CN102598199A - 具有多束的带电粒子光学系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种多束带电粒子光学系统，包括：带电粒子源，用于产生多个带电粒子子束；以及带电粒子光学器件，用于使来自带电粒子源的带电粒子子束指向目标，其中，各带电粒子子束限定子束中心线，所述带电粒子光学器件包括一个以上静电透镜阵列，各静电透镜阵列包括用于产生多个静电子透镜的两个以上阵列电极，其中，各子透镜被设置用于聚焦相应的带电粒子子束，以及其中，各子透镜限定子透镜光轴，其中，至少一个所述一个以上静电透镜阵列包括一个以上偏轴静电子透镜，其中，相应的带电粒子子束的子束中心线在距离其子透镜光轴一段距离处穿过偏轴静电子透镜。

Description

具有多束的带电粒子光学系统
技术领域
本发明涉及一种多束带电粒子光学系统，包括：
带电粒子源，用于产生多个带电粒子子束，
带电粒子光学器件，用于使来自带电粒子源的带电粒子子束指向目标，该带电粒子光学器件包括一个以上静电透镜阵列，各静电透镜阵列包括用于产生多个静电子透镜的两个以上阵列电极，其中，各子透镜被设置用于聚焦相应的带电粒子子束。
这样的系统例如被用在无掩膜带电粒子束光刻部件中，用于将一个以上带电粒子子束投射到目标上，以将图像或者图案写到所述目标上。
背景技术
WO2007/013802中所公开的这样的系统的一个实例包括：带电粒子列，通过包括带电粒子提取构件的带电粒子源在真空中操作；用于由提取的所述带电粒子的发散光束产生多个平行子束的构件；以及包括若干电极的多个静电透镜结构。该静电透镜结构除了聚焦子束以外还起其他作用。通过利用调制器阵列偏转一个或者多个通常聚焦的带电粒子束来实现子束消隐。该调制器阵列只偏转一个以上粒子子束，所偏转子束通过截捕阵列来截捕以防止粒子束或者多个子束到达诸如晶圆的目标。为了实现基于计算机的图像图案在目标上的最终投射部分，作为所述目标的所述成像处理的部分，在最后一组静电透镜处在所谓的写方向上偏转非消隐子束。
一方面，这样的系统的带电粒子光学器件包括所谓的微距透镜用于聚焦发散光束或者子束的集合。
另一方面，带电粒子光学器件包括一个以上静电透镜阵列，各静电透镜阵列包括多个静电子透镜，其中，各子透镜被设置用于聚焦相应的带电粒子子束。子透镜（lenslet）实际上为小型透镜（small lens）。区分子透镜和小型透镜的事实是子透镜为子透镜阵列一部分。子透镜阵列由同一平面上的一组子透镜组成。这样的子透镜阵列的各子透镜通常具有相同的焦距。
此外，带电粒子光学器件可包括一个以上光束限定孔径和/或孔径阵列。
成功曝光的复杂化在于带电粒子光学器件的所有组件都需要高精度定位以将子束导向目标上的期望位置。获得高分辨率曝光的另一复杂化在于带电粒子透镜、磁性和/或静电透镜遭受像差尤其球面像差的事实。用于至少部分校正这样的像差的已知透镜结构或者透镜系统非常复杂。在这方面，非常期望能够校正透镜像差和/或校正子束的位置偏差。
在投射期间，根据已知系统的原理，借助于可移动支撑体，相对于带电粒子柱的投射区域引导目标，所述支撑体在除了子束的最终投射偏转方向以外的方向上移动，通常横向移动。在该处理中，非常高的精度是最重要的，这意味着复杂并且昂贵的启动（actuation）和定位构件。由于带电粒子束焦深限制、待写图案的小尺寸以及目标自身的厚度变动，目标的相对定位对于目标成功曝光至关重要，并且应该在宽运动范围内非常精确地执行。
成功曝光另一复杂化在于虽然已知带电粒子系统具有用于使用写方向上的偏转和目标支撑体的移动来补偿目标XY平面上的误差的构件，但是不能使用所述偏转和目标支撑体的移动来校正旋转误差。源自围绕投射系统和目标Z轴不对准，实际上分别源自X和Y方向上载物台引导不够精确的旋转误差最终导致位置误差，其中，当进一步远离旋转中心发生投射时，所述效果增加，从而更进一步增加目标定位系统旋转误差方面的精度要求。旋转精度要求与目标平面上精度要求相比通常为更高数量级。
发明内容
本发明目的是改进上述光刻系统，具体地，至少减轻所提到缺点中一部分的影响。
本发明另一目的是提供带电粒子光学器件，其具有用于至少部分校正子束位置小偏差和/或校正透镜像差的构件。
本发明另一目的是提供通用系统，其具有校正光束和/或子束的偏差和/或像差的各种可能性。
本发明另一目的是设计可至少组合这些可能性中一部分的系统。
本发明另一目的是降低可移动支撑体的精度要求。
根据第一方面，本发明提供一种带电粒子光学系统，包括：
带电粒子源，用于产生多个带电粒子子束，
带电粒子光学器件，用于使来自带电粒子源的带电粒子子束指向目标，其中，各带电粒子子束限定子束中心线，
所述带电粒子光学器件包括一个以上静电透镜阵列，各静电透镜阵列包括用于产生多个静电子透镜的两个以上阵列电极，其中，各子透镜被设置用于聚焦相应的带电粒子子束，以及其中，各子透镜限定子透镜光轴，
其中，至少一个所述一个以上静电透镜阵列包括一个以上偏轴静电子透镜，其中，相应的带电粒子子束的子束中心线在距离其子透镜光轴一段距离处穿过所述偏轴静电子透镜。
通常在带电粒子光学器件中，静电透镜被配置为使得带电粒子束穿过静电透镜的中心。这样的透镜进一步表示为“轴上静电透镜”。避免带电粒子束与静电透镜中心的任何偏差，这是因为这将导致不需要的像差。EP1432008中公开了所述系统的实例。在该文献中，据证实，如果光束穿过光轴上透镜，那么由透镜系统引起的像差基本上可被最小化。在EP 1432008中所公开实例中，电子束总是穿过基本上轴上的磁性和/或电性透镜组件。甚至在电子束通过预透镜偏转系统的第一组电极偏离光轴的实例中，该系统包括将光束重新指向光轴的第二组电极。这两组偏转电极以电子束总是穿过轴上透镜的方式相互作用。
在WO 2008/013442A1中，也公开了透镜阵列系统，其中，为了就所形成像差而言使透镜最佳化，子束沿光轴对称。在实施方式中，透镜与限流孔径组合，所述限流孔径相对于所述结构的透镜对准，使得所述透镜中受所述限流孔径影响的虚拟孔径沿透镜光轴对称。
然而，本发明打破该偏见，并且描述被视为不利的条件可被转变为一系列新颖的、实用的应用。
根据本发明的带电粒子光学系统包括静电透镜阵列，该静电透镜阵列具有一个以上（优选多个）子透镜，所述子透镜被特意设置为使得带电粒子子束至少进入并且优选穿过基本上在子透镜中心之外的子透镜，所述子透镜进一步表示为“偏轴子透镜”。当静电透镜阵列被启动为正透镜时，各子透镜将聚焦带电粒子子束，以及偏轴子透镜此外将使带电粒子子束偏向所述偏轴子透镜的光轴。当静电透镜阵列被启动为负透镜时，各子透镜将使带电粒子束散焦，以及偏轴子透镜此外将使带电粒子子束偏离所述偏轴子透镜的光轴，其中，负透镜需要更复杂透镜结构，这是因为静电透镜通常为正透镜。
本发明的带电粒子光学系统包括一个以上偏轴子透镜，所述子透镜定位于光学系统中使得入射带电粒子子束的子束中心线至少在距离其子透镜光轴一段距离处进入偏轴子透镜。当偏轴子透镜被启动时，由此当建立静电透镜阵列电极之间非零电位或者电压差时，前进中子束一方面聚焦或者散焦，以及另一方面偏转。偏转提供前进中子束轨迹偏移。偏移大小取决于偏轴静电子透镜焦距，并且可通过调整所述静电透镜阵列的电极之间的电位或者电压差来设定。因此，通过调整静电透镜阵列电位，即，静电透镜阵列的电极之间的电位差，可调整通过偏轴子透镜的带电粒子子束的偏移量，例如，以至少部分校正子束或者所述目标的位置的小偏差。
偏移大小还取决于子透镜光轴与子束穿过偏轴子透镜的位置之间的距离。该距离可在带电粒子光学系统设计期间选择。距离越大，偏移越大（当焦距保持恒定时）。
通过周密设计带电粒子光学系统的静电透镜阵列，该系统例如可设置有用于至少部分校正由其他透镜（尤其微距透镜）引起的像差的构件。根据本发明的静电透镜阵列的另一优点为其提供用于使用固定设置在带电粒子光学列中的透镜阵列来操纵单独子束轨迹的构件。
在一实施方式中，至少一个所述一个以上静电透镜阵列包括堆叠，所述堆叠包括分别配置有第一和第二透镜孔阵列的第一和第二阵列电极，其中，所述第一和第二透镜孔阵列的透镜孔彼此对准，其中，至少一个所述一个以上静电透镜阵列包括一个以上偏轴静电子透镜，各偏轴子透镜包括第一透镜孔阵列的第一透镜孔和第二透镜孔阵列的相对第二透镜孔，以及其中，相应的带电粒子子束的子束中心线在距离偏轴静电子透镜的中心一段距离处穿过偏轴静电子透镜。优选地，所述子束中心线在距离至少一个所述第一和第二透镜孔一段距离处穿过所述偏轴静电子透镜。
在一实施方式中，每一个所述一个以上偏轴静电子透镜或者所述一个以上偏轴静电子透镜的子集被单独调整和/或设置用于提供各相应的带电粒子子束的单独校正或者期望偏转或者定位。这种情况提供非常灵活的静电透镜阵列，该静电透镜阵列可被设计为用于调整或者校正带电粒子子束与期望位置的几乎任何偏差。另一方面，其可为目标上期望位置，所述目标可为硅晶圆的表面。另一方面，其还可为在带电粒子光学器件的其他透镜或者静电透镜阵列的光束限定孔径、光束截捕器或者透镜平面上的期望位置。相应地，本发明提供了用于大体上优化带电粒子光学器件（尤其多束带电粒子系统）的系统特性，校正诸如球面像差和散光的像差，校正边缘现象等的简单解决方法。
在一实施方式中，带电粒子光学器件包括中心轴，其中，至少一个所述一个以上静电透镜阵列的多个子透镜基本上对称地围绕中心轴设置。
在一实施方式中，各偏轴静电子透镜的光轴与相应的带电粒子子束的子束中心线之间的距离为所述偏轴静电子透镜与中心轴之间的径向距离的函数。
在第一实施方式中，各偏轴静电子透镜的光轴与相应的带电粒子子束的子束中心线之间的距离与所述偏轴静电子透镜与中心轴之间的径向距离成比例。
当根据第一实施方式的静电透镜阵列的所有子透镜被配置为使得各子透镜的光轴与相应的带电粒子子束的子束中心线之间的距离与介于所述子透镜与中心轴之间的径向距离成比例，并且各偏轴静电子透镜相对于相应的带电粒子子束的子束中心线在相对于所述中心轴基本上径向方向上偏移时，带电粒子子束径向偏移与介于子束与中心轴之间的距离成比例。
另一方面，当各子透镜的光轴设置在相应的带电粒子束的子束中心线与中心轴之间时，这样的静电透镜阵列作为正微距透镜用于会聚子束的集合。
另一方面，当相应的带电粒子束的子束中心线被设置在子透镜的光轴与中心轴之间时，这样的静电透镜阵列作为负微距透镜用于发散子束的集合。
当根据该第一实施方式的静电透镜阵列的所有子透镜被设置为使得介于各子透镜的光轴与相应的带电粒子子束的子束中心线之间距离与介于所述子透镜与中心轴之间的径向距离成比例，并且各偏轴静电子透镜相对于相应的带电粒子子束的子束中心线在相对于所述中心轴基本上切线方向上偏移时，带电粒子子束的切线偏移与介于子束与中心轴之间的距离成比例。这样的静电透镜阵列可用于校正围绕子束集合的或者可移动支撑体的中心轴的小旋转误差。
在第二实施方式中，介于各偏轴静电子透镜的光轴与相应的带电粒子子束的子束中心线之间的距离与介于所述偏轴静电子透镜与中心轴之间的径向距离的三次幂成比例。
当根据第二实施方式的静电透镜阵列所有子透镜被设置为使得介于各子透镜的光轴与相应的带电粒子子束的子束中心线之间的距离为介于所述子透镜与中心轴之间的径向距离的三次幂成比例时，并且各偏轴静电子透镜相对于相应的带电粒子子束的子束中心线在相对于所述中心轴的基本上径向方向上偏移时，带电粒子子束的径向偏移与介于子束与中心轴之间的距离的三次幂成比例。这样的静电透镜阵列可用于校正例如由带电粒子光学系统的其他透镜（例如，准直微距透镜）引起的球面像差。
在第三实施方式中，各偏轴静电子透镜相对于相应的带电粒子子束的子束中心线沿基本上相同的方向偏移。
当根据第三实施方式的静电透镜阵列的所有子透镜被设置为使得介于各子透镜的光轴与相应的带电粒子子束的子束中心线之间的距离与介于所述子透镜与静电透镜阵列平面上且与中心轴横切的线之间的距离成比例，该静电透镜阵列可用作柱状透镜，例如用于校正带电粒子光学系统其他透镜（例如，微距透镜）的任何散光。
在第四实施方式中，至少一个所述一个以上静电透镜阵列的四分之一圆周的各偏轴静电子透镜相对于相应的带电粒子子束的子束中心线在基本上相同方向上偏移。
在第五实施方式中，各偏轴静电子透镜在基本上相同方向上偏移，以及其中，介于各偏轴静电子透镜的光轴与相应的带电粒子子束的子束中心线之间的距离基本上恒定。当根据第五实施方式的静电透镜阵列的所有子透镜为偏轴静电子透镜时，该静电透镜阵列可用作偏转器用于在相同方向上偏转子束的集合，并且导致所述集成的各子束的基本上相同的偏转量。
在大多数实施方式中，介于偏轴子透镜的光轴或者中点与相应的子束中心线之间的距离在静电透镜阵列设计期间设定。在必须调整由偏轴静电子透镜引起的偏转或者偏移的情况下，调整静电透镜阵列的电极上的电位。如上所述，这还将改变静电透镜阵列的子透镜焦距。因此，子束的焦点改变。
在一实施方式中，静电透镜阵列设置在所述多个带电粒子子束的焦点平面附近或者所述焦点平面内。虽然偏轴子透镜引起相应的带电粒子子束的偏转，但是所述偏轴子透镜的任何聚焦或者散焦效应被最小化或者基本上抵消，使得至少基本上维持带电粒子光学系统的总焦距。
可选地或者另外地，可通过调整带电粒子光学系统的一个以上其他静电透镜的焦距来抵消所述偏轴子透镜的任何聚焦或者散焦效应，使得维持带电粒子光学系统的总焦距。
在一实施方式中，偏轴静电子透镜嵌入于带电粒子光学器件的轴上静电子透镜中，或者设置于所述带电粒子光学器件的轴上静电子透镜之前或者之后。可控制组合的轴上和偏轴子透镜，使得所述组合子透镜的总焦距基本上恒定。
在一实施方式中，静电透镜阵列的阵列电极的堆叠包括配置有第三透镜孔阵列的第三阵列电极，其中，第一透镜孔阵列、第二透镜孔阵列和第三透镜孔阵列的透镜孔彼此对准，其中，所述静电透镜的子透镜轴贯穿第一和第二透镜孔的中心，其中，各偏轴子透镜包括所述第三透镜孔阵列的偏轴第三透镜孔，以及其中，所述偏轴第三透镜孔的中心设置在距离所述子透镜轴一段距离处。在该静电透镜阵列中，偏轴静电子透镜与轴上静电子透镜组合，即，偏轴静电子透镜和轴上静电子透镜共用一个以上电极。在该情况下，可通过相对于轴上静电子透镜的第一和第二电极偏移的单个第三电极来获得偏轴静电子透镜。因为静电透镜总是为正透镜和负透镜的组合，所以单个电极的偏移比整个透镜的偏移更有效。
在一实施方式中，所述第三阵列电极可包括与一个以上偏轴第三透镜孔组合的一个以上轴上第三透镜孔。
在一实施方式中，第二阵列电极设置在第一和第三阵列电极之间。由第二和第三阵列电极引起的偏轴静电子透镜紧接着由第一和第二阵列电极引起的轴上静电子透镜。
在一实施方式中，第三阵列电极设置在第一和第二阵列电极之间。因此，第三阵列电极夹在第一和第二阵列电极之间。
在一实施方式中，静电透镜阵列的阵列电极的堆叠包括分别配置有第四和第五透镜孔阵列的第四和第五阵列电极，其中，第一透镜孔阵列、第二透镜孔阵列、第三透镜孔阵列、第四透镜孔阵列和第五透镜孔阵列的透镜孔彼此对准，其中，所述静电透镜的子透镜轴贯穿对准的第一透镜孔、第二透镜孔、第四透镜孔和第五透镜孔的中心，以及其中，第三透镜孔阵列设置在一侧上的第一和第二透镜孔阵列与另一侧上的第四和第五透镜孔阵列之间。由第二阵列电极、第三阵列电极和第四阵列电极引起的各偏轴静电子透镜嵌入于由第一阵列电极和第二阵列电极引起的第一轴上静电子透镜与由第四阵列电极和第五阵列电极引起的第二轴上静电子透镜之间。
通过使用五元件透镜，其中，中间电极（即，第三电极）包括偏移透镜孔用于引起偏轴子透镜，可通过施加相同电压于三个中间电极（即，第二电极阵列、第三电极阵列和第四电极阵列）来完全关闭所述偏轴子透镜动作。此外，入射并且通过的带电粒子的出射动能可保持恒定，并且可通过适当调整偏轴子透镜之前和/或之后的轴上子透镜的电压来补偿由偏轴子透镜引起的焦距改变。
在一实施方式中，带电粒子光学器件包括中心轴，其中，至少一个所述一个以上静电透镜阵列的多个子透镜基本上对称地围绕中心轴配置。
在一实施方式中，介于偏轴第三透镜孔中心与所述子透镜轴之间的距离为介于所述偏轴静电子透镜与中心轴之间的径向距离的函数。
在一实施方式中，介于偏轴第三透镜孔中心与所述子透镜轴之间的距离与介于所述偏轴静电子透镜与中心轴之间的径向距离成比例。
当所述第三透镜孔阵列的所有透镜孔被设置为使得介于各第三透镜孔中心与相应的子透镜轴之间的距离与介于子透镜轴与中心轴之间的径向距离成比例，此外，各偏轴静电子透镜的第三透镜孔相对于相应的带电粒子子束的子束中心线在基本上相同方向（基本上径向方向）上偏移时，所形成静电透镜阵列可作为正微距透镜（当第三透镜孔偏向中心轴时）或者负微距透镜（当第三透镜孔偏离中心轴时）。
当所述第三透镜孔阵列的所有透镜孔被设置为使得介于各第三透镜孔中心与相应的子透镜轴之间的距离与介于子透镜轴与中心轴之间的径向距离成比例，此外，各偏轴静电子透镜的第三透镜孔相对于相应的带电粒子子束的子束中心线在基本上相同方向（基本上切线方向）上偏移时，所形成的静电透镜阵列可作为旋转器件用于校正围绕中心轴的子束对准的小旋转误差。在一实施方式中，第三透镜孔阵列相对于第一和/或第二透镜孔阵列围绕中心轴旋转。
在一实施方式中，介于第三透镜孔与子透镜轴之间的距离与介于偏轴静电子透镜与中心轴之间的径向距离的三次幂成比例。
当所述第三透镜孔阵列的所有透镜孔被设置为使得介于各第三透镜孔中心与相应的子透镜轴之间的距离与介于子透镜轴与中心轴之间的径向距离的三次幂成比例，此外，各偏轴静电子透镜的第三透镜孔相对于相应的带电粒子子束的子束中心线在基本上相同方向（基本上径向方向）上偏移时，所形成的静电透镜阵列可用于校正由带电粒子光学系统的其他透镜引起的球面像差。
在一实施方式中，至少一个所述一个以上静电透镜阵列的四分之一圆周的各偏轴静电子透镜的第三透镜孔相对于相应的带电粒子子束的子束中心线在基本上相同方向上偏移。
在一实施方式中，各偏轴静电子透镜的第三透镜孔在基本上相同方向上偏移，其中，介于第三透镜孔中心与所述子透镜轴之间的距离基本上恒定。当根据本实施方式的静电透镜阵列的所有子透镜都为偏轴静电子透镜时，该静电透镜阵列可被用作偏转器用于在相同方向上偏转子束的集合，并且导致所述集合的各子束基本上相同的偏转量。
当静电透镜阵列的所有静电子透镜都为偏轴子透镜，其中，所述偏轴子透镜被设置为使得介于偏轴子透镜中心与偏轴子透镜上相应的带电粒子束的位置之间的连接线平行于可移动支撑体的X轴时，所述静电透镜阵列可校正所述目标的X轴位置的小偏差。在一实施方式中，所述带电粒子光学系统此外可包括第二静电透镜阵列，其中，所有静电子透镜都为偏轴子透镜，所述偏轴子透镜被设置为使得介于第二偏轴子透镜中心与偏轴子透镜上相应的带电粒子束的位置之间的连接线平行于可移动支撑体的Y轴，其中，Y轴基本上垂直于X轴。第二静电透镜阵列可校正所述目标的Y轴位置的小偏差。两个偏轴静电透镜阵列的这种组合可提供沿X轴和Y轴的校正，因此可提供XY平面上的校正。
在一实施方式中，该系统还包括：传感器，用于精确判定目标的实际位置与期望位置之间的偏差；以及控制器，用于基于判定的偏差来调整偏轴子透镜或者第三阵列电极的电位。因此，通过调整所述偏轴子透镜或者所述第三阵列电极的电位，借助于所述控制器，带电粒子子束可被偏移，用于至少部分校正目标位置的小偏差。使用一个以上上述实施方式，可校正XY平面上小偏差和/或小旋转偏差。
用于检测或者测量目标位置和定向的传感器在本技术中众所周知，并且可包括多个高精度激光干涉仪。与带电粒子光学系统或者还表示为“投射系统”相比，这样的传感器或者测量系统可实时操作，并且可精确判定目标位置和定向。
根据第二方面，本发明提供了一种无掩膜带电粒子束光刻部件，其包括如上所述多束带电粒子光学系统。
根据第三方面，本发明提供了一种静电透镜阵列，其包括一个以上偏轴静电子透镜，用于如上所述多束带电粒子光学系统中。
根据第四方面，本发明涉及如上所述的多束带电粒子光学系统的用途。
若可能，本说明书中所描述和所示出的各种方面和特征可单独应用。这些单独的方面，尤其是所附从属权利要求中所述的方面和特征，可以作为分案专利申请的对象。
附图说明
将根据附图中所示的示例性实施方式阐述本发明，其中：
图1示出包括晶圆载物台组件的带电粒子光刻系统示意图；
图2示出现有技术带电粒子曝光系统的多束电子光学列示意图；
图3示出本发明静电透镜阵列第一示例性实施方式的示意性横截面图；
图4示出本发明静电透镜阵列第二示例性实施方式的示意性横截面图；
图5示出本发明静电透镜阵列第三示例性实施方式的示意性横截面图；
图6示出用作微距透镜（macro lens）的本发明静电透镜阵列第四示例性实施方式的示意性俯视图；
图7示出用作微距柱状透镜的本发明静电透镜阵列第五示例性实施方式的示意性横截面图；
图8示出用作旋转器的本发明静电透镜阵列第六示例性实施方式的示意性横截面图；
图9示出用作偏转器的本发明静电透镜阵列第七示例性实施方式的示意性横截面图；
图10A示意性示出可利用XY平面上偏移来解决的对准误差；
图10B示意性示出可利用围绕XY平面上旋转中心旋转来解决的对准误差；
图11A和图11B示出轴上和偏轴静电子透镜的组合实例示意图；
图12示出具有三元件子透镜构成的示意性实施方式示意图；
图13示出具有五元件子透镜构成的示意性实施方式示意图；
图14示出图13实施方式的光束偏移对施加电压的曲线图；
图15A示意性示出五透镜孔阵列构成的示例性实施方式的三维视图；
图15B示意性示出图15A实施方式的俯视图；以及
图16示出使用图6A实施方式的围绕中间子束所引起偏移的模拟。
具体实施方式
图1为现有技术带电粒子系统1的示意图，该带电粒子系统1用于将图像或者图案（尤其由控制系统2所提供的图像或者图案）投射到目标上。在该设计中，带电粒子系统包括：控制系统2、安装于底座8上的真空室3，真空室3包括带电粒子柱4、度量框架6和目标定位系统10-13。目标9一般为基板平面上设置有带电粒子敏感层的晶圆。目标9放置于晶圆台10顶部上，晶圆台10进而放置于夹盘12和长冲程驱动器13上。测量系统11连接至度量框架6，并且提供晶圆台10和度量框架6的相对定位测量。度量框架6通常质量相对高，并且通过例如通过弹簧元件实现的隔震器7来悬挂以减少扰动。电子光学柱4使用投射仪5来执行最终投射。投射仪5包括静电或者电磁投射透镜系统。在如所述的优选实施方式中，投射仪5包括静电透镜阵列。
投射仪5被定位为非常接近目标9，即，在25微米至75微米范围内。根据本优选实施方式，定位距离约为50微米，即，±10%。
为了在大的移动范围内达到所需精度，晶圆定位系统通常包括：长冲程组件13，用于在扫描方向上和垂直扫描方向的方向上相对大的距离内移动晶圆载物台；以及短冲程组件12，用于精确执行目标9定位并且用于校正扰动。晶圆载物台对于度量框架6的相对定位通过测量系统11来测量。目标9被夹紧至晶圆台10上以确保投射期间目标9固定。
图2示意性示出本身称为已知带电粒子光学系统4的实例，带电粒子光学系统4具有对称轴Z，对称轴Z在本文中也表示为光刻系统（尤其带电粒子光学器件）的中心轴Z。在该已知系统中，带电粒子源17产生带电粒子束18。带电粒子束随后穿过用于准直带电粒子束的准直透镜19。接着，经准直的带电粒子束通过孔径阵列21阻挡准直光束的一部分并且允许子束22通过来变换为多个子束22，所述孔径阵列21包括已知系统中具有通孔的板。子束22被投射在消隐构件23上，在本实例中消隐构件23包括设置有偏转构件的孔径阵列。所述消隐构件23能够使单独选择的子束24偏转到由与消隐器构件23孔径阵列对准的孔径阵列形成的光束截捕器25上，以使非偏转子束通过。子束24到光束截捕器25上的这种偏转有效地将偏转的单独子束24切换为“关闭”，即，达不到目标。非偏转子束可不受约束通过，并且不受消隐阵列23和光束截捕器阵列25消隐。所述消隐阵列23的控制信号在图案流（streamer）14中产生并且作为电信号15发送，以及通过调制构件16转换为光学控制信号。光学控制信号20被发送至消隐阵列23以传输切换指令。投射仪5聚焦非偏转子束26，并且在写方向上偏转非偏转子束26到目标9上，从而实现最终投射。带电粒子子束22到目标9上的最终投射使能够曝光。在曝光期间，所述子束26同时在第一方向上偏转到目标9上，同时目标9通过上述目标定位系统10-13在第二方向上横向移动至第一方向。
作为上述实例，多束带电粒子光学系统中静电透镜阵列的使用众所周知。通常在带电粒子光学器件中，静电透镜被配置为使得带电粒子束穿过静电透镜中心。避免带电粒子束与静电透镜中心的任何偏差，因为这种情况将导致不需要的像差。
然而，如果摒弃所述偏见，那么这将为用于影响和控制带电粒子子束阵列的许多新器件扫清道路。
在第一实例中，如图3所示，静电透镜阵列31包括配置有第一透镜孔34阵列的第一阵列电极32和配置有第二透镜孔35阵列的第二阵列电极33的堆叠。第一阵列电极32和第二阵列电极33的透镜孔34和35、34’和35’彼此对准以形成具有光轴36的静电子透镜。如图3所示，静电透镜阵列31不仅用于聚焦子束37，而且用于偏转子束37中的一些。
静电透镜阵列31对准，使得中心子束37’中心地穿过静电透镜阵列31的透镜孔34’、35’。该子束37’仅通过由透镜孔34’、35’限定的子透镜来聚焦。
由透镜孔34、35限定的其他子透镜被特意配置为使得其他子束37分别在距离其光轴36一定距离处穿过相应子透镜。在图3所示实例中，各子束37通过相应的子透镜偏转以穿过所述子透镜的焦点38。
在图3所示实例中，透镜孔34、35之间的间隔小于子束37之间的间隔（这种情况在本图中高度放大以更清晰示出偏转效应）。因此，子束37的偏移39随着子束37与中心子束37’之间的距离增加而增加。因为静电透镜通常为正透镜，所以图3所示配置作为正微距透镜。
图4中示出第二实例。在本实例中，静电透镜阵列41的第一阵列电极42和第二阵列电极43被设计为使得透镜孔44、45之间的间隔大于子束47之间的间隔（同样，这种情况在本图中高度放大以更清晰示出偏转效应）。因此，子束47的偏移49随着子束47与中心子束47’之间的距离增加而增加。因为静电透镜通常为正透镜，所以图4所示配置作为负微距透镜。
如图3和图4示意性所示，子束37、47不仅被偏转，而且被聚焦在焦点38、48。
图5中示出第三实例，其中，图4的静电透镜阵列41的聚焦效应被最小化。在本实例中，用于偏转子束57的静电透镜阵列41配置在子束57的焦点58附近或者焦点58处。为了聚焦子束57，另一静电透镜阵列51配置在静电透镜阵列41上游。另一静电透镜阵列51被设计和配置为使得所有子束57中心地通过所述另一静电透镜阵列51的透镜孔54、55。另一静电透镜阵列51的各子透镜只聚焦相应的子束57。随后，子束57到达静电透镜阵列41。该静电透镜阵列41设置在另一静电透镜阵列51的焦点58平面中。通过将静电透镜阵列41放置于焦点58的平面中，该静电透镜阵列41的聚焦效应被最小化。使用该构造，在基本上不改变带电粒子光学系统总焦距的情况下，可通过调整第一阵列电极42与第二阵列电极43之间的电压差来调整子束的偏转59。将静电透镜阵列41放置于焦点58平面中的另一优点是这种情况还将使偏轴子束57中任何不需要的像差最小化。
图6示出静电透镜阵列61第四实例的示意性俯视图，其中，阵列电极被设计为使得透镜孔64之间的间隔大于子束67之间的间隔（这种情况在本图中高度放大以更清晰示出透镜孔相对于子束67的偏移）。这种情况产生透镜孔64相对于子束67的径向偏移69，径向偏移69随着子束67与中心子束67’之间的径向距离增加而增加。因为静电透镜通常为正透镜，所以图6所示的配置作为负圆形对称微距透镜。图4可视为沿图6线A-A的横截面图。
图7示出静电透镜阵列71第五实例的示意性俯视图，其中，阵列电极被设计为使得沿对称轴72方向上透镜孔74之间的间隔等于子束77之间的间隔，并且与对称轴72垂直方向上透镜孔74之间的间隔大于子束77之间的间隔（这种情况在本图中高度放大以更清晰示出透镜孔74相对于子束77的偏移）。在与对称轴72垂直的方向上，这种情况产生透镜孔74相对于子束77的偏移79，该偏移79随着子束77与对称轴72之间的距离增加而增加。因为静电透镜通常为正透镜，所以图7所示配置作为负柱状微距透镜。图4可视为沿图7线B-B的横截面图。
图8示出静电透镜阵列81第六实例的示意性俯视图，其中，阵列电极被设计为使得透镜孔84之间的间隔等于子束87之间的间隔。然而，透镜孔84阵列围绕中心子束87’相对于子束87阵列逆时针旋转（这种情况在本图中高度放大以更清晰示出透镜孔84相对于子束87的偏移）。这种情况产生透镜孔84相对于子束87的切线偏移89，该切线偏移89随着子束87与中心子束87’之间的径向距离增加而增加。图8所示的配置作为旋转器用于校正子束87、87’的集合（assembly）对准中的小旋转误差（如图10B示意性示出）。
图9示出静电透镜阵列91第七实例的示意性俯视图，其中，阵列电极被设计为使得透镜孔94之间的间隔等于子束97之间的间隔。然而，透镜孔94阵列相对于子束97阵列沿X轴偏移（这种情况在本图中高度放大以更清晰示出透镜孔94相对于子束97的偏移）。这种情况产生透镜孔94相对于子束97沿X轴的相等偏移99。图9所示配置作为偏转器用于在X轴方向上偏转子束97集合。
以相同方式，透镜孔94阵列可相对于子束97阵列沿Y轴交替偏移。这种情况产生透镜孔94相对于子束97沿Y轴的相等偏移99。该配置然后将作为偏转器用于在Y轴方向上偏转子束97集合。
X轴偏转器和Y轴偏转器的组合可用于校正XY平面上子束87、87’集合的小对准误差（如图10A示意性示出）。
在上述静电透镜阵列41的聚焦效应被最小化的图5的第三实例中，使用两个静电透镜阵列，一个轴上静电透镜阵列51和一个基本上偏轴静电透镜阵列41。为了使聚焦效应最小化，还可不同地使用这两个透镜阵列41、51，如图11A和图11B所示。
图11A示意性示出第一轴上静电透镜阵列101的一个子透镜和第二基本上偏轴静电透镜阵列102的一个偏轴子透镜的横截面图。第一静电透镜阵列101和第二静电透镜阵列102靠近配置，并且当被启动时，具有基本上相同的焦距。在如图11A所示第一未偏转情况下，第一静电透镜阵列101为打开（on），以及第二静电透镜阵列102为关闭（off）。在如图11B所示第二偏转情况下，第一静电透镜阵列101为关闭，以及第二静电透镜阵列102为打开。在未偏转和偏转两者情况下，基本上维持（preserve）焦距。
图12示出静电透镜阵列104的子透镜实例的横截面图，该静电透镜阵列104包括三个阵列电极105、106、107。静电透镜阵列104的阵列电极堆叠包括设置有第三透镜孔阵列的第三阵列电极106，其中，第一透镜孔阵列105、第二透镜孔阵列107和第三透镜孔阵列106的透镜孔彼此对准。静电子透镜的子透镜轴108贯穿第一透镜孔阵列105和第二透镜孔阵列107的透镜孔中心，其中，各偏轴子透镜包括第三透镜孔阵列106的偏轴第三透镜孔，以及其中，所述偏轴第三透镜孔中心设置在距离所述子透镜轴108一段距离处。
图13示出静电透镜阵列110的子透镜实例的横截面，静电透镜阵列110包括五个阵列电极111、113、115、114、112。静电透镜阵列110的阵列电极堆叠包括设置有第三透镜孔阵列的第三阵列电极115，其中，透镜孔阵列的透镜孔彼此对准。静电子透镜的子透镜轴118贯穿第一透镜孔阵列111、第二透镜孔阵列113、第四透镜孔阵列114和第五透镜孔阵列112的透镜孔中心，其中，各偏轴子透镜包括第三透镜孔阵列115的偏轴第三透镜孔，以及其中，所述偏轴第三透镜孔的中心被设置在距离子透镜轴118一段距离处。
虽然五元件静电子透镜（如图13所示）的属性可为各种各样，但是优选地，两个属性保持恒定或者在偏移改变期间必须得到补偿：
1.焦点位置。
2.带电粒子的动能
通过利用中间电极115偏离轴的五元件静电子透镜（图13所示），这些属性可得到满足。通过在中间电极上施加略微不同的电压，焦点位置在XY平面上与透镜偏移和所施加电压一致地偏移。在本示例性器件中，焦点位置和动能可维持，这是因为系统由多个单独可控电极构建而成，所述单独可控电极可看作为单独可控透镜。可调整偏轴子透镜之前或者之后的轴上子透镜以补偿偏轴子透镜的聚焦效应。
通过施加基本上相同电位至五元件静电透镜阵列的最外部电极，尤其通过将这些电极连接至基本上接地电位，静电透镜阵列之前和之后子束中带电粒子的动能具有基本上相同大小。
当小电压改变相对于相邻电极113、114施加于中间电极115上时，看到XY平面上焦点位置的线性偏移。图14中示意性示出对于不同透镜偏移而言偏转D（纵轴）作为电极15电位V（横轴）的函数的这种特性（1GU代表相对于带电子束的2微米透镜偏移）。在光轴118方向上以2微米为步阶完成数据记录，看出这些标出点无焦距偏移和无散光。
图15A中示意性示出多束五元件静电透镜阵列，其中，中间阵列电极115相对于其他阵列电极111、113、114、112旋转。这种情况给出每个子束的单独透镜偏移，该透镜偏移与距离系统中心117的距离成比例。因此，现在可通过在中间电极115上施加特定电压来校正旋转不对准，由此中心光束不偏移，并且所引起偏移与距离系统中心117的距离成比例。
图16中，以黑点对开环所代表的非旋转的方式来示出极端旋转校正，图16模拟示出使用根据图8所示实例的旋转器旋转的带电粒子子束集合。
现在返回图2，可在带电粒子光学系统4中多个位置处采用上述静电透镜阵列实例，从而提供根据本发明的新颖的带电粒子光学系统：
由带电粒子源17产生的带电粒子束穿过用于准直带电粒子束的准直透镜19。接着，经准直的带电粒子束通过孔径阵列21被变换为多个子束22。
为了校正由准直透镜19所引起的任何球面像差，根据如图6所示第四实例的静电透镜阵列可配置在孔径阵列21之后。在该情况下，透镜孔64相对于子束67的径向偏移69随着子束67与中心子束67’之间的径向距离增加而成三次幂比例地增加。
为了校正由准直透镜19所引起的任何散光，根据如图7所示第五实例的静电透镜阵列可配置在孔径阵列21之后。
随后，子束22投射在消隐构件23上，消隐构件23在本实例中包括设置有多个偏转构件的孔径阵列。
根据如图8所示第六实例的旋转器可设置在消隐构件23之后，用于校正子束22相对于光束截捕器25的对准的小旋转误差，使得非偏转子束能够穿过所述光束截捕器阵列25。
光束截捕器阵列25之后的投射仪5聚焦非偏转子束26，并且在写方向上偏转非偏转子束26到目标9上，从而实现最终投射。根据本发明的一方面，投射仪5配置有，用于校正子束26相对于目标9的对准的小旋转误差的旋转器。通过设置用于校正小旋转误差的旋转器，可采用不太精确因而更加经济和/或简单的目标定位系统。
在一实施方式中，如图15A和图15B所示实例可用作投射仪透镜5，为了提供用于校正小旋转误差的旋转器，将旋转器嵌入投射仪透镜5中。
在替代性实施方式中，光束截捕器25直接设置在投射仪5上，并且相对于根据图8所示实例的带电粒子子束22略微旋转。光束截捕器25和投射仪5的上电极通常接地。通过提供光束截捕器25与投射仪5的上电极之间小电位差，获得与如图8所示第六实例类似的旋转器。
此外，投射仪5可设置有根据如图9所示第七实例的偏转器，用于在写方向上偏转子束26到目标9上。虽然该偏转器可设置在投射仪5之后，但是优选嵌入在投射仪5中。可利用作为如上所述旋转器一部分的光束截捕器25来有利组合所述嵌入式偏转器。
制造
静电透镜阵列包括由非导电间隔物分开的两个以上导电电极的堆叠。该电极全部具有对准的透镜孔阵列。优选地，静电透镜阵列大部分例如使用以下方法步骤由MEMS组件构造而成：
电极的起始材料为薄双面抛光的4″硅晶圆，该硅晶圆随后通过热氧化覆盖二氧化硅层。透镜孔图案通过光刻限定，然后该图案通过反应性离子蚀刻转移到氧化层。然后，在Bosch深度反应离子蚀刻（DRIE）处理中使用氧化物作为蚀刻掩膜通过电极蚀刻透镜孔。蚀刻之后，使用湿性和干性处理的组合清洁电极并且通过溅射沉积来涂布电极。
非导电间隔物的起始材料为薄双面抛光4″玻璃晶圆，该玻璃晶圆被切割成所需尺寸。机械钻孔制成中心孔。最后，使用湿性和干性处理的组合清洁间隔物。
因为堆叠中电极对准对于器件的功能而言至关重要，所以专门另外开发Karl Suzz掩膜对准器，该掩膜对准器允许在堆叠和胶合顺序期间精确定位电极。两个以上阵列电极以亚500nm精度对准。
应该理解，包括以上描述以说明优选实施方式的操作，并非旨在限制本发明的范围。由以上讨论可知，许多变化对于本领域技术人员而言是显而易见的，这些变化也包括在本发明的精神和范围内。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.多束带电粒子光学系统，包括：
带电粒子源，用于产生多个带电粒子子束，
带电粒子光学器件，用于使来自所述带电粒子源的所述带电粒子子束指向目标，其中，各带电粒子子束限定一子束中心线，
所述带电粒子光学器件包括一个以上静电透镜阵列，各静电透镜阵列包括用于产生多个静电子透镜的两个以上阵列电极，其中，各子透镜被设置用于使相应的带电粒子子束聚焦，以及其中，各子透镜限定一子透镜光轴，其特征在于：
所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个包括一个以上偏轴静电子透镜，所述一个以上偏轴静电子透镜被设置为使得所述带电粒子子束在基本上偏轴子透镜的中心以外进入所述子透镜，
其中，所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在距离所述偏轴静电子透镜的子透镜光轴一段距离处穿过所述偏轴静电子透镜，使得所述子束的偏转受所述偏轴子透镜的影响。
2.根据权利要求1或权利要求1的前序部分所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个包括堆叠，所述堆叠包括分别设置有第一透镜孔阵列和第二透镜孔阵列的第一阵列电极和第二阵列电极，其中，所述第一透镜孔阵列和所述第二透镜孔阵列的透镜孔彼此对准，
其中，所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个包括一个以上偏轴静电子透镜，各偏轴子透镜包括所述第一透镜孔阵列的第一透镜孔和所述第二透镜孔阵列的相对第二透镜孔，以及
其中，所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在距离所述偏轴静电子透镜的中心一段距离处穿过所述偏轴静电子透镜。
3.根据权利要求1或2所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述一个以上偏轴静电子透镜中的每一个或者子集被单独调整和/或配置用于提供各相应的带电粒子子束的单独校正或者期望偏转或者定位。
4.根据权利要求1、2或3所述的多束带电粒子光学系统，所述带电粒子光学器件包括中心轴，其中，所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个的多个子透镜基本上对称地围绕所述中心轴设置。
5.根据权利要求4所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的光轴与所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线之间的距离为所述偏轴静电子透镜与所述中心轴之间的径向距离的函数。
6.根据权利要求5所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述光轴与所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线之间的距离与所述偏轴静电子透镜与所述中心轴之间的径向距离成比例。
7.根据权利要求5所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述光轴与所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线之间的距离与所述偏轴静电子透镜与所述中心轴之间的径向距离的三次幂成比例。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在基本上相同方向上偏移。
9.根据权利要求4至7中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在相对于所述中心轴基本上径向方向上偏移。
10.根据权利要求4至7中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在相对于所述中心轴基本上切线方向上偏移。
11.根据权利要求3至7中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述一个以上静电透镜阵列的中的至少一个的四分之一圆周的各偏轴静电子透镜相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在基本上相同方向上偏移。
12.根据权利要求1、2或3所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜在基本上相同方向上偏移，以及其中，各偏轴静电子透镜的所述光轴与所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线之间的距离基本上恒定。
13.根据前述权利要求中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，偏轴静电子透镜被嵌入到所述带电粒子光学器件的轴上静电子透镜中，设置于所述带电粒子光学器件的轴上静电子透镜之前或者之后。
14.根据权利要求2所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述堆叠包括配置有第三透镜孔阵列的第三阵列电极，其中，所述第一透镜孔阵列、所述第二透镜孔阵列和所述第三透镜孔阵列的透镜孔彼此对准，
其中，所述静电透镜的所述子透镜轴贯穿所述第一透镜孔和所述第二透镜孔的中心，
其中，各偏轴子透镜包括所述第三透镜孔阵列的第三透镜孔，以及其中，所述第三透镜孔的中心设置在距离所述子透镜轴一段距离处。
15.根据权利要求14所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第二阵列电极被设置在所述第一阵列电极和所述第三阵列电极之间。
16.根据权利要求14所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第三阵列电极被设置在所述第一阵列电极和所述第二阵列电极之间。
17.根据权利要求14、15或16所述的多束带电粒子光学系统，所述带电粒子光学器件包括中心轴，其中，所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个的多个子透镜基本上对称地围绕所述中心轴配置。
18.根据权利要求17所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第三透镜孔的中心与所述子透镜轴之间的距离为所述偏轴静电子透镜与所述中心轴之间的径向距离的函数。
19.根据权利要求17所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第三透镜孔的中心和所述子透镜轴之间的距离与所述偏轴静电子透镜和所述中心轴之间的径向距离成比例。
20.根据权利要求17所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第三透镜孔的中心和所述子透镜轴之间的距离与所述偏轴静电子透镜和所述中心轴之间的径向距离的三次幂成比例。
21.根据权利要求14至20中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述第三透镜孔相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在基本上相同方向上偏移。
22.根据权利要求17至20中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述第三透镜孔相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在相对于所述中心轴基本上径向方向上偏移。
23.根据权利要求17至20中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述第三透镜孔相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在相对于中心轴基本上切线方向上偏移。
24.根据权利要求14至20中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个的四分之一圆周的各偏轴静电子透镜的所述第三透镜孔相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在基本上相同方向上偏移。
25.根据权利要求14所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述第三透镜孔在基本上相同方向上偏移，以及其中，所述第三透镜孔的中心与所述子透镜轴之间的距离基本上恒定。
26.根据权利要求14至25中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述堆叠包括分别配置有第四透镜孔阵列和第五透镜孔阵列的第四阵列电极和第五阵列电极，其中，所述第一透镜孔阵列、所述第二透镜孔阵列、所述第三透镜孔阵列、所述第四透镜孔阵列和所述第五透镜孔阵列的透镜孔彼此对准，
其中，所述静电透镜的子透镜轴贯穿对准的所述第一透镜孔、所述第二透镜孔、所述第四透镜孔和所述第五透镜孔的中心，以及
其中，所述第三透镜孔阵列设置于在一侧上的所述第一透镜孔阵列和所述第二透镜孔阵列与在另一侧上的所述第四透镜孔阵列和所述第五透镜孔阵列之间。
27.根据前述权利要求14至26中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述静电透镜阵列包括基本上平行的透镜轴的阵列。
28.根据前述权利要求17至20中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第三透镜孔阵列相对于所述第一透镜孔阵列和/或所述第二透镜孔阵列围绕所述中心轴旋转。
29.根据前述权利要求中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述系统还包括：
传感器，用于精确判定所述目标的实际位置与期望位置之间的偏差，以及
控制器，用于基于判定的所述偏差来调整所述偏轴子透镜或者所述第三阵列电极的电位。
30.无掩膜带电粒子束光刻部件，包括根据前述权利要求中任一项所述的多束带电粒子光学系统。
31.静电透镜阵列，包括一个以上偏轴静电子透镜，用在根据权利要求1至28中任一项所述的多束带电粒子光学系统中。
32.根据权利要求1至29中任一项所述的多束带电粒子光学系统的应用，其用于产生多个带电粒子子束，并且用于使来自带电粒子源的所述带电粒子子束指向目标。

Claims (32)

1.多束带电粒子光学系统，包括：
带电粒子源，用于产生多个带电粒子子束，
带电粒子光学器件，用于使来自所述带电粒子源的所述带电粒子子束指向目标，其中，各带电粒子子束限定一子束中心线，
所述带电粒子光学器件包括一个以上静电透镜阵列，各静电透镜阵列包括用于产生多个静电子透镜的两个以上阵列电极，其中，各子透镜被设置用于使相应的带电粒子子束聚焦，以及其中，各子透镜限定一子透镜光轴，其特征在于：
所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个包括一个以上偏轴静电子透镜，其中，所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在距离所述偏轴静电子透镜的子透镜光轴一段距离处穿过所述偏轴静电子透镜。
2.根据权利要求1或权利要求1的前序部分所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个包括堆叠，所述堆叠包括分别设置有第一透镜孔阵列和第二透镜孔阵列的第一阵列电极和第二阵列电极，其中，所述第一透镜孔阵列和所述第二透镜孔阵列的透镜孔彼此对准，
其中，所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个包括一个以上偏轴静电子透镜，各偏轴子透镜包括所述第一透镜孔阵列的第一透镜孔和所述第二透镜孔阵列的相对第二透镜孔，以及
其中，所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在距离所述偏轴静电子透镜的中心一段距离处穿过所述偏轴静电子透镜。
3.根据权利要求1或2所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述一个以上偏轴静电子透镜中的每一个或者子集被单独调整和/或配置用于提供各相应的带电粒子子束的单独校正或者期望偏转或者定位。
4.根据权利要求1、2或3所述的多束带电粒子光学系统，所述带电粒子光学器件包括中心轴，其中，所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个的多个子透镜基本上对称地围绕所述中心轴设置。
5.根据权利要求4所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的光轴与所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线之间的距离为所述偏轴静电子透镜与所述中心轴之间的径向距离的函数。
6.根据权利要求5所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述光轴与所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线之间的距离与所述偏轴静电子透镜与所述中心轴之间的径向距离成比例。
7.根据权利要求5所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述光轴与所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线之间的距离与所述偏轴静电子透镜与所述中心轴之间的径向距离的三次幂成比例。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在基本上相同方向上偏移。
9.根据权利要求4至7中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在相对于所述中心轴基本上径向方向上偏移。
10.根据权利要求4至7中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在相对于所述中心轴基本上切线方向上偏移。
11.根据权利要求3至7中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述一个以上静电透镜阵列的中的至少一个的四分之一圆周的各偏轴静电子透镜相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在基本上相同方向上偏移。
12.根据权利要求1、2或3所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜在基本上相同方向上偏移，以及其中，各偏轴静电子透镜的所述光轴与所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线之间的距离基本上恒定。
13.根据前述权利要求中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，偏轴静电子透镜被嵌入到所述带电粒子光学器件的轴上静电子透镜中，设置于所述带电粒子光学器件的轴上静电子透镜之前或者之后。
14.根据权利要求2所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述堆叠包括配置有第三透镜孔阵列的第三阵列电极，其中，所述第一透镜孔阵列、所述第二透镜孔阵列和所述第三透镜孔阵列的透镜孔彼此对准，
其中，所述静电透镜的所述子透镜轴贯穿所述第一透镜孔和所述第二透镜孔的中心，
其中，各偏轴子透镜包括所述第三透镜孔阵列的第三透镜孔，以及其中，所述第三透镜孔的中心设置在距离所述子透镜轴一段距离处。
15.根据权利要求14所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第二阵列电极被设置在所述第一阵列电极和所述第三阵列电极之间。
16.根据权利要求14所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第三阵列电极被设置在所述第一阵列电极和所述第二阵列电极之间。
17.根据权利要求14、15或16所述的多束带电粒子光学系统，所述带电粒子光学器件包括中心轴，其中，所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个的多个子透镜基本上对称地围绕所述中心轴配置。
18.根据权利要求17所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第三透镜孔的中心与所述子透镜轴之间的距离为所述偏轴静电子透镜与所述中心轴之间的径向距离的函数。
19.根据权利要求17所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第三透镜孔的中心和所述子透镜轴之间的距离与所述偏轴静电子透镜和所述中心轴之间的径向距离成比例。
20.根据权利要求17所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第三透镜孔的中心和所述子透镜轴之间的距离与所述偏轴静电子透镜和所述中心轴之间的径向距离的三次幂成比例。
21.根据权利要求14至20中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述第三透镜孔相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在基本上相同方向上偏移。
22.根据权利要求17至20中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述第三透镜孔相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在相对于所述中心轴基本上径向方向上偏移。
23.根据权利要求17至20中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述第三透镜孔相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在相对于中心轴基本上切线方向上偏移。
24.根据权利要求14至20中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述一个以上静电透镜阵列中的至少一个的四分之一圆周的各偏轴静电子透镜的所述第三透镜孔相对于所述相应的带电粒子子束的所述子束中心线在基本上相同方向上偏移。
25.根据权利要求14所述的多束带电粒子光学系统，其中，各偏轴静电子透镜的所述第三透镜孔在基本上相同方向上偏移，以及其中，所述第三透镜孔的中心与所述子透镜轴之间的距离基本上恒定。
26.根据权利要求14至25中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述堆叠包括分别配置有第四透镜孔阵列和第五透镜孔阵列的第四阵列电极和第五阵列电极，其中，所述第一透镜孔阵列、所述第二透镜孔阵列、所述第三透镜孔阵列、所述第四透镜孔阵列和所述第五透镜孔阵列的透镜孔彼此对准，
其中，所述静电透镜的子透镜轴贯穿对准的所述第一透镜孔、所述第二透镜孔、所述第四透镜孔和所述第五透镜孔的中心，以及
其中，所述第三透镜孔阵列设置于在一侧上的所述第一透镜孔阵列和所述第二透镜孔阵列与在另一侧上的所述第四透镜孔阵列和所述第五透镜孔阵列之间。
27.根据前述权利要求14至26中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述静电透镜阵列包括基本上平行的透镜轴的阵列。
28.根据前述权利要求17至20中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述第三透镜孔阵列相对于所述第一透镜孔阵列和/或所述第二透镜孔阵列围绕所述中心轴旋转。
29.根据前述权利要求中任一项所述的多束带电粒子光学系统，其中，所述系统还包括：
传感器，用于精确判定所述目标的实际位置与期望位置之间的偏差，以及
控制器，用于基于判定的所述偏差来调整所述偏轴子透镜或者所述第三阵列电极的电位。
30.无掩膜带电粒子束光刻部件，包括根据前述权利要求中任一项所述的多束带电粒子光学系统。
31.静电透镜阵列，包括一个以上偏轴静电子透镜，用在根据权利要求1至28中任一项所述的多束带电粒子光学系统中。
32.根据权利要求1至29中任一项所述的多束带电粒子光学系统的应用，其用于产生多个带电粒子子束，并且用于使来自带电粒子源的所述带电粒子子束指向目标。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109478488A (zh) * 2016-08-09 2019-03-15 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置
CN110798959A (zh) * 2019-10-31 2020-02-14 复旦大学 一种多方向带电粒子束流转向装置
CN110911401A (zh) * 2018-09-14 2020-03-24 株式会社东芝 半导体装置
CN112286004A (zh) * 2019-07-25 2021-01-29 纽富来科技股份有限公司 多射束描绘方法及多射束描绘装置
TWI729368B (zh) * 2017-02-08 2021-06-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 源轉換單元、多射束裝置及組態多射束裝置之方法
CN114026670A (zh) * 2019-08-06 2022-02-08 塞莫费雪科学（不来梅）有限公司 用于分析粒子，并且具体是粒子质量的系统
TWI787802B (zh) * 2017-02-08 2022-12-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 源轉換單元、多射束裝置及組態多射束裝置之方法
USRE49784E1 (en) 2016-01-27 2024-01-02 Asml Netherlands B.V. Apparatus of plural charged-particle beams

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2498113B1 (de) * 2011-03-10 2013-03-06 Sick AG Fokusverstellvorrichtung für einen Codeleser
JP5836646B2 (ja) * 2011-05-31 2015-12-24 キヤノン株式会社 描画装置、および、物品の製造方法
KR101357940B1 (ko) 2012-01-27 2014-02-05 선문대학교 산학협력단 편심 어퍼쳐를 가진 전극층을 포함하는 멀티 입자 빔 칼럼
JP5886663B2 (ja) * 2012-03-21 2016-03-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線応用装置およびレンズアレイ
US10586625B2 (en) 2012-05-14 2020-03-10 Asml Netherlands B.V. Vacuum chamber arrangement for charged particle beam generator
EP2757571B1 (en) * 2013-01-17 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG High-voltage insulation device for charged-particle optical apparatus
JP2015023286A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー 複数のブランキングアレイを有するパターン画定装置
EP2830083B1 (en) 2013-07-25 2016-05-04 IMS Nanofabrication AG Method for charged-particle multi-beam exposure
US9105440B2 (en) * 2013-08-30 2015-08-11 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens
US9269542B2 (en) * 2013-11-01 2016-02-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma cathode charged particle lithography system
WO2015071438A1 (en) * 2013-11-14 2015-05-21 Mapper Lithography Ip B.V. Multi-electrode electron optics
EP2913838B1 (en) 2014-02-28 2018-09-19 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool
US9443699B2 (en) 2014-04-25 2016-09-13 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam tool for cutting patterns
EP3358599B1 (en) 2014-05-30 2021-01-27 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of dose inhomogeneity using row calibration
JP6892214B2 (ja) 2014-07-10 2021-06-23 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化
US9568907B2 (en) 2014-09-05 2017-02-14 Ims Nanofabrication Ag Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer
US9653263B2 (en) 2015-03-17 2017-05-16 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension
EP3096342B1 (en) 2015-03-18 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG Bi-directional double-pass multi-beam writing
US10410831B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Ims Nanofabrication Gmbh Multi-beam writing using inclined exposure stripes
JP2017168574A (ja) * 2016-03-15 2017-09-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビームのブランキング方法、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
US10497536B2 (en) * 2016-09-08 2019-12-03 Rockwell Collins, Inc. Apparatus and method for correcting arrayed astigmatism in a multi-column scanning electron microscopy system
JP6721486B2 (ja) * 2016-10-18 2020-07-15 東京エレクトロン株式会社 イオンビーム照射装置及び基板処理装置
US10325757B2 (en) 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
US10522329B2 (en) 2017-08-25 2019-12-31 Ims Nanofabrication Gmbh Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus
US11569064B2 (en) 2017-09-18 2023-01-31 Ims Nanofabrication Gmbh Method for irradiating a target using restricted placement grids
JP2019114731A (ja) * 2017-12-26 2019-07-11 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US10651010B2 (en) 2018-01-09 2020-05-12 Ims Nanofabrication Gmbh Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction
US10840054B2 (en) 2018-01-30 2020-11-17 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering
WO2019211072A1 (en) 2018-05-01 2019-11-07 Asml Netherlands B.V. Multi-beam inspection apparatus
US11373838B2 (en) * 2018-10-17 2022-06-28 Kla Corporation Multi-beam electron characterization tool with telecentric illumination
WO2020135996A1 (en) 2018-12-28 2020-07-02 Asml Netherlands B.V. Improved scanning efficiency by individual beam steering of multi-beam apparatus
US10748743B1 (en) * 2019-02-12 2020-08-18 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Device and method for operating a charged particle device with multiple beamlets
EP3703100A1 (en) * 2019-02-27 2020-09-02 FEI Company Charged particle beam device for inspection of a specimen with a plurality of charged particle beamlets
US11099482B2 (en) 2019-05-03 2021-08-24 Ims Nanofabrication Gmbh Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
KR20210132599A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 대전 입자 소스
CA3198634A1 (en) * 2020-11-12 2022-05-19 Asml Netherlands B.V. Objective lens array assembly, electron-optical system, electron-optical system array, method of focusing
EP4002421A1 (en) * 2020-11-12 2022-05-25 ASML Netherlands B.V. Objective lens array assembly, electron-optical system, electron-optical system array, method of focusing
EP4102536A1 (en) * 2021-06-10 2022-12-14 ASML Netherlands B.V. Method of compensating for an effect of electrode distortion, assessment system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1432008A1 (en) * 2002-12-17 2004-06-23 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi-axis compound lens, beam system making use of the compound lens, and method using the compound lens
US20080042074A1 (en) * 2002-09-11 2008-02-21 Mitsugu Sato Charged particle beam apparatus and charged particle beam irradiation method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58500307A (ja) * 1981-03-10 1983-02-24 ベ−コ　インスツルメンツ　インコ−ポレイテツド スクリ−ンレンズアレ−システム
JPS6261326A (ja) * 1985-09-12 1987-03-18 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画装置
JP3238487B2 (ja) 1991-11-14 2001-12-17 富士通株式会社 電子ビーム装置
EP1557866B1 (en) * 2004-01-21 2011-03-16 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Beam optical component having a charged particle lens
JP3803105B2 (ja) * 2004-09-07 2006-08-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム応用装置
US8890095B2 (en) 2005-07-25 2014-11-18 Mapper Lithography Ip B.V. Reliability in a maskless lithography system
WO2008013442A1 (en) 2006-07-25 2008-01-31 Mapper Lithography Ip B.V. A multiple beam charged particle optical system
US8089056B2 (en) * 2008-02-26 2012-01-03 Mapper Lithography Ip B.V. Projection lens arrangement

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080042074A1 (en) * 2002-09-11 2008-02-21 Mitsugu Sato Charged particle beam apparatus and charged particle beam irradiation method
EP1432008A1 (en) * 2002-12-17 2004-06-23 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi-axis compound lens, beam system making use of the compound lens, and method using the compound lens

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE49784E1 (en) 2016-01-27 2024-01-02 Asml Netherlands B.V. Apparatus of plural charged-particle beams
CN109478488B (zh) * 2016-08-09 2021-01-08 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置
CN109478488A (zh) * 2016-08-09 2019-03-15 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置
TWI787802B (zh) * 2017-02-08 2022-12-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 源轉換單元、多射束裝置及組態多射束裝置之方法
TWI729368B (zh) * 2017-02-08 2021-06-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 源轉換單元、多射束裝置及組態多射束裝置之方法
CN110911401A (zh) * 2018-09-14 2020-03-24 株式会社东芝 半导体装置
CN110911401B (zh) * 2018-09-14 2023-09-08 株式会社东芝 半导体装置
CN112286004B (zh) * 2019-07-25 2023-12-01 纽富来科技股份有限公司 多射束描绘方法及多射束描绘装置
CN112286004A (zh) * 2019-07-25 2021-01-29 纽富来科技股份有限公司 多射束描绘方法及多射束描绘装置
US11869746B2 (en) 2019-07-25 2024-01-09 Nuflare Technology, Inc. Multi-beam writing method and multi-beam writing apparatus
CN114026670A (zh) * 2019-08-06 2022-02-08 塞莫费雪科学（不来梅）有限公司 用于分析粒子，并且具体是粒子质量的系统
CN114026670B (zh) * 2019-08-06 2024-01-30 塞莫费雪科学（不来梅）有限公司 用于分析粒子，并且具体是粒子质量的系统
CN110798959A (zh) * 2019-10-31 2020-02-14 复旦大学 一种多方向带电粒子束流转向装置

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