JP6705170B2 - 積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス - Google Patents
積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6705170B2 JP6705170B2 JP2015554791A JP2015554791A JP6705170B2 JP 6705170 B2 JP6705170 B2 JP 6705170B2 JP 2015554791 A JP2015554791 A JP 2015554791A JP 2015554791 A JP2015554791 A JP 2015554791A JP 6705170 B2 JP6705170 B2 JP 6705170B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film layer
- atoms
- ratio
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 314
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 198
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 122
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 62
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 35
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 32
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 29
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 26
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 22
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 18
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 14
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims description 13
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 9
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 claims description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 319
- 239000000463 material Substances 0.000 description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 34
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 28
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OBOXTJCIIVUZEN-UHFFFAOYSA-N [C].[O] Chemical compound [C].[O] OBOXTJCIIVUZEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000656145 Thyrsites atun Species 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N diethylsilane Chemical compound CC[SiH2]CC UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/308—Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0277—Bendability or stretchability details
- H05K1/028—Bending or folding regions of flexible printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
無機酸化物の薄膜をプラスチック基材の表面上に形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等の物理気相成長法(PVD)や、減圧化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法等の化学気相成長法(CVD)等の成膜法が知られている。
そして、特許文献1および特許文献2には、上述の方法で、窒化珪素や酸化窒化炭化珪素の薄膜層を形成したガスバリア性の積層フィルムが記載されている。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、光学特性および密着性に優れたガスバリア性積層フィルムを提供することを課題とする。
本発明は、可とう性基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成される第1薄膜層と、第1薄膜層上に形成される第2薄膜層とを有する積層フィルムであって、
前記第1薄膜層は、珪素原子(Si)、酸素原子(O)および炭素原子(C)を含有し、前記第2薄膜層は、珪素原子、酸素原子および窒素原子(N)を含有し、
前記第1薄膜層および第2薄膜層は、グロー放電プラズマを用いて形成されたものである積層フィルムを提供する。
本発明の積層フィルムにおいては、前記第1薄膜層の厚さ方向における、前記第1薄膜層の表面からの距離と、前記距離に位置する点の前記第1薄膜層に含まれる珪素原子、酸素原子および炭素原子の合計数に対する珪素原子数の比率(珪素の原子数比)、酸素原子数の比率(酸素の原子数比)、炭素原子数の比率(炭素の原子数比)との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線および炭素分布曲線において、下記の条件(i)〜(iii):
(i)珪素の原子数比、酸素の原子数比および炭素の原子数比が、前記第1薄膜層の厚さ方向における90%以上の領域において、下記式(1)で表される条件を満たすこと、
(酸素の原子数比)>(珪素の原子数比)>(炭素の原子数比)・・・(1)
(ii)前記炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有すること、
(iii)前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値および最小値の差の絶対値が0.05以上であることを全て満たすことが好ましい。
本発明の積層フィルムにおいては、前記第2薄膜層の表面に対してX線光電子分光測定を行った場合、ワイドスキャンスペクトルから算出した珪素原子に対する炭素原子の原子数比が下記式(2)の範囲にあることが好ましい。
0<C/Si≦0.2 (2)
本発明の積層フィルムにおいては、前記第2薄膜層の厚みが80nm以上であり、前記第2薄膜層の表面から第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さの範囲において珪素原子および酸素原子を含有し、珪素原子に対する窒素原子の原子数比が下記式(3)の範囲にあることが好ましい。
N/Si≦0.2 (3)
本発明の積層フィルムにおいては、前記第2薄膜層の厚みが80nm以上であり、前記第2薄膜層と、前記第1薄膜層との界面から、第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さの範囲において珪素原子および酸素原子を含有し、珪素原子に対する窒素原子の原子数比が下記式(4)の範囲にあることが好ましい。
N/Si≦0.2 (4)
本発明の積層フィルムにおいては、前記第2薄膜層に対して赤外分光測定を行った場合、810〜880cm−1に存在するピーク強度(I)と、2100〜2200cm−1に存在するピーク強度(I’)との強度比が下記式(5)の範囲にあることが好ましい。
0.05≦I’/I≦0.20 (4)
本発明の積層フィルムにおいては、前記第1薄膜層および第2薄膜層がプラズマCVD法により形成されたものであることが好ましい。
本発明の積層フィルムにおいては、前記第2薄膜層が誘導結合型プラズマCVD法により形成されたものであることが好ましい。
本発明の積層フィルムを基板として用いたフレキシブル電子デバイスが好ましい。
図2は比較例1で得られた積層フィルム7における第1薄膜層の珪素分布曲線、酸素分布曲線、窒素分布曲線および炭素分布曲線を示すグラフである。
図3は比較例3で得られた積層フィルム9における第2薄膜層の珪素分布曲線、酸素分布曲線、窒素分布曲線および炭素分布曲線を示すグラフである。
本発明に係る積層フィルムは、上述した積層フィルムである。
以降に説明する積層フィルムは、可とう性基材の主たる二表面のうち、一方の表面上に一層の薄膜層が形成されたものである。前記積層フィルムは、可とう性基材の一方の表面だけでなく、他方の表面上にも薄膜層が形成されたものでもよい。ここで、層とは、単一の製法で作られたものをいう。
可とう性基材は、フィルム状またはシート状であり、その材質の例としては、樹脂または樹脂を含む複合材が挙げられる。
