JP6861914B1 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6861914B1 JP6861914B1 JP2020564774A JP2020564774A JP6861914B1 JP 6861914 B1 JP6861914 B1 JP 6861914B1 JP 2020564774 A JP2020564774 A JP 2020564774A JP 2020564774 A JP2020564774 A JP 2020564774A JP 6861914 B1 JP6861914 B1 JP 6861914B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- guard ring
- semiconductor device
- semiconductor
- conductive type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 184
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 29
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 25
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0688—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions characterised by the particular shape of a junction between semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/66196—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices with an active layer made of a group 13/15 material
- H01L29/66204—Diodes
- H01L29/66212—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
図1は、本実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す断面模式図である。なお以下では、半導体装置はショットキーバリアダイオードであるものとして説明するが、これに限ったものではなく、例えばpnダイオードなどであってもよい。また以下では、半導体装置と半導体素子とは実質的に同じであるものして説明する。また以下では、第1導電型及び第2導電型はそれぞれn型及びp型であるものとして説明するが、第1導電型及び第2導電型はそれぞれp型及びn型であってもよい。
図2〜図6は、本実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。次に本実施の形態1に係る半導体装置の製造方法について説明する。ここでは半導体基板101などの材料は窒化物半導体である例を説明するが、窒化物半導体に限るものではなく、ワイドバンドギャップ半導体などのその他の半導体材料であってもよい。また以下で説明する例は、あくまで本開示の理解を助けるための例であり、製造方法や製造工程の順番などを限定するものではない。また、説明を簡便にするためパッシベーション膜や配線、フィールドプレートなどの構成の説明は省略したが、その有無により本開示の趣旨が変わるものではない。
以上のような本実施の形態1によれば、メサ部12の側壁の第1ガードリング104aは比較的深くまで配設されているので、半導体装置の電界緩和及び耐圧性を高めことができる。一方、平坦部11の第2ガードリング104bは比較的浅くまでしか配設されないので、半導体装置の寄生抵抗及び寄生容量の増加を抑制することができる。
図7は、本実施の形態2に係る半導体装置の構成を示す断面模式図である。本実施の形態2は、実施の形態1の構成のうちガードリングの構成を変更したものであり、以下その変更点について主に説明する。
図8及び図9は、本実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。次に本実施の形態2に係る半導体装置の製造方法について説明する。
以上のような本実施の形態2によれば、メサ部12の側壁の第1ガードリング104aは比較的深くまで配設されているので、半導体装置の電界緩和及び耐圧性を高めことができる。一方、平坦部11にはガードリングが配設されていないので、半導体装置の寄生抵抗及び寄生容量の増加を抑制することができる。
図10は、本実施の形態3に係る半導体装置の構成を示す断面模式図である。本実施の形態3は、実施の形態2の構成のうちカソード電極の構成を変更したものであり、以下その変更点について主に説明する。なお、実施の形態2の構成に限らず、実施の形態1の構成においても、以下と同様にカソード電極の構成を変更してもよい。
図11は、本実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。次に本実施の形態3に係る半導体装置の製造方法について説明する。
以上のような本実施の形態3によれば、アノード電極105及びカソード電極106が、アクセス層103に対して同一側に配設されている。このため、アクセス層103の抵抗及び寄生容量を低減することができる。また、フォトリソグラフィの精度でアクティブ領域の寸法を定めることができるため、精密な耐圧及び抵抗の設計が可能となる。
図12は、本実施の形態4に係る半導体装置の構成を示す平面模式図である。本実施の形態4は、実施の形態3の横型構造のダイオードのうちアノード電極105及びカソード電極106のレイアウトに関するものであり、以下そのレイアウトについて主に説明する。
以上のような本実施の形態4によれば、対向するアノード電極105及びカソード電極106のフィンガ長手方向の長さであるアノード幅を大きくすることができる。このため、半導体装置の抵抗を低減し、チップ面積当たりの電流を増加させることができる。
本実施の形態5は、以上で説明した半導体装置の製造方法のうち、ガードリングの形成に関するものであり、以下その形成について主に説明する。
以上のような本実施の形態5によれば、メサ部12の側壁及び平坦部11の半導体層表面からのイオン注入の深さを制御するために、比較的大きなチルト角θでイオン注入を実施したとしても、メサ部12などの形状やマスク厚さの影響を抑制することが可能である。例えば、イオン注入の方向と、メサ部12の長手方向とがなすローテーション角が−35°以上35°以下であれば、シェーディングを1μm程度まで抑えることができる。
