的间隙,以使所述多个发光器件中的至少一个发光器件的侧壁被所述光线调节层包围;所述光线调节层的材料包括吸光材料;所述光线调节层被配置为,对射向至所述光线调节层的光线进行吸收;
所述在设置有所述多个发光器件的衬底上形成光线调节层,包括:
在所述多个发光器件之间的间隙内形成第一子光线调节层;所述第一子光线调节层远离所述衬底的表面,相对于所述衬底高于所述多个发光器件远离所述衬底的表面;所述第一子光线调节层的材料包括反光材料;所述第一子光线调节层被配置为,将由发光器件入射至所述第一子光线调节层中的光线反射回所述发光器件中;
在所述第一子光线调节层远离所述衬底的一侧形成第二子光线调节层;所述第二子光线调节层远离所述衬底的表面,相对于所述衬底高于所述多个发光器件远离所述衬底的表面;所述第二子光线调节层的材料包括吸光材料;所述第二子光线调节层被配置为,在显示基板显示亮度为0的情况下,对由外界射向至所述第二子光线调节层的光线进行吸收,以提高显示基板的对比度;
所述第一子光线调节层在所述衬底上的正投影位于所述第二子光线调节层在所述衬底上的正投影内,所述多个发光器件在所述衬底上的正投影位于所述第二子光线调节层在所述衬底上的正投影内。
11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法,其中,
形成所述第一子光线调节层采用点胶工艺、喷胶工艺和3D打印工艺中的任一种;
形成所述第二子光线调节层采用点胶工艺、喷胶工艺、线涂工艺和注塑成型工艺中的任一种。
12.一种显示装置,包括如权利要求1~9中任一项所述的显示基板。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2020/073961 WO2021147064A1 (zh) | 2020-01-23 | 2020-01-23 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113439334A CN113439334A (zh) | 2021-09-24 |
CN113439334B true CN113439334B (zh) | 2024-03-26 |
Family
ID=76992720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080000076.8A Active CN113439334B (zh) | 2020-01-23 | 2020-01-23 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220052225A1 (zh) |
EP (1) | EP4095914A4 (zh) |
JP (1) | JP2023519040A (zh) |
KR (1) | KR20220131491A (zh) |
CN (1) | CN113439334B (zh) |
TW (2) | TWI787693B (zh) |
WO (1) | WO2021147064A1 (zh) |
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- 2020-01-23 US US17/291,829 patent/US20220052225A1/en active Pending
- 2020-01-23 KR KR1020217041908A patent/KR20220131491A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-01-23 WO PCT/CN2020/073961 patent/WO2021147064A1/zh unknown
- 2020-01-23 CN CN202080000076.8A patent/CN113439334B/zh active Active
- 2020-01-23 JP JP2021576247A patent/JP2023519040A/ja active Pending
- 2020-12-24 TW TW109145940A patent/TWI787693B/zh active
- 2020-12-24 TW TW111143338A patent/TW202310392A/zh unknown
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EP4095914A1 (en) | 2022-11-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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TA01 | Transfer of patent application right | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
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|
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GR01 | Patent grant |