JP6784010B2 - 窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
窒化物半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6784010B2 JP6784010B2 JP2015169310A JP2015169310A JP6784010B2 JP 6784010 B2 JP6784010 B2 JP 6784010B2 JP 2015169310 A JP2015169310 A JP 2015169310A JP 2015169310 A JP2015169310 A JP 2015169310A JP 6784010 B2 JP6784010 B2 JP 6784010B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main surface
- nitride semiconductor
- insulating film
- plasma
- plasma treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2015−061065号公報
Claims (8)
- 窒化物半導体層の主面を酸素プラズマに曝して酸素プラズマ処理する段階と、
前記酸素プラズマ処理する段階の後に、前記酸素プラズマ処理する段階と同じチャンバ内において連続して、前記窒化物半導体層の前記主面に直接接して絶縁膜を形成する段階と
を備える、窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記酸素プラズマ処理する段階において、前記窒化物半導体層の前記主面を5分以上30分以下酸素プラズマ処理する、請求項1に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
- 前記酸素プラズマ処理する段階において、前記窒化物半導体層の前記主面を10分以上20分以下酸素プラズマ処理する、請求項1または2に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
- 前記酸素プラズマ処理する段階は、前記窒化物半導体層の前記主面を20分より長く酸素プラズマ処理する、請求項1に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を形成する段階は、前記窒化物半導体層の前記主面に直接接して酸化絶縁膜を形成する段階である
請求項1から4のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - 窒化物半導体層の主面を窒素プラズマに曝して窒素プラズマ処理することにより、前記窒化物半導体層の主面に付着した酸素原子を除去する段階と、
前記窒素プラズマ処理する段階の後に、前記窒素プラズマ処理する段階と同じチャンバ内において連続して、前記チャンバ内にSiH4を導入してSiH4を前記窒素プラズマと反応させることにより、前記窒化物半導体層における、酸素原子が除去された前記主面に直接接して窒化絶縁膜を形成する段階と
を備える、窒化物半導体装置の製造方法。 - 前記窒化物半導体層の前記主面は、窒化ガリウムのm面である
請求項1から6のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。 - 窒化物半導体層の主面をプラズマ処理する段階と、
前記プラズマ処理する段階の後に、前記窒化物半導体層の前記主面に直接接して絶縁膜を形成する段階と
を備え、
前記主面は、ゲート構造を含む活性部と前記活性部を囲む周辺部とを有し、
前記活性部を前記プラズマ処理する段階と前記周辺部を前記プラズマ処理する段階とは異なるタイミングで行われ、
前記活性部を前記プラズマ処理する時間は、前記周辺部を前記プラズマ処理する時間よりも長い
窒化物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015169310A JP6784010B2 (ja) | 2015-08-28 | 2015-08-28 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015169310A JP6784010B2 (ja) | 2015-08-28 | 2015-08-28 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017045943A JP2017045943A (ja) | 2017-03-02 |
JP6784010B2 true JP6784010B2 (ja) | 2020-11-11 |
Family
ID=58211830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015169310A Active JP6784010B2 (ja) | 2015-08-28 | 2015-08-28 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6784010B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6281653B1 (ja) * | 2017-04-20 | 2018-02-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP7119350B2 (ja) * | 2017-11-22 | 2022-08-17 | 富士電機株式会社 | 縦型GaN系半導体装置の製造方法および縦型GaN系半導体装置 |
JP7161096B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP7396922B2 (ja) * | 2020-02-13 | 2023-12-12 | 株式会社デンソー | 窒化物半導体装置の製造方法 |
JP7276247B2 (ja) * | 2020-05-22 | 2023-05-18 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4911027B1 (ja) * | 1968-07-31 | 1974-03-14 | ||
JP2003257964A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-12 | Stanley Electric Co Ltd | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
JP5134265B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2013-01-30 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置とその製造方法 |
JP2009032796A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法 |
JP5025591B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2012-09-12 | 親夫 木村 | 薄膜半導体層の形成方法 |
JP2011228428A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体からなる半導体装置およびその製造方法、電力変換装置 |
JP5691259B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2015-04-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US8633094B2 (en) * | 2011-12-01 | 2014-01-21 | Power Integrations, Inc. | GaN high voltage HFET with passivation plus gate dielectric multilayer structure |
JP2015019014A (ja) * | 2013-07-12 | 2015-01-29 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2015056637A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9076651B1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-07-07 | Intermolecular, Inc. | Gate stacks and ohmic contacts for SiC devices |
-
2015
- 2015-08-28 JP JP2015169310A patent/JP6784010B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017045943A (ja) | 2017-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6784010B2 (ja) | 窒化物半導体装置の製造方法 | |
US11676812B2 (en) | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions | |
US11610775B2 (en) | Method and apparatus for filling a gap | |
US9478415B2 (en) | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth | |
JP6920068B2 (ja) | トレンチの側壁又は平坦面に選択的に窒化ケイ素膜を形成する方法 | |
KR20210028093A (ko) | 유전체 층을 포함하는 구조체 및 이를 형성하는 방법 | |
KR102384484B1 (ko) | 펄싱된 플라즈마 노출을 사용하여 플라즈마 강화된 원자층 증착 | |
KR102054355B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR101369993B1 (ko) | 낮은 에너지를 가지며 많은 양의 비소, 인, 및 붕소 주입된 웨이퍼의 안전한 핸들링 | |
JP6106908B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR102080114B1 (ko) | 질화막의 제조방법 | |
JP6809330B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6011620B2 (ja) | トランジスタの製造方法 | |
JP2012104735A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2017168470A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP7056408B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体装置および窒化ガリウム系半導体装置の製造方法 | |
JP7233173B2 (ja) | トレンチの側壁又は平坦面上に選択的に窒化ケイ素膜を形成する方法 | |
US9966447B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device | |
KR20210011436A (ko) | 펄스형 플라즈마 증착 에칭 스텝 커버리지 개선 | |
JP7130986B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US11830915B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
JP7498464B2 (ja) | 窒化物半導体装置の製造方法及び窒化物半導体装置 | |
CN111527585A (zh) | 包括一种原子层沉积顺序的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180712 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200721 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200923 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201006 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6784010 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |