JP6818017B2 - エッチング液及び電子基板の製造方法 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明のエッチング液は、銅及び/又は銅合金とニッケル又はニッケル合金とを有する基材から、前記銅及び/又は銅合金をエッチングするエッチング液であって、前記エッチング液は、有機酸(A)及び酸化剤(B)を含有し、前記有機酸(A)の酸解離定数(pKa)が−1.10〜2.60であり、作用電極としてニッケルを用い、参照電極として飽和KCl溶液で充填したAg/AgClを用い、電解質溶液として前記エッチング液を用いて測定した第1腐食電位が0.1V以上、0.5V以下であることを特徴とする。
本発明の電子基板の製造方法は、銅及び/又は銅合金とニッケル及び/又はニッケル合金とを有する電子基板の製造方法であって、銅及び/又は銅合金とニッケル及び/又はニッケル合金とを有する基材に、請求項1〜7のいずれかに記載のエッチング液を用いて前記銅及び/又は銅合金をエッチングするエッチング工程を含むことを特徴とする。
したがって、本発明のエッチング液を使用することにより、銅及び/又は銅合金、並びに、ニッケル及び/又はニッケル合金を有する基材から、銅及び/又は銅合金を選択的にエッチングすることができる。
基材としては、半導体用基板及びフラットパネルディスプレ−に使用される電子基板等のシリコン基板等の表面に銅及び/又は銅合金とニッケル又はニッケル合金を有する基材等が挙げられる。
また、基材が有する銅及び/又は銅合金は、化学気相成長法(CVD法)、物理的気相成長法(PVD法)、原子層堆積法(ALD法)、めっき法によりシリコン基板等の表面に形成することができる。
また、ニッケル及び/又はニッケル合金は、化学気相成長法(CVD法)、物理的気相成長法(PVD法)、原子層堆積法(ALD法)、めっき法によりシリコン基板等の表面に形成することができる。
第1腐食電位が上記範囲であると、銅及び/又は銅合金のエッチング速度が向上する。
また、第2腐食電位は、0.0V以上、0.2V以下であることが好ましい。
第1腐食電位と第2腐食電位との差としては、第1腐食電位が第2腐食電位より0.1V以上高いことが好ましく、0.2V以上高いことがより好ましく、0.3V以上高いことがさらに好ましい。
また、第1腐食電位と第2腐食電位との差が0.5Vを超えないことが好ましい。
第1腐食電位と、第2腐食電位との差が上記範囲であると、本発明のエッチング液を、銅及び/又は銅合金、並びに、ニッケル及び/又はニッケル合金を有する基材に使用した際に、銅及び/又は銅合金を選択的にエッチングすることができる。
銅及び/又は銅合金のエッチング速度の観点から、有機酸(A)の酸解離定数(pKa)は、−0.90〜2.40であることが好ましく、さらに好ましくは−0.80〜2.30である。
なお、有機酸(A)が、多段階で電離する場合、本明細書における「有機酸の酸解離定数(pKa)」とは、有機酸が、第1段階の電離をする際の酸解離定数を意味する。
有機酸の酸解離定数(pKa)の値は化学便覧(平成16年2月発行 化学便覧 基礎編 改訂5版 p.332−343)、EVANS pKa Table(http://evans.rc.fas.harvard.edu/pdf/evans_pKa_table.pdf)等に記載されており、有機酸(A)としては前記の酸解離定数を有する以下に例示する有機酸を用いることができる。
本発明のエッチング液は、有機酸(A)を1種又は2種以上を含有していてもよい。
これらの中では、過酸化水素がより好ましい。過酸化水素としては過酸化水素の水溶液を使用することができる。
過酸化水素は、銅のエッチング速度を高め、ニッケルのエッチング速度を抑制することができる。
鎖状アミン(C−1)は、具体例として、ペンタエチレンヘキサミン、ヘキサメチレンジアミン及びトリエチレンテトラミンのヘキサエチル化物等が挙げられる。
窒素原子を1つ以上含む環式化合物(C−2)は、具体例として、シクロヘキシルアミン、2−メチルアニリン、1−アミノナフタレン、ベンゾトリアゾール及び4−メチルベンゾトリアゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール及び2−メルカプトベンゾイミダゾール等が挙げられる。
アミンのアルキレンオキサイド付加物(C−3)は、具体例として、シクロヘキシルアミンのプロピレンオキサイド2モル付加物、シクロヘキシルアミンのプロピレンオキサイド10モル付加物、アニリンのプロピレンオキサイド5モル付加物、トリエタノールアミン、1,2−ビス[ジ(ヒドロキシエチル)アミノ]エタン、ラウリルアミンのEO9モル付加物及びシクロヘキシルアミンのエチレンオキサイド2モル付加物等が挙げられる。
溶剤としては、非プロトン性極性有機溶媒が好ましい。
非プロトン性極性有機溶媒としては、ハロゲン化炭化水素化合物、エーテル化合物、エステル化合物、ケトン化合物、ニトリル化合物、アミド化合物、スルホキシド化合物等が挙げられる。
腐食防止剤としては、チオール化合物、チアゾール化合物、糖アルコール類等が挙げられる。
酸化防止剤としては、カテキン、トコフェロール、カテコール、メチルカテコール、エチルカテコール、tert−ブチルカテコール、没食子酸、没食子酸メチル、没食子酸プロピル等のフェノール類、3−ヒドロキシフラボン、アスコルビン酸等が挙げられる。
pH調整剤としては、塩基性化合物等が挙げられる。具体的には、アンモニア、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、含窒素複素環式化合物等が挙げられる。
消泡剤としては、シリコーン消泡剤、長鎖アルコール消泡剤、脂肪酸エステル消泡剤、金属セッケン消泡剤、エチレンオキサイドプロピレンオキサイド共重合体等が挙げられる。
本発明の電子基板の製造方法は、銅及び/又は銅合金とニッケル及び/又はニッケル合金とを有する電子基板の製造方法であって、銅及び/又は銅合金とニッケル及び/又はニッケル合金とを有する基材に、本発明のエッチング液を用いて前記銅及び/又は銅合金をエッチングするエッチング工程を含む。
なお、本明細書において、「銅及び/又は銅合金を選択的にエッチングする」とは、銅及び/又は銅合金とニッケル及び/又はニッケル合金とを有する基材から、ニッケル及び/又はニッケル合金の機能が損なわれないように銅及び/又は銅合金をエッチングすることを意味する。
例えば、エッチング工程後のニッケル及び/又はニッケル合金の重量が、エッチング工程前のニッケル及び/又はニッケル合金の重量の95.0%以上であることが好ましい。
本発明の電子基板の製造方法は、(1)基材準備工程、(2)レジスト樹脂形成工程、(3)銅めっき層形成工程、(4)ニッケル層形成工程、(5)金層形成工程、(6)レジスト樹脂除去工程、(7)エッチング工程及び(8)バリヤメタル層除去工程を含んでいてもよい。
図1(a)〜(c)は、本発明の電子基板の製造方法における基材準備工程の一例を模式的に示す工程図である。
まず、図1(a)に示すように、平面部11を有するシリコン基板10を準備する。
孔部12を形成する方法は、特に限定されず、レーザー加工法、ドリル加工法等の通常の方法を採用することができる。
これにより、孔部12には、シリコン酸化層20、チタン層30及び銅シード層40が順に形成され、銅シード層40を底面2a及び側面2bとする凹部2が形成されることになる。
このようにして、シリコン酸化層20、チタン層30及び銅シード層40が形成され、かつ、凹部2が形成された基材1を準備することができる。
図2は、本発明の電子基板の製造方法におけるレジスト樹脂形成工程の一例を模式的に示す工程図である。
次に、図2に示すように、凹部2の縁2cから凹部2の外側に向かう一定の距離D1までの間の銅シード層40の表面が露出するように銅シード層40の表面にレジスト樹脂50を形成する。なお、図2中、銅シード層40の露出部を符号41で示す。
図3は、本発明の電子基板の製造方法における銅めっき層形成工程の一例を模式的に示す工程図である。
次に、図3に示すように、凹部2が埋まり、かつ、銅シード層40の露出部41を覆うように銅めっきを行い、銅めっき層60を形成する。
図4は、本発明の電子基板の製造方法におけるニッケル層形成工程の一例を模式的に示す工程図である。
次に、図4に示すように、銅めっき層60の表面にニッケル層70を形成する。
図5は、本発明の電子基板の製造方法における金層形成工程の一例を模式的に示す工程図である。
次に、図5に示すように、ニッケル層70の表面に金層80を形成する。
図6は、本発明の電子基板の製造方法におけるレジスト樹脂除去工程の一例を模式的に示す工程図である。
次に、図6に示すように、レジスト樹脂50を除去する。
これにより、銅めっき層60、ニッケル層70及び金層80からなるバンプ90が形成される。
図7は、本発明の電子基板の製造方法におけるエッチング工程の一例を模式的に示す工程図である。
次に、図7に示すように、基材1に本発明のエッチング液を作用させ、銅シード層40をエッチングする。これにより、チタン層30が露出することになる。
本工程で使用するエッチング液の温度は、特に限定されないが、好ましくは10〜100℃の範囲であり、さらに好ましくは20℃〜80℃である。
エッチング液の温度が10℃以上であればエッチング速度が向上する点で好ましく、100℃以下の温度であればエッチング速度にバラツキが生じない点で好ましい。
また、エッチングに要する時間は、10分未満であることが好ましい。
図8は、本発明の電子基板の製造方法におけるバリヤメタル層除去工程の一例を模式的に示す工程図である。
次に、図8に示すように、チタン層30を除去する。
これにより、チタン層30、銅シード層40、銅めっき層60、ニッケル層70及び金層80からなるバンプ91を形成することができる。
また、バンプ91が形成された基材1は、電子基板100となる。
表1に記載した種類の有機酸(A)、酸化剤(B)、アミン化合物(C)及び水をポリプロピレン製の容器中で混合して、実施例1〜8及び比較例1〜4に係るエッチング液を得た。
(A−1−1):メチレンジホスホン酸(pKa=1.3)
(A−1−2):1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸(pKa=1.56)
(A−2−1):リン酸ジメチル(pKa=1.29)
(A−3−1):マレイン酸(pKa=1.92)
(A−3−2):トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸(pKa=2.42)
(A−4−1):ホスホノブタントリカルボン酸(pKa=1.7)
(A−5−1):10−カンファ―スルホン酸(pKa=1.2)
(A’−3−1):クエン酸(pKa=3.09)
(A’−5−1):メタンスルホン酸(pKa=−1.2)
(B−1):過酸化水素水
(B−2):過マンガン酸カリウム
(C−1−1):トリエチレンテトラミン
(C−2−1):シクロヘキシルアミン
(C−2−2):ベンゾトリアゾール
(C−3−1):シクロヘキシルアミンのプロピレンオキサイド2モル付加物
装置:VoltaLab PGP201 (Radiometer analytical社製)
基板:銅テストピース又はニッケルテストピース
測定手順は下記のとおりとした。
(1)作用電極(Working electrode)として上記テストピースをクリップする。
(2)参照電極(Reference electrode)として飽和KCl溶液で充填したAg/AgCl参照電極をクリップする。
(3)カウンター電極(Counter electrode)として白金対極をクリップする。
(4)測定溶液をセルに入れる。
(5)電位測定を開始する。
・測定条件
測定時間:3分
(6)測定結果から、腐食電位を読み取る。
銅シード層のエッチング時間を、以下の操作方法で銅シード層の光沢が消失するまでの時間(分)で評価した。
(i)上記本発明の電子基板の製造方法で説明した、(1)基材準備工程、(2)レジスト樹脂形成工程、(3)銅めっき層形成工程及び(4)ニッケル層形成工程を順に行い、(5)金層形成工程を行わずに(6)レジスト樹脂除去工程を行いテスト基材を作製した。
図9に示すように、テスト基材105は、パンプ190が形成された基材101からなる。
基材101は、平面部111及び孔部112を有するシリコン基材110、シリコン酸化層120、チタン層130及び銅シード層140から構成されており、平面部111及び孔部112には、シリコン酸化層120、チタン層130及び銅シード層140が順に形成されている。孔部112の内側には、銅シード層140を底面102a及び側面102bとする凹部102が形成されている。
また、凹部102は、銅めっき層160により埋められている。さらに、銅めっき層160は、凹部102の縁102cから凹部102の外側に向かう一定の距離D2までの間の銅シード層140の表面141を覆うように基材101から突出している。
また、銅めっき層160には、ニッケル層170が積層されている。
基材101から突出した銅めっき層160及びニッケル層170は、バンプ190を形成している。
また、バンプ190の幅W1は約30μmであり、バンプ190の高さH1は約30μmであった。
またニッケル層170の厚さは、約20μmであった。
◎:3分未満
○:3分以上10分未満
×:10分以上
図10は、エッチング後のテスト基材を模式的に示す断面図である。
図10に示すように、テスト基材150の銅シード層140をエッチングする際、バンプ192を構成する銅シード層140まで浸食され空隙145が生じる場合がある。このような空隙145は無い方が好ましい。すなわち、エッチングによりバンプ192を構成する銅シード層140は浸食されないことが好ましい。
各実施例及び各比較例に係るエッチング液を用いてテスト基材105をエッチングした際の空隙145の幅を、以下の操作方法で測定し評価した。
(i)上記<銅シード層のエッチング時間の評価>で説明した方法と同じ方法でテスト基材105を作製した。
(ii)各実施例及び各比較例に係るエッチング液をポリプロピレン製の容器に入れて、この中にテスト基材105を浸漬し、マグネチックスターラーで撹拌した。
(iii)撹拌しながら液中に浸漬した状態でテスト基材105の表面を目視で観察し、銅シード層140の全面の銅の光沢が消失し、チタン層130が見える状態までの時間の2倍の時間液中に浸漬し、その後テスト基材105をエッチング液から取り出した。
(iv)走査型電子顕微鏡(日立ハイテク社製S−4800)で、浸漬後のテスト基材105の空隙145の幅、すなわち、銅シード層140の水平方向の浸食の幅(図10中、矢印で示す幅)が確認できる側面の写真撮影をした。そして、写真画像から、空隙145の水平方向の幅(μm)を測定し評価した。
評価基準は以下の通りである。結果を表1に示す。
◎:3μm未満
○:3μm以上5μm未満
×:5μm以上
図11は、エッチングによりニッケル層が浸食されたテスト基材を模式的に示す断面図である。
図11に示すように、テスト基材150の銅シード層140をエッチングする際、ニッケル層170が腐食(図11中、破線部分は、腐食されたニッケル層を示す)される場合がある。
しかし、ニッケル層170は、エッチングにより腐食されないことが好ましい。
各実施例及び各比較例に係るエッチング液を用いてテスト基材105をエッチングした際のニッケル層の腐食量を、以下の操作方法で測定し、評価した。
(1)上記<銅シード層のエッチング時間の評価>で説明した方法と同じ方法でテスト基材105を作製した。
(2)各実施例及び各比較例に係るエッチング液をポリプロピレン製の容器に入れて、この中にテスト基材105を浸漬し、マグネチックスターラーで撹拌した。
(3)撹拌しながら液中に浸漬した状態でテスト基材105の表面を目視で観察し、銅シード層140の全面の銅の光沢が消失し、チタン層130が見える状態までの時間の2倍の時間液中に浸漬し、その後テスト基材105をエッチング液から取り出した。
(4)走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジー社製S−4800)で、浸漬前のテスト基材105と浸漬後のテスト基材105のそれぞれニッケル層170の厚さ方向の腐食の程度とその深さ(図11中、矢印で示す幅)が確認できる側面の写真撮影をした。そして、写真画像から、浸漬前のテスト基材105のニッケル層170の厚さA1(μm)と、浸漬後のテスト基材105のニッケル層170の厚さA2(μm)を測定した。
(5)ニッケルのエッチング量として、下記数式(2)で算出される浸漬前後のテスト基材のニッケル層の厚さの変化(差)ΔANiを算出した。
評価基準は以下の通りである。結果を表1に示す。
◎:0.1μm未満
○:0.1μm以上0.5μm未満
×:0.5μm以上
2、102 凹部
2a、102a 凹部の底面
2b、102b 凹部の側面
2c、102c 凹部の縁
10、110 シリコン基板
12、112 孔部
12a、112a 孔部の底面
12b、112b 孔部の側面
20、120 シリコン酸化層
30、130 チタン層
40、140 銅シード層
41 銅シード層の露出部
50 レジスト樹脂
60、160 銅めっき層
70、170 ニッケル層
80 金層
90、91、190 バンプ
105 テスト基材
Claims (7)
- 銅及び/又は銅合金とニッケル又はニッケル合金とを有する基材から、前記銅及び/又は銅合金をエッチングするエッチング液であって、前記エッチング液は、有機酸(A)及び酸化剤(B)を含有し、前記有機酸(A)の酸解離定数(pKa)が−1.10〜1.7であり、作用電極としてニッケルを用い、参照電極として飽和KCl溶液で充填したAg/AgClを用い、電解質溶液として前記エッチング液を用いて測定した第1腐食電位が0.1V以上、0.5V以下であり、
前記有機酸(A)と前記酸化剤(B)との重量比(有機酸(A)/酸化剤(B))が0.05〜3.00であり、
前記エッチング液は、クエン酸及びリンゴ酸のいずれも含まないエッチング液。 - 作用電極として銅を用い、参照電極として飽和KCl溶液で充填したAg/AgClを用い、電解質溶液として前記エッチング液を用いて測定した第2腐食電位が、前記第1腐食電位以下である請求項1に記載のエッチング液。
- 前記第2腐食電位は、0.0V以上、0.2V以下である請求項2に記載のエッチング液。
- 有機酸(A)が、ホスホノ基、ホスフェート基、スルホ基及びカルボキシ基からなる群から選ばれる基を分子内に少なくとも1個有する有機酸又はその塩である請求項1〜3のいずれかに記載のエッチング液。
- 前記酸化剤(B)は、過酸化水素、AgNO3、KAuCl4、HAuCl4、K2PtCl6、H2PtCl6、Fe(NO3)3、Ni(NO3)2、Mg(NO3)2、硝酸及びその塩、亜硝酸及びその塩、次亜塩素酸及びその塩、亜塩素酸及びその塩、塩素酸及びその塩、過塩素酸及びその塩、過マンガン酸及びその塩、過硫酸及びその塩、クロム酸及びその塩、ニクロム酸及びその塩、過酢酸及びその塩、過炭酸及びその塩、並びに、過酸化尿素及びその塩からなる群から選択される少なくとも1種の酸化剤である請求項1〜4のいずれかに記載のエッチング液。
- さらにアミン化合物(C)を含有する請求項1〜5のいずれかに記載のエッチング液。
- 銅及び/又は銅合金とニッケル及び/又はニッケル合金とを有する電子基板の製造方法であって、銅及び/又は銅合金とニッケル及び/又はニッケル合金とを有する基材に、請求項1〜6のいずれかに記載のエッチング液を用いて前記銅及び/又は銅合金をエッチングするエッチング工程を含む電子基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016088689 | 2016-04-27 | ||
JP2016088689 | 2016-04-27 | ||
PCT/JP2017/015834 WO2017188108A1 (ja) | 2016-04-27 | 2017-04-20 | エッチング液及び電子基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017188108A1 JPWO2017188108A1 (ja) | 2019-02-28 |
JP6818017B2 true JP6818017B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=60160537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018514544A Active JP6818017B2 (ja) | 2016-04-27 | 2017-04-20 | エッチング液及び電子基板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6818017B2 (ja) |
KR (1) | KR101988817B1 (ja) |
CN (1) | CN108699706B (ja) |
TW (1) | TWI724157B (ja) |
WO (1) | WO2017188108A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019186624A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | エッチング液 |
CN108803946A (zh) * | 2018-09-07 | 2018-11-13 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种柔性窄边框触控感应器及其制备方法 |
JP6913142B2 (ja) * | 2018-11-12 | 2021-08-04 | 三洋化成工業株式会社 | 銅又は銅合金用エッチング液及び電子基板の製造方法 |
CN113015823B (zh) | 2018-11-20 | 2023-05-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 用于对铜和铜合金选择性地进行蚀刻的蚀刻液和使用其的半导体基板的制造方法 |
JP6485587B1 (ja) * | 2018-12-25 | 2019-03-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | エッチング液 |
US20220145471A1 (en) * | 2019-03-01 | 2022-05-12 | Howmet Aerospace Inc. | Metallic substrate treatment methods and articles comprising a phosphonate functionalized layer |
CN109652805B (zh) * | 2019-03-01 | 2020-10-30 | 厦门明巍物资回收有限公司 | 一种去除铜镍镀层的退镀液及其使用方法 |
CN113956797A (zh) * | 2021-10-15 | 2022-01-21 | 清华大学 | 无氧铜微结构功能表面射流抛光液及抛光方法 |
CN114428064B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-09-19 | 江苏和达电子科技有限公司 | 一种铜蚀刻液中硝酸根离子含量的检测方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000286531A (ja) | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Works Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP4478383B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2010-06-09 | 関東化学株式会社 | 銀を主成分とする金属薄膜のエッチング液組成物 |
JP2005105410A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-04-21 | Mitsubishi Chemicals Corp | 銅エッチング液及びエッチング方法 |
JP2007005656A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | メタル材料用エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
DE102005038414A1 (de) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Basf Aktiengesellschaft | Stabilisierte Ätzlösungen zum Ätzen von Cu- und Cu/Ni-Schicht |
JP5794148B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-10-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP6101421B2 (ja) * | 2010-08-16 | 2017-03-22 | インテグリス・インコーポレーテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
SG192574A1 (en) | 2011-03-11 | 2013-09-30 | Fujifilm Electronic Materials | Novel etching composition |
WO2013005631A1 (ja) | 2011-07-04 | 2013-01-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 |
JP5933950B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-06-15 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
JP2015007271A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | メック株式会社 | 配線形成方法、及びこれに用いるエッチング液 |
JP2015151593A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-08-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 金属層積層体用エッチング液 |
-
2017
- 2017-04-20 WO PCT/JP2017/015834 patent/WO2017188108A1/ja active Application Filing
- 2017-04-20 CN CN201780013656.9A patent/CN108699706B/zh active Active
- 2017-04-20 KR KR1020187028592A patent/KR101988817B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-20 JP JP2018514544A patent/JP6818017B2/ja active Active
- 2017-04-24 TW TW106113555A patent/TWI724157B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201807164A (zh) | 2018-03-01 |
CN108699706A (zh) | 2018-10-23 |
WO2017188108A1 (ja) | 2017-11-02 |
TWI724157B (zh) | 2021-04-11 |
KR20180128418A (ko) | 2018-12-03 |
JPWO2017188108A1 (ja) | 2019-02-28 |
KR101988817B1 (ko) | 2019-06-12 |
CN108699706B (zh) | 2021-01-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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