JP6747772B2 - 帯電粒子マルチビーム露光ツールにおける欠陥ビームレットの補償 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 48
- 230000002950 deficient Effects 0.000 title claims description 15
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 146
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 230000006870 function Effects 0.000 description 17
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 15
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 11
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000013144 data compression Methods 0.000 description 1
- 238000013523 data management Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 210000003918 fraction a Anatomy 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31798—Problems associated with lithography detecting pattern defects
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Description
・前記照射に対して透過的な複数のアパーチャを有するパターン画定手段を準備するステップ、
・前記アパーチャを通りパターン画定手段を横断する照光幅広ビームにより前記パターン画定手段を照光し、こうして対応する複数のビームレットからなるパターン化ビームを形成するステップ、
・対象物の場所上で前記パターン化ビームをパターン画像にするステップであって、パターン画像は、対象物上のいくつかの画像要素を覆う複数のアパーチャの少なくとも一部分の画像を含み、画像要素の場所は、アパーチャ画像の名目上の(中心)位置に対応する、及び
・前記対象物とパターン画定手段との間に相対移動を発生させ、ビーム露光が実施される領域上の経路に沿って、対象物上の前記パターン画像の移動をもたらすステップであって、前記領域は、複数の画像要素から構成されるステップ、
を含む方法に適用される。
ブランキング・アパーチャ・アレイは、複数のブランキング・アパーチャを備え、複数のブランキング・アパーチャは、ブランキング・アパーチャの相互位置を画定する所定の構成でブランキング・アレイ領域内に配置され、各ブランキング・アパーチャは、それぞれの露光インターバル中、それぞれのブランキング・アパーチャを通り対象物上の対応するアパーチャ画像上に露光される線量値に対して選択的に調節可能であり、前記線量値は、最小値から最大値の間の共通線量インターバル内の値を取り、有限数の欠陥ブランキング・アパーチャを除いて、各欠陥ブランキング・アパーチャは、露光インターバル中、それぞれの一定線量値、又は共通線量インターバルに適合しない線量インターバルのいずれかを対象物上の対応するアパーチャ画像上に露光し、
書込み工程中、露光インターバル・シーケンスが行われ、各露光インターバルでは、ブランキング・アパーチャは、対象物上に画像化され、こうして対応する複数のアパーチャ画像を生成し、アパーチャ画像の位置は、露光インターバル中、対象物に対して固定したままにされ、画像要素の位置と一致するが、露光インターバル間では、アパーチャ画像の位置は、対象物に対して変位され、このようにして、対象物上の前記画像領域内の全ての画像要素を覆うように複数のアパーチャ画像を露光し(一般に、複数のアパーチャ画像が1つの画像要素に寄与することに留意されたい)、
本方法は:
(a)欠陥ブランキング・アパーチャの一覧を準備することであって、前記一覧は、一覧に列挙される各欠陥ブランキング・アパーチャに関する情報を含み、それぞれの欠陥ブランキング・アパーチャの位置及び一定線量値又は不適合線量インターバルのいずれかを指定する、準備をすること、
(b)所望パターンを準備し、欠陥ブランキング・アパーチャを無視する多数の画像要素上に画定したラスタ・グラフィックスとして名目上の露光パターンを計算することであって、前記名目上の露光パターンは、所望パターンの輪郭線を実現する対象物上に名目上の線量分布をもたらすのに適し、対象物の各画像要素のためのそれぞれの名目上の線量値を含む、準備、計算をすること、
(c)欠陥ブランキング・アパーチャのアパーチャ画像によって露光される画像要素(「損傷要素」と呼ばれる)を決定すること、
(d)各損傷要素に対して、一組の画像要素(「補正要素」と呼ばれる)を選択することであって、前記補正要素は、対象物上の画像領域内のそれぞれの損傷要素の近傍内に位置するが、それぞれの損傷要素とは異なる、選択をすること、
(e)各損傷要素に対して、補正要素のための補正線量値を計算することであって、前記補正線量値は、補正線量値のそれぞれが共通線量インターバル内にあるという制約下で、前記補正線量値で計算した対象物上の線量分布からの名目上の線量分布の偏移の誤差関数を最少にする、計算をすること;
(f)それぞれの補正要素において名目上の線量値を補正線量値に置き換えることによって、書込み工程による所望パターンの露光に適した補正露光パターンを名目上の露光パターンから生成すること
を含む方法を提案する。
ブランキング・アパーチャ・アレイは、荷電粒子ビームにより照光され、ブランキング・アパーチャ・アレイは、複数のブランキング・アパーチャを備え、複数のブランキング・アパーチャは、ブランキング・アパーチャの相互位置を画定する所定の構成でブランキング・アレイ領域内に配置され、前記ブランキング・アパーチャの少なくとも一部の画像は、対象物上の画像領域上に画像化され、
各ブランキング・アパーチャは、それぞれの露光インターバル中、それぞれのブランキング・アパーチャを通して対象物上の対応するアパーチャ画像上に露光される線量値に関して選択的に調節可能であり、前記線量値は、最小値から最大値の間の共通線量インターバル内の値を取り、有限数の欠陥ブランキング・アパーチャを除いて、各欠陥ブランキング・アパーチャは、露光インターバル中、それぞれの一定線量値を対象物上の対応するアパーチャ画像上に露光し、
書込み工程中、露光インターバル・シーケンスが行われ、各露光インターバルでは、ブランキング・アパーチャは、対象物上に画像化され、こうして対応する複数のアパーチャ画像を生成し、アパーチャ画像の位置は、露光インターバル中、対象物に対して固定したままにされ、画像要素の位置と一致するが、露光インターバル間では、アパーチャ画像の位置は、対象物に対して変位され、このようにして、対象物上の画像領域内の全ての画像要素を覆うように複数のアパーチャ画像を露光し、
前記書込み工程によって対象物上に所望パターンを露光する露光パターンであって、各露光インターバルの間、ブランキング・アパーチャのための線量値を含む前記露光パターンは、本発明による方法によって計算される、方法を含む。
本発明を用いる荷電粒子マルチビーム・マスク露光ツール(マスク・ライタ)概略的な概要を図1に示す。以下では、これらの細部のみを本発明の開示の必要に応じて示す。明快にするために、構成要素は、図1に縮尺通りに示さず、特に、粒子ビームの横幅を強調する。eMETと同様であるのは、PML2システムの原理である。より詳細には、読者は、特許文献1及び特許文献7を参照されたい。粒子ビーム装置及びPD手段の全体的レイアウトに関するこれらの教示は、参照により本明細書とともに含まれる。
基板14を連続的に移動させる間、対象物上の同じパターンの画素pxは、同じ走査移動中、アパーチャ・シーケンスの画像によって何回も覆うことができる。同時に、PDシステム内のパターンは、PDシステムのアパーチャを通じて1段ずつ変位する。したがって、対象物上のある場所で1つの画素を考慮すると、全てのアパーチャがその画素を覆うときにオンに切り替えられた場合、このことは、最大露光線量レベル:100%に相当する「ホワイト」シェードをもたらすことになる。「ホワイト」シェードに加えて、より低い線量レベル(「グレー・シェード」とも呼ばれる)に従って対象物の画素を露光することが可能であり、これは、最小露光線量レベル(「ブラック」)と最大露光線量レベル(「ホワイト」)との間に内挿されることになる。グレー・シェードは、例えば、1つの画素の書込みに関与できるアパーチャの部分組上でのみオンに切り替えることによって実現でき、例えば32個のアパーチャのうち8個が、25%のグレー・レベルを与えることになる。より最近の、及び本発明の状況において有利な手法は、関与するアパーチャの非ブランキング露光持続時間を低減することである。したがって、1つのアパーチャ画像の露光持続時間を制御する信号は、グレー・スケール符号、例えばnビットの2進数として符号化した整数によって調整される。したがって、露光されるアパーチャ画像は、ゼロ及び最大の露光持続時間及び線量レベルに相当する、所与の数のグレー・シェードのうち1つを示すことができる。