図13は、本実施の形態6に係る半導体装置の構成を示す断面模式図である。本実施の形態6では実施の形態3の構成のうちメサ部12の側壁を変更したものであり、以下その変更点について主に説明する。
本実施の形態6の製造方法では、実施の形態1の製造方法のうちドリフト層102を形成する工程が複数の工程に分けられる。具体的にはフォトレジスト、またはSiN、SiOなどの誘電体を加工用のマスクとしてパターニングし、ドライ加工、ウェット加工、リフトオフなどでドリフト層102の一部を加工してメサ部12のベース部を形成する。次にメサ部12のベース部の形成に用いたマスクの幅よりも細い幅のマスクを用いて、メサ部12のベース部の一部をパターニングする加工を行うことで、傾斜面12a及びテラス面12bを有するメサ部12を形成する。なお以下で説明するように、既存のフォトマスクをウェット加工などの等方的な加工で細くすることで幅の細い加工用のマスクを形成してもよい。
以上のような本実施の形態8によれば、メサ部12の側壁は、傾斜面12aと、テラス面12bとを含む。このような構成によれば、アノード電極105とカソード電極106とを必要以上に離さなくても、テラス面12bによってフォトリソグラフィのアライメントマージンを確保することができるため、寄生容量及び寄生抵抗の増加を抑制することができる。
本実施の形態7では実施の形態6の構成のうち傾斜面12a及びテラス面12bを変更したものであり、以下その変更点について主に説明する。
以上のような本実施の形態7によれば、傾斜面12aとテラス面12bとがなす角が60°よりも大きく90°よりも小さい。このため、チルト角θを適切に制御すれば、テラス面12bの第1ガードリング104aの深さよりも、傾斜面12aの第1ガードリング104aの深さを深くすることができる。また、メサ部12の深さを適切な深さに設定しつつ、アノード電極105とカソード電極106との距離を適切化することができるので、アクセス層103の抵抗の増加を抑制することができる。
本実施の形態8では実施の形態6及び実施の形態7の構成のうちテラス面12bを変更したものであり、以下その変更点について主に説明する。
以上のような本実施の形態8によれば、フォトリソグラフィのアライメントマージンが低下することを抑制しつつ、寄生抵抗の増加を抑制することができる。
本実施の形態9では、半導体基板101は半絶縁性を有する。このような半絶縁性の半導体基板101を用いることで寄生容量を低減でき、また集積素子を作製した際には素子間の絶縁分離を図ることができる。特に本実施の形態9では、半導体基板101の比抵抗は1kΩcm以上である。このような構成によれば、実施の形態3に示す横型構造であっても、パッド容量を十分に低減して十分な絶縁抵抗を得ることができるため、実施の形態3に係る半導体装置の、高周波デバイス及びパワーデバイスへの応用が可能となる。
本開示が適用される範囲は特に限定されず、例えば、電力が必要な機器(PC、家電製品、照明機器、ルータ、レーダ、アンテナなど)、建造物(戸建て住宅、マンション、ビル、駅舎、データセンタ、無線基地局など)、移動体(自動車、自動二輪車、自転車、電車、列車、船舶、航空機など)への電源供給システム、電力伝送システム、及び電力変換システムに用いることができる。
Claims (9)
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層に覆われた部分であって、前記第1半導体層と隣接する部分である隣接部分を有し、前記第1半導体層よりも第1導電型の不純物濃度が高い第1導電型の第2半導体層と
を備え、
前記第2半導体層のうち前記第1半導体層から露出された部分は、前記第1半導体層及び前記第2半導体層の積層構造の凹部に対応し、
前記第1半導体層、または、前記第1半導体層及び前記第2半導体層の前記隣接部分は、前記積層構造の凸部に対応し、
前記凸部の側壁には、第2導電型の第1ガードリングが配設され、
前記凹部には、前記第1ガードリングよりも厚さが薄い第2導電型の第2ガードリングが配設されている、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記凸部上に配設され、前記凸部とショットキー性接触する第1電極と、
前記凹部上に配設され、前記凹部とオーミック性接触する第2電極と
をさらに備える、半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置であって、
平面視において前記第1電極及び前記第2電極は、互いに噛合する櫛形状を有し、
前記第1電極の櫛形状の櫛歯と、前記第2電極の櫛形状の櫛歯とが、平行かつ互いに対向する、半導体装置。 - 請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記凸部の前記側壁は、
前記凸部の先に向かって前記凸部の内側に傾斜する傾斜面と、
前記第2半導体層の面内方向に対応する方向に延在するテラス面と
を含む、半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置であって、
前記傾斜面と前記テラス面とのなす角が60°よりも大きく90°よりも小さい、半導体装置。 - 請求項4または請求項5に記載の半導体装置であって、
前記凸部の短手方向における、前記テラス面の長さが0.2μm以上1.0μm以下である、半導体装置。 - 請求項1から請求項6のうちのいずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記第2半導体層のうち前記第1半導体層と逆側の部分に配設され、比抵抗が1kΩcm以上である半導体基板をさらに備える、半導体装置。 - 半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置は、
第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層に覆われた部分であって、前記第1半導体層と隣接する部分である隣接部分を有し、前記第1半導体層よりも第1導電型の不純物濃度が高い第1導電型の第2半導体層と
を備え、
前記第2半導体層のうち前記第1半導体層から露出された部分は、前記第1半導体層及び前記第2半導体層の積層構造の凹部に対応し、
前記第1半導体層、または、前記第1半導体層及び前記第2半導体層の前記隣接部分は、前記積層構造の凸部に対応し、
前記凸部の側壁には、第2導電型の第1ガードリングが配設され、
前記凹部には、第2導電型のガードリングが配設されていない、または、前記第1ガードリングよりも厚さが薄い第2導電型の第2ガードリングが配設され、
前記製造方法において、
前記第1ガードリングはイオン注入によって形成され、
断面視において、前記イオン注入の方向と、前記第1半導体層の面外方向とがなすチルト角が30°以上である、半導体装置の製造方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置は、
第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層に覆われた部分であって、前記第1半導体層と隣接する部分である隣接部分を有し、前記第1半導体層よりも第1導電型の不純物濃度が高い第1導電型の第2半導体層と
を備え、
前記第2半導体層のうち前記第1半導体層から露出された部分は、前記第1半導体層及び前記第2半導体層の積層構造の凹部に対応し、
前記第1半導体層、または、前記第1半導体層及び前記第2半導体層の前記隣接部分は、前記積層構造の凸部に対応し、
前記凸部の側壁には、第2導電型の第1ガードリングが配設され、
前記凹部には、第2導電型のガードリングが配設されていない、または、前記第1ガードリングよりも厚さが薄い第2導電型の第2ガードリングが配設され、
前記製造方法において、
前記第1ガードリングはイオン注入によって形成され、
平面視において、前記イオン注入の方向と、前記凸部の長手方向とがなすローテーション角が−35°以上35°以下である、半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/026677 WO2022009328A1 (ja) | 2020-07-08 | 2020-07-08 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6861914B1 true JP6861914B1 (ja) | 2021-04-21 |
JPWO2022009328A1 JPWO2022009328A1 (ja) | 2022-01-13 |
Family
ID=75520981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020564774A Active JP6861914B1 (ja) | 2020-07-08 | 2020-07-08 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230178590A1 (ja) |
JP (1) | JP6861914B1 (ja) |
WO (1) | WO2022009328A1 (ja) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09260688A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2001508950A (ja) * | 1997-01-21 | 2001-07-03 | エービービー リサーチ リミテッド | 炭化珪素ショットキーダイオードの接合止端 |
JP2009194225A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキバリアダイオード、及びショットキバリアダイオードを作製する方法 |
US8164154B1 (en) * | 2010-12-17 | 2012-04-24 | Aram Tanielian | Low profile Schottky barrier diode for solar cells and solar panels and method of fabrication thereof |
JP2012195618A (ja) * | 2005-01-06 | 2012-10-11 | Velox Semiconductor Corp | 窒化ガリウム半導体素子 |
WO2012137412A1 (ja) * | 2011-04-05 | 2012-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013153185A (ja) * | 2005-11-15 | 2013-08-08 | Power Integrations Inc | ショットキーダイオードの性能を向上させる第2のショットキー接触金属層 |
JP2014513424A (ja) * | 2011-04-05 | 2014-05-29 | クリー インコーポレイテッド | 凹部終端構造及び凹部終端構造を含む電子デバイスを製作する方法 |
JP2014107499A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2014187364A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Infineon Technologies Austria Ag | 炭化ケイ素デバイスを製造するための方法および炭化ケイ素デバイス |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208813A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | GaN系半導体素子およびその製造方法 |
-
2020
- 2020-07-08 US US17/925,828 patent/US20230178590A1/en active Pending
- 2020-07-08 WO PCT/JP2020/026677 patent/WO2022009328A1/ja active Application Filing
- 2020-07-08 JP JP2020564774A patent/JP6861914B1/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09260688A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2001508950A (ja) * | 1997-01-21 | 2001-07-03 | エービービー リサーチ リミテッド | 炭化珪素ショットキーダイオードの接合止端 |
JP2012195618A (ja) * | 2005-01-06 | 2012-10-11 | Velox Semiconductor Corp | 窒化ガリウム半導体素子 |
JP2013153185A (ja) * | 2005-11-15 | 2013-08-08 | Power Integrations Inc | ショットキーダイオードの性能を向上させる第2のショットキー接触金属層 |
JP2009194225A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキバリアダイオード、及びショットキバリアダイオードを作製する方法 |
US8164154B1 (en) * | 2010-12-17 | 2012-04-24 | Aram Tanielian | Low profile Schottky barrier diode for solar cells and solar panels and method of fabrication thereof |
WO2012137412A1 (ja) * | 2011-04-05 | 2012-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014513424A (ja) * | 2011-04-05 | 2014-05-29 | クリー インコーポレイテッド | 凹部終端構造及び凹部終端構造を含む電子デバイスを製作する方法 |
JP2014107499A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2014187364A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Infineon Technologies Austria Ag | 炭化ケイ素デバイスを製造するための方法および炭化ケイ素デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2022009328A1 (ja) | 2022-01-13 |
WO2022009328A1 (ja) | 2022-01-13 |
US20230178590A1 (en) | 2023-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6880669B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
US9543289B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
WO2013055631A1 (en) | Schottky diode with buried layer in gan materials | |
US11145790B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
JP5583846B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008053363A (ja) | 半導体基板およびその製造方法 | |
KR101273108B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2009295628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3801091B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2015207723A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
TW201947766A (zh) | 高電子遷移率電晶體 | |
JP6150542B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US11610779B2 (en) | Method for producing semiconductor device | |
JP5526493B2 (ja) | トレンチゲート型半導体装置およびその製造方法 | |
JP6958732B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6861914B1 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6589278B2 (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
US9236433B2 (en) | Semiconductor devices in SiC using vias through N-type substrate for backside contact to P-type layer | |
US10418477B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
US10658465B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device | |
JP6975912B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US11251295B1 (en) | Vertical field effect transistor device and method of fabrication | |
US8866264B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
JP2022139402A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
KR20200032487A (ko) | 로딩 효과를 감소시키는 파워 반도체 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201118 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201118 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20201118 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20210224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210302 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210330 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6861914 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |