CN115295574A - 发光面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光面板和显示装置，属于发光显示领域，发光面板包括多个出光区，至少两个相邻的出光区对应设置一个发光组件，发光组件位于相邻的两个出光区之间，发光组件的出光面朝向出光区；第一基板一侧至少包括一个调光层，调光层包括多个调光部，一个调光部对应一个出光区；调光部至少包括堆叠设置的第一导电部、第二导电部和第三导电部，第二导电部位于第一导电部和第三导电部之间；调光部包括第一状态和第二状态，第一状态下的第一导电部、第三导电部的折射率与第二状态下的第一导电部、第三导电部的折射率不同。显示装置包括上述发光面板。本发明可以减少发光面板中发光组件的数量，节省成本，提高制程效率。
Description
技术领域
本发明涉及发光显示技术领域，更具体地，涉及一种发光面板和显示装置。
背景技术
Micro-LED(微发光二极管)技术、Mini LED(次毫米发光二极管)技术是一种将LED(发光二极管)结构进行薄膜化、微小化、阵列化所得的元器件，其尺寸在微米级别。与传统LED相比，Micro-LED和Mini LED技术具有能量转化率高，使用周期长，反应时间短，亮度和分辨率高等优点。与OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)相比，LED的亮度更高、发光效率更好，而且功耗更低。由于LED显示技术不断被开发应用，在显示技术领域渐露头角，成为新一代显示技术，Micro-LED和Mini LED也越来越多地被用到各种显示场合，如：微型投影(如虚拟现实设备)、小屏显示(如智能可穿戴设备)、中大屏显示(如电视)、超大屏显示(如户外显示屏)等。随着发光二极管技术的发展，Micro-LED技术、Mini LED技术已经不仅限用作背光源，也成为新一代显示技术。
但是目前Micro-LED技术、Mini LED技术依然存在很多待解决的难题，不论是制程技术、检查标准，或者是生产制造成本，都与量产和商业应用有着很大的距离。
Micro-LED技术、Mini LED技术作为背光技术使用时，可以理解为在单位面积内可以容纳更多LED，从而大大提高背光源数量，因此可以进行区域亮度调节的设计，从而在个别区域实现关闭LED从而达到完全的黑色，不仅减小了功耗，而且由于单位面积上LED数量的增加，可实现超高对比度和精细的动态分布，让亮场更亮，暗场更暗，从而使得显示效果更佳细致。但是现有技术中一般一个区域至少需要一个LED甚至更多，对于高分辨率的发光显示产品而言，需要更多数量的LED，造成成本较高，并且利用Micro-LED技术、Mini LED技术制作面板时，LED芯片面积太小，要制作一块完整的面板需要大量的时间把将面积较小的芯片巨量转移到电路基板上去进行封装，数量越多巨量转移的效率越低，容易出现转移成本高、转移效率低等问题，影响了产品量产的可行性。
因此，提供一种可以有效节省制作成本，提高制程转移效率，提升采用Micro-LED技术、Mini LED技术的产品量产可行性的发光面板和显示装置，是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种发光面板和显示装置，以解决现有技术中采用Micro-LED技术、Mini LED技术的产品制作成本高、制程效率低，影响量产可行性的问题。
本发明公开了一种发光面板，包括：多个阵列排布的出光区，至少两个相邻的出光区对应设置一个发光组件，发光组件位于相邻的两个出光区之间，发光组件的出光面朝向出光区；发光面板包括第一基板，第一基板一侧至少包括一个调光层；调光层包括多个调光部，一个调光部在第一基板所在平面的正投影对应一个出光区；调光部至少包括堆叠设置的第一导电部、第二导电部和第三导电部，第二导电部位于第一导电部和第三导电部之间；调光部包括第一状态和第二状态；第一状态下的第一导电部的折射率与第二状态下的第一导电部的折射率不同；第一状态下的第三导电部的折射率与第二状态下的第三导电部的折射率不同；第一状态下的第二导电部的折射率与第二状态下的第二导电部的折射率相同；在第一状态下，第二导电部的折射率小于第一导电部的折射率，第二导电部的折射率小于第三导电部的折射率；在第二状态下，第二导电部的折射率等于第一导电部的折射率，第二导电部的折射率等于第三导电部的折射率。
基于同一发明构思，本发明还公开了一种显示装置，该显示装置包括上述发光面板。