図3は、1次画素p1の構成、即ち基本レイアウトに従って対象物上で一度に露光可能なIELを示し、以下で使用するいくつかの数量及び略語も示す。示されるのは、対象物上に投射され、1次画素p1を形成し、ダーク・シェードで示すアパーチャ画像の構成である。主軸x及びyは、対象物運動の前進方向及びその直角方向のそれぞれに対応する。各アパーチャは、x及びy方向のそれぞれに沿った幅ax及びayをそれぞれ有する。アパーチャは、Mx及びMyアパーチャのそれぞれを有する行及び列のそれぞれに沿って配置され、Nx及びNyのそれぞれである行及び列の隣接するアパーチャの間でオフセットを伴う。その結果、各アパーチャは、NxaxNyayの領域を有する概念的セルC1に属し、アパーチャ構成は、長方形に配置されたMxMyセルを含む。以下、これらのセルC1を「露光セル」と呼ぶ。対象物上に投射される、完成したアパーチャ構成は、x0=MxNxax×y0=MyNyayの寸法を有する。以下の説明において、全ての更なる説明に関して、一般性を制限することなく、長方形格子の特殊なケースとして正方形の格子を仮定し、a=ax=ay、N=Nx=Ny、及びMは整数であるM=Mx=Myを設定する。したがって、「露光セル」は、対象物基板上にNa×Naの大きさを有する。2つの隣接する露光位置間(即ち画素間)の距離は、以下でeと示す。一般に、距離eは、アパーチャ画像の幅aとは異なることがある。その最も簡単なケースでは、2×2露光セルC3の構成例に関して図6Aに示すa=eであり、1つのアパーチャ画像ai0(又は「1次画素」p1)は、1つの画素(の名目上の位置)を覆う。図6Bに示す(及び特許文献6及び特許文献4の教示と一致する)別の興味深いケースでは、eは、アパーチャ画像の幅aの分数a/oとすることができ、o>1は、オーバーサンプリング係数とも呼ぶ整数である。この場合、アパーチャ画像は、様々な露光の過程で、空間的に重複することになり、現像されるパターン配置のより高い解像度を可能にする。その結果として、アパーチャの各画像が一度に多数の画素、即ちo2画素を覆い、対象物に画像化されるアパーチャ・フィールドの領域全体が(NMo)2画素を含むということになる。アパーチャ画像配置の観点からすれば、このオーバーサンプリングは、対象領域を単に覆う必要のあるものとは異なる(というのは、オーバーサンプリングの間隔はより微細であるので)いわゆる配置格子に相当する。図6Bは、配置格子の一例、特に露光セルC4が(図6Aのような)パラメータN=2及びM=2、並びにo=2のオーバーサンプリングを有するアパーチャ・アレイの画像を示す。4つのアパーチャ画像ai1(破線)は、x及びy方向の両方にピッチeを有する規則的な格子上の名目上の場所からオフセットした名目上の場所上に印刷される。アパーチャ画像の大きさは、依然として同じ値aであるが、配置格子のピッチeは、現在a/o=a/2である。以前の名目上の場所に対するオフセット(配置格子のオフセット)も、大きさがa/2である。同時に、各画素の線量及び/又はグレー・シェードは、それぞれの画素を覆うアパーチャ画像に適切なグレー値を選択することによって適合(低減)できる。したがって、大きさaの領域が、より微細な配置格子のために、配置の正確さがより向上した状態で印刷される。図6Bと図6Aとを直接比較すると、アパーチャ画像の場所は、配置格子上にちょうど以前よりも2倍微細に配置されることを示す(アパーチャ画像自体は重複するにもかかわらず)。露光セルC4は、現在、書込み工程中に対処すべき(No)2の場所(即ち「画素」)を含み、したがってo2倍で以前よりより多くの画素を含む。それに応じて、アパーチャ画像a×aの大きさを有する領域ai1は、図6Bのo=2の場合のオーバーサンプリングの場合はo2=4画素に関連付けられる。したがって、本発明の以下の説明は、任意の格子オフセットを有する配置格子の一般的な場合に関し、配置格子のピッチは、アパーチャ画像aの大きさ以下である。
次に、用語「配置格子」について詳述する。これに関して、最初に、PDシステムのアパーチャ・アレイによって画定した規則的なアレイを形成する、対象物上のビームレットの位置に注目する。ビームレット位置のアレイは、対象物上のダイ領域全体上に延在するように全ての側に延在する。このことは、画素位置の組に対応する、位置の規則的なアレイを与え、画素位置の組は、ビームレットのアレイがビームレットの規則的なアレイに対応する格子ベクトルにのみよって移動可能になる条件下で達成できる。「配置格子」は、全IELの組であり、その相対的位置は、そのようなアレイに対応する。以上のことから、(No)2個の配置格子(噛合い(mesh)点の組)があることは明らかである。パターン化ビームpbの境界内にある対象物上の任意の領域内で、PDシステムのビームレットによって所与の配置格子のIELを同時に露光することが可能である。
莫大な量の画像データは、リアルタイムで露光される画素データを生成する高速データ経路を必要とする。しかし、露光されるパターンは、典型的にはベクトル形式で、例えば長方形、台形又は一般的な多角形のような形状の集まりとして記述され、これが典型的には、より良好なデータ圧縮を提供し、したがってデータ保存の要件を低減する。したがって、リアルタイム・データ経路は、3つの主要部分、ベクトルに基づく物理的補正工程、ベクトルを画素データに翻訳するラスター化工程、及び書込み工程用の画素データを一時的に保存するバッファからなる。
オーバーサンプリングにより、アパーチャ画像(IEL)の重複がもたらされ、DTC線の位置決め精度が向上する。同時に、重複部により、2つ以上IELが基板上の所与の点に電子を加えるため、明らかな冗長性がもたらされる。この冗長性を使用して、以下で説明するように、アパーチャの常時オン誤差又は常時オフ誤差を補償できる。
補正IELの選択は、補正の速度及び質を決定する。より大きな組は、その質及び柔軟性を向上する。実用的な選択では、4、8、12又は24個のIELを含む。例示的な例として、図10は、欠陥IEL(斜線の丸1005)の周りに位置するそれぞれ4、8及び12個の補正IEL(白丸1004として示す)の構成1001、1002、1003の3つの例を示す。図10の描写は、簡略化されており、IELは半径aを有し、a/oの距離で格子上に配置され、実際には重複するが、明快さのために例示では図示しないことに留意されたい。
以下では、ラスター化画像の状況における単一欠陥アパーチャの補正を説明する。
完全なアルゴリズムを図12のフローチャートを参照して説明する。
をもたらす。
アパーチャは、固定線量又は変更線量範囲以外の欠陥によって損傷する場合もあり、例えば、アパーチャ画像が、配置格子上の位置上にない、又はアパーチャ画像の線量分布が不正確である場合である。アパーチャを完全にオフに切り替えることが可能である場合、アパーチャは、常時オフ誤差を有するアパーチャとして処理できる。
アパーチャは、そのアパーチャによって書き込まれた全IELが相対線量誤差を有するような形で損傷する場合があり、このことは、特定IELの露光レベルがEであるべきことを意味するが、実際にはa×Eである(=欠陥アパーチャに対する特徴である定数係数によってスケーリングされる)。例えば、特定のIELは、E=50%の露光レベルを有することが予期されるが、a=70%を有する相対的線量誤差を有するアパーチャによって書き込まれるため、実際にはa×E=50%×70%=35%の線量を受ける。このことは、予期される露光レベルEをEc=E/aに調節することによって補正できる。書き込まれた露光レベルは、Ec×a=E/a×a=Eになり、そのために、最初に予期した線量が再確立される。100%を超えるEc値は、100%(=IELの最大線量レベル)に切り捨てられることに留意されたい。切り捨てによる線量変更が著しい場合、IELは、予期される線量ad=Ec及び固定線量
非ゼロ固定線量を有するアパーチャ(例えば常時オン誤差)は、露光インターバル外側の材料さえ露光し、常時オン/固定線量と常時オフ誤差との間に反対称性をもたらす。この現象は、2つの部分に分割できる。
残りのインターバル
を設定することによってモデル化できる。
14 基板
16 偏光手段
17 停止プレート
20 アパーチャ
30 光学レンズ
31 光学レンズ
101 照光システム
102 PDデバイス
103 投射システム
104 対象物ステーション
201 アパーチャ・アレイ・プレート
202 偏光アレイ・プレート
Claims (10)
- ブランキング・アパーチャ・アレイ内の有限数の欠陥を考慮に入れる粒子−光学リソグラフィ装置内の前記ブランキング・アパーチャ・アレイにより、所望パターンを対象物上に露光するための露光パターンを計算する方法であって、前記所望パターンは、対象物上の画像領域内の多数の画像要素から構成され、
前記ブランキング・アパーチャ・アレイは、複数のブランキング・アパーチャを備え、前記複数のブランキング・アパーチャは、前記ブランキング・アパーチャの相互位置を画定する所定の構成でブランキング・アレイ領域内に配置され、前記各ブランキング・アパーチャは、それぞれの露光インターバル中、前記それぞれのブランキング・アパーチャを通して前記対象物上の対応するアパーチャ画像上に露光される線量値に対して選択的に調節可能であり、前記線量値は、最小値から最大値の間の共通線量インターバル内の値を取り、有限数の欠陥ブランキング・アパーチャを除いて、前記各欠陥ブランキング・アパーチャは、露光インターバル中、それぞれの一定線量値、又は前記共通線量インターバルに適合しない線量インターバルのいずれかを前記対象物の対応するアパーチャ画像上に露光し、
書込み工程中、露光インターバル・シーケンスが行われ、前記各露光インターバルにおいて、前記ブランキング・アパーチャは、前記対象物上に画像化され、こうして対応する複数のアパーチャ画像を生成し、前記アパーチャ画像の位置は、前記露光インターバル中、前記対象物に対して固定したままにされ、前記画像要素の位置と一致するが、前記露光インターバル間では、前記アパーチャ画像の前記位置は、前記対象物に対して変位され、このようにして、前記対象物上の前記画像領域内の全ての前記画像要素を覆うように前記複数のアパーチャ画像を露光し、
前記方法は:
(a)欠陥ブランキング・アパーチャの一覧を準備することであって、前記一覧は、前記一覧に列挙される各欠陥ブランキング・アパーチャに関する情報を含み、前記それぞれの欠陥ブランキング・アパーチャの位置及び一定線量値又は不適合線量インターバルのいずれかを指定する、準備をすること、
(b)所望パターンを準備し、前記欠陥ブランキング・アパーチャを無視する多数の画像要素上に画定したラスタ・グラフィックスとして名目上の露光パターンを計算することであって、前記名目上の露光パターンは、前記所望パターンの輪郭線を実現する前記対象物上に名目上の線量分布をもたらすのに適し、前記対象物の前記各画像要素に対してそれぞれの名目上の線量値を含む、準備、計算をすること、
(c)「損傷要素」と呼ばれる、前記欠陥ブランキング・アパーチャのアパーチャ画像によって露光される画像要素を決定すること、
(d)前記各損傷要素に対して、「補正要素」と呼ばれる一組の複数の画像要素を選択することであって、前記補正要素は、前記対象物上の前記画像領域内の前記それぞれの損傷要素の近傍内に位置するが、前記それぞれの損傷要素とは異なり、前記それぞれの損傷要素に所定の最大距離までの範囲にある画像要素が前記補正要素として選択されること、
(e)前記各損傷要素に対して、前記補正要素のための補正線量値を計算することであって、前記補正線量値は、前記補正線量値のそれぞれが前記共通線量インターバル内にあるという制約下で、前記補正線量値で計算した前記対象物上の線量分布からの前記名目上の線量分布の偏移の誤差関数を最少にする、計算をすること;
(f)前記それぞれの補正要素において前記名目上の線量値を前記補正線量値に置き換えることによって、前記書込み工程による前記所望パターンの露光に適した補正露光パターンを前記名目上の露光パターンから生成すること
を含む、方法。 - 前記ステップ(e)は、全ての前記損傷要素に対して一様である事前計算係数を使用することを含み、第1の群の前記各事前計算係数は、前記損傷要素と前記補正要素に関係する組の前記それぞれの補正要素との間の統合された重複部であり、第2の群の前記各事前計算係数は、一組の補正要素内の2つの補正要素間の統合された相互の重複部である、請求項1に記載の方法。
- 前記ステップ(d)では、前記それぞれの損傷要素からの距離は、ユークリッド距離、直線距離又はp−ノルム距離のうち1つを使用して測定される、請求項1又は2に記載の方法。
- ブランキング・アパーチャ・アレイ内の有限数の欠陥を考慮に入れる粒子−光学リソグラフィ装置内の前記ブランキング・アパーチャ・アレイにより、所望パターンを対象物上に露光するための露光パターンを計算する方法であって、前記所望パターンは、対象物上の画像領域内の多数の画像要素から構成され、
前記ブランキング・アパーチャ・アレイは、複数のブランキング・アパーチャを備え、前記複数のブランキング・アパーチャは、前記ブランキング・アパーチャの相互位置を画定する所定の構成でブランキング・アレイ領域内に配置され、前記各ブランキング・アパーチャは、それぞれの露光インターバル中、前記それぞれのブランキング・アパーチャを通して前記対象物上の対応するアパーチャ画像上に露光される線量値に対して選択的に調節可能であり、前記線量値は、最小値から最大値の間の共通線量インターバル内の値を取り、有限数の欠陥ブランキング・アパーチャを除いて、前記各欠陥ブランキング・アパーチャは、露光インターバル中、それぞれの一定線量値、又は前記共通線量インターバルに適合しない線量インターバルのいずれかを前記対象物の対応するアパーチャ画像上に露光し、
書込み工程中、露光インターバル・シーケンスが行われ、前記各露光インターバルにおいて、前記ブランキング・アパーチャは、前記対象物上に画像化され、こうして対応する複数のアパーチャ画像を生成し、前記アパーチャ画像の位置は、前記露光インターバル中、前記対象物に対して固定したままにされ、前記画像要素の位置と一致するが、前記露光インターバル間では、前記アパーチャ画像の前記位置は、前記対象物に対して変位され、このようにして、前記対象物上の前記画像領域内の全ての前記画像要素を覆うように前記複数のアパーチャ画像を露光し、
前記方法は:
(a)欠陥ブランキング・アパーチャの一覧を準備することであって、前記一覧は、前記一覧に列挙される各欠陥ブランキング・アパーチャに関する情報を含み、前記それぞれの欠陥ブランキング・アパーチャの位置及び一定線量値又は不適合線量インターバルのいずれかを指定する、準備をすること、
(b)所望パターンを準備し、前記欠陥ブランキング・アパーチャを無視する多数の画像要素上に画定したラスタ・グラフィックスとして名目上の露光パターンを計算することであって、前記名目上の露光パターンは、前記所望パターンの輪郭線を実現する前記対象物上に名目上の線量分布をもたらすのに適し、前記対象物の前記各画像要素に対してそれぞれの名目上の線量値を含む、準備、計算をすること、
(c)「損傷要素」と呼ばれる、前記欠陥ブランキング・アパーチャのアパーチャ画像によって露光される画像要素を決定すること、
(d)前記各損傷要素に対して、「補正要素」と呼ばれる一組の複数の画像要素を選択することであって、前記補正要素は、前記対象物上の前記画像領域内の前記それぞれの損傷要素の近傍内に位置するが、前記それぞれの損傷要素とは異なる、選択すること、
(e)前記各損傷要素に対して、前記補正要素のための補正線量値を計算することであって、前記補正線量値は、前記補正線量値のそれぞれが前記共通線量インターバル内にあるという制約下で、前記補正線量値で計算した前記対象物上の線量分布からの前記名目上の線量分布の偏移の誤差関数を最少にする、計算をすること;
(f)前記それぞれの補正要素において前記名目上の線量値を前記補正線量値に置き換えることによって、前記書込み工程による前記所望パターンの露光に適した補正露光パターンを前記名目上の露光パターンから生成すること
を含み、
前記ステップ(e)で使用した前記誤差関数は、前記偏移の最小二乗誤差関数であり、前記補正線量値を計算することは、ボックス制約最小二乗アルゴリズムを使用して最小の前記誤差関数について解くことを含む、方法。 - 前記欠陥ブランキング・アパーチャがそれぞれの一定値を露光する場合の欠陥を有する前記欠陥ブランキング・アパーチャにより生じた前記損傷要素に関して、前記ステップ(e)の前に、前記それぞれの線量値は、アパーチャ画像が画像要素上に置かれたままになった期間に対する1回の露光インターバル期間の比率に対応する係数との増倍だけ更に増大される、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記欠陥ブランキング・アパーチャが前記それぞれの一定線量値又は前記共通線量インターバルに適合しない線量インターバルのいずれかを露光する場合の欠陥とは異なる欠陥を有する前記欠陥ブランキング・アパーチャにより生じた前記損傷要素に関して、前記欠陥は、常時オフ欠陥として処理され、前記それぞれのブランキング・アパーチャは、前記共通線量インターバルの最小値に相当する線量値で作動される、請求項1から5のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記ステップ(d)は、前記それぞれの損傷要素の位置に対して一様な形状の前記補正要素の組を使用して実施される、請求項1から6のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記ステップ(e)の前に、前記ブランキング・アパーチャに個別である増倍係数によって前記それぞれのブランキング・アパーチャに割り当てた値とは異なる線量値の露光を生じさせる、相対線量欠陥を有する前記欠陥ブランキング・アパーチャにより生じた欠陥要素に関して、前記欠陥ブランキング・アパーチャの前記線量値は、前記増倍係数の逆数で乗算され、且つこうして得られた前記線量値が前記共通線量インターバルの最大値を超える場合、前記それぞれの欠陥ブランキング・アパーチャは、常時オン欠陥を有するものとして処理される、請求項1から7のうちいずれか一項に記載の方法。
- 露光インターバル間では、前記アパーチャ画像の位置は、配置格子シーケンスに従って前記対象物に対して変位され、前記ステップ(d)では、前記配置格子シーケンスは、前記それぞれの損傷要素の位置に対する前記補正要素の組の形状に関して選択され、前記配置格子シーケンス及び前記形状は、任意の前記損傷要素に関して、前記補正要素の組が前記欠陥ブランキング・アパーチャによって露光される画像要素を含まないことを保証する、請求項1から8のうちいずれか一項に記載の方法。
- ブランキング・アパーチャ・アレイ内の有限の欠陥数を考慮に入れる粒子−光学リソグラフィ装置内の前記ブランキング・アパーチャ・アレイにより、対象物上に所望パターンを露光するための方法であって、前記所望パターンは、前記対象物上の画像領域内の多数の画像要素から構成され、
前記ブランキング・アパーチャ・アレイは、荷電粒子ビームにより照光され、前記ブランキング・アパーチャ・アレイは、複数のブランキング・アパーチャを備え、前記複数のブランキング・アパーチャは、前記ブランキング・アパーチャの相互位置を画定する所定の構成でブランキング・アレイ領域内に配置され、前記ブランキング・アパーチャの少なくとも一部の画像は、前記対象物の前記画像領域上に画像化され、
前記各ブランキング・アパーチャは、それぞれの露光インターバル中、前記それぞれのブランキング・アパーチャを通して前記対象物の対応するアパーチャ画像上に露光される線量値に対して選択的に調節可能であり、前記線量値は、最小値から最大値の間の共通線量インターバル内の値を取り、有限数の欠陥ブランキング・アパーチャを除いて、前記各欠陥ブランキング・アパーチャは、前記露光インターバル中、それぞれの一定線量値を前記対象物上の対応するアパーチャ画像上に露光し、
