JP6732965B2 - Ｔｆｔ液晶表示部品及びその製造方法 - Google Patents
Ｔｆｔ液晶表示部品及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6732965B2 JP6732965B2 JP2018565358A JP2018565358A JP6732965B2 JP 6732965 B2 JP6732965 B2 JP 6732965B2 JP 2018565358 A JP2018565358 A JP 2018565358A JP 2018565358 A JP2018565358 A JP 2018565358A JP 6732965 B2 JP6732965 B2 JP 6732965B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- silicon nitride
- nitride protective
- protective film
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 135
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 135
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 101
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 101
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 93
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 93
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 42
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、液晶表示分野に関し、特にＴＦＴ液晶表示部品及びその製造方法に関する。
薄膜電界効果トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ） 液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）では、異なる金属間の接続は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；インジウムスズ酸化物）透明導電薄膜により接続されている。ＩＴＯの電気抵抗のインピーダンスは、金属アルミニウム又は銅よりも遥かに大きいため、異なる金属間の接触インピーダンスが大きくなり過ぎ、後端に表示不良が発生することを引き起こす場合がある。
図１は、従来のＴＦＴ液晶表示部品の断面構造模式図である。走査電極線１２は、ガラス基板１１上に設けられ、走査電極線１２を覆うように第１窒化ケイ素保護膜１３が設けられ、信号電極線１４を覆うように第２窒化ケイ素保護膜１５が設けられ、走査電極線１２の上方で第１、第２窒化ケイ素保護膜１３、１５をそれぞれエッチングして第１接触孔１６が形成され、信号電極線１４の上方で第２窒化ケイ素保護膜１５をエッチングして第２接触孔１７を形成された後、ＩＴＯ層１８を堆積して異なる層の金属が接続される。このようにして、ＩＴＯ層１８は、走査電極線１２上の接触孔１６により第１、第２窒化ケイ素保護膜１３、１５を乗り越え、さらに信号電極線１４上の接触孔１７を通じて初めて２層の金属線を接続することができる。ＩＴＯの抵抗値が元々金属アルミニウム又は銅よりも遥かに大きいことから、このような接続方式では、接触抵抗が非常に大きくなり、接触抵抗の過大による後端の表示不良を引き起こしやすい。
そのため、ＴＦＴ液晶表示部品における異なる金属層の新しい接続方式を提供することで、金属間の接触インピーダンスを低減し、製品の良品率を向上させる必要がある。
そのため、ＴＦＴ液晶表示部品における異なる金属層の新しい接続方式を提供することで、金属間の接触インピーダンスを低減し、製品の良品率を向上させる必要がある。
本発明の目的は、従来のＴＦＴ液晶表示部品における異なる層の金属間の接続方式に比べて、金属間の接触インピーダンスの低減、製品の良品率の向上を実現できるＴＦＴ液晶表示部品及びその製造方法を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明は、ＴＦＴ液晶表示部品を提供する。該ＴＦＴ液晶表示部品は、基板、第１金属層、第２金属層及び導電薄膜を含み、上記第１金属層は上記基板上に設けられ、上記第１金属層上に第１窒化ケイ素保護膜が堆積され、上記第２金属層は上記第１窒化ケイ素保護膜上に堆積され、上記第２金属層上に第２窒化ケイ素保護膜が堆積され、上記導電薄膜は上記第２窒化ケイ素保護膜をエッチングして除去した上記第２金属層上に堆積され、上記第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通する接触孔により上記第１金属層に接続されることで上記第１金属層と第２金属層とを接続して導通させ、一次パターン化工程により、上記第２窒化ケイ素保護膜及び第１窒化ケイ素保護膜をエッチングして上記第１金属層を露出させる上記接触孔を形成し、第２窒化ケイ素保護膜をエッチングして上記第２金属層を露出させ、上記接触孔は、上記第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通し、第１金属層及び第２金属層にそれぞれ接触する。
上記目的を達成するために、本発明は、ＴＦＴ液晶表示部品をさらに提供する。該ＴＦＴ液晶表示部品は、基板、第１金属層、第２金属層及び導電薄膜を含み、上記第１金属層は上記基板上に設けられ、上記第１金属層上に第１窒化ケイ素保護膜が堆積され、上記第２金属層は上記第１窒化ケイ素保護膜上に堆積され、上記第２金属層上に第２窒化ケイ素保護膜が堆積され、上記導電薄膜は上記第２窒化ケイ素保護膜をエッチングして除去した上記第２金属層上に堆積され、上記第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通する接触孔により上記第１金属層に接続されることで上記第１金属層と第２金属層とを接続して導通させる。
上記目的を達成するために、本発明は、上記ＴＦＴ液晶表示部品の製造方法をさらに提供する。該製造方法は、１）基板上に設けられた第１金属層上に第１窒化ケイ素保護膜を堆積することと、２）上記第１窒化ケイ素保護膜上に第２金属層及び第２窒化ケイ素保護膜を順次に堆積することと、３）上記第２窒化ケイ素保護膜をエッチングして除去した上記第２金属層上、及び、上記第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通する接触孔に導電薄膜を堆積することにより、上記第１金属層と第２金属層とを接続して導通させることと、を含む。
本発明は、以下の利点を有する。本発明が提供するＴＦＴ液晶表示部品及び其製造方法によれば、異なる金属層間における導電薄膜の接続距離が小さくなることに伴い、金属間の接触抵抗値が小さくなることによって、接触抵抗が効果的に減少し、製品の良品率が向上し、製品の競争力が高くなる。
以下、図面を参照しながら本発明が提供するＴＦＴ液晶表示部品及びその製造方法を詳しく説明する。
図２は、本発明の一実施例に記載のＴＦＴ液晶表示部品の断面構造模式図である。ＴＦＴ液晶表示部品は、基板２１、第１金属層２２、第１窒化ケイ素保護膜２３、第２金属層２４、第２窒化ケイ素保護膜２５、接触孔２６及び導電薄膜２８を含む。
基板２１は、ガラス基板又はプラスチック基板であることができる。第１金属層２２は、基板２１上に設けられ、第１金属層２２上に、第１窒化ケイ素保護膜２３が堆積される。第２金属層２４は、第１窒化ケイ素保護膜２３上に堆積され、第２金属層２４上には第２窒化ケイ素保護膜２５が堆積される。導電薄膜２８は、第２窒化ケイ素保護膜２５をエッチングして除去した第２金属層２４上に堆積され、第２窒化ケイ素保護膜２５と第１窒化ケイ素保護膜２３とを貫通する接触孔２６により第１金属層２２に接続されることで第１金属層２２と第２金属層２４とを接続して導通させる。異なる金属層間での短絡を防止するためには、金属層を形成する度に、窒化ケイ素保護膜を堆積して保護する必要がある。本発明の接触孔２６は、第２窒化ケイ素保護膜２５及び第１窒化ケイ素保護膜２３をエッチングして形成したものであり、このようにして、導電薄膜２８により異なる層の金属を接続することができる。一次パターン化工程により第２窒化ケイ素保護膜２５及び第１窒化ケイ素保護膜２３を選択的にエッチングして第１金属層２２を露出させる接触孔２６を形成すると同時に、第２窒化ケイ素保護膜２５をエッチングして第２金属層２４を露出させる。
このように、接続導通の必要がある異なる金属層の近くの窒化ケイ素保護膜を全部エッチングしてから、導電薄膜を堆積することで異なる金属層を接続することによって、導電薄膜は、第１金属層２２上の接触孔２６のみにより、第１窒化ケイ素保護膜２３を乗り越えて２層の金属線を接続することができる。それによって、異なる金属層間の接続距離が減少する。電気抵抗が電気抵抗の長さに比例するため、異なる金属層間の接続距離が減少すると抵抗値も減少することで、異なる金属層間の接触抵抗が効果的に減少し、製品の良品率が向上し、製品の競争力が高くなる。
本実施例において、接触孔２６は、第２窒化ケイ素保護膜２５と第１窒化ケイ素保護膜２３とを貫通し、第１金属層２２及び第２金属層２４にそれぞれ接触する。即ち、第２窒化ケイ素保護膜２５及び第１窒化ケイ素保護膜２３を選択的にエッチングして除去することで、第１金属層２２及び第２金属層２４を露出させる接触孔２６を形成することによって、導電薄膜２８は、接触孔２６のみにより第１金属層２２と第２金属層２４とを接続することができ、異なる金属層間の接続距離が効果的に減少する。
本実施例において、導電薄膜２８の材質はＩＴＯである。線幅が比較的広い金属配線をＩＴＯからなる配線に変更すると共に、接触孔によるブリッジングにより金属配線の両端を接続することによって、ＥＳＤ（（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；静電気放電）のＴＦＴ液晶表示部品への損害が減少する。他の実施例において、導電薄膜２８の材質はＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；アルミニウムドープ酸化亜鉛）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；インジウムドープ酸化亜鉛）であってもよい。本実施例において、第１金属層２２は走査電極線であり、第２金属層２４は信号電極線である。信号電極線上の第２窒化ケイ素保護膜２５を全部エッチングして信号電極線を露出させ、第２窒化ケイ素保護膜２５及び第１窒化ケイ素保護膜２３を選択的にエッチングして走査電極線を露出させた後、ＩＴＯを堆積して信号電極線と走査電極線とを接続することによって、ＩＴＯにより接続された信号電極線と走査電極線との間の距離が減少する。電気抵抗が電気抵抗の長さに比例するため、ＩＴＯによる接続の距離が減少すると抵抗値も減少することで、信号電極線と走査電極線との間の接触抵抗が効果的に減少し、製品の良品率が向上し、製品の競争力が高くなる。
図３は、本発明に記載のＴＦＴ液晶表示部品の製造方法のフローチャートである。図３に示すように、ＴＦＴ液晶表示部品の製造方法は、基板上に設けられた第１金属層上に第１窒化ケイ素保護膜を堆積するステップＳ３１と；第１窒化ケイ素保護膜上に第２金属層及び第２窒化ケイ素保護膜を順次堆積するステップＳ３２と；上記第２窒化ケイ素保護膜をエッチングして除去した上記第２金属層上、及び、上記第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通する接触孔に導電薄膜を堆積することで、上記第１金属層と第２金属層とを接続して導通させるＳ３３ステップと；を含む。一次パターン化工程により第２窒化ケイ素保護膜及び第１窒化ケイ素保護膜を選択的にエッチングして第１金属層を露出させる接触孔を形成すると共に、第２窒化ケイ素保護膜をエッチングして第２金属層を露出させる。このように接続導通の必要がある異なる金属層の近くの窒化ケイ素保護膜を全部エッチングしてから、導電薄膜を堆積して異なる金属層を接続することによって、異なる金属層間の接続距離が減少する。電気抵抗が電気抵抗の長さに比例するため、異なる金属層間の接続距離が減少すると抵抗値も減少することで、異なる金属層間の接触抵抗が効果的に減少し、製品の良品率が向上し、製品の競争力が高くなる。
本実施例において、接触孔は、第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通し、第１金属層及び第２金属層にそれぞれ接触する。つまり、第２窒化ケイ素保護膜及び第１窒化ケイ素保護膜を選択的にエッチングして第１金属層及び第２金属層を露出させる接触孔を形成することによって、導電薄膜は、接触孔のみにより第１金属層と第２金属層とを接続することができ、異なる金属層間の接続距離が効果的に減少する。
本実施例において、導電薄膜の材質はＩＴＯであり、第１金属層２２は走査電極線であり、第２金属層２４は信号電極線である。信号電極線上の第２窒化ケイ素保護膜を全部エッチングして信号電極線を露出させるとともに、第２窒化ケイ素保護膜及び第１窒化ケイ素保護膜を選択的にエッチングして走査電極線を露出させた後、ＩＴＯを堆積して信号電極線と走査電極線とを接続することによって、ＩＴＯにより接続された信号電極線と走査電極線との間の距離が減少する。電気抵抗が電気抵抗の長さに比例するため、ＩＴＯによる接続の距離が減少すると抵抗値も減少することで、信号電極線と走査電極線との間の接触抵抗が効果的に減少し、製品の良品率が向上し、製品の競争力が高くなる。
以上の記載は、本発明の好ましい実施形態に過ぎず、当業者であれば、本発明の趣旨から逸脱することなく改良及び修正を加えることができ、これらの改良及び修正は、本発明の保護範囲に含まれると理解されるべきである。
Claims (10)
- 基板、第１金属層、第２金属層及び導電薄膜を含むＴＦＴ液晶ディスプレイの部品であって、
前記第１金属層は前記基板上に設けられ、前記第１金属層上に第１窒化ケイ素保護膜が堆積され、
前記第２金属層は前記第１窒化ケイ素保護膜上の一部に堆積され、前記第１窒化ケイ素保護膜上の他の一部には第２窒化ケイ素保護膜が堆積され、
前記導電薄膜は前記第２窒化ケイ素保護膜上と前記第２金属層上に堆積され、前記第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通する接触孔により前記第１金属層の両端を接続することで前記第１金属層と第２金属層とを接続して導通させ、
一次パターン化工程により、前記第２窒化ケイ素保護膜及び第１窒化ケイ素保護膜をエッチングして前記第１金属層を露出させる前記接触孔を形成し、第２窒化ケイ素保護膜をエッチングして前記第２金属層を露出させ、前記接触孔は、前記第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通し、第１金属層及び第２金属層にそれぞれ接触し、
前記第１金属層は走査電極線であり、前記第２金属層は信号電極線であるＴＦＴ液晶ディスプレイの部品。 - 前記導電薄膜の材質はＩＴＯである請求項１に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイの部品。
- 基板、第１金属層、第２金属層及び導電薄膜を含むＴＦＴ液晶ディスプレイの部品であって、
前記第１金属層は前記基板上に設けられ、前記第１金属層上に第１窒化ケイ素保護膜が堆積され、
前記第２金属層は前記第１窒化ケイ素保護膜上の一部に堆積され、前記第１窒化ケイ素保護膜上の他の一部には第２窒化ケイ素保護膜が堆積され、
前記導電薄膜は前記第２窒化ケイ素保護膜上と前記第２金属層上に堆積され、前記第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通する接触孔により前記第１金属層の両端を接続することで前記第１金属層と第２金属層とを接続して導通させ、前記第１金属層は走査電極線であり、前記第２金属層は信号電極線であるＴＦＴ液晶ディスプレイの部品。 - 前記接触孔は、前記第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通し、第１金属層及び第２金属層にそれぞれ接触する請求項３に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイの部品。
- 一次パターン化工程により、前記第２窒化ケイ素保護膜及び第１窒化ケイ素保護膜をエッチングして前記第１金属層を露出させる前記接触孔を形成し、第２窒化ケイ素保護膜をエッチングして前記第２金属層を露出させる請求項３に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイの部品。
- 前記導電薄膜の材質はＩＴＯである請求項３に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイの部品。
- 請求項３に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイの部品の製造方法であって、
１）基板上に設けられた第１金属層上に第１窒化ケイ素保護膜を堆積することと、
２）前記第１窒化ケイ素保護膜上に第２金属層及び第２窒化ケイ素保護膜を順次に堆積することと、
３）前記第２窒化ケイ素保護膜を全部エッチングして除去した前記第２金属層上、及び、前記第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通する接触孔に導電薄膜を堆積することにより、前記第１金属層の両端を接続し、かつ前記第１金属層と第２金属層とを接続して導通させることと、
を含み、前記第１金属層は走査電極線であり、前記第２金属層は信号電極線であるＴＦＴ液晶ディスプレイの部品の製造方法。 - 前記接触孔は、前記第２窒化ケイ素保護膜と第１窒化ケイ素保護膜とを貫通し、第１金属層及び第２金属層にそれぞれ接触する請求項７に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイの部品の製造方法。
- 一次パターン化工程により、前記第２窒化ケイ素保護膜及び第１窒化ケイ素保護膜をエッチングして前記第１金属層を露出させる前記接触孔を形成し、第２窒化ケイ素保護膜をエッチングして前記第２金属層を露出させる請求項７に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイの部品の製造方法。
- 前記導電薄膜の材質はＩＴＯである請求項７に記載のＴＦＴ液晶ディスプレイの部品の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610539705.X | 2016-07-08 | ||
| CN201610539705.XA CN106200170A (zh) | 2016-07-08 | 2016-07-08 | Tft液晶显示器件及其制作方法 |
| PCT/CN2016/093066 WO2018006457A1 (zh) | 2016-07-08 | 2016-08-03 | Tft液晶显示器件及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019518245A JP2019518245A (ja) | 2019-06-27 |
| JP6732965B2 true JP6732965B2 (ja) | 2020-07-29 |
Family
ID=57473349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018565358A Active JP6732965B2 (ja) | 2016-07-08 | 2016-08-03 | Ｔｆｔ液晶表示部品及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9864247B1 (ja) |
| EP (1) | EP3483649B1 (ja) |
| JP (1) | JP6732965B2 (ja) |
| KR (1) | KR20190025020A (ja) |
| CN (1) | CN106200170A (ja) |
| WO (1) | WO2018006457A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109192762B (zh) * | 2018-09-06 | 2021-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
| CN109976055B (zh) * | 2019-03-28 | 2022-09-20 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
| CN112542086B (zh) * | 2019-09-23 | 2023-03-31 | 上海和辉光电股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244449B1 (ko) * | 1997-02-11 | 2000-02-01 | 구본준 | 박막 트랜지스터 검사용 단락 배선을 갖는 액정 표시 장치와 그 제조 방법(liquid crystal display having shorting bar for testing tft and method for manufacturing the same) |
| US6259119B1 (en) * | 1997-12-18 | 2001-07-10 | Lg. Philips Lcd Co, Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US7336336B2 (en) * | 2003-10-14 | 2008-02-26 | Lg. Philips Co. Ltd. | Thin film transistor array substrate, method of fabricating the same, liquid crystal display panel having the same and fabricating method thereof |
| KR101165472B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2012-07-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 |
| KR101232160B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2013-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
| JP2008066443A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびそれを備える液晶表示装置 |
| JP5019834B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2012-09-05 | インフォビジョン オプトエレクトロニクス ホールデングズ リミティッド | 表示装置用基板及び表示装置 |
| CN101800227B (zh) * | 2009-02-05 | 2013-01-23 | 上海天马微电子有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| CN102790067B (zh) * | 2012-07-26 | 2014-12-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种传感器及其制造方法 |
| CN102854643B (zh) * | 2012-09-04 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及其制造方法 |
| KR101987384B1 (ko) * | 2012-11-23 | 2019-06-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| CN103383946B (zh) * | 2013-07-12 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法 |
| CN103472646B (zh) * | 2013-08-30 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
| CN103489827B (zh) * | 2013-09-27 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板 |
| CN104064472B (zh) * | 2014-06-13 | 2017-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、显示装置 |
| JP6463065B2 (ja) * | 2014-10-09 | 2019-01-30 | 三菱電機株式会社 | アレイ基板およびこれを備える液晶表示パネルならびにアレイ基板の検査方法 |
| CN104570446B (zh) * | 2015-01-15 | 2017-06-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控显示面板及其控制方法 |
-
2016
- 2016-07-08 CN CN201610539705.XA patent/CN106200170A/zh active Pending
- 2016-08-03 US US15/310,098 patent/US9864247B1/en active Active
- 2016-08-03 JP JP2018565358A patent/JP6732965B2/ja active Active
- 2016-08-03 KR KR1020197003715A patent/KR20190025020A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-08-03 WO PCT/CN2016/093066 patent/WO2018006457A1/zh active Application Filing
- 2016-08-03 EP EP16907961.3A patent/EP3483649B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3483649A4 (en) | 2020-02-12 |
| EP3483649A1 (en) | 2019-05-15 |
| US20180011381A1 (en) | 2018-01-11 |
| WO2018006457A1 (zh) | 2018-01-11 |
| CN106200170A (zh) | 2016-12-07 |
| US9864247B1 (en) | 2018-01-09 |
| JP2019518245A (ja) | 2019-06-27 |
| KR20190025020A (ko) | 2019-03-08 |
| EP3483649B1 (en) | 2022-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105242467B (zh) | 显示器件及其制造方法 | |
| US6528357B2 (en) | Method of manufacturing array substrate | |
| CN104900633B (zh) | 一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置 | |
| US10121802B2 (en) | Array substrate and method for manufacturing the same and display device | |
| JP6521534B2 (ja) | 薄膜トランジスタとその作製方法、アレイ基板及び表示装置 | |
| US9477106B2 (en) | Array substrate of LCD display and a manufacturing method thereof | |
| JP6732965B2 (ja) | Ｔｆｔ液晶表示部品及びその製造方法 | |
| US9490271B2 (en) | Array substrate having jump wire connecting first and second wirings | |
| WO2015096442A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| JP2011070200A (ja) | アレイ基板及びその製造方法 | |
| WO2016177213A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
| KR20100005457A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 | |
| WO2014183420A1 (zh) | 一种阵列基板及其制作方法和显示面板 | |
| US10879278B2 (en) | Display substrate, manufacturing method therefor, and display device | |
| EP2863435A1 (en) | Array substrate, manufacturing method of same, and display device | |
| CN103972245A (zh) | 像素结构与其制造方法 | |
| JP6443873B2 (ja) | アレイ基板及びその製造方法 | |
| US9496063B2 (en) | Liquid crystal display and method of fabricating the same | |
| JP2014106437A (ja) | 液晶表示パネルおよびその製造方法 | |
| CN106575062A (zh) | 有源矩阵基板及其制造方法 | |
| CN105374827A (zh) | 显示设备和用于制造该显示设备的方法 | |
| CN106711156B (zh) | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法 | |
| CN206020894U (zh) | 阵列基板及显示装置 | |
| WO2016192447A1 (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| JP2013092613A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181213 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190925 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191002 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191223 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200414 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200612 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200623 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200708 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6732965 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |