JP6742287B2 - 半導体製造方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 40
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 63
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 42
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 16
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 description 33
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 30
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 12
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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Description
まず、本発明の一実施形態に係る半導体製造方法の一例について、比較例に係る半導体製造方法と比較しながら説明する。図1の(a−1)及び(a−2)は、比較例に係る半導体製造方法の一例を示し、図1の(b−1)〜(b−3)は、本実施形態に係る半導体製造方法の一例を示す。
以上に説明した本実施形態に係る半導体製造におけるエッチング工程、成膜工程、洗浄工程について、図2の本実施形態に係る半導体製造方法の一例を示すフローチャートを参照しながら説明する。まず、エッチング装置は、ウェハWを搬入し、層間絶縁膜104をライナー膜103が露出するまでエッチングする(ステップST1)。次に、エッチング装置は、ライナー膜103をCu配線102が露出するまでエッチングする(ステップST2)。これにより、ビアホールHが形成される。なお、ステップST1及びステップST2のエッチングでは、CF4ガスやNF3ガスなどのハロゲンが含まれるガスを使用してもよい。また、ステップST2のエッチングの後、露出したCu配線102の表面をトリートメントするため、H2及びN2を含むガスやNH3ガスを含むガスから生成されたプラズマによる処理を施してもよい。
次に、ステップST3にて成膜する流動性有機膜について、図3〜図8を用いて説明する。図3〜図7は、本実施形態に係る半導体製造における流動性有機膜の成膜方法の実験結果の一例を示す。図8は、所定の材料の蒸気圧曲線を示す。図3に示す実験1における流動性有機膜の成膜条件1は以下である。
チャンバ内圧力:100mT(13.3Pa)
ガス種/流量:C4F6 300sccm
ステージ温度:-50℃
成膜時間:5sec
高周波HFのパワー:300W
高周波LFのパワー:0W
実験1の結果のうち、図3の(a)「SiN L&S」、(b)「High A/R」、(c)「Organic L&S」は、成膜方法を実行するために使用される被処理体のサンプル例と各サンプルに成膜された有機膜の状態を示す。(a)「SiN L&S」では、疎密のあるパターン化されたSiN膜1がウェハW上に形成されている。SiN膜1にパターン化された凹部のアスペクト比は一律ではなく、アスペクト比が3〜5の凹部及び図4の下段に示す平面部を有する。
次に、「SiN L&S」のサンプルを用いて、流動性有機膜Rの成膜時間に応じた膜の変化の一例について、図4を参照して説明する。図4に示す実験2における流動性有機膜の成膜条件2は以下である。
チャンバ内圧力:50mT(6.65Pa)
ガス種/流量:C4F6 300sccm
ステージ温度:−50℃
高周波HFのパワー:300W
高周波LFのパワー:0W
実験2の結果のうち、図4(a)は、成膜時間が2秒のときの流動性有機膜Rを示す。図4(a)の下図では、凹部A,C,Eよりもアスペクト比が高い凹部Fは、凹部A,C,Eよりも速く流動性有機膜Rで充填されていることがわかる。
次に、流動性有機膜Rの温度依存及び圧力依存について、図6を参照して説明する。図6に示す実験3における流動性有機膜の成膜条件3として、ウェハWを載置するステージの温度を−20℃の極低温以上にし、チャンバ内の圧力を50mT以上にする。例えば、図6(a)は、チャンバ内を100mTの圧力に維持し、C4F6ガスを300sccm供給したときの各温度における膜の状態を示す。これによれば、−10℃及び−20℃の場合には等方向の成膜が行われ、SiN膜1の間口が狭まり、ボイドVが発生している。つまり、本実施形態に係る半導体製造方法により、ボトムアップで流動性有機膜Rが積み上げられる成膜は行われていない。一方、−30℃及び−50℃の場合には、ボトムアップで流動性有機膜Rが積み上げられる成膜が行われ、ボイドVは発生していない。なお、−40℃の場合の結果は得られていない。
次に、流動性有機膜Rのガス種依存について、図7及び図8を参照して説明する。図7にガス種を変えて本実施形態に係る成膜処理を行った結果の一例を示す。本実験の結果によれば、C4F6ガス、IPA(C3H8O)ガス、C4F8ガスでは、凹部が流動性有機膜Rにより埋められ、ボイドVは発生していない。一方、CH4ガス、CH3Fガス、CF4ガスでは、ボイドVが発生してしまい、凹部を流動性有機膜Rにより充填させることはできていない。
図9及び図10は、図2のステップST3の工程において成膜された流動性有機膜Rによる金属膜の腐食の防止の効果の一例を示す。図9の本実施形態(b)は、以下の成膜条件で、TiN膜のブラケット上に4nmの厚さの流動性有機膜Rを成膜し、TiN膜をコーティングしたものである。図9の比較例(a)は、TiN膜のブラケットに流動性有機膜Rをコーティングしなかったもの(キャップなし)である。この2通りについて、大気環境下に24時間置いた後のTiN膜の表面の経時変化の一例を示す。
チャンバ内の圧力:100mT
ガス種/流量:C4F6 300sccm
ステージ温度:−50℃
高周波HFのパワー:300W
高周波LFのパワー:0W
図9に示す結果によれば、比較例(a)の場合、フッ素と大気中の水分とが反応した結果、TiN膜の表面が変質して凹凸が生じ、腐食されていることがわかる。一方、本実施形態(b)の場合、流動性有機膜RによりTiN膜の表面は変質しておらず、凹凸が生じていない状態で腐食されていないことがわかる。
次に、図2のステップST5において実行されるウェハWの洗浄工程の一例を、図11を参照しながら説明する。本実施形態は、洗浄の一例として酸素プラズマによるアッシングの結果の一例を示す。アッシング条件を以下に示す。
チャンバ内の圧力:100mT
ガス種/流量:O2 900sccm
ステージ温度:80℃
高周波HFのパワー(60MHz):500W
高周波LFのパワー(400kHz):100W
図11の(a)はアッシング時間が0秒、(b)はアッシング時間が10秒、(c)はアッシング時間が15秒、(d)はアッシング時間が20秒の場合のSiN膜1上の流動性有機膜Rの状態を示す。これによれば、アッシング時間が20秒を経過した時点で、O2プラズマにより流動性有機膜Rが完全に除去されていることがわかる。
次に、図2のステップST1及びST2のエッチング工程及びステップST3の成膜工程が行われる処理システムの一例について、図12を参照しながら説明する。図12は、本実施形態に係るエッチング装置によるエッチング工程と成膜装置による成膜工程がIn−systemで実行可能な処理システム100の一例を示す。
上記搬送時、ウェハWは、(a)〜(c)及び(i)〜(k)において、大気環境下で搬送され、大気に曝露される。しかしながら、本実施形態では、(e)エッチング装置(PM1)が実行するエッチング工程で露出したCu配線102及びマスクのTiN膜105は、(g)成膜装置(PM2)が実行する成膜工程において流動性有機膜によりコーティングされる。また、ウェハWは、(e)エッチング装置(PM1)→(f)搬送室(5)→(g)成膜装置の間、真空搬送され、大気に曝露されない。
(a)フープF→(b)搬入出室(8)→(c)ロードロック室(6,7)→(d)搬送室(5)→(e)処理装置(PM3)エッチング+成膜(流動性有機膜)→(h)搬送室(5)→(i)ロードロック室(6,7)→(j)搬入出室(8)→(k)フープF→次工程
この経路においてもウェハWが、(i)〜(k)において大気環境下で搬送され、大気に曝露されても、流動性有機膜が保護膜となり、Cu配線102及びTiN膜105が大気中の水分と反応することを防ぐことができる。この結果、ウェハWに形成されたCu配線102及びTiN膜105の腐食を防止することができる。
次に、本実施形態に係る処理システムに配置されているプラズマ処理装置の構成の一例を、図13を参照しながら説明する。図13は、本実施形態に係るプラズマ処理装置の構成の一例である。本実施形態に係るプラズマ処理装置は、図2のステップST1及びステップST2のエッチングを行うエッチング装置、及びステップST3の成膜を行う成膜装置として機能する。
2:SiO2膜
3:有機膜
4:Si−ARC
5:搬送室
6、7:ロードロック室
10:チャンバ
12:ステージ
20:バッフル板
26:排気装置
30:第2の高周波電源
36:静電チャック
40:直流電源
44:冷媒流路
52:誘電体窓
54:RFアンテナ
56:第1の高周波電源
64:側壁ガス吐出孔
66:ガス供給源
74:制御部
100:処理システム
101:配線層
102:Cu配線
103:ライナー膜
104:層間絶縁膜
105:TiN膜
106:流動性有機膜
200:誘導結合型プラズマ処理装置
H:ビアホール
PM1:エッチング装置
PM2:成膜装置
Claims (9)
- 被処理体の導電層の上の絶縁膜をマスクのパターンにエッチングし、形成した前記絶縁膜の凹部に前記導電層を露出させる第1の工程と、
前記導電層が露出した絶縁膜の凹部に有機膜を形成する第2の工程と、を含み、
前記第2の工程は、
チャンバの内部を所定の圧力に保持し、ステージを−20℃以下の温度に冷却し、該ステージの上に被処理体を設置する工程と、
前記チャンバの内部に低蒸気圧材料のガスを含むガスを供給する工程と、
供給した前記低蒸気圧材料のガスを含むガスからプラズマを生成し、該プラズマによって前記低蒸気圧材料から生成されるプリカーサを前記導電層に堆積させ、前記有機膜を形成する工程と、
を有する半導体製造方法。 - 前記第2の工程は、前記プリカーサを前記絶縁膜の凹部の底部から積み上げられるように前記絶縁膜の凹部に堆積させ、前記有機膜を形成する、
請求項1に記載の半導体製造方法。 - 前記第2の工程は、4nm以上の膜厚の流動性の前記有機膜を形成する、
請求項1又は2に記載の半導体製造方法。 - 前記プリカーサを前記導電層の表面全体に堆積させ、前記有機膜を形成する、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - 前記第2の工程を実行した後、被処理体は、大気環境下で洗浄装置に搬送され、
前記洗浄装置は、前記有機膜を除去する、
請求項4に記載の半導体製造方法。 - 前記低蒸気圧材料のガスは、前記洗浄装置にて除去可能な成分で構成されている、
請求項5に記載の半導体製造方法。 - 前記低蒸気圧材料のガスは、炭素含有ガスである、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - 前記低蒸気圧材料のガスは、C4F8、C4F6、イソプロピルアルコール(IPA)のいずれかである、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体製造方法。 - 被処理体を載置するステージと、ガスを供給するガス供給部と、制御部とを有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
被処理体の導電層の上の絶縁膜をマスクのパターンにエッチングし、形成した前記絶縁膜の凹部に前記導電層を露出させ、
前記導電層が露出した絶縁膜の凹部に有機膜を形成し、
前記有機膜の形成では、
チャンバの内部を所定の圧力に保持し、ステージを−20℃以下の温度に冷却し、該ステージの上に被処理体を設置し、
前記チャンバの内部に低蒸気圧材料のガスを含むガスを供給し、
供給した前記低蒸気圧材料のガスを含むガスからプラズマを生成し、該プラズマに含まれ、前記低蒸気圧材料から生成されるプリカーサを前記導電層に堆積させ、前記有機膜を形成することを制御する、
プラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107105617A TWI761455B (zh) | 2017-02-28 | 2018-02-14 | 半導體製造方法及電漿處理裝置 |
US15/903,466 US10504741B2 (en) | 2017-02-28 | 2018-02-23 | Semiconductor manufacturing method and plasma processing apparatus |
KR1020180021733A KR102526306B1 (ko) | 2017-02-28 | 2018-02-23 | 반도체 제조 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
CN201810167763.3A CN108511389B (zh) | 2017-02-28 | 2018-02-28 | 半导体制造方法和等离子体处理装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017036891 | 2017-02-28 | ||
JP2017036891 | 2017-02-28 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018142691A JP2018142691A (ja) | 2018-09-13 |
JP2018142691A5 JP2018142691A5 (ja) | 2020-07-16 |
JP6742287B2 true JP6742287B2 (ja) | 2020-08-19 |
Family
ID=63526829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017201978A Active JP6742287B2 (ja) | 2017-02-28 | 2017-10-18 | 半導体製造方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6742287B2 (ja) |
KR (1) | KR102526306B1 (ja) |
TW (1) | TWI761455B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7410065B2 (ja) | 2020-03-19 | 2024-01-09 | 信越化学工業株式会社 | 生体電極、生体電極の製造方法及び生体信号の測定方法 |
JP7096279B2 (ja) * | 2020-03-25 | 2022-07-05 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム、および基板処理方法 |
JP2022075544A (ja) | 2020-11-05 | 2022-05-18 | 信越化学工業株式会社 | 生体電極組成物、生体電極、及び生体電極の製造方法 |
JP2022164579A (ja) | 2021-04-16 | 2022-10-27 | 信越化学工業株式会社 | 生体電極組成物、生体電極、及び生体電極の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002270586A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 有機系絶縁膜のエッチング方法およびデュアルダマシンプロセス |
KR20050055074A (ko) * | 2003-10-07 | 2005-06-13 | 삼성전자주식회사 | 기상 불산 식각 과정을 이용한 얕은 트렌치 소자 분리형성 방법 |
US7803719B2 (en) * | 2006-02-24 | 2010-09-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device |
WO2009060541A1 (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Canon Anelva Corporation | インライン型ウェハ搬送装置 |
JP2011151057A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP5490753B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | トレンチの埋め込み方法および成膜システム |
JP6022490B2 (ja) | 2013-08-27 | 2016-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
JP6140576B2 (ja) | 2013-08-27 | 2017-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
JP5937632B2 (ja) | 2014-02-06 | 2016-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、前処理装置、後処理装置、基板処理システムおよび記憶媒体 |
US9895715B2 (en) * | 2014-02-04 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of metals, metal oxides, and dielectrics |
US10049921B2 (en) * | 2014-08-20 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Method for selectively sealing ultra low-k porous dielectric layer using flowable dielectric film formed from vapor phase dielectric precursor |
JP6425517B2 (ja) | 2014-11-28 | 2018-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
-
2017
- 2017-10-18 JP JP2017201978A patent/JP6742287B2/ja active Active
-
2018
- 2018-02-14 TW TW107105617A patent/TWI761455B/zh active
- 2018-02-23 KR KR1020180021733A patent/KR102526306B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180099504A (ko) | 2018-09-05 |
TW201837982A (zh) | 2018-10-16 |
KR102526306B1 (ko) | 2023-04-26 |
JP2018142691A (ja) | 2018-09-13 |
TWI761455B (zh) | 2022-04-21 |
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