JP2014187364A - 炭化ケイ素デバイスを製造するための方法および炭化ケイ素デバイス - Google Patents
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 368
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 368
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 108
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 29
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 9
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 87
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 2
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 2
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
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- H01L29/0661—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body specially adapted for altering the breakdown voltage by removing semiconductor material at, or in the neighbourhood of, a reverse biased junction, e.g. by bevelling, moat etching, depletion etching
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Abstract
【解決手段】 炭化ケイ素デバイスを製造するための方法は、炭化ケイ素ウェーハを設けるステップと、この炭化ケイ素ウェーハ上にマスク層を製造するステップとを含む。さらに、この方法は、製造される炭化ケイ素デバイスのエッジにマスク層を構築するステップを含んでおり、その結果、このマスク層は、製造される炭化ケイ素デバイスのエッジにベベルを有する。さらに、この方法は、相互エッチング・プロセスによってマスク層および炭化ケイ素ウェーハをエッチングするステップを含んでおり、その結果、炭化ケイ素デバイスのエッジにおいてマスク層のベベルが複製される。
【選択図】なし
Description
220 nドープ領域
230 空乏領域
310 高濃度ドープのp領域
320 低濃度ドープのp領域
330 低濃度ドープのn領域
340 高濃度ドープのn+領域
350 空乏領域
410 高濃度nドープ基板、高濃度ドープ炭化ケイ素基板層
420 nドープ・ドリフト領域
430 低濃度pドープ注入領域
440 マスク層
452 表面領域
460 フォトレジスト層
470 パッシベーション層
480 ベベル
500 炭化ケイ素デバイス
510 高濃度nドープの炭化ケイ素基板
520 フィールド・ストップ層
530 nドープのドリフト層
540 pドープ注入領域
560 パッシベーション層
570 カプセル化
580 ベベル
710 カソード金属
720 高濃度nドープ基板
730 nドープ・ドリフト領域
740 pドープ領域
750 ショットキー金属
760 pドープ領域
900 炭化ケイ素デバイス
910 炭化ケイ素基板層
920 注入領域
930 アクティブ領域
940 表面
950 p−n接合
960 金属層
Claims (19)
- 炭化ケイ素デバイスを製造するための方法であって、
炭化ケイ素ウェーハを設けるステップと、
前記炭化ケイ素ウェーハ上にマスク層を製造するステップと、
製造される炭化ケイ素デバイスのエッジにおいて構築されたマスク層がベベルを備えるように、製造される前記炭化ケイ素デバイスのエッジにおいて前記マスク層を構築するステップと、
製造される前記炭化ケイ素デバイスの前記エッジにおいて、前記構築されたマスク層の前記ベベルが前記炭化ケイ素ウェーハ内に複製されるように、相互エッチング・プロセスによって前記構築されたマスク層および前記炭化ケイ素ウェーハをエッチングするステップと
