JP6743905B2 - 炭化珪素半導体ウエハ、炭化珪素半導体チップ、および炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態にかかる炭化珪素ウエハ100を示す斜視図である。図2は、本発明の実施の形態にかかる炭化珪素ウエハ100の断面図である。図2は、図1のR−R´線に沿って炭化珪素ウエハ100を切断した面を示す。図2に示すように、炭化珪素ウエハ100は、N型の炭化珪素基板1と、炭化珪素基板1上に形成されたN型のエピタキシャル層であるキャリア濃度遷移層2と、キャリア濃度遷移層2上にエピタキシャル成長されたエピタキシャル層3とで構成されている。このエピタキシャル層3は、後述する半導体装置40、42においてドリフト層として用いられる。
Nd−Na(t)=N(t)/G(t)×Nc ・・・(1)
N(t)=Ni+N0−Ni/tbuf×t ・・・(2)
G(t)=(Gm−Gi)/tbuf×t+Gi ・・・(3)
T=∫G(t)dt ・・・(4)
Nd−Na(T)=(A’/(B’+C’×T)1/2−D’)×E’ ・・・(5)
Tbuf =Gi×tbuf +(Gm+Gi)×tbuf/2 ・・・(6)
Nd−Na(T/Tbuf)=(A/(B+C×T/Tbuf)1/2−D)×E ・・・(7)
Nd−Na(T/Tbuf)/Nd−Na(T/Tbuf=0)=A/(B+C×T/Tbuf)1/2−D ・・・(8)
Y=(Nd−Na(T/Tbuf)/Nd−Na(T/Tbuf=0) ・・・(9)
X=T/Tbuf ・・・(10)
図9は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置40を示す図である。半導体装置40は、MOSFET(metal−oxide−semiconductor field−effect transistor)である。半導体装置40は、半導体チップ150の表面にトランジスタ表面構造50を形成し、半導体チップ150の裏面に裏面電極であるドレイン電極9を設けたものである。半導体チップ150は、実施の形態にかかる炭化珪素ウエハ100と同じ層構造を有している。半導体チップ150は、トランジスタ表面構造50等を形成した後のいわゆる後工程処理において炭化珪素ウエハ100をダイシングすることで得られるからである。よって、半導体チップ150は、炭化珪素基板1と、キャリア濃度遷移層2と、ドリフト層3とを備えている。ここで、エピタキシャル層3をドリフト層3として利用しているので、両者に同じ符号を付している。
図11は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
4°のオフ角を有するN型の炭化珪素基板1を準備する。炭化珪素エピタキシャル装置内に上記炭化珪素基板1を配置する。
キャリアガスとして水素ガスを炭化珪素エピタキシャル装置内に流す。炭化珪素エピタキシャル装置の炉内温度を予め定めた所定温度まで上昇させる。所定温度は、一例として1450℃〜1650℃である。
炉内温度が予め定めた所定温度まで達した後に、所定時間この所定温度を保持してエピタキシャル成長前にガスによるエッチングをおこなう。
ガスによるエッチングをおこなった後、成長ガスとドーパントガスとを導入してキャリア濃度遷移層2の成長を開始する。成長ガスとしては、例えばモノシランなどのシラン系ガスと、例えばプロパンなどの炭化水素系ガスとを用いることができる。ドーパントガスとしては、例えば窒素を用いることができる。なお、エッチングおよび結晶成長時に、塩化水素などの塩素系ガスを炭化珪素エピタキシャル装置に導入しても構わない。
キャリア濃度遷移層2の成長の際には、所望のキャリア濃度となるよう、モノシランおよびプロパンの流量および比率と窒素流量とを調整する。一例として、モノシラン流量=20ccm、プロパン流量=7ccm、C/Si比=1.05、および窒素流量=100ccmなどとしてもよい。本実施の形態では、キャリア濃度遷移層2の濃度変化をガス流量の連続的変化によって実現する。キャリア濃度遷移層2の成長時、モノシラン流量を時間経過に応じて連続的に増加させると同時に、窒素流量を時間経過に応じて連続的に減少させることでキャリア濃度遷移層2が得られる。一例として、モノシランを20ccmから160ccmまで、プロパンを7ccmから56ccmまで、それぞれ300秒かけて増加させてもよい。この増加と同時に、窒素流量を100ccmから10ccmまで300秒かけて減少させてもよい。成長ガスの流量増加およびドーパントガスの流量低減は、線形につまり一次関数的な変化であってもよく、完全に線形ではなく緩やかに流量変化率を変えるものであってもよい。
本実施の形態では、ステップS108でキャリア濃度遷移層2を成長した後、連続してエピタキシャル層3を成長させる。エピタキシャル層3の成長条件は例えばモノシラン160ccm、プロパン56ccm、窒素10ccmでもよい。エピタキシャル層3は厚さ方向に均一な第二キャリア濃度NEPを有するので、濃度勾配をつける必要がない。よってステップS108のように時間経過に応じたガス流量等の積極的変更は不要である。なお、キャリア濃度遷移層2とエピタキシャル層3の間でエピタキシャル成長を中断することもできる。しかし、成長を中断する場合には、ガス切替えにともなう結晶欠陥発生の可能性がある。従って、実施の形態のように成長中断はおこなわず連続成長とする方が結晶欠陥の抑制の観点から好ましい。
エピタキシャル層3を成長させた後、FT−IR法を用いて膜厚が計測される。キャリア濃度遷移層2が設けられることで、キャリア濃度遷移層2と炭化珪素基板1との界面30において、FT−IR法に基づく膜厚計測に必要な赤外反射光を得ることができる。
実施の形態では、ステップS111の次にさらに炭化珪素ウエハ100に表面プロセスを行う。表面プロセスは、トランジスタ表面構造50またはSBD表面構造52を形成するための工程である。表面プロセスの詳細は図9および図10を用いて既に述べたので、ここでは省略する。
次に、炭化珪素ウエハ100の裏面に、図9および図10で説明した裏面電極であるドレイン電極9またはオーミック電極12を形成する。
その後、炭化珪素ウエハ100に対してダイシングを施す。これは後工程の一つである。これによりチップ化されたものが、図9に示す半導体装置40あるいは図10に示す半導体装置42である。
Claims (13)
- 厚さ方向に均一な第一キャリア濃度を有する炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の上に設けられたキャリア濃度遷移層と、
前記キャリア濃度遷移層の上に設けられ、厚さ方向に均一な第二キャリア濃度を有し、前記第二キャリア濃度は前記第一キャリア濃度よりも低いエピタキシャル層と、
を備え、
前記キャリア濃度遷移層のキャリア濃度は、厚さ方向に濃度勾配を有し、
前記濃度勾配は、前記キャリア濃度遷移層の直下にある層と前記キャリア濃度遷移層との界面から離れるほどキャリア濃度が連続的に低下するような勾配であり、かつ前記キャリア濃度遷移層の内部で前記界面から離れるほど小さな低下率でキャリア濃度が低下するような勾配であり、
Xを前記キャリア濃度遷移層内の膜厚比率とし、
前記膜厚比率とは、前記キャリア濃度遷移層の厚さ方向位置を前記キャリア濃度遷移層の膜厚で除したものであり、
Xは0≦X≦1の定義域を有する変数であり、
Yを前記キャリア濃度遷移層内のキャリア濃度比率とし、
前記キャリア濃度比率とは、0<X≦1の範囲における前記キャリア濃度遷移層のキャリア濃度を、X=0における前記キャリア濃度遷移層のキャリア濃度で除したものであり、
下記の式(a1)と式(a2)とで挟まれる濃度範囲を予め定めた場合に、
- 前記キャリア濃度遷移層の厚さは、0.3μm〜10.0μmの範囲内である請求項1または2に記載の炭化珪素半導体ウエハ。
- 前記キャリア濃度遷移層の直上にある層が、前記エピタキシャル層であり、
前記キャリア濃度遷移層の前記直下にある層が、前記炭化珪素基板であり、
前記第一キャリア濃度が、前記第二キャリア濃度よりも、10〜1000倍高い請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体ウエハ。 - 前記キャリア濃度遷移層の直上にある層が、前記エピタキシャル層であり、
前記炭化珪素基板と前記キャリア濃度遷移層との間に、厚さ方向に均一な第三キャリア濃度を有する他のエピタキシャル層が設けられ、
前記キャリア濃度遷移層の前記直下にある層が、前記他のエピタキシャル層であり、
前記第三キャリア濃度は、前記第二キャリア濃度よりも10〜1000倍高い請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体ウエハ。 - 前記キャリア濃度遷移層と前記エピタキシャル層との間に、厚さ方向に均一な第三キャリア濃度を有する他のエピタキシャル層が設けられ、
前記キャリア濃度遷移層の直上にある層が、前記他のエピタキシャル層であり、
前記キャリア濃度遷移層の前記直下にある層が、前記炭化珪素基板であり、
前記第一キャリア濃度は、前記第三キャリア濃度よりも10〜1000倍高い請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体ウエハ。 - 前記キャリア濃度遷移層が、第一キャリア濃度遷移層であり、
前記炭化珪素基板と前記第一キャリア濃度遷移層との間および前記第一キャリア濃度遷移層と前記エピタキシャル層との間のうち少なくとも一箇所に、第二キャリア濃度遷移層が設けられ、
前記第二キャリア濃度遷移層のキャリア濃度は、厚さ方向に濃度勾配を有し、
前記第二キャリア濃度遷移層の前記濃度勾配は、前記第二キャリア濃度遷移層の直下にある層と前記第二キャリア濃度遷移層との間の他の界面から離れるほどキャリア濃度が連続的に低下するような勾配でありかつ前記第二キャリア濃度遷移層の内部で前記他の界面から離れるほど小さな低下率でキャリア濃度が低下するような勾配である請求項1または2に記載の炭化珪素半導体ウエハ。 - 厚さ方向に均一な第一キャリア濃度を有する炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の上に設けられたキャリア濃度遷移層と、
前記キャリア濃度遷移層の上に設けられ、厚さ方向に均一な第二キャリア濃度を有し、前記第二キャリア濃度は前記第一キャリア濃度よりも低いエピタキシャル層と、
を備え、
前記キャリア濃度遷移層のキャリア濃度は、厚さ方向に濃度勾配を有し、
前記濃度勾配は、前記キャリア濃度遷移層の直下にある層と前記キャリア濃度遷移層との界面から離れるほどキャリア濃度が連続的に低下するような勾配であり、かつ前記キャリア濃度遷移層の内部で前記界面から離れるほど小さな低下率でキャリア濃度が低下するような勾配であり、
Xを前記キャリア濃度遷移層内の膜厚比率とし、
前記膜厚比率とは、前記キャリア濃度遷移層の厚さ方向位置を前記キャリア濃度遷移層の膜厚で除したものであり、
Xは0≦X≦1の定義域を有する変数であり、
Yを前記キャリア濃度遷移層内のキャリア濃度比率とし、
前記キャリア濃度比率とは、0<X≦1の範囲における前記キャリア濃度遷移層のキャリア濃度を、X=0における前記キャリア濃度遷移層のキャリア濃度で除したものであり、
下記の式(b1)と式(b2)とで挟まれる濃度範囲を予め定めた場合に、
- 請求項8に記載の炭化珪素半導体チップと、
前記炭化珪素半導体チップにおける前記エピタキシャル層の表面に設けられたトランジスタ表面構造と、
前記炭化珪素半導体チップの裏面に設けられた裏面電極と、
を備える炭化珪素半導体装置。 - 請求項8に記載の炭化珪素半導体チップと、
前記炭化珪素半導体チップにおける前記エピタキシャル層の表面に設けられたショットキーバリアダイオード表面構造と、
前記炭化珪素半導体チップの裏面に設けられた裏面電極と、
を備える炭化珪素半導体装置。 - 厚さ方向に均一な第一キャリア濃度を有する炭化珪素基板を準備する第1工程と、
成長ガスおよびドーパントガスを供給することで、前記炭化珪素基板の上にキャリア濃度遷移層を設ける第2工程と、
前記キャリア濃度遷移層の上に、厚さ方向に均一な第二キャリア濃度を有し前記第二キャリア濃度が前記第一キャリア濃度よりも低いエピタキシャル層を設ける第3工程と、
を備え、
前記第2工程は、前記キャリア濃度遷移層のキャリア濃度が厚さ方向に濃度勾配を有するように前記成長ガスおよび前記ドーパントガスの流量を制御するものであり、
前記濃度勾配は、前記キャリア濃度遷移層の直下にある層と前記キャリア濃度遷移層との界面から離れるほどキャリア濃度が連続的に低下するような勾配であり、かつ前記キャリア濃度遷移層の内部で前記界面から離れるほど小さな低下率でキャリア濃度が低下するような勾配であり、
Xを前記キャリア濃度遷移層内の膜厚比率とし、
前記膜厚比率とは、前記キャリア濃度遷移層の成長開始以後の前記キャリア濃度遷移層の成長途中の厚みを前記キャリア濃度遷移層の膜厚設計値で除したものであり、
Xは0≦X≦1の定義域を有する変数であり、
Yを前記キャリア濃度遷移層内のキャリア濃度比率とし、
前記キャリア濃度比率とは、0<X≦1の範囲における前記キャリア濃度遷移層のキャリア濃度を、X=0における前記キャリア濃度遷移層のキャリア濃度で除したものであり、
下記の式(c1)と式(c2)とで挟まれる濃度範囲を予め定めた場合に、
- 前記第2工程において、前記成長ガスを時間経過に応じて連続的に増加させると同時に、前記ドーパントガスを時間経過に応じて連続的に減少させる請求項11に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第2工程と前記第3工程とで前記成長ガスおよび前記ドーパントガスの導入を継続することで前記キャリア濃度遷移層と前記エピタキシャル層とを連続して成長させる請求項11または12に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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