JP6740835B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
12:半導体基板
12a:表面
12b:裏面
16:IGBT領域
18:ダイオード領域
20:エミッタ領域
22:ボディ領域
22a:ボディコンタクト領域
22b:低濃度ボディ領域
26:ドリフト領域
28:低濃度ドリフト領域
30:バッファ領域
32:コレクタ領域
34:アノード領域
34a:アノードコンタクト領域
34b:低濃度アノード領域
36:カソード領域
30I,36I:活性化していないn型不純物
32I:活性化していないp型不純物
40:トレンチ
42:ゲート絶縁膜
44:ゲート電極
46:層間絶縁膜
52:絶縁膜
54:制御電極
56:層間絶縁膜
60:上部電極
62:下部電極
Claims (1)
- ダイオードとIGBTが形成された半導体基板を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の第1面に、p型不純物を注入して前記IGBTのコレクタ領域を形成する工程と、
前記第1面に、n型不純物を注入して前記ダイオードのカソード領域を形成する工程と、
前記コレクタ領域および前記カソード領域を、前記第1面にグリーンレーザを照射してアニールする工程と、
前記グリーンレーザを照射する前記工程の実施後に、n型不純物を注入して、前記コレクタ領域および前記カソード領域における前記第1面の側の反対側にバッファ領域を形成する工程と、
前記バッファ領域を、前記第1面に赤外線レーザを照射してアニールする工程と、を備える製造方法。
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