を含む、方法。 - 製造される炭化ケイ素デバイスのエッジに前記マスク層を構築する前記ステップが、前記構築されたマスク層が、前記炭化ケイ素ウェーハの表面と前記構築されたベベルに適合する近似線との間の傾斜角が70°未満のベベルを備えるように実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記構築されたマスク層の前記ベベルの前記傾斜角は、前記マスク層および前記炭化ケイ素ウェーハの前記相互エッチングによって得られる前記炭化ケイ素デバイスの前記ベベルが、前記炭化ケイ素ウェーハの前記表面と製造される前記炭化ケイ素デバイスの前記エッチングされたベベルに適合する近似線との間に0.5°〜70°の間の傾斜角を有するように構築される、請求項2に記載の方法。
- 前記マスク層を構築する前記ステップが、湿式化学エッチング・プロセスによって実行され、前記構築されたマスク層および前記炭化ケイ素ウェーハを相互エッチングする前記ステップが、相互乾式化学エッチング・プロセスによって実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記マスク層の表面領域の構造的な均一性が低下するように、前記マスク層を構築する前に前記マスク層の前記表面領域にイオンを注入するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記マスク層上にフォトレジスト層を堆積させるステップと、前記フォトレジスト層を構築するステップとをさらに含み、その結果、前記マスク層が、前記構築されたフォトレジスト層を介して、実質的に等方性の湿式化学エッチング・プロセスまたは実質的に等方性の乾式化学エッチング・プロセスによって構築可能である、請求項1に記載の方法。
- 前記炭化ケイ素ウェーハが、第1の導電型を有する炭化ケイ素基板層、および少なくとも1つの注入領域を有するエピタキシャル炭化ケイ素層を含み、前記少なくとも1つの注入領域が、製造される前記炭化ケイ素デバイスの前記エッジに配置され、第2の異なる導電型を有し、前記エピタキシャル炭化ケイ素層が、前記少なくとも1つの注入領域の外側に前記第1の導電型を有する、請求項1に記載の方法。
- 結果として得られるトレンチの少なくとも一部分が、前記第1の導電型を有する前記エピタキシャル炭化ケイ素層、または前記炭化ケイ素基板層に到達した後に、前記炭化ケイ素基板ウェーハの前記エッチングが停止する、請求項7に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの注入領域が、製造される前記炭化ケイ素デバイスを囲繞し、前記炭化ケイ素ウェーハの前記エッチングの前に、製造される前記炭化ケイ素デバイスのエッジ領域から、製造される隣接炭化ケイ素デバイスのエッジ領域まで到達する、請求項7に記載の方法。
- 前記炭化ケイ素ウェーハ上の他の炭化ケイ素デバイスから、製造される前記炭化ケイ素デバイスを分離するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記炭化ケイ素ウェーハ上に製造される隣接炭化ケイ素デバイスのエッジにおいて、前記構築されたマスク層内の台形のトレンチまたは三角形のトレンチが得られるように、前記マスク層が構築され、前記構築されたマスク層の前記台形のトレンチまたは前記三角形のトレンチにより、前記炭化ケイ素ウェーハ上に製造される隣接炭化ケイ素デバイスの前記エッジにおいて、前記エッチングされた炭化ケイ素ウェーハ内に台形のトレンチまたは三角形のトレンチが得られるように、前記炭化ケイ素ウェーハがエッチングされる、請求項1に記載の方法。
- 前記相互エッチング・プロセスが、前記構築されたマスク層のエッチング速度と前記炭化ケイ素ウェーハのエッチング速度との既定の比を有し、前記規定の比が1.5〜0.5の間にある、請求項1に記載の方法。
- 前記構築されたマスク層が、製造される前記炭化ケイ素デバイスのアクティブ領域を囲繞するベベルを備えるように、前記マスク層が構築され、前記構築されたマスク層の前記ベベルが、基本的に、四方領域の隣接する2つの側部間での円弧状遷移部で前記四方領域を囲繞し、製造される前記炭化ケイ素デバイスの前記アクティブ領域を囲繞する前記構築されたマスク層の前記ベベルにより、製造される前記炭化ケイ素デバイスの前記アクティブ領域を囲繞する、製造される前記炭化ケイ素デバイスのベベルが得られる、請求項1に記載の方法。
- 前記構築されたマスク層の前記円弧状遷移部および前記構築されたマスク層の傾斜角が製造され、その結果、製造される前記炭化ケイ素デバイスの前記ベベルによって囲繞された前記四方領域の、結果として得られる前記円弧状遷移部が、前記炭化ケイ素ウェーハの前記表面のレベルでの半径の2倍を超える、エピタキシャル層の隣接部分と注入領域との間のp−n接合のレベルでの半径を含む、請求項13に記載の方法。
- 製造される前記炭化ケイ素デバイスが、ショットキー・ダイオード、マージドpinショットキー・ダイオード、p−nダイオード、バイポーラ・トランジスタ、電界効果トランジスタ、金属酸化膜半導体トランジスタ、または接合ゲート電界効果トランジスタを含む、請求項1に記載の方法。
- 炭化ケイ素デバイスを製造するための方法であって、
炭化ケイ素ウェーハを設けるステップと、
前記炭化ケイ素ウェーハ上にマスク層を製造するステップと、
前記マスク層の表面領域の構造的均一性が低下するように、前記マスク層を構築する前に前記マスク層の前記表面領域にイオンを注入するステップと、
製造される炭化ケイ素デバイスのエッジにおいて構築されたマスク層がベベルを含むように、製造される前記炭化ケイ素デバイスの前記エッジにおいて前記マスク層を構築するステップと、
炭化ケイ素デバイスのエッジにおいて、前記構築されたマスク層の前記ベベルが前記炭化ケイ素ウェーハ内に複製されるように、相互エッチング・プロセスによって前記構築されたマスク層および前記炭化ケイ素ウェーハをエッチングするステップと
を含み、
製造される炭化ケイ素デバイスの前記エッジにおいて前記マスク層を構築する前記ステップが、前記構築されたマスク層が、前記炭化ケイ素ウェーハの表面と前記構築されたベベルに適合する近似線との間の傾斜角が70°未満のベベルを備えるように実行され、
前記マスク層を構築する前記ステップが実質的に等方性の湿式化学エッチング・プロセスによって実行され、前記構築されたマスク層および前記炭化ケイ素層を相互エッチングする前記ステップが実質的に異方性の相互乾式エッチング・プロセスによって実行される、方法。 - 複数の炭化ケイ素デバイスを製造するための方法であって、
複数のケイ素基板デバイス用の十分な領域を炭化ケイ素ウェーハに設けるステップと、
前記複数のケイ素基板デバイスの各炭化ケイ素デバイスが、前記炭化ケイ素デバイスのアクティブ領域を囲繞するベベルを備えるように、実質的に異方性のエッチング・プロセスによって前記炭化ケイ素ウェーハをエッチングするステップと、
前記炭化ケイ素デバイスを互いに分離するステップと
を含む、方法。 - 第1の導電型を有する炭化ケイ素基板層と、
少なくとも1つの注入領域を有するエピタキシャル炭化ケイ素層と
を含み、前記少なくとも1つの注入領域が、前記炭化ケイ素デバイスのエッジに配置され、第2の異なる導電型を有し、前記エピタキシャル炭化ケイ素層が、前記少なくとも1つの注入領域の外側に前記第1の導電型を有し、
前記炭化ケイ素デバイスが、前記炭化ケイ素デバイスのアクティブ領域を囲繞するベベルを備え、前記ベベルが、基本的に、四方領域の隣接する2つの側部間での円弧状遷移部で前記四方領域を囲繞し、
前記ベベルが、前記エピタキシャル炭化ケイ素層の表面から、少なくとも、前記エピタキシャル炭化ケイ素層の隣接部分と前記注入領域との間のp−n接合まで到達する、炭化ケイ素デバイス。 - 前記ベベルの前記円弧状遷移部および前記ベベルの傾斜角は、前記ベベルの前記円弧状遷移部が、前記炭化ケイ素デバイスの表面のレベルでの半径の2倍を超える、前記エピタキシャル層の前記隣接部分と前記注入領域との間のp−n接合のレベルでの半径を含むように構成される、請求項18に記載の炭化ケイ素デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/849,203 | 2013-03-22 | ||
US13/849,203 US9704718B2 (en) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014187364A true JP2014187364A (ja) | 2014-10-02 |
Family
ID=51568490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014057437A Pending JP2014187364A (ja) | 2013-03-22 | 2014-03-20 | 炭化ケイ素デバイスを製造するための方法および炭化ケイ素デバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9704718B2 (ja) |
JP (1) | JP2014187364A (ja) |
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---|---|
US20140284615A1 (en) | 2014-09-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150707 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160105 |
|
A02 | Decision of refusal |
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