JP2014150226A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アノード領域12は半導体基体10の表面30aに沿って設けられている。ガードリング14は半導体基体10の表面30aに沿ってアノード領域12を囲むように設けられている。ガードリング14の深さ方向における終端位置は、アノード領域12の深さ方向における終端位置よりも深い位置に達している。凹部24は、半導体基体10の裏面30bにおいてアノード領域12の直下に設けられている。カソード領域26は、半導体基体10の裏面30bにおいて凹部24によって形成される段差に沿って設けられている。
【選択図】図1
Description
[第1の実施形態]
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置1の上面図、図1(b)は、図1(a)における1b−1b線に沿った断面図である。なお、図1(a)においては、図1(b)に示されている絶縁膜16およびアノード電極18を省略して記載している。
[第2の実施形態]
上記した第1の実施形態では、本発明をpn接合型のダイオードに適用した場合について例示したが、本発明をショットキーダイオードに適用することも可能である。図5は、ショットキーダイオードを構成する本発明の第2の実施形態に係る半導体装置2の断面図である。図5において、上記した第1の実施形態に係る半導体装置1と同一の構成要素または部分には同一の参照符号を付与している。
10 半導体基体
12 アノード領域
14 ガードリング
16 絶縁膜
18 アノード電極
26 カソード領域
28 カソード電極
Claims (21)
- 一方の主面に凹部が形成された半導体基体と、
前記半導体基体の内部において前記一方の主面とは反対側の他方の主面に沿って前記凹部の形成領域に対応する領域に形成された第1の導電型を有する第1の半導体層と、
前記半導体基体の内部において前記他方の主面に沿って前記第1の半導体層の外側に形成され且つ前記半導体基体の厚さ方向における終端位置が前記第1の半導体層よりも深い位置に達している前記第1の導電型を有する第2の半導体層と、
前記半導体基体の前記一方の主面において前記凹部によって形成される段差に沿って形成された第2の導電型を有する第3の半導体層と、
を含む半導体装置。 - 前記第1の半導体層と前記第3の半導体層との距離と前記第2の半導体層と前記第3の半導体層との距離とは略同一である請求項1に記載の半導体装置。
- 前記凹部の深さは、前記半導体基体の厚さ方向における前記第1の半導体層の終端位置と前記半導体基体の厚さ方向における前記第2の半導体層の終端位置との間の距離と略同一である請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2の半導体層は、前記第1の半導体層の外周を囲むように形成されている請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記凹部は、前記半導体基体の前記一方の主面の研削によって形成される請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記凹部は、前記半導体基体の前記他方の主面に前記他方の主面から突出した凸状構造体を形成した後に前記研削を行うことによって形成される請求項5に記載の半導体装置。
- 前記凸状構造体の厚さは、前記半導体基体の厚さ方向における前記第1の半導体層の終端位置と前記第2の半導体層の終端位置との間の距離と略同一である請求項6に記載の半導体装置。
- 前記凸状構造体は、前記第1の半導体層の形成領域に対応する領域に形成される請求項6または7に記載の半導体装置。
- 前記凸状構造体は、前記凹部の形成後に除去される請求項6乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記凸状構造体はレジスト材を含む請求項6乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基体と、
前記半導体基体の内部において前記半導体基体の一方の主面に沿って形成された第1の導電型を有する第1の半導体層と、
前記半導体基体の内部において前記一方の主面に沿って前記第1の半導体層の外側に形成され且つ前記半導体基体の厚さ方向における終端位置が前記第1の半導体層よりも深い位置に達している前記第1の導電型を有する第2の半導体層と、
前記半導体基体の前記一方の主面とは反対側の他方の主面において前記第1および第2の半導体層と対向するように形成された第2の導電型を有する第3の半導体層と、を含み、
前記半導体基体は、前記他方の主面において、前記第1の半導体層と前記第3の半導体層との間の耐圧と、前記第2の半導体層と前記第3の半導体層との間の耐圧とを独立に異ならしめる耐圧調整機構を有する半導体装置。 - 前記耐圧調整機構は、前記第1の半導体層と前記第3の半導体層との間の距離と、前記第2の半導体層と前記第3の半導体層との間の距離を調整するための凹凸構造である請求項11に記載の半導体装置。
- 一方の主面に凹部が形成された半導体基体と、
前記半導体基体の前記一方の主面とは反対側の他方の主面の前記凹部の形成領域に対応する領域において前記半導体基体と接し、前記半導体基体との接触界面においてショットキー障壁を形成する金属層と、
前記半導体基体の内部において前記他方の主面に沿って前記金属層と前記半導体基体との接触部の外側に形成された第1の導電型を有する第1の半導体層と、
前記半導体基体の前記一方の主面において前記凹部によって形成される段差に沿って形成された第2の導電型を有する第2の半導体層と、
を含む半導体装置。 - 半導体基体の内部において前記半導体基体の一方の主面に沿って第1の導電型を有する第1の半導体層を形成する工程と、
前記半導体基体の内部において前記一方の主面に沿い且つ前記第1の半導体層の外側に、前記半導体基体の厚さ方向における終端位置が前記第1の半導体層よりも深い位置に達するように前記第1の導電型を有する第2の半導体層を形成する工程と、
前記半導体基体の前記一方の主面とは反対側の他方の主面の前記第1の半導体層の形成領域に対応する領域に前記一方の主面に向けて凹んだ凹部を形成する工程と、
前記半導体基体の前記他方の主面において前記凹部によって形成される段差に沿って第2の導電型を有する第3の半導体層を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記凹部は、前記半導体基体の前記他方の主面の研削によって形成される請求項14に記載の製造方法。
- 前記凹部は、前記半導体基体の前記一方の主面に前記一方の主面から突出した凸状構造体を形成した後に前記研削を行うことによって形成される請求項15に記載の製造方法。
- 前記凸状構造体の厚さは、前記半導体基体の厚さ方向における前記第1の半導体層の終端位置と前記第2の半導体層の終端位置との間の距離と略同一である請求項16に記載の製造方法。
- 前記凸状構造体は、前記第1の半導体層の形成領域に対応する領域に形成される請求項16または17に記載の製造方法
- 前記凸状構造体は、前記凹部の形成後に除去される請求項16乃至18のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記凸状構造体はレジスト材を含む請求項16乃至19のいずれか1項に記載の製造方法。
- 半導体基体の一方の主面における所望の位置に凹部を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基体の前記一方の主面とは反対側の他方の主面の前記凹部の形成領域に対応する領域に前記他方の主面から突出した前記凹部の深さと略同一の高さを有する凸状構造体を形成する工程と、
前記半導体基体に押圧を加えつつ前記一方の主面を研削する工程と、
を含む製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013019579A JP6150542B2 (ja) | 2013-02-04 | 2013-02-04 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2014150226A true JP2014150226A (ja) | 2014-08-21 |
JP6150542B2 JP6150542B2 (ja) | 2017-06-21 |
Family
ID=51572963
Family Applications (1)
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JP2013019579A Active JP6150542B2 (ja) | 2013-02-04 | 2013-02-04 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6150542B2 (ja) |
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