JP2023519040A - 表示基板、その製造方法及び表示装置 - Google Patents

表示基板、その製造方法及び表示装置 Download PDF

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Abstract

表示基板は、ベースと、前記ベースの一側に設けられた複数の発光素子と、光調整層と、を含む。前記複数の発光素子は、互いに間隔をあけて設けられる。前記複数の発光素子の少なくとも１つの発光素子の側壁が前記光調整層によって囲まれるように、前記光調整層の少なくとも一部は、前記複数の発光素子の間の間隙内に位置し；前記光調整層の材料は、光吸収材料を含み；前記光調整層は、前記光調整層に入射した光を吸収するように配置される。【選択図】図８

Description

本開示は、表示技術分野に関し、特に、表示基板、その製造方法及び表示装置に関する。
ミニ発光ダイオード（Ｍｉｎｉ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、略称Ｍｉｎｉ ＬＥＤ）とは、結晶粒サイズが約１００μｍの発光ダイオードをいう。Ｍｉｎｉ ＬＥＤは、自発光、高効率、高輝度、高信頼性、省エネ及び高速応答などの多くの利点を有するため、画素毎に各々のアドレスの位置付けを実現でき、マイクロ表示、携帯電話、テレビなどの中サイズ表示から映画館の大画面表示までの分野で応用されている。
一態様において、表示基板が提供される。前記表示基板は、ベースと、前記ベースの一側に設けられた複数の発光素子と、光調整層と、を含む。前記複数の発光素子は、互いに間隔をあけて設けられる。前記複数の発光素子のうちの少なくとも１つの発光素子の側壁が前記光調整層によって囲まれるように、前記光調整層の少なくとも一部は、前記複数の発光素子の間の間隙内に位置し；前記光調整層の材料は、光吸収材料を含み；前記光調整層は、前記光調整層に入射した光を吸収するように配置される。
幾つかの実施例において、前記光調整層の、前記複数の発光素子の間の間隙内に位置する部分の厚さは、前記複数の発光素子の厚さの０．５倍～１．５倍である。
幾つかの実施例において、前記光調整層の材料は、黒色インク、黒色ペースト、及び黒色フォトレジストのうちの少なくとも１つを含む。
幾つかの実施例において、前記光調整層の材料の吸収係数は２×１０－５ｍ－１～０．８ｍ－１である。
幾つかの実施例において、前記光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベル上にあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高い、又は低い。
幾つかの実施例において、前記ベースに対して、前記光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも０μｍ～５０μｍ高いか、又は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも０μｍ～１５μｍ低い。
幾つかの実施例において、前記光調整層は、前記複数の発光素子の間の間隙内に位置する第１サブ光調整層と、前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた側に設けられた第２サブ光調整層と、を含む。前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベル上にあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高い、又は低い。前記第１サブ光調整層の材料は、光反射材料を含む。前記第１サブ光調整層は、発光素子から前記第１サブ光調整層に入射した光を反射して前記発光素子に戻すように配置される。前記第２サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベルにあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高い。前記第２サブ光調整層の材料は、光吸収材料を含む。前記第２サブ光調整層は、前記第２サブ光調整層に入射した光を吸収するように配置される。
幾つかの実施例において、前記第１サブ光調整層における光反射材料の反射率は、８５％～９５％である。
幾つかの実施例において、前記第１サブ光調整層の材料は、白色インク、白色ペースト、又は金属材料のうちの少なくとも１つを含む。
幾つかの実施例において、前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた表面と前記ベースとの距離と、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と前記ベースとの距離の差は、－１５μｍ～１５μｍである。
幾つかの実施例において、前記第２サブ光調整層の厚さは、１０μｍ～１５μｍである。
幾つかの実施例において、前記第２サブ光調整層の前記ベースへの正投影は、前記複数の発光素子の前記ベースへの正投影と重ならないか又はほぼ重ならない。又は、前記複数の発光素子の前記ベースへの正投影は、前記第２サブ光調整層の前記ベースへの正投影内に位置する。
幾つかの実施例において、前記表示基板は、さらに、前記複数の発光素子のうちの、各々の発光素子の側壁を覆う光反射層を含む。
別の態様において、表示基板の製造方法が提供される。前記表示基板の製造方法は、ベースを提供することと、前記ベースの一側に互いに間隔をあけて複数の発光素子を設けることと、前記複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することと、を含み；前記複数の発光素子のうちの少なくとも１つの発光素子の側壁が前記光調整層によって囲まれるように、前記光調整層の少なくとも一部は、前記複数の発光素子の間の間隙に位置し；前記光調整層の材料は、光吸収材料を含み；前記光調整層は、前記光調整層に入射した光を吸収するように配置される。
幾つかの実施例において、前記した、前記複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、前記複数の発光素子間の間隙内に第１サブ光調整層を形成することと、前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた側に第２サブ光調整層を形成することと、を含み；前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベル上にあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高く、又は低く；前記第１サブ光調整層の材料は、光反射材料を含む。前記第２サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベル上にあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高く；前記第２サブ光調整層の材料は、光吸収材料を含む。
幾つかの実施例において、第１サブ光調整層を形成することは、ディスペンス工程、スプレー工程、及び３Ｄ印刷工程のうちのいずれかを採用する。前記第２サブ光調整層を形成することは、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、３Ｄ印刷工程、フォトリソグラフィ工程、及び射出成形工程のうちのいずれかを採用する。
幾つかの実施例において、前記した、前記複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた側に光調整薄膜を形成することと、前記光調整薄膜を磨いて前記光調整薄膜の厚さを減少させ、前記光調整層を形成することとを含み；前記ベースに対して、前記光調整薄膜の前記ベースから離れた表面が、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高く；前記光調整薄膜は光吸収材料を含む。
さらに別の態様において、表示装置が提供される。前記表示装置は、例えば、前記幾つかの実施例に記載の表示基板を含む。
本開示の技術案をより明確に説明するために、以下、実施例の説明に用いる必要な図面を簡単に説明する。以下の説明における図面は、本開示の幾つかの実施例の図面に過ぎず、当業者であれば、これらの図面に基づく他の図面を得られることはもちろん自明である。また、以下の説明における図面は概略図であり、本開示の実施例に係る製品の実際の寸法、方法の実際の流れなどを限定するものではない。
本開示の幾つかの実施例に係る表示基板の平面図である。
図１に示す表示基板のＡ－Ａ’方向に沿った断面図である。
図１に示す表示基板のＡ－Ａ’方向に沿った別の断面図である。
図１に示す表示基板のＡ－Ａ’方向に沿ったさらに別の断面図である。
図１に示す表示基板のＡ－Ａ’方向に沿ったさらに別の断面図である。
本開示の幾つかの実施例に係る別の表示基板の平面図である。
図６に示す表示基板のＢ－Ｂ’方向に沿った断面図である。
図６に示す表示基板のＢ－Ｂ’方向に沿った別の断面図である。
本開示の幾つかの実施例に係る表示基板の光路図である。
本開示の幾つかの実施例に係る表示基板の製造方法を示すフローチャートである。
本開示の幾つかの実施例に係る光調整層を形成することのフローチャートである。
図１１に示す光調整層を形成することの製造工程図である。
図１１に示す光調整層を形成することの別の製造工程図である。
図１１に示す光調整層を形成することのさらに別の製造工程図である。
本開示の幾つかの実施例に係る別の光調整層を形成することのフローチャートである。
図１５に示す別の光調整層を形成することの製造工程図である。
本開示の幾つかの実施例に係る表示装置の構成図である。
以下、図面を参照しながら、本開示の幾つかの実施例における技術案について明確に、完全に説明する。明らかに、説明される実施例は、本開示の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。本開示によって提供される実施例に基づいて、当業者が得られる他のすべての実施例は、本開示の保護範囲に含まれる。
文脈において別途指摘されない限り、本明細書及び特許請求の範囲において、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及びその他の形態、例えば、第３者単数形「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び現在分詞形「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、開放的、包括的という意味、即ち「含むが、これらに限定されない」と解釈されるべきである。本明細書の記載において、用語「一実施例（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」、「幾つかの実施例（ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、「例示的な実施例（ｅｘｅｍｐｌａｒｙ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、「例（ｅｘａｍｐｌｅ）」、「特定例（ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｅｘａｍｐｌｅ）」又は「幾つかの例（ｓｏｍｅ ｅｘａｍｐｌｅｓ）」などは、その実施例、又はその例に関連する特定の特徴、構造、材料又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施例又は例に含まれることを示すことを意図している。上記の用語の概略的な表現は、必ずしも同じ実施例又は例を指すとは限らない。さらに、記載された特定の特徴、構造、材料、又は特性は、任意の適切な態様で、任意の１つ又は複数の実施例又は例に含まれ得る。
以下において、「第１」、「第２」という用語は、単に目的を説明するためのものであり、相対的な重要性を示すか又は暗示するものとして、或いは示される技術的特徴の数量を暗示するものとして理解されるべきではない。したがって、「第１」、「第２」と定義された特徴は、１つ又は複数のその特徴を明示的又は暗示的に含み得る。本開示の実施例の説明において、特に明記しない限り、「複数」は、２つ又は２つ以上を意味する。
「Ａ、Ｂ及びＣのうちの少なくとも１つ」は、「Ａ、Ｂ又はＣのうちの少なくとも１つ」と同じ意味を有し、いずれも以下のＡ、Ｂ及びＣの組み合わせ：Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ及びＢの組み合わせ、Ａ及びＣの組み合わせ、Ｂ及びＣの組み合わせ、Ａ、Ｂ及びＣの組み合わせを含む。
従来技術において、Ｍｉｎｉ ＬＥＤは、赤色、緑色、青色、白色などの多様な色の光を発することができる。Ｍｉｎｉ ＬＥＤを表示装置に適用する場合、Ｍｉｎｉ ＬＥＤは、表示装置が有するサブ画素領域内に設けられて、そのままサブ画素として表示することができる。
表示装置には、Ｍｉｎｉ ＬＥＤに電気信号を供給するベースが設けられており、当該ベース及びＭｉｎｉ ＬＥＤは、それぞれの表面に入射した光を反射する可能性がある。このように表示装置の表示輝度が０の場合、表示装置の表示面はベース及びＭｉｎｉ ＬＥＤの反射作用により明るさが表示され、表示装置のコントラストが低下する。
本開示の幾つかの実施例は、表示基板１００を提供する。図１～図９に示すように、表示基板１００は、ベース１と、ベース１の一側に設けられた複数の発光素子２と、光調整層３と、を含む。
幾つかの例において、上記複数の発光素子２の各々は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、発光ダイオード）、Ｍｉｎｉ ＬＥＤ、又はＭｉｃｒｏ ＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、マイクロ発光ダイオード）である。
幾つかの例において、図９に示すように、各々の発光素子２は、光を発するように配置される発光層２１と、発光層２１の一側に設けられた透過層２２と、を含む。発光素子２がベース１に設けられた後、透過層２２は発光層２１のベース１から離れた側に位置する。発光層２１から発せられた光は、透過層２２を透過した後、表示側に出射される。発光層２１から発せられた光は、透過層２２を透過した後に散乱され、複数の方向に出射され、これにより、光密度を低減することができ、発光素子２から出射される光の均一性を向上させることができる。透過層２２は、例えば、屈折率が１．７８のサファイア材料を含んで形成される。幾つかの例において、透過層２２は、空気を含んでもよい。
ベース１は、マトリクス状に配列される複数のサブ画素領域を有し、各々の発光素子２は、１つのサブ画素領域に対応して設けられ、複数の発光素子２は、互いに間隔をあけて設けられる。
幾つかの例において、上記ベース１は、各々の発光素子２に駆動電圧を供給し、発光素子２が当該駆動電圧の駆動により発光できるように配置される。
例示的に、ベース１は、ベース基板と、ベース基板に配置され、複数のサブ画素領域と１対１に対応している複数の画素駆動回路と、を含んでもよい。これにより、各々の発光素子２は、対応する画素駆動回路から供給される駆動電圧の駆動により発光することができる。
上記画素駆動回路の構造は、例えば、「２Ｔ１Ｃ」、「６Ｔ１Ｃ」、「７Ｔ１Ｃ」、「６Ｔ２Ｃ」又は「７Ｔ２Ｃ」などの複数種類を含む。ここで、「Ｔ」は薄膜トランジスタを示し、「Ｔ」の前の数字は薄膜トランジスタの数を示し、「Ｃ」は蓄積容量を示し、「Ｃ」の前の数字は蓄積容量の数を示す。各々の構造の画素駆動回路に含まれる複数の薄膜トランジスタのうち、１つの薄膜トランジスタが駆動トランジスタである。
もちろん、本開示の実施例は、上記の駆動方式で複数の発光素子２を駆動する以外、ほかの駆動方式を採用することもできる。例えば、本開示の実施例は、パッシブ駆動方式又はＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、集積回路）駆動方式で複数の発光素子２を駆動してもよい。
ベース１におけるベース基板は、複数種類の構造を含む。例示的に、ベース基板は、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ポリエチレンテレフタレート）ベース基板、ＰＥＮ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ ｔｗｏ ｆｏｒｍｉｃ ａｃｉｄ ｇｌｙｃｏｌ ｅｓｔｅｒ、ポリエチレンナフタレート）ベース基板、又はＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ポリイミド）ベース基板のようなフレキシブルベース基板であってもよい。また、例示的に、ベース基板は、ガラスベース基板又はＰＭＭＡ（ Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、ポリメチルメタクリレート） ベース基板のようなリジットベース基板であってもよい。
上記複数の発光素子２は、互いに間隔をあけて設けられ、即ち、複数の発光素子２の間に間隙がある。図２～図５、図７及び図８に示すように、当該複数の発光素子２のうちの少なくとも１つの発光素子２の側壁２３が光調整層３によって囲まれるように、上記光調整層３の少なくとも一部は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する。発光素子２の側壁２３とは、発光素子２の、ベース１に対して垂直又は略垂直な表面を意味する。
前記光調整層３の少なくとも一部は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置し、複数の配置態様を含む。
例えば、光調整層３の一部は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置し、この場合、図３及び図５に示すように、発光素子２がベース１に対して垂直に延在する方向において、光調整層３の別の一部は、隣り合う２つの発光素子２の間の領域に位置してもよく；又は、図７及び図８に示すように、光調整層３の別の一部は、さらに、当該少なくとも１つの発光素子２のベース１から離れた表面に位置してもよく、これにより、光調整層３は、複数の発光素子２のうちの少なくとも１つの発光素子２の側壁２３を囲むことができるだけでなく、当該少なくとも１つの発光素子２のベース１から離れた表面を囲んで覆うこともできる。
別の例として、図２及び図４に示すように、光調整層３は、全て当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置し、複数の発光素子２のうちの少なくとも１つの発光素子２の側壁２３を囲む。
光調整層３を設けることにより、複数の発光素子２のうちの少なくとも１つの発光素子２の側壁２３、さらにベース１から離れた表面を保護することができ、当該少なくとも１つの発光素子２の側壁２３、さらにベース１から離れた表面が、製造工程において、引っかかりにより脱落したり損傷したりすることを防止し、さらに、当該少なくとも１つの発光素子２の品質に影響を及ぼすことを防止することができる。また、光調整層３を設けることにより、当該少なくとも１つの発光素子２をベース１に良好に固定することができ、発光素子２が緩んで良好に発光し難くなる状況を低減ないし防止し、さらに表示基板１００の良好な表示効果を確保することができる。
幾つかの例において、光調整層３の材料は、光吸収材料を含む。光調整層３は、光調整層３に入射した光を吸収するように配置される。これは、光調整層３に入射した光のうち、多くの光が吸収されることを意味し、これにより、光調整層３で反射される光の量を効果的に減少ことができる。
このように、本開示の実施例に係る表示基板１００は、光調整層３の少なくとも一部が複数の発光素子２の間の間隙内に位置するように光調整層３を配置することにより、複数の発光素子２のうちの少なくとも１つの発光素子２を保護することができ、当該少なくとも１つの発光素子２が製造工程において、引っかかりにより脱落したり損傷したりして品質に影響を及ぼすことを防止することができるだけではなく、当該少なくとも１つの発光素子２に対して固定の役割を果たし、表示基板１００の良好な表示効果を確保することができる。
また、本開示の実施例に係る表示基板１００において設けられた光調整層３の材料は、光吸収材料を含み、これにより、光調整層３に入射した光を光調整層３で吸収し、光調整層３で反射される光の量を減少ことができる。光調整層３の少なくとも一部が複数の発光素子２の間の間隙内に設けられるため、光調整層３が、ベース１、少なくとも１つの発光素子２の側壁２３、ひいてはベース１から離れた表面に対して遮蔽を形成し、ベース１及び当該少なくとも１つの発光素子２で反射される光の量を減少し、ベース１及び当該少なくとも１つの発光素子２の反射により外部（即ち表示基板１００の表示面と反対側の空気）に出射される光の量を低減することができ、これにより、表示基板１００の表示輝度が０の場合、表示基板１００の表示面をより暗くすることができる。
また、本開示の実施例は発光素子２に供給される駆動電圧を調整することにより、表示基板が表示する輝度を、光調整層３を設けない場合と同様な輝度とすることができる。即ち、本開示の実施例によれば、表示基板１００が光調整層３を設けない場合の最高階調の輝度を表示できることを確保することができるだけでなく、光調整層３を設けない場合の最低階調の輝度を表示することもでき、最も明るい状態と最も暗い状態との差の範囲を大きくし、表示基板１００のコントラストを効果的に向上させることができる。
本開示の実施例において、光調整層３の材料が光吸収材料を含むとは、様々な構成を含む。即ち、光調整層３の材料の全てが光吸収材料を含み、又は光調整層３の材料の少なくとも一部が光吸収材料を含む。いずれの構成を採用するかは、光調整層３の構造に関わる。
幾つかの実施例において、図２、図３、及び図７に示すように、光調整層３は、１層の薄膜の構造であり、光調整層３の材料の全てが光吸収材料を含む。
例示的に、光調整層３の材料は、黒色インク、黒色ペースト、及び黒色フォトレジストなどのうちの少なくとも１つを含むが、これに限定されるものではない。ここで、光吸収材料とは、黒色インク、黒色ペースト、及び黒色フォトレジストなどのうちの少なくとも１つである。ここで、黒色ペーストは、例えば、黒色粉末がドープされたシリカゲルであり、例えば、当該黒色ペーストには、シリカゲル１００ｇ当たり黒色粉末が０．５ｇ～１．５ｇドープされる。
幾つかの例において、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１（即ちベース１に垂直な方向における寸法）は、当該複数の発光素子３の厚さＤ２（即ちベース１に垂直な方向における寸法）の０．５～１．５倍である。
ここで、図２及び図３に示すように、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分とは、ベース１に垂直な方向において、光調整層３の隣り合う２つの発光素子２の間に位置する部分を指し、当該部分は、発光素子２がベース１に対して垂直に延在する方向において、隣り合う２つの発光素子２の間に位置する部分を含み、発光素子２のベース１から離れた側に位置する部分を含まない。
例示的に、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１は、当該複数の発光素子３の厚さＤ２の１倍である。即ち、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１は、当該複数の発光素子３の厚さＤ２とほぼ等しい。この場合、図２に示すように、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐと、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとは、同一のレベルにある。
例示的に、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１と、当該複数の発光素子３の厚さＤ２との倍数は、０．５倍以上１倍未満である。即ち、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１は、当該複数の発光素子３の厚さＤ２よりも小さい。この場合、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも低い。例示的に、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ～１５μｍ低い。例えば、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも、５μｍ、７μｍ、１０μｍ、１３μｍ、又は１５μｍ等低い。また、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐが、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ低い場合は、両者が同一のレベルにあることを意味する。
なお、光調整層３が光調整層３に入射した光を吸収するように配置されるとの説明において、光とは、外部から光調整層３に入射した光だけでなく、発光素子２が発光して光調整層３に入射した光も含む。
ここで、光調整層３による光の吸収は、下記の式を満たす。
Ｉ＝Ｉ０×ｅ－αＬ
ここで、Ｉは光調整層３に入射する前の光の強度であり、Ｉ０は光調整層３を透過して出射する光の強度であり、αは光調整層３の吸収係数であり、Ｌは光調整層３を進行する光の光路長である。この式から、光が光調整層３を進行する光路長が短いほど、光調整層３による光の吸収が少ないことがわかる。
本開示の実施例は、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐを、複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルに、又は複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑより低く設けることにより、光調整層３で発光素子２を保護及び固定して、表示基板１００の表示効果を確保することができるだけでなく、発光素子２が発した光の光調整層３を進行する光路長を短くし、光調整層３による発光素子２が発した光の吸収を低減し、光の損失を低減することができる。また、光の損失を低減することができるので、表示基板１００に所望の表示輝度を確保しながら、発光素子２に大きな駆動電圧を供給することを回避し、消費電力を低減することができる。
例示的に、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１は、当該複数の発光素子３の厚さＤ２の１倍より大きく１．５倍以下である。即ち、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１は、発光素子３の厚さＤ２よりも大きい。この場合、図３及び図７に示すように、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い。
ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐが、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い場合、光調整層３は、様々の配置態様がある。
例えば、図１及び図３に示すように、光調整層３は、各々の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑを覆わずに、各々の発光素子２の側壁２３を囲む。
また例えば、図６及び図７に示すように、当該複数の発光素子２のベース１への正投影は、光調整層３のベース１への正投影内に位置する。光調整層３は、各々の発光素子２の側壁２３を囲むとともに、各発光素子２のベース１から離れた表面Ｑを覆う。
本開示の実施例は、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐを、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高く設けることにより、外部から各発光素子２に入射した光の、各発光素子２による反射を低減ないし回避することができ、表示基板１００の表示輝度が０の場合に表示面が暗い状態にあることを確保するのに有利であり、表示基板１００のコントラストを効果的に向上させることができる。
本実施例において、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐの、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い寸法は、実際の必要に応じて選択して設定すればよく、これにより、表示基板１００のコントラストを効果的に向上させることができるとともに、大きな光損失が生じることを回避することができる。
例示的に、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ～５０μｍ高い。例えば、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、又は５０μｍなど高い。また、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐが、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ高い場合は、両者が同一のレベルにあることを意味する。
なお、光調整層３による光の吸収の式から、光調整層３による光の吸収は、光調整層３の吸収係数とも相関しており、光調整層３の吸収係数が小さいほど、光調整層３による光の吸収は少ないことがわかる。
例示的に、光調整層３の吸収係数は、２ ×１０－５ｍ－１～０．８ｍ－１である。これにより、光調整層３による発光素子２が発した光の吸収を低減し、光の損失を低減することができる。さらに、表示基板１００に所望の表示輝度を確保しながら、発光素子２に大きな駆動電圧を供給することを回避し、消費電力を低減することができる。
別の実施例において、図４、図５及び図８に示すように、光調整層３は、多層の薄膜を積層した構造であり、光調整層３のうちの少なくとも１層の薄膜の材料は光吸収材料を含む。
幾つかの例において、光調整層３は、２層の薄膜を積層した構造である。光調整層３は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する第１サブ光調整層３１を含む。第１サブ光調整層３１の材料は、光反射材料を含む。第１サブ光調整層３１は、発光素子２から第１サブ光調整層３１に入射した光を反射して発光素子２に戻すように配置される。
ここで、第１サブ光調整層３１が当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置することは、第１サブ光調整層３１の一部又は全部が当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置することを含む。
例示的に、第１サブ光調整層３１の全体は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する。図４に示すように、ベース１に対して、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも低く、第１サブ光調整層３１は、各発光素子２の側壁２３の一部を囲むことができる。又は、図８に示すように、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１と、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとは、同一のレベルにあり、第１サブ光調整層３１は、各発光素子２の側壁２３を囲むことができる。
例示的に、第１サブ光調整層３１の一部は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する。図５に示すように、ベース１に対して、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高く、第１サブ光調整層３１は、各発光素子２の側壁２３を囲むことができる。この場合、図５に示すように、第１サブ光調整層３１のベース１への正投影と、当該複数の発光素子２のベース１への正投影とは重ならない。
上記第１サブ光調整層３１の材料は、光反射材料を含み、即ち、第１サブ光調整層３１は、第１サブ光調整層３１に入射した光を反射することができる。例示的に、図９に示すように、第１サブ光調整層３１は、各発光素子２の側壁２３を囲んでいるので、発光素子２が発した光は、発光素子２の側壁２３に入射した後、当該側壁２３を囲む第１サブ光調整層３１によって反射され、発光素子２内に戻される。即ち、発光素子２が発した光は、第１サブ光調整層３１によって少なくとも１回反射され、反射された光は、発光素子２のベース１から離れた表面から出射することができる。これにより、発光素子２の側壁２３に入射した光の吸収を低減ないし回避し、発光素子２のベース１から離れた表面から出射する光の量を増やすことができ、表示基板１００の光効率を向上させ、表示基板１００の消費電力を低減することに有利である。
幾つかの例において、光調整層３は、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側に設けられた第２サブ光調整層３２をさらに含む。第２サブ光調整層３２の材料は、光吸収材料を含む。第２サブ光調整層３２は、第２サブ光調整層３２に入射した光を吸収するように配置される。
ここで、第２サブ光調整層３２が第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側に設けられることは、第２サブ光調整層３２が第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側の表面に設けられること、即ち、両者が直接接触することを含むが、これに限定されない。
第２サブ光調整層３２が第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側に設けられた後、図４に示すように、第２サブ光調整層３２のベース１から離れた表面Ｐ（即ち光調整層３のベース１から離れた表面Ｐ）は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルにある。又は、図５及び図８に示すように、ベース１に対して、第２サブ光調整層３２のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い。
第２サブ光調整層３２のパターンは、複数の種類を含む。
例えば、図４及び図５に示すように、第１サブ光調整層３１のベース１への正投影と第２サブ光調整層３１のベース１への正投影とが重なり、この場合、第２サブ光調整層３２のベース１への正投影と当該複数の発光素子２のベース１への正投影とは重ならないか又はほぼ重ならない。これにより、第２サブ光調整層３２によって第１サブ光調整層３１を覆い、第２サブ光調整層３２を利用して外部から第２サブ光調整層３２に入射した光を吸収することができ、当該光が第１サブ光調整層３１に入射し第１サブ光調整層３１で反射されて、表示基板１００の表示輝度が０の場合の表示面の状態に影響を及ぼすことを回避することができし、ひいては表示基板１００のコントラストに影響を及ぼすことを回避することができる。
また例えば、図８に示すように、第１サブ光調整層３１のベース１への正投影は、第２サブ光調整層３２のベース１への正投影内に位置し、この場合、複数の発光素子２のベース１への正投影は、第２サブ光調整層３２のベース１への正投影内に位置する。これにより、第２サブ光調整層３２によって第１サブ光調整層３１及び複数の発光素子２を覆い、第２サブ光調整層３２を利用して外部から第２サブ光調整層３２に入射した光を吸収することができ、当該光が第１サブ光調整層３１又は複数の発光素子２に入射し第１サブ光調整層３１又は複数の発光素子２で反射されて、表示基板１００の表示輝度が０である場合の表示面の状態に影響を及ぼすことを回避することができ、ひいては表示基板１００のコントラストに影響を及ぼすことを回避することができる。
このように、本発明の実施例は、第１光調整層３１及び第２光調整層３２を含む光調整層３を設けることにより、表示基板１００の光効率を向上させ、表示基板１００の消費電力を減少させるとともに、表示基板１００がより高いコントラストを有することを確保することもできる。
幾つかの実施例において、第１サブ光調整層３１における光反射材料の反射率は８５％～９５％である。これにより、第１サブ光調整層３１が、各発光素子２から第１サブ光調整層３１に発せられた光に対して良好な反射効果を有することを確保し、表示基板１００が高い光効率及び低い消費電力を確保することができる。
第１サブ光調整層３１の材料としては、様々な材料を用いることができる。例示的に、第１サブ光調整層３１の材料は、白色インク、白色ペースト、又は金属材料などのうちの少なくとも１つを含むが、第１サブ光調整層３１の材料は、これに限定されない。ここで、光反射材料とは、即ち白色インク、白色ペースト、又は金属材料などのうちの少なくとも１つである。上記白色ペーストは、例えば、チタン白でドープされたシリカゲルである。上記金属材料は、例えば、高い反射率を有する金、銅、又はモリブデンである。
第２サブ光調整層３２の材料としては、様々な材料を用いることができる。例示的に、第２サブ光調整層３２の材料は、黒色インク、黒色ペースト、及び黒色フォトレジストなどのうちの少なくとも１つを含むが、第２サブ光調整層３２の材料は、これに限定されない。ここで、光吸収材料とは、即ち黒色インク、黒色ペースト、及び黒色フォトレジストなどのうちの少なくとも一つである。
幾つかの例において、ベース１に対して、第１サブ光調整３１のベース１から離れた表面Ｐ１と複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとの間の関係は、実際の必要に応じて選択して設定することができる。例示的に、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１とベース１との距離Ｄ３（即ちベース１に垂直な方向における第１サブ光調整層３１の寸法）と、当該複数の発光素子２のベース１からから離れた表面Ｑとベース１との距離Ｄ２（即ち発光素子２の厚さ）の差は、－１５μｍ～１５μｍである。即ち、ベース１に対して、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも最大で１５μｍ低くてもよく、又は第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも最大で１５μｍ高くてもよい。これにより、各発光素子２から第１サブ光調整層３１に発せられる光に対する第１サブ光調整層３１の反射効果を効果的に確保することができる。
第２サブ光調整層３２の厚さＤ４（即ちベース１に垂直な方向における第２サブ光調整層３２の寸法）は、実際の必要に応じて選択して設定することができる。幾つかの例において、第２サブ光調整層３２の厚さＤ４は、１０μｍ～１５μｍである。例えば、第２サブ光調整層３２の厚さＤ４は、１０μｍ、１１μｍ、１３μｍ、又は１５μｍなどである。
なお、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１とベース１との距離Ｄ３と、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとベース１との距離Ｄ２との間の差の設定、及び第２サブ光調整層３２の厚さＤ４の設定は、第２サブ光調整層３２のベース１から離れた表面Ｐが、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルにあるか、又はベース１に対して当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高いことを確保する必要がある。
例えば、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１とベース１との距離Ｄ３と、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとベース１との距離Ｄ２との間の差を－１５μｍに設定すると、第２サブ光調整層３２の厚さＤ４を１５μｍに設定する。また、例えば、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１とベース１との距離Ｄ３と、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとベース１との距離Ｄ２との間の差を－１０μｍに設定すると、第２サブ光調整層３２の厚さＤ４を１０μｍ～１５μｍに設定する。
ここで、本開示の上記実施例において言及された幾つかの態様の相対輝度を模式的に説明する。
例えば、図２に示す態様において、光調整層３は１層の薄膜の構造であり、且つ光調整層３のベース１から離れた表面Ｐと発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとが同一のレベルにあり；図７に示す態様において、光調整層３は１層の薄膜の構造であり、且つベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐが発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高く；また、図４に示す態様において、光調整層３は２層薄膜の構造であり、且つ第２サブ光調整層３２のベース１から離れた表面Ｐと発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとが同一のレベルにある。
相対輝度とは、同じ駆動電圧を供給する場合に、ある実施例において表示基板１００が表示する輝度を１００％の基準とし、別の実施例において表示基板１００が表示する輝度をいう。
例えば、図２に示す態様を基準とすると、図７に示す態様の相対輝度は２５％～５０％であり、図４に示す態様の相対輝度は１１５％～１３０％である。
このように、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐを発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルにあるように設け、又は、第２サブ光調整層３２とベース１との間に第１サブ光調整層３１を設けることは、発光素子２からの光の吸収を低減することに有利であり、即ち表示基板１００の消費電力を低減することに有利である。
幾つかの実施例において、図７に示すように、本開示の実施例に提供される表示基板１００は、各々の発光素子２の側壁２３を覆う光反射層４をさらに含む。当該反射層４は、発光素子２から反射層４に入射した光を反射して発光素子２に戻すように配置される。即ち、発光素子２が発した光は、反射層４によって少なくとも１回反射され、かつ、反射された光は、発光素子２のベース１から離れた表面から出射することができる。このように、反射層４によって、発光素子２のベース１から離れた表面から出射する光の量を増やすことができ、表示基板１００の光効率を向上させ、表示基板１００の消費電力を低減することに有利である。また、光反射層４を設ける場合は、光調整層３を１層の薄膜の構造のみとすることができ、光調整層３の製造工程の簡略化に有利である。
本開示の幾つかの実施例は、表示基板の製造方法を提供する。図１０に示すように、当該表示基板の製造方法は、Ｓ１００～Ｓ３００を含む。
Ｓ１００では、ベースを提供する。
Ｓ２００では、ベースの一側に互いに間隔をあけて複数の発光素子を設ける。
幾つかの例において、当該複数の発光素子を、大量移載の方式でベースの一側に設けることができる。当該複数の発光素子とベースとの間に複数の溶接スポットを設けてもよく、これにより、複数の発光素子は、対応する溶接スポットを介してベースと電気的に接続できる。
幾つかの例において、上記ベースは、発光素子が駆動電圧の駆動により発光できるように、各々の発光素子に駆動電圧を供給するように配置される。従って、上記Ｓ１００で提供されるベースは、各々の発光素子に対応する画素駆動回路を含む。当該画素駆動回路は、対応する溶接スポットを介して対応する発光素子と電気的に接続され得る。
幾つかの例において、ベースの一側に少なくとも１層の機能性薄膜（例えば絶縁層、パッシベーション層、又は平坦化層など）が形成され、上記複数の発光素子は、当該少なくとも１層の機能性薄膜のベースから離れた側の表面に形成される。
Ｓ３００では、上記複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成する。当該複数の発光素子のうちの少なくとも１つの発光素子の側壁が光調整層に囲まれるように、当該光調整層のうちの少なくとも一部が当該複数の発光素子の間の間隙に位置する。光調整層の材料は、光吸収材料を含む。前記光調整層は、前記光調整層に入射した光を吸収するように配置される。
上記光調整層は、様々な構造を有することができる。例えば、光調整層は、１層の薄膜で構成された構造である。また例えば、光調整層は、２層の薄膜で構成された構造である。光調整層の構造はこれに限定されない。
ここで、光調整層を形成するプロセスフローは、光調整層の構造に関連している。
幾つかの実施例において、光調整層は、２層の薄膜で構成された構造である。
図１１に示すように、上記Ｓ３００において、複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、Ｓ３１０ａ～Ｓ３２０ａを含む。
Ｓ３１０ａでは、図１３の（ａ）、図１４の（ａ）及び図１５の（ａ）に示すように、当該複数の発光素子２の間の間隙内に第１サブ光調整層３１を形成する。第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルにあるか、又はベース１に対して当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い、又は低い。第１サブ光調整層３１材料は、光反射材料を含む。
第１サブ光調整層３１の材料としては、様々な材料を用いることができる。例示的に、第１サブ光調整層３１の材料は、白色インク、白色ペースト、又は金属材料のうちの少なくとも一つを含む。ここで、白色ペーストは、例えば、チタン白でドープされたシリカゲルである。金属材料は、高い反射率を有する金、銅、モリブデン等を含み得る。
第１サブ光調整層３１の形成工程は、それに含まれる材料に関連している。
例示的に、第１サブ光調整層３１の材料が白色インク又は白色ペーストを含む場合、白色インク又は白色ペーストは流体的性質を有する材料であるため、この場合、ディスペンス工程、スプレー工程、及び３Ｄ印刷工程のうちのいずれかを採用して、第１サブ光調整層３１を形成することができる。
例示的に、第１サブ光調整層３１の材料が金属材料を含む場合、３Ｄ印刷工程を採用して第１サブ光調整層３１を形成することができる。
なお、第１サブ光調整層３１の材料が白色インク又は白色ペーストを含む場合、上記Ｓ３１０ａにおいて、当該複数の発光素子２の間の間隙内に第１サブ光調整層３１を形成することは、Ｓ３１０１ａ～Ｓ３１０２ａを含む。
Ｓ３１０１ａでは、ディスペンス工程、スプレー工程、及び３Ｄ印刷工程のうちのいずれかを採用し、当該複数の発光素子２の間の間隙内に第１サブ光調整薄膜を形成する。白色インクや白色ペーストは流体的性質を有するため、当該複数の発光素子２の間の間隙内に自発的に流動することができ、当該複数の発光素子２の間の間隙内を均一に充填し、第１サブ光調整薄膜を形成する。
Ｓ３１０２ａでは、第１サブ光調整薄膜をベーク処理し、第１サブ光調整層３１を形成する。
例示的に、上記ベーク処理の温度範囲は１４０℃～１６０℃であり、ベーク処理の時間範囲は１時間～２時間である。
ここで、流体的性質を有する材料が流動して第１サブ光調整薄膜を形成した後、ベーク処理して形成された第１サブ光調整層３１は、様々な形態を有することができる。
例えば、図４に示すように、第１サブ光調整層３１の各発光素子２の側壁と接触する部分の厚さ（即ちベース１に垂直な方向の寸法）が、第１サブ光調整層３１の各発光素子２の側壁と接触しない部分の厚さ（即ちベース１に垂直な方向の寸法）よりも大きい。この場合、当該形態は、第１サブ光調整層３１の中間に位置する部分が、エッジに位置する部分に対して凹状になってもよい。
また例えば、図８に示すように、第１サブ光調整層３１の各発光素子２の側壁と接触する部分の厚さが、第１サブ光調整層３１の各発光素子２の側壁と接触しない部分の厚さよりも小さい。この場合、当該形態は、第１サブ光調整層３１の中間に位置する部分が、エッジに位置する部分に対して凸状になってもよい。
第１サブ光調整薄膜をベーク処理することにより、液体状態の第１サブ光調整薄膜を固体状態の第１サブ光調整層３１に変換することができ、これにより、形成された第１サブ光調整層３１は、比較的安定した形態を有し、後続の第２サブ光調整層３２の形成に影響を及ぼすことを回避し、且つ第２サブ光調整層３２を形成する過程において第１サブ光調整層３１を汚染することを回避することができる。
Ｓ３２０ａでは、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側に第２サブ光調整層３２を形成する。第２サブ光調整層３２のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルにあるか、又はベース１に対して当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い。第２サブ光調整層３２の材料は、光吸収材料を含む。
ここで、第２サブ光調整層３２の材料は、黒色インク、黒色ペースト、黒色フォトレジストのうちの少なくとも１つを含む。
第２サブ光調整層３２は、様々な工程で形成できる。例示的に、第２サブ光調整層３２を形成することは、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、３Ｄ印刷工程、フォトリソグラフィ工程、及び射出成形工程のうちのいずれかを採用することができる。
なお、第２サブ光調整層３２の材料は流体的性質を有する。上記Ｓ３１０ａにおいて、当該複数の発光素子２間の間隙内に第１サブ光調整層３１を形成することは、Ｓ３２０１ａ～Ｓ３２０２ａを含む。
Ｓ３２０１ａでは、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側に第２サブ光調整薄膜３２’を形成する。
例示的に、図１３の（ｂ）に示すように、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、３Ｄ印刷工程のうちのいずれかを採用して第２サブ光調整薄膜３２’を形成する。
例示的に、図１２の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、射出成形工程を採用して第２サブ光調整薄膜３２’を形成する。射出成形工程を採用して第２サブ光調整薄膜３２’を形成する工程は、例えば、複数の発光素子２のベース１から離れた側に射出成形型５を設け、真空引きして真空環境を形成し、射出成形型５と第１サブ光調整層３１との間に、注入孔５１を介して第２サブ光調整層３２の材料を注入して第２サブ光調整薄膜３２’を形成する。ここで、図１２の（ｄ）に示すように、第２サブ光調整薄膜３２’をベーク処理して硬化させた後、射出成形型５を取り外すことができる。第２サブ光調整薄膜３２’のベーク処理は、Ｓ３２０２ａに記載の内容を参照することができる。
Ｓ３２０２ａでは、第２サブ光調整薄膜３２’をベーク処理し、第２サブ光調整層３２を形成する。
例示的に、上記ベーク処理の温度範囲は１４０℃～１６０℃であり、ベーク処理の時間範囲は１時間～２時間である。
第２サブ光調整薄膜３２’をベーク処理することにより、液体状態の第２サブ光調整薄膜３２’を固体状態の第２サブ光調整層３２に変換することができ、これにより、形成された第２サブ光調整層３２は比較的安定した形態を有することができる。
また、フォトリソグラフィ工程を採用して第２サブ光調整層３２を形成する工程は、例えば、図１４の（ｂ）に示すように、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、及び３Ｄ印刷工程のいずれかを採用して第２サブ光調整薄膜３２’を形成し；図１４の（ｃ）に示すように、第２サブ光調整薄膜３２’をベーク処理した後、フォトリソグラフィ工程を採用して、ベーク処理後の第２サブ光調整薄膜３２’をエッチングして、第２サブ光調整層３２を形成する。
別の幾つかの実施例において、光調整層は、１層の薄膜で構成された構造である。
図１５に示すように、上記Ｓ３００において、複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、Ｓ３１０ｂ～Ｓ３２０ｂを含む。
Ｓ３１０ｂでは、図１６の（ａ）に示すように、当該複数の発光素子２のベース１から離れた側に光調整薄膜３’を形成する。ベース１に対して、光調整薄膜３’のベース１から離れた表面は、複数の発光素子２のベース１から離れた表面よりも高い。光調整薄膜３’は、光吸収材料を含む。
例示的に、光調整薄膜３’を形成する工程は、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、及び３Ｄ印刷工程のうちのいずれかを含む。
Ｓ３２０ｂでは、図１６の（ｂ）に示すように、光調整薄膜３’を磨いて光調整薄膜３’の厚みを減少させて、光調整層３を形成する。
例示的に、ベースに対して、形成された光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ～５０μｍ高い。形成された光調整層３のベース１から離れた表面Ｐが発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ高い場合、両者は同一のレベルにある。
ここで、Ｓ３１０ｂの後、Ｓ３２０ｂの前に、複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、光調整薄膜３’をベーク処理することをさらに含み、これにより、光調整薄膜３’を液体状態から固体状態に変換させ、光調整薄膜３’のベース１から離れた表面を容易に磨くことができる。
上記の磨くは、研磨工程を採用することができる。これにより、形成された光調整層３のベース１から離れた表面Ｐをよりフラットにする（例えば当該表面の変動範囲を－５μｍ～５μｍにする）ことができ、製造された表示基板の表示ムラの発生を回避することができる。
また、さらに別の幾つかの実施例において、光調整層が１層の薄膜で構成された構造である場合、複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、複数の発光素子の間隙内に光調整薄膜を形成し、当該光調整薄膜をベーク処理し、光調整層を形成することを含む。光調整層のベースから離れた表面は、当該複数の発光素子のベースから離れた表面と同一のレベルにあるか、又は当該複数の発光素子のベースから離れた表面よりも低い。
ここで、光調整薄膜を形成する工程は、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、３Ｄ印刷工程、フォトリソグラフィ工程、及び射出成形工程のうちのいずれか一つを含むことができる。上記ベーク処理の温度範囲は１４０℃～１６０℃であってよく、ベーク処理の時間範囲は１時間～２時間であってよい。
本開示の幾つかの実施例は、表示装置２００を提供する。図１７に示すように、当該表示装置２００は、上記幾つかの実施例で提供される表示基板１００を含む。
上記表示装置２００に含まれる表示基板１００は、上記幾つかの実施例で提供される表示基板１００と同様の構造を有し、同様の効果を奏するものであるため、ここではその説明を省略する。
幾つかの実施例において、上記表示装置２００は、電子ペーパー、携帯電話、タブレット、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーションなどの表示機能を有する任意の製品又は部品である。
上記は本開示の具体的な実施形態に過ぎないが、本開示の範囲はこれに限定されず、本開示の技術的範囲内で当業者であれば容易に想到できる変形又は置換は、すべて本開示の技術的範囲内に包含するものである。したがって、本開示の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲に準ずるものとする。
本開示は、表示技術分野に関し、特に、表示基板、その製造方法及び表示装置に関する。
ミニ発光ダイオード（Ｍｉｎｉ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、略称Ｍｉｎｉ ＬＥＤ）とは、結晶粒サイズが約１００μｍの発光ダイオードをいう。Ｍｉｎｉ ＬＥＤは、自発光、高効率、高輝度、高信頼性、省エネ及び高速応答などの多くの利点を有するため、画素毎に各々のアドレスの位置付けを実現でき、マイクロ表示、携帯電話、テレビなどの中サイズ表示から映画館の大画面表示までの分野で応用されている。
一態様において、表示基板が提供される。前記表示基板は、ベースと、前記ベースの一側に設けられた複数の発光素子と、光調整層と、を含む。前記複数の発光素子は、互いに間隔をあけて設けられる。前記複数の発光素子のうちの少なくとも１つの発光素子の側壁が前記光調整層によって囲まれるように、前記光調整層の少なくとも一部は、前記複数の発光素子の間の間隙内に位置し；前記光調整層の材料は、光吸収材料を含み；前記光調整層は、前記光調整層に入射した光を吸収するように配置される。
幾つかの実施例において、前記光調整層の、前記複数の発光素子の間の間隙内に位置する部分の厚さは、前記複数の発光素子の厚さの０．５倍～１．５倍である。
幾つかの実施例において、前記光調整層の材料は、黒色インク、黒色ペースト、及び黒色フォトレジストのうちの少なくとも１つを含む。
幾つかの実施例において、前記光調整層の材料の吸収係数は２×１０－５ｍ－１～０．８ｍ－１である。
幾つかの実施例において、前記光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベル上にあるか、又は前記ベースの厚さ方向に沿って、前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高い、又は低い。
幾つかの実施例において、前記ベースの厚さ方向に沿って、前記ベースに対して、前記光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも０μｍ～５０μｍ高いか、又は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも０μｍ～１５μｍ低い。
幾つかの実施例において、前記光調整層は、前記複数の発光素子の間の間隙内に位置する第１サブ光調整層と、前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた側に設けられた第２サブ光調整層と、を含む。前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベル上にあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高い、又は低い。前記第１サブ光調整層の材料は、光反射材料を含む。前記第１サブ光調整層は、発光素子から前記第１サブ光調整層に入射した光を反射して前記発光素子に戻すように配置される。前記第２サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベルにあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高い。前記第２サブ光調整層の材料は、光吸収材料を含む。前記第２サブ光調整層は、前記第２サブ光調整層に入射した光を吸収するように配置される。
幾つかの実施例において、前記第１サブ光調整層における光反射材料の反射率は、８５％～９５％である。
幾つかの実施例において、前記第１サブ光調整層の材料は、白色インク、白色ペースト、又は金属材料のうちの少なくとも１つを含む。
幾つかの実施例において、前記ベースの厚さ方向に沿って、前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた表面と前記ベースとの距離と、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と前記ベースとの距離の差は、－１５μｍ～１５μｍである。
幾つかの実施例において、前記第２サブ光調整層の厚さは、１０μｍ～１５μｍである。
幾つかの実施例において、前記第２サブ光調整層の前記ベースへの正投影は、前記複数の発光素子の前記ベースへの正投影と重ならないか又はほぼ重ならない。又は、前記複数の発光素子の前記ベースへの正投影は、前記第２サブ光調整層の前記ベースへの正投影内に位置する。
幾つかの実施例において、前記表示基板は、さらに、前記複数の発光素子のうちの、各々の発光素子の側壁を覆う光反射層を含む。
別の態様において、表示基板の製造方法が提供される。前記表示基板の製造方法は、ベースを提供することと、前記ベースの一側に互いに間隔をあけて複数の発光素子を設けることと、前記複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することと、を含み；前記複数の発光素子のうちの少なくとも１つの発光素子の側壁が前記光調整層によって囲まれるように、前記光調整層の少なくとも一部は、前記複数の発光素子の間の間隙に位置し；前記光調整層の材料は、光吸収材料を含み；前記光調整層は、前記光調整層に入射した光を吸収するように配置される。
幾つかの実施例において、前記した、前記複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、前記複数の発光素子間の間隙内に第１サブ光調整層を形成することと、前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた側に第２サブ光調整層を形成することと、を含み；前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベル上にあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高く、又は低く；前記第１サブ光調整層の材料は、光反射材料を含む。前記第２サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベル上にあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高く；前記第２サブ光調整層の材料は、光吸収材料を含む。
幾つかの実施例において、第１サブ光調整層を形成することは、ディスペンス工程、スプレー工程、及び３Ｄ印刷工程のうちのいずれかを採用する。前記第２サブ光調整層を形成することは、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、３Ｄ印刷工程、フォトリソグラフィ工程、及び射出成形工程のうちのいずれかを採用する。
幾つかの実施例において、前記した、前記複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、前記複数の発光素子の間の前記間隙内及び前記複数の発光素子の前記ベースから離れた側に光調整薄膜を形成することと、前記光調整薄膜を磨いて前記光調整薄膜の厚さを減少させ、前記光調整層を形成することとを含み；前記ベースに対して、前記光調整薄膜の前記ベースから離れた表面が、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高く；前記光調整薄膜は光吸収材料を含む。
さらに別の態様において、表示装置が提供される。前記表示装置は、例えば、前記幾つかの実施例に記載の表示基板を含む。
本開示の技術案をより明確に説明するために、以下、実施例の説明に用いる必要な図面を簡単に説明する。以下の説明における図面は、本開示の幾つかの実施例の図面に過ぎず、当業者であれば、これらの図面に基づく他の図面を得られることはもちろん自明である。また、以下の説明における図面は概略図であり、本開示の実施例に係る製品の実際の寸法、方法の実際の流れなどを限定するものではない。
本開示の幾つかの実施例に係る表示基板の平面図である。
図１に示す表示基板のＡ－Ａ’方向に沿った断面図である。
図１に示す表示基板のＡ－Ａ’方向に沿った別の断面図である。
図１に示す表示基板のＡ－Ａ’方向に沿ったさらに別の断面図である。
図１に示す表示基板のＡ－Ａ’方向に沿ったさらに別の断面図である。
本開示の幾つかの実施例に係る別の表示基板の平面図である。
図６に示す表示基板のＢ－Ｂ’方向に沿った断面図である。
図６に示す表示基板のＢ－Ｂ’方向に沿った別の断面図である。
本開示の幾つかの実施例に係る表示基板の光路図である。
本開示の幾つかの実施例に係る表示基板の製造方法を示すフローチャートである。
本開示の幾つかの実施例に係る光調整層を形成することのフローチャートである。
図１１に示す光調整層を形成することの製造工程図である。
図１１に示す光調整層を形成することの別の製造工程図である。
図１１に示す光調整層を形成することのさらに別の製造工程図である。
本開示の幾つかの実施例に係る別の光調整層を形成することのフローチャートである。
図１５に示す別の光調整層を形成することの製造工程図である。
本開示の幾つかの実施例に係る表示装置の構成図である。
以下、図面を参照しながら、本開示の幾つかの実施例における技術案について明確に、完全に説明する。明らかに、説明される実施例は、本開示の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。本開示によって提供される実施例に基づいて、当業者が得られる他のすべての実施例は、本開示の保護範囲に含まれる。
文脈において別途指摘されない限り、本明細書及び特許請求の範囲において、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及びその他の形態、例えば、第３者単数形「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び現在分詞形「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、開放的、包括的という意味、即ち「含むが、これらに限定されない」と解釈されるべきである。本明細書の記載において、用語「一実施例（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」、「幾つかの実施例（ｓｏｍｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、「例示的な実施例（ｅｘｅｍｐｌａｒｙ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、「例（ｅｘａｍｐｌｅ）」、「特定例（ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｅｘａｍｐｌｅ）」又は「幾つかの例（ｓｏｍｅ ｅｘａｍｐｌｅｓ）」などは、その実施例、又はその例に関連する特定の特徴、構造、材料又は特性が、本開示の少なくとも１つの実施例又は例に含まれることを示すことを意図している。上記の用語の概略的な表現は、必ずしも同じ実施例又は例を指すとは限らない。さらに、記載された特定の特徴、構造、材料、又は特性は、任意の適切な態様で、任意の１つ又は複数の実施例又は例に含まれ得る。
以下において、「第１」、「第２」という用語は、単に目的を説明するためのものであり、相対的な重要性を示すか又は暗示するものとして、或いは示される技術的特徴の数量を暗示するものとして理解されるべきではない。したがって、「第１」、「第２」と定義された特徴は、１つ又は複数のその特徴を明示的又は暗示的に含み得る。本開示の実施例の説明において、特に明記しない限り、「複数」は、２つ又は２つ以上を意味する。
「Ａ、Ｂ及びＣのうちの少なくとも１つ」は、「Ａ、Ｂ又はＣのうちの少なくとも１つ」と同じ意味を有し、いずれも以下のＡ、Ｂ及びＣの組み合わせ：Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ及びＢの組み合わせ、Ａ及びＣの組み合わせ、Ｂ及びＣの組み合わせ、Ａ、Ｂ及びＣの組み合わせを含む。
従来技術において、Ｍｉｎｉ ＬＥＤは、赤色、緑色、青色、白色などの多様な色の光を発することができる。Ｍｉｎｉ ＬＥＤを表示装置に適用する場合、Ｍｉｎｉ ＬＥＤは、表示装置が有するサブ画素領域内に設けられて、そのままサブ画素として表示することができる。
表示装置には、Ｍｉｎｉ ＬＥＤに電気信号を供給するベースが設けられており、当該ベース及びＭｉｎｉ ＬＥＤは、それぞれの表面に入射した光を反射する可能性がある。このように表示装置の表示輝度が０の場合、表示装置の表示面はベース及びＭｉｎｉ ＬＥＤの反射作用により明るさが表示され、表示装置のコントラストが低下する。
本開示の幾つかの実施例は、表示基板１００を提供する。図１～図９に示すように、表示基板１００は、ベース１と、ベース１の一側に設けられた複数の発光素子２と、光調整層３と、を含む。
幾つかの例において、上記複数の発光素子２の各々は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、発光ダイオード）、Ｍｉｎｉ ＬＥＤ、又はＭｉｃｒｏ ＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、マイクロ発光ダイオード）である。
幾つかの例において、図９に示すように、各々の発光素子２は、光を発するように配置される発光層２１と、発光層２１の一側に設けられた透過層２２と、を含む。発光素子２がベース１に設けられた後、透過層２２は発光層２１のベース１から離れた側に位置する。発光層２１から発せられた光は、透過層２２を透過した後、表示側に出射される。発光層２１から発せられた光は、透過層２２を透過した後に散乱され、複数の方向に出射され、これにより、光密度を低減することができ、発光素子２から出射される光の均一性を向上させることができる。透過層２２は、例えば、屈折率が１．７８のサファイア材料を含んで形成される。幾つかの例において、透過層２２は、空気を含んでもよい。
ベース１は、マトリクス状に配列される複数のサブ画素領域を有し、各々の発光素子２は、１つのサブ画素領域に対応して設けられ、複数の発光素子２は、互いに間隔をあけて設けられる。
幾つかの例において、上記ベース１は、各々の発光素子２に駆動電圧を供給し、発光素子２が当該駆動電圧の駆動により発光できるように配置される。
例示的に、ベース１は、ベース基板と、ベース基板に配置され、複数のサブ画素領域と１対１に対応している複数の画素駆動回路と、を含んでもよい。これにより、各々の発光素子２は、対応する画素駆動回路から供給される駆動電圧の駆動により発光することができる。
上記画素駆動回路の構造は、例えば、「２Ｔ１Ｃ」、「６Ｔ１Ｃ」、「７Ｔ１Ｃ」、「６Ｔ２Ｃ」又は「７Ｔ２Ｃ」などの複数種類を含む。ここで、「Ｔ」は薄膜トランジスタを示し、「Ｔ」の前の数字は薄膜トランジスタの数を示し、「Ｃ」は蓄積容量を示し、「Ｃ」の前の数字は蓄積容量の数を示す。各々の構造の画素駆動回路に含まれる複数の薄膜トランジスタのうち、１つの薄膜トランジスタが駆動トランジスタである。
もちろん、本開示の実施例は、上記の駆動方式で複数の発光素子２を駆動する以外、ほかの駆動方式を採用することもできる。例えば、本開示の実施例は、パッシブ駆動方式又はＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、集積回路）駆動方式で複数の発光素子２を駆動してもよい。
ベース１におけるベース基板は、複数種類の構造を含む。例示的に、ベース基板は、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ポリエチレンテレフタレート）ベース基板、ＰＥＮ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ ｔｗｏ ｆｏｒｍｉｃ ａｃｉｄ ｇｌｙｃｏｌ ｅｓｔｅｒ、ポリエチレンナフタレート）ベース基板、又はＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ポリイミド）ベース基板のようなフレキシブルベース基板であってもよい。また、例示的に、ベース基板は、ガラスベース基板又はＰＭＭＡ（ Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ、ポリメチルメタクリレート） ベース基板のようなリジットベース基板であってもよい。
上記複数の発光素子２は、互いに間隔をあけて設けられ、即ち、複数の発光素子２の間に間隙がある。図２～図５、図７及び図８に示すように、当該複数の発光素子２のうちの少なくとも１つの発光素子２の側壁２３が光調整層３によって囲まれるように、上記光調整層３の少なくとも一部は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する。発光素子２の側壁２３とは、発光素子２の、ベース１に対して垂直又は略垂直な表面を意味する。
前記光調整層３の少なくとも一部は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置し、複数の配置態様を含む。
例えば、光調整層３の一部は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置し、この場合、図３及び図５に示すように、発光素子２がベース１に対して垂直に延在する方向において、光調整層３の別の一部は、隣り合う２つの発光素子２の間の領域に位置してもよく；又は、図７及び図８に示すように、光調整層３の別の一部は、さらに、当該少なくとも１つの発光素子２のベース１から離れた表面に位置してもよく、これにより、光調整層３は、複数の発光素子２のうちの少なくとも１つの発光素子２の側壁２３を囲むことができるだけでなく、当該少なくとも１つの発光素子２のベース１から離れた表面を囲んで覆うこともできる。
別の例として、図２及び図４に示すように、光調整層３は、全て当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置し、複数の発光素子２のうちの少なくとも１つの発光素子２の側壁２３を囲む。
光調整層３を設けることにより、複数の発光素子２のうちの少なくとも１つの発光素子２の側壁２３、さらにベース１から離れた表面を保護することができ、当該少なくとも１つの発光素子２の側壁２３、さらにベース１から離れた表面が、製造工程において、引っかかりにより脱落したり損傷したりすることを防止し、さらに、当該少なくとも１つの発光素子２の品質に影響を及ぼすことを防止することができる。また、光調整層３を設けることにより、当該少なくとも１つの発光素子２をベース１に良好に固定することができ、発光素子２が緩んで良好に発光し難くなる状況を低減ないし防止し、さらに表示基板１００の良好な表示効果を確保することができる。
幾つかの例において、光調整層３の材料は、光吸収材料を含む。光調整層３は、光調整層３に入射した光を吸収するように配置される。これは、光調整層３に入射した光のうち、多くの光が吸収されることを意味し、これにより、光調整層３で反射される光の量を効果的に減少ことができる。
このように、本開示の実施例に係る表示基板１００は、光調整層３の少なくとも一部が複数の発光素子２の間の間隙内に位置するように光調整層３を配置することにより、複数の発光素子２のうちの少なくとも１つの発光素子２を保護することができ、当該少なくとも１つの発光素子２が製造工程において、引っかかりにより脱落したり損傷したりして品質に影響を及ぼすことを防止することができるだけではなく、当該少なくとも１つの発光素子２に対して固定の役割を果たし、表示基板１００の良好な表示効果を確保することができる。
また、本開示の実施例に係る表示基板１００において設けられた光調整層３の材料は、光吸収材料を含み、これにより、光調整層３に入射した光を光調整層３で吸収し、光調整層３で反射される光の量を減少ことができる。光調整層３の少なくとも一部が複数の発光素子２の間の間隙内に設けられるため、光調整層３が、ベース１、少なくとも１つの発光素子２の側壁２３、ひいてはベース１から離れた表面に対して遮蔽を形成し、ベース１及び当該少なくとも１つの発光素子２で反射される光の量を減少し、ベース１及び当該少なくとも１つの発光素子２の反射により外部（即ち表示基板１００の表示面と反対側の空気）に出射される光の量を低減することができ、これにより、表示基板１００の表示輝度が０の場合、表示基板１００の表示面をより暗くすることができる。
また、本開示の実施例は発光素子２に供給される駆動電圧を調整することにより、表示基板が表示する輝度を、光調整層３を設けない場合と同様な輝度とすることができる。即ち、本開示の実施例によれば、表示基板１００が光調整層３を設けない場合の最高階調の輝度を表示できることを確保することができるだけでなく、光調整層３を設けない場合の最低階調の輝度を表示することもでき、最も明るい状態と最も暗い状態との差の範囲を大きくし、表示基板１００のコントラストを効果的に向上させることができる。
本開示の実施例において、光調整層３の材料が光吸収材料を含むとは、様々な構成を含む。即ち、光調整層３の材料の全てが光吸収材料を含み、又は光調整層３の材料の少なくとも一部が光吸収材料を含む。いずれの構成を採用するかは、光調整層３の構造に関わる。
幾つかの実施例において、図２、図３、及び図７に示すように、光調整層３は、１層の薄膜の構造であり、光調整層３の材料の全てが光吸収材料を含む。
例示的に、光調整層３の材料は、黒色インク、黒色ペースト、及び黒色フォトレジストなどのうちの少なくとも１つを含むが、これに限定されるものではない。ここで、光吸収材料とは、黒色インク、黒色ペースト、及び黒色フォトレジストなどのうちの少なくとも１つである。ここで、黒色ペーストは、例えば、黒色粉末がドープされたシリカゲルであり、例えば、当該黒色ペーストには、シリカゲル１００ｇ当たり黒色粉末が０．５ｇ～１．５ｇドープされる。
幾つかの例において、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１（即ちベース１に垂直な、発光素子３の表面に向かう方向における寸法）は、当該複数の発光素子３の厚さＤ２（即ちベース１に垂直な、発光素子３の表面に向かう方向における寸法）の０．５～１．５倍である。
ここで、図１、図２及び図３に示すように、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分とは、光調整層３の当該複数の発光素子のうち全ての隣り合う２つの発光素子２の間に位置する部分、及び当該複数の発光素子のうち全ての隣り合う４つの発光素子で囲まれる全ての部分を指し、当該部分は、隣り合う２つの発光素子２の間に位置する部分を含み、発光素子２のベース１から離れた側に位置する部分を含まない。
例示的に、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１は、当該複数の発光素子２の厚さＤ２の１倍である。即ち、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１は、当該複数の発光素子２の厚さＤ２とほぼ等しい。この場合、図２に示すように、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐと、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとは、同一のレベルにある。
例示的に、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１と、当該複数の発光素子２の厚さＤ２との倍数は、０．５倍以上１倍未満である。即ち、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１は、当該複数の発光素子２の厚さＤ２よりも小さい。この場合、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも低い。例示的に、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ～１５μｍ低い。例えば、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも、５μｍ、７μｍ、１０μｍ、１３μｍ、又は１５μｍ等低い。また、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐが、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ低い場合は、両者が同一のレベルにあることを意味する。
なお、光調整層３が光調整層３に入射した光を吸収するように配置されるとの説明において、光とは、外部から光調整層３に入射した光だけでなく、発光素子２が発光して光調整層３に入射した光も含む。
ここで、光調整層３による光の吸収は、下記の式を満たす。
Ｉ＝Ｉ０×ｅ－αＬ
ここで、Ｉ ０ は光調整層３に入射する前の光の強度であり、Ｉは光調整層３を透過して出射する光の強度であり、αは光調整層３の吸収係数であり、Ｌは光調整層３を進行する光の光路長である。この式から、光が光調整層３を進行する光路長が短いほど、光調整層３による光の吸収が少ないことがわかる。
本開示の実施例は、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐを、複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルに、又は複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑより低く設けることにより、光調整層３で発光素子２を保護及び固定して、表示基板１００の表示効果を確保することができるだけでなく、発光素子２が発した光の光調整層３を進行する光路長を短くし、光調整層３による発光素子２が発した光の吸収を低減し、光の損失を低減することができる。また、光の損失を低減することができるので、表示基板１００に所望の表示輝度を確保しながら、発光素子２に大きな駆動電圧を供給することを回避し、消費電力を低減することができる。
例示的に、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１は、当該複数の発光素子２の厚さＤ２の１倍より大きく１．５倍以下である。即ち、光調整層３の、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する部分の厚さＤ１は、発光素子２の厚さＤ２よりも大きい。この場合、図３及び図７に示すように、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い。
ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐが、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い場合、光調整層３は、様々の配置態様がある。
例えば、図１及び図３に示すように、光調整層３は、各々の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑを覆わずに、各々の発光素子２の側壁２３を囲む。
また例えば、図６及び図７に示すように、当該複数の発光素子２のベース１への正投影は、光調整層３のベース１への正投影内に位置する。光調整層３は、各々の発光素子２の側壁２３を囲むとともに、各発光素子２のベース１から離れた表面Ｑを覆う。
本開示の実施例は、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐを、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高く設けることにより、外部から各発光素子２に入射した光の、各発光素子２による反射を低減ないし回避することができ、表示基板１００の表示輝度が０の場合に表示面が暗い状態にあることを確保するのに有利であり、表示基板１００のコントラストを効果的に向上させることができる。
本実施例において、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐの、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い寸法は、実際の必要に応じて選択して設定すればよく、これにより、表示基板１００のコントラストを効果的に向上させることができるとともに、大きな光損失が生じることを回避することができる。
例示的に、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ～５０μｍ高い。例えば、ベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、又は５０μｍなど高い。また、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐが、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ高い場合は、両者が同一のレベルにあることを意味する。
なお、光調整層３による光の吸収の式から、光調整層３による光の吸収は、光調整層３の吸収係数とも相関しており、光調整層３の吸収係数が小さいほど、光調整層３による光の吸収は少ないことがわかる。
例示的に、光調整層３の吸収係数は、２ ×１０－５ｍ－１～０．８ｍ－１である。これにより、光調整層３による発光素子２が発した光の吸収を低減し、光の損失を低減することができる。さらに、表示基板１００に所望の表示輝度を確保しながら、発光素子２に大きな駆動電圧を供給することを回避し、消費電力を低減することができる。
別の実施例において、図４、図５及び図８に示すように、光調整層３は、多層の薄膜を積層した構造であり、光調整層３のうちの少なくとも１層の薄膜の材料は光吸収材料を含む。
幾つかの例において、図４、図５及び図８に示すように、光調整層３は、２層の薄膜を積層した構造である。光調整層３は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する第１サブ光調整層３１を含む。第１サブ光調整層３１の材料は、光反射材料を含む。第１サブ光調整層３１は、発光素子２から第１サブ光調整層３１に入射した光を反射して発光素子２に戻すように配置される。
ここで、第１サブ光調整層３１が当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置することは、第１サブ光調整層３１の一部又は全部が当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置することを含む。
例示的に、第１サブ光調整層３１の全体は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する。図４に示すように、ベース１に対して、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも低く、第１サブ光調整層３１は、各発光素子２の側壁２３の一部を囲むことができる。又は、図８に示すように、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１と、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとは、同一のレベルにあり、第１サブ光調整層３１は、各発光素子２の側壁２３を囲むことができる。
例示的に、第１サブ光調整層３１の一部は、当該複数の発光素子２の間の間隙内に位置する。図５に示すように、ベース１に対して、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高く、第１サブ光調整層３１は、各発光素子２の側壁２３を囲むことができる。この場合、図５に示すように、第１サブ光調整層３１のベース１への正投影と、当該複数の発光素子２のベース１への正投影とは重ならない。
上記第１サブ光調整層３１の材料は、光反射材料を含み、即ち、第１サブ光調整層３１は、第１サブ光調整層３１に入射した光を反射することができる。例示的に、図９に示すように、第１サブ光調整層３１は、各発光素子２の側壁２３を囲んでいるので、発光素子２が発した光は、発光素子２の側壁２３に入射した後、当該側壁２３を囲む第１サブ光調整層３１によって反射され、発光素子２内に戻される。即ち、発光素子２が発した光は、第１サブ光調整層３１によって少なくとも１回反射され、反射された光は、発光素子２のベース１から離れた表面から出射することができる。これにより、発光素子２の側壁２３に入射した光の吸収を低減ないし回避し、発光素子２のベース１から離れた表面から出射する光の量を増やすことができ、表示基板１００の光効率を向上させ、表示基板１００の消費電力を低減することに有利である。
幾つかの例において、図４、図５及び図８に示すように、光調整層３は、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側に設けられた第２サブ光調整層３２をさらに含む。第２サブ光調整層３２の材料は、光吸収材料を含む。第２サブ光調整層３２は、第２サブ光調整層３２に入射した光を吸収するように配置される。
ここで、第２サブ光調整層３２が第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側に設けられることは、第２サブ光調整層３２が第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側の表面に設けられること、即ち、両者が直接接触することを含むが、これに限定されない。