前記樹脂の例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ポリカーボネート(PC)、ポリアリレート、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、環状ポリオレフィン(COP、COC)、ポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルファイド(PES)、ポリエーテルエーテルケトンが挙げられる。
樹脂を含む複合材の例としては、ポリジメチルシロキサン等のシリコーン樹脂、ポリシルセスキオキサン等の有機無機ハイブリッド樹脂、ガラスコンポジット、ガラスエポキシが挙げられる。
可とう性基材の材質は、1種のみでもよいし、2種以上でもよい。
これらの中でも、可とう性基材の材質は、透明性および耐熱性が高く、熱線膨張率が低いので、PET、PBT、PEN、環状ポリオレフィン、ポリイミド、芳香族ポリアミド、ガラスコンポジットまたはガラスエポキシが好ましい。
可とう性基材は、光を透過させたり吸収させたりすることが可能であるので、無色透明であることが好ましい。より具体的には、全光線透過率が80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましい。また、曇価が5%以下であることが好ましく、3%以下であることがより好ましく、1%以下であることがさらに好ましい。
可とう性基材は、電子デバイス、エネルギーデバイス等の基材で使用できるので、絶縁性であることが好ましく、電気抵抗率が106Ωcm以上であることが好ましい。
可とう性基材の厚さは、積層フィルムを製造する際の安定性を考慮して適宜設定できる。例えば、真空中においてもフィルムの搬送が可能であるので、5〜500μmであることが好ましく、10〜200μmであることがより好ましく、50〜100μmであることがさらに好ましい。
なお、可とう性基材は、プライマーコート層およびアンダーコート層からなる群から選ばれる1種以上を有していてもよい。これらの層が前記可とう性基材の表面上に存在する場合、本発明においては、これらの層を含めて可とう性基材とみなす。プライマーコート層および/またはアンダーコート層は、可とう性基材と第1薄膜層との接着性および/または平坦性を向上させるのに用いられる。プライマーコート層および/またはアンダーコート層は、公知のプライマーコート剤、アンダーコート剤等を適宜用いて、形成することができる。
可とう性基材は、前記薄膜層との密着性が向上することから、薄膜層形成側の表面を清浄するための液体洗浄処理が施されたものが好ましい。液体洗浄処理の例としては、純水洗浄処理、超純水洗浄処理、超音波水洗浄処理、スクラブ洗浄処理、リンス洗浄処理、2流体リンス処理が挙げられる。
可とう性基材は、前記薄膜層との密着性が向上するので、薄膜層形成側の表面を清浄するための表面活性処理が施されたものが好ましい。表面活性処理の例としては、コロナ処理、真空プラズマ処理、大気圧プラズマ処理、UVオゾン処理、真空紫外エキシマランプ処理、フレーム処理が挙げられる。
前記第1薄膜層は、緻密性が高く、微細な空隙、クラック等が特に少なくなるので、一般式がSiOαCβで表される化合物が主成分であることが好ましい。ここで、「主成分である」とは、材質の全成分の質量に対してその成分の含有量が50質量%超、好ましくは70質量%以上、より好ましくは90質量%以上であることをいう。この一般式において、αは2未満の正数から選択され、βは2未満の正数から選択される。前記の一般式におけるαおよびβの少なくとも一方は、第1薄膜層の厚さ方向において一定の値でもよいし、変化していてもよい。
さらに第1薄膜層は珪素原子、酸素原子および炭素原子以外の元素、例えば、水素原子、窒素原子、ホウ素原子、アルミニウム原子、リン原子、イオウ原子、フッ素原子および塩素原子のうちの一以上の原子を含有していてもよい。
前記第1薄膜層は、珪素原子、酸素原子および炭素原子に加え、水素原子を含有する場合、第1薄膜層は、一般式がSiOαCβHγで表される化合物が主成分であることが好ましい。ここで、「主成分である」とは、材質の全成分の質量に対してその成分の含有量が50質量%超、好ましくは70質量%以上、より好ましくは90質量%以上であることをいう。この一般式において、αは2未満の正数、βは2未満の正数、γは6未満の正数からそれぞれ選択される。前記の一般式におけるα、βおよびγの少なくとも一つは、第1薄膜層の厚さ方向で一定の値でもよいし、変化していてもよい。
前記第1薄膜層は、珪素原子(Si)、炭素原子(C)における第1薄膜層中の平均原子数比をC/Siで表した場合に、緻密性が高く、微細な空隙、クラック等が特に少なくなるので、0.1<C/Si<0.5の範囲にあると好ましく、0.15<C/Si<0.45の範囲にあるとより好ましく、0.2<C/Si<0.4の範囲にあるとさらに好ましく、0.25<C/Si<0.35の範囲にあると特に好ましい。
前記第1薄膜層は、珪素原子(Si)、酸素原子(O)における第1薄膜層中の平均原子数比をO/Siで表した場合に、緻密性が高く、微細な空隙やクラック等が特に少なくなるので、1.5<O/Si<1.9の範囲にあると好ましく、1.55<O/Si<1.85の範囲にあるとより好ましく、1.6<O/Si<1.8の範囲にあるとさらに好ましく、1.65<O/Si<1.75の範囲にあると特に好ましい。
なお、前記平均原子数比C/SiおよびO/Siは、下記条件にてXPSデプスプロファイル測定を行い、得られた珪素原子、窒素原子、酸素原子及び炭素原子の分布曲線から、それぞれの原子の厚み方向における平均原子濃度を求めた後、平均原子数比C/SiおよびO/Siを算出できる。
<XPSデプスプロファイル測定>
エッチングイオン種:アルゴン(Ar+)
エッチングレート(SiO2熱酸化膜換算値):0.05nm/sec
エッチング間隔(SiO2換算値):10nm
X線光電子分光装置:Thermo Fisher Scientific社製、機種名「VG Theta Probe」
照射X線:単結晶分光AlKα
X線のスポット及びそのサイズ:800×400μmの楕円形。
前記第1薄膜層は、グロー放電プラズマを用いて、プラズマ化学気相成長法(プラズマCVD法)により形成されたものであることが好ましい。
前記第1薄膜層の厚さは、積層フィルムを曲げた時に割れ難くなるので、5〜3000nmであることが好ましい。さらに、グロー放電プラズマを用いて、プラズマCVD法により第1薄膜層を形成する場合には、基材を通して放電しつつ第1薄膜層を形成することから、10〜2000nmであることがより好ましく、100〜1000nmであることがさらに好ましい。
本実施形態に用いられる積層フィルムが有する第1薄膜層は、平均密度が1.8g/cm3以上の高い密度となっていることが好ましい。なお、本明細書において第1薄膜層の「平均密度」は、ラザフォード後方散乱法(Rutherford Backscattering Spectrometry:RBS)で求めた珪素の原子数、炭素の原子数、酸素の原子数と、水素前方散乱法(Hydrogen Forward scattering Spectrometry:HFS)で求めた水素の原子数とから測定範囲の第1薄膜層の重さを計算し、測定範囲の第1薄膜層の体積(イオンビームの照射面積と膜厚(厚さ)との積)で除することで求められる。
前記第1薄膜層が1.8g/cm3以上の密度を有していることにより、前記積層フィルムは緻密性が高く、微細な空隙、クラック等が特に少なくなる。第1薄膜層が珪素原子、酸素原子、炭素原子および水素原子からなる場合には、第1薄膜層の平均密度は2.22g/cm3未満である。
本実施形態では、第1薄膜層の厚さ方向における第1薄膜層表面からの距離と、各距離の位置での局所的な珪素原子の原子比との関係を示す曲線を珪素分布曲線という。ここで、第1薄膜層表面とは、積層フィルムから第2薄膜層を除去したときに、積層体の表面となる面を意味する。同様に、厚さ方向における第1薄膜層表面からの距離と、各距離の位置での局所的な酸素原子の原子比との関係を示す曲線を酸素分布曲線という。厚さ方向における第1薄膜層表面からの距離と、各距離の位置での局所的な炭素原子の原子比との関係を示す曲線を炭素分布曲線という。厚さ方向における第1薄膜層からの距離と、各距離の位置での局所的な酸素原子の原子比および炭素原子の原子比の合計との関係を示す曲線を酸素炭素分布曲線という。
第1薄膜層の珪素分布曲線、酸素分布曲線および炭素分布曲線において、下記の条件(i)〜(iii)を満たすことが好ましい。
(i)珪素の原子数比、酸素の原子数比および炭素の原子数比が、前記第1薄膜層の厚さ方向における90%以上の領域において、下記式(1)で表される条件を満たすこと、
(酸素の原子数比)>(珪素の原子数比)>(炭素の原子数比)・・・(1)
(ii)前記炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有すること、
(iii)前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値および最小値の差の絶対値が0.05以上であること。
前記第1薄膜層の炭素分布曲線は、実質的に連続であることが好ましい。炭素分布曲線が実質的に連続とは、炭素分布曲線における炭素の原子比が不連続に変化する部分を含まないことである。具体的には、厚さ方向における第1薄膜層表面からの距離をx[nm]、炭素の原子比をCとしたときに、下記の式を満たすことが好ましい。
|dC/dx|≦ 0.01
前記第1薄膜層の炭素分布曲線は少なくとも1つの極値を有することが好ましい。ここでいう極値は、厚さ方向における第1薄膜層表面からの距離に対する各元素の原子比の極大値または極小値である。極値は、厚さ方向における第1薄膜層表面からの距離を変化させたときに、元素の原子比が増加から減少に転じる点、または元素の原子比が減少から増加に転じる点での原子比の値である。極値は、例えば、厚さ方向において複数の測定位置のそれぞれで原子比を測定した測定結果に基づいて、求めることができる。原子比の測定位置は、厚さ方向の間隔が例えば20nm以下に設定される。極値をとる位置は、各測定位置での測定結果を含んだ離散的なデータ群について、例えば互いに異なる3以上の測定位置での測定結果を比較し、測定結果が増加から減少に転じる位置または減少から増加に転じる位置を求めることによって、得ることができる。極値をとる位置は、例えば、前記の離散的なデータ群から求めた近似曲線を微分することによって、得ることもできる。極値をとる位置から原子比が単調増加または単調減少する区間が例えば20nm以上である場合に、極値をとる位置から厚さ方向に20nmだけ移動した位置での原子比と、極値との差の絶対値は例えば0.03以上である。
炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有する条件を満たすように形成された第1薄膜層は、屈曲前のガス透過率に対する屈曲後のガス透過率の増加量が、前記条件を満たさない場合と比較して少なくなる。すなわち、前記条件を満たすことにより、屈曲によるガスバリア性の低下を抑制する効果が得られる。炭素分布曲線の極値の数が2つ以上になるように第1薄膜層を形成すると、炭素分布曲線の極値の数が1つである場合と比較して、前記の増加量が少なくなる。炭素分布曲線の極値の数が3つ以上になるように第1薄膜層を形成すると、炭素分布曲線の極値の数が2つである場合と比較して、前記の増加量が少なくなる。炭素分布曲線が2つ以上の極値を有する場合に、第1の極値をとる位置の厚さ方向における第1薄膜層表面からの距離と、第1の極値と隣接する第2の極値をとる位置の厚さ方向における第1薄膜層表面からの距離との差の絶対値が、1nm以上200nm以下の範囲内であることが好ましく、1nm以上100nm以下の範囲内であることがさらに好ましい。
前記第1薄膜層の炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値および最小値の差の絶対値が0.05以上であることが好ましい。前記条件を満たすように形成された第1薄膜層は、屈曲前のガス透過率に対する屈曲後のガス透過率の増加量が、前記条件を満たさない場合と比較して少なくなる。すなわち、前記条件を満たすことにより、屈曲によるガスバリア性の低下を抑制する効果が得られる。炭素の原子比の最大値および最小値の差の絶対値が0.06以上であると前記の効果が高くなり、0.07以上であると前記の効果がさらに高くなる。
珪素分布曲線における珪素の原子比の最大値および最小値の差の絶対値が低くなるほど、第1薄膜層のガスバリア性が向上する傾向があるので、前記の絶対値は、0.05未満であることが好ましく、0.04未満であることがより好ましく、0.03未満であることが特に好ましい。
酸素炭素分布曲線において、各距離の位置での局所的な酸素原子の原子比および炭素原子の原子比の合計を「合計原子比」としたときに、合計原子比の最大値および最小値の差の絶対値が低くなるほど、第1薄膜層のガスバリア性が向上する傾向があるので、前記の合計原子比は、0.05未満であることが好ましく、0.04未満であることがより好ましく、0.03未満であることが特に好ましい。
第1薄膜層表面方向において、第1薄膜層を実質的に一様な組成にすると、第1薄膜層のガスバリア性を均一にするとともに向上させることができる。実質的に一様な組成であるとは、酸素分布曲線、炭素分布曲線および酸素炭素分布曲線において、第1薄膜層表面の任意の2箇所で極値の数が同じであり、それぞれの炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値および最小値の差の絶対値が、互いに同じであるかもしくは0.05以内の差であることをいう。
第1薄膜層の珪素分布曲線、酸素分布曲線および炭素分布曲線は、下記の条件を満たすことが好ましい。即ち、珪素分布曲線、酸素分布曲線および炭素分布曲線において第1薄膜層の厚さの90%以上の領域で、酸素の原子比が珪素の原子比よりも大きく、かつ、珪素の原子が炭素の原子比よりも大きい条件である。
(酸素の原子比)>(珪素の原子比)>(炭素の原子比)
前記条件を満たすように形成された第1薄膜層は、例えば有機EL素子を用いたフレキシブル電子デバイス等に要求されるガスバリア性を発現することが可能である。
前記第1薄膜層は、後述の第2薄膜層との密着性が向上するので、第1薄膜層の表面を清浄するための液体洗浄処理を施してもよい。液体洗浄処理の例としては、純水洗浄処理、超純水洗浄処理、超音波水洗浄処理、スクラブ洗浄処理、リンス洗浄処理、2流体リンス処理が挙げられる。
前記第1薄膜層は、後述の第2薄膜層との密着性が向上するので、第1薄膜層の表面を清浄するための表面活性処理を施してもよい。表面活性処理の例としては、コロナ処理、真空プラズマ処理、大気圧プラズマ処理、UVオゾン処理、真空紫外エキシマランプ処理、フレーム処理が挙げられる。
前記第2薄膜層は、フレキシビリティおよびガスバリア性を両立することができるので、珪素原子、酸素原子および窒素原子を含有し、一般式がSiOαNβで表される化合物が主成分であることが好ましい。ここで、「主成分である」とは、材質の全成分の質量に対してその成分の含有量が50質量%超、好ましくは70質量%以上、より好ましくは90質量%以上であることをいう。この一般式において、αは1未満の正数から選択され、βは3未満の正数から選択される。この一般式におけるαおよびβの少なくとも一方は、前記第2薄膜層の厚さ方向において一定の値でもよいし、変化していてもよい。
さらに前記第2薄膜層は、珪素原子、酸素原子および窒素原子以外の元素、例えば、炭素原子、ホウ素原子、アルミニウム原子、リン原子、イオウ原子、フッ素原子および塩素原子のうちの一以上を含有していてもよい。
前記第2薄膜層は、珪素原子、酸素原子、窒素原子および水素原子を含有していてもよい。この場合、前記薄膜層は、一般式がSiOαNβHγで表される化合物が主成分であることが好ましい。この一般式において、αは1未満の正数、βは3未満の正数、γは10未満の正数からそれぞれ選択される。この一般式におけるα、βおよびγの少なくとも一つは、前記第2薄膜層の厚さ方向で一定の値でもよいし、変化していてもよい。
さらに前記第2薄膜層は、珪素原子、酸素原子、窒素原子および水素原子以外の元素、例えば、炭素原子、ホウ素原子、アルミニウム原子、リン原子、イオウ原子、フッ素原子および塩素原子のうちの一以上を含有していてもよい。
前記第2薄膜層において、珪素原子、酸素原子、窒素原子および炭素原子の合計数に対する珪素原子数の平均原子数比は、0.10〜0.50の範囲にあることが好ましく、0.15〜0.45の範囲にあることがより好ましく、0.20〜0.40の範囲にあることがさらに好ましい。
前記第2薄膜層において、珪素原子、酸素原子、窒素原子および炭素原子の合計数に対する酸素原子数の平均原子数比は、0.05〜0.50の範囲にあることが好ましく、0.10〜0.45の範囲にあることがより好ましく、0.15〜0.40の範囲にあることがさらに好ましい。
前記第2薄膜層において、珪素原子、酸素原子、窒素原子および炭素原子の合計数に対する窒素原子数の平均原子数比は、0.40〜0.80の範囲にあることが好ましく、0.45〜0.75の範囲にあることがより好ましく、0.50〜0.70の範囲にあることがさらに好ましい。
前記第2薄膜層において、珪素原子、酸素原子、窒素原子および炭素原子の合計数に対する炭素原子数の平均原子数比は、0〜0.05の範囲にあることが好ましく、0.005〜0.04の範囲にあることがより好ましく、0.01〜0.03の範囲にあることがさらに好ましい。
なお、前記平均原子数比Si、OおよびNは、下記条件にてXPSデプスプロファイル測定を行い、得られた珪素原子、窒素原子、酸素原子および炭素原子の分布曲線から、それぞれの原子の厚み方向における平均原子濃度を求めた後、平均原子数比Si、OおよびNを算出できる。
<XPSデプスプロファイル測定>
エッチングイオン種:アルゴン(Ar+)
エッチングレート(SiO2熱酸化膜換算値):0.05nm/sec
エッチング間隔(SiO2換算値):10nm
X線光電子分光装置:Thermo Fisher Scientific社製、機種名「VG Theta Probe」
照射X線:単結晶分光AlKα
X線のスポット及びそのサイズ:800×400μmの楕円形。
前記第2薄膜層は、ガスバリア性および透明性を高めることができるので、屈折率が1.6〜1.9の範囲にあることが好ましく、1.65〜1.85の範囲にあることがより好ましく、1.7〜1.8の範囲であることがさらに好ましい。前記薄膜層の屈折率は、分光エリプソメトリーを用いて評価を行い、550nmにおける複素屈折率の実部nを求めることで算出できる。
前記第2薄膜層は、グロー放電プラズマを用いて、プラズマ化学気相成長法(プラズマCVD法)により形成されたものであることが好ましい。
前記第2薄膜層の厚さは、ガスバリア性および透明性を高めることができるので、5〜3000nmであることが好ましく、10〜2000nmであることがより好ましく、80〜1500nmであることがさらに好ましく、100〜1000nmであることが特に好ましい。
前記第2薄膜層の表面に対してX線光電子分光測定を行った場合、ワイドスキャンスペクトルから算出した珪素原子に対する炭素原子の原子数比が下記式(2)の範囲にあることが好ましい。
0<C/Si≦0.2 (2)
ワイドスキャンスペクトルから算出した珪素原子に対する炭素原子の原子数比は、第2薄膜層の最表面の原子数比を表す。前記式(2)で表される関係を満たす前記積層フィルムは、第2薄膜層の最表面に形成される原料中に含まれる不純物、成膜中に発生する不純物、または成膜後に付着する不純物等が低減され、該薄膜層上に別の層を形成する場合に、密着耐久性に優れたものとなる。珪素原子に対する炭素原子の原子数比の範囲について、第2薄膜層の最表面の不純物を低減できるので、C/Si≦0.2の範囲が好ましく、C/Si≦0.15の範囲がより好ましい。外的環境から付着する不純物の影響を受け難く、第2薄膜層の最表面の濡れ性の制御が容易になるので、C/Si>0の範囲が好ましく、C/Si≧0.02の範囲がより好ましい。
ここで、第2薄膜層の表面とは、第2薄膜層が積層体の最表面に存在するときは、積層体の表面を、第2薄膜層の上(第2薄膜層において、基材からより離れた面上)にさらに他の層が存在する場合は、積層フィルムから第2薄膜層の上に存在する全ての層を除去したときに、積層体の表面となる面を意味する。第2薄膜層の上に他の層を形成する場合は、他の層を形成する前に、ワイドスキャンスペクトルを測定することが好ましく、既に他の層を形成してしまった場合は、積層フィルムから第2薄膜層の上に存在する全ての層を除去して、ワイドスキャンスペクトルを測定することができる。
ワイドスキャンスペクトルは、X線光電子分光法(ULVAC PHI社製、QuanteraSXM)によって測定できる。X線源としてはAlKα線(1486.6eV、X線スポット100μm)を用い、また、測定時の帯電補正のために、中和電子銃(1eV)、低速Arイオン銃(10V)を使用する。測定後の解析は、MultiPak V6.1A(アルバックファイ社)を用いてスペクトル解析を行い、測定したワイドスキャンスペクトルから得られるSi:2p、O:1s、N:1s、C:1sのバインディングエネルギーに相当するピークを用いて、Siに対するCの原子数比を算出できる。
前記式(2)で表される原子数比を制御する手法としては、第2薄膜層表面を清浄するための表面活性処理が好ましい。表面活性処理の例としては、コロナ処理、真空プラズマ処理、大気圧プラズマ処理、UVオゾン処理、真空紫外エキシマランプ処理、フレーム処理が挙げられる。
第2薄膜層の層上にさらに別の層を形成する場合は、X線光電子分光測定は、別の層を形成する前に測定することが好ましいが、別の層を形成した後でも、別の層を除去することにより、測定することができる。
前記第2薄膜層の厚みが80nm以上であり、前記第2薄膜層の表面から第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さの範囲において珪素原子および酸素原子を含有し、珪素原子に対する窒素原子の原子数比が下記式(3)の範囲にあると、フレキシビリティおよびガスバリア性を両立することができるので好ましい。ここで、第2薄膜層の表面とは、第2薄膜層が積層体の最表面に存在するときは、積層体の表面を、第2薄膜層の上(第2薄膜層において、基材からより離れた面上)にさらに他の層が存在する場合は、積層フィルムから第2薄膜層の上に存在する全ての層を除去したときに、積層体の表面となる面を意味する。
N/Si≦0.2 (3)
原子数比の測定は、前述のXPSデプスプロファイル測定により行うことができる。
前記第2薄膜層の表面から第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さの範囲において、一般式がSiOαで表される化合物が主成分であることが好ましい。αが1.5〜3.0の数であることが好ましく、2.0〜2.5の数であることがより好ましい。αは、前記第2薄膜層の表面から第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さにおいて一定の値でもよいし、変化していてもよい。
前記第2薄膜層の厚みが80nm以上であり、前記第2薄膜層と、前記第1薄膜層との界面から、第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さの範囲において珪素原子および酸素原子を含有し、珪素原子に対する窒素原子の原子数比が下記式(4)の範囲にあると、フレキシビリティおよびガスバリア性を両立することができるので好ましい。
N/Si≦0.2 (4)
原子数比の測定は、前述のXPSデプスプロファイル測定により行うことができる。
前記第2薄膜層と、前記第1薄膜層との界面から、第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さの範囲において、一般式がSiOαで表される化合物が主成分であることが好ましい。αが1.5〜3.0の数であることが好ましく、2.0〜2.5の数であることがより好ましい。αは、前記第2薄膜層の表面から第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さにおいて一定の値でもよいし、変化していてもよい。
前記第2薄膜層は、透明性およびガスバリア性を両立することができるので、赤外分光測定から得られる赤外吸収スペクトルにおいて、810〜880cm−1に存在するピーク強度(I)と2100〜2200cm−1に存在するピーク強度(I’)の強度比I’/Iを求めた場合、下記式(5)の範囲にあることが好ましい。