書込み工程中、露光インターバル・シーケンスが行われ、前記各露光インターバルでは、前記ブランキング・アパーチャは、前記対象物上に画像化され、こうして対応する複数のアパーチャ画像を生成し、前記アパーチャ画像の位置は、前記露光インターバル中、前記対象物に対して固定したままにされ、前記画像要素の位置と一致するが、露光インターバル間では、前記アパーチャ画像の前記位置は、前記対象物に対して変位され、このようにして、前記対象物の前記画像領域内の全ての前記画像要素を覆うように前記複数のアパーチャ画像を露光し、
前記書込み工程によって前記対象物上に前記所望パターンを露光する前記露光パターンであって、前記各露光インターバルの間、前記ブランキング・アパーチャに関する前記線量値を含む前記露光パターンは、請求項1から9のうちいずれか一項に記載の方法によって計算される、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14157259 | 2014-02-28 | ||
EP14157259.4 | 2014-02-28 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015165565A JP2015165565A (ja) | 2015-09-17 |
JP2015165565A5 JP2015165565A5 (ja) | 2016-06-30 |
JP6747772B2 true JP6747772B2 (ja) | 2020-08-26 |
Family
ID=50235946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015033427A Active JP6747772B2 (ja) | 2014-02-28 | 2015-02-23 | 帯電粒子マルチビーム露光ツールにおける欠陥ビームレットの補償 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9269543B2 (ja) |
EP (1) | EP2913838B1 (ja) |
JP (1) | JP6747772B2 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2937889B1 (en) | 2014-04-25 | 2017-02-15 | IMS Nanofabrication AG | Multi-beam tool for cutting patterns |
EP3358599B1 (en) | 2014-05-30 | 2021-01-27 | IMS Nanofabrication GmbH | Compensation of dose inhomogeneity using row calibration |
JP6892214B2 (ja) | 2014-07-10 | 2021-06-23 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化 |
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-
2015
- 2015-02-19 EP EP15155686.7A patent/EP2913838B1/en active Active
- 2015-02-23 JP JP2015033427A patent/JP6747772B2/ja active Active
- 2015-02-25 US US14/631,690 patent/US9269543B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2913838B1 (en) | 2018-09-19 |
US20150248993A1 (en) | 2015-09-03 |
EP2913838A1 (en) | 2015-09-02 |
US9269543B2 (en) | 2016-02-23 |
JP2015165565A (ja) | 2015-09-17 |
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|
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|
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|
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|
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|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
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