JP6725178B2 - 高分解能電極アセンブリを使用するアブレーション装置、システムおよび方法 - Google Patents

高分解能電極アセンブリを使用するアブレーション装置、システムおよび方法 Download PDF

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Description

関連出願
本出願は、２０１４年１１月１９日に出願された米国仮特許出願第６２／０８１，７１０号明細書、２０１４年１２月１９日に出願された米国仮特許出願第６２／０９４，８９２号明細書、２０１５年３月１８日に出願された米国仮特許出願第６２／１３５，０４６号明細書、２０１５年３月１８日に出願された米国仮特許出願第６２／１３５，０２５号明細書、２０１５年８月２８日に出願された米国仮特許出願第６２／２１１，５３９号明細書および２０１５年３月２５日に出願された米国仮特許出願第６２／１３８，３３８号明細書に対する優先権を主張し、それらの各々の全内容が全体として参照により本明細書に組み込まれる。
種々の臨床疾患を治療するために、組織アブレーションを使用する場合がある。たとえば、組織アブレーションを用いて、本来、心筋に異常な電気信号を伝導するであろう異常経路を少なくとも部分的に破壊する（たとえば、少なくとも部分的にまたは完全に焼灼する、遮断する、阻止する、その伝導を終わらせる、影響を与える等）により、心臓不整脈を治療することができる。クライオアブレーション、マイクロ波アブレーション、高周波（ＲＦ）アブレーションおよび高周波超音波アブレーションを含む、いくつかのアブレーション技法が開発された。心臓用途の場合、こうした技法は、通常、臨床医によって行われ、臨床医は、静脈血管系を介して心内膜に焼灼チップを有するカテーテルを導入し、触覚フィードバック、マッピング心電図（ＥＣＧ）信号、解剖学的構造および／またはＸ線透視撮像に基づき、臨床医が心内膜の適切な領域であると考える場所に隣接して焼灼チップを位置決めし、選択された領域の表面を冷却するように灌注液の流れを作動させ、次いで、ある期間、選択された領域において組織を破壊するのに十分であると考えられる電力で焼灼チップを作動させる。
電気生理学処置の成功には、解剖学的基質に関する正確な知識が必要である。さらに、アブレーション処置は、その完了後の短期間内に評価される可能性がある。心臓アブレーションカテーテルは、通常、標準的なマッピング電極のみを支持する。心臓アブレーションカテーテルは、高分解能マッピング電極を組み込む場合がある。こうした高分解能マッピング電極は、解剖学的基質およびアブレーション処置の転帰に関するより正確かつより詳細な情報を提供する。高分解能マッピング電極により、電気生理学は、電位図の形態、それらの振幅および幅を精密に評価し、ペーシング閾値の変化を求めることができる可能性がある。形態、振幅およびペーシング閾値は、アブレーションの転帰に関する有用な情報を提供する、許容されかつ信頼性の高い電気生理学（ＥＰ）マーカである。
いくつかの実施形態によれば、心臓組織のアブレーションおよび高分解能の装置は、遠位端を備える細長い本体（たとえば、カテーテル、他の医療器具等）と、細長い本体の遠位端に沿って配置された電極アセンブリであって、第１電極部分と、第１電極部分に隣接して配置された第２電極部分であって、前記第１電極部分および前記第２電極部分は、対象者の組織と接触し、かつ組織を少なくとも部分的に焼灼するのに十分な高周波エネルギーを送達するように構成されている、少なくとも１つの第２電極部分と、第１電極部分と第２電極部分との間に配置された少なくとも１つの絶縁ギャップであって、第１電極部分と第２電極部分とを分離するギャップ幅を有する、少なくとも１つの絶縁ギャップと、少
なくとも１つの絶縁ギャップ内に配置された少なくとも１つのセパレータであって、第１電極部分の近位端および第２電極部分の遠位端と接触する少なくとも１つのセパレータとを備える、電極アセンブリとを備える。装置は、エネルギー送達モジュールを第１電極部分および第２電極部分のうちの少なくとも１つに電気的に結合するように構成された少なくとも１つの導体であって、エネルギー送達モジュールに電気的に結合され、第１電極部分および第２電極部分に提供されるエネルギーの周波数は高周波範囲内にある少なくとも１つの導体をさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、装置は、第１電極部分を第２電極部分に電気的に結合し、かつ第１電極部分および第２電極部分を介して焼灼エネルギーを送達するために使用される周波数で低インピーダンスを示すように構成されたフィルタリング素子をさらに備え、フィルタリング素子はコンデンサを含み、コンデンサは、５０〜３００ｎＦ（たとえば、１００ｎＦ、５０〜１００ｎＦ、１００〜１５０ｎＦ、１５０〜２００ｎＦ、２００〜２５０ｎＦ、２５０〜３００ｎＦ、上記範囲の間の値等）の静電容量を備え、細長い本体は少なくとも１つの灌注通路を備え、前記少なくとも１つの灌注通路は第１電極部分まで延在しており、第１電極部分は、少なくとも１つの灌注通路と流体連通する少なくとも１つの出口ポートを備え、ギャップ幅はおよそ０．２〜１．０ｍｍであり（たとえば、０．２ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．７〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１．０ｍｍ、上記範囲の間の値、０．２ｍｍより小さい、１ｍｍより大きい等）、約３オーム（Ω）より低い（たとえば、０〜１オーム、１〜２オーム、２〜３オーム、上記範囲の間の値等）直列インピーダンスが、動作ＲＦ周波数範囲で第１電極部分および第２電極部分にわたって導入され、動作ＲＦ周波数範囲は２００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ（たとえば、２００〜３００ｋＨｚ、３００〜４００ｋＨｚ、４００〜５００ｋＨｚ、５００〜６００ｋＨｚ、６００〜７００ｋＨｚ、７００〜８００ｋＨｚ、８００〜９００ｋＨｚ、９００〜１０００ｋＨｚ、最大１０ＭＨｚ、または上記値の範囲の間の高い方の周波数等）である。本明細書では、電極部分またはセクションは、電極と同義で使用する場合がある。
いくつかの実施形態によれば、装置は、電極アセンブリの遠位端に形成された別個の開口部内に配置され、電極アセンブリから断熱されている、第１の複数の温度測定デバイス（たとえば、熱電対、他の温度センサ等）と、電極アセンブリの近位端に関連して配置された別個の開口部内に配置され、電極アセンブリから断熱されている、第２の複数の温度測定デバイス（たとえば、熱電対、他の温度センサ等）とであって、第１の複数の温度測定デバイスおよび第２の複数の温度測定デバイスから求められる温度測定値により、治療されている組織に対する電極アセンブリの向きの判断が容易になる、第２の複数の温度測定デバイスと、熱吸収要素を電極アセンブリと熱連通させて、電極アセンブリが活性化されると、電極アセンブリおよび電極アセンブリにより治療されている組織のうちの少なくとも１つから熱を選択的に除去する少なくとも１つの熱シャント部材と、電極アセンブリにある範囲の周波数信号を送達するように構成された信号源を備える接触検知サブシステムと、処理デバイスであって、信号源により電極アセンブリに上記周波数の範囲内の異なる周波数が印可されている間にインピーダンス測定値を取得し、異なる周波数で取得されたインピーダンス測定値を処理し、およびインピーダンス測定値の前記処理に基づき、電極アセンブリが組織と接触しているか否かを判断するように構成された処理デバイスとをさらに備え、細長い本体は少なくとも１つの灌注通路を備え、前記少なくとも１つの灌注通路は第１電極部分まで延在している。
いくつかの実施形態によれば、装置は、電極アセンブリの遠位端に形成された別個の開口部内に配置された第１の複数の温度測定デバイス（たとえば、熱電対、他の温度センサ等）であって、電極アセンブリから断熱されている、第１の複数の温度測定デバイスと、電極アセンブリの近位端に関連して配置された別個の開口部内に配置された第２の複数の
温度測定デバイス（たとえば、熱電対、他の温度センサ等）であって、電極アセンブリから断熱されている、第２の複数の温度測定デバイスとをさらに備え、第１の複数の温度測定デバイスおよび第２の複数の温度測定デバイスから求められる温度測定値により、治療されている組織に対する電極アセンブリの向きの判断が容易になる。
いくつかの実施形態によれば、装置は、熱吸収要素を電極アセンブリと熱連通させて、電極アセンブリが活性化されると、電極アセンブリおよび電極アセンブリにより治療されている組織のうちの少なくとも１つから熱を選択的に除去する少なくとも１つの熱シャント部材をさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、装置は、電極アセンブリに、ある範囲の周波数信号を送達するように構成された信号源を備える接触検知サブシステムと、処理デバイスであって、信号源により電極アセンブリに上記周波数の範囲内の異なる周波数が印可されている間にインピーダンス測定値を取得し、異なる周波数で取得されたインピーダンス測定値を処理し、およびインピーダンス測定値の前記処理に基づき、電極アセンブリが組織と接触しているか否かを判断するように構成された処理デバイスとをさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、フィルタリング素子はコンデンサを含む。いくつかの実施形態では、コンデンサは、５０〜３００ｎＦ（たとえば、１００ｎＦ、５０〜１００ｎＦ、１００〜１５０ｎＦ、１５０〜２００ｎＦ、２００〜２５０ｎＦ、２５０〜３００ｎＦ、上記範囲の間の値等）の静電容量を備える。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの流体導管（たとえば、内部通路）と熱連通し、少なくとも１つの流体導管は、電極を流体源と流体連通させて、電極アセンブリおよび／または電極アセンブリに隣接して配置された対象者の組織から選択的に熱を除去するように構成されている。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材は、１．５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい熱拡散率を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は、ダイヤモンド（たとえば、工業用ダイヤモンド）を含む。
いくつかの実施形態によれば、第２の複数の温度測定デバイスは、細長い本体の遠位端の長手方向軸に対して実質的に垂直である平面に沿って配置され、かつ第１の複数の温度測定デバイスに対して近位側に間隔を空けて配置されている。いくつかの実施形態では、温度測定デバイスの各々は、熱電対、サーミスタ、および／あるいは他の任意のタイプの温度センサまたは温度測定デバイスもしくは構成要素を含む。いくつかの実施形態では、第１の複数の温度測定デバイスは少なくとも３つ（たとえば、３、４、５、６、７つ以上等）の温度センサを備え、第２の複数の温度測定デバイスは少なくとも３つ（たとえば、３、４、５、６、７つ以上等）の温度センサを備える。
いくつかの実施形態によれば、装置は、高分解能マッピングを容易にする手段をさらに備える。いくつかの実施形態では、第１電極部分と第２電極部分とを電気的に分離することにより、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングが容易になる。いくつかの実施形態では、装置は、少なくとも１つの絶縁ギャップ内に配置された少なくとも１つのセパレータをさらに備える。一実施形態では、少なくとも１つのセパレータは第１電極部分の近位端および第２電極部分の遠位端と接触する。
いくつかの実施形態によれば、装置は、エネルギー送達モジュールを第１電極および第２電極のうちの少なくとも１つに電気的に結合するように構成された少なくとも１つの導
体をさらに備える。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの導体はエネルギー送達モジュールに電気的に結合されている。
いくつかの実施形態によれば、第１電極および第２電極に提供されるエネルギーの周波数は高周波範囲内にある。いくつかの実施形態では、第１電極および第２電極にわたって導入される直流インピーダンスは、（ｉ）電極部分をエネルギー送達モジュールに電気的に結合する導体のインピーダンス、および（ｉｉ）治療されている組織のインピーダンスより低い。いくつかの実施形態では、ギャップ幅はおよそ０．２〜１．０ｍｍ（たとえば、０．５ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．７〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１．０ｍｍ、上記範囲の間の値、０．２ｍｍより小さい、１ｍｍより大きい等）である。いくつかの実施形態では、細長い本体（たとえば、カテーテル）は少なくとも１つの灌注通路を備え、前記少なくとも１つの灌注通路は第１電極まで延在している。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも第２電極は第２電極部分および第３電極部分を備え、第２電極部分は第１電極部分と第３電極部分との間に軸方向に配置され、絶縁ギャップは第２電極部分と第３電極部分とを分離する。いくつかの実施形態では、焼灼された組織表面に対するマッピングされた組織表面の比を増大させるように、第１電極部分と第２電極部分との間および第２電極部分と第３電極部分との間にギャップが含まれる。いくつかの実施形態では、比は０．２〜０．８（たとえば、０．２〜０．３、０．３〜０．４、０．４〜０．５、０．５〜０．６、０．６〜０．７、０．７〜０．８、上記範囲の間の比等）である。いくつかの実施形態では、装置は、第２電極部分と第３電極部分との間のギャップ内に配置されたセパレータをさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、組織をマッピングおよび焼灼する装置は、近位端および遠位端を備える細長い本体（たとえば、カテーテル、他の医療器具等）、細長い本体に配置された第１電極（または電極部分もしくはセクション）と、第１電極に隣接して配置された第２電極（または電極部分もしくはセクション）であって、第１電極および第２電極が対象者の組織と接触し、かつ組織を少なくとも部分的に焼灼するのに十分な高周波エネルギーを送達するように構成されている、少なくとも１つの第２電極と、第１電極（または電極部分もしくはセクション）と第２電極（または電極部分もしくはセクション）との間に配置された少なくとも１つの絶縁ギャップであって、第１電極（または電極部分もしくはセクション）と第２電極（または電極部分もしくはセクション）とを分離するギャップ幅を有する、少なくとも１つの絶縁ギャップと、第１電極（または電極部分もしくはセクション）を第２電極（または電極部分もしくはセクション）に電気的に結合し、かつ第１電極（または電極部分もしくはセクション）および第２電極（または電極部分もしくはセクション）を介して焼灼エネルギーを送達するために使用される周波数で低インピーダンスを示すように構成されたフィルタリング素子と、を備える。
いくつかの実施形態によれば、装置は、高分解能マッピングを容易にする手段をさらに備える。いくつかの実施形態では、第１電極と第２電極（または電極部分もしくはセクション）とを電気的に分離することにより、標的解剖学的領域（たとえば、心臓組織）に沿った高分解能マッピングが容易になる。いくつかの実施形態では、装置は、少なくとも１つの絶縁ギャップ内に配置された少なくとも１つのセパレータをさらに備える。一実施形態では、少なくとも１つのセパレータは第１電極（または電極部分もしくはセクション）の近位端および第２電極（または電極部分もしくはセクション）の遠位端と接触する。いくつかの実施形態では、装置は、エネルギー送達モジュールを第１電極（または電極部分もしくはセクション）および第２電極（または電極部分もしくはセクション）のうちの少なくとも１つに電気的に結合するように構成された少なくとも１つの導体をさらに備える。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの導体はエネルギー送達モジュールに電気的
に結合されている。
いくつかの実施形態によれば、第１電極および第２電極に提供されるエネルギーの周波数は高周波範囲内にある。いくつかの実施形態では、フィルタリング素子はコンデンサを含む。いくつかの実施形態では、コンデンサが５０〜３００ｎＦ（たとえば、１００ｎＦ、５０〜１００ｎＦ、１００〜１５０ｎＦ、１５０〜２００ｎＦ、２００〜２５０ｎＦ、２５０〜３００ｎＦ、上記範囲の間の値等）の静電容量を備える。いくつかの実施形態では、コンデンサは１００ｎＦの静電容量を備える。いくつかの実施形態では、約３オーム（Ω）より低い（たとえば、０〜１オーム、１〜２オーム、２〜３オーム、上記範囲の間の値等）直列インピーダンスが、動作ＲＦ周波数範囲で第１電極および第２電極にわたって導入される。いくつかの実施形態では、動作ＲＦ周波数範囲は２００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ（たとえば、２００〜３００ｋＨｚ、３００〜４００ｋＨｚ、４００〜５００ｋＨｚ、５００〜６００ｋＨｚ、６００〜７００ｋＨｚ、７００〜８００ｋＨｚ、８００〜９００ｋＨｚ、９００〜１０００ｋＨｚ、最大１０ＭＨｚ、または上記値の範囲の間の高い方の周波数等）である。
いくつかの実施形態によれば、第１電極および第２電極にわたって導入される直流インピーダンスは、（ｉ）電極をエネルギー送達モジュールに電気的に結合する導体のインピーダンス、および（ｉｉ）治療されている組織のインピーダンスより低い。いくつかの実施形態では、ギャップ幅は、およそ０．２〜１．０ｍｍ（たとえば、０．２ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．７〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１．０ｍｍ、上記範囲の間の値、０．２ｍｍより小さい、１ｍｍより大きい等）である。いくつかの実施形態では、ギャップ幅は０．５ｍｍである。
いくつかの実施形態によれば、細長い本体は少なくとも１つの灌注通路を備え、少なくとも１つの灌注通路は第１電極まで延在している。いくつかの実施形態では、第１電極（または電極部分もしくはセクション）は、少なくとも１つの灌注通路と流体連通している少なくとも１つの出口ポートを備える。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも第２電極（または電極部分もしくはセクション）は第２電極（または電極部分もしくはセクション）および第３電極（または電極部分もしくはセクション）を備え、第２電極（または電極部分もしくはセクション）は第１電極（または電極部分もしくはセクション）と第３電極（または電極部分もしくはセクション）との間に軸方向に配置され、絶縁ギャップは第２電極（または電極部分もしくはセクション）と第３電極（または電極部分もしくはセクション）とを分離する。いくつかの実施形態では、焼灼された組織表面に対するマッピングされた組織表面の比を増大させるように、第１電極（または電極部分もしくはセクション）と第２電極（または電極部分もしくはセクション）との間および第２電極（または電極部分もしくはセクション）と第３電極（または電極部分もしくはセクション）との間にギャップが含まれる。いくつかの実施形態では、比は、０．２〜０．８（たとえば、０．２〜０．３、０．３〜０．４、０．４〜０．５、０．５〜０．６、０．６〜０．７、０．７〜０．８、上記範囲の間の比等）である。いくつかの実施形態では、装置は、第２電極（または電極部分もしくはセクション）と第３電極（または電極部分もしくはセクション）との間のギャップ内に配置されたセパレータをさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション装置は、カテーテルの遠位端に配置された第１電極（または電極部分もしくはセクション）と、第１電極（または電極部分もしくはセクション）の近位側の位置に配置された第２電極（または電極部分もしくはセクション）であって、第１電極及び第２電極が対象者の組織（たとえば、心臓組織、他の標的解
剖学的組織等）と接触し、かつ組織を少なくとも部分的に焼灼するのに十分なエネルギーを送達するように構成されている、少なくとも１つの第２電極と、第１電極（または電極部分もしくはセクション）と第２電極（または電極部分もしくはセクション）との間に配置された絶縁ギャップであって、第１電極（または電極部分もしくはセクション）と第２電極（または電極部分もしくはセクション）とを分離するギャップ幅を備える、絶縁ギャップと、第１電極（または電極部分もしくはセクション）を第２電極（または電極部分もしくはセクション）に電気的に結合するフィルタリング素子と、を備える。
いくつかの実施形態によれば、第１電極（または電極部分もしくはセクション）と第２電極（または電極部分もしくはセクション）とを電気的に分離することにより、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングが容易になる。いくつかの実施形態では、装置は、少なくとも１つの絶縁ギャップ内に配置された少なくとも１つのセパレータをさらに備える。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのセパレータは第１電極（または電極部分もしくはセクション）の近位端および第２電極（または電極部分もしくはセクション）の遠位端と接触する。
いくつかの実施形態によれば、装置は、第１電極（または電極部分もしくはセクション）および第２電極（または電極部分もしくはセクション）のうちの少なくとも１つに通電するように構成された少なくとも１つの導体をさらに備える。一実施形態では、少なくとも１つの導体はエネルギー送達モジュール（たとえば、ＦＲ発生器）に電気的に結合されている。
いくつかの実施形態によれば、装置は、電気生理学レコーダに接続するための手段をさらに備える。いくつかの実施形態では、装置は、電気生理学レコーダに接続するように構成されている。
いくつかの実施形態によれば、第１電極および第２電極に提供されるエネルギーの周波数は高周波（ＲＦ）範囲内にある。いくつかの実施形態では、動作ＲＦ周波数範囲は２００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ（たとえば、２００〜３００ｋＨｚ、３００〜４００ｋＨｚ、４００〜５００ｋＨｚ、５００〜６００ｋＨｚ、６００〜７００ｋＨｚ、７００〜８００ｋＨｚ、８００〜９００ｋＨｚ、９００〜１０００ｋＨｚ、最大１０ＭＨｚ、または上記範囲の間の高い方の周波数等）である。いくつかの実施形態では、フィルタリング素子はコンデンサを含む。いくつかの実施形態では、コンデンサは５０〜３００ｎＦ（たとえば、１００ｎＦ、５０〜１００ｎＦ、１００〜１５０ｎＦ、１５０〜２００ｎＦ、２００〜２５０ｎＦ、２５０〜３００ｎＦ、上記範囲の間の値等）の静電容量を備える。いくつかの実施形態では、３オーム（Ω）より低い（たとえば、０〜１オーム、１〜２オーム、２〜３オーム、上記範囲の間の値等）直列インピーダンスが、５００ｋＨｚで第１電極（または電極部分もしくはセクション）および第２電極（または電極部分もしくはセクション）にわたって導入される。
いくつかの実施形態によれば、第１電極および第２電極にわたって導入される直流インピーダンスは、（ｉ）電極をエネルギー送達モジュールに電気的に結合する導体のインピーダンス、および（ｉｉ）治療されている組織のインピーダンスより低い。いくつかの実施形態では、ギャップ幅はおよそ０．２〜１．０ｍｍ（たとえば、０．２ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．７〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１．０ｍｍ、上記範囲の間の値、０．２ｍｍより小さい、１ｍｍより大きい等）である。一実施形態では、ギャップ幅は０．５ｍｍである。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも第２電極（または電極部分もしくはセクショ
ン）は第２電極（または電極部分もしくはセクション）および第３電極（または電極部分もしくはセクション）を備え、第２電極（または電極部分もしくはセクション）は第１電極（または電極部分もしくはセクション）と第３電極（または電極部分もしくはセクション）との間に軸方向に配置され、絶縁ギャップは第２電極（または電極部分もしくはセクション）と第３電極（または電極部分もしくはセクション）とを分離する。いくつかの実施形態では、セパレータが第２電極（または電極部分もしくはセクション）と第３電極（または電極部分もしくはセクション）との間のギャップ内に配置されている。いくつかの実施形態では、焼灼された組織表面に対するマッピングされた組織表面の比を増大させるように、第１電極（または電極部分もしくはセクション）と第２電極（または電極部分もしくはセクション）との間および第２電極（または電極部分もしくはセクション）と第３電極（または電極部分もしくはセクション）との間にギャップが含まれる。いくつかの実施形態では、比は、０．２〜０．８（たとえば、０．２〜０．３、０．３〜０．４、０．４〜０．５、０．５〜０．６、０．６〜０．７、０．７〜０．８、上記範囲の間の比等）である。
いくつかの実施形態によれば、システムは、電気生理学レコーダに接続するための手段をさらに備える。いくつかの実施形態では、システムは、電気生理学レコーダに接続するように構成されている。いくつかの実施形態では、システムは、アブレーション装置と、（ｉ）装置に選択的に通電する発生器および（ｉｉ）電気生理学レコーダのうちの少なくとも１つとを備える。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション装置にエネルギーを送達する方法は、カテーテル（または他の医療器具）に配置されたスプリットチップまたはスプリットセクション電極に通電するステップであって、スプリットチップまたはスプリットセクション電極が第１電極（または電極部分もしくはセクション）および第２電極（または電極部分もしくはセクション）を備え、第１電極および第２電極が、対象者の組織と接触し、かつ少なくとも部分的に組織を焼灼するのに十分なエネルギーを送達するように構成されている、ステップを含み、第１電極と第２電極との間に絶縁ギャップが配置され、絶縁ギャップは、第１電極と第２電極とを分離するギャップ幅を備え、フィルタリング要素が第１電極を第２電極に電気的に結合し、第１電極と第２電極とを電気的に分離することにより、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングが容易になる。
いくつかの実施形態によれば、本方法は、第１電極（または電極部分もしくはセクション）および第２電極（または電極部分もしくはセクション）から高分解能マッピングデータを受け取るステップをさらに含み、高分解能マッピングデータは、第１電極（または電極部分もしくはセクション）および第２電極（または電極部分もしくはセクション）に隣接する対象者の組織に関する。いくつかの実施形態では、高分解能マッピングデータを受け取るステップが、カテーテルに配置されたスプリットチップ電極に通電する前、通電する間または通電した後に発生する。
いくつかの実施形態によれば、対象者の組織をマッピングする方法は、スプリットチップまたはスプリットセクション電極を用いて高分解能マッピングデータを受け取るステップであって、前記スプリットチップまたはスプリットセクション電極が、カテーテルに配置されたスプリットセクション電極を位置決めする第１電極および第２電極を備え、スプリットチップまたはスプリットセクション電極が、絶縁ギャップにより分離された第１電極および第２電極を備える、ステップを含み、フィルタリング要素が動作ＲＦ範囲で第１電極を第２電極に電気的に結合し、第１電極と第２電極とを絶縁することにより、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングが容易になる。
いくつかの実施形態によれば、本方法は、対象者の組織を少なくとも部分的に焼灼する
のに十分なエネルギーを送達するように、第１電極および第２電極のうちの少なくとも１つに通電するステップをさらに含む。いくつかの実施形態では、高分解能マッピングデータは、第１電極および第２電極に隣接する対象者の組織に関する。いくつかの実施形態では、高分解能マッピングデータを受け取るステップは、カテーテルに配置されたスプリットチップまたはスプリットセクション電極に通電する前、通電する間または通電した後に発生する。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの絶縁ギャップ内にセパレータが配置される。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのセパレータは第１電極の近位端および第２電極の遠位端と接触する。いくつかの実施形態では、第１電極および第２電極は、エネルギー送達モジュールに電気的に結合された少なくとも１つの導体を用いて選択的に通電される。いくつかの実施形態では、マッピングデータは電気生理学レコーダに提供される。
いくつかの実施形態によれば、第１電極および第２電極に提供されるエネルギーの周波数は高周波（ＲＦ）範囲内にある。いくつかの実施形態では、フィルタリング素子はコンデンサを含む。
いくつかの実施形態によれば、第１電極および第２電極に提供されるエネルギーの周波数は高周波（ＲＦ）範囲内にある。いくつかの実施形態では、動作ＲＦ周波数範囲は、２００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ（たとえば、２００〜３００ｋＨｚ、３００〜４００ｋＨｚ、４００〜５００ｋＨｚ、５００〜６００ｋＨｚ、６００〜７００ｋＨｚ、７００〜８００ｋＨｚ、８００〜９００ｋＨｚ、９００〜１０００ｋＨｚ、最大１０ＭＨｚ、または上記値の範囲の間の高い方の周波数等）である。いくつかの実施形態では、フィルタリング要素はコンデンサを含む。いくつかの実施形態では、コンデンサは５０〜３００ｎＦ（たとえば、１００ｎＦ、５０〜１００ｎＦ、１００〜１５０ｎＦ、１５０〜２００ｎＦ、２００〜２５０ｎＦ、２５０〜３００ｎＦ、上記範囲の間の値等）の静電容量を備える。いくつかの実施形態では、３オーム（Ω）より低い（たとえば、０〜１オーム、１〜２オーム、２〜３オーム、上記範囲の間の値等）直列インピーダンスが、５００ｋＨｚで第１電極（または電極部分もしくはセクション）および第２電極（または電極部分もしくはセクション）にわたって導入される。
いくつかの実施形態によれば、第１電極および第２電極にわたって導入される直流インピーダンスは、（ｉ）電極をエネルギー送達モジュールに電気的に結合する導体のインピーダンス、および（ｉｉ）治療されている組織のインピーダンスより低い。いくつかの実施形態は、ギャップ幅はおよそ０．２〜１．０ｍｍ（たとえば、０．２ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．７〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１．０ｍｍ、上記範囲の間の値、０．２ｍｍより小さい、１ｍｍより大きい等）である。一実施形態では、ギャップ幅は０．５ｍｍである。
いくつかの実施形態によれば、心臓組織のアブレーションおよび高分解能マッピング用のキットは、高分解能マッピング用の装置を備え、装置は、標的組織に焼灼エネルギーを提供するようにさらに構成され、近位端および遠位端を備える細長い本体（たとえば、カテーテル、他の医療器具等）であって、電極アセンブリを備え、電極アセンブリが第１高分解能部分および第２高分解能部分を備え、第１高分解能電極部分が細長い本体に配置され、第２電極部分が第１電極部分に隣接して配置され、第１電極部分および第２電極部分が対象者の組織と接触するように構成されている、細長い本体と、第１電極部分と第２電極部分との間に配置された少なくとも１つの絶縁ギャップであって、第１電極部分と第２電極部分とを分離するギャップ幅を備える、少なくとも１つの絶縁ギャップとを備え、第
１電極部分は、フィルタリング素子を用いて第２電極部分に電気的に結合するように構成され、フィルタリング素子は、第１電極部分および第２電極部分を介して焼灼エネルギーを送達するために使用される周波数で低インピーダンスを示すように構成され、装置は、焼灼エネルギーが第１電極部分および第２電極部分に送達されないときに、前記組織に関連する高分解能マッピングデータを取得するように、対象者の標的組織内に配置されるように構成されている。キットは、電極アセンブリに送達するエネルギーを生成するように構成されたエネルギー送達モジュールと、エネルギー送達モジュールから電極アセンブリへのエネルギーの送達を調節するように構成されたプロセッサとをさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、心臓組織のアブレーションおよび高分解能マッピング用のキットは、アブレーション装置と、電極アセンブリに送達するエネルギーを生成するように構成されたエネルギー送達モジュール（たとえば、発生器）と、エネルギー送達モジュールから電極アセンブリへのエネルギーの送達を調節するように構成されたプロセッサとを備える。いくつかの実施形態では、エネルギー送達モジュールはＲＦ発生器を含む。いくつかの実施形態では、エネルギー送達モジュールは装置に結合するように構成されている。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション装置にエネルギーを選択的に送達する発生器は、アブレーション装置に送達する焼灼エネルギーを生成するように構成されたエネルギー送達モジュールと、エネルギー送達モジュールからアブレーション装置へのエネルギーの送達を調節するように構成されたプロセッサとを備える。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション装置は、遠位端を備える細長い本体（たとえば、カテーテル、他の医療器具等）と、細長い本体の遠位端に配置された電極と、熱吸収要素を電極と熱連通させて、電極が活性化されると、電極および電極により治療されている組織のうちの少なくとも１つから選択的に熱を除去する少なくとも１つの熱シャント部材とを備え、少なくとも１つの熱シャント部材は少なくとも部分的に電極の内部を通って延在して、使用中に電極から熱を放散させかつ除去する。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの流体導管と熱連通し、少なくとも１つの流体導管は、電極を流体源と流体連通させて、電極および／または電極に隣接して配置された対象者の組織から選択的に熱を除去するように構成されている。いくつかの実施形態では、流体導管または通路は少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在している。いくつかの実施形態では、流体導管または通路は少なくとも部分的に少なくとも１つの熱シャント部材を通って延在している。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は少なくとも部分的に熱的対流流体と熱連通している。
いくつかの実施形態では、熱的対流流体の流量は、アブレーション処置中に電極に沿って所望の温度を維持するために１５ｍｌ／ｍｉｎより小さい。いくつかの実施形態では、熱的対流流体の流量は、アブレーション処置中に電極に沿って所望の温度を維持するためにおよそ１０ｍｌ／ｍｉｎより小さい。いくつかの実施形態では、熱的対流流体の流量は、アブレーション処置中に電極に沿って所望の温度を維持するためにおよそ５ｍｌ／ｍｉｎより小さい。いくつかの実施形態では、アブレーション処置中の電極に沿った所望の温度は６０℃である。いくつかの実施形態では、熱的対流流体は血液および／または別の体液を含む。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの熱シャント部材と直接熱連通している。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの熱シャント部材と直接熱連通していない。いくつかの実施形態では、少な
くとも１つの流体導管は少なくとも１つの開口部を備え、少なくとも１つの開口部は、少なくとも１つの流体導管を通過する灌注流体を少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部と直接物理的に接触させる。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの開口部は少なくとも１つの導管の穿孔部分に沿って配置され、少なくとも１つの導管の穿孔部分は電極の遠位側に配置されている。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管は、細長い本体の遠位端に沿って配置された出口ポートとのみ流体連通している。いくつかの構成では、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの熱シャント部材と直接接触する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの熱シャント部材と接触しない。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材は１．５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい熱拡散率を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材はダイヤモンド（たとえば、工業用ダイヤモンド）を含む。他の実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は炭素系材料（たとえば、グラフェン、シリカ等）を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の温度は、アブレーション処置中に電極に沿って所望の温度を維持しながら６０〜６２℃を超えない。いくつかの実施形態では、アブレーション処置中の電極に沿った所望の温度は６０℃である。
いくつかの実施形態によれば、電極は高周波（ＲＦ）電極を含む。いくつかの実施形態では、電極はスプリットチップ電極を含む。いくつかの構成では、スプリットチップ電極は第１電極部分と少なくとも第２電極部分とを備え、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングを容易にするように、第１電極部分と少なくとも第２電極部分との間に絶縁ギャップが配置されている。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部は、電極の近位端に隣接するカテーテルの外側まで延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部は、電極の遠位端に隣接するカテーテルの外側まで延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部は電極の近位端に対して近位側に延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材はディスクまたは他の円筒状部材を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は、基礎部材から外向きに延在する少なくとも１つの拡張部材を備える。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの流体送達導管と少なくとも１つの流体戻り導管とを備え、流体は、少なくとも部分的に、少なくとも１つの流体送達導管および少なくとも１つの流体戻り導管を介して細長い本体の内部を通って循環し、少なくとも１つの流体導管は閉ループまたは非開放冷却システムの一部である。いくつかの実施形態では、細長い本体は細長い本体の遠位端に沿って冷却チャンバを備え、冷却チャンバは少なくとも１つの流体導管と流体連通するように構成されている。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管は金属材料および／または合金等を含む。いくつかの実施形態では、細長い本体は流体導管を備えていない。いくつかの実施形態では、細長い本体の遠位端の内部は、略電極の位置に沿って内部部材を備える。いくつかの実施形態では、内部部材は、電極によって生成される熱を放散させかつ／または伝達するように構成された少なくとも１つの熱伝導性材料を含む。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション装置は、遠位端を含む細長い本体（たとえば、カテーテル、他の医療器具等）と、細長い本体の遠位端に配置されたアブレーション部材と、熱分流要素を電極と熱連通させて、電極が活性化されると、電極および／または電極により治療されている組織の少なくとも一部から選択的に熱を除去する少なくとも１つの熱シャント部材であって、少なくとも１つの熱シャント部材の熱分流要素が少なく
とも部分的にアブレーション部材の内部を通って延在して、使用中にアブレーション部材によって生成される熱を除去しかつ放散させるのに役立つ、少なくとも１つの熱シャント部材とを備える。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの流体導管または通路と熱連通し、少なくとも１つの流体導管または通路は、アブレーション部材を流体源と流体連通させて、アブレーション部材および／またはアブレーション部材に隣接して配置された対象者の組織から選択的に熱を除去するように構成されている。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの流体導管または通路を備える。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する流体導管または通路を備えていない。いくつかの実施形態では、細長い本体の遠位端の内部は、略アブレーション部材の位置に沿って内部部材を備える。幾つかの構成では、内部部材は、アブレーション部材によって生成される熱を放散させかつ／または伝達するように構成された少なくとも１つの熱伝導性材料を含む。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション部材は高周波（ＲＦ）電極を含む。いくつかの実施形態では、アブレーション部材はマイクロ波エミッタ、超音波変換器およびクライオアブレーション部材のうちの１つを含む。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材は１．５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい（たとえば、１．５ｃｍ２／ｓｅｃまたは５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい）（たとえば、１．５〜２ｃｍ２／ｓｅｃ、２〜２．５ｃｍ２／ｓｅｃ、２．５〜３ｃｍ２／ｓｅｃ、３〜４ｃｍ２／ｓｅｃ、４〜５ｃｍ２／ｓｅｃ、５〜６ｃｍ２／ｓｅｃ、６〜７ｃｍ２／ｓｅｃ、７〜８ｃｍ２／ｓｅｃ、８〜９ｃｍ２／ｓｅｃ、９〜１０ｃｍ２／ｓｅｃ、１０〜１１ｃｍ２／ｓｅｃ、１１〜１２ｃｍ２／ｓｅｃ、１２〜１３ｃｍ２／ｓｅｃ、１３〜１４ｃｍ２／ｓｅｃ、１４〜１５ｃｍ２／ｓｅｃ、１５〜２０ｃｍ２／ｓｅｃ、上記範囲の間の値、２０ｃｍ２／ｓｅｃより大きい等）熱拡散率を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい熱拡散率を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材がダイヤモンド（たとえば、工業用ダイヤモンド）を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材が炭素系材料（たとえば、グラフェン、シリカ等）を含む。いくつかの実施形態では、高周波（ＲＦ）電極はスプリットチップＲＦ電極または他の高分解能電極を含む。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの流体導管または通路は少なくとも１つの熱シャント部材と直接熱連通している。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの熱シャント部材と直接熱連通していない。いくつかの構成では、少なくとも１つの流体導管または通路は少なくとも１つの熱シャント部材と直接接触する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管または通路は少なくとも１つの熱シャント部材と接触しない。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管または通路は少なくとも１つの開口部を備え、少なくとも１つの開口部は、少なくとも１つの流体導管または通路を通過する灌注流体を少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部と直接物理的に接触させる。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの開口部は少なくとも１つの導管または通路の穿孔部分に沿って配置され、少なくとも１つの導管または通路の穿孔部分は電極の遠位側に配置されている。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部は、アブレーション部材の近位端に隣接するカテーテルの外側まで延在する。いくつかの実施
形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部は、アブレーション部材の遠位端に隣接するカテーテルの外側まで延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部はアブレーション部材の近位端に対して近位側に延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材はディスクまたは他の円筒状部材を含む。いくつかの構成では、少なくとも１つの熱シャント部材は、基礎部材から外向きに延在する少なくとも１つの拡張部材を備える。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの拡張部材はフィン、ピンまたは羽根のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管または通路は金属材料を含む。
いくつかの実施形態によれば、組織治療処置中にアブレーション部材から熱を除去する方法は、アブレーションシステムを作動させるステップであって、システムが、遠位端を備える細長い本体（たとえば、カテーテル、他の医療器具等）、細長い本体の遠位端に配置されたアブレーション部材を備え、アブレーションシステムの細長い本体が、その遠位端に沿って少なくとも１つの熱シャント部材を備え、少なくとも１つの熱シャント部材が少なくとも部分的にアブレーション部材の内部を通って延在する、ステップと、細長い本体の遠位端に沿った局所的なホットスポットの可能性を低減させるように、少なくとも１つの熱シャント部材を介して、細長い本体の遠位端に沿ってアブレーション部材によって生成される熱を少なくとも部分的に除去するステップとを含む。
いくつかの実施形態によれば、細長い本体は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの流体導管または通路をさらに備え、本方法は、少なくとも１つの流体導管または通路を通して流体を送達するステップをさらに含み、少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも１つの流体導管または通路をアブレーション部材の近位部分と熱連通させて、電極が活性化されるとアブレーション部材の近位部分から選択的に熱を除去し、少なくとも１つの流体導管または通路は、アブレーション部材を流体源と流体連通させて、アブレーション部材および／またはアブレーション部材に隣接して配置された対象者の組織から選択的に熱を除去するように構成されている。
いくつかの実施形態によれば、細長い本体は対象者の体内腔を通って対象者の標的解剖学的位置まで前進される。いくつかの実施形態では、対象者の体内腔は血管、気道の気管もしくは別の管腔、消化管の管腔、尿管、または別の体内腔を含む。いくつかの実施形態では、アブレーション部材は高周波（ＲＦ）電極を含む。いくつかの構成では、アブレーション部材はマイクロ波エミッタ、超音波変換器およびクライオアブレーション部材のうちの１つを含む。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材は１．５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい（たとえば、１．５ｃｍ２／ｓｅｃまたは５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい）（たとえば、１．５〜２ｃｍ２／ｓｅｃ、２〜２．５ｃｍ２／ｓｅｃ、２．５〜３ｃｍ２／ｓｅｃ、３〜４ｃｍ２／ｓｅｃ、４〜５ｃｍ２／ｓｅｃ、５〜６ｃｍ２／ｓｅｃ、６〜７ｃｍ２／ｓｅｃ、７〜８ｃｍ２／ｓｅｃ、８〜９ｃｍ２／ｓｅｃ、９〜１０ｃｍ２／ｓｅｃ、１０〜１１ｃｍ２／ｓｅｃ、１１〜１２ｃｍ２／ｓｅｃ、１２〜１３ｃｍ２／ｓｅｃ、１３〜１４ｃｍ２／ｓｅｃ、１４〜１５ｃｍ２／ｓｅｃ、１５〜２０ｃｍ２／ｓｅｃ、上記範囲の間の値、２０ｃｍ２／ｓｅｃより大きい等）熱拡散率を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい熱拡散率を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材はダイヤモンド（たとえば、工業用ダイヤモンド）を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は炭素系材料（たとえば、グラフェン、シリカ等）を含む。いくつかの実施形態では、高周波（ＲＦ）電極はスプリットチップＲＦ電極または他の高分解能電極を含む。いくつかの実施形態では、本方法は、アブレーション部材に隣接する対象者の標的解剖学的位置の少なくとも１つの高解像度画像を取得するステップをさらに含む。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの流体導管または通路は少なくとも１つの熱シャント部材と直接熱連通している。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの灌注導管は少なくとも１つの熱シャント部材と直接熱連通していない。いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの流体導管または通路は少なくとも１つの熱シャント部材と直接接触する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管または通路は少なくとも１つの熱シャント部材と接触しない。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管または通路を通して流体を送達するステップは、開放灌注システムにおいてカテーテルの遠位端までかつそれを通して流体を送達するステップを含む。いくつかの構成では、少なくとも１つの流体導管または通路を通して流体を送達するステップは、閉鎖流体冷却システムにおいてアブレーション部材に隣接するカテーテルの遠位端を通して流体を循環させるステップを含む。
いくつかの実施形態によれば、アブレーションシステムの細長い本体がいかなる流体導管または通路も備えていない。一実施形態では、細長い本体は内部部材を備える。いくつかの実施形態では、内部部材は、使用中にアブレーション部材によって生成される熱を放散させかつ分散させるのに役立つように少なくとも１つの熱シャント部材と熱連通する熱伝導性材料を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部は、アブレーション部材の近位端に隣接するカテーテルの外側まで延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部はアブレーション部材の近位端に対して近位側に延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部はアブレーション部材の近位端に対して遠位側に延在し、それにより、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部がアブレーション部材の長さに沿って配置されている。いくつかの構成では、少なくとも１つの熱シャント部材はディスクまたは他の円筒状部材を含む。いくつかの構成では、少なくとも１つの熱シャント部材は、基礎部材から外向きに延在する少なくとも１つの拡張部材を備える。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの拡張部材はフィン、ピンまたは羽根等のうちの少なくとも１つを含む。
いくつかの実施形態によれば、システムは、電気生理学レコーダに接続するための手段を備える。いくつかの実施形態では、システムは、電気生理学レコーダに接続するように構成されている。いくつかの実施形態では、システムは、（ｉ）装置に選択的に通電する発生器および（ｉｉ）電気生理学レコーダのうちの少なくとも１つをさらに備える。いくつかの実施形態では、システムは、（ｉ）装置に選択的に通電する発生器および（ｉｉ）電気生理学レコーダの両方をさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、対象者の標的組織にエネルギーを送達するシステムは、高分解能電極（たとえば、スプリットチップ電極）を有するカテーテルを含む。スプリットチップ電極は、絶縁ギャップによって分離される２つ以上の電極または電極部分を含むことができる。フィルタリング素子が、第１電極または電極部分および第２電極または電極部分、または（たとえば、円周方向配置または半径方向配置における）任意の隣接する電極セクションを電気的に結合することができ、第１電極または電極部分および第２電極および電極部分を介して焼灼エネルギーを送達するために使用される周波数で低インピーダンスを示すようにフィルタリング素子を構成することができる。いくつかの実施形態では、第１電極と第２電極とを、または（たとえば、円周方向配置または半径方向配置における）電極部分を電気的に分離することにより、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングが容易になる。カテーテルは、電極から断熱され、かつある深さで組織温度を検出するように構成された複数の温度センサ（たとえば、熱電対）をさらに含むことができる。カテーテルはまた、電極および／または治療されている組織から離れるように熱を伝達する１つもしくは複数の熱シャント部材および／または構成要素も含むことができる。い
くつかの実施形態では、こうした熱シャント部材および／または構成要素は、ダイヤモンド（たとえば、工業用ダイヤモンド）および／または好ましい熱拡散率特徴を有する他の材料を含む。さらに、電極と標的組織との間で接触が達成されたか否かおよびどの程度達成されたかを検出するようにシステムを構成することができる。
いくつかの実施形態によれば、エネルギー送達装置（たとえば、アブレーション装置）は、近位端および遠位端を備える細長い本体（たとえば、カテーテル）と、細長い本体の遠位端に配置された第１電極（たとえば、高周波電極）と、第１電極の近位側の位置に配置された１つまたは複数の第２電極（たとえば、高周波電極）とを備え、第１電極および第２電極は、対象者の組織と接触し、かつ組織を少なくとも部分的に焼灼するのに十分な高周波エネルギーを送達するように構成されている。代替実施形態では、電極は、カテーテルの周囲に円周方向に（たとえば、ギャップによって分離されるカテーテルシャフトの円周にわたって分散配置された４つの四分円セクションに沿って）分散配置または配置される。他の実施形態では、カテーテルは、追加の支持構造を有することができ、支持構造の上に分散配置された複数の電極を採用することができる。装置は、第１電極と第２電極との間、または円周方向電極のセクション間に配置された少なくとも１つの絶縁ギャップであって、第１電極と第２電極とを分離するギャップ幅を有する絶縁ギャップと、第１電極を第２電極に、または（たとえば、円周方向配置または半径方向配置における）任意の隣接する電極セクションを電気的に結合し、かつ第１電極および第２電極を介して焼灼エネルギーを送達するために使用される周波数で低インピーダンスを示すように構成されたバンドパスフィルタリング素子とをさらに備える。いくつかの実施形態では、第１電極および第２電極または（たとえば、円周方向配置または半径方向配置における）電極セクションを電気的に分離することにより、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングが容易になる。いくつかの実施形態では、マッピングされた組織の面積に対するアブレーションされた組織の面積の比が改善される（たとえば、最適化される）。
本出願において開示するいくつかの実施形態は、以下の利点のうちの１つ、複数またはすべてを含むため、特に有利である。すなわち、対象者の解剖学的組織にエネルギー（たとえば、焼灼または他のタイプのエネルギー）を送達するように構成され、かつ高分解能マッピングに対して構成されたシステム、対象者の解剖学的組織にエネルギーを送達するように構成され、かつその高分解能マッピング能力および機能を用いて結果としての治療処置の有効性を検出するように構成されたシステム、対象者の標的解剖学的組織にエネルギーをより均一に提供するように単体チップまたはセクションとして通電されるように構成されたスプリットチップまたはスプリットセクション設計等である。
いくつかの実施形態によれば、装置は、少なくとも１つの絶縁ギャップ内に配置されたセパレータをさらに備える。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのセパレータは、第１電極の近位端および第２電極の遠位端と接触する。いくつかの実施形態では、セパレータは、少なくとも部分的に、１つの電極セクションの側と隣接する電極セクションの対向する側と接触する。一実施形態では、第１電極および第２電極とセパレータとは円筒状である。一実施形態では、電極およびセパレータの外径は等しい。いくつかの実施形態では、第１電極および第２電極は、カテーテルシャフトに円周方向に分散配置される四分円または他のセクションを含む。いくつかの実施形態では、第１電極および第２電極は、カテーテルシャフトに分散配置されるのに好適とし、かつ狭い非導電性ギャップによって分離されるようにもする他の形状を備える。いくつかの実施形態では、装置は、第１電極および第２電極の少なくとも１つにエネルギー送達モジュール（たとえば、ＲＦ発生器または他の発生器）を電気的に結合するように構成された少なくとも１つの導体（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）をさらに備える。いくつかの実施形態では、デバイスは、前記電極によってピックアップされる信号（たとえば、心臓信号）を電気生理学（ＥＰ）レコーダに分配する、第１電極および第２の電極の各々に結合された１つまたは複数のさらなる導
体をさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、装置は、電気生理学レコーダをさらに含む。いくつかの実施形態では、第１電極および第２電極に提供されるエネルギーの周波数は、動作高周波（ＲＦ）範囲（たとえば、およそ３００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ）である。
いくつかの実施形態によれば、バンドパスフィルタリング素子はコンデンサを含む。いくつかの実施形態では、コンデンサは、たとえば、焼灼エネルギーを送達するために使用される動作周波数に応じて、５０〜３００ｎＦ（たとえば、１００ｎＦ、５０〜１００ｎＦ、１００〜１５０ｎＦ、１５０〜２００ｎＦ、２００〜２５０ｎＦ、２５０〜３００ｎＦ、上記範囲の間の値等）の静電容量を備える。いくつかの実施形態では、約３オーム（Ω）または約３オームより低い（たとえば、０〜１オーム、１〜２オーム、２〜３オーム、上記範囲の間の値等）の直列インピーダンスが、動作ＲＦ周波数範囲（たとえば、３００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ）で第１電極と第２電極との間に導入される。たとえば、周波数範囲が高いほど（たとえば、１０ＭＨｚ）低い静電容量値（たとえば、５〜１０ｎＦ）を使用することができる。いくつかの実施形態では、５００ｋＨｚ周波数範囲での適用に対して、１００ｎＦ静電容量値が非常に適している可能性がある。いくつかの実施形態では、第１電極および第２電極にわたって導入される直列インピーダンスは、（ｉ）エネルギー送達モジュールに電極を電気的に結合する導体のインピーダンス、および（ｉｉ）治療されている組織のインピーダンスより低い。いくつかの実施形態では、装置は、第２電極を第３電極に、または（たとえば、円周方向配置または半径方向配置における）任意の隣接する電極セクションを電気的に結合し、かつ第２電極および第３電極を介して焼灼エネルギーを送達するために使用される周波数で低インピーダンスを示すように構成されたバンドパスフィルタリング素子をさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、第１電極と第２電極との間のギャップ幅はおよそ０．２〜１．０ｍｍ（たとえば、０．５ｍｍ）である。いくつかの実施形態では、細長い本体は少なくとも１つの灌注通路を備え、前記少なくとも１つの灌注通路は第１電極まで延在する。一実施形態では、第１電極は、少なくとも１つの灌注通路と流体連通する少なくとも１つの出口ポートを備える。
いくつかの実施形態によれば、装置は第３電極をさらに備え、第２電極は第１電極と第３電極との間に軸方向に配置され、絶縁ギャップは第２電極と第３電極とを分離する。いくつかの実施形態では、装置は、第２電極と第３電極との間のギャップ内に配置されたセパレータをさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、システムは、本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものによるアブレーション装置を備える。いくつかの実施形態では、システムは、電気生理学レコーダに接続するための手段をさらに備える。いくつかの実施形態では、システムは、電気生理学レコーダと接続するように構成されている。いくつかの実施形態では、システムは、（ｉ）デバイスに選択的に通電する発生器および（ｉｉ）電気生理学レコーダのうちの少なくとも１つをさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、同時にアブレーション装置にエネルギーを送達し、かつ対象者の組織をマッピングする方法は、第１電極および第２電極から非導電性ギャップによって分離されているスプリットチップまたはスプリットセクション電極に通電するステップであって、第２電極が第１電極の近位側に配置されており、第１電極および第２電極が、対象者の組織と接触して、かつ組織を少なくとも部分的に焼灼するのに十分なエネルギーを送達するように、および高分解能マッピングデータを受け取るように構成され、高分解能マッピングが第１電極および第２電極に隣接する対象者の組織に関する、ステップ
を含む。いくつかの実施形態では、絶縁ギャップが第１電極と第２電極との間に配置され、絶縁ギャップは、第１電極と第２電極とを分離するギャップ幅を有する。いくつかの実施形態では、フィルタリング素子は、動作ＲＦ周波数範囲でのみ第１電極を第２電極に電気的に結合する。一実施形態では、第１電極および第２電極を電気的に分離することにより、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングが容易になる。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの絶縁ギャップ内にセパレータが配置される。一実施形態では、少なくとも１つのセパレータは第１電極の近位端および第２電極の遠位端と接触する。
いくつかの実施形態によれば、マッピングデータは電気生理学レコーダに提供される。いくつかの実施形態では、第１電極および第２電極に提供されるエネルギーの周波数は高周波範囲にある。
いくつかの実施形態によれば、フィルタリング素子はコンデンサを含む。一実施形態では、コンデンサは、たとえば、焼灼エネルギーに使用される動作周波数に応じて、５０〜３００ｎＦ（たとえば、１００ｎＦ）の静電容量を備える。いくつかの実施形態では、約３オーム（Ω）の直列インピーダンスが、５００ｋＨｚで第１電極および第２電極にわたって導入される。いくつかの実施形態では、第１電極および第２電極にわたって導入される直列インピーダンスは、（ｉ）エネルギー送達モジュールに電極を電気的に結合する導体のインピーダンス、および（ｉｉ）治療されている組織のインピーダンスより低い。
いくつかの実施形態によれば、ギャップ幅はおよそ０．２〜１．０ｍｍである。一実施形態では、ギャップ幅は０．５ｍｍである。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション装置は、遠位端を備えた細長い本体（たとえば、カテーテル、他の医療器具等）と、細長い本体の遠位端に配置された電極と、熱吸収要素を電極と熱連通させて、電極が活性化されると、電極および電極により治療されている組織のうちの少なくとも１つから熱を選択的に除去する少なくとも１つの熱シャント部材とを備え、少なくとも１つの熱シャント部材は少なくとも部分的に電極の内部を通って延在して、使用中に電極から熱を放散させかつ除去する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの流体導管と熱連通し、少なくとも１つの流体導管は、電極および／または電極に隣接して配置された対象者の組織から熱を選択的に除去するように、電極を流体源と流体連通させるように構成されている。いくつかの実施形態では、流体導管または通路は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する。一実施形態では、流体導管または通路は少なくとも部分的に少なくとも１つの熱シャント部材を通って延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は少なくとも部分的に熱的対流流体と熱連通する。いくつかの実施形態では、熱的対流流体は血液および／または別の体液を含む。
いくつかの実施形態によれば、熱的対流流体の流量は、アブレーション処置中に電極に沿って所望の温度を維持するために１５ｍｌ／ｍｉｎより小さい。いくつかの実施形態では、熱的対流流体の流量は、アブレーション処置中に電極に沿って所望の温度を維持するために略１０ｍｌ／ｍｉｎより小さい。いくつかの実施形態では、熱的対流流体の流量は、アブレーション処置中に電極に沿って所望の温度を維持するために略５ｍｌ／ｍｉｎより小さい。いくつかの実施形態によれば、アブレーション処置中の電極に沿った所望の温度は６０℃である。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材は、１．５ｃｍ２／ｓ
ｅｃまたは５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい（たとえば、１．５〜２ｃｍ２／ｓｅｃ、２〜２．５ｃｍ２／ｓｅｃ、２．５〜３ｃｍ２／ｓｅｃ、３〜４ｃｍ２／ｓｅｃ、４〜５ｃｍ２／ｓｅｃ、５〜６ｃｍ２／ｓｅｃ、６〜７ｃｍ２／ｓｅｃ、７〜８ｃｍ２／ｓｅｃ、８〜９ｃｍ２／ｓｅｃ、９〜１０ｃｍ２／ｓｅｃ、１０〜１１ｃｍ２／ｓｅｃ、１１〜１２ｃｍ２／ｓｅｃ、１２〜１３ｃｍ２／ｓｅｃ、１３〜１４ｃｍ２／ｓｅｃ、１４〜１５ｃｍ２／ｓｅｃ、１５〜２０ｃｍ２／ｓｅｃ、上記範囲の間の値、２０ｃｍ２／ｓｅｃより大きい等）熱拡散率を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材はダイヤモンド（たとえば、工業用ダイヤモンド）を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は炭素系材料を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材はグラフェンおよびシリカのうちの少なくとも１つを含む。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材の温度は、アブレーション処置中に電極に沿って所望の温度を維持しながら６０〜６２℃を超えない。いくつかの実施形態では、アブレーション処置中の電極に沿った所望の温度は６０℃である。
いくつかの実施形態によれば、電極は高周波（ＲＦ）電極を含む。いくつかの実施形態では、電極はスプリットチップ電極を含む。いくつかの実施形態では、スプリットチップ電極は、第１電極部分と少なくとも第２電極部分とを備え、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングを容易にするために、第１電極部分と少なくとも第２電極部分との間に絶縁ギャップが配置される。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの熱シャント部材と直接熱連通する。いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの熱シャント部材と直接熱連通しない。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの開口部を備え、少なくとも１つの開口部は、少なくとも１つの流体導管を通過する灌注流体を少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部と直接物理的に接触させる。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの開口部は少なくとも１つの導管の穿孔部分に沿って配置され、少なくとも１つの導管の穿孔部分は電極の遠位側に配置される。一実施形態では、少なくとも１つの流体導管は、細長い本体の遠位端に沿って配置された出口ポートとのみ流体連通する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの熱シャント部材と直接接触する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの熱シャント部材と接触しない。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部は、電極の近位端に隣接するカテーテルの外側まで延在する。一実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部は、電極の遠位端に隣接するカテーテルの外側まで延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部は電極の近位端に対して近位側に延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材はディスクまたは他の円筒状部材を含む。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション装置は、遠位端を備えた細長い本体（たとえば、カテーテル、他の医療器具等）と、細長い本体の遠位端に配置されたアブレーション部材と、熱分流要素を電極と熱連通させて、電極が活性化されると、電極および／または電極により治療されている組織のうちの少なくとも１つから熱を選択的に除去する少なくとも１つの熱シャント部材とを備え、少なくとも１つの熱シャント部材の熱分流要素は、使用中にアブレーション部材によって生成される熱を除去しかつ放散させるのに役立つように、少なくとも部分的にアブレーション部材の内部を通って延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの流体導管または通路と熱連通し、少なくとも１つの流体導管または通路は、アブレーション部材を流体源と流体連通させて、アブレーション部材および／またはアブレーション部材に隣接して配置された対象者の組織から選択的に
熱を除去する。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの流体導管または通路を備える。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する流体導管または通路を備えていない。いくつかの実施形態では、細長い本体の遠位端の内部は、略アブレーション部材の位置に沿った内部部材を備える。一実施形態では、内部部材は、アブレーション部材によって生成される熱を放散させかつ／または伝達するように構成された少なくとも１つの熱伝導性材料を含む。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション部材は高周波（ＲＦ）電極を含む。いくつかの実施形態では、アブレーション部材はマイクロ波エミッタ、超音波変換器およびクライオアブレーション部材のうちの１つを含む。
いくつかの実施形態によれば、すくなくとも１つの熱シャント部材は、基礎部材から外向きに延在する少なくとも１つの拡張部材を備える。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管は少なくとも１つの流体送達導管および少なくとも１つの流体戻り導管を備え、流体は、少なくとも部分的に、少なくとも１つの流体送達導管および少なくとも１つの流体戻り導管を介して細長い本体の内部を通って循環し、少なくとも１つの流体導管は閉ループまたは非開放冷却システムの一部である。いくつかの実施形態では、細長い本体は細長い本体の遠位端に沿って冷却チャンバを備え、冷却チャンバは少なくとも１つの流体導管と流体連通するように構成される。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管は金属材料および合金のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態では細長い本体は流体導管を備えていない。一実施形態では、細長い本体の遠位端の内部は、略電極の位置に沿って内部部材を備える。いくつかの実施形態では、内部部材は、電極によって生成される熱を放散させかつ／または伝達するように構成された少なくとも１つの熱伝導性材料を含む。
いくつかの実施形態によれば、組織治療処置中にアブレーション部材から熱を除去する方法は、アブレーションシステムを作動させるステップであって、システムが、遠位端を備えた細長い本体と、細長い本体の遠位端に配置されたアブレーション部材とを備え、アブレーションシステムの細長い本体がその遠位端に沿って少なくとも１つの熱シャント部材を備え、少なくとも１つの熱シャント部材が少なくとも部分的にアブレーション部材の内部を通って延在する、ステップと、細長い本体の遠位端に沿った局所化したホットスポットの可能性を低減させるように、少なくとも１つの熱シャント部材を介して、細長い本体の遠位端に沿ってアブレーション部材によって生成される熱を少なくとも部分的に除去するステップとを含む。
いくつかの実施形態によれば、細長い本体（たとえば、カテーテル、医療器具等）は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの流体導管または通路をさらに備え、本方法は、少なくとも１つの流体導管または通路を通して流体を送達するステップをさらに含み、少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも１つの流体導管または通路をアブレーション部材の近位部分と熱連通させて、電極が活性化されるときにアブレーション部材の近位部分から選択的に熱を除去し、少なくとも１つの流体導管または通路は、アブレーション部材を流体源と流体連通させて、アブレーション部材および／またはアブレーション部材に隣接して配置された対象者の組織から選択的に熱を除去するように構成される。
いくつかの実施形態によれば、細長い本体は、対象者の体内腔を通って対象者の標的解剖学的位置まで前進される。いくつかの実施形態では、対象者の体内腔は血管、気道の気
管もしくは別の管腔、消化管の管腔、尿管、または別の体内腔を含む。いくつかの実施形態では、アブレーション部材は高周波（ＲＦ）電極を含む。いくつかの実施形態では、アブレーション部材はマイクロ波エミッタ、超音波変換器およびクライオアブレーション部材のうちの１つを含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は、１．５ｃｍ２／ｓｅｃまたは５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい（たとえば、１．５〜２ｃｍ２／ｓｅｃ、２〜２．５ｃｍ２／ｓｅｃ、２．５〜３ｃｍ２／ｓｅｃ、３〜４ｃｍ２／ｓｅｃ、４〜５ｃｍ２／ｓｅｃ、５〜６ｃｍ２／ｓｅｃ、６〜７ｃｍ２／ｓｅｃ、７〜８ｃｍ２／ｓｅｃ、８〜９ｃｍ２／ｓｅｃ、９〜１０ｃｍ２／ｓｅｃ、１０〜１１ｃｍ２／ｓｅｃ、１１〜１２ｃｍ２／ｓｅｃ、１２〜１３ｃｍ２／ｓｅｃ、１３〜１４ｃｍ２／ｓｅｃ、１４〜１５ｃｍ２／ｓｅｃ、１５〜２０ｃｍ２／ｓｅｃ、上記範囲の間の値、２０ｃｍ２／ｓｅｃより大きい等）熱拡散率を有する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材はダイヤモンド（たとえば、工業用ダイヤモンド）を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は炭素系材料を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材はグラフェンおよびシリカのうちの少なくとも１つを含む。
いくつかの実施形態によれば、高周波（ＲＦ）電極はスプリットチップＲＦ電極を含む。いくつかの実施形態では、本方法は、アブレーション部材に隣接する対象者の標的解剖学的位置の少なくとも１つの高解像度画像を取得するステップをさらに含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管または通路は少なくとも１つの熱シャント部材と直接熱連通する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの灌注導管は少なくとも１つの熱シャント部材と直接熱連通しない。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管または通路は少なくとも１つの熱シャント部材と直接接触する。一実施形態では、少なくとも１つの流体導管または通路は少なくとも１つの熱シャント部材と接触しない。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管または通路を通して流体を送達するステップは、開放灌注システムでカテーテルの遠位端までかつそこを通して流体を送達するステップを含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの流体導管または通路を通して流体を送達するステップは、閉鎖流体冷却システムでアブレーション部材に隣接するカテーテルの遠位端を通して流体を循環させるステップを含む。
いくつかの実施形態によれば、アブレーションシステムの細長い本体（たとえば、カテーテル、医療器具等）は、いかなる流体導管または通路も備えていない。いくつかの実施形態では、細長い本体の遠位端は内部部材を備える。いくつかの実施形態では、内部部材は、使用中にアブレーション部材によって生成される熱を放散させかつ分散させるのに役立つように、少なくとも１つの熱シャント部材と熱連通する熱伝導性材料を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部は、アブレーション部材の近位端に隣接するカテーテルの外側まで延在する。一実施形態では、少なくとも１つのシャント部材の少なくとも一部はアブレーション部材の近位端の近位側に延在する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのシャント部材の少なくとも一部はアブレーション部材の近位端の遠位側に延在し、それにより、少なくとも１つの熱シャント部材の少なくとも一部はアブレーション部材の長さに沿って配置されている。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材はディスクまたは他の円筒状部材を含む。一実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材は、基礎部材から外向きに延在する少なくとも１つの拡張部材を備える。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの拡張部材はフィン、ピンまたは羽根のうちの少なくとも１つを含む。
いくつかの実施形態によれば、本出願による装置を備えるシステムは、電気生理学レコーダに接続するための手段をさらに備える。いくつかの実施形態では、システムは、電気生理学レコーダに接続するように構成されている。いくつかの実施形態では、システムは、（ｉ）装置に選択的に通電する発生器および（ｉｉ）電気生理学レコーダのうちの少な
くとも１つをさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション装置は、遠位端を有する細長い本体（たとえば、カテーテル）と、細長い本体の遠位端に配置された電極（たとえば、ＲＦ電極、スリップチップ電極等）と、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの灌注導管であって、電極を流体源と流体連通させて、電極および／または電極に隣接して配置された対象者の組織から選択的に熱を除去するように構成された少なくとも１つの灌注導管と、少なくとも１つの灌注導管を電極の近位部分と熱連通させて、電極が活性化されると、電極の近位部分から選択的に熱を除去する少なくとも１つの伝熱部材とを備える。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション装置は、遠位端を備えた細長い本体（たとえば、カテーテル、他の医療器具等）と、細長い本体の遠位端に配置されたアブレーション部材と、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの灌注導管であって、アブレーション部材を流体源と流体連通させるように構成された少なくとも１つの灌注導管と、少なくとも１つの灌注導管をアブレーション部材の近位部分と熱連通させて、電極が活性化されると、アブレーション部材の近位部分から熱を選択的に除去する少なくとも１つの伝熱部材とを備える。いくつかの実施形態では、アブレーション部材は高周波（ＲＦ）電極、マイクロ波エミッタ、超音波変換器、クライオアブレーション部材および／または他の任意の部材を含む。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの伝熱部材は、３００Ｗ／ｍ／℃より大きい（たとえば、３００〜３５０Ｗ／ｍ／℃、３５０〜４００Ｗ／ｍ／℃、４００〜４５０Ｗ／ｍ／℃、上記値の間の範囲等）熱伝導率を有する。他の実施形態では、少なくとも１つの伝熱部材は、５００Ｗ／ｍ／℃より大きい（たとえば、５００〜５５０Ｗ／ｍ／℃、５５０〜６００Ｗ／ｍ／℃、６００〜６５０Ｗ／ｍ／℃、６５０〜７００Ｗ／ｍ／℃、７００〜８００Ｗ／ｍ／℃、８００〜９００Ｗ／ｍ／℃、９００〜１０００Ｗ／ｍ／℃、上記範囲の間の範囲、１０００Ｗ／ｍ／℃より大きい等）熱伝導率を有する。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの伝熱部材はダイヤモンド（たとえば、工業用ダイヤモンド）を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの伝熱部材は金属および合金のうちの少なくとも１つ（たとえば、銅、ベリリウム、真鍮等）を含む。
いくつかの実施形態によれば、電極は高周波（ＲＦ）電極を含む。一実施形態では、電極はスプリットチップ電極を含む。いくつかの実施形態では、スプリットチップ電極は第１電極部分と少なくとも第２電極部分とを備え、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングを容易にするために、第１電極部分と少なくとも第２電極部分との間に絶縁ギャップが配置される。
いくつかの実施形態によれば、装置は放射計をさらに備える。いくつかの実施形態では、放射計はカテーテル内（たとえば、電極または他のアブレーション部材にまたはその近くに）配置される。しかしながら、他の実施形態では、放射計は、装置のハンドルに、かつ／または装置および／または付随するシステムの別の場所に配置される。放射計を備える装置の実施形態では、カテーテルは、組織によって放出されるマイクロ波信号を検出するように構成された１つまたは複数のアンテナを（たとえば、電極にまたはその近くに）備える。いくつかの実施形態では、装置は放射計を備えておらず、または（たとえば組織の温度を測定するために）放射測定技術を組み込んでいない。本明細書で考察するように、装置またはシステムに他のタイプの温度測定デバイス（たとえば、熱電対、サーミスタ、他の温度センサ等）を組み込むことができる。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション装置は、本質的に、カテーテルと、アブレーション部材（たとえば、ＲＦ電極、スプリットチップ電極等）と、カテーテルの内部を通ってアブレーション部材までまたはその近くまで延在する灌注導管と、アブレーション部材を選択的に活性化する少なくとも１つの導体（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）と、アブレーション部材の少なくとも一部（たとえば、アブレーション部材の近位部分）を灌注導管と熱連通させる少なくとも１つの伝熱部材とからなる。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション装置は、本質的に、カテーテルと、アブレーション部材（たとえば、ＲＦ電極、スプリットチップ電極等）と、カテーテルの内部を通ってアブレーション部材までまたはその近くまで延在する灌注導管と、アブレーション部材を選択的に活性化する少なくとも１つの導体（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）と、対象者の組織によって放出されるマイクロ波信号を受け取るように構成されたアンテナと、放射計と、アブレーション部材の少なくとも一部（たとえば、アブレーション部材の近位部分）を灌注導管と熱連通させる少なくとも１つの伝熱部材とからなる。
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの灌注導管は少なくとも１つの伝熱部材と直接熱連通する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの灌注導管は少なくとも１つの伝熱部材と直接熱連通しない。いくつかの実施形態では、灌注導管は、細長い本体の遠位端に沿って配置された出口ポートとのみ流体連通する。いくつかの実施形態では、カテーテルは、カテーテルの遠位端のみに沿って（たとえば、電極の遠位端のみに沿って）灌注出口開口部を備える。いくつかの実施形態では、システムは伝熱部材に沿っていかなる灌注開口部も備えていない。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの灌注導管は少なくとも１つの伝熱部材と直接接触する。いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの灌注導管は少なくとも１つの伝熱部材と接触しない。一実施形態では、伝熱部材の少なくとも一部は、電極の近位端に隣接するカテーテルの外側まで延在する。いくつかの実施形態では、伝熱部材の少なくとも一部は電極の近位端の近位側まで延在する。いくつかの実施形態では、伝熱部材の少なくとも一部は電極の近位端の遠位側まで延在し、それにより、伝熱部材の少なくとも一部は電極の長さに沿って配置されている。いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの灌注導管は金属材料および／または他の熱伝導性材料を含む。
いくつかの実施形態によれば、伝熱部材はディスクまたは他の円筒状部材を含む。いくつかの実施形態では、伝熱部材は、基礎部材から外向きに延在する少なくとも１つの拡張部材を備える。
いくつかの実施形態によれば、装置は、装置および／または付随するシステムがある深さで対象者の組織の温度を検出することができるようにする放射計をさらに備える。いくつかの実施形態では、放射計は、少なくとも一部にはカテーテルに含まれる。他の実施形態では、放射計は、少なくとも一部にはシステムのハンドルに、かつ／または装置および／またはカテーテルの外側の付随するシステムの一部に配置されている。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション処置中にアブレーション部材から熱を除去する方法は、アブレーションシステムを作動させるステップであって、システムが、遠位端を備えた細長い本体と、細長い本体の遠位端に配置されたアブレーション部材と、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する少なくとも１つの灌注導管と、少なくとも１つの伝熱部材とを備え、少なくとも１つの灌注導管が、アブレーション部材を流体源と流体連通させて、アブレーション部材および／またはアブレーション部材に隣接して配置された対象者の組織から選択的に熱を除去するように構成される、ステップと、少なくとも１つの灌注導管を通して流体を送達するステップであって、少なくとも１つの伝
熱部材が、少なくとも１つの灌注導管をアブレーション部材の近位部分と熱連通させて、電極が活性化されるときにアブレーション部材の近位部分から選択的に熱を除去する、ステップとを含む。
いくつかの実施形態によれば、細長い本体は、対象者の体内腔を通って対象者の標的解剖学的位置まで前進される。いくつかの実施形態では、対象者の体内腔は血管、気道の気管もしくは別の管腔、消化管の管腔、尿管、または別の体内腔を含む。
いくつかの実施形態によれば、アブレーション部材は高周波（ＲＦ）電極、マイクロ波エミッタ、超音波変換器、クライオアブレーション部材等を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの伝熱部材は３００Ｗ／ｍ／℃より大きい熱拡散率を有する。一実施形態では、少なくとも１つの伝熱部材は５００Ｗ／ｍ／℃より大きい熱伝導率を有する。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの伝熱部材はダイヤモンド（たとえば、工業用ダイヤモンド）を含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの伝熱部材は金属および合金のうちの少なくとも１つ（たとえば、銅、ベリリウム、真鍮等）を含む。
いくつかの実施形態によれば、システムは、本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものによるアブレーション装置を備える。いくつかの実施形態では、システムは、電気生理学レコーダに接続するための手段をさらに備える。いくつかの実施形態では、システムは、電気生理学レコーダと接続するように構成されている。いくつかの実施形態では、システムは、（ｉ）装置に選択的に通電する発生器および（ｉｉ）電気生理学レコーダのうちの少なくとも１つをさらに備える。
一実施形態によれば、医療器具（たとえば、アブレーションカテーテル）は、近位端および遠位端を備える細長い本体を含む。医療器具はまた、標的組織にエネルギーを送達するように構成されている、細長い本体の遠位端に配置されたエネルギー送達部材も含む。医療器具は、エネルギー送達部材内に配置された第１の複数の温度測定デバイスであって、エネルギー送達部材から断熱されている、第１の複数の温度測定デバイスと、細長い本体に沿って配置されかつ第１の複数の温度測定デバイスから軸方向に間隔を空けて配置された第２の複数の温度測定デバイスであって、同様にエネルギー送達部材から断熱されている、第２の複数の温度測定デバイスとをさらに含む。エネルギー送達部材は、任意選択的に、組織と接触するように構成することができる。第１の複数の温度測定デバイスは、任意選択的に、細長い本体の長手方向軸に対して実質的に垂直である第１平面に沿って配置することができる。第２の複数の温度測定デバイスは、任意選択的に、細長い本体の長手方向軸に対して実質的に垂直である第２平面に沿って配置し、第１平面に対して近位側に長手方向軸に沿って軸方向に間隔を空けて配置することができる。エネルギー送達部材は、任意選択的に、１つもしくは複数の電極部分、１つもしくは複数の超音波変換器、１つもしくは複数のレーザ素子、または１つもしくは複数のマイクロ波エミッタを備えることができる。
一実施形態によれば、医療器具（たとえば、アブレーションカテーテルまたは他の装置）は、近位端および遠位端を有する細長い本体を備える。医療器具は、細長い本体の遠位端に配置された少なくとも１つのエネルギー送達部材（たとえば、チップ電極または複数の電極部分）を備える。この実施形態では、少なくとも１つのエネルギー送達部材は、標的組織に、組織と接触してもしなくても、エネルギー（たとえば、高周波エネルギー、音響エネルギー、マイクロ波出力、レーザエネルギー）を送達するように構成されている。一実施形態では、エネルギーは、標的組織の表面からある深さで損傷部を生成するのに十分である。医療器具の実施形態は、少なくとも１つのエネルギー送達部材の遠位端（たとえば、最遠位面）に形成された別個の穴、凹部または他の開口部によって支持されるかま
たはその中に配置される第１の複数の温度測定デバイスを備える。第１の複数の温度測定デバイスは、エネルギー送達部材から断熱されている。医療器具の実施形態は、少なくとも１つのエネルギー送達部材の近位端に隣接して（たとえば、その１ｍｍの範囲内に）配置された（たとえば、エネルギー送達部材によってもしくはその中に支持され、またはエネルギー送達部材の近位端の近位側で細長い本体によってもしくはその中に支持された）第２の複数の温度測定デバイスを備え、第２の複数の温度測定デバイスは、少なくとも１つのエネルギー送達部材から断熱されている。第２の複数の温度測定デバイスは、少なくとも１つのエネルギー送達部材の近位端のすぐ近位にまたはすぐ遠位に配置することができる。医療器具が２つ以上のエネルギー送達部材を備える場合、第２の複数の温度測定デバイスは、最近位のエネルギー送達部材の近位縁に隣接して配置することができ、第１の複数の温度測定デバイスは、最遠位のエネルギー送達部材内に配置することができる。いくつかの実施形態では、第２の複数の温度測定デバイスは、少なくとも１つのエネルギー送達部材の近位側の熱シャント部材（たとえば、伝熱部材）に沿って配置される。いくつかの実施形態では、第２の複数の温度測定デバイスは、細長い本体の遠位端の長手方向軸に対して垂直または実質的に垂直である平面に沿って配置され、第１の複数の温度測定デバイスに対して近位側に間隔を空けて配置される。
いくつかの実施形態では、温度測定デバイスの各々は熱電対またはサーミスタ（たとえば、タイプＫまたはタイプＴ熱電対）を含む。いくつかの実施形態では、第１の複数の温度測定デバイスは少なくとも３つの温度測定デバイスを備え、第２の複数の温度測定デバイスは少なくとも３つの温度測定デバイスを備える。一実施形態では、第１の複数の温度測定デバイスは３つの温度測定デバイスのみからなり、第２の複数の温度測定デバイスは３つの温度測定デバイスのみからなる。第１の複数の温度測定デバイスの各々および第２の複数の温度測定デバイスの各々は、（たとえば、細長い本体の外面にわたって円周方向にもしくは半径方向に、または他の方法で配置された）そのそれぞれの群の温度測定デバイスの各々から間隔を空けて（等距離でまたは不等距離で間隔を空けて）配置することができる。たとえば、３つの温度測定デバイスが、各複数、群またはセットに含まれる場合、温度測定デバイスは約１２０度だけ間隔を空けて配置することができる。いくつかの実施形態では、第１の複数の温度測定デバイスおよび第２の複数の温度測定デバイスは、標的組織内の挿入（たとえば、埋込み）の深さの増大を促進するように細長い本体の外面を越えて突出するかまたは延在する。一実施形態では、細長い本体は円筒状または実質的に円筒状である。温度測定デバイスの遠位端は、標的組織を穿孔するかまたは削る可能性を低減させるように、概して丸いケーシングまたはシェルを備えることができる。
一実施形態によれば、医療器具（たとえば、アブレーション装置）は、近位端および遠位端を有する細長い本体と、細長い本体の遠位端に配置されたスプリットチップ電極アセンブリとを備える。スプリットチップ電極アセンブリは、細長い本体の遠位端の遠位先端に配置された第１電極部材と、第１電極部材の近位側に配置され、かつ第１電極部材から間隔を空けて配置された第２の電極部材と、第１電極部材と第２電極部材との間の絶縁ギャップとを備える。第１電極部材および第２電極部材は、対象者の組織と接触し、かつ組織に高周波エネルギーを送達するように構成することができる。いくつかの実施形態では、エネルギーは、組織を焼灼するのに十分であり得る。絶縁ギャップは、第１電極部材と第２電極部材とを分離するギャップ幅を有することができる。医療器具の実施形態は、第１電極部材に形成された別個の開口部、穴、スリット、スロット、溝またはボア内に配置され、かつ（たとえば、円周方向に、半径方向にまたは他の方法で）間隔を空けて配置された第１の複数の温度センサと、第２電極部材の近位側の領域に（たとえば、第２電極部材の近位縁に隣接して（すぐ近位側または遠位側に、１ｍｍ未満の範囲内に））配置された第２の複数の温度センサとを備える。第２の複数の温度センサは、第２の電極部材から断熱されている。いくつかの実施形態では、第２の複数の温度センサは、細長い本体の外周面にわたって円周方向にまたは半径方向に間隔を空けて配置される。第１の複数の温度
センサは、第１電極部材から断熱することができ、第１電極部材の外面（たとえば、最外面）を越えて延在することができる。一実施形態では、第２の複数の温度センサの少なくとも一部は、細長い本体の外周面を越えて延在する。
いくつかの実施形態では、医療器具は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する熱交換チャンバ（たとえば、灌注導管）を備える。熱交換チャンバに冷却流体を供給するように構成された流体源と、流体源から熱交換チャンバ内の１つまたは複数の内腔を通る熱交換チャンバへの冷却流体の送達を制御するように構成されたポンプとに医療器具を結合することができる。一実施形態では、第１電極部材は、熱交換チャンバと流体連通する複数の灌注出口ポートを備え、それにより、流体源によって供給される冷却流体が前記灌注出口ポートから放出され、それによってスプリットチップ電極アセンブリ、血液および／または加熱されている組織に冷却を提供する。
開放灌注構成では、医療器具（たとえば、アブレーション装置）は、規則的な流量で灌注出口ポートから生理食塩水または他の流体を放出するために速度の上昇を容易にするように、熱交換チャンバ（たとえば、灌注導管）の内腔より小さい直径または他の断面寸法を有する流体送達内腔を備えることができる。閉鎖灌注構成では、医療器具は、熱交換チャンバと流体源との間に延在する入口内腔（たとえば、流体送達内腔）と、熱交換チャンバ（たとえば、灌注導管）と医療器具の外部の戻りリザーバとの間に延在する出口内腔（たとえば、戻り内腔）とを備えることができる。一実施形態では、熱交換チャンバ内に乱流または他の循環を引き起こすように、入口内腔の遠位端（たとえば、出口）は、出口内腔の遠位端（たとえば、入口）から遠位側に間隔を空けて配置される。さまざまな実施形態では、灌注流量は、１０ｍＬ／ｍｉｎ以下（たとえば、９ｍＬ／ｍｉｎ以下、８ｍＬ／ｍｉｎ以下、７ｍＬ／ｍｉｎ以下、６ｍＬ／ｍｉｎ以下、５ｍＬ／ｍｉｎ以下）である。いくつかの実施形態では、医療器具は灌注されない。
一実施形態によれば、医療器具（たとえば、アブレーション装置）は、近位端および遠位端、ならびに近位端から遠位端まで延在する長手方向軸を備える細長い本体（たとえば、カテーテル、ワイヤ、プローブ等）を備える。医療器具は、スプリットチップ電極アセンブリを備える。実施形態では、スプリットチップ電極アセンブリは、細長い本体の遠位端の遠位先端に配置された第１電極部材と、第１電極部材の近位側に配置され、かつ第１電極部材から間隔を空けて配置された第２の電極部材とを備える。第１電極部材および第２電極部材は、対象者の組織と接触し、かつ組織に高周波エネルギーを送達するように構成されている。送達されるエネルギーは、組織を少なくとも部分的に焼灼するかまたは加熱するのに十分であり得る。スプリットチップ電極アセンブリはまた、第１電極部材と第２電極部材とを分離するギャップ幅を有する絶縁ギャップも備える。アブレーション装置の実施形態は、第１電極部材および第２電極部材から選択的に熱を除去するかまたは放散するように、第１電極部材および第２電極部材と熱連通する少なくとも１つの伝熱部材と、第１電極部材内に配置されかつ（たとえば、円周方向に、半径方向に）間隔を空けて配置された第１の複数の温度測定デバイスと、第２電極部材の近位側で少なくとも１つの熱シャント部材（たとえば、伝熱部材）の一部に配置された第２の複数の温度測定デバイスとをさらに備える。第１の複数の温度測定デバイスは、第１電極部材から断熱されており、細長い本体の長手方向軸に対して少なくとも実質的に平行である方向において第１電極部材の外面を越えて延在することができる。第２の複数の熱電対は、第２電極部材から断熱されており、細長い本体の長手方向軸に対して少なくとも実質的に垂直である方向において少なくとも１つの熱シャント部材の外面を越えて延在することができる。
いくつかの実施形態では、医療器具は、少なくとも部分的に細長い本体の内部を通って延在する熱交換チャンバ（たとえば、灌注導管）を備える。熱交換チャンバに冷却流体を供給するように構成された流体源と、冷却流体の送達を制御するように構成されたポンプ
とに医療器具を結合することができる。一実施形態では、第１電極部材は、熱交換チャンバと流体連通する複数の灌注出口ポートを備え、それにより、流体源によって供給される冷却流体が前記灌注出口ポートから放出され、それによってスプリットチップ電極アセンブリに冷却を提供する。いくつかの実施形態では、熱交換チャンバの少なくとも内面または層は、ステンレス鋼等の生体適合性材料を含む。
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの熱シャント部材（たとえば、熱シャント網または伝熱部材）は、３００Ｗ／ｍ／℃より大きい（たとえば、３００〜３５０Ｗ／ｍ／℃、３５０〜４００Ｗ／ｍ／℃、４００〜４５０Ｗ／ｍ／℃、４５０〜５００Ｗ／ｍ／℃、上記値の間の範囲等）熱コンダクタンスを有する。他の実施形態では、少なくとも１つの伝熱部材は、５００Ｗ／ｍ／℃より大きい（たとえば、５００〜５５０Ｗ／ｍ／℃、５５０〜６００Ｗ／ｍ／℃、６００〜６５０Ｗ／ｍ／℃、６５０〜７００Ｗ／ｍ／℃、７００〜８００Ｗ／ｍ／℃、８００〜９００Ｗ／ｍ／℃、９００〜１０００Ｗ／ｍ／℃、上記値の間の範囲、１０００Ｗ／ｍ／℃より大きい等）熱コンダクタンスを有する。いくつかの実施形態によれば、少なくとも１つの伝熱部材は、ダイヤモンド（たとえば、工業用ダイヤモンド）を含む。
実施形態のうちの任意のものでは、電極部材は白金を含むことができる。温度測定デバイスは、以下のタイプ：ニッケル合金、白金／ロジウム合金、タングステン／レニウム合金、金／鉄合金、貴金属合金、白金／モリブデン合金、イリジウム／ロジウム合金、純貴金属、タイプＫ、タイプＴ、タイプＥ、タイプＪ、タイプＭ、タイプＮ、タイプＢ、タイプＲ、タイプＳ、タイプＣ、タイプＤ、タイプＧおよび／またはタイプＰの熱電対のうちの１つまたは複数を含むことができる。
いくつかの実施形態によれば、医療器具は、少なくとも１つの絶縁ギャップ内に配置された少なくとも１つのセパレータを備える。一実施形態では、少なくとも１つのセパレータは少なくとも１つの伝熱部材の一部を構成する。たとえば、少なくとも１つのセパレータは工業用ダイヤモンドを含むことができる。
いくつかの実施形態によれば、医療器具は、エネルギー源からスプリットチップ電極アセンブリまたは他のアブレーション部材に電流を伝導するように構成された少なくとも１つの導体を備える。いくつかの実施形態では、第１の複数の熱電対または他の温度測定デバイスおよび第２の複数の熱電対または他の温度測定デバイスは、それぞれ第１電極部材および少なくとも１つの伝熱部材の外面を最大１ｍｍ越えて延在する。
いくつかの実施形態によれば、第２の複数の温度測定デバイスを備える少なくとも１つの伝熱部材の一部の外径は、組織内へのより深い挿入を促進するように細長い本体の外径より大きく、それにより、電極部材の熱的影響から熱電対または他の温度測定デバイスがさらに隔離される。
いくつかの実施形態によれば、治療システムは、医療器具（たとえば、アブレーションカテーテル）、プロセッサおよびエネルギー源を備える。医療器具は、近位端および遠位端を有する細長い本体と、細長い本体の遠位端に配置されたエネルギー送達部材（たとえば、電極）と、エネルギー送達部材によって支持されるかまたはそれに沿ってもしくはその中に配置された第１の複数の温度測定デバイスと、細長い本体に沿って電極の近位側に配置された第２の複数の温度測定デバイスとを備える。エネルギー送達部材は、対象者の組織と接触し、かつエネルギー源によって生成されるエネルギーを組織に送達するように構成することができる。いくつかの実施形態では、エネルギーは、組織を少なくとも部分的に焼灼するのに十分である。いくつかの実施形態では、第１の複数の温度測定デバイスは、エネルギー送達部材から断熱されており、第２の複数の温度測定デバイスは、エネル
ギー送達部材から断熱されている。一実施形態では、第２の複数の温度測定デバイスは、細長い本体の外面にわたって間隔を空けて配置される。システムの実施形態のエネルギー源は、エネルギー源からエネルギー送達部材まで延在する１つまたは複数の導体（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）を通してエネルギー送達部材にエネルギーを提供するように構成することができる。
システムの実施形態のプロセッサは、温度測定デバイスの各々から温度を示す信号を受け取り、および受け取った信号に基づき、組織に対するアブレーションカテーテルの細長い本体の遠位端の向きを決定するようにプログラムされ、または他の方法で（たとえば、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体に格納された命令の実行により）構成することができる。いくつかの実施形態では、プロセッサは、決定した向きに基づいて１つまたは複数の治療パラメータを調整するように構成することができる。１つまたは複数の治療パラメータとしては、特に、治療の持続時間、エネルギーの出力、目標または設定温度および最大温度を挙げることができる。
いくつかの実施形態では、プロセッサは、決定した向きの識別がディスプレイに出力されるようにするようにさらに構成される。出力は、テキスト情報（語、句、文字または数字等）を含むことができる。いくつかの実施形態では、ディスプレイはグラフィカルユーザインタフェースを含み、出力は、決定した向きを示す１つまたは複数のグラフィカル画像を含む。
いくつかの実施形態では、組織に対する、医療器具の細長い本体の遠位端の向きの決定は、受け取られた信号から求められる組織測定値の互いに対する比較に基づく。向きは、３つの向きの選択肢、すなわち垂直、平行および角度付きもしくは斜めの１つから選択することができる。一実施形態では、プロセッサは、決定した向きがエネルギー送達中に変化する場合、エネルギーの送達を終了する出力を生成するようにさらに構成される（たとえば、使用者に対してエネルギー送達を手動で終了させる警報、またはエネルギー送達の終了を自動的にもたらす信号）。
いくつかの実施形態によれば、治療システムは、医療器具（たとえば、アブレーションカテーテル）とプロセッサとを備える。医療器具は、近位端および遠位端を有する細長い本体と、細長い本体の遠位端に配置されたエネルギー送達部材であって、対象者の組織と接触し、かつエネルギー（たとえば、焼灼エネルギー）を組織に送達するように構成されたエネルギー送達部材と、エネルギー送達部材内に配置された第１の複数の温度測定デバイスと、細長い本体に沿ってエネルギー送達部材の近位側に配置された第２の複数の温度測定デバイスとを備える。第１の複数の温度測定デバイスは、エネルギー送達部材から断熱することができ、かつ互いに間隔を空けて配置することができ、第２の複数の温度測定デバイスは、エネルギー送達部材から断熱することができ、かつ細長い本体の外面にわたって間隔を空けて配置することができる。
治療システムの実施形態のプロセッサは、温度測定デバイスの各々から信号を受け取り、および受け取った信号に基づいてある深さの組織のピーク温度を計算するようにプログラムされ、または他の方法で（たとえば、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体に格納された命令の実行により）構成することができる。ピーク温度は、極値温度（たとえば、山または谷／谷間温度、高温または低温の温度、正のピークまたは負のピーク）を含むことができる。
いくつかの実施形態によれば、プロセッサは、受け取った信号から求められる個々の温度測定値を互いに比較することにより、ある深さの組織のピーク温度を計算するように構成される。いくつかの実施形態では、プロセッサは、計算されたピーク温度に基づき、治
療の持続時間、エネルギーの出力、目標温度および最大温度を含む１つまたは複数の治療パラメータを調整するように構成される。
いくつかの実施形態によれば、プロセッサは、計算されたピーク温度が閾値を超える場合、エネルギーの送達を自動的に終了する出力を生成するように、または使用者に対してエネルギー送達を手動で終了させるように警告を生成するように構成される。いくつかの実施形態では、プロセッサは、計算されたピーク温度の識別が（たとえば、色、テキスト情報および／または数値情報を用いて）ディスプレイに出力されるようにするように構成される。
いくつかの実施形態によれば、治療システムは、近位端および遠位端を備える細長い本体と、細長い本体の遠位端に配置されたエネルギー送達部材とを備える、医療器具（たとえば、アブレーションカテーテル）を備える。一実施形態では、エネルギー送達部材（たとえば、電極）は、対象者の組織と接触し、かつ組織にエネルギー（たとえば、焼灼エネルギー）を送達するように構成される。医療器具は、エネルギー送達部材内に形成された別個の開口部または穴内に配置された第１の複数の温度測定デバイスと、細長い本体に沿ってエネルギー送達部材の近位側に配置された第２の複数の温度測定デバイスとを備える。第１の複数の温度測定デバイスは、電極から断熱し、互いに間隔を空けて配置することができ、第２の複数の温度測定デバイスは、電極から断熱することができる。一実施形態では、第２の複数の温度測定デバイスは、細長い本体の外面の周囲に間隔を空けて配置される。治療システムはまた、温度測定デバイスの各々から信号を受け取り、少なくとも一部には受け取った信号に基づき、組織内のある深さにおけるピーク温度ゾーンの推定位置を求めるようにプログラムされ、または他の方法で（たとえば、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体に格納された命令の実行により）構成されるプロセッサも備えることができる。いくつかの実施形態では、プロセッサは、受け取った信号に基づいて個々の温度測定値を求め、それらを比較してピーク温度の推定位置を求める。プロセッサは、持続時間、出力、目標温度および最大温度を含む、推定位置に関する１つまたは複数の治療パラメータを調整するように構成することができる。プロセッサはまた、推定位置の識別がディスプレイに出力されるようにするように構成することも可能である。出力は、ピーク温度ゾーンの推定位置を示す英数字情報および／または１つもしくは複数のグラフィカル画像を含むことができる。
いくつかの実施形態によれば、組織の表面からある深さで焼灼されている組織のピーク温度を求める方法は、アブレーションカテーテルの遠位端に配置された第１の複数の温度センサから、温度を示す信号を受け取るステップを含むことができる。一実施形態では、第１の複数の温度センサの各々は、アブレーションカテーテルの遠位端の周囲で間隔を空けて配置される。本方法はまた、第１の複数の温度センサの近位側に間隔を空けて配置された第２の複数の温度センサから、温度を示す信号を受け取るステップを含む。本方法は、第１の複数の温度センサおよび第２の複数の温度センサから受け取られた信号から、温度測定値を求めるステップと、求められた温度測定値を互いに比較するステップとをさらに含む。いくつかの実施形態では、本方法は、少なくとも一部には上記比較に基づき、求められた温度測定値のうちの１つまたは複数に１つまたは複数の補正係数を適用して、ピーク温度を求めるステップを含む。一実施形態では、本方法は、求められたピーク温度をディスプレイにテキストで視覚的にかつ／またはグラフィカルに出力するステップを含む。一実施形態では、本方法は、求められたホットスポット温度に基づいて１つもしくは複数の治療（たとえば、アブレーション）パラメータを調整し、かつ／またはアブレーションを終了するステップを含む。第２の複数の温度センサは、アブレーションカテーテルまたは他の医療器具の円周に間隔を空けて配置することができる。
いくつかの実施形態によれば、焼灼されている組織内でピーク温度ゾーンの位置を求め
る方法は、アブレーションカテーテルの遠位端に配置された第１の複数の温度センサから、温度を示す信号を受け取るステップを含む。一実施形態では、第１の複数の温度センサの各々は、アブレーションカテーテルの遠位端の周囲に間隔を空けて配置される。本方法は、第１の複数の温度センサの近位側に間隔を空けて配置された第２の複数の温度センサから、温度を示す信号を受け取るステップを含む。本方法は、第１の複数の温度センサおよび第２の複数の温度センサから受け取られた信号から、温度測定値を求めるステップと、求められた温度測定値を比較するステップとをさらに含む。本方法は、少なくとも一部には上記比較に基づき、熱的損傷部のピーク温度ゾーンの位置を求めるステップを含むことができる。一実施形態では、本方法は、求められたピーク位置をディスプレイにテキストで視覚的にかつ／またはグラフィカルに出力するステップを含む。一実施形態では、第２の複数の温度センサの各々は、アブレーションカテーテルの円周に間隔を空けて配置される。
いくつかの実施形態によれば、アブレーションカテーテルの遠位チップの、遠位チップと接触している組織に対する向きを求める方法は、アブレーションカテーテルの遠位端に配置された第１の複数の温度センサから、温度を示す信号を受け取るステップと、第１の複数の温度センサの近位側に間隔を空けて配置された第２の複数の温度センサから、温度を示す信号を受け取るステップとをさらに含む。本方法は、第１の複数の温度センサおよび第２の複数の温度センサから受け取られた信号から、温度測定値を求めるステップと、求められた温度測定値の各々を互いに比較するステップとを含む。一実施形態では、本方法は、求められた向きをディスプレイに出力するステップを含む。出力は、テキスト情報または１つもしくは複数のグラフィカル画像を含むことができる。本方法の実施形態はまた、エネルギー送達を終了するか、または使用者に対してエネルギー送達を終了するべきであることを知らせる出力（たとえば、警告）を生成するステップも含むことができる。いくつかの実施形態では、第１の複数の温度センサの各々は、アブレーションカテーテルの遠位端の周囲で間隔を空けて配置され、第２の複数の温度センサの各々は、アブレーションカテーテルの円周にわたって間隔を空けて配置される。
いくつかの実施形態によれば、システムは、少なくとも第１周波数および第２周波数を電極または複合電極もしくは電極アセンブリの電極部分の対に送達するように構成された少なくとも１つの信号源を備える。システムはまた、第１周波数および第２周波数で信号源によって電極の対に印加されている間にインピーダンス測定値を取得し、第１周波数および第２周波数で取得された電気（たとえば、電圧、電流、インピーダンス）測定値を処理し、電気（たとえば、インピーダンス）測定値の前記処理に基づき、電極の対が組織と接触しているか否かを判断するように構成された処理デバイスも備える。電極の対は、医療器具に沿って（たとえば、アブレーションカテーテルの遠位端に）配置することができる。電極の対は高周波電極を含むことができ、少なくとも１つの信号源は、１つ、２つまたは３つ以上の高周波エネルギー源を備える。
信号源は、電極の対に対して、組織アブレーションに対して構成された周波数を有する信号を生成し、送達し、または印加するように構成された第１信号源と、電極の対に対して、接触検知および／または組織タイプ判断（たとえば、組織が焼灼されているかまたは依然として生存しているか）に適合された周波数を有する信号を生成し、送達し、または印加するように構成された第２信号源とを備えることができる。第１信号源および第２信号源は、エネルギー送達モジュール（たとえば、ＲＦ発生器）内に、または細長い本体もしくは医療器具（たとえば、アブレーションカテーテル）のハンドル内に組み込むことができる。いくつかの実施形態では、第２信号源は接触検知サブシステム内にあり、接触検知サブシステムは、エネルギー送達モジュールおよび医療器具とは別個のかつ分離した構成要素であるか、またはエネルギー送達モジュールもしくは医療器具内に組み込むことができる。一実施形態では、アブレーションまたは他の治療に対して適合された周波数を有
する信号と、接触検知または組織タイプ判断機能に適合された周波数を有する信号とを印加することができる１つの信号源のみが使用される。接触検知または組織タイプ判断に適合された周波数は、治療周波数範囲内または治療周波数範囲外であり得る。例として、１つの限定しない実施形態では、システムは、組織アブレーションまたは他の治療に対して構成された周波数を有するエネルギーを送達するように少なくとも電極部材の対に対して（かつ接地パッドまたは参照電極に対して）信号を生成し、送達し、または印加するように適合されたエネルギー源と、接触検知および／または組織タイプ判断（たとえば、組織が焼灼されたかまたは依然として生存しているか）に対して適合された周波数を有する信号を電極部材の対に対して生成し、送達し、または印加する（接地パッドまたは参照電極に対しては生成、送達、印加されない）ように構成された信号源とを備える。エネルギー源および信号源をともにエネルギー送達モジュール（たとえば、ＲＦ発生器）内に組み込むことができ、または供給源のうちの１つ（たとえば、信号源）を、細長い本体または医療器具（たとえば、アブレーションカテーテル）のハンドル内に組み込むことができる。いくつかの実施形態では、信号源は接触検知サブシステム内にあり、接触検知サブシステムは、エネルギー送達モジュールおよび医療器具とは別個のかつ分離した構成要素であるか、またはエネルギー送達モジュールもしくは医療器具内に組み込むことができる。いくつかの実施形態では、アブレーションまたは他の治療に対して適合された周波数を有する信号を印加するように構成され、かつ接触検知または組織タイプ判断機能に適合された周波数を有する信号を印加するように構成されたことができる単一の信号源が使用される。治療周波数を有する信号はまた、接地パッドまたは参照電極にも送達することができる。
いくつかの実施形態では、システムは、本質的に、医療器具（たとえば、エネルギー送達デバイス）と、１つまたは複数のエネルギー源と、１つまたは複数の信号源と、１つまたは複数の処理デバイスとからなり、またはそれらを備える。医療器具（たとえば、エネルギー送達カテーテル）は、近位端および遠位端を有する細長い本体と、細長い本体の遠位端に配置された電極または電極部分（たとえば、複合またはスプリットチップ電極アセンブリ）の対とを備えることができる。一実施形態では、電極の対は、細長い本体に配置された第１電極と、第１電極に隣接して（たとえば、その近位側に）配置された第２電極とを備える。第１電極および第２電極は、対象者の組織と接触し、組織の表面からある深さで組織を加熱する（たとえば、焼灼しまたは治療する）ように組織にエネルギーを提供するように構成することができる。一実施形態では、電極の対は、第１電極と第２電極との間に配置された絶縁ギャップを備え、絶縁ギャップは、第１電極と第２電極とを分離するギャップ幅を有する。絶縁ギャップ内にセパレータ（たとえば、コンデンサまたは絶縁材料）を配置することができる。
１つまたは複数の信号源は、ある範囲の周波数（たとえば、高周波範囲内の周波数）にわたって信号を送達するように構成することができる。いくつかの実施形態では、処理デバイスは、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体に格納された所定のプログラム命令を実行して、周波数の範囲内の異なる周波数のエネルギーが信号源によって電極の対に印加されている間にインピーダンスまたは他の電気測定値を取得し、第１周波数および第２周波数で取得されたインピーダンスまたは他の電気測定値を処理し、インピーダンスまたは他の電気測定値の前記処理に基づき、電極の対のうちの少なくとも１つ（たとえば、最遠位電極）が組織と接触しているか否かを判断するように構成される。
いくつかの実施形態では、医療器具は、本質的に、高周波アブレーションカテーテルからなり、またはそれを備え、第１電極および第２電極または電極部分は高周波電極を含む。信号源は、高周波（ＲＦ）発生器を含むことができる。一実施形態では、（たとえば、接触検知サブシステムの）信号源によって送達される周波数の範囲は、少なくとも１ｋＨｚ〜５ＭＨｚ（たとえば、５〜１０００ｋＨｚ、１０〜５００ｋＨｚ、５〜８００ｋＨＺ、２０〜８００ｋＨｚ、５０〜５ＭＨｚ、１００〜１０００ｋＨｚ、およびそれらの部分
的に重なる範囲）の範囲を含む。信号源はまた、この範囲を超え、かつこの範囲より小さい周波数信号を送達するように構成することも可能である。周波数は、第１電極および第２電極または電極部分によって取得される高分解能マッピング画像または機能を干渉しないように、電位図マッピング周波数の少なくとも５倍を超えるかまたは少なくとも１０倍を超える可能性がある。一実施形態では、インピーダンス測定値が取得される異なる周波数は、２つの別個の周波数のみからなる。別の実施形態では、異なる周波数は２つ以上の別個の周波数を含む。いくつかの実施形態では、処理デバイスは、周波数の範囲の最小周波数から最大周波数までの周波数の全範囲で電極または電極部分の対に印加される間にインピーダンス測定値を取得するように構成される。一例として、周波数の範囲は５ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚである。第２周波数は第１周波数とは異なる（たとえば、それより高いかまたは低い）可能性がある。
システムは、組織（たとえば、心臓組織）を焼灼するかまたは治療するのに十分なエネルギーを生成するように電極の対に（かつ場合によっては接地パッドまたは参照電極にも）信号を送達するように構成された焼灼エネルギー源（たとえば、ＲＦ発生器等の信号源）を備えることができる。一実施形態では、処理デバイスは、電極の対のうちの少なくとも１つが組織と接触しているか否かの判断に基づいて焼灼エネルギーの１つまたは複数のエネルギー送達パラメータを調整するように構成され、かつ／または電極の対のうちの少なくとも１つが組織と接触しているかまたはその組織が失われたか否かの判断に基づき、エネルギー送達を終了するように構成される。いくつかの実施形態では、焼灼エネルギー源および少なくとも１つの信号源は単一供給源を構成する。他の実施形態では、信号源は第１供給源を含み、焼灼エネルギー源は、第１供給源と分離したかつ別個の第２供給源を含む。いくつかの実施形態では、処理は時間領域で行われる。いくつかの実施形態では、処理は周波数領域で行われる。処理の一部は、時間領域および周波数領域の両方で行うことができる。
いくつかの実施形態では、処理デバイスは、接触を示す出力を生成するように、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体に格納された所定のプログラム命令を実行するように構成される。処理デバイスは、生成された出力が処理デバイスと通信するディスプレイ（たとえば、ＬＣＤまたはＬＥＤモニタ）に表示されるように構成することができる。さまざまな実施形態では、出力は、テキスト情報、定量的情報（たとえば、数値情報、接触が存在するか否かの二値評価）および／または定性的情報（たとえば、接触のレベルを示す色または他の情報）を含む。
いくつかの実施形態によれば、システムは、ある範囲の周波数を有する信号を送達するように構成された信号源と、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体に格納された所定のプログラム命令を実行して、異なる周波数のエネルギーが信号源によって電極の対（たとえば、複合電極、またはスプロットチップ電極アセンブリ）に印加されている間にインピーダンスまたは他の電気測定値を取得し、エネルギーの異なる周波数で取得されたインピーダンス測定値を比較し、電極の対のうちの少なくとも１つと接触している組織が焼灼されたか否かを判断するように構成された処理デバイスとを備える。いくつかの実施形態では、接触判断が行われる周波数の範囲は、５ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚである。異なる周波数は、一実施形態では２つの別個の周波数からなり、または他の実施形態では２つ以上の別個の周波数を含むことができる。処理デバイスは、周波数の範囲の最小周波数から最大周波数までの周波数（たとえば、５ｋＨｚ〜１０００ｋＨＺ）の全範囲が電極の対に印加される間にインピーダンス測定値を取得するように構成することができる。いくつかの実施形態では、インピーダンス測定値の１つの成分（たとえば、インピーダンスの大きさ）が第１周波数で取得され、異なるインピーダンス測定値の第２成分（たとえば、位相角）が第２周波数で取得される。２つ以上の異なる周波数でのインピーダンスの大きさの測定値の比較（たとえば、インピーダンスの導関数対周波数、インピーダンスのデルタまたは勾
配対周波数）を計算することも可能である。２つ以上の異なる周波数でのさまざまなインピーダンス測定値の重み付きの組合せを処理デバイスが計算し、処理デバイスがそれを用いて全体的な接触レベルまたは状態を判断することができる。インピーダンス測定値は、直接取得することができ、または電圧および／または電流測定値等、電気パラメータ測定値に基づいて計算することができる。
いくつかの実施形態では、処理デバイスは、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体に格納された所定のプログラム命令を実行して、電極の対のうちの少なくとも１つと接触している組織が焼灼されたか否かの判断に基づき、組織タイプを示す出力を生成するように構成される。処理デバイスは、生成された出力が処理デバイスと通信するディスプレイに表示されるように構成することができる。出力は、テキスト情報、色または他の定性的情報よび数値情報のうちの１つまたは複数を含むことができる。さまざまな実施形態において、処理デバイスは、電極の対と接触している組織が焼灼されたか否かの判断に基づいて１つまたは複数のエネルギー送達パラメータを調整するように構成され、かつ／または電極の対と接触している組織が焼灼されたか否かの判断に基づき、エネルギー送達を終了するように構成される。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも一部にはインピーダンス測定値に基づき、医療器具が組織と接触しているか否かを判断するシステムは、医療器具の電極の対に異なる周波数を有する信号を送達するように構成された信号源と、電極の対にわたって定式化する（ｆｏｒｍｕｌａｔｅ）結果としての波形を処理して、第１周波数および第２周波数でインピーダンス測定値を取得し、第２周波数および第１周波数でのインピーダンスの大きさの比を求めるように構成された処理デバイスとを備える。求められた比が接触を示す所定閾値未満である場合、処理デバイスは、コンピュータ可読媒体における格納された命令の実行時に、接触を示す第１出力を生成するように構成される。求められた比が所定閾値を超える場合、処理デバイスは、コンピュータ可読媒体における格納された命令の実行時に、非接触を示す第２出力を生成するように構成される。一実施形態では、信号源は高周波エネルギー源を含む。第１周波数および第２周波数は、５ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚであり得る。いくつかの実施形態では、信号源は、組織を焼灼するように適合された周波数を有する信号を生成するように構成される。他の実施形態では、システムは、組織を焼灼するように適合された周波数を有する信号を生成するように構成された第２信号源（または焼灼エネルギー源）を備える。組織アブレーションに適合された周波数は、４００ｋＨｚ〜６００ｋＨｚ（たとえば、４００ｋＨＺ、４５０ｋＨｚ、４６０ｋＨｚ、４８０ｋＨＺ、５００ｋＨｚ、５５０ｋＨｚ、６００ｋＨｚ、４００〜５００ｋＨｚ、４５０〜５５０ｋＨｚ、５００〜６００ｋＨｚ、またはその部分的に重なる範囲）であり得る。さまざまな実施形態では、所定閾値は０．５〜０．９の値である。波形を処理するステップは、電圧および／または電流測定値を取得することと、電圧および／または電流測定値に基づいてインピーダンス測定値を計算するかまたはインピーダンス測定値を直接取得するステップを含むことができる。
少なくとも一部には電気測定値（たとえば、インピーダンス測定値）に基づき、医療器具が標的領域（たとえば、組織）と接触しているか否かを判断する方法は、医療機器の電極または電極部分の対に第１周波数および第２周波数を有する信号を印加するステップと、結果としての波形を処理して第１周波数および第２周波数でのインピーダンス測定値を取得するステップと、第２周波数および第１周波数でのインピーダンスの大きさの間の比を求めるステップとを含むことができる。求められた比が接触を示す所定閾値未満である場合、本方法は接触を示す第１出力を生成するステップを含む。求められた比が所定閾値を超える場合、本方法は、非接触を示す第２出力を生成するステップを含む。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも一部には電気測定値に基づき、医療器具の遠
位部分の標的領域（たとえば、組織）と接触状態を判断するシステムは、複合電極アセンブリの電極部材の対に印加されるように第１周波数および第２周波数を有する少なくとも１つの信号を生成するように構成された信号源を備える。信号源は、接触検知もしくは検出サブシステム、または高周波発生器等のエネルギー送達モジュールの構成要素であり得る。システムはまた、メモリまたは非一時的なコンピュータ可読機構媒体に格納された所定のプログラム命令の実行時に、信号源に対して、電極部材の対に対して少なくとも１つの信号を生成しかつ印加させるように構成されたプロセッサまたは他のコンピューティングデバイスも備える。信号は、単一のマルチトーン波形もしくは信号、または単一周波数を有する複数の波形もしくは信号であり得る。
プロセッサは、電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、複数の周波数のうちの第１周波数で電気測定値を取得し、電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、複数の周波数のうちの第２周波数で第２電気測定値を取得するように構成することができる。プロセッサは、さらに、第１電気測定値（たとえば、電圧および／または電流測定値）に基づいてインピーダンスの大きさを求め、第２電極測定値に基づいてインピーダンスの大きさおよび位相を求め、第１電気測定値に基づくインピーダンスの大きさ、第１電気測定値および第２電気測定値に基づくインピーダンスの大きさの比、および第２電気測定値に基づく位相を結合する基準に基づき、医療器具の遠位端部分と標的領域との間の接触の状態を示す接触表示値を計算するように構成される。第１電気測定値および第２電気測定値は、電圧および／または電流測定値、または電極部材の対の間の直接インピーダンス測定値を含むことができる。いくつかの実施形態では、第１電気測定値および第２電気測定値は、電極と組織との間の電気パラメータの直接測定値を含まないが２つの電極部材の間の測定値である。電圧および／または電流測定値に基づき、インピーダンス測定値を計算することができる。
いくつかの実施形態では、基準は、第１電気測定値に基づくインピーダンスの大きさと、第１電気測定値および第２電気測定値に基づくインピーダンスの大きさの比と、第２電気測定値に基づく位相との重み付きの組合せを含む。いくつかの実施形態では、基準は、図１１および図１１Ａに関連して記載するような、ｉｆ−ｔｈｅｎ ｃａｓｅ条件付き基準を含む。さまざまな実施形態では、接触状態を判断するために、１つのインピーダンス測定値もしくは計算（たとえば、インピーダンスの大きさのみ、インピーダンスの大きさの値の間の勾配のみ、または位相のみ）または２つのタイプのインピーダンス測定値もしくは計算が使用される。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも一部にはインピーダンス測定値に基づき、医療器具が標的領域（たとえば、組織）と接触しているか否かを判断するシステムは、本質的に、（たとえば、医療器具、カテーテルまたはプローブの遠位端に配置された）電極の対に対して第１周波数および第２周波数を有する１つまたは複数の信号を生成するように構成された信号源と、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体に格納された所定のプログラム命令を実行して、電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、第１周波数および第２周波数でインピーダンス測定値を取得するように構成された処理デバイスとからなり、またはそれらを備える。第１周波数および／または第２周波数でのインピーダンスの大きさが接触を示す所定閾値を超える場合、処理デバイスは、コンピュータ可読記憶媒体の格納された命令の実行時に、接触を示す第１出力を生成するように構成される。第１周波数および／または第２周波数でのインピーダンスの大きさが非接触を示す所定閾値未満である場合、処理デバイスは、コンピュータ可読記憶媒体の格納された命令の実行時に、非接触を示す第２出力を生成するように構成される。波形を処理するステップは、電圧および／または電流測定値を取得するステップと、電圧および／または電流測定値に基づいてインピーダンス測定値を計算するか、またはインピーダンス測定値を直接取得するステップとを含むことができる。
少なくとも一部にはインピーダンス測定値に基づき、医療器具が標的領域（たとえば、組織）と接触しているか否かを判断する方法は、電極または電極部分の対に第１周波数および第２周波数を有する少なくとも１つの信号（たとえば、マルチトーン波形）を送達するステップと、電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、第１周波数および第２周波数でのインピーダンス測定値を取得するステップとを含む。第１周波数および／または第２周波数でのインピーダンスの大きさが接触を示す所定閾値を超える場合、方法は、接触を示す第１出力を生成するステップを含む。第１周波数および／または第２周波数でのインピーダンスの大きさが非接触を示す所定閾値未満である場合、本方法は、非接触を示す第２出力を生成するステップを含む。
少なくとも一部にはインピーダンス測定値に基づき、医療器具が標的領域（たとえば、組織）と接触しているか否かを判断する方法は、電極の対に第１周波数および第２周波数を有するマルチトーン波形を含む信号を印加するステップと、結果としての波形を処理して、第１周波数および第２周波数でインピーダンス測定値を取得するステップと、第１周波数および第２周波数でのインピーダンス測定値の値を、血液または血液および生理食塩水混合物の既知のインピーダンス（または他の既知の組織インピーダンス）と比較するステップと、第１周波数および第２周波数でのインピーダンス測定値の値を互いに比較するステップと、前記比較に基づき、医療器具が組織と接触しているか否かを示す出力を生成するステップとを含むことができる。少なくとも一部にはインピーダンス測定値に基づき、医療器具が組織と接触しているか否かを判断するシステムは、（たとえば、スプリットチップ電極カテーテルの遠位端における）電極の対に対する第１周波数および第２周波数を有するマルチトーン波形を生成するように構成された信号源と、処理デバイスとを備えることができる。処理デバイスは、コンピュータ可読記憶媒体の格納された命令の実行時に、結果としての波形を処理して、第１周波数および第２周波数でインピーダンス測定値を取得し、第１周波数および第２周波数でのインピーダンス測定値の値を、血液または血液および生理食塩水混合物の既知のインピーダンスと比較し、第１周波数および第２周波数での前記インピーダンス測定値の値を互いに比較し、および／または前記比較に基づき、医療器具が組織と接触しているか否かを示す出力を生成するように構成することができる。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも一部にはインピーダンス測定値に基づき、電極または電極部分の対を備える医療器具が標的領域（たとえば、組織）と接触しているか否かを判断する方法は、医療器具の電極の対に複数の周波数を有する少なくとも１つの信号（たとえば、マルチトーン波形）を印加するステップと、電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、複数の周波数のうちの第１周波数および第２周波数でインピーダンス測定値を取得するステップとを含む。周波数の範囲にわたるインピーダンス測定値の変動が、パラメータ値が接触を示すモデルに従う場合、本方法は、接触を示す第１出力を生成するステップを含む。周波数の範囲にわたるインピーダンス測定値の変動が、パラメータ値が非接触を示すモデルに従う場合、本方法は、非接触を示す第２出力を生成するステップを含む。モデルは、図５Ｂに示すようなフィッティング関数または回路モデルを含むことができる。少なくとも一部にはインピーダンス測定値に基づき、医療器具が組織と接触しているか否かを判断するシステムは、電極の対に対する第１周波数および第２周波数を有する少なくとも１つの信号を生成するように構成された信号源と処理デバイスとを備える。処理デバイスは、コンピュータ可読媒体における格納された命令の実行時に、医療器具の電極の対に複数の周波数を有する少なくとも１つの信号を印加し、電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、複数の周波数のうちの第１周波数および第２周波数でインピーダンス測定値を取得するように構成することができる。周波数の範囲にわたるインピーダンス測定値の変動が、パラメータ値が接触を示すモデルに従う場合、プロセッサは、接触を示す第１出力を生成するように構成される。周波数の範
囲にわたるインピーダンス測定値の変動が、パラメータ値が非接触を示すモデルに従う場合、プロセッサは、非接触を示す第２出力を生成するように構成される。波形を処理してインピーダンス測定値を取得するステップは、電圧および／または電流測定値を取得するステップと、電圧および／または電流測定値に基づいてインピーダンス測定値を計算するか、またはインピーダンス測定値を直接取得するステップとを含む。
いくつかの実施形態によれば、電極の対を備えるアブレーションカテーテルによって組織が焼灼されたか否かを判断する方法が提供される。本方法は、アブレーションカテーテルに沿った電極の対に対して第１周波数および第２周波数を有する１つまたは複数の信号（たとえば、マルチトーン波形）を印加するステップと、電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、第１周波数および第２周波数でインピーダンス測定値を取得するステップとを含む。本方法は、インピーダンスの絶対変化とともにインピーダンスの間の勾配または比を評価するステップを含むことができる。第１周波数および／または第２周波数の第１インピーダンス測定値が血液の既知のインピーダンスレベルより大きい場合、かつ第１インピーダンス測定値に対する第２インピーダンス測定値の比が所定閾値を超える場合、本方法は、焼灼された組織を示す第１出力を生成するステップを含む。第１周波数および／または第２周波数の第１インピーダンス測定値が血液の既知のインピーダンスレベルより大きい場合、かつ第１インピーダンス測定値に対する第２インピーダンス測定値の比が所定閾値未満である場合、本方法は、生存組織を示す第２出力を生成するステップを含む。波形を処理してインピーダンス測定値を取得するステップは、電圧および／または電流測定値を取得するステップと、電圧および／または電流測定値に基づいてインピーダンス測定値を計算するか、またはインピーダンス測定値を直接取得するステップとを含むことができる。
いくつかの実施形態では、第１周波数および／または第２周波数でのインピーダンス測定値の位相は、血液または血液および生理食塩水混合物に対する既知の位相応答と比較され、インピーダンス測定値の大きさの値とともに利用されて、医療器具が組織と接触しているか否かを示す出力を生成する。電極または電極部分の対を備えるアブレーションカテーテルによって組織が焼灼されたか否かを判断するシステムは、アブレーションカテーテルに沿った電極の対に対する第１周波数および第２周波数を有する少なくとも１つの信号を生成するように構成された信号源と、処理デバイスとを備えることができる。処理デバイスは、コンピュータ可読記憶媒体における格納された命令の実行時に、電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、第１周波数および第２周波数でインピーダンス測定値を取得するように構成することができる。第１周波数および／または第２周波数での第１インピーダンス測定値が血液の既知のインピーダンスレベルより大きい場合、かつ第１インピーダンス測定値に対する第２インピーダンス測定値の比が所定閾値を超える場合、処理デバイスは、焼灼された組織を示す第１出力を生成するように構成される。第１インピーダンス測定値に対する第２インピーダンス測定値の比が所定閾値未満である場合、プロセッサは、生存（未焼灼）組織を示す第２出力を生成するように構成される。波形を処理してインピーダンス測定値を取得するステップは、電圧および／または電流測定値を取得するステップと、電圧および／または電流測定値に基づいてインピーダンス測定値を計算するか、またはインピーダンス測定値を直接取得するステップとを含むことができる。
結果としての波形を処理するステップは、波形に変換（たとえば、フーリエ変換）を適用してインピーダンス測定値を取得するステップを含むことができる。いくつかの実施形態では、第１周波数および第２周波数は、５ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚの範囲内にある。一実施形態では、第２周波数は第１周波数より高い。インピーダンス測定値は、同時にまたは逐次取得することができる。第２周波数は、第１周波数より少なくとも２０ｋＨｚ高い場合がある。一実施形態では、第１周波数は、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ（たとえば、１
０〜３０ｋＨＺ、１５〜４０ｋＨｚ、２０〜５０ｋＨｚ、３０〜６０ｋＨｚ、４０〜８０ｋＨｚ、５０〜９０ｋＨｚ、６０〜１００ｋＨｚ、それらの部分的に重なる範囲、２０ｋＨｚ、または１０ｋＨｚおよび１００ｋＨｚからの任意の値）であり、第２周波数は、４００ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚ（たとえば、４００〜６００ｋＨｚ、４５０〜７５０ｋＨｚ、５００〜８００ｋＨｚ、６００〜８５０ｋＨｚ、７００〜９００ｋＨｚ、８００〜１０００ｋＨｚ、それらの部分的に重なる範囲、８００ｋＨｚ、または４００〜１０００ｋＨｚの任意の値）である。所定閾値は、０．５〜０．９の値を有することができる。いくつかの実施形態では、第１出力を生成するステップおよび第２出力を生成するステップは、第１出力または第２出力がディスプレイに（たとえば、１つまたは複数のディスプレイドライバを介して）表示されるようにするステップを含む。出力は、接触状態を示すテキスト情報、定量的測定値および／または定性的評価を含むことができる。いくつかの実施形態では、出力は、接触のレベルに対応する接触力の量（たとえば、力のグラム）を含む。
少なくとも一部にはインピーダンス測定値に基づき、電極または電極部分の対を有する医療器具が標的領域（たとえば、組織）と接触しているか否かを判断する方法は、ある周波数の範囲内の第１周波数で第１インピーダンス測定値を取得するステップと、周波数の範囲内の第２周波数で第２インピーダンス測定値を取得するステップと、周波数の範囲内の第３周波数で第３インピーダンス測定値を取得するステップとを含むことができる。周波数の範囲にわたるインピーダンス測定値の変動が接触を示す所定閾値を超える場合、本方法は、接触を示す第１出力を生成するステップを含む。周波数の範囲にわたるインピーダンス測定値の変動が所定閾値未満である場合、本方法は、非接触を示す第２出力を生成するステップを含む。インピーダンス測定値は、電圧および／または電流測定値に基づいて計算することができ、または直接測定されたインピーダンス測定値とすることができる。
周波数の範囲は、５ｋＨｚ〜５ＭＨｚ（たとえば、５〜１０００ｋＨｚ、１〜３ＭＨｚ、２．５〜５ＭＨｚ、またはそれらの部分的に重なる範囲）であり得る。一実施形態では、第１周波数は、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ（たとえば、１０〜３０ｋＨＺ、１５〜４０ｋＨｚ、２０〜５０ｋＨｚ、３０〜６０ｋＨｚ、４０〜８０ｋＨｚ、５０〜９０ｋＨｚ、６０〜１００ｋＨｚ、それらの部分的に重なる範囲、２０ｋＨｚ、または１０〜１０００ｋＨｚの任意の値）であり、第２周波数は、４００ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚ（たとえば、４００〜６００ｋＨｚ、４５０〜７５０ｋＨｚ、５００〜８００ｋＨｚ、６００〜８５０ｋＨｚ、７００〜９００ｋＨｚ、８００〜１０００ｋＨｚ、それらの部分的に重なる範囲、８００ｋＨｚ、または４００〜１０００ｋＨｚの任意の値）であり、第３周波数は、２０ｋＨｚ〜８００ｋＨｚである。所定閾値は、０．５〜０．９の値であり得る。いくつかの実施形態では、第１出力を生成するステップおよび第２出力を生成するステップは、第１出力または第２出力がディスプレイに表示されるようにするステップを含む。出力は、接触状態を示すテキスト情報を含むことができる。一実施形態では、出力は、接触の定量的測定値および／または定性的評価を含むことができる。
いくつかの実施形態では、医療器具の遠位端部分は、第１電極部分と第１電極部分から間隔を空けて配置されかつ絶縁された第２電極部分とを備える高分解能電極アセンブリ（たとえば、スプリットチップ電極アセンブリまたは複合高周波電極）を備える。制御ユニットは、高分解能電極アセンブリから信号を受け取るように構成された接触検出サブシステムまたはモジュールを備え、接触検出サブシステムまたはモジュールの制御ユニット（たとえば、プロセッサ）または別個のプロセッサは、高分解能電極アセンブリからの受け取られた信号に基づき組織（たとえば、心臓組織）との接触のレベルまたは接触状態を判断し、少なくとも一部には判断された接触のレベルまたは接触状態に基づき、反力モータによって提供される反力を調整するように構成する（たとえば、特に、非一時的なコンピュータ可読媒体内または上に格納された命令によりプログラムする）ことができる。制御
ユニットは、医療器具の遠位端部分の少なくとも一部と接触している組織のアブレーションを行うのに十分なレベルで高分解能電極アセンブリに高周波電力を印加するように構成された電力送達モジュールをさらに備えることができる。
いくつかの実施形態では、制御ユニット（たとえば、プロセッサ）は、制御ユニットに（たとえば、１つまたは複数のディスプレイドライバを介して）結合されたディスプレイに表示するために接触のレベルを示す出力を生成するように構成される。さまざまな実施形態では、出力は、複数の電気パラメータ測定値（電圧測定値、電流測定値またはインピーダンス測定値等）を結合する１つまたは複数の基準に基づいて求められる接触関数に基づく。一実施形態では、接触関数は、直接測定されるか、または電圧および／または電流測定値に基づいて計算されるインピーダンス（たとえば、双極インピーダンス）測定値の重み付きの組合せを合計することによって求められる。一実施形態では、接触関数は、１つまたは複数のｉｆ−ｔｈｅｎ ｃａｓｅ条件付き基準に基づく。一実施形態では、インピーダンス測定値は、第１周波数で接触検出サブシステムによって求められた１つまたは複数のインピーダンスの大きさと、第１周波数および第２周波数でのインピーダンスの大きさの比と、第２周波数での複素インピーダンス測定値の位相とによって求められる。第２周波数は、第１周波数より高い可能性がある（たとえば、第１周波数より少なくとも２０ｋＨｚ高い）。いくつかの実施形態では、第１周波数および第２周波数は５ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚである。一実施形態では、第１周波数は、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ（たとえば、１０〜３０ｋＨＺ、１５〜４０ｋＨｚ、２０〜５０ｋＨｚ、３０〜６０ｋＨｚ、４０〜８０ｋＨｚ、５０〜９０ｋＨｚ、６０〜１００ｋＨｚ、それらの部分的に重なる範囲、２０ｋＨｚ、または１０〜１０００ｋＨｚの任意の値）であり、第２周波数は、４００ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚ（たとえば、４００〜６００ｋＨｚ、４５０〜７５０ｋＨｚ、５００〜８００ｋＨｚ、６００〜８５０ｋＨｚ、７００〜９００ｋＨｚ、８００〜１０００ｋＨｚ、それらの部分的に重なる範囲、８００ｋＨｚ、または４００〜１０００ｋＨｚの任意の値）であるが、要求および／または必要に応じて他の周波数を使用することができる。いくつかの実施形態では、インピーダンス測定値が取得される周波数は、治療（たとえば、アブレーション）周波数範囲外である。いくつかの実施形態では、フィルタ（バンドパスフィルタ等）を使用して、インピーダンス測定値周波数範囲から治療周波数範囲が隔離される。
いくつかの実施形態では、医療器具のハンドルは、動き検出要素（たとえば、加速度計およびジャイロスコープのうちの少なくとも１つ）をさらに備える。いくつかの実施形態では、第１モータは、動き検出要素がハンドルの動きを検出しているときにのみ駆動されるように構成される。
いくつかの実施形態によれば、医療器具の遠位端部分の標的領域、たとえば組織との接触状態を判断する方法は、医療器具の遠位端部分に沿って配置された複合電極アセンブリの電極または電極部分の対に複数の周波数を有する少なくとも１つの信号を印加するステップを含む。本方法は、電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、複数の周波数のうちの第１周波数で第１インピーダンス測定値を取得するステップと、電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、複数の周波数のうちの第２周波数で第２インピーダンス測定値を取得するステップとを含む。本方法は、第１インピーダンス測定値の大きさを求めるステップと、第２インピーダンス測定値の大きさおよび位相を求めるステップと、接触関数を（たとえば、非一時的なコンピュータ記憶媒体に格納されたコンピュータプログラムの実行を介して）適用して、医療器具の遠位端部分と標的領域（たとえば、心臓組織）との間の接触の状態を示す接触表示値を計算するステップとを含む。接触関数は、第１インピーダンス測定値の大きさと、第１インピーダンス測定値および第２インピーダンス測定値の大きさの比と、第２インピーダンス測定値の位相との重み付きの組合せを合計することによって求めることができる。さまざまな実施形態では、
第１周波数および第２周波数は異なる。一実施形態では、第２周波数は第１周波数より高い。
本方法は、ディスプレイモニタに（たとえば、１つまたは複数のディスプレイドライバを介して）表示されるように接触表示値に対応する出力を生成するステップをさらに含むことができる。いくつかの実施形態では、出力は、定性的出力および／または定量的出力を含む。出力は、０〜１または０〜１．５の数値を含むことができ、１を超える値は過剰な接触を示す。いくつかの実施形態では、出力は、接触力の量（たとえば、接触力のグラム）に対応するパーセンテージ値または数字を含む。出力は、接触状態を示す色および／もしくはパターン、ならびに／またはゲージ、バーもしくはスケールのうちの１つまたは複数を含むことができる。
いくつかの実施形態によれば、少なくとも一部には電気パラメータ測定値に基づき、医療器具の遠位端部分の標的領域（たとえば、組織）との接触状態を判断するシステムは、本質的に、複合電極アセンブリの電極部材の対（たとえば、ギャップによって分離された２つの電極部材）に印加される第１周波数および第２周波数を有する少なくとも１つの信号を生成するように構成された信号源からなり、またはそれを備える。本システムはまた、本質的に、（ａ）信号源に対して、少なくとも１つの信号を生成して電極部材の対に印加させ、（ｂ）電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、第１周波数で第１電気測定値を取得し、（ｃ）電極の対にわたって定式化する結果としての波形を処理して、複数の周波数のうちの第２周波数で第２インピーダンス測定値を取得し、（ｄ）第１電気測定値に基づいてインピーダンスの大きさを求め、（ｅ）第２電気測定値に基づいてインピーダンスの大きさおよび位相を求め、（ｆ）第１電気測定値に基づくインピーダンスの大きさと、第１電気測定値および第２電気測定値に基づくインピーダンスの大きさの比と、第２電気測定値に基づく位相とを組み合わせる基準に基づき、医療器具の遠位端部分と標的領域との間の接触の状態を示す接触表示値を計算するように構成された処理デバイスからなり、またはそれを備える。電気測定値は、電圧、電流および／または他の電気パラメータ測定値を含むことができ、そこから、インピーダンス測定値（インピーダンスの大きさまたは位相等）を計算することができ、または電気測定値は、直接取得されたインピーダンス測定値を含むことができる。基準は、第１電気測定値と、第１電気測定値および第２電気測定値に基づくインピーダンス測定値の比と、第２電気測定値に基づく位相との重み付きの組合せを含むことができ、または基準はｉｆ−ｔｈｅｎ ｃａｓｅ条件付き基準を含むことができる。
いくつかの実施形態では、本システムは、高周波アブレーションカテーテルであり得る医療器具をさらに備える。第１周波数および第２周波数は異なる場合がある。いくつかの実施形態では、第２周波数は第１周波数より高い。他の実施形態では、第２周波数は第１周波数より低い。いくつかの実施形態では、第１周波数および第２周波数は、５ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚ（たとえば、５〜５０ｋＨｚ、１０〜１００ｋＨｚ、５０〜２００ｋＨｚ、１００〜５００ｋＨｚ、２００〜８００ｋＨｚ、４００〜１０００ｋＨｚ、またはそれらの部分的に重なる範囲）である。さまざまな実施形態では、２つの周波数は、少なくとも２０ｋＨｚ周波数が離れている。
いくつかの実施形態では、プロセッサは、コンピュータ可読媒体内または上に格納された所定の命令の実行時に、ディスプレイモニタに表示する接触表示値に対応する出力を生成するようにさらに構成される。いくつかの実施形態では、出力は、０〜１の数値を含む。いくつかの実施形態では、出力は、定性的出力（接触状態を示す色および／またはパターン等）を含む。いくつかの実施形態では、出力は、ゲージ、バー、メータまたはスケールのうちの１つまたは複数を含む。一実施形態では、出力は、変化する接触のレベルまたは接触状態を示す複数の領域（たとえば、２つ、３つ、４つ、５つまたは６つ以上の領域
またはセグメント）を有する仮想ゲージを含む。複数の領域を異なる色で表すことができる。複数の領域の各々は、変化する接触のレベルを示す数値の異なる範囲に対応することができる。
いくつかの実施形態によれば、医療器具の遠位チップの標的領域（たとえば、体内組織）との接触状態を患者モニタに表示するシステムは、患者モニタに表示する出力を生成するように構成されたプロセッサを備える。出力は、患者モニタのグラフィカルユーザインタフェースにおいて生成することができる。一実施形態では、出力は、少なくとも一部には医療器具によって取得されるインピーダンス測定値に基づいて処理デバイスによって計算される、医療器具の遠位チップと体内組織との間の接触状態を示す接触関数を表示するグラフを含む。グラフは、スクロールする波形であり得る。出力はまた、グラフによって表示される接触関数のリアルタイム数値に対応するリアルタイムの接触状態を示す、グラフとは別個のゲージも含む。ゲージは、変化する接触状態を示す複数の領域を含む。いくつかの実施形態では、複数の領域のうちの各領域は、任意選択的に、リアルタイムの接触状態の定性的表示を提供するように異なる色または目盛りで表示される。一実施形態では、ゲージは、３つの領域またはセグメントからなる。３つの領域に対して、赤色、黄色および緑色で着色することができる。別の実施形態では、ゲージは４つの領域またはセグメントからなる。４つの領域に対して、赤色、オレンジ色、黄色および緑色で着色することができる。複数の領域の各々は、現接触状態を示す数値の異なる範囲に対応することができる。ゲージは、接触関数のリアルタイムな数値に対応するゲージにおけるレベルを示すポインタを含むことができる。リアルタイム数値は、０〜１、または０〜１．２５、または０〜１．５の範囲とすることができる。１を超える値は、組織の穿孔をもたらす可能性がある過剰な接触を防止する、臨床医に対する「接触警告」を生成することができる。
出力は、複数の周波数でのインピーダンス測定値（たとえば、インピーダンスの大きさおよび位相）の個々の成分、または２つのインピーダンス測定値（たとえば、２つの異なる周波数でのインピーダンスの大きさ）の比較（たとえば、勾配）の他のグラフまたは波形も含むことができる。
いくつかの実施形態では、接触関数は、第１周波数での第１インピーダンス測定値の大きさと、第１インピーダンス測定値と第１周波数とは異なる第２周波数での第２インピーダンス測定値との大きさの比と、第２周波数での第２インピーダンス測定値の位相との重み付きの組合せに基づいて計算される。一実施形態では、第２周波数は第１周波数より高い。別の実施形態では、第２周波数は第１周波数より低い。第１周波数および第２周波数は、５ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚであり得る。いくつかの実施形態では、システムは患者モニタをさらに備える。
いくつかの実施形態によれば、複合電極アセンブリの間隔を空けて配置された電極部材の対を有するアブレーションカテーテルの遠位端部分と、標的領域、たとえば組織との間の接触のレベルを評価するシステムは、間隔を空けて配置された電極部材の対に印加される、少なくとも第１周波数および第２周波数を有する信号を生成するように構成された信号源を備える。システムはまた、コンピュータ可読記憶媒体に格納された所定のプログラム命令の実行時に、信号源と間隔を空けて配置された電極部材の対との間に複数のハードウェアコンポーネントを備えるネットワーク測定回路の入力において、ネットワークパラメータを測定するように構成されたプロセッサを備える。プロセッサはまた、ネットワーク測定回路のハードウェアコンポーネントによってもたらされる測定されたネットワークパラメータ値に対する総合的な影響を求め、総合的な影響を除去して、間隔を空けて配置された電極部材の対の間の補正されたネットワークパラメータ値をもたらし、少なくとも一部には補正されたネットワークパラメータ値に基づいて接触のレベルを求めるように構成することも可能である。
いくつかの実施形態では、プロセッサは、表示する接触のレベルを示す出力を生成するように構成される。信号源は、高周波発生器内にまたはアブレーションカテーテル内に配置することができる。プロセッサは、少なくとも２つの周波数（たとえば、２つの周波数、３つの周波数、４つの周波数、または５つ以上の周波数）でネットワークパラメータを測定するように構成することができる。いくつかの実施形態では、周波数は、５ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚである。２つの周波数を含む実施形態では、第２周波数は、第１周波数より少なくとも２０ｋＨｚ高い場合がある。たとえば、第１周波数は１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚである場合があり、第２周波数は４００ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚである。第３周波数は、第１周波数より高く、かつ第２周波数より低い可能性がある（たとえば、第３周波数は２０ｋＨｚ〜１２０ｋＨｚであり得る）。
ネットワークパラメータは、散乱パラメータまたは他の電気パラメータ（電圧、電流、インピーダンス等）を含むことができる。ネットワークパラメータ値は、たとえば、電圧および電流値、または直接測定されるかもしくは電圧および／または電流値から求められるインピーダンス値を含むことができる。インピーダンス値は、インピーダンスの大きさの値およびインピーダンスの位相の値を含むことができる。インピーダンスの大きさの値は、２つ以上の周波数で取得することができ、異なる周波数での大きさの値の間で勾配を求めることができる。インピーダンスの位相の値は、１つまたは複数の周波数で取得することができる。
いくつかの実施形態によれば、間隔を空けて配置された電極部材の対を有するアブレーションカテーテルの遠位端部分の接触レベルの判断を評価する方法は、信号源と間隔を空けて配置された電極部材の対との間のハードウェアコンポーネントのネットワークパラメータ回路の入力においてネットワークパラメータを測定するステップを含む。本方法はまた、ハードウェアコンポーネントによってもたらされるネットワークパラメータから求められる測定されたネットワークパラメータ値に対する総合的な影響を求めるステップと、総合的な影響を除去して、間隔を空けて配置された電極部材の対の間の補正されたネットワークパラメータ値をもたらすステップと、少なくとも一部には補正されたネットワークパラメータ値に基づいて接触のレベルを求めるステップとを含む。
ネットワークパラメータを測定するステップは、複数の周波数でネットワークパラメータを測定するステップを含むことができる。いくつかの実施形態では、ネットワークパラメータ回路のハードウェアコンポーネントによってもたらされる測定されたネットワークパラメータ値に対する総合的な影響を求めるステップは、各個々のハードウェアコンポーネントに関連するネットワークパラメータを測定するステップを含む。いくつかの実施形態では、ネットワークパラメータ回路のハードウェアコンポーネントによってもたらされる測定されたネットワークパラメータ値に対する総合的な影響を求めるステップは、個々のハードウェアコンポーネントのネットワークパラメータを結合して複数の周波数での全体的なネットワークパラメータにするステップを含む。間隔を空けて配置された電極部材の対の間で実際のネットワークパラメータ値を隔離するように総合的な影響を除去するステップは、測定された入力反射係数から全体的なネットワークパラメータを取り除いて、実際のネットワークパラメータ値に対応する実際の反射係数をもたらすステップを含むことができる。いくつかの実施形態では、本方法は、プロセッサによって自動的に行われる。
処理デバイス（たとえば、プロセッサまたはコントローラ）は、メモリまたは非一時的な記憶媒体内に格納された命令の実行時に、本明細書に列挙した動作を実行するように構成することができる。上に概説しさらに詳細に後述する方法は、医師によって行われる行為について記載している場合があるが、それらは、他者によるそれらの行為の命令も含む
可能性があることが理解されるべきである。たとえば、「エネルギー送達を終了すること」等の行為は、「エネルギー送達の終了を命令すること」を含む。本発明の実施形態のさらなる態様について、本明細書の以下の部分において考察する。図面に関して、１つの図の要素を他の図の要素と組み合わせることができる。
いくつかの実施形態によれば、アブレーションシステムは、本質的に、カテーテルと、アブレーション部材（たとえば、ＲＦ電極、スプリットチップ電極、別のタイプの高分解能電極等）と、カテーテルの内部を通ってアブレーション部材までまたはその近くまで延在する灌注導管と、アブレーション部材を選択的に作動させる少なくとも１つの導体（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）と、アブレーション部材の少なくとも一部（たとえば、アブレーション部材の近位部分）を灌注導管と熱連通させる少なくとも１つの伝熱部材と、電極および／または治療されている組織から離れるように有効に熱を伝達するように構成された少なくとも１つの熱シャント部材と、カテーテルの２つの異なる長手方向位置に沿って配置される複数の温度センサ（たとえば、熱電対）であって、電極から断熱されかつある深さの組織の温度を検出するように構成された温度センサとからなる。
上に概説しさらに詳細に後述する方法は、医師によって行われる行為について記載している場合があるが、それらは、他者によるそれらの行為の命令も含む可能性があることが理解されるべきである。たとえば、「エネルギー送達を終了すること」等の行為は、「エネルギー送達の終了を命令すること」を含む。本発明の実施形態のさらなる態様について、本明細書の以下の部分において考察する。図面に関して、１つの図の要素を他の図の要素と組み合わせることができる。
本出願のこれらおよび他の特徴、態様および利点について、本明細書に開示する概念を例示するように意図されているが限定するようには意図されていない、いくつかの実施形態の図面を参照して説明する。添付図面は、本明細書に開示する実施形態のうちの少なくともいくつかの概念を例示する目的で提供されており、正確な縮尺ではない可能性がある。
対象者の標的組織を選択的に焼灼するかまたは加熱するように構成された、エネルギー送達システムの一実施形態を概略的に示す。 一実施形態による高分解能チップ設計を備えるシステムのカテーテルの側面図を示す。 別の実施形態による高分解能チップ設計を備えるシステムのカテーテルの側面図を示す。 さらに別の実施形態による高分解能チップ設計を備えるシステムのカテーテルの側面図を示す。 各々がカテーテルシャフトにおいて円周方向に分散配置された別個のセクションからなる、２つの高分解能セクション電極を備えるシステムのカテーテルの実施形態を示す。 カップリングコンデンサからなるハイパスフィルタリング素子の一実施形態を概略的に示す。フィルタリング素子は、高分解能チップ設計を備えるシステムのカテーテルに組み込むことができる。 カップリングコンデンサを備える４つのハイパスフィルタリング素子の一実施形態を概略的に示す。フィルタリング素子は、動作ＲＦ周波数範囲で、システムのカテーテル電極の別個の電極セクション、たとえば図５に示すセクションを作動的に結合することができる。 アブレーション処置が適切に行われたか否かを検出するように構成された、本明細書に開示する高分解能チップ電極システムから取得されるＥＫＧの実施形態を示す。 一実施形態による、電極と、使用中に灌注導管への熱の伝達を促進する熱シャント網とを備えるアブレーションシステムのカテーテルの斜視図を示す。 図９のシステムの部分的に露出した図を示す。 別の実施形態による、電極と、使用中に灌注導管への熱の伝達を促進する熱シャント網とを備えるアブレーションシステムのカテーテルの斜視図を示す。 一実施形態による、電極と、使用中に灌注導管への熱の伝達を促進する熱シャント網とを備えるアブレーションシステムのカテーテルの断面図を示す。 開放灌注冷却システムを備えたアブレーションシステムのカテーテルの一実施形態の部分断面斜視図を示す。 閉鎖灌注冷却システムを備えたアブレーションシステムのカテーテルの一実施形態の部分断面斜視図を示す。 アブレーションシステムのカテーテルの別の実施形態の部分断面斜視図を示す。 伝熱（たとえば、熱シャント）部材を備えたスプリットチップＲＦアブレーションシステムの一実施形態の遠位端の側面斜視図を示す。 図１６Ａのシステムの部分断面斜視図を示す。 スプリットチップ電極および伝熱（たとえば、熱シャント）部材を備えるアブレーションシステムの別の実施形態の部分断面斜視図を示す。 伝熱（たとえば、熱シャント）部材と近位側電極またはスラグを通って延在する流体出口とを備えるスプリットチップＲＦアブレーションシステムの一実施形態の遠位端の側面斜視図を示す。 図１７Ａのシステムの部分断面斜視図を示す。 一実施形態による、複数の温度測定デバイスを有する開放灌注式アブレーションカテーテルの遠位部分の斜視図を示す。 別の実施形態による、複数の温度測定デバイスを有する開放灌注式アブレーションカテーテルの遠位部分のそれぞれ斜視図および断面図を示す。 別の実施形態による、複数の温度測定デバイスを有する開放灌注式アブレーションカテーテルの遠位部分のそれぞれ斜視図および断面図を示す。 別の実施形態による、複数の温度測定デバイスを有するアブレーションカテーテルの遠位部分の斜視図を示す。 一実施形態による、電極チップからの遠位側温度測定デバイスの隔離を示す、アブレーションカテーテルの遠位部分のそれぞれ斜視図および断面図を示す。 一実施形態による、電極チップからの遠位側温度測定デバイスの隔離を示す、アブレーションカテーテルの遠位部分のそれぞれ斜視図および断面図を示す。 一実施形態による、複数の温度測定デバイスを有する閉鎖灌注式アブレーションカテーテルの遠位部分の斜視図を示す。 別の実施形態による、複数の温度測定デバイスを有する閉鎖灌注式アブレーションカテーテルの遠位部分のそれぞれ斜視図および断面図を示す。 別の実施形態による、複数の温度測定デバイスを有する閉鎖灌注式アブレーションカテーテルの遠位部分のそれぞれ斜視図および断面図を示す。 一実施形態による、非スプリットチップ設計を備える開放灌注式アブレーションカテーテルの遠位部分の斜視図を示す。 一実施形態による、垂直な向きで焼灼される組織と接触している開放灌注式アブレーションカテーテルの遠位部分と、アブレーションカテーテルを用いて形成された損傷部とを概略的に示す。 一実施形態による、平行の向きで焼灼される組織と接触している開放灌注式アブレーションカテーテルの遠位部分と、アブレーションカテーテルを用いて形成された損傷部とを概略的に示す。 一実施形態による、補正係数または関数によって温度測定デバイスの温度に損傷部温度のピークを相関させ得ることを示すグラフである。 組織内のさまざまな深さにおける実際の組織測定値に対して比較された、複数の温度測定デバイスを有するアブレーションカテーテルの実施形態によって求められる推定ピーク温度を示すプロットである。 それぞれ平行の向きおよび斜めの向きに対するアブレーションカテーテルの実施形態の複数の温度測定デバイスによって取得された温度測定値を示すプロットを示す。 それぞれ平行の向きおよび斜めの向きに対するアブレーションカテーテルの実施形態の複数の温度測定デバイスによって取得された温度測定値を示すプロットを示す。 スプリットチップ電極が組織と接触するか否かを判断するために、図２のスプリットチップ電極設計に可変周波数が印加されている一実施形態を概略的に示す。 周波数の範囲にわたって血液／生理食塩水および組織の正規化抵抗を示すプロットである。 インピーダンス測定に利用される４トーン波形のプロットである。 ４つの周波数でのトーンによるインピーダンス対周波数のプロットである。 一実施形態による、接触検知機能を行うと同時に電位図（ＥＧＭ）測定を行うように構成された接触検知サブシステムの一実施形態を概略的に示す。 周波数スペクトルのゼロ交差を示し、ＥＧＭ周波数での干渉を回避するように、周波数間の切替をゼロ交差で発生するように設計し得ることを示すために使用される。 ２つの電極または電極部分を横切って測定されるように、組織または血液または血液／生理食塩水の組合せのインピーダンスの挙動について記載するように、回路モデルの一実施形態を概略的に示す。 一実施形態による、待機モードにある接触検知回路と治療モードにある高周波エネルギー送達回路との間で切り替わるように構成された回路の一実施形態を概略的に示す。 一実施形態による、高周波エネルギーが送達されている間に接触検知機能を行うように構成された回路の一実施形態を概略的に示す。 ある範囲の周波数にわたるＬＣ回路素子のインピーダンスのプロットである。 ある範囲の周波数にわたる焼灼組織、生存組織および血液の抵抗またはインピーダンスの大きさの値を示すプロットである。 ある範囲の周波数にわたる焼灼組織、生存組織および血液のインピーダンス値の位相を示すプロットである。 組織状態とともに接触状態を判断するために、インピーダンスの大きさ、２つの周波数でのインピーダンスの大きさの比、およびインピーダンス位相のデータを利用する検知アルゴリズムの一実施形態を示す。 接触基準プロセスの実施形態を示す。 図３２の接触基準プロセスのサブプロセスの実施形態を示す。 高分解能複合電極デバイスによる組織接触を示す出力のディスプレイのグラフィカルユーザインタフェースの実施形態を示す。 ネットワーク測定回路のあり得るハードウェアコンポーネントの概略図を示す。 回路に存在する１つまたは複数のハードウェアコンポーネントの影響を除去するように、ネットワーク測定回路を（たとえば、自動的に）校正するように構成された、自動校正回路の実施形態の概略図を示す。 インピーダンス測定回路に存在するハードウェアコンポーネントに対する等価回路モデルの一実施形態の概略図を示す。
いくつかの実施形態によれば、電気生理学処置の成功には、標的とされている解剖学的基質に関する精密な知識が必要である。加えて、アブレーション処置を行った後の短期間内にアブレーション処置の転帰を評価する（たとえば、所望の臨床転帰が達成されたことを確認する）ことが望ましい場合がある。通常、アブレーションカテーテルには、標準的なマッピング電極（たとえば、ＥＣＧ電極）のみが含まれる。しかしながら、いくつかの実施形態では、こうしたカテーテルが高分解能マッピング能力を組み込むことが望ましい場合がある。いくつかの実施形態では、高分解能マッピング電極は、解剖学的基質およびアブレーション処置の転帰に関するより正確かつより詳細な情報を提供することができる。たとえば、こうした高分解能マッピング電極により、電気生理学（ＥＰ）専門家は、電位図の形態、それらの振幅および幅を評価し、かつ／またはペーシング閾値の変化を求めることができる。いくつかの構成によれば、形態、振幅および／またはペーシング閾値は、アブレーションの転帰に関する有用な情報を提供する信頼性の高いＥＰマーカとして受け入れられる。したがって、高分解能電極は、組織に対して、こうした組織に／組織から熱を伝達することができる焼灼エネルギーまたは他のエネルギーを送達することができる一方で、隣接する組織の正確なマッピングデータを取得することができる任意の電極として定義され、限定なしに、スプリットチップＲＦ電極、他の近接して向けられた電極または電極部分等を含む。
いくつかの実施形態によれば、本出願は、以下の特徴のうちの１つまたは複数を含む装置、システムおよび／または方法を開示する。すなわち、高分解能電極（たとえば、スプリットチップ電極）、電極および／または治療されている対象者の組織から熱を放散させるのに役立つ熱分流概念、特に、ある深さにおける対象者の温度を求める、装置の外側に沿って配置された複数の温度センサ、ならびに装置が標的組織と接触しているか否かおよびどの程度接触しているかを求めるのに役立つ接触検知機能である。
本発明のいくつかの実施形態は、以下の利点のうちの１つ、いくつかまたはすべてを含むため、特に有利である。すなわち、（ｉ）焼灼エネルギーを送達する同じ電極を用いて正確な組織マッピングデータを取得することができるようにし、（ｉｉ）近位縁部の加熱を低減させ、（ｉｉｉ）焦げまたは血栓の形成の可能性を低減させ、（ｉｖ）リアルタイムにアブレーション処置を調整するために使用することができるフィードバックを提供し、（ｖ）非侵襲性温度測定を提供し、（ｖｉ）放射測定の使用は不要であり、（ｖｉｉ）灌注式または非灌注式のアブレーション中に組織温度のモニタリングおよびフィードバックを提供し、（ｖｉｉ）使用者に対して複数の形態の出力またはフィードバックを提供し、（ｉｘ）より安全かつより信頼性の高いアブレーション処置を提供する。
高分解能電極
いくつかの実施形態によれば、本明細書では、高分解能マッピングに使用することができる電極（たとえば、高周波すなわちＲＦ電極）のさまざまな実施形態について開示する。たとえば、本明細書においてより詳細に考察するように、アブレーションまたは他のエネルギー送達システムは、高分解能チップ設計を備えることができ、エネルギー送達部材（たとえば、高周波電極）は、２つ以上の別個の電極または電極部分を備える。本明細書において同様に考察するように、いくつかの実施形態では、こうした別個の電極または電極部分を、有利には、（たとえば、標的組織の所望の加熱またはアブレーションをまとめてもたらすように）互いに電気的に結合することができる。
図１は、標的組織（たとえば、心臓組織、肺静脈、他の血管または器官等）を選択的に焼灼し、刺激し、調整し、かつ／または加熱もしくは処理するエネルギー送達システム１０の一実施形態を概略的に示す。本明細書に開示するいくつかの実施形態は、アブレーシ
ョンシステムおよび方法に関して記載するが、システムおよび方法のうちの任意のものを用いて、要求または必要に応じて、部分的または完全なアブレーションがあってもなくても、組織を刺激し、調整し、加熱し、かつ／または組織に影響を与えることができる。図示するように、システム１０は、医療器具２０（たとえば、カテーテル）を含むことができ、それは、その医療器具２０の遠位端に沿って１つまたは複数のエネルギー送達部材３０（たとえば、高周波電極）を備える。医療器具は、治療されている対象者を通して管腔内に（たとえば、血管内に）通されるようなサイズとし、形状とし、かつ／またはそのように他の方法で構成することができる。さまざまな実施形態では、医療器具２０は、カテーテル、シャフト、ワイヤおよび／または他の細長い器具を含む。他の実施形態では、医療器具は、血管内に配置されず、腹腔鏡または開腹処置を介して血管外に配置される。さまざまな実施形態では、医療器具２０は、カテーテル、シャフト、ワイヤおよび／または他の細長い器具を含む。いくつかの実施形態では、医療器具２０の遠位端に、またはその細長いシャフトに沿ってもしくはそのハンドル内に、１つまたは複数の温度検知デバイスまたはシステム６０（たとえば、熱電対、サーミスタ等）を含めることができる。「遠位端」という用語は、必ずしも遠位先端または遠位端を意味するとは限らない。遠位端は、遠位先端、または遠位先端から間隔が空けられているが概して医療器具２０の遠位端部分における位置を意味することができる。
いくつかの実施形態では、医療器具２０は、１つまたは複数の装置または構成要素に作動的に結合される。たとえば、図１に示すように、送達モジュール４０（エネルギー送達モジュール等）に医療器具２０を結合することができる。いくつかの構成によれば、エネルギー送達モジュール４０は、医療器具２０に沿って配置されたエネルギー送達部材３０（たとえば、高周波電極）を選択的に通電しかつ／または作動させるように構成されたエネルギー発生装置４２を含む。いくつかの実施形態では、たとえば、エネルギー発生装置４２は、高周波発生器、超音波エネルギー源、マイクロ波エネルギー源、レーザ／光源、別のタイプのエネルギー源または発生器等、およびそれらの組合せを含む。他の実施形態では、エネルギー発生装置４２は、極低温流体または温度を変調する他の流体等、流体源に置き換えられるかまたはそれに加えて使用される。同様に、本明細書で用いる送達モジュール（たとえば、送達モジュール４０）は、極低温装置または温度変調に対して構成された他の装置でもあり得る。
図１の概略図を続けて参照すると、エネルギー送達モジュール４０は、たとえば、タッチスクリーンデバイス、スクリーンまたは他のディスプレイ、コントローラ（たとえば、ボタン、つまみ、スイッチ、ダイヤル等）、キーパッド、マウス、ジョイスティック、トラックパッドまたは他の入力デバイス等、１つまたは複数の入出力デバイスまたはコンポーネント４４を含むことができる。こうしたデバイスにより、医師または他の使用者は、システム１０に情報を入力しかつ／またはシステム１０から情報を受け取ることができる。いくつかの実施形態では、出力デバイス４４は、組織温度情報、接触情報、他の測定情報および／もしくは他のデータ、または特定の治療処置を調節するために有用であり得る指標を提供する、タッチスクリーンまたは他のディスプレイを含むことができる。
いくつかの実施形態によれば、エネルギー送達モジュール４０は、治療システム１０の１つまたは複数の態様を調節するように構成されるプロセッサ４６（たとえば、処理または制御ユニット）を含む。モジュール４０はまた、システム１０の動作に関連する動作パラメータおよび／または他のデータを格納するために使用することができる、メモリユニットまたは他の記憶デバイス４８（たとえば、コンピュータ可読媒体）も備えることができる。いくつかの実施形態では、プロセッサ４６は、１つまたは複数の動作方式に基づき、エネルギー発生装置４２から医療器具２０のエネルギー送達部材３０へのエネルギーの送達を自動的に調節するように構成される。たとえば、エネルギー送達部材３０に提供されるエネルギー（したがって、標的組織にまたは標的組織から伝達される熱の量）は、特
に、治療されている組織の検出された温度に基づいて調節することができる。
いくつかの実施形態によれば、エネルギー送達システム１０は、たとえば、基準温度デバイス（たとえば、熱電対、サーミスタ等）等、１つまたは複数の温度検出デバイスを含むことができる。たとえば、いくつかの実施形態では、デバイスは、治療されている組織のピーク（たとえば、高いまたは山、低いまたは谷等）温度を求めるのに役立つように、１つもしくは複数の温度センサまたは他の温度測定デバイスをさらに備える。いくつかの実施形態では、アブレーション部材（たとえば、ＲＦ電極）に、それに沿ってかつ／またはその近くに配置された温度センサ（たとえば、熱電対）は、アブレーション部材と標的組織との間に接触がなされているか否か（かつ／またはこうした接触がどの程度までなされているか）の判断に役立つことができる。いくつかの実施形態では、こうしたピーク温度は、放射測定を用いることなく求められる。ピーク組織温度を求めかつ／または組織接触を確認もしくは評価するための温度センサ（たとえば、熱電対）の使用に関するさらなる詳細について、本明細書に提供する。
図１を参照すると、エネルギー送達システム１０は、灌注流体システム７０を備える（または灌注流体システム７０と流体連通して配置されるように構成される）。いくつかの実施形態では、図１に概略的に示すように、こうした流体システム７０は、エネルギー送達モジュール４０および／またはシステム１０の他の構成要素とは少なくとも部分的に分離している。しかしながら、他の実施形態では、灌注流体システム７０は、エネルギー送達モジュール４０に少なくとも部分的に組み込まれる。灌注流体システム７０は、カテーテル２０の１つもしくは複数の内腔または他の通路を通して流体を選択的に移動させるように構成される、１つもしくは複数のポンプまたは他の流体移送装置を含むことができる。こうした流体を用いて、使用中にエネルギー送達部材３０を選択的に冷却する（たとえば、エネルギー送達部材３０から離れるように熱を伝達する）ことができる。
図２は、医療器具（たとえば、カテーテル）２０の遠位端の一実施形態を示す。図示するように、カテーテル２０は、高分解能チップ設計を含むことができ、ギャップＧによって分離される２つの隣接する電極または２つの隣接する電極部分３０Ａ、３０Ｂがある。いくつかの実施形態によれば、図２の構成に示すように、異なる電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂの相対的な長さを変更することができる。たとえば、近位側電極３０Ｂの長さは、要求または必要に応じて、遠位側電極３０Ａの１〜２０倍（たとえば、１〜２倍、２〜３倍、３〜４倍、４〜５倍、５〜６倍、６〜７倍、７〜８倍、８〜９倍、９〜１０倍、１０〜１１倍、１１〜１２倍、１２〜１３倍、１３〜１４倍、１４〜１５倍、１５〜１６倍、１６〜１７倍、１７〜１８倍、１８〜１９倍、１９〜２０倍、上記範囲の間の値等）であり得る。他の実施形態では、近位側電極３０Ｂの長さは、遠位側電極３０Ａの２０倍より大きい（たとえば、２０〜２５倍、２５〜３０倍、３０倍より大きい等）場合がある。さらに他の実施形態では、遠位側電極３０Ａおよび近位側電極３０Ｂの長さは略等しい。いくつかの実施形態では、遠位側電極３０Ａは、（たとえば、１〜２倍、２〜３倍、３〜４倍、４〜５倍、５〜６倍、６〜７倍、７〜８倍、８〜９倍、９〜１０倍、１０〜１１倍、１１〜１２倍、１２〜１３倍、１３〜１４倍、１４〜１５倍、１５〜１６倍、１６〜１７倍、１７〜１８倍、１８〜１９倍、１９〜２０倍、上記範囲の間の値等、１〜２０倍）近位側電極３０Ｂより長い。
いくつかの実施形態では、遠位側電極または電極部分３０Ａは、０．５ｍｍ長である。他の実施形態では、遠位側電極または電極部分３０Ａは、０．１〜１ｍｍ長（たとえば、０．１〜０．２ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１ｍｍ、上記範囲の間の値等）である。他の実施形態では、要求または必要に応じて、遠位側電極または電極部分３０Ａは、長さが１ｍｍより大きい。いくつかの実施形態では、近位側電極または電極部分３０Ｂは、２〜４ｍｍ長（たとえば、２〜２．５ｍｍ、２．５〜３ｍｍ、３〜３．５ｍｍ、３．５〜４ｍｍ、上記範囲間の長さ等）である。しかしながら、他の実施形態では、要求または必要に応じて、近位側電極部分３０Ｂは、４ｍｍより大きい（たとえば、４〜５ｍｍ、５〜６ｍｍ、６〜７ｍｍ、７〜８ｍｍ、８〜９ｍｍ、９〜１０ｍｍ、１０ｍｍより大きい等）であるか、または２ｍｍより小さい（たとえば、０．１〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１〜１．５ｍｍ、１．５〜２ｍｍ、上記範囲の間の長さ等）である。高分解能電極がカテーテルシャフトに配置される実施形態では、電極の長さは１〜５ｍｍ（たとえば、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、４〜５ｍｍ、上記範囲の間の長さ等）であり得る。しかしながら、他の実施形態では、要求または必要に応じて、電極は、５ｍｍより長い（たとえば、５〜６ｍｍ、６〜７ｍｍ、７〜８ｍｍ、８〜９ｍｍ、９〜１０ｍｍ、１０〜１５ｍｍ、１５〜２０ｍｍ、上記範囲の間の長さ、２０ｍｍを超える長さ等）場合がある。
上述したように、高分解能チップ設計の使用により、使用者は、単一の構成で同時に、標的組織を焼灼するかまたは熱処理し、（たとえば、高分解能マッピングを用いて）マッピングすることができる。したがって、こうしたシステムにより、有利には、処理中に（たとえば、所望のレベルの治療が行われたことを確認するため）精密な高分解能マッピングを可能にすることができる。いくつかの実施形態では、２つの電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂを含む高分解能チップ設計を用いて、高分解能双極電位図を記録することができる。こうした目的で、２つの電極または電極部分をＥＰレコーダの入力に接続することができる。いくつかの実施形態では、電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂの間の相対的に小さい離隔距離（たとえば、ギャップＧ）により、高分解能マッピングが可能になる。
いくつかの実施形態では、医療器具（たとえば、カテーテル）２０は、要求または必要に応じて、（たとえば、ギャップによって分離された）３つ以上の電極または電極部分を含むことができる。こうした構成に関するさらなる詳細については後述する。いくつかの実施形態によれば、カテーテルチップに沿ってどの程度の数の電極または電極部分が配置されるかに関わらず、電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂは、高周波電極であり、たとえば、ステンレス鋼、白金、白金−イリジウム、金、金めっき合金等、１つまたは複数の金属を含む。
いくつかの実施形態によれば、図２に示すように、電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂは、ギャップ（たとえば、絶縁ギャップ）を用いて互いから（たとえば、長手方向にまたは軸方向に）間隔を空けて配置される。いくつかの実施形態では、ギャップＧの長さ（すなわち、隣接する電極または電極部分の間の離隔距離）は０．５ｍｍである。他の実施形態では、ギャップＧすなわち離隔距離は、要求または必要に応じて、たとえば、０．１〜１ｍｍ等（たとえば、０．１〜０．２ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．７〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１．０ｍｍ、上記範囲の間の値、０．１ｍｍより小さい、１ｍｍより大きい等）、０．５ｍｍより大きいかまたは小さい。
いくつかの実施形態によれば、図２に示すように、隣接する電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂの間のギャップＧ内にセパレータ３４が配置される。セパレータは、たとえば、テフロン（登録商標）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド樹脂（たとえば、ＵＬＴＥＭＴＭ）、セラミック材料、ポリイミド等、１つまたは複数の絶縁材料を含むことができる。
隣接する電極または電極部分を分離するギャップＧに関して上述したように、絶縁セパレータ３４は、０．５ｍｍ長さであり得る。他の実施形態では、セパレータ３４の長さは、要求または必要に応じて、０．５ｍｍより大きいかまたは０．５ｍｍより小さい（たと
えば、０．１〜０．２ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．７〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１．０ｍｍ、上記範囲の間の値、０．１ｍｍより小さい、１ｍｍより大きい等）場合がある。
いくつかの実施形態によれば、本明細書においてより詳細に考察するように、図２に示すもの等、高分解能チップ電極設計で対象者の標的組織を適切に焼灼しまたは加熱もしくは処理するために、２つの電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂは、ＲＦ周波数で互いに電気的に結合される。したがって、２つの電極または電極部分は、有利には、ＲＦ周波数で単一のより長い電極として機能することができる。
図３および図４は、高分解能チップ設計を組み込んだカテーテルシステム１００、２００の異なる実施形態を示す。たとえば、図３では、電極の遠位端に沿った電極（または高周波電極）は、第１または遠位側電極または電極部分１１０と第２または近位側電極または電極部分１１４とを備える。他の構成に関して図示し、本明細書においてより詳細に考察するように、高分解能チップ設計１００は、第１電極または電極部分１１０と第２電極または電極部分１１４との間にギャップＧを含む。いくつかの構成では、第２または近位側電極または電極部分１１４は、概して、第１または遠位側電極または電極部分１１０より長い。たとえば、近位側電極１１４の長さは、要求または必要に応じて、遠位側電極１１０の長さの１〜２０倍（たとえば、１〜２倍、２〜３倍、３〜４倍、４〜５倍、５〜６倍、６〜７倍、７〜８倍、８〜９倍、９〜１０倍、１０〜１１倍、１１〜１２倍、１２〜１３倍、１３〜１４倍、１４〜１５倍、１５〜１６倍、１６〜１７倍、１７〜１８倍、１８〜１９倍、１９〜２０倍、上記範囲の間の値等）であり得る。他の実施形態では、近位側電極の長さは、遠位側電極の２０倍より大きい（たとえば、２０〜２５倍、２５〜３０倍、３０倍より大きい等）場合がある。さらに他の実施形態では、遠位側電極および近位側電極の長さは略等しい。しかしながら、いくつかの実施形態では、遠位側電極１１０は、（たとえば、１〜２倍、２〜３倍、３〜４倍、４〜５倍、５〜６倍、６〜７倍、７〜８倍、８〜９倍、９〜１０倍、１０〜１１倍、１１〜１２倍、１２〜１３倍、１３〜１４倍、１４〜１５倍、１５〜１６倍、１６〜１７倍、１７〜１８倍、１８〜１９倍、１９〜２０倍、上記範囲の間の値等、１〜２０倍）近位側電極１１４より長い。
図３に図示しかつ上述したように、電極または電極部分１１０、１１４は、それらの正確な設計、相対長さ径、向きおよび／または他の特徴に関わらず、ギャップＧで分離することができる。ギャップＧは、相対的に小さい絶縁ギャップまたは空間を含むことができる。いくつかの実施形態では、第１電極または電極部分１１０と第２電極または電極部分１１４との間に、絶縁セパレータ１１８を隙間なく配置することができる。いくつかの実施形態では、セパレータ１１８は、約０．５ｍｍの長さを有することができる。しかしながら、他の実施形態では、セパレータ１１８の長さは、要求または必要に応じて、０．５ｍｍより大きいかまたは小さい（たとえば、０．１〜０．２ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．７〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１．０ｍｍ、上記範囲の間の値、０．１ｍｍより小さい、１ｍｍより大きい等）場合がある。セパレータは、１つまたは複数の絶縁材料（たとえば、金属または合金の導電率より約１０００以下（たとえば、５００〜６００、６００〜７００、７００〜８００、８００〜９００、９００〜１０００、１０００〜１１００、１１００〜１２００、１２００〜１３００、１３００〜１４００、１４００〜１５００、上記範囲の間の値、５００より小さい、１５００を超える等）低い導電性を有する材料）を含むことができる。セパレータは、たとえば、テフロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリオキシメチレン、アセタール樹脂またはポリマー等の１つまたは複数の絶縁材料を含むことができる。
図３に示すように、セパレータ１１８は、形状を円筒状とすることができ、隣接する電極または電極部分１１０、１１４と同一かまたは同様の直径および構成を有することができる。したがって、いくつかの実施形態では、電極または電極部分１１０、１１４およびセパレータ１１８によって形成される外面は、概して均一または平滑であり得る。しかしながら、他の実施形態では、セパレータ１１８の形状、サイズ（たとえば直径）および／または他の特徴は、特定の用途または使用に対する要求または必要に応じて、隣接する電極または電極部分１１０、１１４のうちの１つまたは複数とは異なる可能性がある。
図４は、対応するギャップＧ１、Ｇ２によって分離された３つ以上の電極または電極部分２１０、２１２、２１４を有するシステム２００の実施形態を示す。こうした追加のギャップ、したがって、物理的に（たとえばギャップにより）分離されているが互いに近接している追加の電極または電極部分２１０、２１２、２１４の使用により、システムの高分解能マッピング能力に対する追加の利益を提供することができる。たとえば、２つ（または３つ以上）のギャップを使用することにより、治療されている組織に関するより正確な高分解能マッピングデータを提供することができる。こうした複数のギャップは、心臓信号伝播の指向性に関する情報を提供することができる。さらに、複数のギャップを含む高分解能電極部分による高分解能マッピングにより、アブレーションプロセス中の損傷部の進行のより広範な観察と、標的治療容積内に生存組織ストランドが残されていないというより高い確実性とを提供することができる。いくつかの実施形態では、複数のギャップを含む高分解能電極は、焼灼された組織の表面に対するマッピングされた組織の表面の比を最適化することができる。好ましくは、こうした比は、０．２〜０．８の範囲（たとえば、０．２〜０．３、０．３〜０．４、０．４〜０．５、０．５〜０．６、０．６〜０．７、０．７〜０．８、上記範囲の間の比等）である。図４は、合計３つの電極または電極部分２１０、２１２、２１４（したがって、２つのギャップＧ１、Ｇ２）を有する実施形態を示すが、さらなる電極または電極部分、したがってさらなるギャップを備えるように、システムを設計しまたは変更することができる。たとえば、いくつかの実施形態では、アブレーションまたは他の治療システムは、要求または必要に応じて、４つ以上（たとえば、５、６、７、８、９つ以上等）の電極または電極部分（したがって、３つ以上、たとえば３、４、５、６、７つのギャップ、８つ以上のギャップ等）を含むことができる。こうした構成では、図２〜図４に示す実施形態に従って、隣接する電極または電極部分の間にギャップ（および／または電気的セパレータ）を配置することができる。
図３および図４に示すように、カテーテル（明確にするために図示せず）の内部に灌注チューブ１２０、２２０を通すことができる。いくつかの実施形態では、灌注チューブ１２０、２２０は、カテーテルの近位部分（たとえば、流体ポンプと流体連通して配置することができる場所）からシステムの遠位端まで延在することができる。たとえば、いくつかの構成では、図３および図４の側面図に示すように、灌注チューブ１２０、２２０は、延在し、遠位側電極１１０、２１０を通って半径方向外側に延在する１つまたは複数の流体ポート２１１と流体連通している。したがって、いくつかの実施形態では、治療システムは、開放灌注設計を備え、そこでは、生理食塩水および／または他の流体が、カテーテルを通して（たとえば、流体チューブ１２０、２２０内で）かつ電極１１０、２１０の１つまたは複数の出口ポート１１１、２１１を通って半径方向外側に選択的に送達される。こうした生理食塩水または他の流体の送達は、電極および／または治療されている組織から熱を除去するのに役立つことができる。いくつかの実施形態では、こうした開放灌注システムは、特に電極が接触する組織に沿って、標的組織の過熱を防止するのに役立つことができる。開放灌注設計はまた、図２に概略的に示すシステムにも組み込まれる。たとえば、図２に示すように、遠位側電極または電極部分３４は、複数の出口ポート３６を含むことができ、そこを通って、生理食塩水または他の灌注流体が出ることができる。
いくつかの実施形態によれば、カテーテルは、長手方向のギャップに加えてまたはその
代わりに、円周方向に（たとえば、半径方向に）１つまたは複数のギャップを含む高分解能チップ電極設計を含むことができる。図５に、１つまたは複数の電極３１０Ａ、３１０Ｂを備えたシステム３００の一実施形態を示す。図示するように、２つ以上の電極が含まれる構成では、電極３１０Ａ、３１０Ｂを互いに長手方向にまたは軸方向にずらすことができる。たとえば、いくつかの実施形態では、電極３１０Ａ、３１０Ｂは、カテーテルの遠位端に沿ってまたはその近くに配置される。いくつかの実施形態では、電極３１０Ａ、３１０Ｂは、カテーテルまたは他の医療器具の外側部分に沿って配置される。しかしながら、他の構成では、要求または必要に応じて、カテーテルまたは他の医療器具の異なる部分に沿って（たとえば、少なくともカテーテルの内側部分に沿って）、電極のうちの１つまたは複数を配置することができる。
続けて図５を参照すると、各電極３１０Ａ、３１０Ｂは、２つ以上のセクション３２０Ａ、３２２Ａおよび／または３２０Ｂ、３２０Ｂを備えることができる。図示するように、いくつかの実施形態では、各セクション３２０Ａ、３２２Ａおよび／または３２０Ｂ、３２０Ｂは、カテーテルの直径を半周して（たとえば、１８０度）延在することができる。しかしながら、他の実施形態では、各セクションの円周方向の広がりは、１８０度より小さいことができる。たとえば、各セクションは、それが取り付けられているカテーテルの円周に０〜１８０度（たとえば、１５度、３０度、４５度、６０度、７５度、９０度、１０５度、１２０度、上記値の間の角度等）で延在することができる。したがって、いくつかの実施形態では、電極は、要求または必要に応じて、２、３、４、５、６または７つ以上の円周方向セクションを含むことができる。
円周方向電極セクションがどのように設計されかつ向けられるかに関わらず、本明細書に開示するさまざまな実施形態に従って、高分解能マッピングを行うために電極を使用し得ることを促進するように、隣接するセクションの間に絶縁ギャップＧを設けることができる。さらに、図５の実施形態に示すように、要求または必要に応じて、特定のシステム３００に、２つ以上の円周方向または半径方向セクションを有する２つ以上（たとえば、３、４、５、６つ以上等）の電極３１０Ａ、３１０Ｂを含めることができる。
代替実施形態では、本明細書に開示する高分解能チップ設計のさまざまな実施形態またはそれらの変形形態を、非灌注式システムまたは閉鎖灌注システム（たとえば、生理食塩水および／または他の流体が、１つまたは複数の電極を通してまたはその中でそこから熱を選択的に除去するために循環するシステム）で使用することができる。したがって、いくつかの構成では、カテーテルは、２つ以上の灌注チューブまたは導管を含むことができる。たとえば、１つのチューブまたは他の導管を用いて、流体を電極に向かってまたは電極の近くに送達することができ、第２チューブまたは他の導管を用いて、カテーテルを通して反対方向に流体を戻すことができる。
いくつかの実施形態によれば、高分解能チップ電極は、さまざまな電極または電極部分の間で電流負荷を平衡させるように設計される。たとえば、治療システムが注意深く構成されていない場合、電気負荷は、高分解能チップシステムの電極または電極部分のうちの１つまたは複数（たとえば、短いかまたは小さい方の遠位側電極または電極部分）に主に送達される可能性がある。これにより、電極の望ましくない不均一な加熱、したがって、対象者の隣接する組織の不均一な加熱（たとえば、アブレーション）に至る可能性がある。したがって、いくつかの実施形態では、システムのさまざまな電極または電極部分に沿った加熱が概して平衡することを確実にするのに役立つように、１つまたは複数の負荷平衡構成を用いることができる。その結果、高分解能チップ設計は、不均衡な電気負荷を受ける（したがって、対象者の標的組織に不均衡な量の熱またはレベルの治療を行う）２つ以上の電極とは対照的に、より長い単一の電極のように有利に機能することができる。
図６に、高分解能チップ設計で電極または電極部分の各々に送達される電流負荷を平衡させるために使用することができる構成の一実施形態を概略的に示す。図示するように、電極のうちの１つ（たとえば、遠位側電極）３０Ａをエネルギー送達モジュール４０（たとえば、ＲＦ発生器）に電気的に結合することができる。本明細書において考察するように、モジュール４０は、たとえば、エネルギー部材（たとえば、ＲＦ電極）を選択的に通電しかつ／または活性化するように構成されたエネルギー発生装置、１つまたは複数の入出力デバイスまたはコンポーネント、治療システムの１つまたは複数の態様を調節するように構成されるプロセッサ（たとえば、処理または制御ユニット）、メモリ等、１つまたは複数の構成要素または特徴を有することができる。さらに、こうしたモジュールは、要求または必要に応じて、手動でまたは自動的に操作されるように構成することができる。
図６に概略的に示す実施形態では、遠位側電極３０Ａは、１本または複数本の導体８２（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）を用いて通電される。たとえば、いくつかの構成では、灌注チューブ３８の外側は、１つまたは複数の導電性材料（たとえば、銅、他の金属等）を含みかつ／またはそれによってコーティングされる。したがって、図６に示すように、導体８２は、電極または電極部分３０Ａをエネルギー送達モジュールに電気的に結合するように、チューブ３８のこうした導電性面または部分と接触するように配置することができる。しかしながら、電極または電極部分３０Ａをエネルギー送達モジュールと電気的に連絡するように配置する１つもしくは複数の他の装置および／または方法を使用することができる。たとえば、１本もしくは複数本のワイヤ、ケーブルおよび／または他の導体は、灌注チューブを用いることなく、電極に直接または間接的に結合することができる。
続けて図６を参照すると、コンデンサ、フィルタ回路（たとえば、図１６を参照）等、１つまたは複数のバンドパスフィルタリング素子８４を用いて、第１もしくは遠位側電極または電極部分３０Ａを第２もしくは近位側電極または電極部分３０Ｂに電気的に結合することができる。たとえば、いくつかの実施形態では、バンドパスフィルタリング素子８４は、システムに高周波電流が印加されるとき、２つの電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂを電気的に結合する、コンデンサを備える。一実施形態では、コンデンサ８４は、いくつかの構成によれば、ＲＦアブレーションの目標周波数である５００ｋＨｚで、約３Ωより低い直列インピーダンスを導入する１００ｎＦコンデンサを含む。しかしながら、他の実施形態では、システムに組み込まれるコンデンサまたは他のバンドパスフィルタリング素子８４の静電容量は、要求または必要に応じて、動作ＲＦ周波数に従って、１００ｎＦより大きいかまたは１００ｎＦより小さい、たとえば、５〜３００ｎＦであり得る。いくつかの実施形態では、フィルタリング素子８４の静電容量は、特定の周波数または周波数範囲における目標インピーダンスに基づいて選択される。たとえば、いくつかの実施形態では、２００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの周波数（たとえば、２００〜３００ｋＨｚ、３００〜４００ｋＨｚ、４００〜５００ｋＨｚ、５００〜６００ｋＨｚ、６００〜７００ｋＨｚ、７００〜８００ｋＨｚ、８００〜９００ｋＨｚ、９００〜１０００ｋＨｚ、最大１０ＭＨｚ、または上記範囲の間の高い方の周波数等）でシステムを動作させることができる。したがって、隣接する電極または電極部分を互いに結合するコンデンサは、特定の周波数に対する目標インピーダンスに基づいて選択することができる。たとえば、１００ｎＦコンデンサは、５００ｋＨｚの動作アブレーション周波数で約３Ωの結合インピーダンスを提供する。
いくつかの実施形態では、電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂを横切る３Ωの直列インピーダンスは、約５Ω〜１０Ωであり得る導体８２（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）のインピーダンス、および約１００Ωであり得る組織のインピーダンスと比較した場合、十分に低く、それにより、システムが使用されるとき、結果として取得される組織加熱プロファイルは悪影響を受けない。したがって、いくつかの実施形態では、フィルタリング素子は、電極または電極部分の直列インピーダンスが、電極にＲＦエネルギーを供給する導
体のインピーダンスより低いように選択される。たとえば、いくつかの実施形態では、フィルタリング素子の挿入インピーダンスは、導体８２のインピーダンスの５０％もしくはそれより低く、または均等な組織インピーダンスの１０％もしくはそれより低い。
いくつかの実施形態では、装置または付随するシステムの種々の位置にフィルタリング素子（たとえば、図１６を参照して本明細書に記載するもの等のコンデンサ、フィルタ回路等）を配置することができる。たとえば、いくつかの実施形態では、フィルタリング素子は、カテーテル上またはその中に（たとえば、カテーテルの遠位端の近くに、電極に隣接して、等）配置される。しかしながら、他の実施形態では、フィルタリング素子は、カテーテルと分離されている。たとえば、カテーテルが固定されるハンドル内にまたはそれに沿って、発生器または他のエネルギー送達モジュール内に、別個のプロセッサまたは他のコンピューティングデバイスまたはコンポーネント内等に、フィルタリング素子を配置することができる。
同様に、図７の概略図を参照すると、円周方向に配置された部分３２０、３２２を備える電極３１０にフィルタリング素子３８４を含めることができる。図７では、フィルタリング素子３８４により、電極３１０全体に対して（たとえば、電極が焼灼するように活性化されるときに）ＲＦ周波数範囲内で通電することができる。１本または複数本のＲＦワイヤまたは他の導体３４４を用いて、発生器または電源から電極に電力を送達することができる。さらに、別個の導体３４０を用いて、マッピングの目的で電極３１０に電気的に結合することができる。
高分解能チップ設計（たとえば、図４）が３つ以上の電極または電極部分を備える実施形態では、さらなるフィルタリング素子（たとえば、コンデンサ）を用いて、電極または電極部分を互いに電気的に結合することができる。こうしたコンデンサまたは他のフィルタリング素子は、高分解能チップ電極の全長に沿って概して均一な加熱プロファイルをもたらすように選択することができる。本明細書においてさらに詳細に記すように、本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものまたはその変形形態に対して、フィルタリング素子は、コンデンサ以外の何らかのものを含むことができる。たとえば、いくつかの配置では、フィルタリング素子は、ＬＣ回路（たとえば、共振回路、タンク回路、同調回路等）を含む。こうした実施形態は、ＲＦエネルギーの印加およびＥＧＭ記録の測定を同時に行うことができるように構成することができる。
上述したように、隣接する電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂの間の比較的小さいギャップＧを用いて、標的組織の高分解能マッピングを促進することができる。たとえば、続けて図６の概略図を参照すると、別個の電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂを用いて、治療されている組織の局所電位を正確に反映する電位図を生成することができる。したがって、治療システムを用いる医師または他の専門家は、処置の前、処置中および／または処置の後、標的組織へのエネルギー送達の影響をより正確に検出することができる。たとえば、こうした構成からもたらされるより正確な電位図データにより、医師は、適切に焼灼されなかったかまたは治療されなかった標的解剖学的領域の任意のギャップまたは部分を検出することができる。具体的には、高分解能チップ設計の使用により、心臓電気生理学者は、結果としての電位図の形態、それらの振幅および幅をより正確に評価し、かつ／またはペーシング閾値を求めることができる。いくつかの実施形態では、形態、振幅およびペーシング閾値は、アブレーションまたは他の熱治療処置の転帰に関する有用な情報を提供する、許容されかつ信頼性の高いＥＰマーカである。
いくつかの構成によれば、本明細書に開示する高分解能チップ電極の実施形態は、局所高分解能電位図を提供するように構成される。たとえば、本明細書に開示する実施形態による、高分解能チップ電極を用いて取得される電位図は、図８に示すように、電位図デー
タ（たとえば、グラフ式出力）４００ａ、４００ｂを提供することができる。図８に示すように、本明細書に開示する高分解能チップ電極の実施形態を用いて生成される局所電位図４００ａ、４００ｂは、振幅Ａ１、Ａ２を含む。
続けて図８を参照すると、高分解能チップ電極システムを用いて取得される電位図４００ａ、４００ｂの振幅を用いて、高分解能チップ電極に隣接する標的組織が、適切に焼灼されたかまたは治療されたか否かを判断することができる。たとえば、いくつかの実施形態によれば、未治療組織（たとえば、焼灼されておらずまたは加熱されていない組織）における電位図４００ａの振幅Ａ１は、すでに焼灼されたかまたは治療された電位図４００ｂの振幅Ａ２より大きい。したがって、いくつかの実施形態では、電位図の振幅を測定して、組織が治療されたか否かを判断することができる。たとえば、対象者の未治療組織の電位図振幅Ａ１を記録し、ベースラインとして使用することができる。その後の電位図振幅測定値を取得し、組織が適切なまたは所望の程度まで焼灼されたかまたは治療されたか否かを判断しようとして、こうしたベースライン振幅に対して比較することができる。
いくつかの実施形態では、試験または評価されている組織位置において電位図振幅（Ａ２）に対するこうしたベースライン振幅（Ａ１）の間で比較が行われる。Ａ１対Ａ２の比を用いて、アブレーションが完了した可能性を評価する定量的基準を提供することができる。いくつかの構成では、比（すなわち、Ａ１／Ａ２）が一定の最小閾値を超える場合、使用者に対して、Ａ２振幅が取得された組織が適切に焼灼されたことを通知することができる。たとえば、いくつかの実施形態では、Ａ１／Ａ２比が１．５より大きい（たとえば、１．５〜１．６、１．６〜１．７、１．７〜１．８、１．８〜１．９、１．９〜２．０、２．０〜２．５、２．５〜３．０、上記範囲の間の値、３より大きい等）とき、適切なアブレーションおよび治療を確認することができる。しかしながら、他の実施形態では、Ａ１／Ａ２の比が１．５より小さい（たとえば、１〜１．１、１．１〜１．２、１．２〜１．３、１．３〜１．４、１．４〜１．５、上記範囲の間の値等）とき、アブレーションの確認を取得することができる。
本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものに対して、カテーテルまたは他の低侵襲性医療器具を、１つまたは複数の撮像技術を用いて、対象者の標的解剖学的位置（たとえば、心房、肺静脈、他の心臓位置、腎動脈、他の血管または管腔等）に送達することができる。したがって、本明細書に開示するアブレーションシステムのうちの任意のものを、たとえば、Ｘ線透視技術、心腔内心エコー法（ＩＣＥ）技術等、撮像装置またはシステムとともに使用される（たとえば、それとは別個に使用されるか、または少なくとも部分的に組み込まれる）ように構成することができる。
熱分流
図９は、カテーテル１１２０の遠位端にまたはその近くに配置された電極１１３０（たとえば、単体のＲＦ電極、２つ、３つまたは４つ以上の部分を有するスプリットチップ電極、他のタイプの電極等）を備えるシステム１１００の一実施形態を示す。さらに、本明細書に開示する他の任意の実施形態と同様に、システムは、治療処置（たとえば、治療部位に隣接する組織のマッピング、対象者のモニタリング等）の実施に役立つ複数のリング電極１１７０をさらに含むことができる。本明細書に開示するさまざまなシステムおよび関連方法の実施形態について、高周波（ＲＦ）ベースアブレーションに関連して記載するが、たとえば、対象者の標的組織に対してマイクロ波エミッタ、超音波変換器、クライオアブレーション部材等を使用するシステム等、他のタイプのアブレーションシステムにおいて、伝熱概念（熱分流実施形態を含む）を、単独でまたは本明細書に記載する他の実施形態（たとえば、スプリットチップ概念、温度検知概念等）とともに実施することができる。
図９と、図１０に例示するカテーテルの遠位端の対応する部分的に露出した図とを参照すると、本明細書に開示する熱分流実施形態のうちの任意のものを含む、１つもしくは複数の伝熱部材または他の伝熱構成要素もしくは特徴を用いて、電極からまたはその近くから、カテーテル１１２０の内部を通って延在する灌注導管１１０８への伝熱を促進することができる。たとえば、いくつかの実施形態では、図１０に示すように、電極１１３０の長さに沿って、１つもしくは複数の伝熱ディスクまたは部材１１４０（たとえば、熱シャントディスクまたは部材）を配置することができる。いくつかの構成では、ディスクまたは他の伝熱部材１１４０（本明細書に開示する熱分流実施形態のうちの任意のものを含む）は、互いに接触する場合もあれば接触しない場合もある別個の構成要素を備える。しかしながら、他の実施形態では、伝熱ディスクまたは他の伝熱部材１１４０は、要求または必要に応じて、単体または一体構造を備える。ディスク１１４０は、少なくとも部分的にカテーテルの内側部分を（たとえば、長手方向中心線に沿って）通過する灌注導管１１０８と直接または間接的熱連通することができる。たとえば、ディスク１１４０は、灌注導管および／またはカテーテルの別の内側部分（たとえば、開放灌注または閉鎖灌注を用いる能動的冷却を含まない実施形態の場合には非灌注構成要素または部分）の外面まで延在しかつそれと接触することができる。しかしながら、他の実施形態では、図１１に示すように、ディスク１１４０は、ディスクと灌注導管との間に配置されている、任意の熱分流構成要素または部材を含む、１つまたは複数の他の熱交換構成要素または部材と（たとえば、接触を介して直接または間接的に）熱連通することができる。
ヒートシンクとは、（ｉ）熱が所定の構成要素に局所化され／所定の構成要素によって保持される熱保持伝達体、および（ｉｉ）たとえば電極から灌注通路まで熱を分流させるかまたは伝達するために使用される熱シャント（伝熱部材とも呼ぶことができる）の両方を含む。一実施形態では、熱保持シンクを用いて、ある期間、熱が保持される。好ましくは、熱保持シンクではなく熱シャント（伝熱部材）が使用される。熱シャント（伝熱部材）は、いくつかの実施形態では、より効率的な熱の放散と改善された冷却とを可能にし、したがって、たとえば、非標的組織とみなされる組織に保護効果を提供する。本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものに対して、１つまたは複数の熱分流構成要素を用いて、電極および／または加熱されている組織から離れるように有効にかつ安全に熱を伝達することができる。いくつかの実施形態では、いかなる追加の構成要素または特徴もなしに（たとえば、単に、本明細書に開示する熱分流構成を用いて）、電極から離れるように適切に熱を伝達するように、装置またはシステムを構成することができる。
本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものでは、アブレーションシステムは、少なくとも部分的に、カテーテル、または対象者の体内に配置されるように構成された他の医療器具に沿って（たとえば、その内側部分を通って）延在する、１つまたは複数の灌注導管を含むことができる。灌注導管は、開放灌注システムの一部とすることができ、そこでは、流体は、電極および／または隣接する標的組織を冷却するために、カテーテルの遠位端に沿って（たとえば、電極においてまたはその近くで）１つまたは複数の出口ポートまたは開口部を通って出る。しかしながら、代替的に、灌注導管は閉鎖灌注システムの一部とすることができ、灌注流体は、電極および／または対象者の隣接する組織を選択的に冷却するように、少なくとも部分的に（たとえば、電極または他のアブレーション部材の付近の）カテーテルを通って（たとえば、カテーテルから放出されるのとは対照的に）循環する。たとえば、いくつかの構成では、カテーテルは、要求または必要に応じて、カテーテルの遠位端に灌注流体を循環させ、かつその遠位端によって所望のまたは必要な伝熱を行うように、少なくとも２つの内部流体導管（たとえば、送達導管および戻り導管）を備える。さらに、いくつかの実施形態では、アブレーションシステムに含まれる伝熱部材または構成要素（たとえば、熱分流部材または構成要素）の間の伝熱を促進するために、システムは、１つもしくは複数の金属および／または他の好適な伝熱材料（たとえば、銅、ステンレス鋼、他の材料または合金、セラミック、ポリマー、および／または比較的好
適な伝熱特性を有する他の材料等）を備える灌注導管を備えることができる。さらに他の実施形態では、アブレーションシステムのカテーテルまたは他の医療器具は、要求または必要に応じて、いかなる能動的な流体冷却システム（たとえば、その中を延在する開放または閉鎖灌注通路または他の構成要素）も含まない。本明細書においてより詳細に考察するように、カテーテルを通る流体通路を用いる能動的冷却を含まないこうした実施形態は、電極および／または治療されている組織から熱を有利に放散させかつ／または分散させるように、改善された伝熱構成要素および／または設計を利用することができる。
いくつかの実施形態では、灌注導管は、細長い本体の遠位端に沿って配置された出口ポートとのみ流体連通している。いくつかの実施形態では、カテーテルは、カテーテルの遠位端に沿った（たとえば、遠位端または電極に沿った）灌注出口開口部のみを備える。いくつかの実施形態では、システムは、伝熱部材（たとえば、熱シャント部材）に沿っていかなる灌注開口部も備えておらず、かつ／または本明細書で考察するように、システムは、能動的な灌注システムをまったく備えていない。したがって、こうした実施形態では、カテーテルに沿って（たとえば、電極または他のアブレーション部材においてまたはその近くで）伝熱部材を使用することにより、電極または他のアブレーション部材によって生成される熱をより均一に分散させるのに役立ち、かつ／または周囲環境（たとえば、アブレーション部材および／またはカテーテルの外側に沿って進む血液または他の流体）との伝熱に役立つ。
続けて図１０を参照すると、電極１１３０の近位端１１３２は、本明細書に開示する任意の熱シャントの実施形態を含む１つまたは複数の追加の伝熱部材１１５０を備える。たとえば、いくつかの実施形態によれば、こうした追加の伝熱部材１１５０（たとえば、熱シャント部材）は、システムのカテーテルの内部を通って延在する灌注導管１０８と熱連通する１つもしくは複数のフィン、ピンおよび／または他の部材を備える。したがって、熱分流部材を含む、電極１１３０の長さに沿って配置された伝熱ディスクまたは他の伝熱部材１１４０と同様に、電極が活性化されると、電極、カテーテルの隣接部分および／または対象者の隣接する組織から、これらの伝熱部材１１５０を介して、熱を伝達し、したがって除去することができる。
本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものまたはその変形形態では、灌注導管１１０８と熱連通するシステム１１００の伝熱部材１１４０、１１５０は、限定されないが好ましい熱分流特性を含む、好ましい伝熱特性を含む１つまたは複数の部材を含むことができる。たとえば、いくつかの実施形態では、伝熱部材に含まれる材料および／または（たとえば、単体部材または構造として見た場合の）伝熱アセンブリ全体の熱伝導率は、３００Ｗ／ｍ／℃より大きい（たとえば、３００〜３５０Ｗ／ｍ／℃、３５０〜４００Ｗ／ｍ／℃、４００〜４５０Ｗ／ｍ／℃、４５０〜５００Ｗ／ｍ／℃、５００〜６００Ｗ／ｍ／℃、６００〜７００Ｗ／ｍ／℃、上記値の間の範囲、７００Ｗ／ｍ／℃より大きい等）。好ましい熱伝導率特性を有するあり得る材料としては、限定されないが、銅、真鍮、ベリリウム、他の金属および／もしくは合金、アルミナセラミック、他のセラミック、工業用ダイヤモンド、ならびに／または他の金属および／もしくは非金属材料が挙げられる。
伝熱部材が熱分流部材を備えるいくつかの実施形態によれば、熱シャント部材に含まれる材料および／または（単体部材または構造として見た場合）熱シャントアセンブリ全体の熱拡散率は、１．５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい（たとえば、１．５〜２ｃｍ２／ｓｅｃ、２〜２．５ｃｍ２／ｓｅｃ、２．５〜３ｃｍ２／ｓｅｃ、３〜４ｃｍ２／ｓｅｃ、４〜５ｃｍ２／ｓｅｃ、５〜６ｃｍ２／ｓｅｃ、６〜７ｃｍ２／ｓｅｃ、７〜８ｃｍ２／ｓｅｃ、８〜９ｃｍ２／ｓｅｃ、９〜１０ｃｍ２／ｓｅｃ、１０〜１１ｃｍ２／ｓｅｃ、１１〜１２ｃｍ２／ｓｅｃ、１２〜１３ｃｍ２／ｓｅｃ、１３〜１４ｃｍ２／ｓｅｃ、１４〜１５ｃｍ２／ｓｅｃ、１５〜２０ｃｍ２／ｓｅｃ、上記範囲の間の値、２０ｃｍ２／ｓｅ
ｃより大きい等）。熱拡散率は、熱エネルギーを蓄積する材料の能力に対する、熱エネルギーを伝導する材料の能力を測定する。したがって、材料が熱を伝達するものとして効率的であり得る（たとえば、比較的高い熱伝導率を有することができる）としても、それは、その蓄熱特性のために、好ましい熱拡散率特性を有していない可能性がある。伝熱とは異なり、熱分流には、（たとえば、質量または容積を通して熱を迅速に伝達するための）高い熱コンダクタンス特性と（たとえば、熱を蓄積しないための）低い熱容量とを有する材料を使用する必要がある。好ましい熱拡散率、したがって好ましい熱分流特性を有するあり得る材料として、限定されないが、工業用ダイヤモンド、グラフェン、シリカ、他の炭素系材料等が挙げられる。
好ましい熱拡散率特性を有する材料の使用は、治療処理中に電極および／または隣接する組織から離れるように熱を効率的に伝達し得ることを確実にするのに役立つことができる。対照的に、たとえば、銅、他の金属または合金、熱伝導性ポリプロピレンまたは他のポリマー等、好ましい熱伝導率特性を有するが、好ましい熱拡散率特性を有していない材料は、熱を保持する傾向がある。その結果、熱を蓄積するこうした材料を使用することにより、電極および／または治療されている組織に沿った温度が、特に比較的長いアブレーション処置にわたり、望ましくないほど高いレベル（たとえば、７５℃を超える）で維持されることになる可能性があり、それにより、焦げ、血栓の形成および／または他の熱関連問題がもたらされる可能性がある。
熱分流網で使用されるのに必要な熱拡散率特性を有する工業用ダイヤモンドおよび他の材料は、本明細書のさまざまな実施形態に開示するように、好ましい熱伝導特性を有する。こうした好ましい熱伝導態様は、比較的高い熱コンダクタンス値（ｋ）と、熱分流網の熱シャント部材がチップ内で互いに対してかつ組織に対して配置される方法とから生じる。たとえば、いくつかの実施形態では、ＲＦエネルギーがチップから放出され、組織内の通電加熱が熱を発生するため、露出した（たとえば、チップの最遠位端から０．５ｍｍに配置されている）最遠位シャント部材は、損傷部位から熱を能動的に抽出することができる。熱エネルギーは、有利には、分流網を通って比較的迅速に伝達し、ＲＦ電極面熱シャント網の下にあるシャントを通って、近位側シャント部材を通ってかつ／または周囲環境内に放散することができる。内部シャント部材を通って分流している熱は、カテーテルまたは他の医療器具の内部を通って延在している灌注導管に迅速に伝達することができる。他の実施形態では、アブレーション処置によって発生する熱は、近位側シャント部材および遠位側シャント部材の両方（たとえば、本明細書の実施形態の多くに示すような、カテーテルまたは他の医療器具の外部に露出しているシャント部材）を通して分流させることができる。
さらに、上述したように、熱シャント網で使用されるのに好適な熱拡散率特性を有する材料は、必要な熱伝導率特性を有するのみでなく、十分に低い熱容量値（ｃ）も有する。これは、熱エネルギーが、チップ−組織接触面とともに電極のホットスポットから、熱分流網に熱が保持されることなく、非常に迅速に放散するのを確実にするのに役立つ。熱伝導は、組織表面およびＲＦ電極表面の迅速かつ効率的な冷却を確実にする主熱放散機構を構成する。逆に、（たとえば、比較的高い熱伝導率特性を有するが比較的高い熱容量特性も有する）伝熱体は、熱エネルギーを蓄積する。長いアブレーション処置にわたって、こうした蓄積された熱は、７５℃を超える可能性がある。こうした状況下で、血栓および／または焦げ形成が発生する可能性があり、それは望ましくない。
本明細書に開示するさまざまな実施形態の熱対流態様は、２つの部分からなる。第１に、カテーテルの灌注内腔は、シャント網を通ってそれに伝達される熱エネルギーを吸収することができる。したがって、灌注ポートを介して、ＲＦチップの遠位端からこうした熱エネルギーを押し流すことができる。しかしながら、閉鎖灌注システムでは、こうした熱
エネルギーは、カテーテルの近位端に戻るように伝達することができ、そこで除去することができる。第２に、カテーテルまたは他の医療器具の外側に沿った露出したシャント面は、電極および／または治療されている組織からの熱の放散にさらに役立つことができる。たとえば、こうした放熱は、電極の表面にわたって流れる血液の固有の対流冷却態様を介して達成することができる。
したがって、熱分流網において、工業用ダイヤモンド等、好ましい熱拡散率特性を有する材料を使用することは、熱分流網を（その熱容量特性が低いため）低温で維持しながら、電極および治療済みの組織から離れるように迅速にかつ効率的に熱が伝達されることを確実にするのに役立つことができる。これにより、危険である可能性のある熱が、熱分流網自体を介して処置に導入されないため、より安全なアブレーションカテーテルおよび関連する治療方法をもたらすことができる。
たとえば、いくつかの実施形態では、約６０℃の所望の温度で対象者の組織を維持するように試みるアブレーション処置の過程の間、電極の温度はおよそ６０℃である。さらに、処置中に電極に隣接して配置される従来の伝熱部材（たとえば、銅、他の金属または合金、熱伝導性ポリマー等）の温度は、およそ７０〜７５℃である。対照的に、本明細書に開示するシステムに対する熱分流網のさまざまな部分または部材の温度は、同じ所望のレベルの組織の治療に対して、およそ６０〜６２℃であり得る（たとえば、類似の伝熱システムより１０〜３０％低い）。
いくつかの実施形態では、本明細書に開示する熱シャント部材は、焼灼されている組織から熱を引き出し、それを灌注チャネル内に分流させる。同様に、熱は、ＲＦ電極の縁に形成される潜在的なホットスポットから引き出され、熱シャント網を通って灌注チャネル内に分流される。灌注チャネルから、対流冷却を介して、血流内に熱を有利に放出し、放散させることができる。閉鎖灌注システムでは、対象者の体内に灌注流体を放出することなく、システムから熱を除去することができる。
いくつかの実施形態によれば、本明細書に開示するさまざまな熱分流システムは、主冷却機構として熱伝導に頼る。したがって、こうした実施形態では、熱分流網のかなりの大部分がカテーテルまたは他の医療器具の外面まで（たとえば、血流に直接露出するように）延在する必要はない。実際には、いくつかの実施形態では、シャント網全体が、カテーテルチップの内部に存在する可能性がある（すなわち、熱シャント網のいかなる部分もカテーテルまたは他の医療器具の外側まで延在しない）。さらに、本明細書に開示するさまざまな実施形態は、熱シャントをＲＦ電極からまたは灌注チャネルから絶縁する必要はない。
いくつかの実施形態によれば、熱分流部材または構成要素を含む、特定のシステムに含まれる伝熱ディスクおよび／または他の伝熱部材１１４０、１１５０は、特定の設計または構成に対する要求または必要に応じて、連続的にかつ／または断続的にもしくは部分的に灌注導管１０８まで延在することができる。たとえば、図１０の実施形態に示すように、近位側伝熱部材１１５０（たとえば、熱シャント部材）は、基部または内部部材１１５２から半径方向外向きに延在する１つまたは複数（たとえば、２、３、４、５、６つ以上等）の羽根または部分１１５４を備えることができる。いくつかの実施形態では、こうした羽根すなわち半径方向延在部分１１５４は、互いから等しく間隔を空けて配置されて、伝熱部材１１５０が熱連通する灌注導管１１０８に向かって熱をより均一に伝達する。しかしながら、代替的に、限定されないが熱シャント部材を含む伝熱部材１１５０は、灌注導管１１０８とカテーテルの半径方向外側部分または領域との間に概して中実のまたは連続した構造を含むことができる。
いくつかの実施形態によれば、伝熱部材（たとえば、フィン）１１５０は、カテーテルの遠位端に沿って含まれる電極の近位端に対して近位側に延在することができる。たとえば、図１０に示すように、伝熱部材１１５０（たとえば、熱シャント部材）は、電極１１３０の近位端まで、近位端の近くに、またはそれを越えて延在することができる。いくつかの実施形態では、伝熱部材１１５０は、電極１１３０の近位端１１３２でまたはその近くで終端する。しかしながら、他の構成では、限定なしに熱シャント部材を含む伝熱部材１１５０は、電極１１３０の近位端１１３２を越えて延在し、いくつかの実施形態では、要求または必要に応じて、熱シャント部材を含む、遠位側に配置された伝熱部材（たとえば、電極１１３０の長さに沿ってまたはその近くに配置された伝熱ディスクまたは他の伝熱部材）と接触し、かつ／または直接または間接的に熱連通する。さらに他の実施形態では、近位側伝熱部材（たとえば、熱シャント部材）は、電極または他のアブレーション部材の近位端１１３２に対して近位側で終端する。
図９〜図１２に関連して考察する改善された伝熱（たとえば、熱分流）特性を有するシステムを含む、本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものでは、システムは、ある深さで組織温度を検出する、１つまたは複数の温度センサまたは温度検出構成要素（たとえば、熱電対）を含むことができる。たとえば、図９および図１０に示す実施形態では、電極および／またはカテーテルの遠位端の他の部分は、１つまたは複数のセンサ（たとえば、熱電対、サーミスタ等）等を含むことができる。したがって、センサおよび／または他の温度測定構成要素によって受け取られる信号を有利に用いて、標的組織が治療されている（たとえば、加熱されている、冷却されている等）の程度を判断しまたは近似することができる。温度測定値を用いて、所望のまたは必要なプロトコルに従って、アブレーション処置を制御する（たとえば、アブレーション部材に提供される電力を調整する、アブレーション処置を終了する等）ことができる。
いくつかの実施形態では、装置は、治療されている組織のピーク（たとえば、高いまたは山、低いまたは谷等）温度を求めるのに役立つ、１つもしくは複数の温度センサまたは他の温度測定デバイスをさらに備える。いくつかの実施形態では、アブレーション部材（たとえば、ＲＦ電極）に、沿ってかつ／またはその近くに配置された温度センサ（たとえば、熱電対）は、アブレーション部材と標的組織との間に接触がなされているか否か（および／またはこうした接触がどの程度なされているか）の判断に役立つことができる。いくつかの実施形態では、こうしたピーク温度は、放射測定を用いることなく求められる。ピーク組織温度を求めかつ／または組織接触を確認もしくは評価するための温度センサ（たとえば、熱電対）の使用に関するさらなる詳細について、本明細書に記載する。
いくつかの実施形態では、（限定されないが本明細書に例示するものを含む）本明細書に開示するシステムのうちの任意のものまたはその変形形態に対して、カテーテルの灌注導管への伝熱を促進する、限定されないが熱シャント部材を含む伝熱部材のうちの１つまたは複数は、電極および／または灌注導管と直接接触する。しかしながら、他の実施形態では、伝熱部材（たとえば、熱シャント部材）のうちの１つまたは複数は、電極および／または灌注導管と接触しない。したがって、こうした実施形態では、伝熱部材は、電極および／または灌注導管と熱連通するが、こうした構成要素と物理的に接触しない。たとえば、いくつかの実施形態では、１つまたは複数の中間構成要素、層、コーティングおよび／または他の部材が、伝熱部材（たとえば、熱シャント部材）と電極（または他のアブレーション部材）および／または灌注導管との間に配置される。
図１１は、電極（たとえば、ＲＦ電極、スプリットチップ電極等）、またはカテーテルもしくは他の細長い部材の遠位端に沿ってまたはその近くに配置された他のアブレーション部材１２３０を備えるアブレーションシステム１２００の別の実施形態を示す。いくつかの実施形態では、本明細書に開示する任意の熱シャント実施形態を含め、電極または他
のアブレーション部材（明確にするために、図１１には図示せず）の内側部分１２３６は、別個の内部伝熱部材１２５０Ｂを含むことができる。こうした伝熱部材１２５０Ｂは、電極または他のアブレーション部材に、その中にかつ／またはその近くに配置された他の任意の伝熱部材に加えてまたはその代わりであり得る。たとえば、図示する実施形態では、電極１２３０の付近で、システム１２００は、内部伝熱部材１２５０Ｂ、および１つまたは複数のディスク状もしくは円筒状伝熱部材１２４０（たとえば、熱分流部材）の両方を備える。
本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものに対して、灌注導管と熱連通する、熱シャント部材を含む伝熱部材の少なくとも一部は、電極または他のアブレーション部材に隣接して（いくつかの実施形態では、物理的にかつ／または熱的に接触して）、カテーテルの外面まで延在する。こうした構成は、システムが作動するとき、特に、本来、（たとえば、電極または他のアブレーション部材の他の部分に対して）熱がより集中する傾向がある可能性がある、電極またはアブレーション部材の近位端においてまたはその近くで、電極または他のアブレーション部材の冷却をさらに促進することができる。いくつかの実施形態によれば、熱伝導性グリースおよび／または他の任意の熱伝導性材料（たとえば、熱伝導性液体または他の流体、層、部材、コーティングおよび／または部分）を用いて、たとえば、熱シャント部材または熱シャント網等、伝熱体を、要求または必要に応じて、灌注導管と熱連通させることができる。こうした実施形態では、こうした熱伝導性材料は、電極を、灌注導管と少なくとも部分的に熱連通させる。
続けて図１１を参照すると、電極１２３０の内側部分に沿って配置された伝熱部材（たとえば、熱シャント部材）１２５０Ｂは、１つまたは複数のフィン、羽根、ピンおよび／または他の拡張部材１２５４Ｂを含むことができる。こうした部材１２５４Ｂは、灌注導管１２０８（たとえば、熱分流実施形態では、灌注導管１２０８への熱分流）による伝熱の改善に役立つことができ、伝熱部材１２５４Ｂの全体的なサイズを縮小し、かつ／またはシステム１２００に対して１つまたは複数の追加の利点または利益を提供するのに役立つことができる。
図１２に、使用中に電極または他のアブレーション部材の全体的な伝熱を促進する１つまたは複数の伝熱（たとえば、熱シャント）構成要素または特徴を有するアブレーションシステム１３００の別の実施形態を示す。図示するように、電極または他のアブレーション部材１３３０の内部に沿って配置された１つまたは複数の伝熱部材１３５０Ｂの間の伝熱（たとえば、分流）は、電極と伝熱部材との間の空隙または他の同様の空間をなくすことにより、促進しまたは改善することができる。たとえば、図示する実施形態では、電極１３３０の内部と伝熱部材１３５０Ｂの外部との間に、導電性材料（たとえば、白金、金、他の金属または合金等）の１つまたは複数の層１３５６が配置されている。こうした層１３５６は、電極（または別のタイプのアブレーション部材もしくはエネルギー送達部材）と、限定されないが熱分流部材を含む隣接する伝熱部材との間に、連続してまたは断続的に適用することができる。さらに、こうした層１３５６は、たとえば、スパッタリング、他のめっき技法等、１つもしくは複数の方法または手順を用いて適用することができる。本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものまたはその変形形態において、こうした層１３５６を使用することができる。
図１３は、電極または他のエネルギー送達部材１８３０によって生成される熱の効率的な伝達を容易にする１つまたは複数の伝熱部材１８５０（たとえば、熱シャント部材）を備えるアブレーションシステム１８００のカテーテルまたは他の医療器具の遠位部分を示す。図１３に示すように、熱シャント部材１８５０は、電極１８３０にすぐ隣接して（たとえば、その内部に）配置される。したがって、本明細書においてより詳細に考察するように、電極または他のエネルギー送達部材１８３０によって生成される熱を、１つまたは
複数の熱シャント部材１８５０を介して伝達することができる。上述したように、熱シャント部材は、有利には、熱を保持せずに迅速に伝達する好ましい熱拡散率特性を有する。したがって、局所的な（たとえば、電極の遠位端および／または近位端に沿った）ホットスポットの可能性を阻止するかまたは低減させることができる。さらに、熱シャント部材１８５０を用いて、（たとえば、電極からの）熱の放散または除去をより容易にかつ／または迅速に具現化することができる。
本明細書において考察するように、たとえば、熱シャント部材１８５０は、工業用ダイヤモンド、グラフェン、シリカ、または好ましい熱拡散率特性を有する他の炭素系材料等を含むことができる。いくつかの実施形態では、熱シャント部材１８５０は、２つ、３つもしくは４つ以上の材料および／または部分、構成要素もしくは部材の組合せを備える。いくつかの実施形態では、熱シャント部材に含まれる材料および／または（たとえば、単体部材または構造として見た場合）熱分流網もしくはアセンブリ全体の熱拡散率は、１．５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい（たとえば、１．５〜２ｃｍ２／ｓｅｃ、２〜２．５ｃｍ２／ｓｅｃ、２．５〜３ｃｍ２／ｓｅｃ、３〜４ｃｍ２／ｓｅｃ、４〜５ｃｍ２／ｓｅｃ、５〜６ｃｍ２／ｓｅｃ、６〜７ｃｍ２／ｓｅｃ、７〜８ｃｍ２／ｓｅｃ、８〜９ｃｍ２／ｓｅｃ、９〜１０ｃｍ２／ｓｅｃ、１０〜１１ｃｍ２／ｓｅｃ、１１〜１２ｃｍ２／ｓｅｃ、１２〜１３ｃｍ２／ｓｅｃ、１３〜１４ｃｍ２／ｓｅｃ、１４〜１５ｃｍ２／ｓｅｃ、１５〜２０ｃｍ２／ｓｅｃ、上記範囲の間の値、２０ｃｍ２／ｓｅｃより大きい等）。
熱シャント部材１８５０（たとえば、フィン、リング、ブロック等）は、電極または他のエネルギー送達部材１８３０と直接または間接的に接触することができる。電極と伝熱シャント部材１８５０のうちの１つまたは複数とが直接物理的接触しているか否かに関わらず、熱シャント部材１８５０は、有利には、電極と熱連通することができ、それにより、カテーテルまたは他の医療器具の放熱および／または伝熱特性が促進される。いくつかの実施形態では、要求または必要に応じて、たとえば、１つもしくは複数の中間層、コーティング、部材および／または他の構成要素が、電極（または他のエネルギー送達部材）と熱シャント部材との間に配置される。
続けて図１３を参照すると、本明細書において他の実施形態で考察するように、アブレーションシステム１８００のカテーテルまたは他の医療器具は、カテーテルまたは他の医療器具の遠位端までかつそこを通して冷却流体（たとえば、生理食塩水）を送達するように構成された開放灌注システムを備える。こうした開放灌注システムは、使用中に電極または他のエネルギー送達部材から熱を除去するのに役立つことができる。いくつかの実施形態では、熱分流網、およびそれが有する好ましい熱拡散率特性は、使用中に電極および／または治療されている組織から灌流導管もしくは通路１８０４またはチャンバ１８２０に迅速かつ効率的に熱を伝達するのに役立つことができる。たとえば、図１３に示すように、灌注導管または通路１８０４が、カテーテルの内部を通って延在し、カテーテルの遠位部材１８１０に沿って１つまたは複数の出口ポート１８１１と流体連通している。しかしながら、本明細書においてより詳細に考察するように、要求または必要に応じて、開放灌注システムを使用することなく、かつ／または能動的流体冷却システムなしに、カテーテルまたは他の医療器具の設計に改善された熱シャント部材を組み込むことができる。いくつかの実施形態では、カテーテルまたは他の医療器具の灌注導管またはチャンバを通る灌注流体（たとえば、生理食塩水）の流れは、熱分流網を通って発生する熱分流を変化させるように変更することができる。たとえば、いくつかの実施形態では、熱分流網の好ましい伝熱特性およびその熱を保持しない能力により、カテーテルを通る灌注流体の流量を５ｍｌ／ｍｉｎ未満（たとえば、１〜２ｍｌ／ｍｉｎ、２〜３ｍｌ／ｍｉｎ、３〜４ｍｌ／ｍｉｎ、４〜５ｍｌ／ｍｉｎ、上記範囲の間の流量、１ｍｌ／ｍｉｎより小さい等）で維持することができる。一実施形態では、カテーテルを通る灌注流体の流量は、およそ１ｍｌ／ｍｉｎで維持される。他の実施形態では、カテーテルを通過する灌注流体の流量は
、要求または必要に応じて、５〜１５ｍｌ／ｍｉｎ（たとえば、５〜６ｍｌ／ｍｉｎ、６〜７ｍｌ／ｍｉｎ、７〜８ｍｌ／ｍｉｎ、８〜９ｍｌ／ｍｉｎ、９〜１０ｍｌ／ｍｉｎ、１０〜１１ｍｌ／ｍｉｎ、１１〜１２ｍｌ／ｍｉｎ、１２〜１３ｍｌ／ｍｉｎ、１３〜１４ｍｌ／ｍｉｎ、１４〜１５ｍｌ／ｍｉｎ、上記範囲の間の流量等）であるか、または１５ｍｌ／ｍｉｎより大きい（たとえば、１５〜１６ｍｌ／ｍｉｎ、１６〜１７ｍｌ／ｍｉｎ、１７〜１８ｍｌ／ｍｉｎ、１８〜１９ｍｌ／ｍｉｎ、１９〜２０ｍｌ／ｍｉｎ、上記流量の間の流量等）場合がある。いくつかの実施形態では、こうした灌注流量は、電極および／または治療されている組織から離れるように熱を伝達するために、非熱分流部材（たとえば、金属、合金、熱伝導性ポリマー、他の従来の伝熱部材等）が使用されていた場合に必要なものより大幅に低い。たとえば、本明細書に開示するさまざまな実施形態またはその変形形態による熱分流部材を有するカテーテルの内部を通過する灌注流体の必要な流量は、従来の伝熱部材を使用するかまたは伝熱部材をまったく使用しないシステムと比較して（たとえば、電極で同じ量の熱が生成され、同じ解剖学的位置が治療されており、他のパラメータが同じであると想定すると）、２０〜９０％（たとえば、２０〜２５％、２５〜３０％、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、上記範囲の間のパーセンテージ等）低減させることができる。たとえば、いくつかの市販のＲＦアブレーションシステムでは、電極から離れる所望のレベルの伝熱を達成するために、通常、約３０ｍｌ／ｍｉｎ（たとえば、２５〜３５ｍｌ／ｍｉｎ）の灌注流量が必要である。上述したように、いくつかの構成では、熱分流網を利用する本明細書に開示するシステムは、電極から離れるように熱を有効に分流させるために、約１０ｍｌ／ｍｉｎ以下の灌注流量を利用することができる。したがって、こうした実施形態では、従来のシステムおよび他の市販のシステムに対して少なくとも６０〜７０％だけ灌注流量を低減させることができる。
したがって、本明細書においてより詳細に記すように、電極および／または隣接する組織から離れるように熱を分流させる熱分流材料を使用することにより、開放灌注システムにおいて、対象者の血流内に排出されている灌流流体の量も低減させることができる。対象者の体内への灌注流体の排出は望ましくないため、アブレーションカテーテル内で熱分流を使用することにより、アブレーション処置に対してさらなる利益を提供することができる。たとえば、いくつかの構成では、過剰な生理食塩水または他の冷却流体を対象者の心臓、血管および／または他の標的領域に排出することにより、対象者の生理的悪影響（たとえば、心不全）がもたらされる可能性がある。
上述したように、電極においてまたはその近くで熱分流構成要素を使用することにより、１つまたは複数のさらなる利益および利点も提供することができる。たとえば、熱分流構成要素を用いて（たとえば、従来の伝熱構成要素および部材と比較して）、電極および周囲の組織から熱を有効に除去するために必要な灌注流量が著しく低下し、こうしたシステムにおける灌注流体は、カテーテルの遠位端の外側に沿ってまたはその近くに配置された任意の温度センサに悪影響を与える可能性が低くなり、より正確な温度測定が可能になる。これは、特に、温度センサが、（たとえば、治療システムの電極または別の構成要素もしくは部分の温度ではなく）対象者の隣接する組織の温度を検出するように構成される、本明細書に開示するシステム等のシステムに関する。したがって、（たとえば、熱分流を使用しないシステム、従来の伝熱構成要素を含むシステム、主にまたは厳密に、電極（および／または組織）と電極（および／または組織）に隣接して通過する血液との間の伝熱に頼るシステム、他の開放灌注システム等と比較して）センサにおいてまたはその付近で排出されている流体の量が低減することにより、カテーテルまたは他の医療器具の遠位端にまたはその近くに配置されたセンサによって取得される温度測定値の精度を向上させることができる。
また、灌注流体は、（たとえば、灌注流量が高くなると必要となる可能性がある乱流プロファイルとは対照的に）層流プロファイルで特徴付けられる、より低い流量で送達することができるため、本来はより高い流量からもたらされる、いかなる破壊的な流体力学的影響も、有利に回避するかまたは少なくとも低減させることができる。したがって、流体の層流は（および／または相対的に高い流量系と比較して流体の流量が著しく低いこととともに）、電極、治療されている組織、および／またはカテーテルもしくは他の医療器具の遠位端に沿った他の任意の位置の近くに配置されたセンサによる温度測定の精度に役立つことができる。
さらに、電極に沿ってまたは電極の近くに配置された熱分流構成要素は、伝達されている熱を保持することなく、電極および／または治療されている対象者の隣接する組織から離れるように熱を伝達するのに有効であるため、より長い電極および／またはより大きい伝熱部材もしくは部分を有する必要を有利になくすことができる。たとえば、（熱分流部材とは対照的に）１つまたは複数の伝熱部材を利用する従来のシステム、またはいかなる伝熱部材もしくは構成要素もまったく使用しないシステムは、電極を冷却しようとして電極と周囲環境（たとえば、電極を越えて流れる血液、カテーテルの内部を通過する灌注流体等）との間の伝熱に頼る。その結果、電極または従来の伝熱部材の長さ、サイズおよび／または他の寸法を増大させる必要がある。これは、電極および／または伝熱部材と伝熱を提供する流体（たとえば、血液、灌注流体等）との間の伝熱を改善するように表面積を増大させるように行われる。しかしながら、本明細書に開示するさまざまな実施形態では、有利には、電極および／または熱分流網の熱分流構成要素もしくは他の部材に対してこうした拡大面積領域を提供することは必要ではない。したがって、電極は、伝熱容量に基づいて過剰に大きくする必要なしに、意図されたアブレーション／加熱および／またはマッピング（たとえば、高分解能）特性に基づき、サイズを決めることができる。こうした過剰に大きいサイズであることは、損傷部形成処置の安全性および効力に悪影響を与える可能性がある。
したがって、本明細書で考察するように、いくつかの実施形態では、熱分流部材のサイズは、（たとえば、従来のシステムにおける伝熱部材のサイズと比較して）有利に低減させることができる。熱処置中に発生する熱は、電極および／または治療されている組織から熱分流網を介して、こうした熱分流網が伝達されている熱を保持する恐れなしに、効率的にかつ迅速に伝達することができる。いくつかの実施形態では、カテーテルまたは他の医療器具の内部を通過している灌注流体に、熱を分流させることができる。他の実施形態では、灌注流体への熱分流に加えてまたはその代わりに、カテーテルまたは他の医療器具の外側に沿って配置される熱分流部材を介して、対象者の周囲の体液（たとえば、血液）に熱を伝達することができる。
いくつかの実施形態によれば、（たとえば、図１３〜図１７Ｂに示す構成等において）カテーテルまたは他の医療器具の外側まで延在する熱分流部材の（たとえば、長手方向に沿った）全長は、１〜３ｍｍ（たとえば、１〜１．５ｍｍ、１．５〜２ｍｍ、２〜２．５ｍｍ、２．５〜３ｍｍ、上記値の間の長さ等）であり得る。上述したように、こうした比較的短い露出長に関わらず、熱分流部材は、電極および／または焼灼されている組織から熱を保持することなく有効に伝達することができる。
いくつかの実施形態によれば、（たとえば、図１３〜図１７Ｂに示す構成等において）カテーテルまたは他の医療器具の内部に沿って延在する熱分流部材の（たとえば、長手方向に沿った）全長は、１〜３０ｍｍ（たとえば、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、４〜５ｍｍ、５〜６ｍｍ、６〜７ｍｍ、７〜８ｍｍ、８〜９ｍｍ、９〜１０ｍｍ、１０〜１１ｍｍ、１１〜１２ｍｍ、１２〜１３ｍｍ、１３〜１４ｍｍ、１４〜１５ｍｍ、１５〜２０ｍｍ、２０〜２５ｍｍ、２５〜３０ｍｍ、上記値の間の長さ等）であり得る。上述し
たように、こうした比較的短い全長にも関わらず、熱分流部材は、電極および／または焼灼されている組織から、カテーテルまたは他の医療器具の灌注チャネルを通過する流体に熱を保持することなく有効に伝達することができる。
いくつかの実施形態によれば、（たとえば、図１３〜図１７Ｂに示す構成等における）電極を加えた、カテーテルまたは他の医療器具の内部に沿って延在する熱分流部材の（たとえば、長手方向に沿った）全長は、１〜３０ｍｍ（たとえば、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、４〜５ｍｍ、５〜６ｍｍ、６〜７ｍｍ、７〜８ｍｍ、８〜９ｍｍ、９〜１０ｍｍ、１０〜１１ｍｍ、１１〜１２ｍｍ、１２〜１３ｍｍ、１３〜１４ｍｍ、１４〜１５ｍｍ、１５〜２０ｍｍ、２０〜２５ｍｍ、２５〜３０ｍｍ、上記値の間の長さ等）であり得る。上述したように、こうした比較的短い全長にも関わらず、熱分流部材は、電極および／または焼灼されている組織から、カテーテルまたは他の医療器具の灌注チャネルを通過する流体に熱を保持することなく有効に伝達することができる。
図１３に示すように、カテーテルまたは他の医療器具の遠位端の内部は、灌注導管または通路１８０４と流体連通している冷却チャンバまたは領域１８２０を備えることができる。図示するように、いくつかの実施形態によれば、冷却チャンバ１８２０は、流体導管または通路１８０４の直径または断面寸法より大きい直径または断面寸法を含む。たとえば、いくつかの構成では、冷却チャンバまたは領域１８２０の直径または他の断面寸法は、要求または必要に応じて、流体導管または通路１８０４の直径または断面寸法のおよそ１〜３倍（たとえば、１〜１．１倍、１．１〜１．２倍、１．２〜１．３倍、１．３〜１．４倍、１．４〜１．５倍、１．５〜１．６倍、１．６〜１．７倍、１．７〜１．８倍、１．８〜１．９倍、１．９〜２．０倍、２．０〜２．１倍、２．１〜２．２倍、２．２〜２．３倍、２．３〜２．４倍、２．４〜２．５倍、２．５〜２．６倍、２．６〜２．７倍、２．７〜２．８倍、２．８〜２．９倍、２．９〜３倍、上記範囲の間の値等）である。他の実施形態では、冷却チャンバまたは領域１８２０の直径または他の断面寸法は、必要または要求に応じて、流体導管または通路１８０４の直径または断面寸法のおよそ３倍より大きい（たとえば、３〜３．５倍、３．５〜４倍、４〜５倍、上記値の間の値、５倍より大きい等）である。他の実施形態では、冷却チャンバまたは領域１８２０の直径または断面寸法は、要求または必要に応じて、流体導管または通路１８０４と同様または同じである（または流体導管もしくは通路より小さい）。
図１４は、アブレーションシステム１９００の別の実施形態のカテーテルまたは他の医療器具の遠位端を示す。図示するように、カテーテルは、その遠位端に沿って１つまたは複数のエネルギー送達部材１９３０（たとえば、スプリットチップＲＦ電極、別のタイプの電極、別のタイプのアブレーション部材等）を備える。図１３の場合のように、図示する構成は、少なくとも部分的にカテーテルまたは他の医療器具の内部を通って延在する１つまたは複数の流体導管または通路を用いる能動的冷却システムを備える。
続けて図１４を参照すると、アブレーションシステム１９００のカテーテルまたは医療器具は、冷却流体（たとえば、生理食塩水）が、少なくとも部分的にカテーテルの内部を通って（たとえば、電極または他のエネルギー送達部材の位置までかつ／またはその近くまで）循環して、こうした電極または他のエネルギー送達部材から離れるように熱を伝達する、閉鎖灌注システム（たとえば、非開放灌注システム）を含む。図示するように、システムは、少なくとも部分的に、対象者の標的組織内にかつ／またはそれに隣接して配置されるように構成されたカテーテルまたは他の医療器具の内部を通って延在する、２つの別個の導管または通路１９０４を含むことができる。いくつかの実施形態では、１つの流体導管または通路１９０４は、（たとえば、電極、アブレーション部材または他のエネルギー送達部材に隣接する）カテーテルまたは器具の遠位端に流体（たとえば、生理食塩水）を送達するように構成され、別個の導管または通路１９０６が、カテーテルまたは他の
医療器具の遠位端までまたはその近くまで送達された冷却流体を近位側に戻すように構成される。他の実施形態では、要求または必要に応じて、２つ以上の通路または導管が、流体を遠位端まで送達し、かつ／または２つ以上の通路または導管が、遠位端から流体を戻す。
図１４の実施形態では、流体送達導管または通路１９０４は、電極または他のエネルギー送達部材１９３０の内部内に延在する冷却チャンバまたは領域１９２０と流体連通している。図示する構成では、流体送達導管または通路１９０４の出口１９０５は、流体戻り導管または通路１９０６の遠位端または入口１９０７の近位側の位置に配置される。したがって、図示する実施形態では、冷却チャンバまたは領域１９２０は、概して、流体送達導管または通路１９０４の出口１９０５と、流体戻り導管または通路１９０６の入口１９０７との間に延在する。しかしながら、他の実施形態では、冷却チャンバまたは部分１９２０の長さ、向き、位置および／または他の細部は、要求または必要に応じて変更することができる。さらに、いくつかの実施形態では、カテーテルまたは他の医療器具は、別個の冷却チャンバまたは部分を含むことなく、閉鎖流体冷却システム（たとえば、冷却流体がカテーテルまたは医療器具を通って循環する）を含むことができる。閉ループ流体冷却システムにおけるカテーテルまたは医療器具のさまざまな流体送達ラインおよび／または戻りライン（たとえば、通路、導管等）の正確な向きに関わらず、流体は、単に、（たとえば、通電されている電極またはエネルギー送達部材に隣接するかつ／またはその付近の）カテーテルまたは他の医療器具の少なくとも一部を通って循環して、電極またはエネルギー送達部材から離れるように熱を選択的にかつ有利に伝達する。したがって、こうした実施形態では、さまざまな流体導管または通路は、電極または他のエネルギー送達部材と熱連通している。
いくつかの実施形態では、アブレーションシステムの電極（または他のエネルギー送達部材）、したがって対象者の標的組織から離れるように、対象者の体内に冷却流体（たとえば、生理食塩水）を放出または排出することなく、熱を伝達することが有利である。たとえば、いくつかの構成では、対象者の心臓、血管、および／または他の標的領域内に生理食塩水または他の冷却流体を排出することにより、対象者に対する生理的悪影響（たとえば、心不全）がもたらされる可能性がある。したがって、いくつかの実施形態では、閉鎖流体冷却システムにより、または能動的流体冷却システムがまったくなしに、カテーテルまたは他の医療器具を含むアブレーションシステムで対象者を治療することが好ましい。
図１４の実施形態（および／または本明細書に開示する他の実施形態）と同様に、図示するカテーテルは、電極、アブレーション部材、またはシステム１９００の他のエネルギー送達部材１９３０と熱連通する１つまたは複数の熱シャント部材１９５０を含む。上述したように、熱シャント部材１９５０は、工業用ダイヤモンド、グラフェン、シリカ、好ましい熱拡散率特性を有する他の炭素系材料等を含むことができる。いくつかの実施形態では、熱シャント部材に含まれる材料、および／または（たとえば、単体部材または構造として見た場合）熱シャント網またはアセンブリ全体の熱拡散率は、１．５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい（たとえば、１．５〜２ｃｍ２／ｓｅｃ、２〜２．５ｃｍ２／ｓｅｃ、２．５〜３ｃｍ２／ｓｅｃ、３〜４ｃｍ２／ｓｅｃ、４〜５ｃｍ２／ｓｅｃ、５〜６ｃｍ２／ｓｅｃ、６〜７ｃｍ２／ｓｅｃ、７〜８ｃｍ２／ｓｅｃ、８〜９ｃｍ２／ｓｅｃ、９〜１０ｃｍ２／ｓｅｃ、１０〜１１ｃｍ２／ｓｅｃ、１１〜１２ｃｍ２／ｓｅｃ、１２〜１３ｃｍ２／ｓｅｃ、１３〜１４ｃｍ２／ｓｅｃ、１４〜１５ｃｍ２／ｓｅｃ、１５〜２０ｃｍ２／ｓｅｃ、上記範囲の間の値、２０ｃｍ２／ｓｅｃより大きい等）。
図１５は、遠位端に沿ってかつ／または遠位端の近くに１つまたは複数の伝熱部材２０５０（たとえば、熱シャント部材）を含むことができる、アブレーションシステム２００
０のカテーテルまたは他の医療器具のさらに別の実施形態を示す。本明細書で考察した図１３および図１４の構成とは異なり、図示する実施形態は、能動的流体冷却システムを含まない。換言すれば、カテーテルまたは他の医療器具は、いかなる流体導管または通路も備えていない。代わりに、いくつかの実施形態では、図１５に示すように、カテーテルの遠位端は、その内部に沿って１つまたは複数の内部部材（たとえば、内部構造部材）２０７０を備える。こうした内部部材２０７０は、好ましい熱拡散率特徴を有する部材または材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、内部部材２０７０は、たとえば、工業用ダイヤモンドまたはグラフェン等、熱シャント部材２０５０と同一または同様の熱拡散率特徴または特性を有する。いくつかの実施形態では、内部部材２０７０に含まれる材料および／または（たとえば、単体部材または構造として見た場合）熱シャント網またはアセンブリ全体の熱拡散率は、１．５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい（たとえば、１．５〜２ｃｍ２／ｓｅｃ、２〜２．５ｃｍ２／ｓｅｃ、２．５〜３ｃｍ２／ｓｅｃ、３〜４ｃｍ２／ｓｅｃ、４〜５ｃｍ２／ｓｅｃ、５〜６ｃｍ２／ｓｅｃ、６〜７ｃｍ２／ｓｅｃ、７〜８ｃｍ２／ｓｅｃ、８〜９ｃｍ２／ｓｅｃ、９〜１０ｃｍ２／ｓｅｃ、１０〜１１ｃｍ２／ｓｅｃ、１１〜１２ｃｍ２／ｓｅｃ、１２〜１３ｃｍ２／ｓｅｃ、１３〜１４ｃｍ２／ｓｅｃ、１４〜１５ｃｍ２／ｓｅｃ、１５〜２０ｃｍ２／ｓｅｃ、上記範囲の間の値、２０ｃｍ２／ｓｅｃより大きい等）。しかしながら、他の実施形態では、内部部材は、高熱分流材料および／または部材を含まない。しかしながら、他の実施形態では、内部部材２０７０は、熱シャント部材２０５０と同様の材料または部材を含まない。たとえば、いくつかの構成では、内部部材２０７０は、熱拡散率が１ｃｍ２／ｓｅｃより小さい材料を備える１つまたは複数の構成要素または部材を含むことができる。
続けて図１５の実施形態を参照すると、カテーテルまたは医療器具の遠位端に沿った容積は、少なくとも部分的に前記容積を占有する構造部材を含む。これは、カテーテルまたは医療器具の遠位端の少なくとも一部が、カテーテルまたは医療器具を通して送達されかつ／または循環する冷却流体（たとえば、生理食塩水）を受け取るように構成された空洞（たとえば、冷却チャンバ）を含む、本明細書に開示する他の実施形態とは対照的である。
図１５に示すもの等の実施形態では、アブレーションシステム２０００のカテーテルまたは他の医療器具の設計にいかなる能動的流体冷却も組み込まれておらず、電極（または他のエネルギー送達部材）２０３０によって生成されかつ／またはそこで発生する熱は、限定なしに熱シャント部材を含む伝熱部材２０５０（および／または同様に好ましい熱分流特性を有する範囲で、内部部材２０７０、たとえば、好ましい熱拡散率特徴を有する材料）の熱拡散率特性の結果として、カテーテルまたは医療器具の遠位端に沿ってより均一に放散させることができる。したがって、熱シャント部材２０５０は、（たとえば、電極または他のエネルギー送達部材の遠位端および／または近位端に沿った）いかなる局所的なホットスポットの可能性も低減させるように、電極または他のエネルギー送達部材から（たとえば、電極または他のエネルギー送達部材との直接または間接的な熱的接触を介して）熱を放散させるのに役立つことができる。したがって、カテーテルのより大きい体積、面積および／または部分に沿って熱シャント部材２０５０を用いることにより、熱をより均一に分散させることができる。上述したように、熱分流部材の使用により、使用中に電極および治療されている組織から離れるように迅速にかつ効率的に熱を伝達することができる。好ましい熱拡散率特性を有する材料の使用は、（たとえば、本来、焦げ、血栓形成および／または他の熱関連問題をもたらす可能性がある）熱保持の悪影響なしに比較的迅速な伝熱を達成することができる。
さらに、いくつかの実施形態では、カテーテルまたは医療器具が配置される対象者の血液または他の自己体液の流れは、電極または他のエネルギー送達部材からの熱の除去を促進することができる。たとえば、使用中にカテーテルの外側に隣接する血液の連続した流
れは、カテーテルの遠位端からの熱の除去に役立つことができる。こうした伝熱は、カテーテルの外部と熱連通している１つまたは複数の熱シャント部材の存在によってさらに促進しまたは改善することができる。たとえば、図１５に示すようないくつかの構成では、１つまたは複数の熱シャント部材２０５０は、カテーテルまたは他の医療器具の外側まで延在することができる。したがって、カテーテルまたは医療器具が使用中に対象者の体内に挿入されたときに、血液（および／または他の体液）が、カテーテルまたは他の利用器具を越えて移動する際、熱シャント部材２０５０を通ってカテーテルに隣接して移動する血液および／または他の体液に、熱を有利に伝達することができる。この場合にも、好ましい熱拡散率特徴を有する熱シャント材料を使用することにより、こうした材料内に熱が保持されないことが確実になり、それにより、より安全なアブレーションシステムおよび治療処置がもたらされる。
図１６Ａおよび図１６Ｂは、遠位端に沿ってかつ／または遠位端の近くの１つまたは複数の伝熱部材２０５０（たとえば、熱シャント部材）を含む、アブレーションシステム２１００のカテーテルまたは他の医療器具の別の実施形態を示す。本明細書に開示する他の実施形態とは異なり、図示するシステムは、カテーテルの内部により深く延在する近位側電極または電極部分２１３０を含む。たとえば、図１６Ｂの側断面図に示すように、近位側電極２１３０は、灌注チャネル２０１０の外側までまたはその近くまで延在することができる。本明細書で考察するように、灌注チャネル２１２０は、たとえばステンレス鋼等、１つまたは複数の金属、合金、ならびに／または他の剛性および／もしくは半剛性材料を備えることができる。
続けて図１６Ａおよび図１６Ｂを参照すると、本明細書に開示するさまざまなスプリットチップ実施形態によれば、近位側電極または近位側電極部分２１３０は、スプリットチップ電極システムの一部であり得る。したがって、いくつかの実施形態では、スプリットチップ電極構成が適切に動作するために、遠位側電極２１１０は、近位側電極２１３０から絶縁されている。図示する構成では、近位側電極２１３０は、金属製（したがって、導電性）灌注チューブ２１２０までまたはその近くまで延在するため、少なくとも１つの絶縁層、コーティング、部材、部分、バリア等２１２８を、電極２１３０と灌注チューブ２１２０との間に有利に配置することができる。いくつかの実施形態では、たとえば、絶縁部材２１２８は、要求または必要に応じて、ポリイミド、他のポリマー材料および／または別の絶縁材料の１つまたは複数の層を備える。こうした絶縁層および／または他の部材２１２８は、近位側電極２１３０から遠位側電極２１１０を絶縁するために、本来は灌注チューブ２１２０の周囲に配置される可能性があるダイヤモンドおよび／または別の絶縁性熱分流部材に取って代わることができる。
本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものによれば、近位側電極２１３０および／または遠位側電極２１１０は、１つまたは複数の金属および／または合金を含むことができる。たとえば、電極は、白金、ステンレス鋼、ならびに／または他の任意の生体適合性金属および／もしくは合金を含むことができる。したがって、いくつかの実施形態では、灌注チューブ２１２０までまたはその近くまで延在する相対的に厚い近位側電極２１３０は、「スラグ」、たとえば「白金スラグ」と呼ぶことができる。考察したように、こうした構成では、内部ダイヤモンドおよび／または他の熱分流部材を不要にすることができる。代わりに、こうした実施形態では、図１６Ｂに示すように、電極２１３０および／または治療されている対象者の組織から離れるように熱を分流させるのに役立つように、「スラグ」または相対的に厚い近位側電極２１３０の近位端および遠位端を、１つまたは複数の熱分流部材（たとえば、ダイヤモンド）と熱連通させることができる。したがって、いくつかの実施形態では、要求または必要に応じて、近位側電極またはスラグ２１３０の近位面および／または遠位面を、隣接する熱分流部材と良好に熱接触させることができる。
続けて図１６Ｂを参照すると、いくつかの実施形態によれば、灌注チューブ２１２０の少なくとも一部２１２２は、穿孔され、かつ／または１つもしくは複数の開口部２１２３を有する。いくつかの実施形態では、こうした開口部２１２３は、灌注チャネル２１２０の内部で運ばれる灌注流体を、隣接する熱分流部材（たとえば、ダイヤモンド、グラフェン、シリカ等）と直接物理的にかつ熱的に連通させて、電極および／または治療されている組織から離れるように迅速にかつ効率的に熱を伝達することができる。いくつかの実施形態では、灌注流体と分流部材との間の直接的な物理的かつ／または熱的な連通は、灌注チャネル２１２０の内部を通過する灌注流体（たとえば、生理食塩水）への熱伝達を改善するのに役立つ。図示する実施形態では、穿孔部分２１２２に沿った開口部２１２３は、概して、形状が円形であり、互いに対して均一に分散配置されている（たとえば、互いに対して概して均一な分散または間隔を備える）。しかしながら、他の構成では、要求または必要に応じて、チャネル２１２０の穿孔または直接接触領域２１２２に沿った開口部２１２３のサイズ、形状、間隔および／または他の特徴は変更することができる。たとえば、いくつかの実施形態では、開口部２１２３は、楕円形、多角形（たとえば、正方形または矩形、三角形、五角形、六角形、八角形等）、不規則等であり得る。いくつかの実施形態では、開口部は、溝状であるかまたは細長い。
チャネル２１２０の穿孔または直接接触領域２１２２を構成する開口部２１２３は、それらの厳密な形状、サイズ、向き、間隔および／または他の細部に関わらず、チャネル２１２０の穿孔または直接接触領域２１２２の表面積の３０〜７０％（たとえば、３０〜３５％、３５〜４０％、４０〜４５％、４５〜５０％、５０〜５５％、５５〜６０％、６０〜６５％、６５〜７０％、上記範囲の間のパーセンテージ等）に対して、灌注流体と隣接するダイヤモンド（および／または別の熱分流部材）１１５０との間の直接接触を提供することができる。他の実施形態では、チャネル２１２０の穿孔または直接接触領域２１２２を構成する開口部２１２３は、要求または必要に応じて、チャネル２１２０の穿孔または直接接触領域２１２２の表面積の３０％より小さい（たとえば、１〜５％、５〜１０％、１０〜１５％、１５〜２０％、２０〜２５％、２５〜３０％、上記範囲の間のパーセンテージ、１％より小さい等）、または７０％より大きい（たとえば、７０〜７５％、７５〜８０％、８０〜８５％、８５〜９０％、９０〜９５％、９５〜９９％、上記範囲の間のパーセンテージ、９９％より大きい等）場合に、灌注流体と隣接するダイヤモンド（および／または別の熱分流部材）２１５０との間の直接接触を提供することができる。こうした穿孔または直接接触領域２１２２は、本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものに組み込むことができる。さらに、限定なしに図１６Ａおよび１７Ｂのシステムを含む本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものは、２つ以上の穿孔または直接接触領域２１２２を含むことができる。たとえば、図１６Ａおよび１６Ｂの実施形態は、近位側スラグまたは電極２１３０の遠位端に沿って、かつ／または熱分流部材に隣接する他の任意の部分に沿って、第２穿孔または直接接触領域を含むことができる。
図１６Ｂに示すように、カテーテルまたは他の医療器具の遠位端を通って延在する灌注チャネル２１２０と流体連通する灌注チューブ（たとえば、可撓性ポリウレタンまたは他のポリマー導管）２１０４の遠位端を、少なくとも部分的にこうしたチャネル２１２０の内部に配置することができる。こうした構成を、本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものまたはその変形形態に組み込むことができる。いくつかの実施形態では、灌注チューブ２１０４の遠位部分は、遠位チャネル２１２０の内部に圧入するようなサイズとし、形状とし、かつ／または他の方法で構成することができる。しかしながら、いくつかの実施形態では、たとえば、要求または必要に応じて、灌注チューブ２１０４を灌注チャネル２１２０に固定するのに役立つように、たとえば接着剤、熱接合、締結具等、１つまたは複数の他の取付装置または方法を使用することができる。
図１６Ｃに、熱分流特徴を有するカテーテルまたは他の医療器具２２００の遠位端の別の実施形態を示す。図示するように、近位側電極またはスラグ２２３０は、カテーテルの内部に向かって（たとえば、灌注チャネル２２２０までまたはその近くまで）延在する。しかしながら、図示する電極２２３０は、図１６Ａおよび図１６Ｂの実施形態より概して薄い（たとえば、それほど延在しない）。図示する実施形態では、好ましい熱拡散率特徴を有する１つまたは複数の熱分流部材（たとえば、ダイヤモンド、グラフェン、シリカ等）は、近位側電極またはスラグ２２３０の内部と灌注チャネル２２２０との間に配置される。したがって、こうした構成では、電極２２３０およびまたは治療されている対象者の組織においてまたはそれに沿って発生する熱を、電極および／または組織から離れるようにより迅速にかつ効率的に伝達することができるだけでなく、ダイヤモンドまたは他の絶縁熱分流部材または網２２５０が、金属（たとえば、ステンレス鋼）灌注チャネル２２２０と近位側電極またはスラグ２２３０との間に必要な絶縁を提供する。本明細書で述べるように、こうした絶縁は、スプリットチップ設計に有用である。
図１７Ａおよび図１７Ｂに、アブレーションシステムの別の実施形態の遠位部分２３００を示す。図示するように、システムは、近位側電極すなわちスラグ２３３０および遠位側電極２３１０を有するスプリットチップ設計を備える。さらに、カテーテルまたは他の医療器具は、熱シャント網（たとえば、ダイヤモンド、グラフェン、シリカ、および／または好ましい熱拡散率特性を有する他の材料）を含むがこれに限られず、１つまたは複数の伝熱部材２３５０を含む。いくつかの実施形態によれば、図示する構成に示すように、熱シャント網２３５０は、要求または必要に応じて、カテーテルもしくは器具の外側まで延在するリング、および／または近位側電極２３３０内に（たとえば、その下に）配置される１つもしくは複数の内部部材を含むことができる。さらに、本明細書に開示する他の実施形態と同様に、治療されている組織の温度の検出に役立つように、システムの１つまたは複数の部分に沿って（たとえば、遠位側電極２３１０に沿ってまたはその近くに、近位熱シャント部材に沿ってまたはその近くに、近位側電極２３３０に沿ってまたはその近くに等）、１つまたは複数の温度センサ２３９２、２３９４を設けることができる。より詳細に考察するように、チップの向きを検出するように、チップと組織とが接触しているか否か（かつ／またはどの程度まで接触しているか）を判断するように等、こうした温度センサ（たとえば、熱電対）を用いることもできる。
続けて図１７Ａおよび図１７Ｂを参照すると、カテーテルまたは他の医療器具は、近位側継手または部材２３４０を含むことができる。図示するように、こうした継手または部材２３４０は、灌注導管（たとえば、ポリウレタン、他のポリマーまたは他の可撓性導管等）２３０４に接続しかつそれと流体連通するように構成される。たとえば、図示する実施形態では、灌注導管２３０４の遠位端は、継手２３４０の近位端（たとえば、凹部）内に挿入されるようなサイズであり、形状であり、そのように構成される。いくつかの実施形態では、灌注導管２３０４は、継手２３４０の凹部内に圧入される。しかしながら、他の構成では、要求または必要に応じて、圧入接続の代わりにまたはそれに加えて、導管２３０４を継手２３４０に固定するために１つまたは複数の他の取付装置または方法（たとえば、接着剤、溶接部、締結具等）を使用することができる。灌注導管２３０４と継手２３４０との間の厳密な固定機構に関わらず、導管２３０４を通過する流体は、継手２３４０のマニホールド２３４２に入ることができる。いくつかの実施形態では、マニホールド２３４２は、灌注流体流を２つ以上の通路２３４４に押し込むことができる。しかしながら、いくつかの実施形態では、継手２３４０はマニホールドを有していない。たとえば、継手２３４０に入る灌注流体を、要求または必要に応じて、単一の流体経路のみに沿って通すことができる。
図１７Ａおよび図１７Ｂの実施形態では、継手２３４０のマニホールド（または他の流れ分割機構、装置または構成要素）２３４２が、灌注流を３つの異なる流体経路に分離す
る。図示するように、こうした流体経路の各々は、別個の流体導管または下位導管２３２０と流体連通させることができる。いくつかの実施形態では、こうした流体導管２３２０は、カテーテルまたは他の医療器具の中心線に対して（たとえば、半径方向に）等しく間隔を空けて配置される。たとえば、導管２３２０は、互いに対して１２０度でまたはおよそ１２０度で間隔を空けて配置することができる。図示するように、導管２３２０は、少なくとも部分的に、近位側熱シャント部材２３５０および近位側スラグまたは電極２３３０を通って延在する。しかしながら、他の実施形態では、マニホールド２３４２、２３４４および／または流体導管２３２０の向き、間隔および／または他の細部は変更することができる。さらに、マニホールドシステムから始まる流体導管２３２０の数は、要求または必要に応じて、４つ以上（たとえば、４、５、６、７、８つ以上等）か、または２つ以下（たとえば、２、３つ）であり得る。
システムが開放灌注システムを備えるいくつかの実施形態では、図１７Ｂの縦断面図に示すように、流体導管２３２０のうちの１つまたは複数に沿って、１つまたは複数の灌注流体出口２３３２ａ、２３３２ｂ、２３３２ｃを設けることができる。図示するように、近位側電極２３３０内にこうした流体出口２３３２を設けることができる。しかしながら、他の実施形態では、近位側電極２３３０の代わりにまたはそれに加えて、システムの１つまたは複数の他の部分（たとえば、熱シャント部材２３５０、遠位側電極２３１０等）にこうした出口２３３２を含めることができる。こうした構成（たとえば、近位側電極を通るマニホールドおよび／または開口部を含む構成）は、本明細書に開示するアブレーションシステム実施形態の任意のものに組み込むことができる。本明細書に開示する他の灌注システム構成と同様に、使用中にシステムからの熱を迅速にかつ効率的に放散させる（たとえば、分流させる）のに役立つように、導管および／または流体出口を通過する灌注流体に、（たとえば、電極、治療されている組織、システムの１つまたは複数の部分等から）熱を分流させることができる。いくつかの実施形態では、図１７Ａおよび図１７Ｂに示すように、流体出口２３３２のうちの２つ以上の相対的なサイズ、形状および／または他の構成は変更することができる。たとえば、いくつかの構成では、各導管２３２０を通過する流体の流体力学をより適切に平衡させるために（たとえば、各出口２３３２を通過する流量をより適切に平衡させるように）、近位側流体出口は、遠位側流体出口のうちの１つまたは複数より小さい場合がある。しかしながら、他の実施形態では、流体出口２３３２のうちの２つ以上（たとえば、大部分またはすべて）は、同一の形状、サイズおよび／または他の特性を含む。
いくつかの実施形態では、流体出口が配置されたカテーテルまたは他の医療器具の半径方向に対して、流体出口の向きを斜めにすることができる。このように斜めにするかまたはずらすことは、カテーテルまたは他の医療器具の遠位端に沿って配置された任意の流体出口（たとえば、図１３、図１６Ａおよび図１６Ｂおよび図１６Ｃに図示するように遠位側電極に沿って配置された流体出口、図１７Ａおよび図１７Ｂに示すように近位側電極に沿って配置された出口等）に対して行うことができる。出口が（たとえば、カテーテルまたは医療器具の半径方向に対して、カテーテルまたは医療器具の長手方向中心線に対して垂直な方向に対して）斜めになるかまたはずれる程度は、要求または必要に応じて変更することができる。例として、半径方向に対して、０〜６０度（たとえば、０〜５度、５〜１０度、１０〜１５度、１５〜２０度、２０〜２５度、２５〜３０度、３０〜３５度、３５〜４０度、４０〜４５度、４５〜５０度、５０〜５５度、５５〜６０度、上記範囲の間の角度等）、斜めにするかまたはずらすことができる。いくつかの実施形態では、要求または必要に応じて、流体開口部は、半径方向に対して６０度より大きく（たとえば、６０〜６５度、６５〜７０度、７０〜７５度、上記範囲の間の角度、７０度より大きい等）斜めになるかまたはずれる。
いくつかの実施形態によれば、遠位側電極に沿ってまたはその近くに配置された流体出
口または開口部は、遠位側に（たとえば、対応する流体出口または開口部の位置の遠位側の方向に）斜めになるかまたはずれる。いくつかの実施形態では、近位側電極に沿ってまたはその近くに配置された流体出口または開口部は、近位側に（たとえば、対応する流体出口または開口部の位置に対して近位側の方向に）斜めになるかまたはずれる。したがって、いくつかの実施形態では、遠位側電極においてまたはその近くで出る灌注流体は、対応する流体出口に対して遠位側の方向に送達され、近位側電極においてまたはその近くで出る灌注流体は、対応する流体出口に対して近位側の方向に送達される。いくつかの実施形態では、こうした構成は、本来、電極に沿ってまたはその近くで生成される可能性があるホットスポットを冷却するのに役立つことができる。こうした構成はまた、血栓および／または凝血塊の形成の可能性を低減させるのに役立つように、それらの領域において血液を希釈するのにも役立つことができる。
複数の温度センサ
いくつかの実施形態によれば、医療器具（たとえば、アブレーションカテーテル）は、医療器具の遠位部分に沿った異なる位置に軸方向に間隔を空けて配置された複数の温度測定デバイス（たとえば、熱電対、サーミスタ、他の温度センサ）を含むことができる。軸方向に間隔を空けることにより、有利には、重要な空間温度勾配の測定が容易になる。温度測定デバイスの各々を他の温度測定デバイスの各々から隔離して、独立した温度測定値を提供することができる。エネルギー送達部材の温度を直接測定しないように、温度測定デバイスを１つまたは複数のエネルギー送達部材（たとえば、高周波電極）から断熱することができ、それにより、エネルギー送達部材の熱的影響から隔離される温度測定が容易になる。医療器具は、医療器具の遠位チップまたは先端にまたはそれに隣接して配置された第１の複数の温度センサ（たとえば、組、アレイ、群）を備えることができる。第１の複数の温度センサは、医療器具の第１断面に沿って医療器具の周囲で、等距離でまたは不等距離で間隔を空けて（たとえば、円周方向に、半径方向に）配置することができる。医療器具はまた、第１断面の近位側である医療器具の第２断面に沿った第１の複数の温度センサから近位側に間隔を空けて配置された第２の複数の温度センサも備えることができ、それにより、複数の位置で温度測定値を取得することができる。いくつかの実施形態では、第２の複数の温度センサは、（医療器具（たとえば、アブレーションカテーテル）が単一の電極または他のエネルギー送達部材を備える場合）電極または他のエネルギー送達部材の、または（医療器具が複数の電極部材または他のエネルギー送達部材を備える場合）最近位側電極または他のエネルギー送達部材の近位端（たとえば縁）に隣接して配置される。
温度センサから取得される温度測定値を有利に使用して、特に、組織表面に対する医療器具の遠位チップの向きを求め、医療器具（たとえば、アブレーションカテーテル）によって形成される損傷部のピーク温度ゾーンの推定温度、および／または損傷部のピーク温度ゾーンの推定位置を求めることができる。いくつかの実施形態では、温度センサまたは他の温度測定デバイスを用いてなされる判断を用いて、焦げ、または血管で使用される場合には血栓を防止し、かつ／または損傷部パラメータ（たとえば、深さ、幅、ピーク温度ゾーンの位置、ピーク温度）を制御するように、治療パラメータ（たとえば、目標温度、電力、持続時間、向き）を調整することができ、したがって、より信頼性が高くかつ安全な治療（たとえば、アブレーション）処置を提供することができる。したがって、医療装置（たとえば、カテーテル、プローブ等）の遠位端に沿って配置されたエネルギー送達部材（たとえば、ＲＦ電極、マイクロ波エミッタ、超音波変換器、極低温エミッタ、他のエミッタ等）に対する電力の送達または他のパラメータを調節する制御方式の実施時に、（たとえば、治療容積内のかつ／またはそれに隣接する）対象者の組織に悪影響を与える（たとえば、過熱する、過剰治療する等）ことなく、目標レベルの治療を達成することができる。
本明細書で用いるピーク温度という用語は、山すなわち高い温度（たとえば、正のピーク温度）または谷すなわち低い温度（たとえば、負のピーク温度）のいずれかを含むことができる。その結果、標的組織内のピーク温度（たとえば、最高もしくは最低温度または他の極値温度）を求めることにより、より安全で、より効率的であり、より効果的な治療処置をもたらすことができる。いくつかの実施形態では、たとえば、クライオアブレーションが行われる場合、本明細書に開示するシステム、装置および／または方法を用いて、治療（たとえば、アブレーション）容積内の谷すなわち最低温度点を求めることができる。いくつかの実施形態では、組織を冷却する技術は、効果的かつ安全な温度範囲内で組織温度を制御するという同様に臨床的な課題に直面する。したがって、本明細書に開示するさまざまな実施形態を、標的組織を冷却するかまたは加熱する技術とともに用いることができる。
本発明のいくつかの実施形態は、以下の利点のうちの１つ、いくつかまたはすべてを含むため、特に有利である。すなわち、（ｉ）近位縁加熱の低減、（ｉｉ）焦げまたは血栓形成の可能性の低減、（ｉｉｉ）アブレーション処置をリアルタイムで調整するために用いることができるフィードバックの提供、（ｉｖ）非侵襲的温度測定を提供し、（ｖ）放射測定の使用を不要とし、（ｖｉ）より安全かつ信頼性の高いアブレーション処置を提供し、（ｖｉｉ）灌注式または非灌注式アブレーション中の組織温度モニタリングおよびフィードバックである。
本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものに対して、カテーテルまたは他の低侵襲性医療器具を、１つまたは複数の撮像技術を用いて、対象者の標的解剖学的位置（たとえば、心房、肺静脈、他の心臓位置、腎動脈、他の血管または管腔等）に送達することができる。したがって、本明細書に開示するアブレーションシステムのうちの任意のものを、たとえば、Ｘ線透視技術、心腔内心エコー法（ＩＣＥ）技術等、撮像装置またはシステムとともに使用される（たとえば、それとは別個に使用されるか、または少なくとも部分的に組み込まれる）ように構成することができる。いくつかの実施形態では、治療を達成するために、エネルギー送達は、流体送達（たとえば、高温流体、極低温流体、化学剤）と置き換えられる。
図１８Ａは、一実施形態による、複数の温度測定デバイス３１２５を備える開放灌注式アブレーションカテーテル３１２０Ａの遠位部分の斜視図を示す。図示するように、図１８Ａのアブレーションカテーテル３２１０Ａの実施形態は、スプリットチップ電極設計を備える開放灌注式カテーテルである。スプリットチップ電極設計は、ドーム状すなわち半球状遠位チップ電極部材３１３０、絶縁ギャップ３１３１および近位側電極部材３１３５を備える。アブレーションカテーテル３１２０Ａは、複数の灌注ポート３１４０および伝熱部材３１４５を備える。
温度測定デバイス３１２５は、遠位側電極部材３１３０に形成された凹部または開口部内に配置される温度測定デバイス３１２５Ａの第１（たとえば、遠位側）群と、近位側電極部材３１３５の近位縁に近接するかまたは隣接する伝熱部材３１４５に形成されたスロット、切欠きまたは開口部に配置された温度測定デバイス３１２５Ｂの第２（たとえば、近位側）群とを備える。温度測定デバイス３１２５は、熱電対、サーミスタ、蛍光光学センサ、抵抗温度センサおよび／または他の温度センサを含むことができる。さまざまな実施形態において、熱電対は、ニッケル合金、白金／ロジウム合金、タングステン／レニウム合金、金／鉄合金、貴金属合金、白金／モリブデン合金、イリジウム／ロジウム合金、純貴金属、タイプＫ、タイプＴ、タイプＥ、タイプＪ、タイプＭ、タイプＮ、タイプＢ、タイプＲ、タイプＳ、タイプＣ、タイプＤ、タイプＧおよび／またはタイプＰ熱電対を含む。カテーテル１２０Ａに沿った任意の位置に（たとえば、ハンドル内、またはカテーテル３１２０Ａのシャフトもしくは細長い部材内）に、基準熱電対を配置することができる
。一実施形態では、基準熱電対は、電極部材から断熱されかつ／または絶縁されている。電極部材を、他のエネルギー送達部材に置き換えることができる。
いくつかの実施形態では、温度測定デバイスは、（たとえば、電極部材の温度を測定する代わりに、組織温度等、周囲温度の測定を容易にするために）電極部材の熱的影響から温度測定値を隔離するように、電極部材３１３０、３１３５から断熱される。図示するように、温度測定デバイス３１２５は、アブレーションカテーテル３１２０Ａの外面から外向きに突出または延出することができる。いくつかの実施形態では、温度測定デバイス３１２５は、外面から最大約１ｍｍ（たとえば、約０．１〜約０．５ｍｍ、約０．５〜約１ｍｍ、約０．６〜約０．８ｍｍ、約０．７５〜約１ｍｍ、またはそれらの部分的に重なる範囲）突出することができる。いくつかの実施形態によれば、遠位チップ電極部材３１３０、および／または温度測定デバイス３１２５の外向き突出部または拡張部のドーム形状により、有利には、温度測定デバイスを、組織内により深くかつ灌注ポート３１４０によって提供される開放灌注の影響から離れるように埋め込むことができる。温度測定デバイスの近位側群と温度測定デバイスの遠位側群とは、（群としてかつ／または各群内で個別に）同じ量または異なる量を突出することができる。他の実施形態では、温度測定デバイス３１２５は、他の面と同一平面であるかまたは他の面内に埋め込まれる（たとえば、外面から０．０ｍｍ、−０．１ｍｍ、−０．２ｍｍ、−０．３ｍｍ、−０．４ｍｍ、−０．５ｍｍ）。
図１８Ｄを参照すると、温度測定デバイス３１２５が配置されるアブレーションカテーテル３１２０Ｃの一部は、温度測定デバイスを組織内により深く埋め込むのを容易にし、電極部材または流体（たとえば、生理食塩水または血液）の熱的影響から温度測定値をさらに隔離するように、アブレーションカテーテル３１２０Ｃの隣接部分より大きい外径または他の外側断面寸法を有することができる。図１８Ｄに図示するように、温度測定デバイス３１２５Ｂの近位側群を備えるアブレーションカテーテル３１２０Ｃの部分は、隣接する部分より大きい外径を有する膨出部、リングまたは隆起３１５５を備える。
いくつかの実施形態では、温度測定デバイス３１２５は、外向きに前進し内向きに後退するように適合される。たとえば、温度測定デバイス３１２５は、アブレーションカテーテルの挿入および治療位置への移動中、後退位置にあり（外面内にありまたは外向きにわずかに突出して）、外側輪郭を低減させ治療位置への挿入を容易にすることができ、治療位置にあるときは外向きに前進することができる。図１８Ｄのアブレーションカテーテル３２１０Ｃに関連して上述した特徴は、本明細書に記載する他のアブレーションカテーテルのうちの任意のもので採用することができる。
図１８Ａに戻ると、温度測定デバイス３１２５の近位側群および遠位側群は、それぞれ２つ、３つ、４つ、５つ、６つ、または７つ以上の温度測定デバイスを備えることができる。図示する実施形態では、一実施形態により、温度測定デバイス３１２５の近位側群および遠位側群は、それぞれ３つの温度測定デバイスからなり、それらは、容積測定適用範囲と構成要素の数の低減との間のバランスを提供することができる。温度測定デバイスの数は、精度、複雑性、容積測定適用範囲、チップ−組織並置の変動、コスト、構成要素の数、および／またはサイズ制約を平衡させるように選択することができる。図１８Ａに示すように、温度測定デバイスは、アブレーションカテーテル３１２０Ａの円周にわたって等しく間隔を空けて配置するか、またはアブレーションカテーテルの近位端から遠位端まで延在する中心長手方向軸を中心に互いから等しい度数間隔を空けて配置することができる。たとえば、３つの温度測定デバイスが使用される場合、それらは、約１２０度だけ間隔を空けて配置することができ、４つの温度測定デバイスが使用される場合、それらは約９０度だけ間隔を空けて配置することができる。他の実施形態では、温度測定デバイス３１２５は等しい間隔で配置されない。
図１８Ａの実施形態に示すように、アブレーションカテーテル３２１０Ａの同じ断面に沿って、各群の温度測定デバイス３１２５を配置することができる。たとえば、遠位温度測定デバイス３１２５Ａは、ドーム状表面から外向きに同じ距離だけ延在するように配置することができ、近位側温度測定デバイス３１２５Ｂは、それぞれアブレーションカテーテル３１２０Ａの遠位チップから同じ距離間隔を空けて配置することができる。図１８Ａの実施形態に図示するように、遠位側温度測定デバイス３１２５Ａは、アブレーションカテーテル３２１０Ａの遠位部分の中心長手方向軸と平行であるかまたは実質的に平衡である軸方向に延在し、近位側温度測定デバイス３１２５Ｂは、アブレーションカテーテル３１２０Ａの外面から半径方向外向きに延在する。他の実施形態では、遠位側温度測定デバイス３１２５Ａは、遠位先端の遠位面に配置されない場合があり、（図示する近位側温度測定デバイス３１２５Ｂと同様に）半径方向外向きに延在するように側面に配置することができる。
図１８Ａの実施形態に示すように、遠位側温度測定デバイス３１２５Ａは、絶縁ギャップ３１３１および／または灌注ポート３１４０の遠位側に配置することができ、近位側温度測定デバイス３１２５Ｂは、伝熱部材３１４５内で近位側電極部材３１３５の遠位縁に対して近位側に配置することができる。（たとえば、図２２Ａおよび図２２Ｂに示すような）他の実施形態では、近位側温度測定デバイス３１２５Ｂは、（たとえば、図１８Ａに示す遠位側チップ電極部材に形成された凹部または開口部と同様に近位側電極部材３１３５内に形成された凹部または開口部内で）近位側電極部材３１３５の遠位縁に対して遠位側に配置することができる。他の実施形態では、遠位側温度測定デバイス３１２５Ａおよび／または近位側温度測定デバイス３１２５Ｂは、アブレーションカテーテル３１２０Ａの長さに沿った他の位置に配置することができる。いくつかの実施形態では、各遠位側温度測定デバイス３１２５Ａは、近位側温度測定デバイス３１２５Ｂのうちの１つと軸方向に位置合せされ、遠位側温度測定デバイス３１２５Ａと近位側温度測定デバイスとの間の間隔は、均一であるかまたは実質的に均一である。
灌注ポート３１４０は、アブレーションカテーテル３１２０Ａのシャフトの円周にわたって間隔を空けて（等間隔でまたは他の間隔で）配置することができる。灌注ポート３１４０は、図１の灌注流体システム７０によって提供される流体源等、流体源と連通している。灌注ポートにより、開放灌注が容易になり、電極部材３１３０、３１３５および電極部材３１３０、３１３５を包囲する任意の血液に対して冷却が提供される。いくつかの実施形態では、アブレーションカテーテル３１２０Ａは、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ、８つ、または９つ以上の出口ポート３１４０を備える。さまざまな実施形態では、出口ポート３１４０は、組織インタフェースにおいて伝熱部材３１４５の冷却を改善するように、遠位側電極部材３１３０の近位縁から０．００５インチ〜０．０１５インチの間隔を空けて配置されるが、要求および必要に応じて、他の間隔を使用することができる。他の実施形態では、出口ポート３１４０は、（たとえば、図１８Ｅに示すように）近位側電極部材３１３５に沿って直線状にかつ／または円周方向に間隔を空けて配置される。
図１８Ｂおよび図１８Ｃは、別の実施形態による、複数の温度測定デバイスを有する開放灌注式アブレーションカテーテル３１２０Ｂの遠位部分のそれぞれ斜視図および断面図を示す。アブレーションカテーテル３１２０Ｂは、上述したアブレーションカテーテル３１２０Ａの構造的構成要素、要素および特徴のすべてを含むことができ、アブレーションカテーテル３１２０Ａは、図１８Ｂおよび図１８Ｃに関連して記載した構造的構成要素、要素および特徴のすべてを含むことができる。アブレーションカテーテル３１２０Ｂは、図１８Ａに示すようなドーム状チップ電極部材の代わりに、フラットチップ電極部材３１３０を備える。
図１８Ｃに最もよく示すように、伝熱部材３１４５は、電極部材３１３０、３１３５のうちの１つまたは両方と熱的に接触する。伝熱部材３１４５は、近位側電極部材３１３５の近位端まで、その近くまで、それを越えて延在することができる。いくつかの実施形態では、伝熱部材３１４５は、近位側電極部材３１３５の近位端においてまたはその近くで終端する。しかしながら、（図１８Ｃに示すような）他の構成では、伝熱部材３１４５は、近位側電極部材３１３５の近位端を越えて延在する。さらに他の実施形態では、伝熱部材３１４５は、近位側電極部材３１３５の近位端（たとえば、縁）の遠位側で終端する。伝熱部材３１４５は、チップ電極部材３１３０の近位側面から近位側電極部材３１３５の近位端を越えた位置まで延在することができる。伝熱部材３１４５が近位側電極部材３１３５の近位端を越えて延在する実施形態は、伝導性冷却を通して近位縁における熱を低減させることにより、近位縁における電流濃度の量の増大によってもたらされる近位縁加熱効果の分流を増大させることができる。いくつかの実施形態では、伝熱部材３１４５の少なくとも一部は、（たとえば、絶縁ギャップ３１３１内で）組織と直接接触し、加熱されている標的組織から直接熱を除去するかまたは放散させることができる。
伝熱部材３１４５は、好ましい伝熱特性を含む１つまたは複数の材料を含むことができる。たとえば、いくつかの実施形態では、伝熱部材に含まれる材料の熱拡散率は、３００Ｗ／ｍ／℃より大きい（たとえば、３００〜３５０Ｗ／ｍ／℃、３５０〜４００Ｗ／ｍ／℃、４００〜４５０Ｗ／ｍ／℃、４５０〜５００Ｗ／ｍ／℃、５００〜６００Ｗ／ｍ／℃、６００〜７００Ｗ／ｍ／℃、上記値の間の範囲、７００Ｗ／ｍ／℃より大きい等）。
好ましい熱伝導率特性を有するあり得る材料としては、限定されないが、銅、真鍮、ベリリウム、他の金属および／もしくは合金、アルミナセラミック、他のセラミック、工業用ダイヤモンド、ならびに／または他の金属および／もしくは非金属材料が挙げられる。
伝熱部材が熱分流部材を含むいくつかの実施形態によれば、熱シャント部材に含まれる材料および／または（たとえば、単体部材または構造として見た場合）熱シャントアセンブリ全体の熱拡散率は、１．５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい（たとえば、１．５〜２ｃｍ２／ｓｅｃ、２〜２．５ｃｍ２／ｓｅｃ、２．５〜３ｃｍ２／ｓｅｃ、３〜４ｃｍ２／ｓｅｃ、４〜５ｃｍ２／ｓｅｃ、５〜６ｃｍ２／ｓｅｃ、６〜７ｃｍ２／ｓｅｃ、７〜８ｃｍ２／ｓｅｃ、８〜９ｃｍ２／ｓｅｃ、９〜０ｃｍ２／ｓｅｃ、１０〜１１ｃｍ２／ｓｅｃ、１１〜１２ｃｍ２／ｓｅｃ、１２〜１３ｃｍ２／ｓｅｃ、１３〜１４ｃｍ２／ｓｅｃ、１４〜１５ｃｍ２／ｓｅｃ、１５〜２０ｃｍ２／ｓｅｃ、上記範囲の間の値、２０ｃｍ２／ｓｅｃより大きい等）。熱拡散率は、熱エネルギーを蓄積する能力に対する、熱エネルギーを伝導する材料の能力を測定する。したがって、材料が熱を伝達するものとして効率的であり得る（たとえば、比較的高い熱伝導率を有することができる）としても、それは、その蓄熱特性のために、好ましい熱拡散率特性を有していない場合がある。伝熱とは異なり、熱分流には、（たとえば、質量または容積を通して熱を迅速に伝達するための）高い熱コンダクタンス特性と（たとえば、熱を蓄積しないための）低い熱容量とを有する材料を使用する必要がある。好ましい熱拡散率、したがって好ましい熱分流特性を有するあり得る材料として、限定されないが、工業用ダイヤモンド、グラフェン、シリカ合金、セラミック、他の炭素系材料、ならびに／または他の金属および／ならびに非金属材料が挙げられる。さまざまな実施形態では、伝熱に使用される材料（たとえば、ダイヤモンド）は、ＩＣＥ撮像または他の撮像技法を用いてカテーテルチップの可視性を増大させる。
好ましい熱拡散率特性を有する材料の使用は、治療処理中に電極および／または隣接する組織から離れるように熱を効率的に伝達し得ることを確実にするのに役立つことができる。対照的に、たとえば、銅、他の金属または合金、熱伝導性ポリプロピレンまたは他のポリマー等、好ましい熱伝導率特性を有するが、好ましい熱拡散率特性を有していない材料は、熱を保持する傾向がある。その結果、熱を蓄積するこうした材料を使用することに
より、電極および／または治療されている組織に沿った温度が、特に比較的長いアブレーション処置にわたり、望ましくないほど高いレベル（たとえば、７５℃より高いレベル）で維持されることになる可能性があり、それにより、焦げ、血栓の形成および／または他の熱関連問題がもたらされる可能性がある。
熱分流網で使用されるのに必要な熱拡散率特性を有する工業用ダイヤモンドおよび他の材料は、本明細書のさまざまな実施形態において開示するように、好ましい熱伝導特性を有する。こうした好ましい熱伝導態様は、比較的高い熱コンダクタンス値と、熱分流網の熱シャント部材がチップ内で互いに対してかつ組織に対して配置される方法とから生じる。たとえば、いくつかの実施形態では、高周波エネルギーがチップから放出され、組織内の通電加熱が熱を発生するため、露出した（たとえば、チップの最遠位端から０．５ｍｍに配置されている）最遠位シャント部材は、損傷部位から熱を能動的に抽出することができる。熱エネルギーは、有利には、分流網を通って比較的迅速に伝達し、高周波電極面熱シャント網の下にあるシャントを通って、近位側シャント部材を通ってかつ／または周囲環境内に放散することができる。内部シャント部材を通って分流している熱は、カテーテルまたは他の医療器具の内部を通って延在している灌注導管に迅速に伝達することができる。他の実施形態では、アブレーション処置によって発生する熱は、近位側シャント部材および遠位側シャント部材両方（たとえば、本明細書の実施形態の多くに示すような、カテーテルまたは他の医療器具の外部に露出しているシャント部材）を通して分流させることができる。
さらに、上述したように、熱シャント網で使用されるのに好適な熱拡散率特性を有する材料は、必要な熱伝導率特性を有するのみでなく、十分に低い熱容量値も有する。これは、熱エネルギーが、チップ−組織接触面とともに電極のホットスポットから、熱分流網に熱を保持することなく、非常に迅速に放散するのを確実にするのに役立つ。熱伝導は、組織表面および高周波電極表面の迅速かつ効率的な冷却を確実にする主放熱機構を構成する。逆に、（たとえば、比較的高い熱伝導率特徴を有するが比較的高い熱容量特徴も有する）伝熱体は、熱エネルギーを蓄積する。長いアブレーション処置にわたって、こうした蓄積された熱は、７５℃より高い可能性がある。こうした状況下で、血栓および／または焦げ形成が発生する可能性があり、それは望ましくない。
本明細書に開示するさまざまな実施形態の熱対流態様は、２つの部分からなる。第１に、カテーテルの灌注内腔は、シャント網を通ってそれに伝達される熱エネルギーを吸収することができる。したがって、灌注ポートを介して、電極チップの遠位端からこうした熱エネルギーを押し流すことができる。しかしながら、閉鎖灌注システムでは、こうした熱エネルギーは、カテーテルの近位端に戻るように伝達することができ、そこで除去することができる。第２に、カテーテルまたは他の医療器具の外側に沿った露出したシャント面は、電極および／または治療されている組織からの熱の放散にさらに役立つことができる。たとえば、こうした熱放散は、電極の表面にわたって流れる血液に備わる対流冷却の性質により達成することができる。
したがって、熱分流網において、工業用ダイヤモンド等、好ましい熱拡散率特性を有する材料を使用することは、熱分流網を（その熱容量特性が低いため）低温で維持しながら、電極および治療済みの組織から離れるように迅速にかつ効率的に熱が伝達されることを確実にするのに役立つことができる。これにより、危険である可能性のある熱が、熱分流網自体を介して処置に導入されないため、より安全なアブレーションカテーテルおよび関連する治療方法をもたらすことができる。
いくつかの実施形態では、本明細書に開示する熱シャント部材は、焼灼されている組織から熱を引き出し、それを灌注チャネル内に分流させる。同様に、熱は、電極の縁に形成
されるあり得るホットスポットから引き出され、熱シャント網を通って灌注チャネル内に分流する。灌注チャネルから、対流冷却により、有利には、血流に熱を放出し、放散させることができる。閉鎖灌注システムでは、対象者の体内に灌注流体を放出することなく、システムから熱を除去することができる。
いくつかの実施形態によれば、本明細書に開示するさまざまな熱分流システムは、主冷却機構として熱伝導に頼る。したがって、こうした実施形態では、熱分流網のかなりの大部分が（血流に直接露出するために）カテーテルまたは他の医療器具の外面まで延在する必要がない。実際には、いくつかの実施形態では、シャント網全体は、カテーテルチップの内部に存在することができる（すなわち、熱シャント網のいかなる部分もカテーテルまたは他の医療器具の外側まで延在しない）。さらに、本明細書に開示するさまざまな実施形態では、電極部材からまたは灌注チャネルから熱シャントを絶縁する必要がない。
図１８Ｃに示すように、伝熱部材３１４５はまた、アブレーションカテーテル３１２０Ｂの内腔に沿って延在する熱交換チャンバ（たとえば、灌注導管）３１５０と熱的に接触する。本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものに対して、熱交換チャンバ３１５０と熱連通している伝熱部材（たとえば、熱シャント部材）の少なくとも一部は、１つもしくは複数の電極または他のエネルギー送達部材に隣接して（いくつかの実施形態では、物理的にかつ／または熱的に接触して）、カテーテルの外面まで延在する。こうした構成は、システムが作動したとき、特に、（たとえば、電極または他のエネルギー送達部材の他の部分に対して）本来熱がより集中する傾向がある可能性がある、電極またはエネルギー送達部材の近位端においてまたはその近くで、電極または他のエネルギー送達部材の冷却をさらに促進することができる。いくつかの実施形態によれば、熱伝導性グリースおよび／または他の任意の熱伝導性材料（たとえば、熱伝導性液体または他の流体、層、部材、コーティングおよび／または部分）を用いて、たとえば、伝熱部材３１４５を、要求または必要に応じて、熱交換チャンバ（たとえば、灌注導管）３１５０と熱連通させることができる。こうした実施形態では、こうした熱伝導性材料は、電極部材３１３０、３１３５を、灌注導管３１５０と少なくとも部分的に熱連通させる。
灌注導管３１５０は、開放灌注システムの一部とすることができ、そこでは、流体は、電極部材および／または隣接する標的組織を冷却するために、（たとえば、電極部材３１３０においてまたはその近くで）カテーテルの遠位端に沿って出口ポートまたは開口部３１４０を通って出る。さまざまな実施形態において、灌注導管３１５０は、１つもしくは複数の金属および／または他の好ましい伝熱（たとえば、熱分流）材料（たとえば、銅、ステンレス鋼、他の金属もしくは合金、セラミック、ポリマー、および／または比較的好ましい伝熱特性を有する他の材料等）を含む。灌注導管３１５０は、近位側電極部材３１３５の近位端を越えて伝熱部材３１４５の近位部分内に延在することができる。灌注導管３１５０の内壁は、灌注導管３１５０と電極部材の材料との間に強力な溶接部または結合を形成する生体適合性材料（ステンレス鋼等）を備えることができる。
いくつかの実施形態では、アブレーションカテーテル３１２０は、カテーテルの遠位端に沿って（たとえば、遠位側電極部材３１３０の遠位端に沿って）灌注出口開口部３１４０のみを備える。いくつかの実施形態では、システムは、伝熱部材３１４５に沿っていかなる灌注開口部も備えていない。
伝熱部材３１４５は、有利には、電極部材３１３０、３１３５から離れる熱伝導を促進することができ、それにより、電極部材３１３０、３１３５をさらに冷却し、焦げ、または電極部材が血液と接触している場合には血栓形成の可能性を低減させる。伝熱部材３１４５は、熱伝導に加えて灌注導管３１５０に関連する対流伝熱を促進することにより、電極部材３１３０、３１３５の冷却を改善することができる。
伝熱部材３１４５と電極部材３１３０、３１３５との間の伝熱（たとえば、熱分流は）、電極部材と伝熱部材との間の空隙または他の同様の空間をなくすことにより、促進し、かつ改善することができる。たとえば、導電性材料（たとえば、白金、金、他の金属または合金等）の１つまたは複数の層を、電極部材の内側と伝熱部材３１４５の外側との間に配置することができる。こうした層は、電極部材（または別のタイプのアブレーション部材）と隣接する伝熱部材との間に連続的にまたは断続的に適用することができる。さらに、こうした層は、たとえば、スパッタリング、他のめっき技法等、１つもしくは複数の方法または手順を用いて適用することができる。こうした層は、本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものまたはその変形形態において使用することができる。さらに、熱分流網を使用することは、特に、電極部材によって治療されている組織から離れるように、それ自体が熱を吸収することなく、熱を伝達するのに役立つことができる。
いくつかの実施形態では、アブレーションカテーテル３１２０は、複数の伝熱部材３１４５（たとえば、熱シャントディスクまたは部材）を備える。たとえば、いくつかの実施形態によれば、こうした追加の伝熱部材は、伝熱部材３１４５の近位側に配置することができ、アブレーションカテーテルの内部を通って延在する灌注導管３１５０と熱連通している１つまたは複数のフィン、ピンおよび／または他の部材を備えることができる。したがって、電極部材３１３０、３１３５と接触して配置される伝熱部材３１４５と同様に、これらの追加の伝熱部材（たとえば、熱分流部材）を介して、他のエネルギー送達部材または電極、カテーテルの隣接する部分、および／または対象者の隣接する組織から、熱を伝達し、したがって、除去するかまたは放散させることができる。他の実施形態では、アブレーションカテーテルは、いかなる伝熱部材も備えていない。
いくつかの実施形態では、本明細書に開示するアブレーションカテーテルのうちの任意のものまたはその変形形態に対して、カテーテルの熱交換チャンバ（たとえば、灌注導管）への伝熱を容易にする伝熱部材（たとえば、熱分流部材）のうちの１つまたは複数は、電極部材および／または熱交換チャンバと直接接触する。しかしながら、他の実施形態では、伝熱部材のうちの１つまたは複数は、電極部材および／または灌注導管と接触しない。したがって、こうした実施形態では、伝熱部材は、電極部材もしくは単一電極および／または灌注導管と熱連通するが、こうした構成要素と物理的に接触しない。たとえば、いくつかの実施形態では、１つまたは複数の中間構成要素、層、コーティングおよび／または他の部材が、伝熱部材（たとえば、熱シャント部材）と電極（または他のアブレーション部材）および／または灌注導管との間に配置される。いくつかの実施形態では、灌注は、伝熱部材の効率のためにまったく使用されない。たとえば、複数のレベルまたはスタックの伝熱体が使用される場合、アブレーションカテーテルの長さに沿ったより広い面積にわたって熱を放散させることができる。本明細書では、伝熱部材（たとえば、熱分流部材）の機能および特徴に関するさらなる詳細について提供する。本明細書に開示する医療器具（たとえば、アブレーションカテーテル）の実施形態のうちの任意のものにおいて、本明細書に開示するさまざまな実施形態の（たとえば、熱シャントシステムおよび部材の）特徴を実施することができる。
図１８Ｃ、図１８Ｅおよび図１８Ｆに最もよく示すように、温度測定デバイス３１２５は、管３１６０および／または空隙によって電極部材３１３０、３１３５から断熱されている。いくつかの実施形態では、管３１６０は、電極部材のいかなる部分も温度測定デバイス３１２５と接触しないように、電極部材３１３０、３１３５の長さ全体に沿って（いくつかの実施形態ではそれを越えて）延在し、それにより、電極部材の熱的影響から温度測定を隔離する。温度測定デバイスの外側の管３１６０は、熱伝導率が低い絶縁材料（たとえば、ポリイミド、ＵＬＴＥＭＴＭ、ポリスチレン、または熱伝導率が約０．５Ｗ／ｍ／°Ｋより小さい他の材料）を含むことができる。管３１６０は、空気、または熱伝導率が非常に低い別の気体で実質的に充填される。温度検知デバイスの遠位チップ３１６５（たとえば、温度が検知される部分）は、温度が測定される、温度測定デバイスのヘッドにおいて熱伝導を増大させるように、高導電性媒体（たとえば、グラフェン、炭素、または他の高熱伝導性材料もしくはフィルムから構成されたナノチューブ）で充填されたエポキシポリマーカバーまたはケースを備えることができる。いくつかの実施形態では、遠位チップ３１６５は、熱伝導率が少なくとも１．０Ｗ／ｍ／°Ｋであるエポキシキャップを備える。エポキシ樹脂は、熱伝導率を増大させる（たとえば、酸化アルミニウムを含む）金属ペーストを含むことができる。いくつかの実施形態では、遠位チップ３１６５またはキャップは、温度測定デバイス３１２５の周囲に、温度測定デバイスと接触する組織の実際の温度に近い等温状態をもたらす。各温度測定デバイス３１２５の遠位チップ３１６５は、電極部材との熱伝導性接触から隔離されているため、この等温状態を保持し、それにより、電極部材の熱質量による放散の可能性を阻止するかまたは低減させる。図１８Ｅおよび図１８Ｆは、一実施形態による、アブレーションカテーテルの遠位部分のそれぞれ斜視図および断面図を示し、電極チップからの遠位温度測定デバイスの隔離を示す。図示するように、空隙もしくはポケット３１６２および／または断熱材によって遠位側温度測定デバイス３１２５Ａを包囲することができる。外側の管３１６０は、遠位側電極部材３１３０の全長またはその長さの少なくとも一部に沿って延在する断熱スリーブを備えることができる。スリーブは、遠位側電極部材３１３０を超えて、またはさらには近位側電極部材
３１３５までもしくはそれを越えて延在することができる。
電極部材（たとえば、遠位側電極３１３０）を、エネルギー送達モジュール（たとえば、図１のエネルギー送達モジュール４０）に電気的に結合することができる。本明細書で考察するように、エネルギー送達モジュール４０は、たとえば、エネルギー送達部材（たとえば、ＲＦ電極）を選択的に通電しかつ／または活性化するように構成されるエネルギー発生装置４２、１つまたは複数の入出力デバイスまたは構成要素、治療システムの１つまたは複数の態様を調節するように構成されるプロセッサ（たとえば、処理または制御ユニット）、メモリ等、１つまたは複数の構成要素または特徴を有することができる。さらに、こうしたモジュールは、要求または必要に応じて、手動でまたは自動的に操作されるように構成することができる。
温度測定デバイス３１２５は、より詳細に後述するように、温度測定デバイスの各々に対する温度測定値を求めるために、アブレーションカテーテル３１２０の長さに沿って延在しかつ処理デバイス（たとえば、図１のプロセッサ４６）に戻すように温度信号を通信する、１本または複数本の導体（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）に結合することができる。
いくつかの実施形態によれば、異なる電極または電極部材３１３０、３１３５の相対的な長さは変更することができる。たとえば、近位側電極部材３１３５の長さは、要求および必要に応じて、遠位側電極３１３０の長さの１〜２０倍（たとえば、１〜２倍、２〜３倍、３〜４倍、４〜５倍、５〜６倍、６〜７倍、７〜８倍、８〜９倍、９〜１０倍、１０〜１１倍、１１〜１２倍、１２〜１３倍、１３〜１４倍、１４〜１５倍、１５〜１６倍、１６〜１７倍、１７〜１８倍、１８〜１９倍、１９〜２０倍、上記範囲の間の値等）であり得る。さらに他の実施形態では、遠位側電極部材３１３０および近位側電極部材３１３５の長さは略等しい。いくつかの実施形態では、遠位側電極３１３０は、（たとえば、１〜２倍、２〜３倍、３〜４倍、４〜５倍、５〜６倍、６〜７倍、７〜８倍、８〜９倍、９〜１０倍、１０〜１１倍、１１〜１２倍、１２〜１３倍、１３〜１４倍、１４〜１５倍、１５〜１６倍、１６〜１７倍、１７〜１８倍、１８〜１９倍、１９〜２０倍、上記範囲の間の値等、１〜２０倍）近位側電極３１３５より長い。
いくつかの実施形態では、遠位側電極部材３１３０は０．５ｍｍ長である。他の実施形
態では、遠位側電極部材３１３０は、０．１〜１ｍｍ長（たとえば、０．１〜０．２ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１ｍｍ、上記範囲の間の値等）である。他の実施形態では、要求または必要に応じて、遠位側電極部材３１３０は、長さが１ｍｍより大きい。いくつかの実施形態では、近位側電極部材３１３５は、２〜４ｍｍ長（たとえば、２〜２．５ｍｍ、２．５〜３ｍｍ、３〜３．５ｍｍ、３．５〜４ｍｍ、上記範囲間の長さ等）である。しかしながら、他の実施形態では、要求または必要に応じて、近位側電極部材３１３５は、４ｍｍより大きい（たとえば、４〜５ｍｍ、５〜６ｍｍ、６〜７ｍｍ、７〜８ｍｍ、８〜９ｍｍ、９〜１０ｍｍ、１０ｍｍより大きい等）か、または１ｍｍより小さい（たとえば、０．１〜０．５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１〜１．５ｍｍ、１．５〜２ｍｍ、上記範囲の間の長さ等）である。スプリット電極がカテーテルシャフトに配置される実施形態では、電極部材の長さは１〜５ｍｍ（たとえば、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、４〜５ｍｍ、上記範囲の間の長さ等）であり得る。しかしながら、他の実施形態では、要求または必要に応じて、電極部材は、５ｍｍより長い（たとえば、５〜６ｍｍ、６〜７ｍｍ、７〜８ｍｍ、８〜９ｍｍ、９〜１０ｍｍ、１０〜１５ｍｍ、１５〜２０ｍｍ、上記範囲の間の長さ、２０ｍｍより大きい長さ等）場合がある。
電極部材は、１本または複数本の導体（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）を用いて通電することができる。たとえば、いくつかの構成では、灌注導管３１５０の外側は、１つまたは複数の導電性材料（たとえば、銅、他の金属等）を含みかつ／またはそれらによってコーティングされる。したがって、導体は、電極部材をエネルギー送達モジュールに電気的に結合するように、灌注導管３１５０のこうした導電性面または部分と接触するように配置することができる。しかしながら、電極部材をエネルギー送達モジュールと電気的に連通するように配置する１つまたは複数の他の装置および／または方法を使用することができる。たとえば、１本または複数本のワイヤ、ケーブルおよび／または他の導体は、灌注導管を用いることなく、電極部材に直接または間接的に結合することができる。
スプリットチップ設計を使用することにより、使用者は、単一の構成で同時に、標的組織を焼灼するかまたは熱処理し、（たとえば、高分解能マッピングを用いて）マッピングすることができる。したがって、こうしたシステムにより、有利には、処理中に精密な高分解能マッピング（たとえば、所望のレベルの治療が行われたことを確認するため）を可能にすることができる。いくつかの実施形態では、２つの電極部材または電極部分３１３０、３１３５を含むスプリットチップ設計を用いて、高分解能双極電位図を記録することができる。こうした目的で、２つの電極または電極部分を電気生理学（ＥＰ）レコーダの入力に接続することができる。いくつかの実施形態では、電極部材または電極部分３１３０、３１３５の間の相対的に小さい離隔距離（たとえば、ギャップＧ）により、高分解能マッピングが可能になる。本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものの特徴を、本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものにおいて実施することができる。
いくつかの実施形態では、医療器具（たとえば、カテーテル）３１２０は、要求または必要に応じて、（たとえば、ギャップによって分離された）３つ以上の電極部材または電極部分を含むことができる。いくつかの実施形態によれば、カテーテルチップに沿ってどの程度の数の電極または電極部分が配置されるかに関わらず、電極部材または電極部分３１３０、３１３５は、高周波電極であり、たとえば、ステンレス鋼、白金、白金−インジウム、金、金めっき合金等、１つまたは複数の金属を含む。
いくつかの実施形態によれば、電極部材または電極部分３１３０、３１３５は、ギャップ（たとえば、絶縁ギャップ）３１３１を用いて互いから（たとえば、長手方向にまたは軸方向に）間隔を空けて配置される。いくつかの実施形態では、ギャップ３１３１の長さ
（すなわち、隣接する電極部材または電極部分の間の離隔距離）は０．５ｍｍである。他の実施形態では、ギャップすなわち離隔距離は、要求または必要に応じて、たとえば、０．１〜１ｍｍ等（たとえば、０．１〜０．２ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．７〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１．０ｍｍ、上記範囲の間の値、０．１ｍｍより小さい、１ｍｍより大きい等）、０．５ｍｍより大きいかまたは０．５ｍｍより小さい。
いくつかの実施形態によれば、隣接する電極部材または電極部分３１３０、３１３５の間のギャップ３１３１内に、セパレータが配置される。セパレータは、たとえば、テフロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ダイヤモンド、エポキシ樹脂、ポリエーテルイミド樹脂（たとえば、ＵＬＴＥＭＴＭ）、セラミック材料、ポリイミド等、１つまたは複数の絶縁材料を含むことができる。図１８Ａ〜図１８Ｃおよび図１９Ａ〜図１９Ｃに示すように、セパレータは、ギャップ３１３１内に延在する伝熱部材３１４５の一部を構成することができる。
隣接する電極部材または電極部分を分離するギャップ３１３１に関して上述したように、絶縁セパレータは、０．５ｍｍ長さであり得る。他の実施形態では、セパレータの長さは、要求または必要に応じて、０．５ｍｍより大きいかまたは０．５ｍｍより小さい（たとえば、０．１〜０．２ｍｍ、０．２〜０．３ｍｍ、０．３〜０．４ｍｍ、０．４〜０．５ｍｍ、０．５〜０．６ｍｍ、０．６〜０．７ｍｍ、０．７〜０．８ｍｍ、０．８〜０．９ｍｍ、０．９〜１．０ｍｍ、上記範囲の間の値、０．１ｍｍより小さい、１ｍｍより大きい等）場合がある。
いくつかの実施形態によれば、図１８Ａ〜図１８Ｃおよび図１９Ａ〜図１９Ｃに示すもの等、スプリットチップ電極設計で対象者の標的組織を適切に焼灼しまたは加熱もしくは治療するために、２つの電極部材または電極部分３１３０、３１３５は、ＲＦ周波数で互いに電気的に結合される。したがって、２つの電極部材または電極部分は、有利には、ＲＦ周波数で単一のより長い電極として機能することができる。スプリットチップ電極設計の機能および特徴に関するさらなる詳細について、本明細書に提供する。
図１９Ａ〜図１９Ｃは、さまざまな実施形態による、複数の温度測定デバイス３２２５を有する閉鎖灌注式アブレーションカテーテル３２２０の遠位部分を示す。図１９Ａのアブレーションカテーテル３２２０Ａの実施形態は、図１８Ａのアブレーションカテーテル３１２０Ａと同様のドーム状チップ電極部材３２３０を備える。図１９Ｂおよび図１９Ｃのアブレーションカテーテル３２２０Ｂの実施形態は、図１８Ｂおよび図１８Ｃのアブレーションカテーテル３１２０Ｂと同様のフラットチップ電極部材を備える。アブレーションカテーテル３２２０Ａおよび３２２０Ｂは、図１８Ａ〜図１８Ｃに関連して上述したものと同様の構成要素および特徴を含む。たとえば、温度測定デバイス３２２５は、温度測定デバイス３１２５に対応し、電極部材３２３０、３２３５は電極部材３１３０、３１３５に対応し、伝熱部材３２４５は伝熱部材３１４５に対応し、灌注導管３２５０は灌注導管３１５０に対応する。したがって、これらの特徴については、図１９Ａ〜図１９Ｃに関連して再度説明しない。アブレーションカテーテル３２２０は、閉鎖灌注装置として動作するため、灌注ポートを含まない。
アブレーションカテーテル３２２０は、灌注導管３２５０内に２つの内腔３２６５、すなわち、入口内腔（たとえば、流体送達チャネル）３２６５Ａおよび出口内腔（たとえば、戻りチャネル）３２６５Ｂを備える。図１９Ｃの断面図に示すように、入口内腔３２６５Ａの出口および出口内腔３２６５Ｂの入口は、灌注導管３２５０内の間隔を空けて配置された位置で終端する。入口内腔３２６５Ａの出口は、遠位側電極部材３２３０内で、または遠位側電極部材３２３０の近位端面に隣接して終端する。出口内腔の入口は、近位側
電極部材３２３５の近位端に対して近位側で終端する。内腔３２６５の遠位端のずれた間隔により、有利には、灌注導管内の乱流、渦流、または他の循環流体運動もしくは経路が引き起こされ、それにより、流体を循環させて流体を伝熱部材３２４５および／または電極部材と接触するように常に流体をリフレッシュするかまたは交換することにより、改善された冷却を促進する。
いくつかの実施形態によれば、複数の温度測定デバイスを有するアブレーションカテーテルは、スプリットチップ電極設計および／または伝熱部材を必要としない。図２０は、スプリットチップ電極設計または伝熱部材を含まない開放灌注式アブレーションカテーテル３３２０の遠位部分の斜視図を示す。アブレーションカテーテル３３２０は、第１の（たとえば遠位側の）複数の温度測定デバイス３３２５Ａと第２の（たとえば近位側の）複数の温度測定デバイス３３２５Ｂとを備える。温度測定デバイス３３２５は、温度測定デバイス３１２５、３２２５（図１８Ａ〜図１９Ｃ）と同様の特徴、特性、材料、要素および機能を備える。アブレーションカテーテル３２２０は、単一の単体チップ電極３３３０を備えるかまたはそれから構成され得る。チップ電極３３３０は、それらのそれぞれの間隔を空けて配置された位置において温度測定デバイス３３２５用の穴、スロット、溝、ボアまたは開口部を備えることができる。図２０に示すように、近位側温度測定デバイス３３２５Ｂは、チップ電極３３３０の近位縁に対して遠位であるが隣接して配置される。近位側温度測定デバイス３３２５Ｂは、近位縁の１ｍｍ以内（たとえば、チップ電極３３０の長さに応じて、０．９ｍｍ、０．８ｍｍ、０．７ｍｍ、０．６ｍｍ、０．５ｍｍ、０．４ｍｍ、０．３ｍｍ、０．２ｍｍ、０．１ｍｍ以内）に配置することができる。他の実施形態では、近位側温度測定デバイス３３２５Ｂは、チップ電極３３３０の近位縁の近位側にかつ遠位配置の上述したものと同じ距離内に配置される。さまざまな実施形態において、温度測定デバイスは、電極またはスプリットチップ電極アセンブリの近位縁および遠位縁にまたはその近くに配置され、それは、それらの位置が最も高温である傾向があるためである。製造公差に基づき、これらの温度測定デバイスは、電極３３３０の近位縁または遠位縁に埋め込むことができる。したがって、温度測定デバイスをこれらの位置にまたはその近くに配置することにより、過熱または焦げまたは血栓の形成の防止またはその可能性の低減を促進することができる。さらに、こうした温度測定デバイス配置は、灌注式アブレーション中に組織温度をモニタリングすることができるようにする。
いくつかの実施形態では、アブレーションカテーテルシャフトの（通常、プラスチックから形成される）に、遠位管に、伝導性媒体（グラフェンまたは他のカーボンナノチューブ等）を備えるエポキシ樹脂を混合することができ、アブレーションカテーテルの遠位管自体、伝熱体として機能することができる。いくつかの実施形態では、伝導性エポキシ樹脂の追加により、遠位管の熱伝導率を２〜３倍以上増大させることができる。図２０に関連して記載したこれらの伝導性管の特徴および他の特徴を、アブレーションカテーテル３１２０、３２２０に関連して同様に使用することができる。
図２１Ａおよび図２１Ｂは、組織と、それぞれ垂直に接触し、および平行に接触する開放灌注式アブレーションカテーテル３４２０の遠位部分と、アブレーションカテーテル３４２０を用いて組織にエネルギーを送達することによる熱的損傷部の形成とを概略的に示す。いくつかの実施形態によれば、本明細書に記載する複数の温度測定デバイスを有するアブレーションカテーテルは、有利には、特に、組織に対するアブレーションカテーテルの遠位チップの向き、熱的損傷部内の推定されるピーク温度、および／または熱的損傷部内のピーク温度ゾーンの位置の判断を容易にする。
上述したように、温度測定デバイス３４２５は、処理デバイス（たとえば、図１のプロセッサ４６）に信号を送出または送信することができる。処理デバイスは、１つまたは複数のコンピュータ可読記憶媒体に格納された命令を実行して、温度測定デバイス３４２５
の各々に対する温度測定値を求め、求められた温度測定値を互いに比較して、少なくとも一部にはその比較に基づいて組織に対してアブレーションカテーテルの遠位チップの向きを求めるようにプログラムすることができる。処理デバイスは、平行、垂直、または角度付き（たとえば、傾いたまたは斜めの）向きのうちの１つから向きを選択することができる。
たとえば、遠位側温度測定デバイスから受け取られる温度測定値がすべて、近位側温度測定デバイスから受け取られる温度測定値より大きい（たとえば、高温である）場合、プロセッサは、向きが垂直であると判断することができる。少なくとも１つの近位側温度測定デバイスおよび少なくとも１つの対応する遠位側温度測定デバイスから受け取られる温度測定値が同様である場合、プロセッサは、向きが平行であると判断することができる。
他の例として、３つの温度測定デバイスを使用する実施形態の場合、３つの近位側温度測定デバイスのうちの２つが、第３近位側温度測定デバイスよりはるかに低い（かつ概して等しい）温度測定値を生成する場合、処理デバイスは、向きが平行であると判断することができる。３つの温度測定デバイスを用いる実施形態の場合、第１近位側温度測定デバイスから受け取られる温度測定値が、第２近位側温度測定デバイスからの温度測定値よりかなり大きい場合、かつ第２近位側温度測定デバイスから受け取られる温度測定値が、第３近位側温度測定デバイスからの温度測定値よりかなり大きい場合、処理デバイスは、向きが、平行でも垂直でもなく、ある角度で傾いていると判断することができる。いくつかの実施形態では、Ｘ線透視撮像、ＩＣＥ撮像または他の撮像方法もしくは技法を用いて、向きを確認することができる。
いくつかの実施形態では、求められた向きは、使用者が見ることができるように、ディスプレイ（たとえば、グラフィカルユーザインタフェース）に出力することができる。出力は、向きを示す１つまたは複数のグラフィカル画像、または向きを示す英数字情報（たとえば、文字、語、句または数字）を含むことができる。処理デバイスは、熱的損傷部のピーク温度のより正確な推定値を生成するために、求められた向きに基づき、温度測定デバイスから受け取られた温度測定値に対して補正係数を適用することができる。たとえば、特定の向きが求められると、遠位側温度測定デバイスに対応する補正係数または関数を適用して、推定されたピーク温度を求めることができる。
いくつかの実施形態では、処理デバイスは、温度収集モジュールおよび温度処理モジュールを備えることができる。温度収集モジュールは、温度測定デバイスの各々によって生成される温度信号（たとえば、アナログ信号）を入力として受け取るように構成することができる。入力信号は、規定された時間間隔で連続して受け取ることができる。温度収集モジュールは、アナログ信号をデジタル信号に変換するように構成することができる。温度処理モジュールは、温度収集モジュールから出力されるデジタル信号を受け取り、それらに補正係数または関数を適用して、最も高温の組織温度、ピーク温度、または電極もしくは他のエネルギー送達部材付近に生成された熱的損傷部におけるピーク温度を推定することができる。温度処理モジュールは、以下の式に基づき、温度測定デバイス（たとえば、熱電対）から複合温度を計算することができる。
Ｔｃｏｍｐ(ｔ)=ｋ(ｔ)＊ｆ(ＴＣ１(ｔ),ＴＣ２(ｔ),...,ＴＣｎ(ｔ));
式中、Ｔｃｏｍｐは複合温度であり、ｋはｋ関数または補正もしくは調整関数であり、ｆは、熱電対測定値ＴＣｉ、ｉ＝１〜ｎの関数である。ｋ関数は、経時的な関数または定数値を含むことができる。たとえば、ｋ関数は以下のように定義することができる。
Figure 0006725178
 式中、τは、組織時定数を表す時定数であり、ｋｆｉｎａｌは、後に図２２Ａに関連して記載するような補正係数または関数による、ｋの最終値である。
温度処理モジュールはまた、上述したように、組織に関して医療器具の遠位チップの向きを求めるように構成することも可能である。処理デバイスは、出力モジュールおよびフィードバック／モニタリングモジュールをさらに備えることができる。出力モジュールは、本明細書に記載するさまざまな出力等、ディスプレイに表示するための出力を生成するように構成することができる。フィードバック／モニタリングモジュールは、所定設定値温度または最大温度に対して測定温度値を比較し、行為（たとえば、使用者に対して、電力もしくは他のアブレーションパラメータを調整させる警告、電力レベルの自動低減もしくはエネルギー送達の終了（それは、温度が設定値温度未満に低下するまで一時的であり得る））を開始するように構成することができる。さまざまな実施形態において、設定値または最大温度は、５０℃〜９０℃（たとえば、５０℃、５５℃、６０℃、６５℃、７０℃、７５℃、８０℃、８５℃）である。
いくつかの実施形態によれば、温度測定デバイスによって求められた温度勾配と損傷部のピーク温度との間に比例関係がある。この関係から、数値モデリング（たとえば、有限要素法モデリング技法）および／またはルックアップテーブルに格納された測定値に基づき、関数または補正係数が生成されるかまたは適用されて、温度測定デバイスによって特定された熱勾配から調整または補正してピーク温度が求められる。開放灌注された損傷部の温度勾配は、損傷部表面がわずかに冷却され、ピーク温度ゾーンはより深いといったものである。温度測定デバイスを組織内に埋め込むことができるほど、温度測定デバイスによって求められる温度勾配とピーク温度との間の比例関係をより適切にまたはより正確にすることができる。たとえば、温度勾配は以下のように推定することができる。
ΔＴ／Δｄ＝（Ｔｄｉｓｔａｌ−Ｔｐｒｏｘｉｍａｌ）／ＴＣ＿分離距離
換言すれば、温度空間勾配は、遠位側温度測定デバイスと近位側温度測定デバイスとの間の温度の差を遠位側温度測定デバイスと近位側温度測定デバイスとの間の距離で割った値として推定される。したがって、ピーク組織温度（ピークは山または谷であり得る）は以下のように推定することができる。
Ｔｐｅａｋ＝ΔＴ／Δｄ＊Ｔｐｅａｋ＿ｄｉｓｔ＋Ｔｄｉｓｔａｌ
処理デバイスはまた、少なくとも一部として、求められた向きおよび／または温度測定値に基づき、熱的損傷部のピーク温度ゾーンの推定位置も求めることができる。たとえば、垂直の向きの場合、ピーク温度位置を、水平方向に熱的損傷部に集中している判断することができる。いくつかの実施形態では、ピーク温度位置を示す情報をディスプレイ（たとえば、グラフィカルユーザインタフェース）に出力するように、プロセッサを構成することができる。この情報は、テキスト情報および／または１つもしくは複数のグラフィカル画像を含むことができる。
図２２Ａは、温度測定デバイスから取得される温度測定値を用いて、（たとえば、数値モデリング近似またはルックアップテーブルを用いて）１つまたは複数の解析的補正係数または関数を温度測定値に適用することにより、ピーク温度を求めることができる。図２２Ａに示すように、遠位側温度測定デバイスの各々に単一の補正係数または関数（ｋ）を適用して、ピーク温度を求めることができる。いくつかの実施形態では、求められた向き、または温度測定デバイスによって取得される温度測定値の比較に応じて、各個々の温度測定デバイスに対して、または温度測定デバイス群のサブセットに対して、異なる補正係数または関数を適用することができ、それにより、ピーク温度およびピーク温度ゾーン位置の精度を向上させることができる。ピーク温度およびピーク温度ゾーン位置の精度が向上することにより、有利には、アブレーション処置をより安全かつより信頼性の高いものとすることができ、それは、温度測定デバイスから処理ユニットによって受け取られるフィードバックに基づき、アブレーションパラメータを調整することができるためである。いくつかの実施形態によれば、組織表面下のある深さのピーク温度は、マイクロ波放射測定を必要とすることなく正確に推定される。図２２Ａを参照すると、ピーク組織温度は以下のように推定することができる。
Figure 0006725178
式中、ｉは温度測定デバイスの測定範囲に及び、ｍａｘ（ＴＣｉ（ｔ））は、時点ｔにおける温度測定デバイスの最大温度測定値を表す。たとえば、図２２Ｂは、上記式の実施形態を示す。トレース１は、１．８の定数ｋ値および１のτ値における推定ピーク組織温度（Ｔｐｅａｋ）を示し、トレース２、３および４は、組織に埋め込まれた赤外線プローブを用いて組織表面からそれぞれ１ｍｍ、３ｍｍおよび５ｍｍで測定された実際の組織温度を示す。図示するように、トレース１の推定ピーク組織温度（Ｔｐｅａｋ）は、１ｍｍ深さで測定された実際のピーク組織温度（トレース２）を明確にたどる。
別の実施形態では、生体熱の方程式を利用する予測モデルベースの手法を利用して、ピーク組織温度を推定することができる。治療（たとえば、ＲＦアブレーション）中に容積内の単一点において時点ｎで温度Ｔを求める再帰的アルゴリズムは、以下のように定義することができる。
Figure 0006725178
 式中、Ｔｎは現時点の温度であり、Ｔｎ−１は先の温度であり、ｔは時間であり、ρは組織密度であり、Ｃは組織の比熱であり、Ｔａは中心動脈温度であり、Ｗｅは有効灌流速度であり、Ｐ・Ｎは、組織に蓄積した容積出力の推定値を与える。上記式は、温度測定デバイス位置とともにピーク温度の位置（たとえば、ホットスポット）を含むさまざまな空間位置において定式化することができる。モデルパラメータを求める校正とともに、異なる位置でこのモデルを利用することにより、マッピング技法を利用して、１つの空間位置において他の空間位置からの測定データを用いて温度を予測することができる。
いくつかの実施形態では、処理デバイスは、ディスプレイ（たとえば、グラフィカルユーザインタフェース）にピーク温度またはピーク温度を示す他の出力を出力するように構成される。出力は、英数字情報（たとえば、度での温度）、１つまたは複数のグラフィカル画像および／またはカラー表示を含むことができる。いくつかの実施形態では、プロセッサは、求められたピーク温度が閾値または最大温度を上回る場合にエネルギー送達を終了するように構成された出力を生成することができる。この出力は、エネルギー送達の自動終了をもたらすように構成された信号を含むことができ、または使用者に対してエネルギー送達を手動で終了させる警告（可聴および／または視覚的）を含むことができる。
さまざまな実施形態において、温度測定デバイスから受け取られる温度測定値に基づいてアブレーションパラメータを調整することができる。アブレーションパラメータは、特に、アブレーションの持続時間、電力変調、接触力、目標または設定値温度、最大温度を含むことができる。プロセッサ４６（図１）は、温度測定デバイスから受け取られる温度測定値（およびそこから導出されるかまたは決定される他の測定値または推定値）に基づいて制御信号をエネルギー送達モジュール４０に送るように構成することができる。
一実施形態では、エネルギー送達モジュール４０（図１）は、温度制御モードで実行するように設定することができ、そこでは、一定出力レベルの高周波エネルギーが送出され、超えることができない最大温度が特定される。温度測定デバイスの各々は、周期的にまたは連続的に（同時にまたはトグルされるクエリを介して）モニタリングすることができる。本明細書に記載するアブレーションカテーテルの温度測定デバイスのうちの任意のものから受け取られる温度測定値によって求められるように、最大温度に達するかまたはそれを超える場合、制御信号をエネルギー送達モジュールに送出して、温度が最大温度未満に低下するまで、温度を低下させるかまたは（一時的にもしくは他の方法で）エネルギー送達を終了するようにアブレーションパラメータを調整する（たとえば、電力レベルの低下）することができる。調整は、たとえば、エネルギー送達モジュール４０の比例−積分−微分コントローラ（ＰＩＤコントローラ）によって行うことができる。別の実施形態では、エネルギー送達モジュール４０は、電力制御モジュールで実行するように設定することができ、そこでは、一定レベルの電力が連続的に印加され、温度測定デバイスの各々から受け取られる温度パラメータがモニタリングされて、最大温度を超えないことを確実にする。いくつかの実施形態では、温度制御モードは、設定値温度（たとえば、７０℃、７５℃、８０℃）を指定することと、その後、温度測定デバイスの各々から受け取られる温度測定値から求められるように、温度を設定値温度で、設定値温度未満でまたはその近くで維持するように、電力または他のパラメータを調整することとを含む。
以下の表１は、本明細書に記載するアブレーションカテーテルの実施形態を用いてさまざまな試験アブレーション処置で使用されるアブレーションパラメータの例を示す。
Figure 0006725178
表１のデータから分かるように、最大組織温度および損傷部サイズは、灌注があってもなくても、かつ／または著しい血流があってもなくても、電力を変調することにより比較的一定のままであった。本発明の実施形態による多変量または複数温度測定デバイスシステムにより、異なる電極−組織の向きの下で適切な組織アブレーションが確実になる。上で説明したように、複数の温度測定デバイスからの測定値に基づき、電極−組織の向きを求めることができる。近位側温度および遠位側温度の両方が支配的になる場合、電極の向
きは、組織に対して平行であると推定されるかまたは示される。同様に、遠位側温度が支配的である場合、電極の向きは、組織に対して垂直であると推断され、推定されかつ／または示される。近位側の支配的な温度および遠位側の支配的な温度の組合せにより、斜めの電極の向きを示すことができる。図２３Ａは、垂直の向きを示す複数の温度測定デバイス（たとえば、熱電対）からの温度データのプロットを示し、図２３Ｂは、斜めの向きを示す複数の温度測定デバイス（たとえば、熱電対）からの温度データのプロットを示す。
接触検知
いくつかの実施形態によれば、高分解能マッピングおよび高周波アブレーションに使用することができる電極（たとえば、高周波電極すなわちＲＦ電極）のさまざまな実施形態について、本明細書に開示する。たとえば、本明細書においてより詳細に考察するように、アブレーションまたは他のエネルギー送達システムは、高分解能、または複合電極設計を備えることができ、そこでは、エネルギー送達部材（たとえば、高周波電極、レーザ電極、マイクロ波伝送電極）が２つ以上の別個の電極または電極部材もしくは部分を備える。本明細書に同様に考察するように、いくつかの実施形態では、こうした別個の電極または電極部分を、有利には、（たとえば、標的組織の所望の加熱またはアブレーションをまとめてもたらすように）互いに電気的に結合することができる。さまざまな実施形態において、複合電極またはスプリットチップ設計を活用して、電極または他のエネルギー送達部材の１つまたは複数の部分が組織（たとえば、心内膜組織）と接触しているか否か、および／または接触した組織が焼灼されたか否かを判断する（たとえば、組織が生存可能であるか否かを判断する）ことができる。
本発明のいくつかの実施形態は、以下の利点のうちの１つ、いくつかまたはすべてを含むため、特に有利である。すなわち、（ｉ）容易に確かめることができる実際の組織接触の確認、（ｉｉ）容易に確かめることができる焼灼済み組織対未焼灼（生存）組織との接触の確認、（ｉｉｉ）本発明はいかなる専用のセンサも不要であるため、低コスト、（ｉｖ）放射測定の使用を不要とし、（ｖ）使用者に複数の形式の出力またはフィードバックを提供し、（ｖｉ）使用者がディスプレイを観る必要なしに使用者に出力を提供し、および／または（ｖｉｉ）より安全かつより信頼性の高いアブレーション処置を提供する。
図１を参照すると、いくつかの実施形態によれば、送達モジュール４０は、治療システム１０の１つまたは複数の態様を調節するように構成されるプロセッサ４６（たとえば、処理または制御ユニット）を含む。送達モジュール４０はまた、システム１０の動作に関連する動作パラメータおよび／または他のデータを格納するために使用することができる、メモリユニットまたは他の記憶デバイス４８（たとえば、非一時的なコンピュータ可読媒体）も備えることができる。いくつかの実施形態では、プロセッサ４６は、接触検知および／または組織タイプ検出モジュールまたはサブシステムを備え、またはそれと通信する。接触検知サブシステムまたはモジュールは、医療器具２０のエネルギー送達部材３０が組織と接触（たとえば、有効なエネルギー送達を可能にするのに十分接触）しているか否かを判断するように構成することができる。組織タイプ検出モジュールまたはサブシステムは、１つまたは複数のエネルギー送達部材３０と接触している組織が焼灼されたかまたは治療されたかを否か判断するように構成することができる。いくつかの実施形態では、システム１０は、接触検知サブシステム５０を備える。接触検知サブシステム５０は、プロセッサ４６に通信可能に結合することができ、かつ／または別個のコントローラもしくはプロセッサおよびメモリもしくは他の記憶媒体を備える。接触検知サブシステム５０は、接触検知機能および組織タイプ判断機能の両方を行うことができる。接触検知サブシステム５０は、（図１に概略的に示すように）システムの分離した独立型サブコンポーネントである場合があり、またはエネルギー送達モジュール４０または医療器具２０に組み込まれる場合がある。接触検知サブシステムに関するさらなる詳細については後述する。
いくつかの実施形態では、プロセッサ４６は、１つまたは複数の動作方式に基づき、エネルギー発生装置４２から医療器具２０のエネルギー送達部材３０へのエネルギーの送達を自動的に調節するように構成される。たとえば、特に、治療されている組織の検出された温度、組織が焼灼されたと判断されるか否か、またはエネルギー送達部材３０が、治療される組織と接触している（たとえば、「十分に」接触している、または閾値レベルを超えて接触している）と判断されるか否かに基づき、エネルギー送達部材３０に提供されるエネルギー（したがって、標的組織に伝達されるかまたは標的組織から伝達される熱の量）を調節することができる。
図２４を参照すると、遠位側電極３０Ａは、１本または複数本の導体（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）を用いて通電することができる。たとえば、いくつかの構成では、灌注チューブの外側は、１つまたは複数の導電性材料（たとえば、銅、他の金属等）を含みかつ／またはそれらによってコーティングされる。したがって、電極または電極部分３０Ａをエネルギー送達モジュール（たとえば、図１のエネルギー送達モジュール４０）に電気的に結合するように、１本または複数本の導体を灌注チューブのこうした導電性面または部分と接触させることができる。しかしながら、電極または電極部分３０Ａをエネルギー送達モジュールと電気的に連通させる１つまたは複数の他の装置および／または方法を使用することができる。たとえば、１本または複数本のワイヤ、ケーブルおよび／または他の導体は、灌注チューブを用いることなく、電極に直接または間接的に結合することができる。エネルギー送達モジュールは、接触を判断するために有用な周波数（たとえば、５ｋＨ〜１０００ｋＨｚ）で電磁エネルギーを送達するように構成することができる。
図２４は、異なる周波数で、分離した電極または電極部分３０Ａ、３０Ｂの間の双極のインピーダンスを測定することにより、接触検知または判断を行うために使用することができる、複合またはスプリットチップ電極アセンブリを概略的に示す。オームの法則、すなわち電圧＝電流×抵抗、すなわちＶ＝ＩＲに基づき、電圧および電流から抵抗値を求めることができる。したがって、抵抗は、電圧を電流で割った値に等しい。同様に、電極の間のインピーダンスが複素数である場合、複素電圧および電流を測定することができ、Ｖ＿複素＝Ｉ＿複素×Ｚ＿複素によってインピーダンス（Ｚ）を求めることができる。この場合、インピーダンスに対する大きさおよび位相の両方の情報を周波数の関数として求めることができる。エネルギー送達モジュールによって（たとえば、図１のエネルギー送達モジュール４０のエネルギー発生装置４２によって）、または接触検知サブシステム（図１のシステム１０の接触検知サブシステム５０等）により、スプリットチップ電極アセンブリに異なる周波数を印加することができる。電圧値および電流値は既知であるかまたは測定することができるため、オームの法則を用いて電圧値および電流値から抵抗値および／または複素インピーダンス値を求めることができる。したがって、インピーダンス測定値を直接取得するのではなく、いくつかの実施形態によれば、測定された電圧値および／または電流値に基づき、インピーダンス値を計算することができる。
図２５Ａは、ある周波数の範囲（５ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚ）にわたる、血液（または血液／生理食塩水の組合せ）および心臓組織の抵抗値または大きさインピーダンス値を示すプロットである。インピーダンス値は、測定されたインピーダンスの大きさを最大のインピーダンスの大きさの値によって割ることによって正規化されている。図示するように、血液（または血液／生理食塩水の組合せ）の正規化されたインピーダンスは、周波数の範囲全体にわたって著しい変化はしない。しかしながら、心臓組織の正規化されたインピーダンスは、周波数のその範囲にわたって著しく変化し、概して「ｓ字型」の曲線を形成する。
一実施形態では、所定の周波数範囲内の２つ、３つ、４つ、５つ、６つまたは７つ以上の異なる離散的な周波数で、抵抗測定値またはインピーダンス測定値を取得することがで
きる。いくつかの実施形態では、周波数の範囲は、標的組織を焼灼するかまたは加熱するために使用される周波数の範囲に及ぶことができる。たとえば、その周波数の範囲内の２つの異なる周波数ｆ１およびｆ２（ｆ２はｆ１より大きい）において、抵抗値またはインピーダンス値を取得することができる。周波数ｆ１はまた、アブレーション周波数範囲より小さい場合があり、ｆ２は、アブレーション周波数を超える場合がある。他の実施形態では、ｆ１および／またはｆ２は、アブレーション周波数の範囲内にある場合がある。一実施形態では、ｆ１は２０ｋＨであり、ｆ２は８００ｋＨｚである。さまざまな実施形態において、ｆ１は１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり、ｆ２は４０ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚである。処理デバイス（たとえば、図１のプロセッサ４６に結合されるかまたはそれによって実行可能な接触検知サブシステムまたはモジュール）は、異なる周波数で取得されたインピーダンスの大きさの値を比較することにより、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体に格納された所定プログラム命令の実行時に、電極部分３０Ａが組織（たとえば、心臓組織）と接触しているか否かを判断することができる。
たとえば、低い方の周波数ｆ１で取得されるインピーダンスの大きさの値に対する高い方の周波数ｆ２で取得されるインピーダンスの大きさの値の比ｒが、所定閾値より小さい場合、処理デバイスは、電極部分３０Ａが（たとえば、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体に格納された所定プログラム命令の実行時に）心臓組織または他の標的領域と接触していると判断することができる。しかしながら、低い方の周波数ｆ１で取得されるインピーダンスの大きさの値に対する高い方の周波数ｆ２で取得されるインピーダンスの大きさの値の比ｒが、所定閾値を超える場合、処理デバイスは、電極部分３０Ａが心臓組織とは接触していないが、代わりに血液または血液／生理食塩水の組合せと接触していると判断することができる。接触判断は、以下のように表すことができる。
Figure 0006725178
さまざまな実施形態において、所定閾値は、０．２〜１より小さい（たとえば、０．２〜０．９９、０．３〜０．９５、０．４〜０．９、０．５〜０．９、またはそれらの部分的に重なる範囲）の値を有する。
さまざまな実施形態では、図２５Ｂに示すように、抵抗測定値またはインピーダンス測定値は、対象周波数を含むマルチトーン信号である電源電圧または電流波形を利用することにより、異なる周波数（たとえば、２つ、３つ、４つまたは５つ以上の異なる周波数）で周期的にまたは連続的に取得される。マルチトーン信号または波形は、時間領域でサンプリングし、その後、図２５Ｃに示すように、周波数領域に変換して、対象周波数で抵抗またはインピーダンスを抽出することができる。いくつかの実施形態では、接触を示す測定値または判断は、周波数領域の代わりに時間領域で取得することができる。周波数の異なる信号または波形を使用することができる。いくつかの実施形態によれば、接触検知動作の実行は、複合またはスプリットチップ電極アセンブリの電位図（ＥＧＭ）機能にほと
んどまたはまったく影響を与えないように設計される。たとえば、図２５Ｄに示すようなインピーダンス測定回路の経路において、コモンモードチョークおよびＤＣブロック回路を利用することができる。この回路はまた、患者への最大電流を制限する基準抵抗器Ｒとともに、インピーダンス測定値の精度を向上させるように二重電圧サンプリング点Ｖ１およびＶ２も含むことができる。さらに、図２５Ｄに示すように、ＥＧＭ記録システムの経路において、（たとえば、カットオフ周波数が７ｋＨｚである）ローパスフィルタ回路を利用することができる。いくつかの実施形態では、図２５Ｄに示す回路のすべてまたは一部は、図１の接触検知サブシステム５０または図２７の接触検知サブシステム４６５０等、接触検知サブシステムで使用される。接触検知に使用される周波数は、ＥＧＭ記録またはマッピング周波数の少なくとも５倍を超え、少なくとも６倍を超え、少なくとも７倍を超え、少なくとも８倍を超え、少なくとも９倍を超え、少なくとも１０倍を超える可能性がある。接触検知サブシステムは、たとえば、アナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）およびマイクロコントローラ（ＭＣＵ）を含む処理デバイスによって制御することができる。処理デバイスは、図１の処理デバイス４６と一体的であり得るか、または別個の独立型処理デバイスであり得る。別個の処理デバイスが使用される場合、その別個の処理デバイスを図１の処理デバイス４６に通信可能に結合することができる。
さまざまな実施形態では、抵抗測定値またはインピーダンス測定値（たとえば、複素インピーダンスの総インピーダンスまたは構成部分）は、異なる周波数（たとえば、２つまたは３つの異なる周波数）で、その異なる周波数を切り替えることにより周期的にまたは連続的に取得される。いくつかの実施形態によれば、接触検知動作の実行は、複合電極またはスプリットチップアセンブリの電位図（ＥＧＭ）機能にほとんどまたはまったく影響を与えないように設計することができる。したがって、異なる周波数の切替は、有利には、図２６Ａに示すように、ＡＣ信号波形のゼロ交差と同期することができる。いくつかの実施形態では、周波数切替がゼロ交差で発生しない場合、電位図にアーチファクトが引き起こされる可能性があり、それにより、電位図の品質が低下する。いくつかの実施形態では、インピーダンス測定値（たとえば、双極インピーダンス測定値）は、複数の周波数で同時に取得される。他の実施形態では、インピーダンス測定値は、複数の周波数で逐次取得される。
別の実施形態では、接触検知または判断は、ｆｍｉｎ〜ｆｍａｘ（たとえば、５〜１ＭＨｚ、１０〜１００ｋＨｚ、１０〜１ＭＨｚ）の周波数の全範囲にわたって抵抗測定値またはインピーダンス測定値を取得することによって行われる。こうした実施形態では、周波数の範囲にわたる周波数応答またはインピーダンス測定値の変動は、電極部分３０Ａが組織（たとえば、心臓組織）と接触しているか否かを示す。
モデルに、インピーダンス測定値を適用することができる。たとえば、周波数応答関数ｒ（ｆ）を生成し、多項式または他のフィッティング関数に当てはめることができる。関数は、たとえば、以下の形態をとることができる。
ｒ（ｆ）＝ａ・ｆ３＋ｂ・ｆ２＋ｃ・ｆ＋ｄ
式中、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、ｒ（ｆ）の応答を測定データに整合させる多項式関数に対する項である。したがって、多項式の項に閾値を設定して、電極が組織と接触しているか否かを判断することができる。たとえば、大きいｄ項は、組織接触を示す可能性がある。同様に、大きいｃ項は、同じく組織接触を示す、インピーダンスの大きい勾配を示す可能性がある。高次の項を利用するほど、組織接触を示すインピーダンス応答の他のわずかな差を示すことができる。
いくつかの実施形態では、図２６Ｂに示すもののような回路モデルを用いて、周波数応答関数ｒ（ｆ）が求められる。モデルは、組織および組織−電極接触面の応答を予測する抵抗器およびコンデンサを備えることができる。この手法では、測定データに最良適合するＲ値およびＣ値を求めることができ、Ｒ値およびＣ値に基づいて閾値を利用して、電極が組織と接触しているか否かを判断することができる。たとえば、小さい静電容量（Ｃ２）の値は、組織接触の状態を示すことができ、大きい値は非接触を示すことができる。要求および／または必要に応じて、電極インピーダンスの挙動をモデル化するために、他の
回路構成も可能である。
いくつかの実施形態では、接触検知または接触判断評価は、焼灼エネルギー送達の開始前に行われるが、エネルギー送達中には行われない。この場合、図２６Ｃに示すように、スイッチングを利用して、焼灼エネルギーから接触インピーダンス測定回路を分離することができる。この実施形態では、スイッチＳＷ１が開かれて、スプリットチップコンデンサ（ＣＳＴ）が分離され、高い方の周波数範囲でのインピーダンスの測定が可能になり、そこでは、ＣＳＴは、短絡（または測定値と並列の低インピーダンス）を表す可能性がある。同時に、スイッチＳＷ２およびＳＷ３は、インピーダンス測定回路または接触検知サブシステムに接続するように設定される。図２６Ｃに示すように、インピーダンス測定回路または接触検知サブシステムは、図２５Ｄに示すものと同じである。アブレーションが行われるとき、ＳＷ２およびＳＷ３は、チップ電極を焼灼エネルギー源（たとえば、図２６ＣにおいてＲＦとして標識されるＲＦ発生器）に接続し、インピーダンス測定回路を切断する。ＳＷ１もスプリットチップコンデンサＣＳＴを接続するために切り替えられ、それにより、電極の対を、低インピーダンス経路を介して電気的に接続することができる。一実施形態では、スプリットチップコンデンサＣＳＴは、いくつかの構成によれば高周波アブレーションの目標周波数である４６０ｋＨｚで、約４オームより低い直列インピーダンスを導入する１００ｎＦコンデンサを含む。図２６Ｃがまた示すように、アブレーション電流経路は、両電極から共通の接地パッドまでである。インピーダンス測定経路は、２つの電極の間にあるが、インピーダンス測定用の他の電流経路も可能である。一実施形態では、スイッチは、電磁リレー等のリレーである。他の実施形態では、他のタイプのスイッチ（たとえば、固体、ＭＥＭＳ等）が利用される。
いくつかの実施形態では、上述した接触検知または接触判断評価は、焼灼エネルギーまたは電力（たとえば、焼灼高周波エネルギーまたは電力）が送達されている間に行うことができ、それは、接触検知に使用されている周波数は、アブレーション周波数の範囲外（超えるかもしくはより小さい、または両方）であるためである。
図２７は、高分解能、複合電極、またはスプリットチップ電極カテーテルを備えるシステム４６００を概略的に示し、システムは、アブレーション処置および接触検知または判断手順を同時に行うように構成されている。高分解能（たとえば、スプリットチップ）電極アセンブリ４６１５は、ギャップによって分離される２つの電極または２つの電極部材または部分４６３０Ａ、４６３０Ｂを備えることができる。セパレータが、電極または電極部分４６３０Ａ、４６３０Ｂの間のギャップＧ内に配置される。スプリットチップ電極アセンブリ４６１５は、図２に関連して上述したかつ／または本明細書に開示するようなスプリットチップ電極アセンブリの特徴のうちの任意のものを備えることができる。接触検知サブシステム４６５０（図２５Ｄに示す接触検知サブシステム等）が、接触検知または判断評価を行うために使用される異なる周波数範囲（たとえば、５ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚ）で、低出力信号４６０７をスプリットチップ電極アセンブリ４６１５に送達している間に焼灼範囲（たとえば、高周波エネルギー２００ｋＨｚ〜８００ｋＨｚ、名目上４６０ｋＨｚ）で信号を生成し、送達し、かつ／または印加するように、エネルギー送達モジュール（図示せず、図１のエネルギー送達モジュール４０等）または他の信号源４６０５を構成することができる。低出力信号４６０７は、周波数の異なるマルチトーン信号もしくは波形または別個の信号を含むことができる。接触検知サブシステム４６５０は、図２５Ｄに示す素子とともに、アブレーション周波数を遮断するノッチフィルタ回路（たとえば、４６０ｋＨｚアブレーション周波数が使用される場合、４６０ｋＨｚノッチフィルタ）を備えることができる。この構成では、フィルタ４６８４を利用して、接触検知周波数およびアブレーション周波数が分離される。
フィルタ４６８４は、たとえば、ＬＣ回路素子、またはインダクタのない１つもしくは
複数のコンデンサを備えることができる。フィルタ４６８４の構成要素の素子および値は、標的組織のアブレーションを行うようにエネルギー送達モジュールによって送達される焼灼周波数の中心周波数に最小インピーダンスの中心があるように選択することができる。いくつかの実施形態では、フィルタリング素子４６８４は、高周波電流がシステムに印加されるときに２つの電極または電極部分４６３０Ａ、４６３０Ｂを電気的に結合する単一コンデンサを備える。一実施形態では、コンデンサは、いくつかの構成によれば、アブレーション（たとえば、ＲＦアブレーション）の目標周波数である４６０ｋＨｚで、約４Ωより低い直列インピーダンスを導入する１００ｎＦコンデンサを含む。しかしながら、他の実施形態では、システムに組み込まれるコンデンサまたは他のバンドパスフィルタリング素子の静電容量は、要求または必要に応じて、動作アブレーション周波数に従って、１００ｎＦを超えるかまたは１００ｎＦより小さい、たとえば５〜３００ｎＦであり得る。この場合、接触検知インピーダンス周波数は、すべて、アブレーション周波数範囲より小さいが、他の実施形態では、接触検知インピーダンス周波数のうちの少なくともいくつかは、アブレーション周波数範囲内またはそれを超える。
図２８は、たとえば、フィルタ４６８４を構成するＬＣ回路素子のインピーダンスのプロットを示す。図示するように、最小インピーダンスは、焼灼ＲＦ周波数の中心周波数（一例として４６０ｋＨｚ）に中心があり、インピーダンスは、ＥＧＭ信号または接触検知測定値に影響を与えないように、ＥＧＭスペクトルの周波数において高い。さらに、接触インピーダンス測定は、ＲＦ周波数を超えてかつ／またはＲＦ周波数未満で（かつＥＧＭスペクトルを超えて）存在する周波数で行われる。たとえば、２つの周波数ｆ１およびｆ２を利用することができ、ここでは、ｆ１＝２０ｋＨｚであり、ｆ２＝８００ｋＨｚである。これらの周波数で、ＬＣ回路は、電極と並列に大きいインピーダンスを有し、それにより、インピーダンスを測定することができる。一実施形態では、インダクタＬは、２４０μＨのインダクタンス値を有し、コンデンサＣは、５ｎＦの静電容量値を有する。しかしながら、他の実施形態では、インダクタＬは、３０〜１０００μＨの範囲（たとえば、３０〜２００μＨ、２００〜３００μＨ、２５０〜５００μＨ、３００〜６００μＨ、４００〜８００μＨ、５００〜１０００μＨ、またはそれらの部分的に重なる範囲）とすることができ、コンデンサＣは、０．１２〜３．３μＦ（たとえば、０．１２〜０．９０ｎＦ、０．５０〜１．５０ｎＦ、１〜３ｎＦ、３〜１０ｎＦ、５〜１００ｎＦ、１００〜１μＦ、５００〜２μＦ、１〜３．３μＦ、それらの部分的に重なる範囲）とすることができる。さまざまな実施形態では、ｆ１は、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり、ｆ２は、４００ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚである。
いくつかの実施形態によれば、接触検知に使用されるものと同じハードウェアおよび実施形態を使用して、アブレーションが成功したか否かを確認するように、組織タイプ（たとえば、生存組織対焼灼された組織）を判断することができる。図２９は、ある周波数範囲にわたる焼灼された組織、生存組織および血液に対する、抵抗、またはインピーダンスの大きさの値を示すプロットである。図示するように、焼灼された組織の抵抗は、高抵抗値（２００Ω）で開始し、実質的に平坦または安定したままであり、その周波数範囲にわたってわずかに低下する。血液の抵抗は、それより低い抵抗（１２５Ω）で開始し、同様に実質的に平坦または安定したままであり、その周波数範囲にわたってわずかに低下する。しかしながら、生存組織の抵抗は、高抵抗値（２５０Ω）で開始し、その周波数範囲にわたって著しく低下し、概して「ｓ字型」曲線を形成する。焼灼された組織と生存組織との間で抵抗応答が異なる理由は、少なくとも部分的に、生存細胞（たとえば、心臓細胞）が、低周波数信号を遮断し高周波信号の通過を可能にするハイパスコンデンサとして作用する膜によって包囲され、焼灼された組織の細胞は、焼灼されている結果としてこうした膜を有していないという事実による。血液抵抗に対する応答が実質的に平坦である理由は、血液の大部分が、事実上、単なるインピーダンスの低い電解質である血漿から構成されているということである。赤血球は、幾分かの変動を与え、それは、生存心臓細胞と同様
の、コンデンサとして作用する膜を有するためである。しかしながら、赤血球は、血液組成のそうしたわずかな割合を構成するため、赤血球の影響はわずかである。
上述した接触検知評価と同様に、抵抗またはインピーダンスの大きさの値は、２つ以上の周波数（たとえば、２０ｋＨおよび８００ｋＨｚ）で取得することができる。それらの値を互いに比較して、比を求めることができる。いくつかの実施形態では、低い方の周波数ｆ１でのインピーダンスの大きさの値に対する高い方の周波数ｆ２でのインピーダンスの大きさの値の比が閾値より小さい場合、処理デバイス（たとえば、メモリに格納された組織タイプ判断モジュールを実行することができる処理デバイス４６２４）は、接触した組織が生存組織であると判断し、低い方の周波数ｆ１でのインピーダンスの大きさの値に対する高い方の周波数ｆ２でのインピーダンスの大きさの値の比が閾値を超える場合、処理デバイス４６２４は、接触した組織が焼灼された組織であると判断する。さまざまな実施形態において、所定閾値は、０．５〜０．８（たとえば、０．５０、０．５５、０．６０、０．６５、０．７０、０．７５、０．８０）の値を有する。
いくつかの実施形態では、周波数ｆ２およびｆ１でのインピーダンスの大きさの差とインピーダンスの大きさの比の差との組合せを利用して、接触状態（たとえば、接触対血液中）とともに組織タイプ（たとえば、生存組織対焼灼された組織）が判断される。いくつかの実施形態では、接触状態および組織タイプの判断は、エネルギー送達または他の治療処置中には行われない。他の実施形態では、接触状態および／または組織タイプの判断は、異なる周波数信号を分離するフィルタならびに／または他の信号処理技法および機構を用いて、エネルギー送達または他の治療処置中に行われる。
インピーダンスの大きさに加えて、接触検知に使用されるものと同じハードウェアおよび実施形態（たとえば、接触検知サブシステム５０、４６５０）を利用して、電極部分におけるインピーダンス（たとえば、複素インピーダンス）の位相を計算することができる。一実施形態では、異なる接触状態（たとえば、接触対血液中）とともに異なる組織状態（たとえば、生存組織対焼灼された組織）を判断するアルゴリズムに、インピーダンスの位相を追加することができる。図３０は、生存組織、焼灼された組織および血液に対する、電極部分におけるインピーダンスの位相対周波数の例を示す。位相は、血液の方が大きく（０度に近く）なり、生存（焼灼されていない）組織の方が小さい傾向がある。焼灼された組織の場合、位相は、血液と生存組織との間にあり得る。一実施形態では、単一周波数での負の位相シフトは、（生存または焼灼された）組織との接触を示す。より大きい負の位相シフトは、生存組織との接触を示す可能性がある。一実施形態では、８００ｋＨｚで−１０度より小さい位相は、（生存または焼灼された）組織との接触を示す。一実施形態では、８００ｋＨｚでの−２０．５度より小さい位相は、生存組織との接触を示す。他の実施形態では、他の周波数または周波数の組合せでの位相を利用して、接触状態および組織タイプが判断される。いくつかの実施形態では、インピーダンスの大きさおよび位相が、ベクトル量として合わせて利用され、異なる周波数に対するベクトルの差を利用して、接触状態および組織タイプが判断される。
いくつかの実施形態では、周波数ｆ２およびｆ１でのインピーダンスの大きさの差、インピーダンスの大きさの値の比の差、およびインピーダンスの位相の差の組合せを合わせて利用して、接触状態（たとえば、接触対血液中）とともに組織タイプ（たとえば、生存組織対焼灼された組織）が判断される。一実施形態では、図３１に示す判断プロセス５０００を利用して、接触状態とともに組織タイプが判断される。この実施形態では、ブロック５００５において、２０ｋＨｚで１５０Ωのインピーダンスの大きさの閾値を利用して、非接触と組織接触との間が線引きされる（値が大きい場合、接触を示す）。ブロック５００５において接触していると判断されると、ブロック５０１０において、ｆ２＝８００ｋＨｚおよびｆ１＝２０ｋＨｚでのインピーダンスの大きさの比が計算され、０．６より
小さい値は、焼灼されていない、すなわち生存組織との接触を示す。上述した比が０．６を超える場合、ブロック５０１５において、８００ｋＨｚでのインピーダンスの位相が利用され、２０．５度を超える（絶対）値は、焼灼された組織との接触を示す。２０．５度より小さい（絶対）値は、焼灼されていない、すなわち生存組織との接触を示す。
いくつかの実施形態では、接触検知サブシステム５０またはシステム１０（たとえば、その処理デバイス）は、図２５Ｂに示す波形に対するまたは均等な波形に対する時間領域応答を解析する。いくつかの実施形態によれば、接触検知または組織タイプの判断は、電極または電極部分の対（たとえば、電極対４６３０Ａ、４６３０Ｂ）に印加される信号に対する応答の処理に基づき、信号は、逐次印加される複数の周波数またはいくつかの周波数を含む。いくつかの実施形態では、処理デバイス４６２４は、時間領域または周波数領域における応答を処理することができる。たとえば、血液が大部分抵抗性であって容量性の特徴がわずかである場合、立上りまたは立下り時間、ラグもしくはリードタイム、印加された信号４４０２（たとえば、図２５ＤにおけるＩ）と処理された応答４４０４（たとえば、図２５ＤにおけるＶ２）との間の遅延等の時間領域特徴が、低い値を示すことが予測される。逆に、図２７の電極対４６３０Ａ、４６３０Ｂが組織と接触している場合、組織が容量性の特徴の増大を示すとすると、立上りまたは立下り時間、ラグもしくはリードタイム、印加された信号４４０２（たとえば、図２５ＤにおけるＩ）と処理された応答４４０４（たとえば、図２５ＤにおけるＶ２）との間の遅延等の時間領域特徴が、より高い値を示すことが予測される。限定されないが、立上りまたは立下り時間、ラグもしくはリードタイム、または印加された信号４４０２と処理された応答４４０４との間の遅延等のパラメータを処理するアルゴリズムが、パラメータが閾値を超える場合に、組織との接触を示すかまたは宣言することができ、または逆に、パラメータが閾値より小さい値を有する場合、組織との非接触を示すかまたは宣言することができる。たとえば、信号４４０２が、８００ｋＨｚ周波数の正弦波電流によって表されると想定すると、アルゴリズムは、応答４４０４が０．０３５μｓを超えて遅延する場合、組織との接触を宣言することができる。逆に、アルゴリズムは、応答４４０４が０．０３５μｓより小さく遅延する場合、組織との接触がないことを宣言することができる。同様に、信号４４０２の周波数が４００ｋＨｚである場合、アルゴリズムは、
− ラグタイムが０．０７μｓより小さい場合、組織非接触、
− ラグタイムが０．０７μｓ〜０．１３μｓである場合、焼灼された組織との接触、
− ラグタイムが０．１３μｓを超える場合、生存すなわち焼灼されていない組織との接触
と判定することができる。判定閾値または基準は、信号４４０２の波長によって決まる。他のタイプの波形に対する閾値または判定基準も導出するかまたは確定することができる。
いくつかの実施形態では、プロセッサ（たとえば、接触検知サブシステム５０、４６５０のプロセッサ）によって実行可能な接触検知または接触表示モジュールまたはサブシステムによって複数の入力を結合して、接触対非接触の表示、接触の量の表示（たとえば、接触のレベル、接触状態または接触力の定性的または定量的表示）、および／または組織タイプ（たとえば、焼灼された組織対生存（焼灼されていない）組織）の表示を提供するために使用することができる接触関数を生成することができる。たとえば、（ｉ）第１周波数ｆ１でのインピーダンスの大きさ、（ｉｉ）２つの周波数ｆ２およびｆ１でのインピーダンスの大きさの比（勾配として定義される）、または２つの周波数でのインピーダンスの大きさのデルタもしくは変化、および／または（ｉｉｉ）第２周波数ｆ２での複素インピーダンスの位相の組合せを合わせて利用して、接触状態（たとえば、組織接触対血液中）を示す接触関数が生成される。代替的に、勾配の代わりに、周波数に対するインピーダンスの導関数を使用することができる。
一実施形態では、ｆ１でのインピーダンスの大きさに対して最小閾値｜Ｚ｜ｍｉｎが定義され、ｆ１でのインピーダンスに対して最大閾値｜Ｚ｜ｍａｘが定義される。ｆ１で接触検知サブシステム５０、６５０によって測定されるインピーダンスの大きさは、測定された結果が｜Ｚ｜ｍｉｎ以下である場合に、インピーダンスの大きさが０であり、測定された結果が｜Ｚ｜ｍａｘ以上である場合、インピーダンスの大きさが１であるように、正規化することができる。｜Ｚ｜ｍｉｎと｜Ｚ｜ｍａｘとの間の結果を、０〜１の値に線形マッピングすることができる。同様に、勾配（ｆ２とｆ１との間のインピーダンスの大きさの比）に対して、最小閾値Ｓｍｉｎおよび最大閾値Ｓｍａｘを定義することができる。周波数に対するインピーダンスの導関数が使用される場合、同様の最小閾値および最大閾値を定義することができる。接触検知サブシステム５０によって測定される勾配は、測定された結果がＳｍｉｎ以上である場合、勾配が０であり、測定された結果がＳｍａｘ以下である場合、勾配が１であるように、正規化することができる。ＳｍｉｎとＳｍａｘとの間の結果を、０〜１の値に線形マッピングすることができる。ｆ２での複素インピーダンスの位相に対して、最小閾値Ｐｍｉｎおよび最大閾値Ｐｍａｘも定義することができる。ｆ２で接触検知サブシステム５０によって測定される位相は、測定された結果がＰｍｉｎ以上である場合には位相が０であり、測定された結果がＰｍａｘ以下である場合には１であるように正規化することができる。
いくつかの実施形態によれば、大きさ、勾配および位相に対する結果としての３つの正規化された項は、各々に対する重み付け係数を利用して結合される。３つの項の加算の結果が、０〜１のスケールとなる接触指標であるように、重み付け係数の和を１に等しくすることができる。したがって、以下の式によって重み付けされた接触関数（ＣＦ）を記載することができる。
Figure 0006725178
 式中、｜Ｚ｜ｆ１は、上述したように｜Ｚ｜ｍｉｎの最小値および｜Ｚ｜ｍａｘの最大値にクリップされた、第１周波数ｆ１での測定されたインピーダンスの大きさであり、Ｓは、上述したようにＳｍｉｎの最小値およびＳｍａｘの最大値にクリップされた、ｆ１でのインピーダンスの大きさに対する第２周波数ｆ２でのインピーダンスの大きさの比であり、Ｐｆ２は、上述したようにＰｍｉｎの最小値およびＰｍａｘの最大値にクリップされた、周波数ｆ２でのインピーダンスの位相である。大きさ、勾配および位相の測定値に、重み付け係数ＷＦ１、ＷＦ２およびＷＦ３をそれぞれ適用することができる。上述したように、接触関数の出力が常に０〜１の範囲の値を与えるように、重み付け係数ＷＦ１＋ＷＦ２＋ＷＦ３は合計して１とすることができる。代替的に、１を超える値に対して、患者に対してそれ以上の組織−電極の接触が危険となる可能性がある状況に関して、使用者に対する警告の生成を促進するのを可能にすることができる。こうした警告は、危険なレベルの接触力が加わるのを防止するのに役立つことができる。たとえば、１〜１．２５の範囲のＣＦ値に対して、「接触警告」としてフラグをたてることができ、それにより、接触検知サブシステムは、使用者に表示するかまたは出力するために警告を生成することができる。警告は、視覚、触覚および／または可聴であり得る。重み付け係数は、カテーテル設計、接続ケーブル、身体的な患者パラメータ等によって変更することができる。重み付け係数をメモリに格納し、さまざまなパラメータに応じて調整または変更する（たとえば相殺する）ことができる。いくつかの実施形態では、初期インピーダンス測定値および／または患者パラメータ測定値に基づき、重み付け係数を調整することができる。
上述した接触関数は、組織（たとえば、心房組織または心室組織等、心臓組織）との接触の量の信頼性の高い指標を提供するように最適化する（たとえば、強化するかまたは改
善する）ことができる。最適化は、組織との非接触から最小組織接触に対応する最小閾値Ｚｍｉｎ、ＳｍｉｎおよびＰｍｉｎとともに、最大組織接触に対応する閾値Ｚｍａｘ、ＳｍａｘおよびＰｍａｘを定義することによって達成することができる。重み付け項はまた、接触に対するロバストな応答性に対して最適化する（たとえば、強化するかまたは改善する）ことも可能である。いくつかの実施形態では、測定ノイズを低減させるように、接触関数に窓平均または他の平滑化技法を適用することができる。
一例として、（たとえば、心房または心室の心臓組織に対して）組織接触の量を表すために、ｆ１＝４６ｋＨｚおよびｆ２＝８００ｋＨｚ、値Ｚｍｉｎ＝１１５オーム、Ｚｍａｘ＝１７５オーム、Ｓｍｉｎ＝０．９、Ｓｍａｘ＝０．８、Ｐｍｉｎ＝−５．１度、Ｐｍａｘ＝−９度、ＷＦ１＝０．７５、ＷＦ２＝０．１５およびＷＦ３＝０．１が望ましい（たとえば、最適である）。他の実施形態では、Ｚｍｉｎは、９０〜１４０オーム（たとえば、９０〜１００オーム、９５〜１１５オーム、１００〜１２０オーム、１００〜１３０オーム、１１５〜１３０オーム、１３０〜１４０オーム、それらの部分的に重なる範囲、または９０〜１４０オームの任意の値）の範囲とすることができ、Ｚｍａｘは、１５０〜最大３２０オーム（たとえば、１５０〜１８０オーム、１６０〜１９５オーム、１８０〜２４０オーム、２００〜２５０オーム、２２５〜２６０オーム、２４０〜３００オーム、２５０〜２８０オーム、２７０〜３２０オーム、それらの部分的に重なる範囲、または１５０〜３２０オームの任意の値）の範囲とすることができ、Ｓｍｉｎは、０．９５〜０．８０（たとえば、０．９５〜０．９０、０．９０〜０．８５、０．８５〜０．８０、それらの部分的に重なる範囲、または０．９５〜０．８０の任意の値）の範囲とすることができ、Ｓｍａｘは、０．８５〜０．４５（たとえば、０．８５〜０．７５、０．８０〜０．７０、０．７５〜０．６５、０．７０〜０．６０、０．６５〜０．５５、０．６０〜０．５０、０．５５〜０．４５、それらの部分的に重なる範囲、または０．８５〜０．４５の任意の値）の範囲とすることができ、Ｐｍｉｎは、０〜−１０度（たとえば、０度、−１度、−２度、−３度、−４度、−５度、−６度、−７度、−８度、−９度、−１０度、または０〜−５度、−２〜−６度、−４〜−８度、−５〜−１０度等、範囲の任意の組合せ）の範囲とすることができ、Ｐｍａｘは、−５〜−２５度（たとえば、−５〜−１０度、−７．５〜−１５度、−１０〜−２０度、−１５〜−２５度、それらの部分的に重なる範囲、または−５〜−２５度の任意の値）の範囲とすることができる。重み付け係数ＷＦ１、ＷＦ２およびＷＦ３は、０〜１の範囲を包含することができる。いくつかの実施形態では、要求または必要に応じて、提供される範囲を超えるかまたはそれより小さい値を使用することができる。これらのパラメータに対する適切な値は、電極の形状と、測定に使用される周波数ｆ１およびｆ２とによって決まる可能性がある。電極形状、身体的な患者パラメータ、接続ケーブルおよび周波数の変化は、上記値に対して異なる範囲を必要とする可能性がある。
いくつかの実施形態では、接触関数または接触基準は、少なくとも一部にはｉｆ−ｔｈｅｎ ｃａｓｅ条件付き基準に基づいて求めることができる。一例としてのｉｆ−ｔｈｅｎ ｃａｓｅ基準を、ここで再現する。
ＣＣ＝ＩＦ（｜ＺＭＡＧ｜＞ＺＴＨＲ１，Ｂｅｓｔ，ＩＦ（ＡＮＤ（ＺＴＨＲＩ＞｜ＺＭＡＧ｜，｜ＺＭＡＧ｜≧ＺＴＨＲ２），Ｇｏｏｄ，ＩＦ（ＡＮＤ（ＺＴＨＲ２＞｜ＺＭＡＧ｜，｜ＺＭＡＧ｜≧ＺＴＨＲ３），Ｍｅｄｉｕｍ，ＩＦ（ＡＮＤ（ＺＴＨＲ３＞｜ＺＭＡＧ，｜ＺＭＡＧ｜≧ＺＴＨＲ４），ＬＯＷ，Ｎｏ＿Ｃｏｎｔａｃｔ））））＋ＩＦ（｜ＺＭＡＧ｜＞ＺＴＨＲ１，０，ＩＦ（ＡＮＤ（ＳＬＯＰＥ≦ＳＴＨＲ１｜），Ｇｏｏｄ，ＩＦ（ＡＮＤ（ＳＴＨＲ１＜ＳＬＯＰＥ，ＳＬＯＰＥ≦ＳＴＨＲ２），Ｍｅｄｉｕｍ，ＩＦ（ＡＮＤ（ＳＴＨＲ２＜ＳＬＯＰＥ，ＳＬＯＰＥ≦ＳＴＨＲ３），ＬＯＷ，Ｎｏ＿Ｃｏｎｔａｃｔ））））＋ＩＦ（｜ＺＭＡＧ｜＞ＺＴＨＲ１，０，ＩＦ（ＡＮＤ（ＰＨＡＳＥ≦ＰＴＨＲ１），Ｇｏｏｄ，ＩＦ（ＡＮＤ（ＰＴＨＲ１＜ＰＨＡＳＥ，ＰＨＡＳＥ≦ＰＴＨＲ２），Ｍｅｄｉｕｍ，ＩＦ（ＡＮＤ（ＰＴＨＲ２＜ＰＨＡＳＥ，ＰＨＡＳＥ≦ＰＴＨ
Ｒ３），ＬＯＷ，Ｎｏ＿Ｃｏｎｔａｃｔ））））
図３２は、上記ｉｆ−ｔｈｅｎ ｃａｓｅ条件付き基準に対応する接触基準プロセス５１００の実施形態を示す。接触基準プロセス５１００は、プロセッサにより、メモリまたは非一時的なコンピュータ可読記憶媒体に格納された命令の実行時に実行することができる。判定ブロック５１０５において、（たとえば、直接インピーダンス測定値に基づく、または２つの電極部分を備える複合電極アセンブリによって取得される電圧および／または電流測定値に基づく）測定されたまたは計算されたインピーダンスの大きさの値が、所定の閾値インピーダンスと比較される。測定されたまたは計算されたインピーダンスの大きさの値｜ＺＭＡＧ｜が第１閾値ＺＴＨＲ１（たとえば、３５０Ω）を超える場合、接触基準（ＣＣ）に対して、「最良」または最高値が割り当てられる。しかしながら、測定されたまたは計算されたインピーダンスの大きさの値｜ＺＭＡＧ｜が第１閾値ＺＴＨＲ１より小さい場合、プロセス５１００はブロック５１１０に進み、そこで、インピーダンスの大きさ、勾配および位相に対する個々の副次値が求められる。ブロック５１１５において、個々の副次値が結合されて（たとえば、合計されて）、接触状態を示す全体値になる。いくつかの実施形態では、上述したように、組合せは重み付けされた組合せの和である。
プロセス５１００は、ブロック５１２０において、任意選択的に出力を生成することができる。たとえば、判定ブロック５１０５において、測定されたまたは計算されたインピーダンスの大きさの値｜ＺＭＡＧ｜が第１閾値ＺＴＨＲ１を超える場合、プロセスは、使用者に対して、カテーテルまたは他の医療器具のそれ以上の操作が組織接触をそれ以上改善しない可能性があり、代わりに、患者の安全を損なう可能性があるという警告を生成することができる。たとえば、使用者が、カテーテルまたは他の医療器具を強く押しすぎる場合、追加の圧力は、組織接触に対してほとんど改善を達成することができず、組織穿孔（たとえば、心臓壁穿孔）のリスクを増大させる可能性がある。出力は、本明細書において（たとえば、図３３に関連して）さらに詳細に記載するように、定性的または定量的出力を含むことができる。
図３２Ａは、測定されたまたは計算されたインピーダンスの大きさの値｜ＺＭＡＧ｜が第１閾値ＺＴＨＲ１より小さいときに行われるプロセス５１００の個々の副次値サブプロセス５１１０の実施形態を示す。接触基準（ＣＣ）全体の値は、インピーダンスの大きさ（｜ＺＭＡＧ｜）、勾配（Ｓ）および位相（Ｐ）を、良好接触レベル、中間接触レベル、低接触レベル、非接触レベルに対応する区間にくくることにより、計算することができる。良好、中間、低または非接触のいずれかに対応する副次値は、さまざまな所定閾値に対する比較に応じて、インピーダンスの大きさ成分、勾配成分および位相成分の各々に対して求められる。副次値を結合して接触状態値全体を求めることができる。上記ｃａｓｅ条件付き基準例では、ＣＣは、３つのパラメータ（｜ＺＭＡＧ｜、Ｓ、Ｐ）各々により、それらの対応する接触レベル（たとえば、良好、中間、低または非接触）に従って受け取られる個々の値の和である。たとえば、Ｇｏｏｄ＝３、Ｍｅｄｉｕｍ＝２、Ｌｏｗ＝１およびＮｏ＿Ｃｏｎｔａｃｔ＝０である場合、ＣＣ全体は、非接触または低接触に対して０〜２、不十分な接触に対して３〜４、中間接触に対して５〜６、良好な接触に対して７〜９となる可能性がある。一実施形態では、｜ＺＭＡＧ｜が第１閾値ＺＴＨＲ１を超えると、組織接触の「良好」または「最適」レベルが達成されたことを示すものとして、ＣＣ＝１０となる。
いくつかの実施形態では、組織接触または組織タイプの検出に対して３つ以上の周波数（たとえば、３つまたは４つの周波数）が使用される。上述した計算は、インピーダンスの大きさ、勾配および位相を用いて提示されているが、他の実施形態では、複素インピーダンスの他の特徴を使用することができる。たとえば、インピーダンスの実数成分および虚数成分の解析を使用することができる。アドミッタンスパラメータまたは散乱パラメー
タの解析も使用することができる。いくつかの実施形態では、図２５Ａ〜図２７に記載する電圧および電流の直接解析（たとえば、電圧もしくは電流の大きさ、周波数変化または相対位相の処理）を使用することができる。電圧または電流の解析は、時間領域または周波数領域で行うことができる。インピーダンス測定値または値は、電圧および電流の測定値に基づいて計算することができ、または直接測定することができる。たとえば、位相測定値は、測定された電圧と測定された電流との間の位相の差を含むことができ、または実際のインピーダンス位相測定値であり得る。
いくつかの実施形態では、接触指標または接触関数は、入出力インタフェースまたはデバイスを介して、出力と関連付けられる。出力は、接触検知サブシステム（図１）に通信可能に結合されたグラフィカルユーザインタフェースまたはディスプレイデバイスに表示されるように提示することができる。出力は、図３３に示すように、定性的（たとえば、色、尺度またはゲージによって表されるような接触の相対的なレベル）および／または定量的（たとえば、グラフ、スクロール波形または数値によって表される）であり得る。
図３３は、接触検知サブシステム（図１）に通信可能に結合されたディスプレイデバイスのグラフィカルユーザインタフェースの画面表示５２００の実施形態を示す。画面表示５２００は、経時的な周波数ｆ１のインピーダンスの大きさを示すグラフまたは波形５２１０とともに、インピーダンスの大きさのリアルタイム数値を示すボックス５２１１を含む。画面表示５１００はまた、経時的な勾配のグラフまたは波形５２２０（ｆ２からｆ１）とともに、勾配のリアルタイム数値を示すボックス５２２１も含む。画面表示５２００は、経時的な周波数ｆ２での位相を示すグラフまたは波形５２３０とともに、位相のリアルタイム数値を示すボックス５２３１をさらに含む。３つの測定値（大きさ、勾配および位相）は、上述したように結合されて接触関数になり、グラフまたは波形５３４０に示すように、経時的な接触関数または指標として表すことができる。接触関数のリアルタイムまたは瞬間数値も表示することができる（ボックス５２４１）。
いくつかの実施形態では、図３３に示すように、臨床医が容易に識別することができるように接触状態または接触のレベルの定性的評価を（単独でまたは定性的評価に加えて）提供する仮想ゲージ５２５０として、接触関数または指標を表すことができる。ゲージ５２５０は、接触の質または接触状態の種々の分類または特徴を表す、たとえば４つのセグメントまたは領域に区分することができる。たとえば、（たとえば、０〜０．２５の接触関数値からの）第１セグメントは、色が赤色であり、非接触を表すことができ、（たとえば、０．２５〜０．５の接触関数値からの）第２セグメントは、色がオレンジ色であり、「軽い」接触を表すことができ、（たとえば、０．５〜０．７５の接触関数値からの）第３セグメントは、色が黄色であり、「中間」または「適度な」接触を表すことができ、（たとえば、０．７５〜１の接触関数値からの）第４セグメントは、色が緑色であり、「良好な」または「堅固な」接触を表すことができる。他の実施形態では、４つより小さいセグメントまたは５つ以上のセグメント（たとえば、２つのセグメント、３つのセグメント、５つのセグメント、６つのセグメント）を使用することができる。一実施形態では、３つのセグメントが提供され、非接触または不十分な接触に１つのセグメント、適度な接触に対して１つのセグメント、良好なまたは堅固な接触に対して１つのセグメントが提供される。セグメントは、等しく、または要求および／もしくは必要に応じて分割することができる。要求に応じて、他の色、パターン、目盛りおよび／または他の視覚的指標を用いることができる。さらに、使用者に対して、カテーテルまたは他の医療器具を係合させる力が大きすぎる（たとえば、１を超える接触関数値）ことに関して警告するように、「接触警告」の色またはゲージ目盛りを提供することができる。ゲージ５２５０は、ゲージ５２５０の上に接触関数のリアルタイムまたは瞬間値を示すために使用されるポインタ要素を含むことができる。
いくつかの実施形態では、定性的指標５２６０は、接触が治療（たとえば、アブレーション）処置を開始するのに十分であるか否か、接触のレベル、組織タイプ、および／または接触が安全のために所望の接触を超えるか否かを示す。定性的指標５２６０は、二値表示（たとえば、十分な接触対不十分な接触、接触または非接触、焼灼された組織対生存組織）、またはゲージ５２５０によって提供されるもの等、複数レベルの定性的表示を提供することができる。一実施形態では、定性的指標５２６０は、現接触関数値に対応する色をゲージ５２５０に表示する。使用者に接触の質を伝えるために、接触関数とともに、水平または垂直バー、他のメータ、ビーコン、色変化インジケータまたは他のタイプのインジケータ等、他のタイプのインジケータを利用することも可能である。インジケータは、接触（または十分なレベルの接触）時または接触がなくなった時に駆動されるように適合された１つまたは複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むことができる。ＬＥＤは異なる色とすることができ、各色は、異なるレベルの接触を表す（たとえば、非接触に対する赤色、不十分な接触に対するオレンジ色、中間の接触に対する黄色、および良好な接触に対する緑色）。ＬＥＤは、カテーテルハンドルに、ディスプレイもしくは患者モニタに、またはシステムに通信可能に結合された他の任意の別個のデバイスに配置することができる。
複数の温度測定デバイスを有する高周波アブレーションカテーテル（本明細書に記載するアブレーションカテーテルおよび温度測定デバイス等）を用いる高周波エネルギーの送達を含む一実施形態では、高周波エネルギーの送達中、組織接触がなくなったことを検出する基準は以下のように実施することができる。
ΔＴｉ／Δｔ＜−闘値１（条件１）
または
ΔＴｃｏｍｐ／ΔＰ＜闘値２（条件２）
式中、ΔＴｉは、カテーテルまたは他の医療器具に沿って配置された複数の温度測定デバイス（たとえば、センサ、熱電対、サーミスタ）のうちの任意のものの温度の変化であり、Δｔは、温度変化が測定される時間の間隔であり、ΔＴｃｏｍｐは、温度測定デバイスの温度の最大値の変化であり、ΔＰは、印加される電力の変化である。
条件１は、温度測定デバイスによって取得された温度測定値が短期間で急速低下したことを知らせることができ、それは、接触がなくなったこと、または不十分もしくは不適切なレベルの接触を示す可能性がある。たとえば、ΔＴｉが１秒間のΔｔにわたって−１０℃であり、閾値１が−５℃／秒である場合、接触がなくなった条件が満たされる（−１０℃／秒＜−５℃／秒であるため）。
条件２は、十分な電力が印加されていても、温度測定デバイスの温度が上昇していないことを知らせることができ、それは、接触がなくなったこと、または不十分もしくは不適切なレベルの接触を示す可能性がある。たとえば、ΔＴｃｏｍｐ＝５℃かつΔＰ＝３０ワットである場合、および閾値２が１℃／ワットである場合、接触がなくなった条件が満たされる（５℃／３０ワット＜１℃／ワットであるため）。
いくつかの実施形態によれば、アブレーションシステムのケーブル、発生器、ワイヤおよび／または他の任意の構成要素（および／またはアブレーションシステムに作動的に結合された構成要素）により、またはエネルギー送達およびマッピングシステムのカテーテルインタフェースユニットもしくは他のハードウェアコンポーネントの存在もしくは不在によりもたらされる影響を、取り除く、除去する、または補償するいくつかの実施形態、システムおよび方法が提供される。いくつかの実施形態では、本明細書に開示するシステムおよび方法により、有利には、高分解能電極アセンブリの電極にわたる実際のネットワークパラメータ値（たとえば、インピーダンス）をより密に表す、ネットワークパラメータ値（たとえば、インピーダンス値）に基づく接触表示値がもたらされる。したがって、
本明細書に記載する補償または校正システムおよび方法の結果として、臨床医は、接触表示値が正確であり、システムまたはネットワークパラメータ回路で使用されているかまたはそれに接続されているハードウェアまたは機器の変動に影響を受けないことを一層確信することができる。いくつかの構成では、本明細書に開示する補償または校正実施形態を用いるシステムによって取得されるネットワークパラメータ値（たとえば、インピーダンス測定値）は、複合電極アセンブリの電極部材にわたる実際のネットワークパラメータ値（たとえば、インピーダンス値）の±１０％の範囲内（たとえば、±１０％、９％、８％、７％、６％、５％、４％、３％、２％の範囲内）であり得る。たとえば、インピーダンスの大きさ、インピーダンス勾配（２つの周波数におけるインピーダンスの大きさの比）およびインピーダンスの位相は、各々個々に、この手法を用いて±１０％以内またはそれより適切に測定することができる。その結果、接触関数または接触指標は、有利には、±１０％またはそれより優れた精度で、組織接触を正確な表現を提供することができる。
図３４Ａは、ネットワークパラメータ測定回路５４００（たとえば、組織接触インピーダンス測定回路）の実施形態の概略ブロック図を示す。ネットワークパラメータ測定回路５４００は、接触検知信号源５４０５と、アブレーションカテーテルの遠位端部分における高分解能電極アセンブリの２つの電極Ｄ１、Ｄ２の間の負荷５４１０と、発生器５４１５、カテーテルインタフェースユニットケーブル５４２０Ａ、５４２０Ｂ、カテーテルインタフェースユニット５４２５、発生器ケーブル５４３０およびカテーテルワイヤ５４３５を表す複数の２ポートネットワークのチェーンとを含む。いくつかの構成では、ネットワークパラメータ値（たとえば、散乱パラメータ、または電圧、電流もしくはインピーダンスの測定値等の電気測定値）は、発生器５４１５のレベルでチェーンの最初に取得され、測定されたネットワークパラメータ値（たとえば、電圧値および／または電流値から直接取得されるインピーダンス値）は、信号源５４０５と電極部材Ｄ１、Ｄ２との間のネットワークパラメータ回路のコンポーネントの影響により、２つの間隔を空けて配置された電極部材Ｄ１、Ｄ２の間の実際のネットワークパラメータ値（たとえば、インピーダンス値）とは著しく異なる可能性がある。インピーダンス値は、インピーダンスの大きさ、異なる周波数のインピーダンスの大きさの間の勾配、および／またはインピーダンス位相の値を含むことができる。たとえば、周波数ｆ１での検出されたインピーダンスの大きさは、周波数ｆ１での実際のインピーダンスの大きさとは±２５％程度異なる可能性がある。同様に、検出された勾配（周波数ｆ２およびｆ１でのインピーダンスの比）は、実際の勾配と±５０％程度異なる可能性がある。さらに、検出された位相は、実際の位相と±３０度程度異なる可能性がある。これらの不正確さが結合される結果、接触関数（ＣＦ）または接触表示値は、意図された接触関数または接触表示値と−１００％または＋１５０％程度異なる可能性があり、それにより、組織接触の判断において接触関数が無効になる。いくつかの実施形態によれば、本明細書に開示する補償または校正実施形態は、有利には、接触関数または接触表示値の精度を向上させることができる。
ネットワークパラメータ測定回路５４００におけるマルチポート（たとえば、２ポート）ネットワークの各々のネットワークパラメータを取得して（たとえば、測定して）、測定されたネットワークパラメータ値（たとえば、散乱パラメータ、またはインピーダンス等の電気パラメータ）を補正された（実際の）値（たとえば、インピーダンス値）に変換するために利用することができる。いくつかの実施形態では、２ポートネットワークアナライザを使用して、２ポートネットワークの各々の入力および出力において散乱パラメータ（Ｓパラメータ）が直接測定される。他の実施形態では、ネットワークパラメータ測定回路５４００の複数のコンポーネントを結合してコンポーネント群にし、合わせて測定することができる。個々のコンポーネントまたはコンポーネント群のパラメータを結合して、ネットワークパラメータ値に対する２ポートネットワークのチェーンの総合的な影響を求めることができる。いくつかの実施形態では、コンポーネントのうちの少なくともいくつかの散乱パラメータを、測定されるかまたは取得される測定値の数を低減させるように
（たとえば、数個の測定サンプルに基づく平均値を用いて）ソフトウェアプログラムにハードコーディングすることができる。
一実施形態によれば、２ポートネットワークまたは２ポートネットワーク群の各々に対するＳパラメータ行列を、全体的な伝送行列に変換することができる。その後、全体的な伝送行列を再びＳパラメータ（または他の何らかのパラメータ）に変換して、全体的なネットワークに対するＳパラメータ（または別のタイプの）行列を生成することができる。したがって、全体的なＳパラメータ行列からのＳパラメータを用いて、測定された入力反射係数からＳパラメータを取り除くか、校正するかまたは補償して、補正された（実際の）反射係数をもたらすことができる。したがって、実際の反射係数を、高分解能電極アセンブリの２つの電極部分Ｄ１、Ｄ２の間の実施のインピーダンスをより厳密に示す補正されたインピーダンス値に変換することができる。いくつかの実施形態では、補正されたインピーダンス値は、上述したように、接触関数（ＣＦ）、または接触評価アルゴリズムもしくは関数の他の接触表示もしくはレベルに対する入力として使用される。たとえば、補正されたインピーダンス値を用いて、上述した重み付けされた接触関数（ＣＦ）におけるＺ、ＳおよびＰの値を求めることができる。
ネットワークパラメータ測定回路（たとえば、インピーダンス測定回路）５４００のハードウェアコンポーネントの影響は、最初に使用する前に、特定のシステム（たとえば、インピーダンス測定回路）セットアップのハードウェアコンポーネントまたはハードウェアコンポーネントの相違の影響を低減させるかまたは除去するように、補償し、取り除き、または校正することができるが、異なるハードウェアコンポーネント（たとえば、発生器、ケーブル、カテーテル等）が使用されるため、または電気解剖学的マッピングを容易にするカテーテルインタフェースユニットまたは他のハードウェアコンポーネントがプラグ接続されるかまたは除去されるため、ネットワークパラメータ回路のコンポーネントは、異なる処置に対して異なる可能性があり、それにより、補償されなかった場合に不整合がもたらされる。いくつかの実施形態では、全体的なシステムＳパラメータ行列は、ネットワークパラメータ測定回路５４００内の接続が（たとえば、カテーテルインタフェースが電気経路にプラグ接続されるかまたはそこから除去されるとき、ケーブルが切り替えられるとき等に）変化する場合のみ更新することができる。
いくつかの実施形態では、接続が変化するときにいくつかの回路コンポーネントのインピーダンスに対する影響を手動で取り除くことを必要とする（それは、時間がかかり、使用者のエラーの可能性を増大させる可能性がある）代わりに、さまざまなコンポーネント（たとえば、発生器５４１５、カテーテルインタフェースユニットケーブル５４２０Ａ、５４２０Ｂおよびカテーテルインタフェースユニット５４２５）のサブセットのネットワークパラメータが自動的に測定されて、これらの要素の影響を、ネットワークパラメータ（たとえば、散乱パラメータまたはインピーダンスパラメータ）から取り除くか、または補償または校正することができる。図３４Ｂは、ネットワークパラメータ回路５４００のいくつかのハードウェアコンポーネントの影響を自動的に取り除くかまたは補償するために使用することができる回路５４５０の実施形態を示す。一実施形態では、自動校正回路５４５０は、発生器ケーブル５４３０およびカテーテルワイヤ５４３５の前のカテーテルインタフェースユニットケーブルの遠位端に配置される。回路５４５０は、有利には、高分解能電極アセンブリの電極部材Ｄ１、Ｄ２を発生器ケーブル５４３０およびカテーテル５４３５から分離し、Ｄ１とＤ２との間に既知の負荷を接続するのを可能にすることができる。
この実施形態では、自動校正回路５４５０は、発生器ケーブル５４３０およびカテーテルワイヤ５４３５コンポーネントのネットワークパラメータが既知であり、一定であると想定することができると想定することができる。しかしながら、発生器ケーブル５４３０
および／またはカテーテルワイヤ５４３５が、部品によって著しく変化すると判断される場合、要求または必要に応じて、発生器ケーブル５４３０の遠位端に、カテーテルチップに、または他の任意の位置に、回路５４５０を実装することができる。いくつかの実施形態では、自動校正回路５４５０の既知の負荷は、校正抵抗器Ｒｃａｌおよび校正コンデンサＣｃａｌを含む。スイッチを用いて、負荷としてのＲｃａｌ、負荷としてのＣｃａｌ、および負荷として並列のＲｃａｌおよびＣｃａｌ両方を接続することができる。既知の負荷として、他の素子（インダクタ、抵抗器、インダクタおよび／もしくはコンデンサの組合せ、または短絡回路もしくは開回路等）を利用することができる。図３４Ｂに示すように、発生器５４１５、カテーテルインタフェースユニットケーブル５４２０Ａ、５４２０Ｂおよびカテーテルインタフェースユニット５４２５の結合ネットワークパラメータは、単一の結合ネットワーク（ネットワーク１）として表される。
この実施形態では、ネットワーク１のネットワークパラメータ（たとえば、Ｓパラメータ）は、ネットワークパラメータ回路を用いて直接測定され、ネットワークパラメータからＳパラメータ行列が生成される。Ｓパラメータ行列における要素の各々は、複素数であり、周波数に依存する。Ｓパラメータは、複数の異なる周波数（たとえば、５ｋＨｚ〜２０ｋＨｚの第１周波数、２５ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの第２周波数および５００ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚの第３周波数等、ｋＨｚ範囲の３つの異なる周波数）で測定することができる。一実施形態では、抵抗器Ｒｃａｌが接続されコンデンサＣｃａｌが切断された状態で、コンデンサＣｃａｌが接続され抵抗器Ｒｃａｌが切断された状態、抵抗器ＲｃａｌおよびコンデンサＣｃａｌの両方が並列に接続された状態で、複素インピーダンスが測定される。測定された複素インピーダンス、ネットワーク１のＳパラメータおよび既知の負荷の間の関係は、３つの式として表すことができ、それを用いて、ネットワーク１のＳパラメータを解くことができる。Ｓパラメータが特徴付けられると、それらを（たとえば、伝送行列手法を用いて）発生器ケーブル５４３０およびカテーテルワイヤ５４３５の既知のネットワークパラメータと結合して、カテーテルの遠位端部分において（たとえば、複合電極アセンブリの２つの間隔を空けて配置された電極部分にわたって）補正された（実際の）インピーダンス測定値を提供することができる。
本明細書に記載する自動校正技法およびシステムにより、有利には、使用されている発生器、ケーブル、カテーテルまたは他の機器に関わらず、かつ同時の電気解剖学的マッピングを容易にするハードウェアコンポーネント（たとえば、カテーテルインタフェースユニット）が接続されているか否かに関わらず、接触表示値の信頼度の上昇が可能になる。さまざまな測定は、プロセッサによって実行されるコンピュータ可読記憶媒体に格納された命令の実行時に自動で実行することができ、または手動で実行することができる。
本明細書に記載する自動校正システムおよび方法はまた、システムの１つまたは複数のハードウェアコンポーネント（たとえば、発生器回路、ケーブルおよびカテーテル配線）に対する等価回路モデルを用いて実施することも可能である。こうした実施形態では、等価回路モデルは、表されている１つまたは複数のハードウェアコンポーネントの実際の応答を近似する、１つもしくは複数の抵抗器、１つもしくは複数のコンデンサ、および／または１つもしくは複数のインダクタを備える。一例として、発生器ケーブルコンポーネント５４３０を、図３４Ｃに示すように、伝送ライン等価ＲＬＣモードによって表すことができ、インピーダンスＺｍｅａｓの測定は、ポート１で実行され、所望の実際の（補正された）インピーダンスＺａｃｔはポート２にある。この例では、インピーダンス測定回路がインピーダンスＺｍｅａｓを測定している場合、回路解析技法を用いることによって実際のインピーダンス測定値Ｚａｃｔを抽出することができる。２つのインピーダンスに関する式は、以下によって得られる。
Figure 0006725178
Ｒ、ＬおよびＣに対する実際の値は、ネットワークパラメータ測定値から抽出することができる。たとえば、このネットワークのインピーダンス（Ｚ）パラメータを測定する場合、以下の関係を導出することができる。
Figure 0006725178
 式中、１および２は回路のポート番号を示し、Ｖ１、Ｉ１、Ｖ２およびＩ２は、それぞれのポートの各々における電圧および電流を表す。Ｒ、ＬおよびＣに対する値はまた、測定ツール（たとえば、マルチメータ）を利用して測定することも可能である。上述した等価回路モデル手法は、この概念の一例である。他の実施形態では、より複雑な回路モデルを利用して、システムのさまざまな要素を表すことができる。
いくつかの実施形態では、システムは、以下のうちの１つまたは複数を備える。すなわち、組織調整手段（たとえば、アブレーションまたは他のタイプの調整カテーテルまたは送達デバイス）、エネルギーを発生する手段（たとえば、発生器または他のエネルギー送達モジュール）、エネルギーを発生する手段を組織調整手段に接続する手段（たとえば、インタフェースまたは入出力コネクタまたは他の結合部材）、組織接触検知および／または組織タイプ判断を行う手段、組織接触検知および／または組織タイプ判断を行う手段によって生成される出力を表示する手段、組織との接触のレベルを求める手段、接触検知手段に関連してネットワークパラメータ測定値を校正する手段等である。
いくつかの実施形態では、システムは、（複数の特徴とは対照的に）単一の特徴として存在するさまざまな特徴を有する。たとえば、一実施形態では、システムは、ある深さでの組織の温度を求めるのに役立つように、単一の高分解能（たとえば、スプリットチップ）電極および１つまたは複数の温度センサ（たとえば、熱電対）を備える単一アブレーションカテーテルを含む。システムは、インピーダンス変換ネットワークを備えることができる。いくつかの実施形態では、システムは、電極および／または治療されている組織から離れるように熱を伝達するための熱シャント網を備えた単一アブレーションカテーテルを含む。いくつかの実施形態では、システムは、電極と対象者の標的組織とが接触しているか否かおよびどの程度接触しているかを判断する単一の接触検知サブシステムを含む。代替実施形態では、複数の特徴または構成要素が提供される。
一実施形態では、システムは、以下のうちの１つまたは複数を備える。すなわち、組織調整（たとえば、アブレーションまたは他のタイプの調整カテーテルまたは送達デバイス）、エネルギーを発生する手段（たとえば、発生器または他のエネルギー送達モジュール）、エネルギーを発生する手段を組織調整手段に接続する手段（たとえば、インタフェー
スもしくは入出力コネクタまたは他の結合部材）等である。
いくつかの実施形態では、システムは、以下のうちの１つまたは複数を備える。すなわち、組織調整（たとえば、アブレーションまたは他のタイプの調整カテーテルまたは送達デバイス）と、ある深さでの組織温度を（たとえば、電極から断熱されておりかつカテーテルの２つの異なる長手方向部分に沿って配置された複数の温度センサ（たとえば、熱電対）を用いて）測定する手段、電極および／または治療されている組織から離れるように（たとえば、熱分流材料および構成要素を用いて）有効に熱を伝達する手段と、電極と隣接する組織とが接触しているか否かおよびどの程度接触しているかを（たとえば、組織を焼灼するようにも構成される高分解能電極から取得されるインピーダンス測定値を用いて）判断する手段とである。
いくつかの実施形態では、システムは、以下のうちの１つまたは複数を備える。すなわち、アブレーションシステムは、本質的に、カテーテル、アブレーション部材（たとえば、ＲＦ電極、スプリットチップ電極、別のタイプの高分解能電極等）、カテーテルの内部を通ってアブレーション部材までまたはその近くまで延在する灌注導管、アブレーション部材を選択的に活性化する少なくとも１つの導体（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）、およびアブレーション部材の少なくとも一部（たとえば、アブレーション部材の近位部分）を灌注導管と熱連通させる少なくとも１つの伝熱部材、電極および／または治療されている組織から離れるように有効に熱を伝達するように構成された少なくとも１つの熱シャント部材、カテーテルの２つの異なる長手方向位置に沿って配置された複数の温度センサ（たとえば、熱電対）であって、電極から断熱され、かつある深さで組織の温度を検出するように構成された温度センサ、電極と隣接する組織とが接触しているか否かおよびどの程度接触しているかを（たとえば、組織を焼灼するようにも構成される高分解能電極から取得されるインピーダンス測定値を用いて）判断する接触検出サブシステム等からなる。
上に開示した実施形態では、伝熱部材が開示される。代替的に、いくつかの実施形態では、伝熱部材の代わりにまたはそれに加えて熱保持シンクが使用される。
いくつかの実施形態によれば、アブレーションシステムは、本質的に、カテーテルと、アブレーション部材（たとえば、ＲＦ電極、スプリットチップ電極、別のタイプの高分解能電極等）と、カテーテルの内部を通ってアブレーション部材までまたはその近くまで延在する灌注導管と、アブレーション部材を選択的に活性化する少なくとも１つの導体（たとえば、ワイヤ、ケーブル等）と、アブレーション部材の少なくとも一部（たとえば、アブレーション部材の近位部分）を灌注導管と熱連通させる少なくとも１つの伝熱部材と、電極および／または治療されている組織から離れるように有効に熱を伝達するように構成された少なくとも１つの熱シャント部材と、カテーテルの２つの異なる長手方向位置に沿って配置された複数の温度センサ（たとえば、熱電対）であって、電極から断熱され、かつある深さで組織の温度を検出するように構成された温度センサとからなる。
本明細書に記載する任意の方法を、１つもしくは複数のプロセッサまたは他のコンピューティングデバイスによって実行されるソフトウェアコードモジュールで具現化し、かつそれを介して部分的にまたは完全に自動化することができる。それらの方法は、有形のコンピュータ可読媒体から読み出されるソフトウェア命令または他の実行可能コードの実行に応じて、コンピューティングデバイスにおいて実行することができる。有形のコンピュータ可読媒体は、コンピュータシステムによって読取可能なデータを格納することができるデータ記憶デバイスである。コンピュータ可読媒体の例としては、リードオンリメモリ、ランダムアクセスメモリ、他の揮発性または不揮発性メモリデバイス、ＣＤ−ＲＯＭ、磁気テープ、フラッシュドライブおよび光学データ記憶デバイスが挙げられる。
さらに、実施形態は、１つまたは複数の有形のコンピュータ記憶媒体に格納されたコンピュータ実行可能命令として実施することができる。当業者には理解されるように、有形のコンピュータ記憶媒体に格納されたこうしたコンピュータ実行可能命令は、コンピュータプロセッサ等のコンピュータハードウェアによって実行される具体的な関数を定義する。概して、こうした実施形態では、コンピュータ実行可能命令は、少なくとも１つのコンピュータプロセッサによってアクセス可能なメモリにロードされる。したがって、少なくとも１つのコンピュータプロセッサはそれらの命令を実行し、コンピュータハードウェアに対して、コンピュータ実行可能命令によって定義された具体的な関数を実行させる。当業者には理解されるように、コンピュータ実行可能命令のコンピュータによる実行は、具体的な機能を実行するように配線されるハードウェア回路を含む電子ハードウェアによる同じ機能の実行と均等である。したがって、本明細書に例示する実施形態は、典型的には、コンピュータハードウェアおよびコンピュータ実行可能命令の何らかの組合せとして実施されるが、本明細書に例示する実施形態は、本明細書に例示する具体的な関数を実行するように配線された１つまたは複数の電子回路として実施することも可能である。
本明細書に開示するさまざまなシステム、装置および／または関連方法を用いて、限定なしに、心臓組織（たとえば、心筋、心房組織、心室組織、弁等）、体腔（たとえば、静脈、動脈、気道、食道または他の消化管腔、尿道および／または他の尿路管もしくは管腔、または管腔、他の管腔等）、括約筋、他の器官、腫瘍および／または他の増殖、神経組織および／または解剖学的構造の他の任意の部分を含む、対象者の解剖学的構造の１つまたは複数の部分を、少なくとも部分的に焼灼しかつ／もしくは焼灼し、加熱し、または熱的に治療することができる。こうした解剖学的位置の選択的アブレーションおよび／または他の加熱を用いて、たとえば、心房細動、僧帽弁逆流、他の心臓疾患、喘息、慢性閉塞性肺疾患（ＣＯＰＤ）、良性もしくは癌の肺結節を含む他の肺もしくは呼吸疾患、高血圧、心不全、脱神経、腎不全、肥満、糖尿病、胃食道逆流症（ＧＥＲＤ）、他の胃食道障害、他の神経関連疾患、腫瘍もしくは他の増殖、痛みおよび／または他の任意の疾患、症状もしくは病気を含む、１つまたは複数の疾患または症状を治療することができる。
本明細書に開示する実施形態のうちの任意のものでは、プロセッサ、コンピュータ可読媒体もしくは他のメモリ、コントローラ（たとえば、ダイヤル、スイッチ、つまみ等）、ディスプレイ（たとえば、温度ディスプレイ、タイマ等）等を含む１つまたは複数の構成要素が、発生器、灌注システム（たとえば、灌注ポンプ、リザーバ等）および／またはアブレーションもしくは他の調整システムの他の任意の部分の１つまたは複数のモジュールに組み込まれ、かつ／または（たとえば、可逆的にまたは非可逆的に）結合される。
本明細書では、いくつかの実施形態および例を開示しているが、本出願は、具体的に開示した実施形態を越えて本発明の他の代替実施形態および／または使用ならびにその変更形態および均等物まで広がる。実施形態の具体的な特徴および態様のさまざまな組合せまたは部分的組合せが作成され得、それらは、依然として本発明の範囲内にあり得ることも企図される。したがって、開示した本発明のさまざまな態様を形成するために、開示した実施形態のさまざまな特徴および態様を互いに組み合わせ得るかまたは置き換え得ることが理解されるべきである。したがって、本明細書に開示する本発明の範囲は、上述した特定の開示した実施形態によって限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲の公正な解釈によってのみ判断されるべきであることが意図されている。
本明細書に開示する実施形態は、さまざまな変更形態および代替形態が可能であるが、その具体的な例が図面に示されており、本明細書において詳細に記載されている。しかしながら、本発明は、開示した特定の形態または方法に限定されるべきではなく、逆に、本発明は、記載されたさまざまな実施形態および添付の特許請求の範囲の趣旨および範囲内にあるすべての変更形態、均等物および代替形態を包含するものであることが理解される
べきである。本明細書に開示したいかなる方法も、列挙した順序で必ずしも行われる必要はない。本明細書に開示した方法は、専門家によって行われるいくつかの行為を含むが、それらは、明示的にまたは暗示的に、それらの行為の任意の第３者の命令も含むことができる。たとえば、「カテーテルを前進させること」または「アブレーション部材にエネルギーを送達すること」等の行為は、それぞれ「カテーテルを前進させるように命令すること」または「アブレーション部材にエネルギーを送達するように命令すること」を含む。本明細書に開示する範囲はまた、そのあらゆる部分的重なり、部分的範囲およびその組合せも包含する。「最大」、「少なくとも」、「〜を超える」、「より小さい」、「間」等の用語は、列挙される数字を含む。「約」または「およそ」等の用語に続く数字は、列挙される数字を含む。たとえば、「約１０ｍｍ」は「１０ｍｍ」を含む。「実質的に」等の用語に続く用語または句は、列挙される用語または句を含む。たとえば、「実質的に平行」は「平行」を含む。

Claims (27)

  1. 組織をマッピングおよび焼灼する装置であって、
    近位端および遠位端を備える細長い本体と、
    前記細長い本体に配置された第１電極と、
    前記第１電極に隣接して配置された第２電極であって、前記第１電極および前記第２電極が対象者の組織と接触し、かつ前記組織を少なくとも部分的に焼灼するのに十分な高周波エネルギーを送達するように構成されている、少なくとも１つの第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、前記第１電極と前記第２電極とを分離するギャップ幅を有する、少なくとも１つの絶縁ギャップと、
    前記第１電極を前記第２電極に電気的に結合し、かつ前記第１電極および前記第２電極を介して焼灼エネルギーを送達するために使用される周波数で低インピーダンスを示すように構成されたフィルタリング素子と、
    前記第１電極および前記第２電極と熱連通する熱シャント部材であって、前記第１電極および前記第２電極が通電されると、前記第１電極、前記第２電極、および治療されている組織のうちの少なくとも１つから選択的に熱を除去する少なくとも１つの熱シャント部材と、を備える装置。
  2. 組織をマッピングおよび焼灼する装置であって、
    近位端および遠位端を備える細長い本体と、
    前記細長い本体の遠位端に沿って配置され、第１電極および第２電極を含む電極アセンブリと、
    前記第１電極および前記第２電極と熱連通する熱シャント部材であって、前記第１電極および前記第２電極が通電されると、前記第１電極、前記第２電極、および治療されている組織のうちの少なくとも１つから選択的に熱を除去する少なくとも１つの熱シャント部材と、を備え、
    前記第２電極は前記第１電極に隣接して配置され、前記第１電極および前記第２電極は、動作高周波（ＲＦ）範囲で通電される場合に、少なくとも部分的に対象者の組織に接触し、少なくとも部分的に前記組織を焼灼するように構成され、
    前記第１電極は、少なくとも１つの絶縁ギャップにより前記第２電極から物理的に分離され、
    フィルタリング素子は、前記動作ＲＦ範囲内で、前記第１電極を前記第２電極に電気的
    に結合するように構成され、
    前記第１電極および前記第２電極は、高分解能マッピングデータを取得するように構成されている装置。
  3. 前記第１電極と前記第２電極を含む電極アセンブリの遠位端に形成された別個の開口部内に配置された第１の複数の温度測定デバイスであって、前記電極アセンブリから断熱されている、第１の複数の温度測定デバイスと、
    前記電極アセンブリの近位端に関連して配置された別個の開口部内に配置された第２の複数の温度測定デバイスであって、前記電極アセンブリから断熱されている、第２の複数の温度測定デバイスと
    をさらに備え、
    前記第１の複数の温度測定デバイスおよび前記第２の複数の温度測定デバイスから求められる温度測定値により、治療されている組織に対する前記電極アセンブリの向きの判断が容易になり、
    少なくとも１つの絶縁ギャップにより、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングが容易になり、
    前記細長い本体は、少なくとも１つの灌注通路を備え、前記少なくとも１つの灌注通路が前記第１電極まで延在し、前記細長い本体の遠位端に流体を送達するように構成される、請求項１または２に記載の装置。
  4. 少なくとも１つの絶縁ギャップにより、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングが容易になり、
    前記細長い本体は、少なくとも１つの灌注通路を備え、前記少なくとも１つの灌注通路が前記第１電極まで延在し、前記細長い本体の遠位端に流体を送達するように構成される、請求項１または２に記載の装置。
  5. 組織をマッピングおよび焼灼する装置であって、
    近位端および遠位端を備える細長い本体と、
    前記細長い本体に配置された第１電極と、
    前記第１電極に隣接して配置された第２電極であって、前記第１電極および前記第２電極が対象者の組織と接触し、かつ前記組織を少なくとも部分的に焼灼するのに十分な高周波エネルギーを送達するように構成されている、少なくとも１つの第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、前記第１電極と前記第２電極とを分離するギャップ幅を有する、少なくとも１つの絶縁ギャップと、
    前記第１電極を前記第２電極に電気的に結合し、かつ前記第１電極および前記第２電極を介して焼灼エネルギーを送達するために使用される周波数で低インピーダンスを示すように構成されたフィルタリング素子と、
    前記第１電極と前記第２電極を含む電極アセンブリの遠位端に形成された別個の開口部内に配置された第１の複数の温度測定デバイスであって、前記電極アセンブリから断熱されている、第１の複数の温度測定デバイスと、
    前記電極アセンブリの近位端に関連して配置された別個の開口部内に配置された第２の複数の温度測定デバイスであって、前記電極アセンブリから断熱されている、第２の複数の温度測定デバイスと
    を備え、
    前記第１の複数の温度測定デバイスおよび前記第２の複数の温度測定デバイスから求められる温度測定値により、治療されている組織に対する前記電極アセンブリの向きの判断が容易になる、装置。
  6. 組織をマッピングおよび焼灼する装置であって、
    近位端および遠位端を備える細長い本体と、
    前記細長い本体の遠位端に沿って配置され、第１電極および第２電極を含む電極アセンブリと、
    前記第１電極と前記第２電極を含む電極アセンブリの遠位端に形成された別個の開口部内に配置された第１の複数の温度測定デバイスであって、前記電極アセンブリから断熱されている、第１の複数の温度測定デバイスと、
    前記電極アセンブリの近位端に関連して配置された別個の開口部内に配置された第２の複数の温度測定デバイスであって、前記電極アセンブリから断熱されている、第２の複数の温度測定デバイスと
    を備え、
    前記第２電極は前記第１電極に隣接して配置され、前記第１電極および前記第２電極は、動作高周波（ＲＦ）範囲で通電される場合に、少なくとも部分的に対象者の組織に接触し、少なくとも部分的に前記組織を焼灼するように構成され、
    前記第１電極は、少なくとも１つの絶縁ギャップにより前記第２電極から物理的に分離され、
    フィルタリング素子は、前記動作ＲＦ範囲内で、前記第１電極を前記第２電極に電気的に結合するように構成され、
    前記第１電極および前記第２電極は、高分解能マッピングデータを取得するように構成され、
    前記第１の複数の温度測定デバイスおよび前記第２の複数の温度測定デバイスから求められる温度測定値により、治療されている組織に対する前記電極アセンブリの向きの判断が容易になる装置。
  7. 前記少なくとも１つの絶縁ギャップにより、標的解剖学的領域に沿った高分解能マッピングが容易になる、請求項１または２に記載の装置。
  8. 前記細長い本体は、少なくとも１つの灌注通路を備え、前記少なくとも１つの灌注通路が前記第１電極まで延在し、前記細長い本体の遠位端に流体を送達するように構成される、請求項１または２に記載の装置。
  9. 前記少なくとも１つの絶縁ギャップ内に配置された少なくとも１つのセパレータをさらに備える、請求項１から８のいずれか１項に記載の装置。
  10. 前記少なくとも１つのセパレータは、前記第１電極の近位端および前記第２電極の遠位端と接触する、請求項９に記載の装置。
  11. 前記フィルタリング素子はコンデンサを含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載の装置。
  12. 前記コンデンサは５０〜３００ｎＦの静電容量を有する、請求項１１に記載の装置。
  13. 前記コンデンサは１００ｎＦの静電容量を有する、請求項１１に記載の装置。
  14. 約３オーム（Ω）より低い直列インピーダンスは、動作高周波（ＲＦ）周波数範囲で、前記第１電極および前記第２電極にわたって導入される、請求項１から１３のいずれか１項に記載の装置。
  15. 前記動作ＲＦ周波数範囲は３００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚである、請求項２または１４に記載の装置。
  16. 前記ギャップ幅はおよそ０．２〜１．０ｍｍである、請求項１または５に記載の装置。
  17. 前記ギャップ幅は１ｍｍより大きい、請求項１または５に記載の装置。
  18. 前記少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも部分的に前記第１電極および前記第２電極の内部を通って延在し、使用中に前記第１電極および前記第２電極から熱を放散させ除去する、請求項１または２に記載の装置。
  19. 前記少なくとも１つの熱シャント部材は、少なくとも部分的に前記細長い本体の内部を通って延在する、少なくとも１つの流体導管と熱連通する、請求項１、２および１８のいずれか１項に記載の装置。
  20. 前記少なくとも１つの灌注通路は、少なくとも部分的に前記少なくとも１つの熱シャント部材を通って延在する、請求項１、２および１９のいずれか１項に記載の装置。
  21. 前記少なくとも１つの灌注通路を通る流体の流量は、焼灼処置中に前記第１電極および前記第２電極に沿って所望の温度を維持するために、１０ｍｌ／ｍｉｎより小さい、請求項２０に記載の装置。
  22. 前記少なくとも１つの灌注通路を通る流体の流量は、焼灼処置中に前記第１電極および前記第２電極に沿って所望の温度を維持するために、５ｍｌ／ｍｉｎより小さい、請求項２０に記載の装置。
  23. 前記少なくとも１つの熱シャント部材は、１．５ｃｍ２／ｓｅｃより大きい熱拡散率を有する、請求項１、２および１８から２２のいずれか１項に記載の装置。
  24. 前記少なくとも１つの熱シャント部材は、ダイヤモンドを含む、請求項１、２および１８から２３のいずれか１項に記載の装置。
  25. 前記ダイヤモンドは、工業用ダイヤモンドを含む、請求項２４に記載の装置。
  26. 請求項１から２５のいずれか一項に記載の装置を備えるシステムであって、電気生理学レコーダに接続するように構成されているシステム。
  27. 請求項１から２５のいずれか一項に記載の装置を備えるシステムであって、（ｉ）前記第１電極および前記第２電極に選択的に通電する発生器および（ｉｉ）電気生理学レコーダのうちの少なくとも１つをさらに備えるシステム。
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