TWI787693B - 顯示基板及其製備方法、顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示基板，包括：襯底、設置在所述襯底一側的多個發光元件，以及光線調節層。所述多個發光元件相互間隔設置。所述光線調節層中的至少一部分位於所述多個發光元件之間的間隙內，以使所述多個發光元件中的至少一個發光元件的側壁被所述光線調節層包圍；所述光線調節層的材料包括吸光材料；所述光線調節層被配置為，對射向至所述光線調節層的光線進行吸收。

Description

顯示基板及其製備方法、顯示裝置
本公開涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示基板及其製備方法、顯示裝置。
次毫米發光二極體（Mini Light Emitting Diode，簡稱Mini LED）指的是晶粒尺寸大約為100μm的發光二極體。因Mini LED具有自發光、高效率、高亮度、高可靠度、節能及反應速度快等諸多優點，能夠實現每個畫素的單獨定址，並被應用至微顯示、手機電視等中等尺寸顯示到影院大螢幕顯示等領域中。
一方面，提供一種顯示基板。所述顯示基板包括：襯底、設置在所述襯底一側的多個發光元件，以及光線調節層。所述多個發光元件相互間隔設置。所述光線調節層中的至少一部分位於所述多個發光元件之間的間隙內，以使所述多個發光元件中的至少一個發光元件的側壁被所述光線調節層包圍；所述光線調節層的材料包括吸光材料；所述光線調節層被配置為，對射向至所述光線調節層的光線進行吸收。
在一些實施例中，所述光線調節層中，位於所述多個發光元件之間的間隙內的部分的厚度為所述多個發光元件的厚度的0.5~1.5倍。
在一些實施例中，所述光線調節層的材料包括黑色油墨、黑膠和黑色光阻材料中的至少一種。
在一些實施例中，所述光線調節層的材料的吸收係數為2×10-5 m-1 ~0.8m-1 。
在一些實施例中，所述光線調節層遠離所述襯底的表面，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面持平，或者，相對於所述襯底高於或低於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面。
在一些實施例中，相對於所述襯底，所述光線調節層遠離所述襯底的表面比所述多個發光元件遠離所述襯底的表面高0μm~50μm，或者，比所述多個發光元件遠離所述襯底的表面低0μm~15μm。
在一些實施例中，所述光線調節層包括：位於所述多個發光元件之間的間隙內的第一子光線調節層，以及設置在所述第一子光線調節層遠離所述襯底的一側的第二子光線調節層。所述第一子光線調節層遠離所述襯底的表面，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面持平，或者相對於所述襯底高於或低於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面。所述第一子光線調節層的材料包括反光材料。所述第一子光線調節層被配置為，將由發光元件入射至所述第一子光線調節層中的光線反射回所述發光元件中。所述第二子光線調節層遠離所述襯底的表面，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面持平，或者相對於所述襯底高於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面。所述第二子光線調節層的材料包括吸光材料。所述第二子光線調節層被配置為，對射向至所述第二子光線調節層的光線進行吸收。
在一些實施例中，所述第一子光線調節層中的反光材料的反射率為    85%~ 95%。
在一些實施例中，所述第一子光線調節層的材料包括白色油墨、白膠、或金屬材料中的至少一種。
在一些實施例中，所述第一子光線調節層遠離所述襯底的表面距所述襯底的距離，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面距所述襯底的距離之間的差值為-15μm~15μm。
在一些實施例中，所述第二子光線調節層的厚度為10μm~15μm。
在一些實施例中，所述第二子光線調節層在所述襯底上的正投影與所述多個發光元件在所述襯底上的正投影無重疊或大致無重疊。或者，所述多個發光元件在所述襯底上的正投影位於所述第二子光線調節層在所述襯底上的正投影內。
在一些實施例中，所述顯示基板，還包括：覆蓋在所述多個發光元件中的每個發光元件的側壁的光反射層。
另一方面，提供一種顯示基板的製備方法。所述顯示基板的製備方法包括：提供襯底；在所述襯底的一側設置相互間隔的多個發光元件；在設置有所述多個發光元件的襯底上形成光線調節層；所述光線調節層中的至少一部分位於所述多個發光元件之間的間隙，以使所述多個發光元件中的至少一個發光元件的側壁被所述光線調節層包圍；所述光線調節層的材料包括吸光材料；所述光線調節層被配置為，對射向至所述光線調節層的光線進行吸收。
在一些實施例中，所述在設置有所述多個發光元件的襯底上形成光線調節層，包括：在所述多個發光元件之間的間隙內形成第一子光線調節層；所述第一子光線調節層遠離所述襯底的表面，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面持平，或者相對於所述襯底高於或低於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面；所述第一子光線調節層的材料包括反光材料。在所述第一子光線調節層遠離所述襯底的一側形成第二子光線調節層；所述第二子光線調節層遠離所述襯底的表面，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面持平，或者相對於所述襯底高於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面；所述第二子光線調節層的材料包括吸光材料。
在一些實施例中，形成所述第一子光線調節層採用點膠程序、噴膠程序和3D列印程序中的任一種。形成所述第二子光線調節層採用點膠程序、噴膠程序、線塗程序、3D列印程序、光刻程序和注塑成型程序中的任一種。
在一些實施例中，所述在設置有所述多個發光元件的襯底上形成光線調節層，包括：在所述多個發光元件遠離所述襯底的一側形成光線調節薄膜；相對於所述襯底，所述光線調節薄膜遠離所述襯底的表面高於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面；所述光線調節薄膜包括吸光材料。對所述光線調節薄膜進行打磨，使所述光線調節薄膜的厚度減小，形成所述光線調節層。
又一方面，提供一種顯示裝置。所述顯示裝置包括：如上述一些實施例中所述的顯示基板。
下面將結合附圖，對本公開一些實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本公開一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本公開所提供的實施例，本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例，都屬於本公開保護的範圍。
除非上下文另有要求，否則，在整個說明書和請求項中，術語“包括（comprise）”及其其他形式例如第三人稱單數形式“包括（comprises）”和現在分詞形式“包括（comprising）”被解釋為開放、包含的意思，即為“包含，但不限於”。在說明書的描述中，術語“一個實施例（one embodiment）”、“一些實施例（some embodiments）”、“示例性實施例（exemplary embodiments）”、“示例（example）”、“特定示例（specific example）”或“一些示例（some examples）”等旨在表明與該實施例或示例相關的特定特徵、結構、材料或特性包括在本公開的至少一個實施例或示例中。上述術語的示意性表示不一定是指同一實施例或示例。此外，所述的特定特徵、結構、材料或特點可以以任何適當方式包括在任何一個或多個實施例或示例中。
以下，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特徵。在本公開實施例的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。
“A、B和C中的至少一個”與“A、B或C中的至少一個”具有相同含義，均包括以下A、B和C的組合：僅A，僅B，僅C，A和B的組合，A和C的組合，B和C的組合，及A、B和C的組合。
在相關技術中，Mini LED可以發出多種顏色的光，例如紅色、綠色、藍色或白色。在將Mini LED應用到顯示裝置中時，Mini LED能夠設置在顯示裝置所具有的子畫素區域內，直接作為子畫素進行顯示。
顯示裝置中設置有向Mini LED提供電信號的襯底，該襯底以及Mini LED均可能會對入射至各自表面上的光線進行反射。這樣在顯示裝置顯示亮度為0的情況下，顯示裝置的顯示面會因襯底以及Mini LED的反射作用而顯示有亮度，導致顯示裝置的對比度降低。
本公開的一些實施例提供了一種顯示基板100。如圖1~圖9所示，顯示基板100包括：襯底1，設置在襯底1一側的多個發光元件2，以及光線調節層3。
在一些示例中，上述多個發光元件2中的每個發光元件2為LED（Light Emitting Diode，發光二極體）、Mini LED或Micro LED（Micro Light Emitting Diode，微型發光二極體）。
在一些示例中，如圖9所示，每個發光元件2包括：被配置為發出光線的發光層21，以及設置在發光層21的一側的透射層22。在將發光元件2設置在襯底1上之後，透射層22位於發光層21的遠離襯底1的一側。發光層21中發出的光線會先穿過透射層22後，才向顯示側出射。發光層21中發出的光線在穿過透射層22後會被打散，並從多個方向射出，這樣可以降低光線密度，提高發光元件2出光的均勻度。例如，透射層22包括折射率為1.78的藍寶石材料形成。在一些示例中，透射層22也可以包括空氣。
襯底1具有呈陣列狀排列的多個子畫素區域，每個發光元件2對應設置在一個子畫素區域內，多個發光元件2相互間隔設置。
在一些示例中，上述襯底1被配置為，為每個發光元件2提供驅動電壓，以使得發光元件2能夠在該驅動電壓的驅動下發光。
示例性的，襯底1可以包括襯底基板以及設置在襯底基板上的多個畫素驅動電路，該多個畫素驅動電路與多個子畫素區域一一對應。這樣每個發光元件2便可以在對應的畫素驅動電路所提供的驅動電壓的驅動下發光。
上述畫素驅動電路的結構包括多種，例如“2T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等結構。此處，“T”表示為薄膜電晶體，位於“T”前面的數字表示為薄膜電晶體的個數，“C”表示為儲存電容器，位於“C”前面的數位表示為儲存電容器的個數。每種結構的畫素驅動電路所包括的多個薄膜電晶體中，有一個薄膜電晶體為驅動電晶體。
當然，本公開實施例除了採用上述驅動方式對多個發光元件2進行驅動以外，還可以採用其他的驅動方式。例如，本公開實施例還可以採用被動驅動的方式或IC（Integrated Circuit，積體電路）驅動的方式對多個發光元件2進行驅動。
襯底1中的襯底基板包括多種結構。示例性的，襯底基板為柔性襯底基板，例如PET（Polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二醇酯）襯底基板、PEN（Polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯）襯底基板或PI（Polyimide，聚醯亞胺）襯底基板。示例性的，襯底基板為剛性襯底基板，例如玻璃襯底基板或PMMA（Polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯）襯底基板。
上述多個發光元件2相互間隔設置，也即多個發光元件2之間具有間隙。如圖2~圖5、圖7和圖8所示，上述光線調節層3中的至少一部分位於該多個發光元件2之間的間隙內，以使該多個發光元件2中的至少一個發光元件2的側壁23被光線調節層3包圍。發光元件2的側壁23指的是，發光元件2中垂直或大致垂直於襯底1的表面。
上述光線調節層3中的至少一部分位於該多個發光元件2之間的間隙內，包括多種設置方式。
例如，光線調節層3中的一部分位於該多個發光元件2之間的間隙內，此時，如圖3和圖5所示，在發光元件2沿垂直於襯底1延伸的方向上，光線調節層3的另一部分可以位於相鄰兩個發光元件2之間的區域內；或，如圖7和圖8所示，光線調節層3的另一部分還可以位於該至少一個發光元件2遠離襯底1的表面，這樣光線調節層3既可以對多個發光元件2中的至少一個發光元件2的側壁23形成包圍，還可以對該至少一個發光元件2的遠離襯底1的表面形成包圍覆蓋。
又如，如圖2和圖4所示，光線調節層3全部位於該多個發光元件2之間的間隙內，對多個發光元件2中的至少一個發光元件2的側壁23形成包圍。
透過設置光線調節層3，能夠對多個發光元件2中的至少一個發光元件2的側壁23甚至是遠離襯底1的表面形成保護，避免該至少一個發光元件2的側壁23甚至是遠離襯底1的表面在生產過程中產生被因剮蹭而脫落或破損的情況，進而避免影響該至少一個發光元件2的品質。而且，設置光線調節層3，還可以將該至少一個發光元件2較好的固定在襯底1上，減少甚至避免發生發光元件2鬆動難以良好發光的情況，進而確保顯示基板100的良好顯示效果。
在一些示例中，光線調節層3的材料包括吸光材料。光線調節層3被配置為，對射向至光線調節層3的光線進行吸收。這也就意味著，射向至光線調節層3的光線中，較多的光線會被吸收，這樣可以有效減少被光線調節層3所反射的光線的量。
由此，本公開實施例中提供的顯示基板100，透過設置光線調節層3，使得光線調節層3的至少一部分位於多個發光元件2之間的間隙內，不僅可以對多個發光元件2中的至少一個發光元件2形成保護，避免該至少一個發光元件2在生產過程中產生被因剮蹭而脫落或破損而被影響品質，還可以對該至少一個發光元件2形成固定的作用，確保顯示基板100的良好顯示效果。
而且，本公開實施例中提供的顯示基板100中，所設置的光線調節層3的材料包括吸光材料，這樣可以利用光線調節層3對射向至光線調節層3的光線進行吸收，減少被光線調節層3反射的光線的量。由於光線調節層3的至少一部分設置在多個發光元件2之間的間隙內，這樣光線調節層3能夠對襯底1、至少一個發光元件2的側壁23甚至遠離襯底1的表面形成遮擋，減少襯底1和該至少一個發光元件2所反射的光線的量，減少因襯底1和該至少一個發光元件2的反射而射向外界（也即與顯示基板100的顯示面相對的大氣中）的光線的量，進而在顯示基板100顯示亮度為0的情況下，可以使得顯示基板100的顯示面處於更黑的狀態。
此外，本公開實施例透過調節提供給發光元件2的驅動電壓，即可使得顯示基板所顯示的亮度與未設置光線調節層3時的亮度相同。這也就意味著，本公開實施例不僅可以確保顯示基板100能夠顯示未設置光線調節層3時的最大灰階亮度，還可以使得顯示基板100能夠顯示比未設置光線調節層3時的最低灰階，增大了亮度最大值(或稱最亮值)和亮度最小值(或稱最暗值)之間的差異範圍，有效增加顯示基板100的對比度。
本公開的實施例中，光線調節層3的材料包括吸光材料，包括多種情況。也即，光線調節層3的全部的材料包括吸光材料，或光線調節層3的至少一部分的材料包括吸光材料。這兩種情況與光線調節層3的結構相關。
在一些實施例中，如圖2、圖3和圖7所示，光線調節層3為一層薄膜的結構，全部的光線調節層3的材料包括吸光材料。
示例性的，光線調節層3的材料包括黑色油墨、黑膠和黑色光阻材料等中的至少一種，但光線調節層3的材料不限於此。此處，吸光材料即為黑色油墨、黑膠和黑色光阻材料等中的至少一種。其中，黑膠例如為摻雜有黑粉的矽膠，例如，該黑膠中，每100g的矽膠中摻雜0.5g~1.5g的黑粉。
在一些示例中，光線調節層3中，位於該多個發光元件2之間的間隙內的部分的厚度D1(也即沿垂直於襯底1的方向的尺寸)為該多個發光元件2的厚度D2(也即沿垂直於襯底1的方向的尺寸)的0.5~1.5倍。
此處，如圖2和圖3所示，光線調節層3中位於該多個發光元件2之間的間隙內的部分指的是，沿垂直於襯底1的方向上，光線調節層3的位於相鄰兩個發光元件2之間的部分，該部分包括在發光元件2沿垂直於襯底1延伸的方向上，位於相鄰兩個發光元件2之間的部分，不包括位於發光元件2的背離襯底1的一側的部分。
示例性的，光線調節層3中位於該多個發光元件2之間的間隙內的部分的厚度D1為該多個發光元件2的厚度D2的1倍。也即光線調節層3中位於該多個發光元件2之間的間隙內的部分的厚度D1與該多個發光元件2的厚度D2幾乎相等。此時，如圖2所示，光線調節層3遠離襯底1的表面P，與該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q持平。
示例性的，光線調節層3中位於該多個發光元件2之間的間隙內的部分的厚度D1與該多個發光元件2的厚度D2之間的倍數大於或等於0.5倍，且小於1倍。也即光線調節層3中位於該多個發光元件2之間的間隙內的部分的厚度D1小於該多個發光元件2的厚度D2。此時，光線調節層3遠離襯底1的表面P，低於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q。示例性的，相對於襯底1，光線調節層3遠離襯底1的表面P比該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q低0μm~15μm。例如，相對於襯底1，光線調節層3遠離襯底1的表面P比該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q低5μm、7μm、10μm、13μm或15μm等。此外，在光線調節層3遠離襯底1的表面P比該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q低0μm的情況下，則意味著二者持平。
需要說明的是，光線調節層3被配置為對射向至光線調節層3的光線進行吸收，此處的光線不僅包括由外界射向至光線調節層3的光線，還包括由發光元件2所發出的且射向至光線調節層3的光線。
此處，光線調節層3對光的吸收公式為：I=I0×e-αL，其中，I為光線進入光線調節層3之前的光強，I0為光線穿過光線調節層3射出之後的光強，為α為光線調節層3的吸收係數，L為光線在光線調節層3中行進的光程。由該公式可知，光線在光線調節層3中行進的光程越短，則光線調節層3對光線的吸收越少。
本公開實施例透過將光線調節層3遠離襯底1的表面P，設置為與發光元件2遠離襯底1的表面Q持平或者低於發光元件2遠離襯底1的表面Q，這樣不僅可以利用光線調節層3對發光元件2進行保護和固定，以確保顯示基板100的顯示效果，還可以使得發光元件2所發出的光線在光線調節層3中的行進路程較短，減少光線調節層3對發光元件2所發出的光線的吸收，減少光線的損失。此外，由於可以減少光線的損失，這樣在確保顯示基板100所需顯示亮度的情況 下，可以避免給發光元件2提供較大的驅動電壓，降低功耗。
示例性的，光線調節層3中位於該多個發光元件2之間的間隙內的部分的厚度D1與該多個發光元件2的厚度D2之間的倍數大於1且小於或等於1.5。也即，光線調節層3中位於該多個發光元件2之間的間隙內的部分的厚度D1，大於發光元件2的厚度D2。此時，如圖3和圖7所示，相對於襯底1，光線調節層3遠離襯底1的表面P高於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q。
在相對於襯底1，光線調節層3遠離襯底1的表面P高於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q的情況下，光線調節層3有多種設置方式。
例如，如圖1和圖3所示，光線調節層3包圍每個發光元件2的側壁23，未對各發光元件2背離襯底1的表面Q形成覆蓋。
又如，如圖6和圖7所示，該多個發光元件2在襯底1上的正投影位於光線調節層3在襯底1上的正投影內。光線調節層3在包圍每個發光元件2的側壁23的同時，對各發光元件2背離襯底1的表面Q形成覆蓋。
本公開實施例透過將光線調節層3遠離襯底1的表面P設置為高於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q，可以減小甚至避免各發光元件2對外界入射至各發光元件2的光線的反射，這樣有利於確保在顯示基板100顯示亮度為0的情況下，顯示面處於較黑的狀態，有效提高顯示基板100的對比度。
在本示例中，相對於襯底1，光線調節層3遠離襯底1的表面P高於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q的尺寸，根據實際需要選擇設置，以既能夠有效提高顯示基板100的對比度，又能避免產生較大的光線損失為準。
示例性的，相對於襯底1，光線調節層3遠離襯底1的表面P比該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q高0μm~50μm。例如，相對於襯底1，光線調節層3遠離襯底1的表面P比該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q高10μm、20μm、30μm、40μm或50μm等。此外，在光線調節層3遠離襯底1的表面P比該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q高0μm的情況下，則意味著二者持平。
需要說明的是，根據光線調節層3對光的吸收公式可知，光線調節層3對光線的吸收，還與光線調節層3的吸收係數相關，光線調節層3的吸收係數越小，則光線調節層3對光線的吸收越少。
示例性的，光線調節層3的吸收係數為2×10-5 m-1 ~0.8m-1 。這樣可以減少光線調節層3對發光元件2所發出的光線的吸收，減少光線的損失。進而可以在確保顯示基板100所需顯示亮度的情況下，避免給發光元件2提供較大的驅動電壓，降低功耗。
在另一些實施例中，如圖4、圖5和圖8所示，光線調節層3為由多層薄膜層疊的結構，光線調節層3中的至少一層薄膜的材料包括吸光材料。
在一些示例中，光線調節層3為由兩層薄膜層疊的結構。光線調節層3包括：位於該多個發光元件2之間的間隙內的第一子光線調節層31。第一子光線調節層31的材料包括反光材料。第一子光線調節層31被配置為，將由發光元件2入射至第一子光線調節層31中的光線反射回發光元件2中。
此處，第一子光線調節層31位於該多個發光元件2之間的間隙內，包括：第一子光線調節層31的一部分或者全部位於該多個發光元件2之間的間隙內。
示例性的，第一子光線調節層31全部位於該多個發光元件2之間的間隙內。如圖4所示，相對於襯底1，第一子光線調節層31遠離襯底1的表面P1，低於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q，第一子光線調節層31能夠對各發光元件2的側壁23的一部分形成包圍。或，如圖8所示，第一子光線調節層31遠離襯底1的表面P1，與該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q持平，第一子光線調節層31能夠對各發光元件2的側壁23的形成包圍。
示例性的，第一子光線調節層31的一部分位於該多個發光元件2之間的間隙內。如圖5所示，相對於襯底1，第一子光線調節層31遠離襯底1的表面P1，高於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q，第一子光線調節層31能夠對各發光元件2的側壁23的形成包圍。此時，如圖5所示，第一子光線調節層31在襯底1上的正投影與該多個發光元件2在襯底1上的正投影無重疊。
上述第一子光線調節層31的材料包括反光材料，也即第一子光線調節層31能夠對射向至第一子光線調節層31的光線進行反射。示例性的，如圖9所示，第一子光線調節層31對各發光元件2的側壁23形成包圍，這樣發光元件2所發出的光在入射至發光元件2的側壁23後，會在包圍該側壁23的第一子光線調節層31的作用下發生反射，射回發光元件2內。也就是說，發光元件2所發出的光能夠在第一子光線調節層31的作用下發生至少一次反射，並使得反射後的光線可以從發光元件2的背離襯底1的表面射出。這樣可以減少甚至避免射向至發光元件2的側壁23的光線被吸收，提高從發光元件2的背離襯底1的表面射出的光線的量，有利於提高顯示基板100的光效，降低提高顯示基板100的功耗。
在一些示例中，光線調節層3還包括：設置在第一子光線調節層31遠離襯底1的一側的第二子光線調節層32。第二子光線調節層32的材料包括吸光材料。第二子光線調節層32被配置為，對射向至第二子光線調節層32中的光線進行吸收。
此處，第二子光線調節層32設置在第一子光線調節層31遠離襯底1的一側，包括但不限於：第二子光線調節層32設置在第一子光線調節層31遠離襯底1的一側表面上，也即兩者直接接觸。
第二子光線調節層32設置在第一子光線調節層31遠離襯底1的一側之後，如圖4所示，第二子光線調節層32遠離襯底1的表面P（即為光線調節層3遠離襯底1的包面P），與該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q持平。或者，如圖5和圖8所示，相對於襯底1，第二子光線調節層32遠離襯底1的表面P，高於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q。
第二子光線調節層32的圖案包括多種。
例如，如圖4和圖5所示，第一子光線調節層31在襯底1上的正投影與第二子光線調節層31在襯底1上的正投影重合，此時，第二子光線調節層32在襯底1上的正投影與該多個發光元件2在襯底1上的正投影無重疊或大致無重疊。這樣可以利用第二子光線調節層32對第一子光線調節層31進行覆蓋，利用第二子光線調節層32對由外界射向至第二子光線調節層32的光線進行吸收，避免該光線射向至第一子光線調節層31並被第一子光線調節層31反射，影響顯示基板100在顯示亮度為0的情況下的顯示面的狀態，進而避免影響顯示基板100的對比度。
又如，如圖8所示，第一子光線調節層31在襯底1上的正投影位於第二子光線調節層32在襯底1上的正投影內，此時，多個發光元件2在襯底1上的正投影位於第二子光線調節層32在襯底1上的正投影內。這樣可以利用第二子光線調節層32對第一子光線調節層31和多個發光元件2進行覆蓋，利用第二子光線調節層32對由外界射向至第二子光線調節層32的光線進行吸收，避免該光線射向至第一子光線調節層31或多個發光元件2並被第一子光線調節層31或多個發光元件2反射，影響顯示基板100在顯示亮度為0的情況下的顯示面的狀態，進而避免影響顯示基板100的對比度。
由此，本公開實施例透過設置包括第一光線調節層31和第二光線調節層32的光線調節層3，既可以提高顯示基板100的光效，降低提高顯示基板100的功耗，還可以確保顯示基板100具有較高的對比度。
在一些示例中，第一子光線調節層31中的反光材料的反射率為85%~95%。這樣可以有效確保第一子光線調節層31對各發光元件2射向至第一子光線調節層31的光線具有良好的反射效果，確保顯示基板100具有較高的光效，較低的功耗。
第一子光線調節層31的材料包括多種。示例性的，第一子光線調節層31的材料包括白色油墨、白膠、或金屬材料等中的至少一種，但第一子光線調節層31的材料不限於此。此處，反光材料即為白色油墨、白膠、或金屬材料等中的至少一種。上述白膠例如為摻雜有鈦白粉的矽膠。上述金屬材料例如為具有較高反射率的金、銅或鉬。
第二子光線調節層32的材料包括多種。示例性的，第二子光線調節層32的材料包括黑色油墨、黑膠和黑色光阻材料等中的至少一種，但第二子光線調節層32的材料不限於此。此處，吸光材料即為黑色油墨、黑膠和黑色光阻材料等中的至少一種。
在一些示例中，相對於襯底1，第一子光線調節31遠離襯底1的表面P1與多個發光元件2遠離襯底1的表面Q之間的關係，可以根據實際需要選擇設置。示例性的，第一子光線調節層31遠離襯底1的表面P1距襯底1的距離D3（也即第一子光線調節層31在沿垂直於襯底1的方向上的尺寸），與該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q距襯底1的距離D2（也即發光元件2的厚度）之間的差值為-15μm~15μm。也即，相對於襯底1，第一子光線調節31遠離襯底1的表面P1可以最多低於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q 15μm，或第一子光線調節31遠離襯底1的表面P1可以最多高於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q 15μm。這樣可以有效確保第一子光線調節層31對各發光元件2射向至第一子光線調節層31的光線的反射效果。
第二子光線調節層32的厚度D4（也即第二子光線調節層32在沿垂直於襯底1的方向上的尺寸）可以根據實際需要選擇設置。在一些示例中，第二子光線調節層32的厚度D4為10μm~15μm。例如，第二子光線調節層32的厚度D4為10μm、11μm、13μm或15μm等。
需要說明的是，第一子光線調節層31遠離襯底1的表面P1距襯底1的距離D3，與該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q距襯底1的距離D2之間的差值的設置，與第二子光線調節層32的厚度D4的設置，需要確保第二子光線調節層32遠離襯底1的表面P與該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q持平，或相對於襯底1高於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q。
例如，第一子光線調節層31遠離襯底1的表面P1距襯底1的距離D3，與該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q距襯底1的距離D2之間的差值設置為-15μm，則第二子光線調節層32的厚度D4設置為15μm。又如，第一子光線調節層31遠離襯底1的表面P1距襯底1的距離D3，與該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q距襯底1的距離D2之間的差值設置為-10μm，則第二子光線調節層32的厚度D4設置為10μm~15μm。
此處，本公開對上述實施例中所提及的幾種方案的相對亮度進行示意性說明。
例如：如圖2所示的方案中，光線調節層3為一層薄膜的結構，且光線調節層3遠離襯底1的表面P與發光元件2遠離襯底1的表面Q持平；如圖7所示的方案中，光線調節層3為一層薄膜的結構，且相對於襯底1，光線調節層3遠離襯底1的表面P高於發光元件2遠離襯底1的表面Q；以及，如圖4所示的方案中，光線調節層3為兩層薄膜的結構，且第二子光線調節層32遠離襯底1的表面P與發光元件2遠離襯底1的表面Q持平。
相對亮度指的是，在提供相同驅動電壓的情況下，以某一實施例中顯示基板100所顯示的亮度為基準100%，其他實施例中顯示基板100所顯示的亮度。
例如，以如圖2所示的方案為基準，如圖7所示的方案的相對亮度為25%~50%，如圖4所示的方案的相對亮度為115%~130%。
由此，將光線調節層3遠離襯底1的表面P設置為與發光元件2遠離襯底1的表面Q持平，或在第二子光線調節層32和襯底1之間設置第一子光線調節層31，有利於減少對發光元件2所發出的光線的吸收，也即有利於降低顯示基板100的功耗。
在一些實施例中，如圖7所示，本公開實施例提供的顯示基板100，還包括：覆蓋在每個發光元件2的側壁23上的光反射層4。該反射層4被配置為，將由發光元件2入射至反射層4的光線反射回發光元件2中。也就是說，發光元件2所發出的光能夠在反射層4的作用下發生至少一次反射，並使得反射後的光線可以從發光元件2的背離襯底1的表面射出。這樣可以利用反射層4提高從發光元件2的背離襯底1的表面射出的光線的量，有利於提高顯示基板100的光效，降低提高顯示基板100的功耗。而且，在設置光反射層4之後，光線調節層3的結構可以僅設置為一層薄膜的結構，有利於簡化光線調節層3的製備程序。
本公開的一些實施例提供了一種顯示基板的製備方法。如圖10所示，該顯示基板的製備方法包括：S100~S300。
S100，提供襯底。
S200，在襯底的一側設置相互間隔的多個發光元件。
在一些示例中，可以採用巨量轉移的方式將該多個發光元件設置在襯底的一側。該多個發光元件和襯底之間可以設置有多個焊點，以使得多個發光元件能夠透過對應的焊點與襯底實現電連接。
在一些示例中，上述襯底被配置為，為每個發光元件提供驅動電壓，以使得發光元件能夠在該驅動電壓的驅動下發光。由此，上述S100中所提供的襯底中，包括與每個發光元件相對應的畫素驅動電路。該畫素驅動電路可以透過對應的焊點與對應的發光元件電連接。
在一些示例中，襯底的一側形成有至少一層功能薄膜（例如絕緣層、鈍化層或平坦層等），上述多個發光元件形成在該至少一層功能薄膜的遠離襯底的一側表面上。
S300，在設置有上述多個發光元件的襯底上形成光線調節層。該光線調節層中的至少一部分位於該多個發光元件之間的間隙，以使該多個發光元件中的至少一個發光元件的側壁被光線調節層包圍。光線調節層的材料包括吸光材料。所述光線調節層被配置為，對射向至所述光線調節層的光線進行吸收。
上述光線調節層包括多種結構。例如，光線調節層為由一層薄膜構成的結構。又如光線調節層為由兩層薄膜構成的結構。光線調節層的結構不限於此。
此處，形成光線調節層的程序流程與光線調節層的結構相關。
在一些實施例中，光線調節層為由兩層薄膜構成的結構。
如圖11所示，上述S300中，在設置有多個發光元件的襯底上形成光線調節層，包括：S310a~S320a。
S310a，如圖13中（a）、圖14中（a）和圖15中（a）所示，在該多個發光元件2之間的間隙內形成第一子光線調節層31。第一子光線調節層31遠離襯底1的表面P1，與該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q持平，或者相對於襯底1高於或低於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q。第一子光線調節層31的材料包括反光材料。
第一子光線調節層31的材料包括多種。示例性的，第一子光線調節層31的材料包括白色油墨、白膠、或金屬材料中的至少一種。此處，白膠例如為摻雜有鈦白粉的矽膠。金屬材料可以包括具有較高反射率的金、銅或鉬等。
第一子光線調節層31的形成程序與其所包括的材料相關。
示例性的，在第一子光線調節層31的材料包括白色油墨或白膠的情況下，由於白色油墨或白膠為具有流體性質的材料，此時，可以採用點膠程序、噴膠程序和3D列印程序中的任一種形成第一子光線調節層31。
示例性的，在第一子光線調節層31的材料包括金屬材料的情況下，可以採用3D列印程序形成第一子光線調節層31。
需要說明的是，在第一子光線調節層31的材料包括白色油墨或白膠的情況下，上述S310a中，在該多個發光元件2之間的間隙內形成第一子光線調節層31，包括：第一步驟以及第二步驟。
在第一步驟中，採用點膠程序、噴膠程序和3D列印程序中的任一種，在該多個發光元件2之間的間隙內形成第一子光線調節薄膜。由於白色油墨或白膠具有流體性質，這些材料能夠在該多個發光元件2之間的間隙內自發的流動，較為均勻的填充在該多個發光元件2之間的間隙內，形成第一子光線調節薄膜。
在第二步驟中，對第一子光線調節薄膜進行烘烤處理，形成第一子光線調節層31。
示例性的，上述烘烤處理的溫度範圍為140℃~160℃，烘烤處理的時間的範圍為1h~2h。
此處，具有流體性質的材料經流動後形成第一子光線調節薄膜，之後經烘烤處理所形成的第一子光線調節層31的形貌包括多種。
例如，如圖4所示，第一子光線調節層31的與各發光元件2的側壁相接觸的部分的厚度（也即沿垂直於襯底1的方向上的尺寸），大於第一子光線調節層31的未與各發光元件2的側壁相接觸的部分的厚度（也即沿垂直於襯底1的方向上的尺寸），此時，該形貌可以為第一子光線調節層31的位於中間的部分相對與位於邊緣的部分凹陷。
又如，如圖8所示，第一子光線調節層31的與各發光元件2的側壁相接觸的部分的厚度，小於第一子光線調節層31的未與各發光元件2的側壁相接觸的部分的厚度，此時，該形貌可以為第一子光線調節層31的位於中間的部分相對與位於邊緣的部分凸起。
透過對第一子光線調節薄膜進行烘烤處理，可以將液態的第一子光線調節薄膜轉化為固態的第一子光線調節層31，這樣可以使得所形成的第一子光線調節層31具有較為穩定的形態，避免後續第二子光線調節層32的形成，並避免形成第二子光線調節層32的過程中對第一子光線調節層31形成污染。
S320a，在第一子光線調節層31遠離襯底1的一側形成第二子光線調節層32。第二子光線調節層32遠離襯底1的表面P，與該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q持平，或者相對於襯底1高於該多個發光元件2遠離襯底1的表面Q。第二子光線調節層32的材料包括吸光材料。
此處，第二子光線調節層32的材料包括黑色油墨、黑膠和黑色光阻材料中的至少一種。
形成第二子光線調節層32的程序包括多種。示例性的，形成第二子光線調節層32可以採用點膠程序、噴膠程序、線塗程序、3D列印程序、光刻程序和注塑成型程序中的任一種。
需要說明的是，第二子光線調節層32的材料具有流體性質。上述S310a中，在該多個發光元件2之間的間隙內形成第一子光線調節層31，包括：第三步驟及第四步驟。
在第三步驟中，在第一子光線調節層31遠離襯底1的一側形成第二子光線調節薄膜32'。
示例性的，如圖13中（b）所示，採用點膠程序、噴膠程序、線塗程序和3D列印程序中的任一種，形成第二子光線調節薄膜32'。
示例性的，如圖12中（b）和（c）所示，採用注塑成型程序形成第二子光線調節薄膜32'。採用注塑成型程序形成第二子光線調節薄膜32'的程序過程例如為：在多個發光元件2的遠離襯底1的一側設置注塑成型模具5，並抽真空形成真空環境，透過注膠孔51在注塑成型模具5和第一子光線調節層31之間注入第二子光線調節層32的材料，形成第二子光線調節薄膜32'。此處，如圖12中（d）所示，可以在對第二子光線調節薄膜32'進行烘烤處理使得第二子光線調節薄膜32'固化後，去除注塑成型模具5。對第二子光線調節薄膜32'的烘烤處理，可以參照第四步驟中提及的內容。
在第四步驟中，對第二子光線調節薄膜32'進行烘烤處理，形成第二子光線調節層32。
示例性的，上述烘烤處理的溫度範圍為140℃~160℃，烘烤處理的時間的範圍為1h~2h。
透過對第二子光線調節薄膜32'進行烘烤處理，可以將液態的第二子光線調節薄膜32'轉化為固態的第二子光線調節層32，這樣可以使得所形成的第二子光線調節層32具有較為穩定的形態。
此外，在採用光刻程序形成第二子光線調節層32的過程例如為：如圖14中（b）所示，採用點膠程序、噴膠程序、線塗程序和3D列印程序中的任一種，形成第二子光線調節薄膜32'；如圖14中（c）所示，對第二子光線調節薄膜32'進行烘烤處理，之後採用光刻程序對烘烤處理後的第二子光線調節薄膜32'進行刻蝕，形成第二子光線調節層32。
在另一些實施例中，光線調節層為由一層薄膜構成的結構。
如圖15所示，上述S300中，在設置有多個發光元件的襯底上形成光線調節層，包括：S310b~S320b。
S310b，如圖16中（a）所示，在該多個發光元件2遠離襯底1的一側形成光線調節薄膜3'。相對於襯底1，光線調節薄膜3'遠離襯底1的表面高於多個發光元件2遠離襯底1的表面。光線調節薄膜3'包括吸光材料。
示例性的，形成光線調節薄膜3'的程序包括點膠程序、噴膠程序、線塗程序和3D列印程序中的任一種。
S320b，如圖16中（b）所示，對光線調節薄膜3'進行打磨，使光線調節薄膜3'的厚度減小，形成光線調節層3。
示例性的，相對於襯底1，所形成的光線調節層3遠離襯底1的表面P比發光元件2遠離襯底1的表面Q高0μm~50μm。在所形成的光線調節層3遠離襯底1的表面P比發光元件2遠離襯底1的表面Q高0μm的情況下，兩者持平。
此處，在S310b之後，在S320b之前，在設置有多個發光元件的襯底上形成光線調節層，還包括對光線調節薄膜3'進行烘烤處理，以使得光線調節薄膜3'由液態轉變為固態，便於對光線調節薄膜3'的遠離襯底1的表面進行打磨。
上述打磨可以採用研磨程序。這樣可以使得所形成的光線調節層3的遠離襯底1的表面P較為平整（例如該表面的波動範圍為-5μm~5μm），避免所製備的顯示基板出現顯示不均的現象。
此外，在又一些實施例中，在光線調節層為由一層薄膜構成的結構的情況下，在設置有多個發光元件的襯底上形成光線調節層，包括：在多個發光元件的間隙內形成光線調節薄膜，對該光線調節薄膜進行烘烤處理，形成光線調節層。光線調節層遠離襯底的表面與該多個發光元件背離襯底的表面持平，或者低於該多個發光元件背離襯底的表面。
此處，形成光線調節薄膜的程序可以包括點膠程序、噴膠程序、線塗程序、3D列印程序、光刻程序和注塑成型程序中的任一種。上述烘烤處理的溫度範圍可以為140℃~160℃，烘烤處理的時間範圍可以為1h~2h。
本公開的一些實施例提供了一種顯示裝置200。如圖17所示，該顯示裝置200包括如上述一些實施例中提供的顯示基板100。
上述顯示裝置200所包括的顯示基板100，具有與上述一些實施例中提供的顯示基板100相同的結構和有益效果，此處不再贅述。
在一些實施例中，上述顯示裝置200為電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記型電腦、數位相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
以上所述，僅為本公開的具體實施方式，但本公開的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本公開揭露的技術範圍內，想到變化或替換，都應涵蓋在本公開的保護範圍之內。因此，本公開的保護範圍應以所述請求項的保護範圍為准。
1:襯底 2:發光元件 3:光線調節層 21:發光層 22:透射層 100:顯示基板 D1,D2,D4:厚度 Q,P,P1:表面 D3:距離 31,32,32':子光線調節層 S100,S200,S300,S310a,S320a,S310b,S320b:步驟 5:注塑成型模具 51:注膠孔 3':光線調節薄膜 200:顯示裝置
為了更清楚地說明本公開中的技術方案，下面將對本公開一些實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實施例的附圖，對於本領域普通技術人員來講，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。此外，以下描述中的附圖可以視作示意圖，並非對本公開實施例所涉及的產品的實際尺寸、方法的實際流程等的限制。
圖1為根據本公開一些實施例中的一種顯示基板的俯視圖； 圖2為圖1中所示顯示基板的一種沿A-A'向的剖視圖； 圖3為圖1中所示顯示基板的另一種沿A-A'向的剖視圖； 圖4為圖1中所示顯示基板的又一種沿A-A'向的剖視圖； 圖5為圖1中所示顯示基板的又一種沿A-A'向的剖視圖； 圖6為根據本公開一些實施例中的另一種顯示基板的俯視圖； 圖7為圖6中所示顯示基板的一種沿B-B'向的剖視圖； 圖8為圖6中所示顯示基板的另一種沿B-B'向的剖視圖； 圖9為根據本公開一些實施例中的一種顯示基板的光路圖； 圖10為根據本公開一些實施例中的一種顯示基板的製備方法的流程圖； 圖11為根據本公開一些實施例中的一種形成光線調節層的流程圖； 圖12為圖11中所示的一種形成光線調節層的一種製備流程圖； 圖13為圖11中所示的一種形成光線調節層的另一種製備流程圖； 圖14為圖11中所示的一種形成光線調節層的又一種製備流程圖； 圖15為根據本公開一些實施例中的另一種形成光線調節層的流程圖； 圖16為圖15中所示的另一種形成光線調節層的一種製備流程圖；以及 圖17為根據本公開一些實施例中的一種顯示裝置的結構圖。
1:襯底
2:發光元件
3:光線調節層
21:發光層
22:透射層
31,32:子光線調節層

Claims (14)

  1. 一種顯示基板，包括：襯底；設置在所述襯底一側的多個發光元件，所述多個發光元件相互間隔設置；以及，光線調節層，所述光線調節層中的至少一部分位於所述多個發光元件之間的間隙內，以使所述多個發光元件中的至少一個發光元件的側壁被所述光線調節層包圍；所述光線調節層的材料包括吸光材料；所述光線調節層被配置為，對射向至所述光線調節層的光線進行吸收，其中所述光線調節層包括：位於所述多個發光元件之間的間隙內的第一子光線調節層；所述第一子光線調節層遠離所述襯底的表面，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面持平，或者相對於所述襯底高於或低於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面；所述第一子光線調節層的材料包括反光材料；所述第一子光線調節層被配置為，將由發光元件入射至所述第一子光線調節層中的光線反射回所述發光元件中；以及，設置在所述第一子光線調節層遠離所述襯底的一側的第二子光線調節層；所述第二子光線調節層遠離所述襯底的表面，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面持平，或者相對於所述襯底高於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面；所述第二子光線調節層的材料包括吸光材料；所述第二子光線調節層被配置為，對射向至所述第二子光線調節層的光線進行吸收，其中所述第二子光線調節層在所述襯底上的正投影與所述多個發光元件在所述襯底上的正投影無重疊或大致無重疊；或者，所述多個發光元件在所述襯底上的正投影位於所述第二子光線調節層在所述襯底上的正投影內， 其中所述第一子光線調節層遠離所述襯底的表面距所述襯底的距離，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面距所述襯底的距離之間的差值為-15μm~15μm。
  2. 如請求項1的顯示基板，其中，所述光線調節層中，位於所述多個發光元件之間的間隙內的部分的厚度為所述多個發光元件的厚度的0.5~1.5倍。
  3. 如請求項1或2的顯示基板，其中，所述光線調節層的材料包括黑色油墨、黑膠和黑色光阻材料中的至少一種。
  4. 如請求項3的顯示基板，其中，所述光線調節層的材料的吸收係數為2×10-5m-1~0.8m-1。
  5. 如請求項4的顯示基板，其中，所述光線調節層遠離所述襯底的表面，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面持平，或者，相對於所述襯底高於或低於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面。
  6. 如請求項5的顯示基板，其中，相對於所述襯底，所述光線調節層遠離所述襯底的表面比所述多個發光元件遠離所述襯底的表面高0μm~50μm，或者，比所述多個發光元件遠離所述襯底的表面低0μm~15μm。
  7. 如請求項1的顯示基板，其中，所述第一子光線調節層中的反光材料的反射率為85%~95%。
  8. 如請求項7的顯示基板，其中，所述第一子光線調節層的材料包括白色油墨、白膠、或金屬材料中的至少一種。
  9. 如請求項1的顯示基板，其中，所述第二子光線調節層的厚度為10μm~15μm。
  10. 如請求項1的顯示基板，還包括：覆蓋在所述多個發光元件中的每個發光元件的側壁的光反射層。
  11. 一種顯示基板的製備方法，包括：提供襯底；在所述襯底的一側設置相互間隔的多個發光元件；以及在設置有所述多個發光元件的襯底上形成光線調節層；所述光線調節層中的至少一部分位於所述多個發光元件之間的間隙，以使所述多個發光元件中的至少一個發光元件的側壁被所述光線調節層包圍；所述光線調節層的材料包括吸光材料；所述光線調節層被配置為，對射向至所述光線調節層的光線進行吸收，其中，所述在設置有所述多個發光元件的襯底上形成光線調節層，包括：在所述多個發光元件遠離所述襯底的一側形成光線調節薄膜；相對於所述襯底，所述光線調節薄膜遠離所述襯底的表面高於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面；所述光線調節薄膜包括吸光材料；對所述光線調節薄膜進行打磨，使所述光線調節薄膜的厚度減小，形成所述光線調節層。
  12. 如請求項11的顯示基板的製備方法，其中，所述在設置有所述多個發光元件的襯底上形成光線調節層，包括：在所述多個發光元件之間的間隙內形成第一子光線調節層；所述第一子光線調節層遠離所述襯底的表面，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面持平，或者相對於所述襯底高於或低於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面；所述第一子光線調節層的材料包括反光材料；在所述第一子光線調節層遠離所述襯底的一側形成第二子光線調節層；所述第二子光線調節層遠離所述襯底的表面，與所述多個發光元件遠離所述襯底的表面持平，或者相對於所述襯底高於所述多個發光元件遠離所述襯底的表面；所述第二子光線調節層的材料包括吸光材料。
  13. 如請求項12的顯示基板的製備方法，其中，形成所述第一子光線調節層採用點膠程序、噴膠程序和3D列印程序中的任一種；形成所述第二子光線調節層採用點膠程序、噴膠程序、線塗程序、3D列印程序、光刻程序和注塑成型程序中的任一種。
  14. 一種顯示裝置，包括如請求項1~10中任一項的顯示基板。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024108553A1 (zh) * 2022-11-25 2024-05-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板以及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI251850B (en) * 2001-03-30 2006-03-21 Candescent Intellectual Prop Structure and fabrication of light-emitting device having light-reflective layer formed with, or/and adjacent to, material that enhances device performance
US20120235169A1 (en) * 2010-09-09 2012-09-20 Toshihiro Seko Semiconductor light-emitting device and manufacturing method
CN107039410A (zh) * 2015-11-30 2017-08-11 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法
US20190081281A1 (en) * 2017-09-08 2019-03-14 Barco Nv Method and system for reducing reflection of ambient light in an emissive display
TW201917914A (zh) * 2017-07-03 2019-05-01 日商夏普股份有限公司 光源裝置及發光裝置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009177117A (ja) 2007-12-25 2009-08-06 Toshiba Lighting & Technology Corp 表示装置
JP5092866B2 (ja) 2008-04-18 2012-12-05 日亜化学工業株式会社 ディスプレイユニット及びその製造方法
KR100986518B1 (ko) * 2008-06-16 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자
JP6186904B2 (ja) * 2013-06-05 2017-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20160178812A1 (en) 2014-12-19 2016-06-23 Industrial Technology Research Institute Optical film and display assembly applying the same
CN104979375A (zh) 2015-05-28 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
DE102016119002B4 (de) * 2016-10-06 2022-01-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
CN107994109A (zh) * 2016-10-27 2018-05-04 佛山市国星光电股份有限公司 一种cob显示模组及其制造方法
CN106531770A (zh) 2016-12-23 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
KR20180086003A (ko) * 2017-01-20 2018-07-30 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
CN107359175B (zh) * 2017-07-25 2020-02-11 上海天马微电子有限公司 微发光二极管显示面板和显示装置
KR102650950B1 (ko) 2017-09-29 2024-03-26 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 그것을 갖는 표시 장치
JP6411685B1 (ja) 2017-10-12 2018-10-24 ルーメンス カンパニー リミテッド ディスプレイ用ｌｅｄモジュール組立体
US11410918B2 (en) 2017-11-15 2022-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of making an integrated circuit package including an integrated circuit die soldered to a bond pad of a carrier
US10797027B2 (en) 2017-12-05 2020-10-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Displaying apparatus having light emitting device, method of manufacturing the same and method of transferring light emitting device
CN118712183A (zh) 2018-02-01 2024-09-27 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
US10964674B2 (en) * 2018-02-06 2021-03-30 Lumens Co., Ltd. Micro-LED display panel
CN108598278B (zh) 2018-04-20 2020-01-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管的封装结构及其制备方法
CN108682312B (zh) * 2018-05-12 2020-11-06 汕头超声显示器技术有限公司 一种led阵列装置的制造方法
KR102457191B1 (ko) * 2018-05-16 2022-10-20 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 전사 시스템
CN108878626B (zh) 2018-06-29 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及制作方法、显示装置
JP6753452B2 (ja) * 2018-11-30 2020-09-09 日亜化学工業株式会社 発光モジュール
KR102694329B1 (ko) * 2018-12-10 2024-08-13 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 모듈 제조 방법
CN109671365A (zh) * 2019-01-30 2019-04-23 京东方科技集团股份有限公司 Micro-LED显示基板及其制作方法、显示装置
CN109887977B (zh) 2019-03-08 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN210692541U (zh) * 2019-09-24 2020-06-05 恒煦电子材料股份有限公司 具黑矩阵防散色层的微发光二极管显示面板
CN113451486A (zh) 2020-03-27 2021-09-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI251850B (en) * 2001-03-30 2006-03-21 Candescent Intellectual Prop Structure and fabrication of light-emitting device having light-reflective layer formed with, or/and adjacent to, material that enhances device performance
US20120235169A1 (en) * 2010-09-09 2012-09-20 Toshihiro Seko Semiconductor light-emitting device and manufacturing method
CN107039410A (zh) * 2015-11-30 2017-08-11 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法
TW201917914A (zh) * 2017-07-03 2019-05-01 日商夏普股份有限公司 光源裝置及發光裝置
US20190081281A1 (en) * 2017-09-08 2019-03-14 Barco Nv Method and system for reducing reflection of ambient light in an emissive display

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