第２サブ光調整層３２が第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側に設けられた後、図４に示すように、第２サブ光調整層３２のベース１から離れた表面Ｐ（即ち光調整層３のベース１から離れた表面Ｐ）は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルにある。又は、図５及び図８に示すように、ベース１に対して、第２サブ光調整層３２のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い。
第２サブ光調整層３２のパターンは、複数の種類を含む。
例えば、図４及び図５に示すように、第１サブ光調整層３１のベース１への正投影と第２サブ光調整層３１のベース１への正投影とが重なり、この場合、第２サブ光調整層３２のベース１への正投影と当該複数の発光素子２のベース１への正投影とは重ならないか又はほぼ重ならない。これにより、第２サブ光調整層３２によって第１サブ光調整層３１を覆い、第２サブ光調整層３２を利用して外部から第２サブ光調整層３２に入射した光を吸収することができ、当該光が第１サブ光調整層３１に入射し第１サブ光調整層３１で反射されて、表示基板１００の表示輝度が０の場合の表示面の状態に影響を及ぼすことを回避することができし、ひいては表示基板１００のコントラストに影響を及ぼすことを回避することができる。
また例えば、図８に示すように、第１サブ光調整層３１のベース１への正投影は、第２サブ光調整層３２のベース１への正投影内に位置し、この場合、複数の発光素子２のベース１への正投影は、第２サブ光調整層３２のベース１への正投影内に位置する。これにより、第２サブ光調整層３２によって第１サブ光調整層３１及び複数の発光素子２を覆い、第２サブ光調整層３２を利用して外部から第２サブ光調整層３２に入射した光を吸収することができ、当該光が第１サブ光調整層３１又は複数の発光素子２に入射し第１サブ光調整層３１又は複数の発光素子２で反射されて、表示基板１００の表示輝度が０である場合の表示面の状態に影響を及ぼすことを回避することができ、ひいては表示基板１００のコントラストに影響を及ぼすことを回避することができる。
このように、本発明の実施例は、第１サブ光調整層３１及び第２サブ光調整層３２を含む光調整層３を設けることにより、表示基板１００の光効率を向上させ、表示基板１００の消費電力を減少させるとともに、表示基板１００がより高いコントラストを有することを確保することもできる。
幾つかの実施例において、第１サブ光調整層３１における光反射材料の反射率は８５％～９５％である。これにより、第１サブ光調整層３１が、各発光素子２から第１サブ光調整層３１に発せられた光に対して良好な反射効果を有することを確保し、表示基板１００が高い光効率及び低い消費電力を確保することができる。
第１サブ光調整層３１の材料としては、様々な材料を用いることができる。例示的に、第１サブ光調整層３１の材料は、白色インク、白色ペースト、又は金属材料などのうちの少なくとも１つを含むが、第１サブ光調整層３１の材料は、これに限定されない。ここで、光反射材料とは、即ち白色インク、白色ペースト、又は金属材料などのうちの少なくとも１つである。上記白色ペーストは、例えば、チタン白でドープされたシリカゲルである。上記金属材料は、例えば、高い反射率を有する金、銅、又はモリブデンである。
第２サブ光調整層３２の材料としては、様々な材料を用いることができる。例示的に、第２サブ光調整層３２の材料は、黒色インク、黒色ペースト、及び黒色フォトレジストなどのうちの少なくとも１つを含むが、第２サブ光調整層３２の材料は、これに限定されない。ここで、光吸収材料とは、即ち黒色インク、黒色ペースト、及び黒色フォトレジストなどのうちの少なくとも一つである。
幾つかの例において、ベース１に対して、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１と複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとの間の関係は、実際の必要に応じて選択して設定することができる。例示的に、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１とベース１との距離Ｄ３（即ちベース１に垂直な、発光素子３の表面に向かう方向における第１サブ光調整層３１の寸法）と、当該複数の発光素子２のベース１からから離れた表面Ｑとベース１との距離Ｄ２（即ち発光素子２の厚さ）の差は、－１５μｍ～１５μｍである。即ち、ベース１に対して、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも最大で１５μｍ低くてもよく、又は第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも最大で１５μｍ高くてもよい。これにより、各発光素子２から第１サブ光調整層３１に発せられる光に対する第１サブ光調整層３１の反射効果を効果的に確保することができる。
第２サブ光調整層３２の厚さＤ４（即ちベース１に垂直な、発光素子３の表面に向かう方向における第２サブ光調整層３２の寸法）は、実際の必要に応じて選択して設定することができる。幾つかの例において、第２サブ光調整層３２の厚さＤ４は、１０μｍ～１５μｍである。例えば、第２サブ光調整層３２の厚さＤ４は、１０μｍ、１１μｍ、１３μｍ、又は１５μｍなどである。
なお、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１とベース１との距離Ｄ３と、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとベース１との距離Ｄ２との間の差の設定、及び第２サブ光調整層３２の厚さＤ４の設定は、第２サブ光調整層３２のベース１から離れた表面Ｐが、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルにあるか、又はベース１に対して当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高いことを確保する必要がある。
例えば、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１とベース１との距離Ｄ３と、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとベース１との距離Ｄ２との間の差を－１５μｍに設定すると、第２サブ光調整層３２の厚さＤ４を１５μｍに設定する。また、例えば、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１とベース１との距離Ｄ３と、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとベース１との距離Ｄ２との間の差を－１０μｍに設定すると、第２サブ光調整層３２の厚さＤ４を１０μｍ～１５μｍに設定する。
ここで、本開示の上記実施例において言及された幾つかの態様の相対輝度を模式的に説明する。
例えば、図２に示す態様において、光調整層３は１層の薄膜の構造であり、且つ光調整層３のベース１から離れた表面Ｐと発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとが同一のレベルにあり；図７に示す態様において、光調整層３は１層の薄膜の構造であり、且つベース１に対して、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐが発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高く；また、図４に示す態様において、光調整層３は２層薄膜の構造であり、且つ第２サブ光調整層３２のベース１から離れた表面Ｐと発光素子２のベース１から離れた表面Ｑとが同一のレベルにある。
相対輝度とは、同じ駆動電圧を供給する場合に、ある実施例において表示基板１００が表示する輝度を１００％の基準とし、別の実施例において表示基板１００が表示する輝度をいう。
例えば、図２に示す態様を基準とすると、図７に示す態様の相対輝度は２５％～５０％であり、図４に示す態様の相対輝度は１１５％～１３０％である。
このように、光調整層３のベース１から離れた表面Ｐを発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルにあるように設け、又は、第２サブ光調整層３２とベース１との間に第１サブ光調整層３１を設けることは、発光素子２からの光の吸収を低減することに有利であり、即ち表示基板１００の消費電力を低減することに有利である。
幾つかの実施例において、図７に示すように、本開示の実施例に提供される表示基板１００は、各々の発光素子２の側壁２３を覆う光反射層４をさらに含む。当該光反射層４は、発光素子２から光反射層４に入射した光を反射して発光素子２に戻すように配置される。即ち、発光素子２が発した光は、光反射層４によって少なくとも１回反射され、かつ、反射された光は、発光素子２のベース１から離れた表面から出射することができる。このように、光反射層４によって、発光素子２のベース１から離れた表面から出射する光の量を増やすことができ、表示基板１００の光効率を向上させ、表示基板１００の消費電力を低減することに有利である。また、光反射層４を設ける場合は、光調整層３を１層の薄膜の構造のみとすることができ、光調整層３の製造工程の簡略化に有利である。
本開示の幾つかの実施例は、表示基板の製造方法を提供する。図１０に示すように、当該表示基板の製造方法は、Ｓ１００～Ｓ３００を含む。
Ｓ１００では、ベースを提供する。
Ｓ２００では、ベースの一側に互いに間隔をあけて複数の発光素子を設ける。
幾つかの例において、当該複数の発光素子を、大量移載の方式でベースの一側に設けることができる。当該複数の発光素子とベースとの間に複数の溶接スポットを設けてもよく、これにより、複数の発光素子は、対応する溶接スポットを介してベースと電気的に接続できる。
幾つかの例において、上記ベースは、発光素子が駆動電圧の駆動により発光できるように、各々の発光素子に駆動電圧を供給するように配置される。従って、上記Ｓ１００で提供されるベースは、各々の発光素子に対応する画素駆動回路を含む。当該画素駆動回路は、対応する溶接スポットを介して対応する発光素子と電気的に接続され得る。
幾つかの例において、ベースの一側に少なくとも１層の機能性薄膜（例えば絶縁層、パッシベーション層、又は平坦化層など）が形成され、上記複数の発光素子は、当該少なくとも１層の機能性薄膜のベースから離れた側の表面に形成される。
Ｓ３００では、上記複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成する。当該複数の発光素子のうちの少なくとも１つの発光素子の側壁が光調整層に囲まれるように、当該光調整層のうちの少なくとも一部が当該複数の発光素子の間の間隙に位置する。光調整層の材料は、光吸収材料を含む。前記光調整層は、前記光調整層に入射した光を吸収するように配置される。
上記光調整層は、様々な構造を有することができる。例えば、光調整層は、１層の薄膜で構成された構造である。また例えば、光調整層は、２層の薄膜で構成された構造である。光調整層の構造はこれに限定されない。
ここで、光調整層を形成するプロセスフローは、光調整層の構造に関連している。
幾つかの実施例において、光調整層は、２層の薄膜で構成された構造である。
図１１に示すように、上記Ｓ３００において、複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、Ｓ３１０ａ～Ｓ３２０ａを含む。
Ｓ３１０ａでは、図１３の（ａ）、図１４の（ａ）及び図１２の（ａ）に示すように、当該複数の発光素子２の間の間隙内に第１サブ光調整層３１を形成する。第１サブ光調整層３１のベース１から離れた表面Ｐ１は、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルにあるか、又はベース１に対して当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い、又は低い。第１サブ光調整層３１材料は、光反射材料を含む。
第１サブ光調整層３１の材料としては、様々な材料を用いることができる。例示的に、第１サブ光調整層３１の材料は、白色インク、白色ペースト、又は金属材料のうちの少なくとも一つを含む。ここで、白色ペーストは、例えば、チタン白でドープされたシリカゲルである。金属材料は、高い反射率を有する金、銅、モリブデン等を含み得る。
第１サブ光調整層３１の形成工程は、それに含まれる材料に関連している。
例示的に、第１サブ光調整層３１の材料が白色インク又は白色ペーストを含む場合、白色インク又は白色ペーストは流体的性質を有する材料であるため、この場合、ディスペンス工程、スプレー工程、及び３Ｄ印刷工程のうちのいずれかを採用して、第１サブ光調整層３１を形成することができる。
例示的に、第１サブ光調整層３１の材料が金属材料を含む場合、３Ｄ印刷工程を採用して第１サブ光調整層３１を形成することができる。
なお、第１サブ光調整層３１の材料が白色インク又は白色ペーストを含む場合、上記Ｓ３１０ａにおいて、当該複数の発光素子２の間の間隙内に第１サブ光調整層３１を形成することは、Ｓ３１０１ａ～Ｓ３１０２ａを含む。
Ｓ３１０１ａでは、ディスペンス工程、スプレー工程、及び３Ｄ印刷工程のうちのいずれかを採用し、当該複数の発光素子２の間の間隙内に第１サブ光調整薄膜を形成する。白色インクや白色ペーストは流体的性質を有するため、当該複数の発光素子２の間の間隙内に自発的に流動することができ、当該複数の発光素子２の間の間隙内を均一に充填し、第１サブ光調整薄膜を形成する。
Ｓ３１０２ａでは、第１サブ光調整薄膜をベーク処理し、第１サブ光調整層３１を形成する。
例示的に、上記ベーク処理の温度範囲は１４０℃～１６０℃であり、ベーク処理の時間範囲は１時間～２時間である。
ここで、流体的性質を有する材料が流動して第１サブ光調整薄膜を形成した後、ベーク処理して形成された第１サブ光調整層３１は、様々な形態を有することができる。
例えば、図４に示すように、第１サブ光調整層３１の各発光素子２の側壁と接触する部分の厚さ（即ちベース１に垂直な方向の寸法）が、第１サブ光調整層３１の各発光素子２の側壁と接触しない部分の厚さ（即ちベース１に垂直な方向の寸法）よりも大きい。この場合、当該形態は、第１サブ光調整層３１の中間に位置する部分が、エッジに位置する部分に対して凹状になってもよい。
また例えば、図８に示すように、第１サブ光調整層３１の各発光素子２の側壁と接触する部分の厚さが、第１サブ光調整層３１の各発光素子２の側壁と接触しない部分の厚さよりも小さい。この場合、当該形態は、第１サブ光調整層３１の中間に位置する部分が、エッジに位置する部分に対して凸状になってもよい。
第１サブ光調整薄膜をベーク処理することにより、液体状態の第１サブ光調整薄膜を固体状態の第１サブ光調整層３１に変換することができ、これにより、形成された第１サブ光調整層３１は、比較的安定した形態を有し、後続の第２サブ光調整層３２の形成に影響を及ぼすことを回避し、且つ第２サブ光調整層３２を形成する過程において第１サブ光調整層３１を汚染することを回避することができる。
Ｓ３２０ａでは、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側に第２サブ光調整層３２を形成する。第２サブ光調整層３２のベース１から離れた表面Ｐは、当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑと同一のレベルにあるか、又はベース１に対して当該複数の発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも高い。第２サブ光調整層３２の材料は、光吸収材料を含む。
ここで、第２サブ光調整層３２の材料は、黒色インク、黒色ペースト、黒色フォトレジストのうちの少なくとも１つを含む。
第２サブ光調整層３２は、様々な工程で形成できる。例示的に、第２サブ光調整層３２を形成することは、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、３Ｄ印刷工程、フォトリソグラフィ工程、及び射出成形工程のうちのいずれかを採用することができる。
なお、第２サブ光調整層３２の材料は流体的性質を有する。上記Ｓ３２０ａにおいて、当該複数の発光素子２間の間隙内に第２サブ光調整層３２を形成することは、Ｓ３２０１ａ～Ｓ３２０２ａを含む。
Ｓ３２０１ａでは、第１サブ光調整層３１のベース１から離れた側に第２サブ光調整薄膜３２’を形成する。
例示的に、図１３の（ｂ）に示すように、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、３Ｄ印刷工程のうちのいずれかを採用して第２サブ光調整薄膜３２’を形成する。
例示的に、図１２の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、射出成形工程を採用して第２サブ光調整薄膜３２’を形成する。射出成形工程を採用して第２サブ光調整薄膜３２’を形成する工程は、例えば、複数の発光素子２のベース１から離れた側に射出成形型５を設け、真空引きして真空環境を形成し、射出成形型５と第１サブ光調整層３１との間に、注入孔５１を介して第２サブ光調整層３２の材料を注入して第２サブ光調整薄膜３２’を形成する。ここで、図１２の（ｄ）に示すように、第２サブ光調整薄膜３２’をベーク処理して硬化させた後、射出成形型５を取り外すことができる。第２サブ光調整薄膜３２’のベーク処理は、Ｓ３１０２ａに記載の内容を参照することができる。
Ｓ３２０２ａでは、第２サブ光調整薄膜３２’をベーク処理し、第２サブ光調整層３２を形成する。
例示的に、上記ベーク処理の温度範囲は１４０℃～１６０℃であり、ベーク処理の時間範囲は１時間～２時間である。
第２サブ光調整薄膜３２’をベーク処理することにより、液体状態の第２サブ光調整薄膜３２’を固体状態の第２サブ光調整層３２に変換することができ、これにより、形成された第２サブ光調整層３２は比較的安定した形態を有することができる。
また、フォトリソグラフィ工程を採用して第２サブ光調整層３２を形成する工程は、例えば、図１４の（ｂ）に示すように、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、及び３Ｄ印刷工程のいずれかを採用して第２サブ光調整薄膜３２’を形成し；図１４の（ｃ）に示すように、第２サブ光調整薄膜３２’をベーク処理した後、フォトリソグラフィ工程を採用して、ベーク処理後の第２サブ光調整薄膜３２’をエッチングして、第２サブ光調整層３２を形成する。
別の幾つかの実施例において、光調整層は、１層の薄膜で構成された構造である。
図１５に示すように、上記Ｓ３００において、複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、Ｓ３１０ｂ～Ｓ３２０ｂを含む。
Ｓ３１０ｂでは、図１６の（ａ）に示すように、複数の発光素子２の間の間隙内及び当該複数の発光素子２のベース１から離れた側に光調整薄膜３’を形成する。ベース１に対して、光調整薄膜３’のベース１から離れた表面は、複数の発光素子２のベース１から離れた表面よりも高い。光調整薄膜３’は、光吸収材料を含む。
例示的に、光調整薄膜３’を形成する工程は、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、及び３Ｄ印刷工程のうちのいずれかを含む。
Ｓ３２０ｂでは、図１６の（ｂ）に示すように、光調整薄膜３’を磨いて光調整薄膜３’の厚みを減少させて、光調整層３を形成する。
例示的に、ベースに対して、形成された光調整層３のベース１から離れた表面Ｐは、発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ～５０μｍ高い。形成された光調整層３のベース１から離れた表面Ｐが発光素子２のベース１から離れた表面Ｑよりも０μｍ高い場合、両者は同一のレベルにある。
ここで、Ｓ３１０ｂの後、Ｓ３２０ｂの前に、複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、光調整薄膜３’をベーク処理することをさらに含み、これにより、光調整薄膜３’を液体状態から固体状態に変換させ、光調整薄膜３’のベース１から離れた表面を容易に磨くことができる。
上記の磨くは、研磨工程を採用することができる。これにより、形成された光調整層３のベース１から離れた表面Ｐをよりフラットにする（例えば当該表面の変動範囲を－５μｍ～５μｍにする）ことができ、製造された表示基板の表示ムラの発生を回避することができる。
また、さらに別の幾つかの実施例において、光調整層が１層の薄膜で構成された構造である場合、複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、複数の発光素子の間隙内に光調整薄膜を形成し、当該光調整薄膜をベーク処理し、光調整層を形成することを含む。光調整層のベースから離れた表面は、当該複数の発光素子のベースから離れた表面と同一のレベルにあるか、又は当該複数の発光素子のベースから離れた表面よりも低い。
ここで、光調整薄膜を形成する工程は、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、３Ｄ印刷工程、フォトリソグラフィ工程、及び射出成形工程のうちのいずれか一つを含むことができる。上記ベーク処理の温度範囲は１４０℃～１６０℃であってよく、ベーク処理の時間範囲は１時間～２時間であってよい。
本開示の幾つかの実施例は、表示装置２００を提供する。図１７に示すように、当該表示装置２００は、上記幾つかの実施例で提供される表示基板１００を含む。
上記表示装置２００に含まれる表示基板１００は、上記幾つかの実施例で提供される表示基板１００と同様の構造を有し、同様の効果を奏するものであるため、ここではその説明を省略する。
幾つかの実施例において、上記表示装置２００は、電子ペーパー、携帯電話、タブレット、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲーションなどの表示機能を有する任意の製品又は部品である。
上記は本開示の具体的な実施形態に過ぎないが、本開示の範囲はこれに限定されず、本開示の技術的範囲内で当業者であれば容易に想到できる変形又は置換は、すべて本開示の技術的範囲内に包含するものである。したがって、本開示の保護範囲は、特許請求の範囲の保護範囲に準ずるものとする。

Claims (18)

  1. 表示基板であって、
    ベースと、
    前記ベースの一側に互いに間隔をあけて設けられた複数の発光素子と、
    光調整層と、を含み、
    前記複数の発光素子のうちの少なくとも１つの発光素子の側壁が前記光調整層によって囲まれるように、前記光調整層の少なくとも一部は、前記複数の発光素子の間の間隙内に位置し、
    前記光調整層の材料は、光吸収材料を含み、
    前記光調整層は、前記光調整層に入射した光を吸収するように配置される、
    表示基板。
  2. 前記光調整層のうちの、前記複数の発光素子の間の間隙内に位置する部分の厚さは、前記複数の発光素子の厚さの０．５倍～１．５倍である、請求項１に記載の表示基板。
  3. 前記光調整層の材料は、黒色インク、黒色ペースト、及び黒色フォトレジストのうちの少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載の表示基板。
  4. 前記光調整層の材料の吸収係数は２×１０－５ｍ－１～０．８ｍ－１である、請求項１～３のいずれか１項に記載の表示基板。
  5. 前記光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベルにあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高い、又は低い、請求項１～４のいずれか１項に記載の表示基板。
  6. 前記ベースに対して、前記光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも０μｍ～５０μｍ高い、又は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも０μｍ～１５μｍ低い、請求項５に記載の表示基板。
  7. 前記光調整層は、前記複数の発光素子の間の間隙内に位置する第１サブ光調整層と、前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた側に設けられた第２サブ光調整層と、を含み、
    前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベルにあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高く、又は低く、
    前記第１サブ光調整層の材料は、光反射材料を含み、
    前記第１サブ光調整層は、発光素子から前記第１サブ光調整層に入射した光を反射して前記発光素子に戻すように配置され、
    前記第２サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベルにあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高く、
    前記第２サブ光調整層の材料は、光吸収材料を含み、
    前記第２サブ光調整層は、前記第２サブ光調整層に入射した光を吸収するように配置される、
    請求項１～４のいずれか１項に記載の表示基板。
  8. 前記第１サブ光調整層における光反射材料の反射率は８５％～９５％である、請求項７に記載の表示基板。
  9. 前記第１サブ光調整層の材料は、白色インク、白色ペースト、又は金属材料のうちの少なくとも一つを含む、請求項７又は８に記載の表示基板。
  10. 前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた表面と前記ベースとの距離と、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と前記ベースとの距離の差は、－１５μｍ～１５μｍである、請求項７～９のいずれか１項に記載の表示基板。
  11. 前記第２サブ光調整層の厚さは、１０μｍ～１５μｍである、請求項７～１０のいずれか１項に記載の表示基板。
  12. 前記第２サブ光調整層の前記ベースへの正投影は、前記複数の発光素子の前記ベースへの正投影と重ならないか又はほぼ重ならなく、又は、
    前記複数の発光素子の前記ベースへの正投影は、前記第２サブ光調整層の前記ベースへの正投影内に位置する、
    請求項７～１１のいずれか一項に記載の表示基板。
  13. さらに、前記複数の発光素子のうちの、各々の発光素子の側壁を覆う光反射層を含む、請求項１～１２のいずれか１項に記載の表示基板。
  14. 表示基板の製造方法であって、
    ベースを提供することと、
    前記ベースの一側に互いに間隔をあけて複数の発光素子を設けることと、
    前記複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することと、を含み、
    前記複数の発光素子のうちの少なくとも１つの発光素子の側壁が前記光調整層によって囲まれるように、前記光調整層の少なくとも一部が前記複数の発光素子の間の間隙に位置し、
    前記光調整層の材料は、光吸収材料を含み、
    前記光調整層は、前記光調整層に入射した光を吸収するように配置される、
    表示基板の製造方法。
  15. 前記した、前記複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、
    前記複数の発光素子の間の間隙内に第１サブ光調整層を形成することと、前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた側に第２サブ光調整層を形成することと、を含み、
    前記第１サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベルにあるか、又は前記ベースに対して前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高く、又は低く、
    前記第１サブ光調整層の材料は、光反射材料を含み、
    前記第２サブ光調整層の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面と同一のレベルにあるか、又は前記ベースに対して、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高く、
    前記第２サブ光調整層の材料は、光吸収材料を含む、
    請求項１４に記載の表示基板の製造方法。
  16. 前記第１サブ光調整層を形成することは、ディスペンス工程、スプレー工程、及び３Ｄ印刷工程のうちのいずれかを採用し、
    前記第２サブ光調整層を形成することは、ディスペンス工程、スプレー工程、ラインコーティング工程、３Ｄ印刷工程、フォトリソグラフィ工程、及び射出成形工程のうちのいずれかを採用する、
    請求項１５に記載の表示基板の製造方法。
  17. 前記した、前記複数の発光素子が設けられたベースに光調整層を形成することは、
    前記複数の発光素子の前記ベースから離れた側に光調整薄膜を形成することと、
    前記光調整薄膜を磨いて前記光調整薄膜の厚さを減少させ、前記光調整層を形成することとを含み、
    前記ベースに対して、前記光調整薄膜の前記ベースから離れた表面は、前記複数の発光素子の前記ベースから離れた表面よりも高く、
    前記光調整薄膜は、光吸収材料を含む、
    請求項１４に記載の表示基板の製造方法。
  18. 請求項１～１３のいずれか１項に記載の表示基板を含む表示装置。
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