JP6789055B2 - 硬質皮膜、硬質皮膜被覆部材及び硬質皮膜の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、硬質皮膜、当該硬質皮膜を備えた硬質皮膜被覆部材及び硬質皮膜の製造方法に関する。

従来、切削工具や金型など、硬質物との摺動に起因する大幅な温度上昇や摩耗が発生する工具においては、耐摩耗性を向上させるために基材の表面にセラミックス材料からなる硬質皮膜を形成する対策がなされている。例えば、下記特許文献１，２及び非特許文献１には、切削工具などの基材の表面においてＡｌＣｒＮからなる硬質皮膜を形成することが開示されている。下記特許文献１及び非特許文献１には、７０ａｔ％以上のＡｌを含有するＡｌＣｒＮ皮膜を基材上に形成したものが開示されている。また下記特許文献２には、７０ａｔ％未満のＡｌを含有するＡｌＣｒＮ皮膜を基材上に形成したものが開示されている。

特許第４４７５２３０号 特表２００６−５２４７４８号公報

Ｓｕｒｆａｃｅ ＆ Ｃｏａｔｉｎｇｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、２００、（２００５）、２１１４−２１２２

ＡｌＣｒＮ皮膜は、ＣｒＮの結晶格子にＡｌが固溶した準安定状態の立方晶の結晶構造を有する。ここで、上記特許文献１及び非特許文献１のようにＡｌ含有量が高い場合には、ＣｒＮの結晶格子にＡｌが固溶した状態が不安定となり、安定相である六方晶ＡｌＮが生成する。このような六方晶構造は機械的特性に劣るため、上記特許文献１及び非特許文献１では耐摩耗性に優れた硬質皮膜を得ることができない。

一方、上記特許文献２のようにＡｌ含有量が低い皮膜は、ＡｌＣｒＮの粗大な立方晶が生成した結晶構造を有する。この場合、皮膜が硬くなる一方でヤング率も高くなり、外部からの力に対する変形能が乏しくなるため割れに発展し易く、耐摩耗性に劣るという問題がある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、耐摩耗性がより改善された硬質皮膜、当該硬質皮膜を備えた硬質皮膜被覆部材及び当該硬質皮膜を製造する方法を提供することである。

本発明の一局面に係る硬質皮膜は、Ａｌ、Ｃｒ及びＮを含有する硬質皮膜である。この硬質皮膜は、Ａｌ_ｍＣｒ_１−ｍＮ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｃ_ｘＢ_ｙＯ_ｚの組成式からなる。前記組成式において、ｍは、Ａｌ、Ｃｒの合計に対するＡｌの原子比を示す。１−ｍは、Ａｌ、Ｃｒの合計に対するＣｒの原子比を示す。１−ｘ−ｙ−ｚは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＮの原子比を示す。ｘは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＣの原子比を示す。ｙは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＢの原子比を示す。ｚは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＯの原子比を示す。前記組成式において、０．７０＜ｍ≦０．８５の関係式が満たされている。前記硬質皮膜の硬さをＨ（ＧＰａ）、前記硬質皮膜のヤング率をＥ（ＧＰａ）としたときに、ヤング率に対する硬さの比であるＨ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満であり且つＨが２０ＧＰａ以上である。

上記硬質皮膜は、立方晶岩塩型の結晶構造を有していてもよい。ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定において、前記立方晶岩塩型の結晶構造の（１１１）面に基づくピークの半値幅が０．２５°以上１．００°以下であってもよい。

上記硬質皮膜において、Ｃの原子比ｘが０．０５≦ｘ＜０．５の関係式を満たしていてもよい。

上記硬質皮膜において、Ｂの原子比ｙが０．０１≦ｙ≦０．１０の関係式を満たしていてもよい。

上記硬質皮膜において、Ｏの原子比ｚが０＜ｚ＜０．１０の関係式を満たしていてもよい。

本発明の他の局面に係る硬質皮膜被覆部材は、基材と、前記基材の表面に形成された上記硬質皮膜と、を備えている。

本発明のさらに他の局面に係る硬質皮膜の製造方法は、Ａｌ_ｍＣｒ_１−ｍＮ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｃ_ｘＢ_ｙＯ_ｚの組成式からなる硬質皮膜を基材の表面に形成する方法である。前記組成式において、ｍは、Ａｌ、Ｃｒの合計に対するＡｌの原子比を示す。１−ｍは、Ａｌ、Ｃｒの合計に対するＣｒの原子比を示す。１−ｘ−ｙ−ｚは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＮの原子比を示す。ｘは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＣの原子比を示す。ｙは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＢの原子比を示す。ｚは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＯの原子比を示す。前記組成式において、０．７０＜ｍ≦０．８５の関係式が満たされている。上記硬質皮膜の製造方法は、前記基材をステージ上に設置する工程と、前記硬質皮膜の成分組成を有するターゲットを設置する工程と、前記ターゲットを蒸発させることにより、前記基材の表面に前記硬質皮膜を成膜する工程と、を備えている。前記硬質皮膜を成膜する工程では、前記ステージから前記基材に印加するバイアス電圧Ｖが、−３１６≦Ｖ≦−１４２９ｍ＋９４０．３、の関係式を満たすように、前記基材にバイアス電圧を印加しつつ前記硬質皮膜を成膜する。

上記硬質皮膜の製造方法では、前記硬質皮膜を成膜する工程において、前記ターゲットの放電面に対して垂直な方向に磁場を発生させてもよい。

本発明によれば、耐摩耗性がより改善された硬質皮膜、当該硬質皮膜を備えた硬質皮膜被覆部材及び当該硬質皮膜を製造する方法を提供することができる。

本発明の実施形態１に係る硬質皮膜被覆部材であるインサートを示す模式図である。 上記インサートにより被削材を切削加工する様子を示す模式図である。 本発明の実施形態１に係る硬質皮膜の構成を示す模式図である。 本発明の実施形態１に係る硬質皮膜の製造方法の流れを示すフローチャートである。 上記硬質皮膜の成膜に用いられる成膜装置の構成を示す模式図である。 ターゲット放電面に対して垂直な方向に発生する磁場を示す模式図である。 ターゲット放電面に対して垂直な方向に発生する磁場を示す模式図である。 Ａｌの原子比と基材に印加するバイアス電圧との関係を示すグラフである。 本発明の実施形態２に係る硬質皮膜被覆部材である金型を示す模式図である。

まず、本発明の実施形態に係る硬質皮膜、硬質皮膜被覆部材及び硬質皮膜の製造方法の概要について説明する。

本実施形態に係る硬質皮膜は、Ａｌ、Ｃｒ及びＮを含有する硬質皮膜である。この硬質皮膜は、Ａｌ_ｍＣｒ_１−ｍＮ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｃ_ｘＢ_ｙＯ_ｚの組成式からなる。前記組成式において、ｍは、Ａｌ、Ｃｒの合計に対するＡｌの原子比を示す。１−ｍは、Ａｌ、Ｃｒの合計に対するＣｒの原子比を示す。１−ｘ−ｙ−ｚは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＮの原子比を示す。ｘは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＣの原子比を示す。ｙは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＢの原子比を示す。ｚは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＯの原子比を示す。前記組成式において、０．７０＜ｍ≦０．８５の関係式が満たされている。前記硬質皮膜の硬さをＨ（ＧＰａ）、前記硬質皮膜のヤング率をＥ（ＧＰａ）としたときに、ヤング率に対する硬さの比であるＨ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満であり且つＨが２０ＧＰａ以上である。

上記硬質皮膜では、Ａｌ含有量を０．７０＜ｍ≦０．８５の範囲に調整すると共に、硬さＨ及びヤング率Ｅを調整することにより、Ｈ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満であり且つＨが２０ＧＰａ以上（Ｈ≧２０ＧＰａ）の範囲に調整されている。Ｈ／Ｅが０．０５０未満の皮膜では、硬さＨに対してヤング率Ｅが高くなり過ぎるため、外力が加わった時の皮膜の変形量が少なく、割れが発生し易くなるため、耐摩耗性が低下する。一方で、Ｈ／Ｅが大き過ぎる皮膜では、ヤング率Ｅが低くなり過ぎるため、硬質皮膜としての機能を果たすことが困難になる。

これに対して、上記硬質皮膜では、硬さＨが２０ＧＰａ以上の範囲においてＨ／Ｅを０．０５０以上０．０５８未満の範囲に調整することにより、耐摩耗性が飛躍的に向上している。Ｈ／Ｅは、０．０５０５以上であることが好ましく、０．０５１０以上であることがより好ましく、０．０５１５以上であることがさらに好ましく、０．０５２０以上であることが一層好ましい。また硬さＨは、２２ＧＰａ以上であることが好ましく、２４ＧＰａ以上であることがより好ましく、２５ＧＰａ以上であることがさらに好ましく、２６ＧＰａ以上であることが一層好ましい。

上記硬質皮膜の「硬さＨ（ＧＰａ）」及び「ヤング率Ｅ（ＧＰａ）」は、硬質皮膜が形成された超硬試験片を用いてナノインデンテーション試験を行うことにより測定される。ナノインデンターによる測定には、装置として「株式会社エリオニクス製ＥＮＴ−１１００」が用いられ、インデンターにはベルコビッチ型の三角錐圧子が使用される。まず、荷重２、５、７、１０および２０ｍＮの５荷重で各々５点の荷重負荷曲線を測定する。そして、ＳＡＷＡらにより提案された装置のコンプライアンスと圧子先端形状を補正する方法（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．１１，２００１，３０８４）によりデータの補正を行い、「硬さＨ（ＧＰａ）」及び「ヤング率Ｅ（ＧＰａ）」を算出する。その測定値からＨ／Ｅ（−）の値を算出することができる。また上記硬質皮膜におけるＡｌ、Ｃｒ、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの各原子比は、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）を用いて測定することができる。

上記硬質皮膜は、立方晶岩塩型の結晶構造を有している。ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定において、前記立方晶岩塩型の結晶構造の（１１１）面に基づくピークの半値幅は、０．２５°以上１．００°以下である。

上記硬質皮膜では、結晶中における極微細な六方晶の生成及び成膜時のイオン衝突による歪に起因して立方晶の成長が阻害され、その結果立方晶の結晶粒が小さくなっている。このため、Ｘ線回折測定を行った場合に、立方晶岩塩型の結晶構造の（１１１）面に基づくピークの半値幅が０．２５°以上１．００°以下となる。半値幅がこの範囲内になるように立方晶が微細化された皮膜では、Ｈ／Ｅの範囲が上記の通り０．０５０以上０．０５８未満の範囲に調整される。なお、結晶中の極微細な六方晶は、Ｘ線回折測定では検出できない程度の大きさのものである。

半値幅が０．２５°未満である場合には、立方晶の結晶粒が大きく成長しており、Ｈ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満の範囲よりも小さくなる。一方で、半値幅が１．００°を超える場合には、立方晶の結晶粒が微細化し過ぎるため、結晶粒ごと脱落し易くなり、耐摩耗性が低下する。このため、半値幅の範囲は、０．２５°以上１．００°以下であることが好ましい。また半値幅の下限は、０．２５５°以上であることがより好ましく、０．２６°以上であることがさらに好ましく、０．２６５°以上であることが一層好ましい。また半値幅の上限は、０．９５°以下であることがより好ましく、０．９０°以下であることがさらに好ましく、０．８５°以下であることが一層好ましい。

また上記のように、極微細な六方晶と微細化された立方晶とが混在した硬質皮膜を得るためには、皮膜中のＡｌ含有量の調整も必要である。Ａｌ含有量が低すぎる場合には、極微細な六方晶が生成しない。このため、上記硬質皮膜では、Ａｌの原子比ｍが０．７０を超えており、０．７１を超えることが好ましく、０．７２以上であることがより好ましく、０．７５以上であることがさらに好ましい。一方で、Ａｌ含有量が高すぎる場合には、立方晶が生成しない。このため、上記硬質皮膜では、Ａｌの原子比ｍが０．８５以下であり、０．８２以下であることが好ましく、０．８０以下であることがより好ましく、０．７８以下であることがさらに好ましい。

上記硬質皮膜では、Ｃの原子比ｘが０．０５≦ｘ＜０．５の関係式を満たしていてもよい。またＢの原子比ｙが０．０１≦ｙ≦０．１０の関係式を満たしていてもよい。またＯの原子比ｚが０＜ｚ＜０．１０の関係式を満たしていてもよい。

上記硬質皮膜は、窒化物をベースとするものであるが、さらなる機能を付与するために、炭素（Ｃ），ホウ素（Ｂ），酸素（Ｏ）などの元素をさらに含有していてもよい。Ｃは、結晶中において炭化物を形成することにより、皮膜の硬さを向上させる。このような効果を得るため、Ｃの原子比ｘは０．０５以上であることが好ましい。しかし、Ｃ含有量が過剰になると、皮膜の耐熱性が低下するため、Ｃの原子比ｘは０．５未満であることが好ましい。

Ｂは、皮膜中のＮと結合することにより固体潤滑剤であるホウ化窒素を形成し、皮膜に潤滑作用を付与する。このような効果を得るため、Ｂの原子比ｙは０．０１以上であることが好ましい。しかし、Ｂ含有量が過剰になると皮膜の硬さが低下するため、Ｂの原子比ｙは０．１０以下であることが好ましく、０．０８以下であることがより好ましい。またＯは、Ａｌ_２Ｏ_３の形成により皮膜の硬さを向上させる目的で添加することができるが、Ｏ含有量が過剰になると耐摩耗性が低下する。このため、Ｏの原子比ｚは、０．１未満であることが好ましい。

本発明の他局面に係る硬質皮膜被覆部材は、基材と、前記基材の表面に形成された上記硬質皮膜と、を備えている。上記硬質皮膜被覆部材は、耐摩耗性に優れた上記硬質皮膜が基材の表面に形成されたものである。このため、上記硬質皮膜被覆部材は、切削工具や金型など、硬質物との激しい摺動環境下で使用され、高い耐摩耗性が要求される工具において好適に用いることができる。

本発明の他局面に係る硬質皮膜の製造方法は、Ａｌ_ｍＣｒ_１−ｍＮ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｃ_ｘＢ_ｙＯ_ｚの組成式からなる硬質皮膜を基材の表面に形成する方法である。前記組成式において、ｍは、Ａｌ、Ｃｒの合計に対するＡｌの原子比を示す。１−ｍは、Ａｌ、Ｃｒの合計に対するＣｒの原子比を示す。１−ｘ−ｙ−ｚは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＮの原子比を示す。ｘは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＣの原子比を示す。ｙは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＢの原子比を示す。ｚは、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＯの原子比を示す。前記組成式において、０．７０＜ｍ≦０．８５の関係式が満たされている。上記硬質皮膜の製造方法は、前記基材をステージ上に設置する工程と、前記硬質皮膜の成分組成を有するターゲットを設置する工程と、前記ターゲットを蒸発させることにより、前記基材の表面に前記硬質皮膜を成膜する工程と、を備える。前記硬質皮膜を成膜する工程では、前記ステージから前記基材に印加するバイアス電圧Ｖが、−３１６≦Ｖ≦−１４２９ｍ＋９４０．３、の関係式を満たすように、前記基材にバイアス電圧を印加しつつ前記硬質皮膜を成膜する。

上記硬質皮膜の製造方法では、基材に対して上記範囲内に制御されたバイアス電圧Ｖを印加しつつ硬質皮膜を成膜する。Ａｌ含有量が多い（０．７０＜ｍ）硬質皮膜では、安定相である六方晶が生成し易い。これに対して、上記製造方法では、適切な範囲内に制御されたバイアス電圧Ｖを基材に印加することで、ターゲットから蒸発して基材に入射する荷電粒子にエネルギーを付与することができ、高エネルギーの荷電粒子により成膜中の皮膜表面へのスパッタリングを行うことができる。これにより、成膜中の皮膜表面のエネルギーを高め、且つ局部的に不安定な状態にすることができる。よって、準安定相である立方晶が生成すると共に、極微細な六方晶によって当該立方晶の結晶粒が微細化された皮膜を成膜することができる。その結果、Ｈ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満で且つ硬さＨが２０ＧＰａ以上の範囲に調整された耐摩耗性に優れる上記硬質皮膜を得ることができる。

バイアス電圧Ｖが上記範囲よりも高い場合には、皮膜中に粗大な六方晶が形成されるため、Ｈ／Ｅが大きくなる一方で皮膜の硬さＨが低くなる。一方で、バイアス電圧Ｖが上記範囲よりも低い場合には、基材に入射する荷電粒子のエネルギーが高くなり過ぎるため、皮膜の形成速度よりもスパッタリング速度の影響の方が大きくなる。このため、硬質皮膜の形成が困難になる。これに対して、上記の通りバイアス電圧Ｖを適切に制御することで、Ｈ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満で且つ硬さＨが２０ＧＰａ以上の範囲に調整された耐摩耗性に優れる硬質皮膜を成膜することができる。

上記硬質皮膜の製造方法では、前記硬質皮膜を成膜する工程において、前記ターゲットの放電面に対して垂直な方向に磁場を発生させる。

上記のように、Ｈ／Ｅ及び硬さＨが適切な範囲に調整された耐摩耗性に優れる硬質皮膜を得るためには、皮膜の安定且つ均一な形成が重要となる。これに対して、プラズマを形成する蒸発源において、ターゲット放電面に対して垂直な磁場を構成することにより、放電が安定して持続するようになり、発生するプラズマ（イオン、電子）の揺らぎが少なく均一になる。さらに、磁力線が放電面に対して垂直に伸びることで、発生したプラズマがターゲットに到達し易くなり、安定した膜成長が可能になる。

次に、本発明の実施形態に係る硬質皮膜、硬質皮膜被覆部材及び硬質皮膜の製造方法について、図面に基づいて詳細に説明する。

（実施形態１）
［硬質皮膜被覆部材］
まず、本発明の実施形態１に係る硬質皮膜被覆部材であるインサート１０について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、インサート１０の全体構造を模式的に示す斜視図である。図２は、インサート１０により被削材１００を切削加工する様子を模式的に示す図である。なお、本発明の硬質皮膜被覆部材は、以下に説明するインサート１０などの旋削加工用切削工具以外にも、例えばドリルなどの穴あけ加工用切削工具、タップなどのネジ切り加工用切削工具、エンドミルなどの転削加工用切削工具又はブレードなどの切断加工用切削工具などの種々の切削工具に適用することができる。

インサート１０は、被削材１００の切削加工に用いられる工具であり、不図示のシャンクの先端に取り付けて使用される。インサート１０は、工具の母材である基材１１と、基材１１の表面にコーティングされた硬質皮膜２０と、を有している。

基材１１は、例えば超硬合金、ダイヤモンド、金属炭化物を含む鉄基合金、サーメット又は高速度工具鋼などの硬質な材料からなる。基材１１は、被削材１００に食い込んですくい上げる部分であるすくい面３１と、被削材１００との接触を避けるために逃がされた部分である逃げ面３２と、を有している。すくい面３１と逃げ面３２とが繋がる部分において、切れ刃３３が形成されている。

図２に示すように、切れ刃３３を被削材１００の表面に食い込ませるようにインサート１０を移動させることにより当該被削材１００の表面が切削され、これにより生じた切り屑１０１はすくい面３１上を通過する。このような切削加工においては、インサート１０と被削材１００との間の激しい摺動により硬質皮膜２０の摩耗が進行する。これに対して、本実施形態に係るインサート１０では、耐摩耗性に優れた硬質皮膜２０が基材１１の表面にコーティングされることにより、工具寿命が長くなっている。以下、本実施形態に係る硬質皮膜２０について詳細に説明する。

［硬質皮膜］
次に、本実施形態に係る硬質皮膜２０について、図３を参照して説明する。図３は、インサート１０における基材１１及び硬質皮膜２０を含む厚さ方向の断面構造を部分的に示している。硬質皮膜２０は、例えばアークイオンプレーティング（ＡＩＰ）やスパッタリングなどの物理蒸着法（ＰＶＤ）により、基材１１の表面に耐摩耗層として形成されている。硬質皮膜２０は、少なくともＡｌ、Ｃｒ及びＮの元素を含有し、その組成式がＡｌ_ｍＣｒ_１−ｍＮ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｃ_ｘＢ_ｙＯ_ｚのように表される。この組成式において、「ｍ」はＡｌ，Ｃｒの合計に対するＡｌの原子比を示す。「１−ｍ」は、Ａｌ，Ｃｒの合計に対するＣｒの原子比を示す。「１−ｘ−ｙ−ｚ」は、Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｏの合計に対するＮの原子比を示す。「ｘ」は、Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｏの合計に対するＣの原子比を示す。「ｙ」は、Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｏの合計に対するＢの原子比を示す。「ｚ」は、Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｏの合計に対するＯの原子比を示す。

硬質皮膜２０は、極微細な六方晶が生成すると共に立方晶が生成し、この極微細な六方晶により立方晶の結晶成長が阻害されることにより、立方晶の結晶粒が微細化されたものとなっている。即ち、硬質皮膜２０は、微細化された立方晶と極微細な六方晶とが混在したものとなっている。このような特徴的な結晶構造を有することから、硬質皮膜２０の硬さをＨ（ＧＰａ）、硬質皮膜２０のヤング率をＥ（ＧＰａ）としたときに、ヤング率Ｅに対する硬さＨの比であるＨ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満であり且つ硬さＨが２０ＧＰａ以上（Ｈ≧２０ＧＰａ）となっている。

Ｈ／Ｅが０．０５０未満の場合には、皮膜の硬さに対してヤング率が高くなり過ぎるため、皮膜に外力が加わった時の変形量が少なく、皮膜の割れが発生し易くなるため、耐摩耗性が低下する。これに対して、硬質皮膜２０では、硬さＨが２０ＧＰａ以上の範囲においてＨ／Ｅを０．０５０以上に調整することにより、耐摩耗性が飛躍的に向上している。一方、Ｈ／Ｅが過大になると、ヤング率が低くなり過ぎるため、硬質皮膜として機能させることが困難になる。このため、硬質皮膜２０では、Ｈ／Ｅが０．０５８未満に調整されている。

このように、極微細な六方晶によって立方晶が微細化された結晶構造は、Ｘ線回折測定により確認することができる。硬質皮膜２０は、立方晶岩塩型の結晶構造を有しており、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定を行った場合、立方晶岩塩型の結晶構造の（１１１）面に基づく回折角度３８°付近のピークの半値幅が、０．２５°以上１．００°以下となる。なお、極微細な六方晶は、Ｘ線回折測定では検出できない程度の大きさである。

Ｘ線回折測定において半値幅が０．２５°未満である場合、立方晶の結晶粒が大きく成長しており、Ｈ／Ｅが小さくなる。一方で、半値幅が１．００°を超える場合には、立方晶が微細化し過ぎるため、結晶粒ごと脱落し易くなり、耐摩耗性が低下する。よって、Ｘ線回折測定による半値幅が０．２５°以上１．００°以下であることを確認することで、皮膜中において立方晶が適度に微細化された結晶構造を確認することができる。

また、Ｘ線回折測定における立方晶の（１１１）面に基づくピークの位置及び半値幅により、ｔ＝λ／Ｂｃｏｓθ（シュラーの式）、を用いて、結晶子サイズｔ（Å）を算出することができる。λはＸ線の波長（Å）、Ｂは半値幅（ラジアン）、θはピーク位置２θ（ラジアン）の半分である。結晶子サイズは、４００Å以下となっており、好ましくは３７５Å以下となっており、より好ましくは３６０Å以下となっている。しかし、結晶子が微細化し過ぎると、皮膜の硬さが低下するため、結晶子サイズは４０Å以上であり、好ましくは５０Å以上であり、より好ましくは７０Å以上である。

またこのように極微細な六方晶と微細化された立方晶とが混在した皮膜を得るためには、皮膜中のＡｌ含有量を調整する必要があり、このためＡｌ含有量は０．７０＜ｍ≦０．８５の範囲に調整されている。Ａｌ含有量が０．７０以下である場合には極微細な六方晶が生成せず、一方でＡｌ含有量が０．８５を超える場合には立方晶が生成せず、皮膜全体が粗大な六方晶になる。このため、Ａｌ含有量は、０．７０＜ｍ≦０．８５の範囲に調整されている。

また硬質皮膜２０は、Ａｌ、Ｃｒ及びＮのみを元素として含有するものでもよいが、さらにＣ、Ｂ、Ｏなどの元素が添加されていてもよい。これにより、硬質皮膜２０に様々な機能を付与することができる。Ｃは、結晶中においてＡｌＣやＣｒＣなどの炭化物を形成することにより、皮膜の硬さを向上させる。この効果を得るため、硬質皮膜２０では、Ｃの原子比ｘが０．０５以上に調整されている。しかし、Ｃ含有量が過剰になると、皮膜の耐熱性が低下する。これを防止するため、硬質皮膜２０では、Ｃの原子比ｘが０．５未満に調整されている。

Ｂは、皮膜中のＮと結合することにより固体潤滑剤であるホウ化窒素を形成し、硬質皮膜２０に潤滑作用を付与する。この効果を得るため、硬質皮膜２０では、Ｂの原子比ｙが０．０１以上に調整されている。しかし、Ｂ含有量が過剰になると硬さが低下する。これを防止するため、硬質皮膜２０では、Ｂの原子比ｙが０．１０以下に調整されている。

Ｏは、皮膜中のＡｌと結合して硬質なＡｌ_２Ｏ_３を形成することにより硬質皮膜２０の硬さを向上させることができる。しかし、皮膜中のＯ含有量が過剰になると、皮膜の耐摩耗性が低下する。このため、硬質皮膜２０では、Ｏの原子比ｚが０．１未満に調整されている。

なお、Ｃ、Ｂ、Ｏは、いずれも硬質皮膜２０において必須の添加元素ではない。硬質皮膜２０は、Ａｌ、Ｃｒ及びＮのみを含有する皮膜であってもよいし（ｘ，ｙ，ｚ＝０）、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎ及びＣを含有する皮膜であってもよいし（ｙ，ｚ＝０）、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎ及びＢを含有する皮膜であってもよいし（ｘ，ｚ＝０）、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎ及びＯを含有する皮膜であってもよいし（ｘ，ｙ＝０）、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎ、Ｃ及びＢを含有する皮膜であってもよいし（ｚ＝０）、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎ、Ｃ及びＯを含有する皮膜であってもよいし（ｙ＝０）、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎ、Ｂ及びＯを含有する皮膜であってもよいし（ｘ＝０）、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎ、Ｃ、Ｂ及びＯを含有する皮膜であってもよい。

［硬質皮膜の製造方法］
次に、上記硬質皮膜２０の製造方法について、図４のフローチャートに沿って説明する。図５は、硬質皮膜２０の成膜に使用される成膜装置２を平面視した模式図である。まず、成膜装置２の構成について、図５を主に参照して説明する。

成膜装置２は、チャンバー２１と、複数（２つ）のアーク電源２２及びスパッタ電源２３と、ステージ２４と、バイアス電源２５と、複数（４つ）のヒータ２６と、放電用直流電源２７と、フィラメント加熱用交流電源２８と、を有する。チャンバー２１には、真空排気するためのガス排気口２１Ａと、チャンバー２１内にガスを供給するためのガス供給口２１Ｂと、が設けられている。アーク電源２２の負バイアス側がアーク蒸発源（ターゲット）２２Ａに接続され、スパッタ電源２３の負バイアス側がスパッタ蒸発源（ターゲット）２３Ａに接続される。またアーク電源２２及びスパッタ電源２３の正バイアス側がチャンバー２１に接続されている。ステージ２４は、回転可能に構成され、成膜対象である基材１１を支持するための支持面を有する。バイアス電源２５は、ステージ２４を通して基材１１に負バイアスを印加する。

また図６に示すように、成膜装置２は、カソードであるターゲット２２Ａの近傍に配置された１つの磁場発生部材４２を備えている。磁場発生部材４２は、例えば電磁コイル又は永久磁石であり、チャンバー２１の外の大気側に配置されている。これにより、ターゲット２２Ａの放電面２２Ｂに対して垂直な方向に、ターゲット２２Ａから基材１１に向かって伸びるように磁場Ｍを発生させることができる。また図７に示すように、カソード冷却面２２Ｃよりも基材１１側においてターゲット２２Ａを挟むように２つの磁場発生部材４２を配置してもよい。なお、磁場発生部材４２は、３つ以上配置されていてもよい。

次に、上記成膜装置２を用いて実施される硬質皮膜２０の製造方法について説明する。まず、基材１１をステージ２４上に設置する工程Ｓ１０が実施される。この工程Ｓ１０では、まず、基材１１をエタノールなどの洗浄液を用いて洗浄する。そして、洗浄後の基材１１をチャンバー２１内に導入し、ステージ２４上に設置する。

次に、ターゲット２２Ａを設置する工程Ｓ２０が実施される。この工程Ｓ２０では、成膜すべき硬質皮膜２０の成分組成（０．７０＜ｍ≦０．８５）を有するＡｌＣｒターゲットを準備し、これをカソードとして作用させるべく、アーク電源２２の負バイアス側に接続する。またＢを含有する硬質皮膜２０を成膜する場合には、ＡｌＣｒＢターゲットを準備し、同様にこれを設置する。

ターゲット２２Ａにおいては、Ｃｒの平均粒径は、１５０μｍ未満であり、好ましくは１２０μｍ未満であり、より好ましくは１００μｍ未満である。またＡｌの平均粒径は、１２０μｍ未満であり、好ましくは１１０μｍ未満であり、より好ましくは１００μｍ未満である。Ｃｒ及びＡｌの平均粒径を小さくすることで、ターゲット２２Ａの放電面２２Ｂにおいて均一に放電を起こすことができる。このため、基材１１に到達する荷電粒子の濃度の揺らぎが小さくなり、安定した結晶成長が可能になる。一方で、Ｃｒ及びＡｌの平均粒径が小さくなり過ぎると、粉末を固化する際に金属間化合物が生成し易くなる。これを防ぐため、Ｃｒ及びＡｌの平均粒径は、いずれも１０μｍ以上であり、２０μｍ以上であることが好ましく、３０μｍ以上であることがより好ましい。

次に、基材１１をエッチングする工程Ｓ３０が実施される。この工程Ｓ３０では、まず、ガス排気口２１Ａよりチャンバー２１内が所定の圧力まで減圧され、真空状態とされる。次に、ガス供給口２１ＢからＡｒガスがチャンバー２１内に導入され、ヒータ２６により基材１１が所定の温度に加熱される。そして、基材１１の表面がＡｒイオンにより所定時間エッチングされる。これにより、基材１１の表面に形成された酸化皮膜などが除去される。なお、この工程Ｓ３０は、本発明の硬質皮膜の製造方法において必須の工程ではなく、省略されてもよい。

次に、硬質皮膜２０を成膜する工程Ｓ４０が実施される。この工程Ｓ４０では、ガス供給口２１ＢからＮ_２ガスを導入することにより、チャンバー２１内が所定の成膜圧力に調整される。そして、所定のアーク電流を流すことでターゲット２２Ａを蒸発させると共に、ステージ２４を所定の回転速度で回転させる。これにより、蒸発したターゲット材料が基材１１の表面に堆積し、基材１１の表面に硬質皮膜２０が成膜される。

なお、Ｃ，Ｏの元素を含有する硬質皮膜２０を成膜する場合には、メタンやアセチレンなどの炭化水素ガス、酸素ガスや水蒸気などの含酸素ガスがチャンバー２１内に導入され、この状態で成膜が行われる。またＢを含有する硬質皮膜２０を成膜する場合であって、ターゲット２２ＡにＢを含有させない場合には、フッ化ホウ素（ＢＦ_３）ガスがチャンバー２１内に導入されてもよい。

この工程Ｓ４０では、バイアス電源２５によってステージ２４から基材１１に所定のバイアス電圧Ｖが印加された状態で硬質皮膜２０が成膜される。具体的には、ステージ２４から基材１１に印加するバイアス電圧Ｖの上限値は、Ｖ≦−１４２９ｍ＋９４０．３であり、Ｖ≦−１５５６ｍ＋１０２２．６であることが好ましく、Ｖ≦−１６００ｍ＋１０５３．４であることがより好ましく、Ｖ≦−１６６５ｍ＋１０９８．９であることがさらに好ましい。またバイアス電圧Ｖの下限値は、−３１６≦Ｖであり、−３１０≦Ｖであることが好ましく、−３００≦Ｖであることがより好ましい。なお、バイアス電圧Ｖは、直流電圧であってもよいし、交流電圧であってもよい。

図８は、硬質皮膜２０におけるＡｌの原子比ｍ（横軸）と、基材１１に印加するバイアス電圧Ｖ（縦軸）との関係を示すグラフである。図８のグラフ中、（１）がバイアス電圧Ｖの上限を示すＶ＝−１４２９ｍ＋９４０．３の直線であり、（１）’がＶ＝−１５５６ｍ＋１０２２．６の直線であり、（１）’’がＶ＝−１６００ｍ＋１０５３．４の直線であり、（１）’’’がＶ＝−１６６５ｍ＋１０９８．９の直線である。また（２）がバイアス電圧Ｖの下限を示すＶ＝−３１６の直線であり、（２）’がＶ＝−３１０Ｖの直線であり、（２）’’がＶ＝−３００Ｖの直線である。

本実施形態では、図８のグラフにおいて、直線（１）、直線（２）、ｍ＝０．７の直線及びｍ＝０．８５の直線により囲まれる領域内の条件（図中丸印）によって硬質皮膜２０の成膜が行われる。また、直線（１）’、直線（２）’、ｍ＝０．７の直線及びｍ＝０．８５の直線により囲まれる領域内の条件がより好ましく、直線（１）’’、直線（２）’’、ｍ＝０．７の直線及びｍ＝０．８４５の直線により囲まれる領域内の条件がさらに好ましく、直線（１）’’’、直線（２）’’、ｍ＝０．７の直線及びｍ＝０．８４の直線により囲まれる領域内の条件が一層好ましい。これにより、ターゲット２２Ａから蒸発して基材１１に入射する荷電粒子を、基材１１の近傍に形成される電位勾配によって加速し、エネルギーを付与することができる。このような高エネルギーの荷電粒子を基材１１に衝突させ、且つスパッタリングによってさらに皮膜表面のエネルギーを高めることにより、エネルギー的に安定な六方晶が生成せず、準安定相である微細な立方晶が生成する。その結果、Ｈ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満であり且つ硬さＨが２０ＧＰａ以上に調整された硬質皮膜２０を成膜することができる。

また図６及び図７に示すように、この工程Ｓ４０では、磁場発生部材４２により、放電面２２Ｂに対して垂直な方向に、ターゲット２２Ａから基材１１に向かって伸びる磁場Ｍを発生させた状態で硬質皮膜２０が成膜される。これにより、放電が安定して持続するようになり、発生するプラズマ（イオン、電子）の揺らぎが少なく均一化される。そして、放電面２２Ｂに対して垂直に延びる磁場Ｍ（磁力線）によって発生したプラズマが基材１１に到達し易くなり、安定した成膜が可能になる。これにより、硬質皮膜２０の安定且つ均一な形成が可能となり、微細化された立方晶構造を有する硬質皮膜２０を成膜することができる。特に、図７に示すように、カソード冷却面２２Ｃよりも基材１１側に磁場発生部材４２（永久磁石又は電磁コイル）を配置することで、ターゲット２２Ａの放電面２２Ｂに垂直な磁場Ｍをより容易に発生させることができる。

（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２に係る硬質皮膜被覆部材である金型５０について、図９を参照して説明する。図９は、金型５０において被プレス部材である鋼板６０が設置された状態を示している。

金型５０は、例えば鋼板６０の熱間成形に用いられる金型であって、上下方向に互いに離間して配置された上金型５１（第１金型）及び下金型５２（第２金型）を有している。上金型５１は凸部５３を有し、下金型５２には凸部５３に沿った形状の凹部５４が形成されている。上金型５１及び下金型５２は、不図示の駆動源からの駆動力により互いに接近する方向又は互いに離間する方向に移動可能に構成されている。図９に示すように、加熱された鋼板６０が下金型５２の成形面上に設置された状態で上金型５１を下降させ、凸部５３によって鋼板６０をプレスすることにより、鋼板６０を下金型５２の凹部５４に沿った形状に成形することができる。なお、熱間成形加工に限定されず、冷間成形加工が行われてもよい。

上金型５１及び下金型５２の各々は、金型の本体部分を構成する基材５５，５８と、ＰＶＤによって基材５５，５８の表面にコーティングされた硬質皮膜５６，５７と、を有している。この硬質皮膜５６，５７は、上記実施形態１と同様に、Ａｌ_ｍＣｒ_１−ｍＮ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｃ_ｘＢ_ｙＯ_ｚ（０．７０＜ｍ≦０．８５）の組成式からなり、Ｈ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満で且つ硬さＨが２０ＧＰａ以上の範囲に調整された耐摩耗性に優れたものとなっている。このため、上記実施形態１で例示した切削工具だけでなく、金型５０のような塑性加工用治工具においても優れた耐摩耗性の効果を発現することができる。なお、金型５０は、図９に示す曲げ型に限定されず、抜き型、絞り型又は圧縮型などの他のプレス金型であってもよい。

（その他実施形態）
次に、本発明のその他実施形態について説明する。

本発明の硬質皮膜被覆部材は、切削工具や金型以外にも、耐摩耗性が要求される種々の機械部品においても適用することができる。例えば、ピストンリングやバルブなどの摺動部品にも適用することができる。

上記実施形態１において、図３に示すように基材１１と硬質皮膜２０とが直接接触する場合に限定されず、密着性向上のための下地層が基材１１と硬質皮膜２０との間に形成されてもよい。下地層としては、ＴｉＡｌＮ、ＣｒＮ又はＴｉＮなどの材料からなるものが挙げられる。

上記実施形態１において、Ｃの原子比ｘは０．０５≦ｘ＜０．５の範囲外であってもよい。またＢの原子比ｙは０．０１≦ｙ≦０．１０の範囲外であってもよい。またＯの原子比ｚはｚ＜０．１０の範囲外であってもよい。

上記実施形態１では、アークイオンプレーティングにより硬質皮膜２０を成膜する場合について説明したがこれに限定されず、例えばスパッタリングなど他の物理蒸着法によって成膜してもよい。

硬質皮膜の耐摩耗性について、本発明の効果を確認する実験を行った。

（実施例１）
［硬質皮膜の成膜］
まず、Ａｌ含有量（原子比）が異なる種々のターゲット２２Ａを準備し、且つ、基材１１に印加されるバイアス電圧（基材バイアス）Ｖを変化させて硬質皮膜２０の成膜を行った。ターゲット２２ＡのＡｌ原子比ｍ及び基材バイアスＶの条件は、下記の表１（Ｎｏ．１〜２５）に示す通りである。また成膜には、図５〜図７を参照して説明した成膜装置２を使用した。

まず、基材１１として、鏡面の超硬試験片（１３ｍｍ×１３ｍｍ×５ｍｍ厚）を準備した。そして、基材１１をエタノール中にて超音波洗浄し、チャンバー２１内に導入し、ステージ２４上にセットした。また表１に示す成分組成のＡｌＣｒからなるターゲット２２Ａを準備し、アーク電源２２のマイナス側に接続した。ターゲット２２Ａとしては、ターゲット径１００ｍｍφのものを使用した。

次に、チャンバー２１内を５×１０^−３Ｐａまで排気し、ヒータ２６により基材１１を５００℃まで加熱した後、Ａｒイオンによるエッチングを５分間行った。その後、チャンバー２１内が４Ｐａになるまで窒素ガスを導入した。そして、１５０Ａの放電電流でターゲット２２Ａを蒸発させると共にステージ２４を５ｒｐｍの回転速度で回転させることにより、基材１１の表面に硬質皮膜２０を成膜した。このとき、バイアス電源２５により基材１１に印加するバイアス電圧Ｖを、下記の表１の通り制御した。バイアス電源２５としては、直流電源を用いた。硬質皮膜２０の膜厚は、３μｍとした。

［硬さ・ヤング率の測定］
成膜後の硬質皮膜２０について、ナノインデンターを用いて硬さＨ（ＧＰａ）及びヤング率Ｅ（ＧＰａ）を測定し、Ｈ／Ｅの値を算出した。

硬さは、硬質皮膜２０が形成された超硬試験片を用いて、ナノインデンター試験により測定した。ナノインデンターによる測定には、株式会社エリオニクス製ＥＮＴ−１１００を装置として用い、インデンターにはベルコビッチ型の三角錐圧子を使用した。まず、２ｍＮ、５ｍＮ、７ｍＮ、１０ｍＮ及び２０ｍＮの５つの荷重条件で、各々５点の荷重負荷曲線を測定した。そして、ＳＡＷＡ等により提案された、装置のコンプライアンスと圧子先端形状を補正する方法（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．Ｖｏｌ．１６，Ｎｏ．１１，２００１，３０８４）によりデータの補正を行った。このようにして求められた硬さ及びヤング率からＨ／Ｅの値を算出した。

［Ｘ線回折測定］
各サンプルについて、基材１１上に形成された硬質皮膜２０の結晶性を、Ｘ線回折（ＣｕＫα線、４０ｋＶ−４０ｍＡ、θ−２θ、発散スリット１°、発散縦制限スリット１０ｍｍ、散乱スリット１°、受光スリット０．１５ｍｍ、モノクロ受光スリット０．８ｍｍ）により調査した。硬質皮膜２０における立方晶（１１１）面に基づくピークは、Ｘ線回折パターンにおいて回折角度（２θ）が３８°付近（３６〜３９°）に観測された。このピークの存在により、立方晶の生成を確認した。また当該ピークの半値幅（ＦＷＨＭ：Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）を計算により算出した。また回折角度５９°付近において六方晶由来の（１１０）面に基づくピークが認められた場合は、皮膜が完全に六方晶化していると判断した。下記の表１において、完全な六方晶化が認められた場合には、「ｈｃｐ（ｈｅｘａｇｏｎａｌ ｃｌｏｓｅ−ｐａｃｋｅｄ）」の欄に「×」印を付している。また、立方晶（１１１）面に基づくピークの位置及び半値幅（ＦＷＨＭ）により、シュラーの式（ｔ＝λ／Ｂｃｏｓθ）を用いて、結晶子サイズｔ（Å）を算出した。λはＸ線の波長（Å）、Ｂは半値幅（ラジアン）、θはピーク位置２θ（ラジアン）をそれぞれ示す。

［エロージョン率測定］
ＭＳＥ（Ｍｉｃｒｏ Ｓｌｕｒｒｙ−Ｊｅｔ Ｅｒｏｓｉｏｎ）試験により、硬質皮膜２０の耐摩耗性を確認した。硬質皮膜２０を超硬合金製の基材１１上に成膜した各サンプルについて、ＭＳＥ試験によりエロージョン率を測定し、耐摩耗性を評価した。ＭＳＥ試験は、＃８０００（平均粒径１．２μｍ）の不定形アルミナ粒子を含有するスラリー（３ｍａｓｓ％）を使用し、投射距離１０ｍｍ、投射角度９０°、投射圧力０．３９０ＭＰａ（±０．００２以内）の条件で行った。そして、一定時間スラリーを投射し、触針式粗さ計を用いて投射痕を測定することでエロージョン深さを求め、エロージョン率（μｍ／ｍｉｎ）を算出した。エロージョン率が３．０×１０^−２μｍ／ｍｉｎ以下のものを合格とした。

［考察］
上記試験の結果、Ｈ／Ｅが０．０５０未満のサンプルではエロージョン率が３．０×１０^−２μｍ／ｍｉｎを超えたのに対し、Ｈ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満で且つ硬さＨが２０ＧＰａ以上のサンプルではいずれもエロージョン率が３．０×１０^−２μｍ／ｍｉｎ以下となり、耐摩耗性が向上することが分かった。

またＡｌ含有量が０．７０＜ｍ≦０．８５の範囲では、バイアス電圧（絶対値）の低下と共にエロージョン率が悪化し、耐摩耗性に劣った。これは、皮膜表面に与えられるエネルギーが小さくなり、六方晶が生成したためであると考えられる。一方、Ａｌ含有量が高い場合（ｍ＝０．８７）では、六方晶の皮膜となり、硬さが低下するため、耐摩耗性に劣った。

また、バイアス電圧が上限（−１４２９ｍ＋９４０．３）を超える場合には、Ａｌ含有量が０．７＜ｍ≦０．８５の範囲内であっても六方晶が形成され、耐摩耗性に劣った。またバイアス電圧が下限（−３１６Ｖ）を下回る場合には、スパッタリングの作用が大きくなったため、評価可能な皮膜を形成することができなかった。図８のグラフにおいて、丸印が表１のＮｏ．１〜２５の実施例に相当し、「×」が比較例に相当する。この結果より、Ａｌ含有量が０．７＜ｍ≦０．８５の範囲内であり且つバイアス電圧Ｖが−３１６≦Ｖ≦−１４２９ｍ＋９４０．３の範囲内で成膜することにより、Ｈ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満で且つ硬さＨが２０ＧＰａ以上に調整された耐摩耗性に優れる硬質皮膜２０を成膜可能であることが分かった。

（実施例２）
Ｃ，Ｂ，Ｏの元素を含有する硬質皮膜２０を成膜した点以外は、上記実施例１と同様である。上記実施例１において、成膜中の窒素ガスに、メタン（ＣＨ_４）ガス、酸素（Ｏ）ガスを導入することにより、皮膜内にＣ、Ｏを添加した。またホウ素（Ｂ）は、ターゲット２２Ａに入れることにより添加した。Ａｌ含有量は７１ａｔ％とし、基材１１に印加するバイアス電圧は−２００Ｖとした。硬質皮膜２０の各評価方法は、上記実施例１と同様にした。試験結果を下記の表２に示す。また表２のＮｏ．１の結果を図８のグラフ中の丸印により示す。

Ｃ含有量が０．５以上になると（Ｎｏ．３）、０．５未満の場合（Ｎｏ．２）に比べてエロージョン率が高くなり、耐摩耗性に劣った。これは、皮膜のヤング率が上がり、皮膜が割れ易くなったためであると考えられる。またＢ含有量が０．１を超えると（Ｎｏ．５）、結晶粒の微細化が進行し過ぎるため、０．１以下の場合（Ｎｏ．４）に比べて硬さが低下した。また半値幅（ＦＷＨＭ）が大きくなり、結晶粒ごと脱落し易くなったため、耐摩耗性に劣った。またＯ含有量が０．１以上の場合（Ｎｏ．７）、皮膜が軟化し過ぎるため、０．１０未満の場合（Ｎｏ．６）に比べて耐摩耗性に劣った。

今回開示された実施形態及び実施例は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと解されるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなくて特許請求の範囲により示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

１０ インサート（硬質皮膜被覆部材）
１１，５５，５８ 基材
２０，５６，５７ 硬質皮膜
２４ ステージ
２２Ａ ターゲット
５０ 金型（硬質皮膜被覆部材）
Ｍ 磁場

Claims (5)

1. Ａｌ、Ｃｒ及びＮを含有する硬質皮膜であって、
   Ａｌ_ｍＣｒ_１−ｍＮ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｃ_ｘＢ_ｙＯ_ｚの組成式からなり、
   前記組成式において、ｍはＡｌ、Ｃｒの合計に対するＡｌの原子比、１−ｍはＡｌ、Ｃｒの合計に対するＣｒの原子比、１−ｘ−ｙ−ｚはＮ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＮの原子比、ｘはＮ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＣの原子比、ｙはＮ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＢの原子比、ｚはＮ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＯの原子比をそれぞれ示し、
   ０．７１＜ｍ≦０．８５の関係式が満たされており、
   ｘ＝０であり、
   前記硬質皮膜の硬さをＨ（ＧＰａ）、前記硬質皮膜のヤング率をＥ（ＧＰａ）としたときに、ヤング率に対する硬さの比であるＨ／Ｅが０．０５０以上０．０５８未満であり且つＨが２０ＧＰａ以上であり、
   立方晶岩塩型の結晶構造を有し、
   ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定において、前記立方晶岩塩型の結晶構造の（１１１）面に基づくピークの半値幅が０．２５°以上１．００°以下であることを特徴とする、硬質皮膜。
2. Ｂの原子比ｙが０．０１≦ｙ≦０．１０の関係式を満たすことを特徴とする、請求項１に記載の硬質皮膜。
3. Ｏの原子比ｚが０＜ｚ＜０．１０の関係式を満たすことを特徴とする、請求項１又は２に記載の硬質皮膜。
4. 基材と、
   前記基材の表面に形成された請求項１〜３の何れか１項に記載の硬質皮膜と、を備えた、硬質皮膜被覆部材。
5. Ａｌ_ｍＣｒ_１−ｍＮ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｃ_ｘＢ_ｙＯ_ｚの組成式からなる硬質皮膜を基材の表面に形成する硬質皮膜の製造方法であって、
   前記組成式において、ｍはＡｌ、Ｃｒの合計に対するＡｌの原子比、１−ｍはＡｌ、Ｃｒの合計に対するＣｒの原子比、１−ｘ−ｙ−ｚはＮ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＮの原子比、ｘはＮ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＣの原子比、ｙはＮ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＢの原子比、ｚはＮ、Ｃ、Ｂ、Ｏの合計に対するＯの原子比をそれぞれ示し、０．７１＜ｍ≦０．８５の関係式が満たされており、ｘ＝０であり、
   前記基材をステージ上に設置する工程と、
   前記硬質皮膜の成分組成を有するターゲットを設置する工程と、
   前記ターゲットを蒸発させることにより、前記基材の表面に前記硬質皮膜を成膜する工程と、を備え、
   前記硬質皮膜を成膜する工程では、前記ステージから前記基材に印加するバイアス電圧Ｖが、−３１６≦Ｖ≦−１４２９ｍ＋９４０．３、の関係式を満たすように、前記基材にバイアス電圧を印加しつつ前記硬質皮膜を成膜し、
   前記硬質皮膜を成膜する工程では、立方晶岩塩型の結晶構造を有し、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定において、前記立方晶岩塩型の結晶構造の（１１１）面に基づくピークの半値幅が０．２５°以上１．００°以下である前記硬質皮膜を成膜し、
   前記硬質皮膜を成膜する工程において、前記ターゲットの放電面に対して垂直な方向に磁場を発生させることを特徴とする、硬質皮膜の製造方法。

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