JP4550457B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(2x+(0.05×2)+0.1×(x−1))≦20 …(1)
の関係を満たす必要があり、1辺あたりの最大チップ数は9となる。
(2×9)2/(18.9)2=90.7%
となる。
(2×9+(0.005×2)+0.01×(x−2)+0.1)=18.18mm
となり、チップの有効利用率は(2×9)2/(18.18)2=98.0%となる。
2 半導体チップ
3 スクライブ線
4 第1のスクライブ線
5 第2のスクライブ線
6 第3のスクライブ線
7 アクセサリ
7a アライメントマーク
7b チェックトランジスタ
8 切断領域
9 スクライブ線
Claims (5)
- 第1の方向及び第2の方向に延在する複数のスクライブ線で区画された各々の領域に半導体チップが形成されてなるウェハにおいて、
前記第1の方向に延在する前記複数のスクライブ線が、相対的に幅が狭い第1のスクライブ線と、相対的に幅が広い第2のスクライブ線とにより構成され、
前記第2の方向に延在する前記複数のスクライブ線が、前記第1のスクライブ線と、前記第2のスクライブ線よりも幅の広い第3のスクライブ線とにより構成され、
1回のショットで露光可能な単位セル内に、前記第1の方向及び前記第2の方向共に、前記第2のスクライブ線又は前記第3のスクライブ線が少なくとも1本含まれ、
前記第1のスクライブ線は、相隣り合う前記半導体チップを切断可能な最小幅で形成され、
前記第2のスクライブ線及び前記第3のスクライブ線は、TEGが配置可能な幅で形成され、
前記TEGを構成するチェックトランジスタが長方形である場合に、前記第2のスクライブ線には、前記チェックトランジスタの長手と前記第2のスクライブ線の延在方向とが略平行になるように前記チェックトランジスタが形成され、前記第3のスクライブ線には、前記チェックトランジスタの長手と前記第3のスクライブ線の延在方向とが略直交するように前記チェックトランジスタが形成されることを特徴とするウェハ。 - 前記第1の方向において、前記第2のスクライブ線は、一定の周期で配置され、
前記第2の方向において、前記第3のスクライブ線は、一定の周期で配置され、
前記第2のスクライブ線間には、それぞれ同じ本数の第1のスクライブ線が配置され、
前記第3のスクライブ線間には、それぞれ同じ本数の第1のスクライブ線が配置されていることを特徴とする請求項1記載のウェハ。 - 請求項1又は2に記載の前記ウェハを切断して得られる半導体チップであって、
前記半導体チップは、前記第1のスクライブ線、前記第2のスクライブ線及び前記第3のスクライブ線を略中心線に沿って同一幅で切断して得られたものであり、
前記半導体チップの周囲に残存するスクライブ線の形状が、1回のショットで露光可能な単位セル内の位置に応じて異なることを特徴とする半導体チップ。 - 第1の方向に延在する相対的に幅の狭い第1のスクライブ線及び相対的に幅の広い第2のスクライブ線と、第2の方向に延在する前記第1のスクライブ線及び前記第2のスクライブ線よりも幅の広い第3のスクライブ線とによりウェハを区分し、前記第1の方向及び前記第2の方向共に少なくとも1本の前記第2のスクライブ線又は前記第3のスクライブ線を含む領域を1回のショットで露光可能な単位セルとし、前記単位セル毎に露光して、前記区分された領域に半導体チップを形成すると共に、前記第2のスクライブ線及び前記第3のスクライブ線上にTEGを形成する工程と、
前記第1のスクライブ線、前記第2のスクライブ線及び前記第3のスクライブ線を同一幅で切断する工程と、を少なくとも有し、
前記切断工程において、前記第1のスクライブ線及び前記第2のスクライブ線又は前記第3のスクライブ線を略中心線に沿って切断し、前記単位セル内の各々の前記半導体チップの周囲に残存するスクライブ線の形状を変えて、前記半導体チップの前記単位セルにおける位置を特定可能とするものであり、
前記第1のスクライブ線を、相隣り合う前記半導体チップを切断可能な最小幅で形成し、
前記第2のスクライブ線及び前記第3のスクライブ線を、前記TEGが配置可能な幅で形成し、
前記TEGを構成するチェックトランジスタが長方形である場合に、前記第2のスクライブ線には、前記チェックトランジスタの長手と前記第2のスクライブ線の延在方向とが略平行になるように前記チェックトランジスタを形成し、前記第3のスクライブ線には、前記チェックトランジスタの長手と前記第3のスクライブ線の延在方向とが略直交するように前記チェックトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ウェハ上には、前記第1の方向において、前記第2のスクライブ線が、一定の周期で配置され、前記第2の方向において、前記第3のスクライブ線が、一定の周期で配置され、前記第2のスクライブ線間には、それぞれ同じ本数の第1のスクライブ線が配置され、前記第3のスクライブ線間には、それぞれ同じ本数の第1のスクライブ線が配置されていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
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