JP6759464B2 - 多接合型太陽電池モジュール及び太陽光発電システム - Google Patents
多接合型太陽電池モジュール及び太陽光発電システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6759464B2 JP6759464B2 JP2019537012A JP2019537012A JP6759464B2 JP 6759464 B2 JP6759464 B2 JP 6759464B2 JP 2019537012 A JP2019537012 A JP 2019537012A JP 2019537012 A JP2019537012 A JP 2019537012A JP 6759464 B2 JP6759464 B2 JP 6759464B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- cell module
- adhesive layer
- insulating film
- connection wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010248 power generation Methods 0.000 title claims description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 93
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 70
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 39
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 24
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 17
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 claims description 17
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 4
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 103
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N pyrite Chemical group [Fe+2].[S-][S-] NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0725—Multiple junction or tandem solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
- H01L25/043—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/074—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a heterojunction with an element of Group IV of the Periodic System, e.g. ITO/Si, GaAs/Si or CdTe/Si solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
Description
実施形態の接合型太陽電池モジュールは、第1太陽電池モジュールと第2太陽電池モジュールを有する。図1に実施形態の多接合型太陽電池モジュールの断面図を示す。図1に示す多接合型太陽電池モジュール100は、第1太陽電池モジュール10と、第2太陽電池モジュール20と接着層30と、絶縁膜40と、を有する。図1では、2つの太陽電池モジュールが接合した多接合型の太陽電池モジュールである。3つ以上の太陽電池モジュールが接合した多接合型太陽電池モジュールも実施形態に含まれる。
第1太陽電池モジュール10は、複数の第1太陽電池セル11を含む。第1太陽電池モジュール10は、多接合型太陽電池モジュール100において、光入射側に配置されている。第1太陽電池モジュール10は、入射した光の一部を吸収して発電する。第1太陽電池モジュール10の光入射側には、第1太陽電池モジュール10における単一基板が配置されており、第2太陽電池モジュール40側には、第1太陽電池モジュール10の基板は配置されていない。
第2太陽電池モジュール20は、複数の第2太陽電池セル21を含む。第2太陽電池モジュール20は、第1太陽電池モジュール10を通過した光を受光して発電する。
接着層30は、第1太陽電池モジュール10と第2太陽電池モジュール20を接着させる。接着層30は、第1太陽電池モジュール10と絶縁膜40の間に配置される。接着層30の第1太陽電池モジュール10を向く面は、第1太陽電池モジュール10の接着層30を向く面と直接的に接している。接着層30の第1太陽電池モジュール10を向く面の全面は、第1太陽電池モジュール10の接着層30を向く面の全面と直接的に接していることが好ましい。接着層30の絶縁膜40を向く面(第2太陽電池モジュール20を向く面)は、絶縁膜40の接着層30を向く面と直接的に接している。
絶縁膜40は、接着層30と第2太陽電池モジュール20の間に配置され、第2接続配線の接着層30を向く面に設けられている。絶縁膜40の一方の面は、接着層30の第2太陽電池モジュール20を向く面と直接的に接し、かつ、絶縁膜40の一方の面とは反対側の面は、第2接続配線の接着層30を向く面と直接的に接していることが好ましい。絶縁膜40は、第2接続配線と接着層30が非接触になるように配置された絶縁部材である。接着層30に用いられる材料は、長期間の日光照射、高温、多湿等の環境下で使用されると分解されやすい。絶縁膜40を用いない場合、接着層30が分解してしまうと、第1接続配線と第2接続配線がショートしやすくなってしまう。絶縁膜40に分解しにくい材料を用いることで、接着層30が分解してしまっても、第1太陽電池セル11と第2太陽電池セル21がショートし難くなる。
実施形態の太陽光発電システムは、実施形態の多接合型太陽電池モジュールを用いている。実施形態の多接合型太陽電池モジュールは、太陽光発電システムにおいて、発電を行う発電機として用いることができる。実施形態の太陽光発電システムは、太陽電池モジュールを用いて発電を行うものであって、具体的には、発電を行う太陽電池モジュールと、発電した電気を電力変換する手段と、発電した電気をためる蓄電手段又は発電した電気を消費する負荷とを有する。図12に実施形態の太陽光発電システム200の構成概念図を示す。図12の太陽光発電システムは、太陽電池モジュール201と、コンバーター202と、蓄電池203と、負荷204とを有する。蓄電池203と負荷204は、どちらか一方を省略しても良い。負荷204は、蓄電池203に蓄えられた電気エネルギーを利用することもできる構成にしてもよい。コンバーター202は、DC−DCコンバーター、DC−ACコンバーター、AC−ACコンバーターなど変圧や直流交流変換などの電力変換を行う回路又は素子を含む装置である。コンバーター202の構成は、発電電圧、蓄電池203や負荷204の構成に応じて好適な構成を採用すればよい。
以下、実施例に基づき本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
第1太陽電池モジュール10の光吸収層にCuGaSe2を用い、接着層30にEVAシートを用い、絶縁膜40にポリイミドフィルムを用い、第2太陽電池モジュール20の光吸収層に結晶シリコンを用いて多接合型太陽電池モジュールを作製する。
第1太陽電池モジュール10の光吸収層に亜酸化銅薄膜を用い、接着層30にEVAシートを用い、絶縁膜40にポリイミドフィルムを用い、第2太陽電池モジュール20の光吸収層に結晶シリコンを用いて多接合型太陽電池モジュールを作製する。
第1太陽電池モジュール10の光吸収層にCuGaSe2を用い、接着層30にPVBシートを用い、絶縁膜40にガラステープを用い、第2太陽電池モジュール20の光吸収層に結晶シリコンを用いて多接合型太陽電池モジュールを作製する。
第1太陽電池モジュール10の光吸収層に有機薄膜を用い、接着層30にEVAシートを用い、絶縁膜40にスパッタで第2太陽電池セル上のバスバー上に形成したSiを含む酸化物膜を用い、第2太陽電池モジュール20の光吸収層に結晶シリコンを用いて多接合型太陽電池モジュールを作製する。
第1太陽電池モジュール10の光吸収層にペロブスカイト系薄膜を用い、接着層30にEVAシートを用い、絶縁膜40にスパッタで第2太陽電池セル上のバスバー上に形成したAlを含む酸化物膜を用い、第2太陽電池モジュール20の光吸収層に結晶シリコンを用いて多接合型太陽電池モジュールを作製する。
第1太陽電池モジュール10の光吸収層にIn比率の低いCu(In、Ga)(Se、S)2を用い、接着層30にEVAシートを用い、絶縁膜40にスパッタで第2太陽電池セル上の第2電極上に形成したSiを含む窒化物膜を用い、第2太陽電池モジュール20の光吸収層にIn比率の低いCu(In、Ga)(Se、S)2を用いを用いて多接合型太陽電池モジュールを作製する。
第1太陽電池モジュール10の光吸収層にCuGaSe2を用い、接着層30にEVAシートを用い、絶縁膜40に石英テープを用い、第2太陽電池モジュール20の光吸収層に結晶シリコンを用いて多接合型太陽電池モジュールを作製する。
絶縁膜40を用いないで実施例1−7と同様に多接合型太陽電池モジュールを作製する。
技術案1
光入射側に配置され、複数の第1太陽電池セルと、前記複数の第1太陽電池セルを電気的に接続する第1接続配線を含む第1太陽電池モジュールと、
複数の第2太陽電池セルと、前記複数の第2太陽電池セルを電気的に接続する第2接続配線を含む第2太陽電池モジュールと、
前記第1太陽電池モジュールと第2太陽電池モジュールの間に接着層と、を有し、
前記第2接続配線の接着層を向く面に、前記接着層の第2太陽電池モジュールを向く面と直接的に接するように絶縁膜が設けられ、
前記第1太陽電池モジュールは、光入射側に基板を含み、前記基板は、前記第1太陽電池モジュールの単一基板であり、
前記第2接続配線は、前記接着層と非接触である多接合型太陽電池モジュール。
技術案2
前記接着層の融点は、前記絶縁膜の融点よりも高い技術案1に記載の多接合型太陽電池モジュール。
技術案3
前記接着層の融点は、150℃以上である技術案1又は2に記載の多接合型太陽電池モジュール。
技術案4
前記絶縁膜の融点は、200℃以上である技術案1ないし3のいずれか1案に記載の多接合型太陽電池モジュール。
技術案5
前記絶縁膜の融点は、前記接着層の融点よりも50℃以上高い技術案1ないし4のいずれか1案に記載の多接合型太陽電池モジュール。
技術案6
前記複数の第1太陽電池セルの光吸収層のバンドギャップは、前記複数の第2太陽電池セルの光吸収層のバンドギャップよりも広い技術案1ないし5のいずれか1案に記載の多接合型太陽電池モジュール。
技術案7
前記絶縁膜は、樹脂、金属酸化物及び金属窒化物からなる群より選ばれる1種以上を含む技術案1ないし6のいずれか1案に記載の多接合型太陽電池モジュール。
技術案8
前記接着層は、樹脂シートである技術案1ないし7のいずれか1案に記載の多接合型太陽電池モジュール。
技術案9
前記絶縁膜は、ポリイミドフィルム、ガラステープ、石英テープ、ポリアミドフィルム、エポキシ樹脂シート及びポリエステルシートからなる群より選ばれる1種以上の膜、若しくは、Si、Al、Ca、Mg、Ga及びGeからなる群より選ばれる1種以上の金属を含む金属酸化物又は金属窒化物の膜である技術案1ないし8のいずれか1案に記載の多接合型太陽電池モジュール。
技術案10
前記接着層は、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂シート、ポリビニルブチラール樹脂シート及びポリオレフィン樹脂シートからなる群より選ばれる1種以上の層である技術案1ないし9のいずれか1案に記載の多接合型太陽電池モジュール。
技術案11
前記技術案1ないし10のいずれか1案に記載の多接合型太陽電池モジュールを用いた太陽光発電システム。
明細書中、一部の元素は元素記号のみで表している。
10…第1太陽電池モジュール、11…第1太陽電池セル、12…基板、13…、第1電極、14…n型層、15…光吸収層、16…第2電極、17…バスバー、P1〜P3…スクライブ、
20…、第2太陽電池モジュール、21…第2太陽電池セル、22…バスバー、23…保護層、24…基板、25…第1電極、26…光吸収層、27…n型層、28…第2電極、29…バスバー、P4〜P6…スクライブ
30…接着層、
40…絶縁膜、
51…充填剤、52…充填剤
Claims (13)
- 光入射側に配置され、複数の第1太陽電池セルと、前記複数の第1太陽電池セルを電気的に接続する第1接続配線を含む第1太陽電池モジュールと、
複数の第2太陽電池セルと、前記複数の第2太陽電池セルを電気的に接続する第2接続配線を含む第2太陽電池モジュールと、
前記第1太陽電池モジュールと第2太陽電池モジュールの間に接着層と、を有し、
前記第2接続配線の接着層を向く面に、前記接着層の第2太陽電池モジュールを向く面と直接的に接するように絶縁膜が設けられ、
前記第1太陽電池モジュール、前記接着層、前記絶縁膜及び前記第2太陽電池モジュールは、前記第1太陽電池モジュール、前記接着層、前記絶縁膜、前記第2太陽電池モジュールの順に積層し、
前記第1太陽電池モジュールは、光入射側に基板を含み、前記基板は、前記第1太陽電池モジュールの単一基板であり、
前記第2接続配線の一部は前記絶縁膜と接していて、
前記第2接続配線は、前記接着層と非接触である多接合型太陽電池モジュール。 - 前記接着層の融点は、前記絶縁膜の融点よりも低い請求項1に記載の多接合型太陽電池モジュール。
- 前記接着層の融点は、150℃以上である請求項1又は2に記載の多接合型太陽電池モジュール。
- 前記絶縁膜の融点は、200℃以上である請求項1ないし3のいずれか1項に記載の多接合型太陽電池モジュール。
- 前記絶縁膜の融点は、前記接着層の融点よりも50℃以上高い請求項1ないし4のいずれか1項に記載の多接合型太陽電池モジュール。
- 前記複数の第1太陽電池セルの光吸収層のバンドギャップは、前記複数の第2太陽電池セルの光吸収層のバンドギャップよりも広い請求項1ないし5のいずれか1項に記載の多接合型太陽電池モジュール。
- 前記絶縁膜は、樹脂、金属酸化物及び金属窒化物からなる群より選ばれる1種以上を含む請求項1ないし6のいずれか1項に記載の多接合型太陽電池モジュール。
- 前記接着層は、樹脂シートである請求項1ないし7のいずれか1項に記載の多接合型太陽電池モジュール。
- 前記絶縁膜は、ポリイミドフィルム、ガラステープ、石英テープ、ポリアミドフィルム、エポキシ樹脂シート及びポリエステルシートからなる群より選ばれる1種以上の膜、若しくは、Si、Al、Ca、Mg、Ga及びGeからなる群より選ばれる1種以上の金属を含む金属酸化物又は金属窒化物の膜である請求項1ないし8のいずれか1項に記載の多接合型太陽電池モジュール。
- 前記接着層は、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂シート、ポリビニルブチラール樹脂シート及びポリオレフィン樹脂シートからなる群より選ばれる1種以上の層である請求項1ないし9のいずれか1項に記載の多接合型太陽電池モジュール。
- 前記複数の第2太陽電池セルにおいて、隣り合う前記第2太陽電池セルの一方の第2太陽電池セルの表側と他方の第2太陽電池セルの裏側が前記第2接続配線で接続されている請求項1ないし10のいずれか1項に記載の多接合型太陽電池モジュール。
- 前記複数の第2太陽電池セルの表側に前記第2接続配線が設けられていて、
前記複数の第2太陽電池セルの表側に設けられている第2接続配線は前記絶縁膜で覆われている請求項1ないし11のいずれか1項に記載の多接合型太陽電池モジュール。 - 前記請求項1ないし12のいずれか1項に記載の多接合型太陽電池モジュールを用いた太陽光発電システム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/011220 WO2019180854A1 (ja) | 2018-03-20 | 2018-03-20 | 多接合型太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019180854A1 JPWO2019180854A1 (ja) | 2020-04-23 |
JP6759464B2 true JP6759464B2 (ja) | 2020-09-23 |
Family
ID=67986845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019537012A Active JP6759464B2 (ja) | 2018-03-20 | 2018-03-20 | 多接合型太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11430903B2 (ja) |
JP (1) | JP6759464B2 (ja) |
WO (1) | WO2019180854A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7102504B2 (ja) | 2018-09-19 | 2022-07-19 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
EP4354519A1 (en) * | 2021-06-10 | 2024-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tandem solar cell |
AT526267A1 (de) * | 2022-07-01 | 2024-01-15 | Wakonig Martin | Anlage zur Stromerzeugung |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4016589A (en) * | 1971-11-10 | 1977-04-05 | Omron Tateisi Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
US4400868A (en) * | 1980-12-29 | 1983-08-30 | Varian Associates, Inc. | Method of making a transparent and electrically conductive bond |
JPS619099A (ja) | 1984-06-23 | 1986-01-16 | Yoshiro Nakamatsu | 流体支持振動装置 |
AU622617B2 (en) * | 1987-07-21 | 1992-04-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element with a semiconductor layer comprising non-single crystal material containing at least Zn, Se and in an amount of 1 to 40 atomic per cent |
JP2895213B2 (ja) | 1990-11-26 | 1999-05-24 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子 |
KR940002173B1 (ko) | 1991-01-31 | 1994-03-18 | 삼성전자 주식회사 | 공업용 로보트 |
JP3070790B2 (ja) | 1992-03-06 | 2000-07-31 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP3619099B2 (ja) | 1992-06-26 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
JPH06196732A (ja) | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Canon Inc | 太陽電池 |
US6264684B1 (en) * | 1995-03-10 | 2001-07-24 | Impra, Inc., A Subsidiary Of C.R. Bard, Inc. | Helically supported graft |
JPH09246236A (ja) * | 1996-03-11 | 1997-09-19 | Toshiba Corp | 半導体薄膜の製造方法および太陽電池の製造方法 |
JP3301722B2 (ja) | 1997-11-06 | 2002-07-15 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜型電子デバイス |
JP2000277779A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Nagoya Kogyo Univ | 半導体間接着方法、この方法を使用して製造した半導体および半導体装置 |
US6660930B1 (en) * | 2002-06-12 | 2003-12-09 | Rwe Schott Solar, Inc. | Solar cell modules with improved backskin |
US7498923B2 (en) * | 2004-09-08 | 2009-03-03 | Iversen Arthur H | Fast acting, low cost, high power transfer switch |
SG130066A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-20 | Micron Technology Inc | Microelectronic device packages, stacked microelectronic device packages, and methods for manufacturing microelectronic devices |
SG143098A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-27 | Micron Technology Inc | Packaged microelectronic devices and methods for manufacturing packaged microelectronic devices |
TW200919758A (en) * | 2007-10-22 | 2009-05-01 | Univ Nat Taiwan | An organic light emitting diode display device with energy-recycling capability |
JP2011526737A (ja) * | 2008-07-03 | 2011-10-13 | アイメック | 多重接合太陽電池モジュールおよびそのプロセス |
JP2010062186A (ja) | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP2010109349A (ja) | 2008-10-03 | 2010-05-13 | Techno Polymer Co Ltd | 太陽電池用裏面保護フィルム及びそれを備える太陽電池モジュール |
US20110174356A1 (en) | 2008-10-03 | 2011-07-21 | Techno Polymer Co., Ltd. | Solar cell back surface protective film, and solar cell module provided with same |
JP5098957B2 (ja) | 2008-10-31 | 2012-12-12 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機光電変換素子 |
US20100252103A1 (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | Chiu-Lin Yao | Photoelectronic element having a transparent adhesion structure and the manufacturing method thereof |
EP2278249A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-26 | JB Group ApS | Heat storage system |
WO2011090140A1 (ja) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | 富士フイルム株式会社 | 導電性要素、導電性要素形成用感光材料および電極 |
CN104220255B (zh) | 2010-12-29 | 2016-06-01 | Lg化学株式会社 | 多层膜和包括该多层膜的光伏组件 |
WO2012102269A1 (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-02 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置 |
JP2012238789A (ja) | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Fujifilm Corp | 半導体装置、太陽電池モジュール、太陽電池ストリングおよび太陽電池アレイ |
CN103608931A (zh) * | 2011-06-16 | 2014-02-26 | 3M创新有限公司 | 用于太阳能光伏系统的增强膜 |
JP2013179297A (ja) | 2012-02-10 | 2013-09-09 | Tokyo Institute Of Technology | 光学制御層を有する太陽電池セル |
WO2014012111A1 (en) * | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Triton Systems, Inc. | Nanostring mats, multi-junction devices, and methods for making same |
US9553228B2 (en) | 2013-05-17 | 2017-01-24 | Kaneka Corporation | Solar cell, production method therefor, and solar cell module |
JP6366914B2 (ja) * | 2013-09-24 | 2018-08-01 | 株式会社東芝 | 多接合型太陽電池 |
CN103715182B (zh) * | 2013-12-20 | 2016-05-25 | 北京汉能创昱科技有限公司 | 薄膜太阳能电池组件及其制备方法 |
JP2015154050A (ja) | 2014-02-19 | 2015-08-24 | 三菱化学株式会社 | 薄膜太陽電池モジュール |
DE102014112430A1 (de) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines leitenden Mehrfachsubstratstapels |
EP3016148A1 (en) * | 2014-10-28 | 2016-05-04 | Sol Voltaics AB | Dual layer photovoltaic device |
JP2016119401A (ja) | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 日東電工株式会社 | 光電変換素子およびそれを用いた光電変換装置 |
US11552228B2 (en) * | 2018-08-17 | 2023-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
-
2018
- 2018-03-20 JP JP2019537012A patent/JP6759464B2/ja active Active
- 2018-03-20 WO PCT/JP2018/011220 patent/WO2019180854A1/ja active Application Filing
-
2019
- 2019-09-09 US US16/563,993 patent/US11430903B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019180854A1 (ja) | 2020-04-23 |
WO2019180854A1 (ja) | 2019-09-26 |
US11430903B2 (en) | 2022-08-30 |
US20200035849A1 (en) | 2020-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9018513B2 (en) | Solar-cell module with in-laminate diodes and external-connection mechanisms mounted to respective edge regions | |
US8759664B2 (en) | Thin film solar cell strings | |
AU2016429622B2 (en) | Photovoltaic lamination assembly with bypass diodes | |
US20150194552A1 (en) | Solar cell module and method for manufacturing the solar cell module | |
JP5014503B2 (ja) | 太陽電池セル及び太陽電池モジュール | |
US11430903B2 (en) | Multi-junction solar cell module and photovoltaic system | |
JP2008135655A (ja) | 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池セル | |
JP7094668B2 (ja) | 太陽電池モジュール及び太陽光発電システム | |
US20210376174A1 (en) | Solar cell module and photovoltaic power generation system | |
JP2015070260A (ja) | 太陽電池 | |
EP2761674B1 (en) | Photovoltaic cell interconnect | |
JP2010239167A (ja) | 太陽電池モジュール | |
US20220416107A1 (en) | Bifacial tandem photovoltaic cells and modules | |
JP2014530498A (ja) | 直列接続部を含む薄膜ソーラーモジュール、及び、複数の薄膜ソーラーセルを直列接続する方法 | |
CN103681913A (zh) | 太阳能电池模块及其制造方法 | |
US20120118356A1 (en) | Multi-layer solar module backsheet | |
KR101550927B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
US20190288134A1 (en) | Forming front metal contact on solar cell with enhanced resistance to stress | |
EP2869462A1 (en) | Junction box and photovoltaic module including the same | |
JP5014502B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 | |
WO2012073802A1 (ja) | 太陽電池セル及び太陽電池モジュール | |
KR20120051972A (ko) | 태양 전지 모듈 | |
US20140246074A1 (en) | Solar module with ribbon cable, and a method for the manufacture of same | |
KR102628295B1 (ko) | 태양광 모듈의 제조 방법 | |
US20230231065A1 (en) | Tandem solar cell |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200902 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6759464 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |