JP2015056637A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】GaN系半導体を用いた、信頼性の向上する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、表面がm面またはa面に対し0度以上5度以下の角度を有するGaN系半導体層12と、表面に設けられ、第1の端部を有する第1の電極14と、第1の電極14と離間して表面に設けられ、第1の端部と対向する第2の端部を有し、第1の端部の任意の点と、第2の端部の任意の点とを結ぶ線分の向きが、GaN系半導体層のc軸方向と異なる第2の電極16と、を備える。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
高い絶縁破壊強度を備え、電力損失を低減できるGaN系半導体装置は、パワーエレクトロニクス用半導体装置、もしくは、高周波パワー半導体装置などへの応用が期待されている。しかし、GaN系半導体装置には、電流コラプス等、解決すべき信頼性上の課題も多い。
A.Ishida and Y.Inuishi,"Studies of Acoustic Domain Formation in Semiconducting CdS",J.Phys.Soc.Japan 25 (1968)443.
本発明が解決しようとする課題は、GaN系半導体を用いた、信頼性の向上する半導体装置を提供することにある。
実施形態の半導体装置は、、表面がm面またはa面に対し0度以上5度以下の角度を有するGaN系半導体層と、上記表面に設けられ、第1の端部を有する第1の電極と、第1の電極と離間して上記表面に設けられ、第1の端部と対向する第2の端部を有し、第1の端部の任意の点と、第2の端部の任意の点とを結ぶ線分の向きが、GaN系半導体層のc軸方向と異なる第2の電極と、を備える。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。
本明細書中、「GaN系半導体」とは、GaN(窒化ガリウム)、AlN(窒化アルミニウム)、InN(窒化インジウム)およびそれらの中間組成を備える半導体の総称である。また、本明細書中、AlGaNとは、AlxGa1−xN(0<x<1)の組成式で表される半導体を意味する。
(第1の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、、表面がm面またはa面に対し0度以上5度以下の角度を有するGaN系半導体層と、上記表面に設けられ、第1の端部を有する第1の電極と、第1の電極と離間して上記表面に設けられ、第1の端部と対向する第2の端部を有し、第1の端部の任意の点と、第2の端部の任意の点とを結ぶ線分の向きが、GaN系半導体層のc軸方向と異なるよう配置される第2の電極と、を備える。
本実施形態の半導体装置は、、表面がm面またはa面に対し0度以上5度以下の角度を有するGaN系半導体層と、上記表面に設けられ、第1の端部を有する第1の電極と、第1の電極と離間して上記表面に設けられ、第1の端部と対向する第2の端部を有し、第1の端部の任意の点と、第2の端部の任意の点とを結ぶ線分の向きが、GaN系半導体層のc軸方向と異なるよう配置される第2の電極と、を備える。
図1は、本実施形態の半導体装置の模式図である。図1(a)は模式上面図、図1(b)は図1(a)のAA断面図である。本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)である。
本実施形態の半導体装置は、基板10、GaN系半導体層12、ソース電極(第1の電極)14、ドレイン電極(第2の電極)16、ゲート電極(第3の電極)18、素子分離領域20、活性領域(素子領域)22を備える。
基板10は、例えば、GaNである。基板10は、GaNの他にも、酸化ガリウム、SiC、Si、サファイア等の基板を用いることが可能である。
基板10上にGaN系半導体層12が設けられる。GaN系半導体層12の表面は、m面またはa面に対し0度以上5度以下の角度を備える。表面の平坦性、製造の容易性から、GaN系半導体層の表面は、m面またはa面に対し0度以上1度以下の角度を備えることが望ましく、0度以上0.3度以下の角度を備えることがより望ましい。
図2は、GaN系半導体の結晶構造を示す図である。GaN系半導体の結晶構造は、六方晶系で近似することが可能である。六角柱の軸方向に沿うc軸を法線とする面(六角柱の頂面)がc面すなわち(0001)面である。GaN系半導体では、分極方向がc軸に沿っている。このため、c面は極性面と称される。
一方、六角柱の側面(柱面)が、(1−100)面と等価な面であるm面、すなわち{1−100}面である。また、隣り合わない一対の稜線を通る面が(11−20)面と等価な面であるa面、すなわち{11−20}面である。m面およびa面は、非極性面と称される。
以下、GaN系半導体層12の表面がm面である場合を例に説明する。表面が同じ非極性面であるa面の場合も以下と同様の議論が成立する。
GaN系半導体層12は、基板10側から、バッファ層12a、GaN層12b、AlGaN層12cで構成される。AlGaN層12cの表面がm面である。
バッファ層12aは、基板10とGaN系半導体層12との格子不整合を緩和する機能を備える。バッファ層12aは、例えば、AlGaNとGaNの多層構造で形成される。
GaN層12bは、いわゆる、動作層(チャネル層)、AlGaN層12cは、いわゆる障壁層(電子供給層)である。AlGaN層12cには、例えば、AlxGa1−xN(0<x<0.3)の組成式で表される半導体が用いられる。
AlGaN層12cの表面に、ソース電極(第1の電極)14が設けられる。そして、AlGaN層12cの表面に、ソース電極(第1の電極)14と離間してドレイン電極(第2の電極)16が設けられる。ソース電極(第1の電極)14とドレイン電極(第2の電極)16との間にゲート電極(第3の電極)18が設けられる。
ソース電極14、ドレイン電極16、ゲート電極18は、例えば、金属電極である。金属電極は、例えば、アルミニウム(Al)を主成分とする電極である。ソース電極(第1の電極)14およびドレイン電極(第2の電極)16と、GaN系半導体層12との接触は、オーミック接触(オーミックコンタクト)であることが望ましい。
GaN系半導体層12には、素子分離領域20が設けられる。素子分離領域12は、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁体である。素子分離領域20に囲まれるGaN系半導体層12が活性領域(素子領域)22である。
素子分離領域20は、例えば、GaN系半導体層12に不純物を導入することによって形成してもかまわない。あるいは、メサ構造であってもかまわない。あるいは、GaN系半導体層12に表面に絶縁体をパターニングすることによって形成してもかまわない。
図3は、本実施形態の半導体装置の電極配置の説明図である。ソース電極(第1の電極)14のドレイン電極(第2の電極)16に対向する第1の端部の任意の点と、ドレイン電極(第2の電極)16のソース電極(第1の電極)14に対向する第2の端部の任意の点とを結ぶ線分の向きが、いずれもGaN系半導体層12のc軸方向と異なる。図3には、上記線分の例示として、5本の点線を示している。
本実施形態では、第1の端部と第2の端部が平行である。また、第1の端部と第2の端部がc軸方向に対して平行である。
なお、本実施形態において、第1の端部および第2の端部は、ソース電極(第1の電極)14およびドレイン電極(第2の電極)16が、活性領域(素子領域)22と、交差する領域の端部を意味する。すなわち、デバイスの動作に寄与する領域の端部を意味するものとする。
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例について説明する。以下の製造方法の説明では図1を参照する。
例えば、m面である(1−100)面を表面とするGaN基板を準備する。GaN基板は基板10の一例である。
GaN基板は、ナトリウムフラックス法などの液相成長や、アモノサーマル法などの融液成長法を用いて、バルクGaNのインゴットを作製し、このインゴットからm面が表面となるよう切り出すことで準備される。基板10上に、エピタキシャル成長法により(1−100)面に平行な成長モードで、バッファ層12a、GaN層12b、AlGaN層12cを連続して成膜し、GaN系半導体層12を形成する。
基板10には、GaNの他にも、酸化ガリウム、SiC、Si、サファイア等の基板を用いることが可能である。SiC基板やサファイア基板を用いる場合、基板10上に表面がm面のGaN系半導体層12をエピタキシャル成長させるためには、SiC基板やサファイア基板の表面の面方位も、m面であることが望ましい。ただし、r面サファイア基板上にはa面GaNが成長するという事例もあることから、成長条件によっては必ずしも成長用表面がm面であることが必須とはならない。
GaN系半導体層12は、例えば、MOCVD(有機金属化学気相堆積)装置により、III族元素源となるTMG(トリメチルガリウム)またはTMA(トリメチルアルミニュウム)、キャリアガスとして窒素ガスもしくは水素ガスとV族元素源であるアンモニア(NH3)ガスを使用して形成する。
バッファ層12として、GaN基板上に、例えば、厚さ9nmのAlGaN層と、厚さ9nmのGaN層を交互に積層し、厚さ200nmのAlGaN/GaN構造を形成する。バッファ層の形成方法としては、他にも各層の厚さを順次厚く、あるいは薄くなるように変化させたり、上記のように一定間隔で数百層積層したり、あるいは一定間隔に異なる厚さの層を挿入するなど、さまざまな方法がある。これらの方法の中から、格子不整合を抑制するための適切な方法を選択すればよい。
バッファ層12a上には、GaN層12bとして、例えば、厚さ1500nmのGaNを堆積する。GaN層12b上には、AlGaN層12cとして、例えば、厚さ30nmのAlGaNを電子供給層として形成する。AlGaN層12cには二次元電子を発生するために、例えば、不純物としてSiを、1×1018atoms/cm3程度ドーピングする。
GaN系半導体層12が形成された後、公知のフォトリソグラフィ技術により、ソース電極14およびドレイン電極16を形成すべき領域に開口部を備えるフォトレジストを形成する。そして、ソース電極14およびドレイン電極16の材料として用いられる電極材料を、AlGaN層12cの上面にスパッタする。
その後、フォトレジストが除去されることにより、電極材料の不要部分(ソース電極14およびドレイン電極16以外の部分)がフォトレジストとともにリフトオフされる。これらの工程により、ソース電極14およびドレイン電極16が形成される。
ソース電極14およびドレイン電極16が形成された後には、アニール処理を行う。アニール処理により、ソース電極14およびドレイン電極16とAlGaN層12cとが電気的に接続される。
次に、公知のフォトリソグラフィ技術により、ゲート電極18を形成すべき領域に開口部を備えるフォトレジストを形成する。そして、ゲート電極18の材料として用いられる電極材料が、AlGaN層12cの上面にスパッタする。
その後、フォトレジストが除去されることにより、電極材料の不要部分(ゲート電極18以外の部分)がフォトレジストとともにリフトオフされる。これらの工程により、ゲート電極18が形成される。
なお、ゲート電極18の形成に先立ち、必要に応じてソース電極14およびドレイン電極16が形成された表面にゲート絶縁膜として、誘電体を形成しても良い。誘電体は、SiO2、SiN、AlNなど、所望するゲート電極特性が得られる材料であれば良い。誘電体や、たとえば、PECVD法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition:プラズマ化学気相成長法)、LPCVD法(Low pressure chemical vapor deposition:減圧化学気相成長法)、ECR(Electron Cyclotron Resonance:電子サイクロトロン共鳴)スパッタ法などにより堆積される。
以上の製造方法により、図1に示す構造の半導体装置を製造することができる。
以下、本実施形態の半導体装置の作用・効果について説明する。図4および図5は、本実施形態の半導体装置の作用・効果の説明図である。
GaNなどの圧電半導体では、超音波束が試料の一部に局所的に発生して、いわゆる音響ドメインを形成する。これは、m面またはa面表面に、分極方向に平行な電界が印加されるように、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極が形成されると生じる現象である。
このため、c軸方向に垂直な電極パターンが形成されていると、GaN半導体では一般的に電子のドリフト速度は音速よりも大きいため、電界の形成されているソース電極とドレイン電極間に超音波増幅による共振現象が発生するおそれがある。そして、共振現象が発生すると、圧電ポテンシャル波の底に電子がトラップされ、電流飽和が発生する。
超音波増幅が生じた場所では電流飽和が起こり、見かけ上この領域の抵抗が高くなってしまう。したがって、試料に一定電圧を加えた状態では、この領域に電界が集中することになり、高電界ドメインができあがる。すなわち、共振現象とともに電界集中が生じ、この状態が続くと最終的には試料は絶縁破壊したり、結晶そのものを破壊したりするおそれがある。
超音波増幅による共振現象は、結晶中の熱雑音超音波が試料内で局所的に増幅されるために起こるとして、次のように説明することができる。圧電半導体中に超音波を伝搬させると、音波は圧電性のために伝導帯の底に図4のようなポテンシャルの波を作る。そして、電子はこのポテンシャルの谷に捕えられる。超音波の伝搬方向と同じ方向に電界を加えて電子を加速し、電子のドリフト速度(図中Vd)がこのポテンシャル波の伝搬速度(音速:図中Vs)を越すと、電子のエネルギーが音波系に流れ、超音波が増幅されてポテンシャルの谷はさらに深くなる。GaNの圧電定数を比較すると、|e33|>|e15|の関係がある。したがって、同じ大きさの電界を加えた場合には、自発分極に並行に加えた方が、垂直に加えるよりも、より大きな応力が発生する。また、自発分極に並行に電界を加えた場合には伸縮ひずみが発生し、大きな体積変化を伴う。一方、自発分極に垂直に電界を加えた場合にはすべり歪が発生し、体積変化は比較的小さい。変形ポテンシャルは体積変化に比例する。したがって自発分極に並行に電界を加えた方が、より大きな振幅のポテンシャル変化が発生する。
谷の深さが電子の熱エネルギーより小さいときは、電子はこの谷から自由にとび出すことができる。したがって、電気伝導は影響を受けずオーミック性は保たれる。しかし、超音波がどんどん増幅されて、谷の深さが熱エネルギーより充分大きくなると、電子はもはやこの谷からとび出すことができなくなって、超音波とともに音速で移動することになる。
このようにして電流飽和が起こる。そして、試料に何らかの不均一性があって、ある領域が他の部分より超音波増幅が起こりやすくなっているとする。そうすると、電流飽和はこの領域だけで起こり、見かけ上、この領域の電気抗抵を高くする。したがって、試料に一定電圧を加えた状態では、この領域に電界が集中することになり、高電界ドメインができあがる。すなわち、共振現象とともに電界集中が発生し、この状態が続くと最終的には試料は絶縁破壊を生じたり、結晶そのものの破壊が発生したりするおそれがある。
図5は各種半導体における電界と電子のドリフト速度の関係をしめす。ソースとドレイン間距離が20um程度の標準的な回路寸法では、100kV/cm程度の電界となる。電子のドリフト速度は2x107cm/sである。GaNの音速は6.6x105cm/sであり、電子のドリフト速度は音速よりも大きい。このため、上述した超音波増幅による共振現象が、GaN系半導体で発生しうることがわかる。
さらに、c面ではソース電極、ドレイン電極間が並行であれば、どの方向でもこの現象は生じてしまう。
このように、GaN系半導体では圧電性を示さない非極性面となる結晶面たとえばm面やa面を使用した構造を用いるにしても、極性面であるc面を使用した構造を用いるにしても、圧電半導体としての特徴に配慮しない構造では、その高い移動度を生かすことは難しい。
本実施形態では、ソース電極(第1の電極)14のドレイン電極(第2の電極)16に対向する第1の端部の任意の点と、ドレイン電極(第2の電極)16のソース電極(第1の電極)14に対向する第2の端部の任意の点とを結ぶ線分の向きが、GaN系半導体層12のc軸方向と異なる。このため、ソース電極(第1の電極)14とドレイン電極(第2の電極)16の間に印加される電界の方向が、c軸方向と異なる。したがって、超音波増幅が生じにくく、超音波増幅による共振現象は発生し難い。
なお、本実施形態において、超音波増幅を抑制する観点からは、ゲート電極18あるいはその端部は、第1の端部または第2の端部と平行でなくともよい。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上する半導体装置が実現される。
(第2の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、第1の端部と第2の端部がc軸方向に対して平行でないこと以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第1の端部と第2の端部がc軸方向に対して平行でないこと以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図6は、本実施形態の半導体装置の模式上面図である。図7は、本実施形態の半導体装置の電極配置の説明図である。ソース電極(第1の電極)14のドレイン電極(第2の電極)16に対向する第1の端部の任意の点と、ドレイン電極(第2の電極)16のソース電極(第1の電極)14に対向する第2の端部の任意の点とを結ぶ線分の向きが、GaN系半導体層12のc軸方向と異なる。図7には、上記線分の例示として、5本の点線を示している。
本実施形態では、第1の端部と第2の端部が平行である。また、第1の端部と第2の端部がc軸方向に対して平行でない。すなわち、第1の端部と第2の端部がc軸方向に対して斜行している。
本実施形態においても、ソース電極(第1の電極)14とドレイン電極(第2の電極)16の間に印加される電界の方向が、c軸方向と異なる。したがって、超音波増幅が生じにくく、超音波増幅による共振現象は発生し難い。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するトランジスタが実現される。
(第3の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、第3の電極を備えないダイオードであること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第3の電極を備えないダイオードであること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図8は、本実施形態の半導体装置の模式図である。図8(a)は模式上面図、図8(b)は図8(a)のAA断面図である。本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体を用いたショットキーバリアダイオード(SBT)である。
本実施形態の半導体装置は、基板10、GaN系半導体層12、アノード電極(第1の電極)24、カソード電極(第2の電極)26、素子分離領域20、活性領域(素子領域)22を備える。アノード電極(第1の電極)24とカソード電極(第2の電極)26、GaN系半導体層12との接触の一方が、ショットキー接触、他方がオーミック接触となっている。
アノード電極(第1の電極)24とカソード電極(第2の電極)26に対向する第1の端部の任意の点と、カソード電極(第2の電極)26のアノード電極(第1の電極)24に対向する第2の端部の任意の点とを結ぶ線分の向きが、GaN系半導体層12のc軸方向と一致しない。
本実施形態では、第1の端部と第2の端部が平行である。また、第1の端部と第2の端部がc軸方向に対して平行である。
本実施形態において、アノード電極(第1の電極)24とカソード電極(第2の電極)26の間に印加される電界の方向が、c軸方向と異なる。したがって、超音波増幅が生じにくく、超音波増幅による共振現象は発生し難い。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するダイオードが実現される。
(第4の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、第1の端部と第2の端部がc軸方向に対して平行でないこと以外は、第3の実施形態と同様である。したがって、第3の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第1の端部と第2の端部がc軸方向に対して平行でないこと以外は、第3の実施形態と同様である。したがって、第3の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図9は、本実施形態の半導体装置の模式上面図である。アノード電極(第1の電極)24とカソード電極(第2の電極)26に対向する第1の端部の任意の点と、カソード電極(第2の電極)26のアノード電極(第1の電極)24に対向する第2の端部の任意の点とを結ぶ線分の向きが、GaN系半導体層12のc軸方向と異なる。
本実施形態では、第1の端部と第2の端部が平行である。また、第1の端部と第2の端部がc軸方向に対して平行でない。
本実施形態においても、アノード電極(第1の電極)24とカソード電極(第2の電極)26の間に印加される電界の方向が、c軸方向と異なる。したがって、超音波増幅が生じにくく、超音波増幅による共振現象は発生し難い。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するダイオードが実現される。
(第5の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、ゲート電極(第3の電極)がリセス構造を備えること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、ゲート電極(第3の電極)がリセス構造を備えること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図10は、本実施形態の半導体装置の模式図である。図10(a)は模式上面図、図10(b)は図10(a)のAA断面図である。
本実施形態の半導体装置は、ゲート電極(第3の電極)18が、GaN系半導体層12内に設けられるリセス構造を備える。ゲート電極(第3の電極)18の下端は、例えば、GaN層12bに達している。
本実施形態の半導体装置を製造する際は、公知のフォトリソグラフィ技術により、ゲート電極18を形成すべき領域に開口部を備えるフォトレジストを形成する。その後、AlGaN層12cを選択的にエッチングする。そして、ゲート電極18の材料として用いられる電極材料をスパッタする。その他の工程は、第1の実施形態と同様である。
以上、本実施形態によれば、第1の実施形態同様の信頼性の向上に加え、ノーマリオフ化が容易なトランジスタが実現される。
なお、ゲート電極(第3の電極)18の下端が、GaN層12bに達しない構造とすることも可能である。
(第6の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層12が、p型GaN層を備えること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層12が、p型GaN層を備えること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図11は、本実施形態の半導体装置の模式図である。図11(a)は模式上面図、図11(b)は図11(a)のAA断面図である。
本実施形態の半導体装置において、GaN系半導体層12は、基板10側から、バッファ層12a、GaN層12b、AlGaN層12c、p型GaN層12dで構成される。p型GaN層12dは、p型不純物として、例えば、Mg(マグネシウム)が1×1020atoms/cm3程度ドーピングされている。
p型GaN層12dは、AlGaN層12cの表面保護層として機能し、半導体装置の特性を安定化させる。
以上、本実施形態によれば、第1の実施形態同様の信頼性の向上に加え、特性の安定したトランジスタが実現される。
(第7の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層と、GaN系半導体層の表面に設けられ、第1の端部を有する第1の電極と、第1の電極と離間して上記表面に設けられ、第1の端部と対向する第1の端部と平行でない第2の端部を有する第2の電極と、を備える。すなわち、第1の電極の第1の端部と、第2の電極の第2の端部が非平行である。
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層と、GaN系半導体層の表面に設けられ、第1の端部を有する第1の電極と、第1の電極と離間して上記表面に設けられ、第1の端部と対向する第1の端部と平行でない第2の端部を有する第2の電極と、を備える。すなわち、第1の電極の第1の端部と、第2の電極の第2の端部が非平行である。
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層の表面がc面であること、電極の配置パターンが異なること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図12は、本実施形態の半導体装置の模式図である。図12(a)は模式上面図、図12(b)は図12(a)のAA断面図である。本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)である。
GaN系半導体層12の表面は、c面に対し0度以上5度以下の角度を備える。表面の平坦性、製造の容易性から、GaN系半導体層の表面は、c面に対し0度以上1度以下の角度を備えることが望ましく、0度以上0.3度以下の角度を備えることがより望ましい。
図13は、本実施形態の半導体装置の電極配置の説明図である。ソース電極(第1の電極)14のドレイン電極(第2の電極)16に対向する第1の端部と、ドレイン電極(第2の電極)16のソース電極(第1の電極)14に対向する第2の端部が平行でない。そして、第1の端部および第2の端部が直線状である。
なお、本実施形態において、第1の端部および第2の端部は、ソース電極(第1の電極)14およびドレイン電極(第2の電極)16が、活性領域(素子領域)22と、交差する領域の端部を意味する。すなわち、デバイスの動作に寄与する領域の端部を意味するものとする。
超音波増幅は共振現象である。このため、第1の端部と第2の端部が平行でない場合、すなわち、距離が一定でない場合、例え表面がc面であっても、電界下における反射波のフェーズが一致せず、共振現象は発生しにくい。したがって、電界集中による絶縁破壊や結晶の破壊も生じにくい。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するトランジスタが実現される。
ゲート電極(第3の電極)18の形状は、特に限定されるものではない。また、c面にかえてm面またはa面上に本実施形態の電極配置パターンを適用することも可能である。
なお、ソース電極(第1の電極)14およびドレイン電極(第2の電極)16と、GaN系半導体層12との接触は、オーミック接触であることが望ましい。
(第8の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、第1の端部または第2の端部が階段状であること以外は、第7の実施形態と同様である。したがって、第7の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第1の端部または第2の端部が階段状であること以外は、第7の実施形態と同様である。したがって、第7の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図14は、本実施形態の半導体装置の模式上面図である。
ドレイン電極(第2の電極)16のソース電極(第1の電極)14に対向する第2の端部が階段状となっている。この構成により、本実施形態では、ソース電極(第1の電極)14のドレイン電極(第2の電極)16に対向する第1の端部と、ドレイン電極(第2の電極)16のソース電極(第1の電極)14に対向する第2の端部が平行でない。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するトランジスタが実現される。
なお、第1の端部を第2の端部にかえて階段状としてもかまわない。また、第1の端部および第2の端部両方を階段状としてもかまわない。ゲート電極(第3の電極)18の形状は、特に限定されるものではない。また、c面にかえてm面またはa面上に本実施形態の電極配置パターンを適用することも可能である。
(第9の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、第1の端部または第2の端部が曲線状であること以外は、第7の実施形態と同様である。したがって、第7の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第1の端部または第2の端部が曲線状であること以外は、第7の実施形態と同様である。したがって、第7の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図15は、本実施形態の半導体装置の模式上面図である。
ドレイン電極(第2の電極)16のソース電極(第1の電極)14に対向する第2の端部が曲線状となっている。この構成により、本実施形態では、ソース電極(第1の電極)14のドレイン電極(第2の電極)16に対向する第1の端部と、ドレイン電極(第2の電極)16のソース電極(第1の電極)14に対向する第2の端部が平行でない。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するトランジスタが実現される。
なお、第1の端部を第2の端部にかえて曲線状としてもかまわない。また、第1の端部および第2の端部の両方を曲線状としてもかまわない。ゲート電極(第3の電極)18の形状は、特に限定されるものではない。また、c面にかえてm面またはa面上に本実施形態の電極配置パターンを適用することも可能である。
(第10の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、第3の電極を備えないダイオードであること以外は、第7の実施形態と同様である。したがって、第7の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第3の電極を備えないダイオードであること以外は、第7の実施形態と同様である。したがって、第7の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図16は、本実施形態の半導体装置の模式図である。図16(a)は模式上面図、図16(b)は図16(a)のAA断面図である。本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体を用いたショットキーバリアダイオード(SBT)である。
本実施形態の半導体装置は、基板10、GaN系半導体層12、アノード電極(第1の電極)24、カソード電極(第2の電極)26、素子分離領域20、活性領域(素子領域)22を備える。アノード電極(第1の電極)24とカソード電極(第2の電極)26、GaN系半導体層12との接触の一方が、ショットキー接触、他方がオーミック接触となっている。
アノード電極(第1の電極)24のカソード電極(第2の電極)26に対向する第1の端部と、カソード電極(第2の電極)26のアノード電極(第1の電極)24に対向する第2の端部が平行でない。そして、第1の端部および第2の端部が直線状である。
本実施形態において、アノード電極(第1の電極)24とカソード電極(第2の電極)26の端部が平行でない。したがって、超音波増幅が生じにくく、超音波増幅による共振現象は発生し難い。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するダイオードが実現される。
(第11の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、第1の端部または第2の端部が階段状であること以外は、第10の実施形態と同様である。したがって、第10の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第1の端部または第2の端部が階段状であること以外は、第10の実施形態と同様である。したがって、第10の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図17は、本実施形態の半導体装置の模式上面図である。
アノード電極(第1の電極)24のカソード電極(第2の電極)26に対向する第1の端部と、カソード電極(第2の電極)26のアノード電極(第1の電極)24に対向する第2の端部が平行でない。そして、第1の端部および第2の端部が階段状である。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するダイオードが実現される。
なお、第1の端部を第2の端部にかえて階段状としてもかまわない。また、第1の端部および第2の端部両方を階段状としてもかまわない。また、c面にかえてm面またはa面上に本実施形態の電極配置パターンを適用することも可能である。
(第12の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、第1の端部または第2の端部が曲線状であること以外は、第10の実施形態と同様である。したがって、第10の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第1の端部または第2の端部が曲線状であること以外は、第10の実施形態と同様である。したがって、第10の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図18は、本実施形態の半導体装置の模式上面図である。
アノード電極(第1の電極)24のカソード電極(第2の電極)26に対向する第1の端部と、カソード電極(第2の電極)26のアノード電極(第1の電極)24に対向する第2の端部が平行でない。そして、第1の端部および第2の端部が曲線状である。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するダイオードが実現される。
なお、第1の端部を第2の端部にかえて曲線状としてもかまわない。また、第1の端部および第2の端部両方を曲線状としてもかまわない。また、c面にかえてm面またはa面上に本実施形態の電極配置パターンを適用することも可能である。
(第13の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層の表面がm面またはa面に対し0度以上5度以下の角度を有すること以外は、第7の実施形態と同様である。したがって、第7の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層の表面がm面またはa面に対し0度以上5度以下の角度を有すること以外は、第7の実施形態と同様である。したがって、第7の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図19は、本実施形態の半導体装置の模式図である。図19(a)は模式上面図、図19(b)は図19(a)のAA断面図である。
ソース電極(第1の電極)14のドレイン電極(第2の電極)16に対向する第1の端部と、ドレイン電極(第2の電極)16のソース電極(第1の電極)14に対向する第2の端部が平行でない。そして、第1の端部および第2の端部が直線状である。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するトランジスタが実現される。さらに、ソース電極(第1の電極)14とドレイン電極(第2の電極)16に印加される電界の方向が、c軸方向と異なる。したがって、超音波増幅による共振現象はさらに発生し難いため、さらにトランジスタの信頼性が向上する。
(第14の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層と、GaN系半導体層の表面に設けられ、曲線状の第1の端部を有する第1の電極と、第1の電極と離間して上記表面に設けられ、第1の端部に対向する曲線状の第2の端部を有する第2の電極と、を備える。
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層と、GaN系半導体層の表面に設けられ、曲線状の第1の端部を有する第1の電極と、第1の電極と離間して上記表面に設けられ、第1の端部に対向する曲線状の第2の端部を有する第2の電極と、を備える。
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層の表面がc面であること、電極の配置パターンが異なること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図20は、本実施形態の半導体装置の模式図である。図20(a)は模式上面図、図20(b)は図20(a)のAA断面図である。本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)である。
GaN系半導体層12の表面は、c面に対し0度以上5度以下の角度を備える。表面の平坦性、製造の容易性から、GaN系半導体層の表面は、c面に対し0度以上1度以下の角度を備えることが望ましく、0度以上0.3度以下の角度を備えることがより望ましい。
図21は、本実施形態の半導体装置の電極配置の説明図である。ソース電極(第1の電極)14のドレイン電極(第2の電極)16に対向する第1の端部と、ドレイン電極(第2の電極)16のソース電極(第1の電極)14に対向する第2の端部が、それぞれ曲線状である。そして、ソース電極(第1の電極)14およびドレイン電極(第2の電極)16は円環状であり、第1の端部および第2の端部は、円形の環状である。第1の端部と第2の端部との距離は一定である。
超音波増幅は共振現象である。このため、電流の流れる向き(図中点線矢印)が多様になり向きがそろっていない場合、共振現象は発生しにくい。したがって、電界集中による絶縁破壊や結晶の破壊も生じにくい。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するトランジスタが実現される。
なお、ソース電極(第1の電極)14およびドレイン電極(第2の電極)16と、GaN系半導体層12との接触は、オーミック接触であることが望ましい。
また、第1の端部および第2の端部は、円形でなくとも楕円形、あるいは、半円形等であってもかまわない。
(第15の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、第3の電極を備えないダイオードであること以外は、第14の実施形態と同様である。したがって、第14の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第3の電極を備えないダイオードであること以外は、第14の実施形態と同様である。したがって、第14の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図22は、本実施形態の半導体装置の模式図である。図22(a)は模式上面図、図22(b)は図22(a)のAA断面図である。本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体を用いたショットキーバリアダイオード(SBT)である。
本実施形態の半導体装置は、基板10、GaN系半導体層12、アノード電極(第1の電極)24、カソード電極(第2の電極)26、素子分離領域20、活性領域(素子領域)22を備える。アノード電極(第1の電極)24とカソード電極(第2の電極)26、GaN系半導体層12との接触の一方が、ショットキー接触、他方がオーミック接触となっている。
アノード電極(第1の電極)24のカソード電極(第2の電極)26に対向する第1の端部と、カソード電極(第2の電極)26のアノード電極(第1の電極)24に対向する第2の端部が、それぞれ曲線状である。そして、アノード電極(第1の電極)24およびカソード電極(第2の電極)26は円環状であり、第1の端部および第2の端部は、円形の環状である。第1の端部と第2の端部との距離は一定である。
本実施形態においても、電流の流れる向き(図中実線矢印)が多様になる。したがって、超音波増幅が生じにくく、超音波増幅による共振現象は発生し難い。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するダイオードが実現される。
(第16の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層の表面がm面またはa面に対し0度以上5度以下の角度を有すること以外は、第14の実施形態と同様である。したがって、第14の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層の表面がm面またはa面に対し0度以上5度以下の角度を有すること以外は、第14の実施形態と同様である。したがって、第14の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
図23は、本実施形態の半導体装置の模式図である。図23(a)は模式上面図、図23(b)は図23(a)のAA断面図である。
ソース電極(第1の電極)14のドレイン電極(第2の電極)16に対向する第1の端部と、ドレイン電極(第2の電極)16のソース電極(第1の電極)14に対向する第2の端部が、それぞれ曲線状である。そして、ソース電極(第1の電極)14およびドレイン電極(第2の電極)16は円環状であり、第1の端部および第2の端部は、円形の環状である。第1の端部と第2の端部との距離は一定である。
以上、本実施形態によれば、超音波増幅による共振現象は発生し難いため、信頼性の向上するトランジスタが実現される。さらに、ソース電極(第1の電極)14とドレイン電極(第2の電極)16に印加される電界の方向と、c軸方向とが一致する割合が小さい。したがって、超音波増幅による共振現象はさらに発生し難いため、さらにトランジスタの信頼性が向上する。
上記第1ないし第16の実施形態では、GaN系半導体層が、GaN層とAlGaN層の積層構造を備え、GaN系半導体層の表面が、AlGaN層となる場合を主に説明した。しかしながら、GaN系半導体層として、その他の組成のGaN系半導体や、異なる積層構造を適用することも可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換えまたは変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10 基板
12 GaN系半導体層
12a バッファ層
12b GaN層
12c AlGaN層
14 ソース電極(第1の電極)
16 ドレイン電極(第2の電極)
18 ゲート電極(第3の電極)
20 素子分離領域
22 活性領域(素子領域)
24 アノード電極(第1の電極)
26 カソード電極(第2の電極)
12 GaN系半導体層
12a バッファ層
12b GaN層
12c AlGaN層
14 ソース電極(第1の電極)
16 ドレイン電極(第2の電極)
18 ゲート電極(第3の電極)
20 素子分離領域
22 活性領域(素子領域)
24 アノード電極(第1の電極)
26 カソード電極(第2の電極)
Claims (16)
- 表面がm面またはa面に対し0度以上5度以下の角度を有するGaN系半導体層と、
前記表面に設けられ、第1の端部を有する第1の電極と、
前記第1の電極と離間して前記表面に設けられ、前記第1の端部と対向する第2の端部を有し、前記第1の端部の任意の点と、前記第2の端部の任意の点とを結ぶ線分の向きが、前記GaN系半導体層のc軸方向と異なる第2の電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の端部と前記第2の端部が平行であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1の端部と前記第2の端部が前記c軸方向に対して平行であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記GaN系半導体層がGaN層とAlGaN層の積層構造を有し、前記表面が前記AlGaN層の表面であることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1の電極と前記第2の電極との間に、さらに第3の電極を備えることを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1の電極および前記第2の電極と、前記GaN系半導体層との接触がオーミック接触であることを請求項5記載の半導体装置。
- GaN系半導体層と、
前記GaN系半導体層の表面に設けられ、第1の端部を有する第1の電極と、
前記第1の電極と離間して前記表面に設けられ、前記第1の端部と対向する前記第1の端部と平行でない第2の端部を有する第2の電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の端部および前記第2の端部が直線状であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記第1の端部または前記第2の端部が階段状であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記第1の端部または前記第2の端部が曲線状であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記第1の電極と前記第2の電極との間に、さらに第3の電極を備えることを特徴とする請求項7ないし請求項10いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1の電極および前記第2の電極と、前記GaN系半導体層との接触がオーミック接触であることを請求項11記載の半導体装置。
- GaN系半導体層と、
前記GaN系半導体層の表面に設けられ、曲線状の第1の端部を有する第1の電極と、
前記第1の電極と離間して前記表面に設けられ、前記第1の端部に対向する曲線状の第2の端部を有する第2の電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の端部および前記第2の端部が環状であることを特徴とする請求項13記載の半導体装置。
- 前記第1の電極と前記第2の電極との間に、さらに第3の電極を備えることを特徴とする請求項13または請求項14記載の半導体装置。
- 前記第1の電極および前記第2の電極と、前記GaN系半導体層との接触がオーミック接触であることを請求項15記載の半導体装置。
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