与现有技术相比，本发明提供的发光面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的发光面板包括多个阵列排布的出光区，出光区可以理解为将发光面板划分的多个出光的区域，至少两个相邻的出光区对应设置一个发光组件，发光组件位于相邻的两个出光区之间，即一个发光组件与至少两个出光区对应。本发明为了使得一个发光组件可以控制两个出光区FA的出光亮度，设置的调光部的至少部分结构可以在不同状态如不同通电状态下改变其本身的折射率，且该折射率的变化是可逆的，进而改变发光组件的出光面出射至该调光部上的光线方向，以改变各个出光区的出光亮度。调光部包括第一状态和第二状态，在第二状态下第二导电部的折射率等于或近似等于第一导电部的折射率，第二导电部的折射率等于或近似等于第三导电部的折射率，使得发光组件的出光面出射的光线不会在第二状态下的调光部对应的出光区出射，即第二状态下的调光部对应的出光区为暗态。在第一状态下第一导电部的折射率与第二状态下的第一导电部的折射率不同，第三导电部的折射率与第二状态下的第三导电部的折射率也不同，使得调光部形成了中间层的第二导电布折射率低、上下两层的第三导电部和第一导电部折射率高的堆叠结构，此时调光部可以作为光线反射部使用，发光组件的出光面出射的光线经过第一状态下的调光部，光线最终会从调光部背离第一基板一侧的表面反射至发光面板的出光面的方向进行发散出光，实现发光面板的第一状态下的调光部对应的出光区的出光效果，即第一状态下的调光部对应的出光区为亮态。本发明可以实现通过一个发光组件实现至少两个出光区的独立亮度控制，有利于减少发光面板中发光组件的数量，节省成本的同时，达到等同的高对比度和精细的动态分布、显示更加细致的效果。并且由于发光面板中的发光组件的数量减少，还可以大大降低发光组件转移至第一基板上时的巨量转移的工作量，有利于减少的转移次数，提高制程效率。
当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明实施例提供的发光面板的一种平面结构示意图；
图2是图1中A-A’的剖面结构示意图；
图3是图1中A-A’的另一种剖面结构示意图；
图4是图1中A-A’的另一种剖面结构示意图；
图5是本发明实施例提供的发光面板的另一种平面结构示意图；
图6是图5中B-B’的剖面结构示意图；
图7是本发明实施例提供的发光面板的另一种平面结构示意图；
图8是图7中C-C’的剖面结构示意图；
图9是图7中C-C’的另一种剖面结构示意图；
图10是图7中D-D’的剖面结构示意图；
图11是图7中D-D’的另一种剖面结构示意图；
图12是图7中D-D’的另一种剖面结构示意图；
图13是本发明实施例提供的发光面板的另一种平面结构示意图；
图14是图1和图13中的一个重复排布单元的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的发光面板的另一种平面结构示意图；
图16是图15中的一个重复排布单元的结构示意图；
图17是本发明实施例提供的显示装置的平面结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
请结合参考图1-图3，图1是本发明实施例提供的发光面板的一种平面结构示意图，图2是图1中A-A’的剖面结构示意图，图3是图1中A-A’的另一种剖面结构示意图，本实施例提供的发光面板000，包括：多个阵列排布的出光区FA，至少两个相邻的出光区FA对应设置一个发光组件00，发光组件0位于相邻的两个出光区FA之间，发光组件00的出光面00E朝向出光区FA；
发光面板000包括第一基板10，第一基板10一侧至少包括一个调光层20；调光层20包括多个调光部201，一个调光部201在第一基板10所在平面的正投影对应一个出光区FA；
调光部201至少包括堆叠设置的第一导电部201A、第二导电部201B和第三导电部201C，第二导电部201B位于第一导电部201A和第三导电部201C之间；
调光部201包括第一状态(如图2所示)和第二状态(如图3所示)；
第一状态下的第一导电部201A的折射率与第二状态下的第一导电部201A的折射率不同；
第一状态下的第三导电部201C的折射率与第二状态下的第三导电部201C的折射率不同；
第一状态下的第二导电部201B的折射率与第二状态下的第二导电部201B的折射率相同；
如图2所示，在第一状态下，第二导电部201B的折射率小于第一导电部201A的折射率，第二导电部201B的折射率小于第三导电部201C的折射率；
如图3所示，在第二状态下，第二导电部201B的折射率等于第一导电部201A的折射率，第二导电部201B的折射率等于第三导电部201C的折射率。
具体而言，本实施例提供的发光面板000可以为次毫米发光二极管(Mini LED)或者微发光二极管(Micro LED)发光面板，发光面板000包括多个阵列排布的出光区FA，出光区FA可以理解为将发光面板000划分的多个出光的区域，至少两个相邻的出光区FA对应设置一个发光组件00，发光组件00位于相邻的两个出光区FA之间，即一个发光组件00与至少两个出光区FA对应，通过将发光组件00的出光面00E朝向两个该出光区FA，使得一个发光组件00可以控制两个出光区FA的出光亮度。如图1和图2所示，本实施例以两个相邻的出光区FA对应设置一个发光组件00为例进行示例说明，具体实施时，一个发光组件00可以对应更多数量的出光区FA，仅需满足一个发光组件00的出光面00E均可以朝向对应的多个出光区FA即可。可选的，本实施例中的发光组件00可以为包括次毫米发光二极管或者微发光二极管的发光芯片，该微型发光芯片可以通过巨量转移技术转移至发光面板000的承载基板上。本实施例对于各个发光组件00的转移过程不作具体描述，具体可参考相关技术中的次毫米发光二极管或者微发光二极管发光面板的制程进行理解。本实施例的发光面板000通过在一个承载基板上集成的高密度微小尺寸的发光组件00阵列作为显示像素来实现图像显示，可选的，每一个显示像素可定址、单独驱动点亮，本实施例的发光面板000可以将像素点距离从毫米级降低至微米级，且属于自发光显示器，具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点。可选的，本实施例提供的发光面板000可以直接作为显示面板使用，进而有利于提高显示均一性和显示分辨率。或者本实施例提供的发光面板000还可以作为液晶显示面板的背光使用，进而有利于提高发光面板的发光均一性，为液晶显示面板提供均匀的背光，有利于提升显示效果，本实施例对于发光面板000的使用方式不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求选择设置。
可以理解的是，本实施例的图1中以发光组件00在发光面板所在平面的方向上的形状为圆形为例进行示例说明，具体实施时，发光组件00的形状包括但不局限于此，还可以包括其他如方形等的其他形状，本实施例对此不作限定。
本实施例的发光面板000中，一个发光组件00与至少两个出光区FA对应，通过将发光组件00设置于相邻的两个出光区FA之间，使得发光组件00的出光面00E设置为朝向两个出光区FA的结构。本实施例设置发光面板000包括第一基板10，第一基板10可以作为发光面板000的整个承载基板使用，第一基板10一侧至少包括一个调光层20，可以理解的是，在其他一些可选实施例中第一基板20一侧可以包括两个或者更多个调光层20，本实施例对此不作限定。调光层20包括多个独立设置的调光部201，一个调光部201在第一基板10所在平面的正投影对应一个出光区FA，即一个独立设置的调光部201与一个出光区FA对应设置。
为了使得一个发光组件00可以控制两个出光区FA的出光亮度，本实施例设置的调光部201的至少部分结构可以在不同状态如不同通电状态下改变其本身的折射率，且该折射率的变化是可逆的，进而改变发光组件00的出光面00E出射至该调光部201上的光线方向，以改变各个出光区FA的出光亮度。具体为调光部201至少包括堆叠设置的第一导电部201A、第二导电部201B和第三导电部201C，可选的，调光部201可以为整体高透明的结构。第二导电部201B位于第一导电部201A和第三导电部201C之间，进一步可选的，本实施例以第一导电部201A位于第二导电部201B靠近第一基板10的一侧为例进行示例说明，在其他一些可选实施例中，第三导电部201C可以位于第二导电部201B靠近第一基板10的一侧。
本实施例的调光部201包括第一状态(如图2所示)和第二状态(如图3所示)，其中第一状态可以理解为对调光部201通电的状态，第二状态可以理解为对调光部201不通电的状态。
在第二状态的不通电状态，即调光部201的原始状态下，第二导电部201B的折射率等于第一导电部201A的折射率，第二导电部201B的折射率等于第三导电部201C的折射率，即调光部210堆叠的三个导电部的折射率相同，此时调光部201仅作为光线折射部使用，发光组件00的出光面00E出射的光线L1，依次经过第三导电部201C后折射进入第二导电部201B，经过第二导电部201B后折射进入第一导电部201A，由于在第二状态下第二导电部201B的折射率等于或近似等于第一导电部201A的折射率，第二导电部201B的折射率等于或近似等于第三导电部201C的折射率，因此也可以理解为发光组件00的出光面00E出射的光线L1直接穿过第二状态下的调光部201，被调光部201吸收，使得发光组件00的出光面00E出射的光线L1不会在第二状态下的调光部201对应的出光区FA出射，即第二状态下的调光部201对应的出光区FA为暗态。
在第一状态的通电状态，即对调光部201通电后，对于位于调光部201中间的第二导电部201B，第一状态下的第二导电部201B的折射率与第二状态下的第二导电部201B的折射率相同，即第二导电部201B在通电和不通电状态下折射率不变。而第一状态下即对调光部201通电后，第一导电部201A的折射率与第二状态下的第一导电部201A的折射率不同，第三导电部201C的折射率与第二状态下的第三导电部201C的折射率也不同(图2和图3中以两种状态下不同的填充图案区分第一导电部201A的折射率不同、以两种状态下不同的填充图案区分第三导电部201C的折射率不同)；可选的，在第一状态下即对调光部201通电后下，第一导电部201A的折射率增大，使得折射率未变的第二导电部201B的折射率小于此时通电后的第一导电部201A的折射率，折射率未变的第二导电部201B的折射率小于此时通电后的第三导电部201C的折射率，调光部201形成了中间层的第二导电布201B折射率低、上下两层的第三导电部201C和第一导电部201A折射率高的堆叠结构，此时调光部201可以作为光线反射部使用，发光组件00的出光面00E出射的光线L2，出射至高折射率的第三导电部201C、低折射率的第二导电部201B、高折射率的第一导电部201A形成的调光部201上，即发光组件00的出光面00E出射的光线L2经过上述不同折射率的导电部时，由于各层反射回来的光线因相位角的改变而进行增强性干涉，互相结合，因此此时的第一状态下的调光部201的反射率可达99％以上(由于布拉格反射效应，光线照射到具有布拉格反射效应的调光部201上，会在折射率发生突变的地方发生反射，波长满足布拉格公式的反射光线发生相干增强而反射，不满足布拉格公式的反射光会发生干涉相消，可以理解的是，本实施例对于第一状态下的调光部201的布拉格反射的原理不作赘述，具体可参考相关技术中布拉格反射的原理进行理解)，即通过折射率以预设周期变化的第一状态的调光部201来反射发光组件00的出光面00E出射的光线L2，并使预设波长的反射光线L2产生相干增强，使得此时第一状态下的调光部201达到反射光线的效果，即发光组件00的出光面00E出射的光线L2经过第一状态下的调光部201，光线L2最终会从调光部201背离第一基板10一侧的表面反射至发光面板000的出光面000E的方向进行发散出光，实现发光面板000的第一状态下的调光部201对应的出光区FA的出光效果，即第一状态下的调光部201对应的出光区FA为亮态。
可选的，如图1和图4所示，图4是图1中A-A’的另一种剖面结构示意图，由于本实施例中的一个独立设置的调光部201与一个出光区FA对应设置，仅需一个发光组件00即可以控制相邻两个的出光区FA的出光亮度，如图4所示的相邻的两个出光区FA分别以FA1和FA2命名，此时若控制标号为FA1的出光区对应的调光部201通电，标号为FA2的出光区对应的调光部201不通电，即标号为FA1的出光区对应的调光部201为第一状态，标号为FA2的出光区对应的调光部201为第二状态，则标号为FA1的出光区对应的调光部201在第一状态下反射发光组件00的出光面00E出射的光线L，光线L在标号为FA1的出光区会朝向发光面板000的出光面000E的方向出光，而标号为FA2的出光区对应的调光部201在第二状态下不会反射发光组件00的出光面00E出射的光线L，光线L在标号为FA2的出光区不会朝向发光面板000的出光面000E的方向出光，标号为FA1的出光区呈亮态，标号为FA2的出光区呈暗态，进而实现了通过一个发光组件00实现至少两个出光区FA的独立亮度控制，有利于减少发光面板000中发光组件20的数量，节省成本的同时，达到等同的高对比度和精细的动态分布、显示更加细致的效果。并且由于发光面板000中的发光组件00的数量减少，还可以大大降低发光组件00转移至第一基板10上时的巨量转移的工作量，有利于减少的转移次数，提高制程效率。
需要说明的是，本实施例图中的发光组件00和出光区FA的形状和大小仅是示意，具体实施时，发光组件00和出光区FA的实际形状和尺寸可以根据实际需求选择设置，本实施例在此不作具体限定。
需要进一步说明的是，本实施例的图中仅是示例性画出发光面板的结构，具体实施时，发光面板的结构包括但不局限于此，还可以包括其他能够实现显示功能的结构，具体可参考相关技术中Mini LED或者Micro LED发光面板的结构进行理解，本实施例在此不作赘述。
可选的，请继续结合参考图1-图4，本实施例中对于调光层20包括的调光部201的制作材料不作限定，调光部201的折射率可逆的第一导电部201A和第三导电部201C的制作材料可以包括铌酸锂(LiNbO3，铌酸锂具有电光效应，是指在对铌酸锂中的晶体施加电压时，晶体的折射率发生变化的效应)，第二导电部201B的制作材料包括氧化铟锡(ITO，Indium Tin Oxides)或者铟镓锌氧化物(IGZO，Indium Gallium Zinc Oxide)中的任一种，从而可以满足调光部201整体为高透结构的同时，还可以实现调光部201在通电的第一状态下和不通电的第二状态下的第一导电部201A和第三导电部201C的折射率可变的效果，实现一个发光组件00控制至少两个相邻出光区FA的不同亮度的作用。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图1-图4，本实施例中，调光部201在第一基板10所在平面的正投影与发光组件00在第一基板10所在平面的正投影不交叠。
本实施例解释说明了调光层20设置为不是整面的结构，一个调光部201与一个出光区FA对应设置时，还可以设置调光部201在第一基板10所在平面的正投影与发光组件00在第一基板10所在平面的正投影不交叠，即发光组件20转运至第一基板10上，第一基板10上发光组件00对应的位置不设置调光层20，可以使得每个出光区FA的调光层20断开，一个发光组件00控制至少两个相邻出光区FA的不同亮度的作用，还可以实现各个不同出光区FA对应的调光部201分开控制，独立驱动。
在一些可选实施例中，请继续结合参考图1-图4，本实施例中，发光组件00的出光面00E所在平面与第一基板10所在平面相交；至少两个相邻的出光区FA包括第一出光区FA1和第二出光区FA2，一个发光组件00的出光面00E分别朝向第一出光区FA1和第二出光区FA2。
本实施例解释说明了发光组件00转运至第一基板10上时，发光组件00的出光面00E所在平面可以设置与第一基板10所在平面相交，可选的，本实施例以发光组件00的出光面00E所在平面与第一基板10所在平面相互垂直，可以理解为发光组件00至少可以是侧面为出光面的芯片结构，从而可以使得发光组件00的出光面00E出射的光线能够尽可能多的出射至该发光组件00对应的两个发光区FA内，即一个发光组件00的出光面00E分别朝向两个出光区FA的第一出光区FA1和第二出光区FA2，有利于提高发光组件00的光线利用率。
在一些可选实施例中，请结合参考图5和图6，图5是本发明实施例提供的发光面板的另一种平面结构示意图，图6是图5中B-B’的剖面结构示意图(可以理解的是，为了清楚示意本实施例的结构，图5进行了透明度填充)，本实施例中，第一基板10的一侧还包括驱动线路层30，驱动线路层30至少包括多条第一信号线301，第一信号线301与调光部201电连接。
本实施例解释说明了发光面板000的第一基板10上还可以制作有驱动线路层30，可选的，驱动线路层30一般用于设置驱动发光面板000发光的线路等结构，进一步可选的，驱动线路层30至少包括多条第一信号线301，第一信号线301与调光部201电连接，第一信号线301用于向各个调光部201提供电压信号，以使得调光部201在给入电压后的第一导电部201A和第三导电部201C的折射率发生变化。可选的，本实施例中的第一信号线30可以与至少一个调光部201对应设置，即一条第一信号线30可以用于为至少一个调光部201提供改变第一导电部201A和第三导电部201C的折射率的电压信号，以实现对不同出光区FA的调光部201的单独控制。
可以理解的是，本实施例中的第一信号线301可以通过发光面板000的非发光区绕线至发光面板000的外围，如连接至外围非发光区内的导电焊盘上，通过导电焊盘处绑定的驱动芯片或者柔性电路板实现为第一信号线301传输所需的电压信号(未附图示意)。在其他一些可选实施例中，驱动线路层30位于调光层20和第一基板10之间时，第一信号线301也可以直接穿过发光面板000的出光区FA(如图5和图6所示)连接至外围非发光区内的导电焊盘上，由于调光层20位于驱动线路层30远离第一基板10的一侧，因此可以避免驱动线路层30的信号走线影响调光层20的各个调光部201的光线传输走向，有利于保证发光面板000的出光效果，或者还可以为其他设置方式，本实施例在此不作限定。
需要说明的是，本实施例中的驱动线路层30包括但不局限于上述结构，具体实施时，可根据发光面板000的驱动需求设置驱动线路层30的设计结构，本实施例在此不作赘述。
在一些可选实施例中，请结合参考图7和图8，图7是本发明实施例提供的发光面板的另一种平面结构示意图，图8是图7中C-C’的剖面结构示意图，本实施例中，相邻的两个出光区FA之间包括遮光部40，遮光部40的一端与第一基板10接触。
本实施例解释说明了由于一个发光组件00控制至少两个出光区FA时，可以在相邻的两个出光区FA之间设置遮光部40，通过具有遮光作用的遮光部40在不同出光区FA之间的设置结构，当一个发光组件00对应的至少两个出光区FA的调光部201为两种不同的状态，如第一出光区FA1为第一状态，第二出光区FA2为第二状态时，可以防止光线进入其他不通电出光区FA(如图7中与第一出光区FA1相邻的第三出光区FA3)发生串扰，因此在不同出光区FA之间设置遮光部40可以避免光线在不同出光区FA之间发生串扰，有利于保证发光面板000的整体出光品质。并且本实施例还设置遮光部40朝向第一基板10一侧的端部与第一基板10直接接触，从而可以通过遮光部40将不同出光区FA对应的调光部201隔开，使得各个调光部201可以独立驱动控制。
可以理解的是，本实施例中的一个出光区FA对应的遮光部40可以围绕出光区FA设置，且在发光组件00的出光面00E位置断开，可以保证不同出光区FA之间光线不串扰的同时，还可以保证发光组件00的出光面00E的光线能够出射至其对应的至少两个出光区FA。
在一些可选实施例中，请结合参考图7和图9，图9是图7中C-C’的另一种剖面结构示意图，本实施例中，遮光部40包括朝向出光区FA一侧的第一表面40A，第一表面40A所在平面与第一基板10所在平面相交；
第一表面40A上设置有第一反射层501。
本实施例解释说明了由于一个发光组件00控制至少两个出光区FA时，可以在相邻的两个出光区FA之间设置遮光部40，通过具有遮光作用的遮光部40在不同出光区FA之间的设置结构，当一个发光组件00对应的至少两个出光区FA的调光部201为两种不同的状态，如第一出光区FA1为第一状态，第二出光区FA2为第二状态时，可以防止光线进入其他不通电出光区FA发生串扰，有利于保证发光面板000的整体出光品质时，还可以在遮光部40上设置反射结构，具体为遮光部40包括朝向出光区FA一侧的第一表面40A，第一表面40A所在平面可以理解为与第一基板10所在平面相交，可选的，本实施例中以，第一表面40A所在平面可以理解为与第一基板10所在平面相互垂直为例进行示例说明，本实施例在第一表面40A上设置有第一反射层501，第一反射层501可以用于将部分被调光部201反射的光线(如图9中的光线L3)进行二次反射至发光面板000出光面000E的一侧，带有第一反射层501的遮光部可以避免光线串扰的同时，还可以重复利用发光组件00的出射光线，提高光线利用率，避免不同出光区FA的边界处出现发暗的现象，有利于提高出光效果。
可以理解的是，本实施例对于遮光部40的制作材料、第一反射层501的制作材料不作具体限定，如遮光部40可以为面板中的黑矩阵材料，第一反射层501可以为涂覆于遮光部40的第一表面40A上的金属反射材料等，具体实施时，两者的制作材料包括但不局限于此，还可以为其他能够起到遮光作用的材料，可以为其他能够反射光线的反射材料等，本实施例在此不作赘述。
在一些可选实施例中，请结合参考图7和图10，图10是图7中D-D’的剖面结构示意图，本实施例中，发光面板000还包括第二基板60，第二基板60位于发光组件00背离第一基板10的一侧；
第二基板60朝向第一基板10的一侧包括增亮膜70，增亮膜70位于发光组件00和第二基板60之间。
本实施例解释说明了发光面板000还包括第二基板60，第二基板60可以设置于发光组件00背离第一基板10的一侧，用于将转运至第一基板10上的多个发光组件00保护起来，还可以用于保护整个发光面板000.可选的，本实施例中的第一基板10和第二基板60可以均为玻璃或者陶瓷等材料的硬质基板，本实施例对此不作限定。本实施例的第一基板10和第二基板60之间可以设置有覆盖有透明材质的封装结构层(图中未填充)，可以用于保护转运后的发光组件00以及第一基板10上的调光部301等结构。
本实施例在第二基板60朝向第一基板10的一侧增亮膜70，增亮膜70位于发光组件00和第二基板60之间，可选的，增强膜70可以为增亮复合膜(APCF，advanced polarizationconversion film)，APCF膜是指具有增亮膜的偏光板，既具有偏光板对光线的过滤作用，使光线沿单方向通过，又能够利用增亮膜对光进行反射，即不仅能像棱镜片一样正视角度，也能有效地在斜视角增强亮度，利用偏光分离功能大幅度提高了光线使用率并增加出光亮度。APCF膜比传统增亮膜薄，可以更有效地控制颜色变化提高发光面板000的出光亮度，补偿发光组件00本身的效率损失。
在一些可选实施例中，请结合参考图7和图11，图11是图7中D-D’的另一种剖面结构示意图，本实施例中，发光组件00包括第一衬底001和位于第一衬底001一侧的发光器件002；
第一衬底001位于发光器件002背离第一基板10的一侧。
本实施例解释说明了发光组件00可以为包括次毫米发光二极管或者微发光二极管的发光芯片，该微型发光芯片可以通过巨量转移技术转移至发光面板000的第一基板上。如发光组件00包括第一衬底001和位于第一衬底001一侧的发光器件002，发光器件002可以为次毫米发光二极管或者微发光二极管的发光芯片，在制作本实施例的发光面板000时，可以先在第一基板10上制作驱动线路层30和调光层20，然后制作图案化的调光层20的各个堆叠膜层，形成各个与出光区FA对应且独立的调光部201。而发光组件00可以通过在第一衬底001上制作发光区间002，然后将制得的阵列的发光组件00转移至第一基板10上，使得第一衬底001位于发光器件002背离第一基板10的一侧，此时发光组件00的出光面00E可以至少包括发光器件002的侧面，即发光器件002的侧面出射的光线可以入射至其对应的至少两个出光区FA内，实现一个发光组件00对应控制至少两个出光区FA的亮度的效果，减少发光组件00的数量，节约成本。
可选的，如图7和图12所示，图12是图7中D-D’的另一种剖面结构示意图，本实施例的发光组件00的第一衬底001与发光器件002之间还包括第二反射层003。
本实施例在发光组件00的第一衬底001与发光器件002之间还设置有第二反射层003，可以使得发光组件00转移至第一基板10上之后，发光器件002的背离第一基板10一侧的出光光线可以被该第二反射层003反射回第一基板10上，有利于提升发光组件00的出光效率，提高发光器件002的光线利用率。
进一步可选的，本实施例中的设置于发光组件00的第一衬底001与发光器件002之间的第二反射层003可以包括金属反射层或者布拉格反射层中的任一种。
本实施例解释说明了设置在发光组件00的第一衬底001与发光器件002之间的第二反射层003可以包括金属反射层，如铜、铝、银等金属材料制作的膜层，金属反射层厚度较薄，可以直接涂覆于第一衬底001上。或者第二反射层003可以包括布拉格反射层，可选的，布拉格反射层可以是SiO2/TiO2(二氧化硅/二氧化钛)或SiO2/NbO5(二氧化硅/五氧化铌)等层交替堆叠形成，或者还可以为氟化镁、硫化锌、氮化硅和无定形硅等材料制得而成，布拉格反射层相较于金属反射层，可以通过不同折射率堆叠形成的布拉格反射层，通过改变膜层的折射率或厚度来调整能隙位置，对发光器件002背离第一基板10一侧的出射光进行选择性过滤后进行反射，且能够减弱光吸收的问题对反射光的影响，使得更多的光线被该第二反射层003反射，有利于提高发光组件00的光线利用率，提高出光亮度。
可以理解的是，本实施例中的第二反射层003的金属反射层还可以是两种或两种以上金属材料的组合等高反不透光的金属反射层，有利于进一步提升该第二反射层003的反射效果。
在一些可选实施例中，请结合参考图1、13-图16，图13是本发明实施例提供的发光面板的另一种平面结构示意图，图14是图1和图13中的一个重复排布单元的结构示意图，图15是本发明实施例提供的发光面板的另一种平面结构示意图，图16是图15中的一个重复排布单元的结构示意图，本实施例中，发光面板000包括阵列排布的多个重复排布单元0A，重复排布单元0A至少包括两个出光区FA和一个发光组件00。
本实施例解释说明了发光面板000的出光区FA和发光组件00的排布可以通过多个重复排布单元0A阵列排布实现一个发光组件00控制至少两个相邻的出光区FA。可选的，如图14所示，一个重复排布单元0A包括相邻的两个出光区FA和一个发光组件00，发光组件00位于相邻的两个出光区FA之间，则此时的多个重复排布单元0A可以如图13所示的阵列排布，或者此时的多个重复排布单元0A可以如图14所示的阵列排布，进而形成一个发光组件00控制至少两个相邻的出光区FA，且一个发光组件00同时朝向该两个出光区FA的结构。可选的，如图16所示，一个重复排布单元0A包括四个出光区FA和一个发光组件00；四个出光区FA围绕一个发光组件00设置，则此时的多个重复排布单元0A可以如图16所示的阵列排布，一个发光组件00对应四个出光区FA，有利于更进一步减少发光面板000整体的发光组件00的数量，进一步节约面板的制作成本，提高制程效率。
在一些可选实施例中，请参考图17，图17是本发明实施例提供的显示装置的平面结构示意图，本实施例提供的显示装置111，包括本发明上述实施例提供的发光面板000。可选的，显示装置111可以就是本发明上述实施例中的发光面板000，直接进行显示。或者显示装置111还可以为液晶显示装置，此时本实施例的发光面板000可以作为直下式背光使用，本实施例对于显示装置111的类型不作具体限定，具体实施时，可根据实际需求设置。图17实施例仅以手机为例，对显示装置111进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置111，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置111，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置111，具有本发明实施例提供的发光面板000的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于发光面板000的具体说明，本实施例在此不再赘述。
通过上述实施例可知，本发明提供的发光面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的发光面板包括多个阵列排布的出光区，出光区可以理解为将发光面板划分的多个出光的区域，至少两个相邻的出光区对应设置一个发光组件，发光组件位于相邻的两个出光区之间，即一个发光组件与至少两个出光区对应。本发明为了使得一个发光组件可以控制两个出光区FA的出光亮度，设置的调光部的至少部分结构可以在不同状态如不同通电状态下改变其本身的折射率，且该折射率的变化是可逆的，进而改变发光组件的出光面出射至该调光部上的光线方向，以改变各个出光区的出光亮度。调光部包括第一状态和第二状态，在第二状态下第二导电部的折射率等于或近似等于第一导电部的折射率，第二导电部的折射率等于或近似等于第三导电部的折射率，使得发光组件的出光面出射的光线不会在第二状态下的调光部对应的出光区出射，即第二状态下的调光部对应的出光区为暗态。在第一状态下第一导电部的折射率与第二状态下的第一导电部的折射率不同，第三导电部的折射率与第二状态下的第三导电部的折射率也不同，使得调光部形成了中间层的第二导电布折射率低、上下两层的第三导电部和第一导电部折射率高的堆叠结构，此时调光部可以作为光线反射部使用，发光组件的出光面出射的光线经过第一状态下的调光部，光线最终会从调光部背离第一基板一侧的表面反射至发光面板的出光面的方向进行发散出光，实现发光面板的第一状态下的调光部对应的出光区的出光效果，即第一状态下的调光部对应的出光区为亮态。本发明可以实现通过一个发光组件实现至少两个出光区的独立亮度控制，有利于减少发光面板中发光组件的数量，节省成本的同时，达到等同的高对比度和精细的动态分布、显示更加细致的效果。并且由于发光面板中的发光组件的数量减少，还可以大大降低发光组件转移至第一基板上时的巨量转移的工作量，有利于减少的转移次数，提高制程效率。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (15)
1.一种发光面板，其特征在于，包括：多个阵列排布的出光区，至少两个相邻的所述出光区对应设置一个发光组件，所述发光组件位于相邻的两个所述出光区之间，所述发光组件的出光面朝向所述出光区；
所述发光面板包括第一基板，所述第一基板一侧至少包括一个调光层；所述调光层包括多个调光部，一个所述调光部在所述第一基板所在平面的正投影对应一个所述出光区；
所述调光部至少包括堆叠设置的第一导电部、第二导电部和第三导电部，所述第二导电部位于所述第一导电部和所述第三导电部之间；
所述调光部包括第一状态和第二状态；
所述第一状态下的所述第一导电部的折射率与所述第二状态下的所述第一导电部的折射率不同；
所述第一状态下的所述第三导电部的折射率与所述第二状态下的所述第三导电部的折射率不同；
所述第一状态下的所述第二导电部的折射率与所述第二状态下的所述第二导电部的折射率相同；
在所述第一状态下，所述第二导电部的折射率小于所述第一导电部的折射率，所述第二导电部的折射率小于所述第三导电部的折射率；
在所述第二状态下，所述第二导电部的折射率等于所述第一导电部的折射率，所述第二导电部的折射率等于所述第三导电部的折射率。
2.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，
所述调光部在所述第一基板所在平面的正投影与所述发光组件在所述第一基板所在平面的正投影不交叠。
3.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，
所述发光组件的出光面所在平面与所述第一基板所在平面相交；至少两个相邻的所述出光区包括第一出光区和第二出光区，一个所述发光组件的出光面分别朝向所述第一出光区和所述第二出光区。
4.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述第一导电部和所述第三导电部的制作材料包括铌酸锂，所述第二导电部的制作材料包括氧化铟锡或者铟镓锌氧化物中的任一种。
5.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述第一基板的一侧还包括驱动线路层，所述驱动线路层至少包括多条第一信号线，所述第一信号线与所述调光部电连接。
6.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，相邻的两个所述出光区之间包括遮光部，所述遮光部的一端与所述第一基板接触。
7.根据权利要求6所述的发光面板，其特征在于，
所述遮光部包括朝向所述出光区一侧的第一表面，所述第一表面所在平面与所述第一基板所在平面相交；
所述第一表面上设置有第一反射层。
8.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述发光面板还包括第二基板，所述第二基板位于所述发光组件背离所述第一基板的一侧；
所述第二基板朝向所述第一基板的一侧包括增亮膜，所述增亮膜位于所述发光组件和所述第二基板之间。
9.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述发光组件包括第一衬底和位于所述第一衬底一侧的发光器件；
所述第一衬底位于所述发光器件背离所述第一基板的一侧。
10.根据权利要求9所述的发光面板，其特征在于，所述第一衬底与所述发光器件之间还包括第二反射层。
11.根据权利要求10所述的发光面板，其特征在于，所述第二反射层包括金属反射层或者布拉格反射层中的任一种。
12.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述发光面板包括阵列排布的多个重复排布单元，所述重复排布单元至少包括两个所述出光区和一个所述发光组件。
13.根据权利要求12所述的发光面板，其特征在于，一个所述重复排布单元包括相邻的两个所述出光区和一个所述发光组件，所述发光组件位于相邻的两个所述出光区之间。
14.根据权利要求12所述的发光面板，其特征在于，一个所述重复排布单元包括四个所述出光区和一个所述发光组件；四个所述出光区围绕一个所述发光组件设置。
15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-14任一项所述的发光面板。
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|---|---|---|---|
| CN202211064761.4A CN115295574B (zh) | 2022-08-31 | 发光面板和显示装置 |
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