0.05≦I’/I≦0.20 (5)
なお、前記第2薄膜層の赤外吸収スペクトルの測定においては、環状シクロオレフィンフィルム(例えば、日本ゼオン社製のゼオノアZF16フィルム)を基材として用い、該基材表面上に第2薄膜層を単独で形成した後、赤外吸収スペクトルを算出できる。赤外吸収スペクトルは、プリズムにゲルマニウム結晶を用いたATRアタッチメント(PIKE MIRacle)を備えたフーリエ変換型赤外分光光度計(日本分光製、FT/IR−460Plus)によって測定できる。前記第2薄膜層は、一般的な誘導結合プラズマCVD装置を用いて、誘導コイルに対して高周波電力を印加することで誘導電界を形成し、原料ガスを導入してプラズマを発生させ、基材上に薄膜を形成することで得られる。第2薄膜層の製造条件が不明な場合は、第2薄膜層のみを剥がして赤外吸収スペクトルの測定を行ってもよい。
810〜880cm−1に存在する吸収ピークはSi−Nに帰属され、2100〜2200cm−1に存在する吸収ピークはSi−Hに帰属される。即ち、ガスバリア性を高めることができるので、前記薄膜層がより緻密な構造となり得るために、I’/Iが0.20以下であることが好ましく、透明性を高めることができるので、I’/Iが0.05以上であることが好ましい。
前記第2薄膜層は、第2薄膜層上に他の無機膜または有機膜を形成した場合に密着耐久性が向上するので、第2薄膜層の表面を清浄するための液体洗浄処理を施してもよい。液体洗浄処理の例としては、純水洗浄処理、超純水洗浄処理、超音波水洗浄処理、スクラブ洗浄処理、リンス洗浄処理、2流体リンス処理が挙げられる。
前記第2薄膜層は、第2薄膜層上に他の無機膜または有機膜を形成した場合に密着耐久性が向上するので、第2薄膜層の表面を清浄するための表面活性処理を施してもよい。表面活性処理の例としては、コロナ処理、真空プラズマ処理、大気圧プラズマ処理、UVオゾン処理、真空紫外エキシマランプ処理、フレーム処理が挙げられる。
前記第1薄膜層および第2薄膜層の全体の厚さ(T)に対する、第1薄膜層の厚さ(T1)を、厚さの比(T1/T)として表した場合、基材と第1薄膜層との密着性およびガスバリア性を高めることができるので、0.02≦T1/T≦0.98の範囲であることが好ましく、0.05≦T1/T≦0.95の範囲であることがより好ましく、0.08≦T1/T≦0.92の範囲であることがさらに好ましく、0.10≦T1/T≦0.90の範囲であることが特に好ましい。
なお、前記積層フィルムは、第1および第2薄膜層の他に、第2薄膜層上にヒートシール性樹脂層、オーバーコート層および接着剤層からなる群から選ばれる1種以上を有していてもよい。これらの層が前記第2薄膜層の表面上に存在する場合、本発明においては、これらの層を含めて積層フィルムとみなす。ヒートシール性樹脂層は、公知のヒートシール性樹脂等を適宜用いて、形成することができる。オーバーコート層は、第2薄膜層の保護や、他部材との接着性および/または平坦性を向上させるのに用いられる。オーバーコート層は、公知のオーバーコート剤等を適宜用いて、形成することができる。接着剤層は、複数の積層フィルムを互いに接着することや、積層フィルムを他の部材と接着すること等に用いられる。接着剤層は、公知の接着剤等を適宜用いて、形成することができる。
本発明の積層フィルムは、高い透明性を有するので、全光線透過率が、80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましい。全光線透過率は、スガ試験機社製の直読ヘーズコンピュータ(型式HGM−2DP)によって測定できる。
[積層フィルムの製造方法]
本発明の積層フィルムは、可とう性基材上に、グロー放電プラズマを用いて、プラズマCVD法等の公知の真空成膜手法で第1および第2薄膜層を形成することで製造できる。
可とう性基材上に密着性の高い第1薄膜層をつけた後の、第2薄膜層については、真空成膜手法のなかでも、誘導結合プラズマCVD法により形成することが好ましい。誘導結合プラズマCVD法は、誘導コイルに対して高周波電力を印加することで誘導電界を形成し、プラズマを発生させる手法である。発生したプラズマは高密度かつ低温プラズマであるので、可とう性基材上に緻密な薄膜を形成するのに適している。
前記第1薄膜層をプラズマCVD法により形成(成膜)する場合には、可とう性基材を一対の成膜電極上に配置し、前記一対の成膜電極間に放電してプラズマを発生させるプラズマCVD法により形成することが好ましい。前記一対の成膜電極は平行平板形状でもよいし、ロール形状でもよい。一対の成膜ロール間に放電する際には、前記一対の成膜ロールの極性を交互に反転させることが好ましい。
プラズマCVD法においてプラズマを発生させる際には、複数の成膜ロールの間の空間にプラズマ放電を発生させることが好ましく、一対の成膜ロールを用い、その一対の成膜ロールのそれぞれに基材を配置して、一対の成膜ロール間に放電してプラズマを発生させることがより好ましい。一対の成膜ロールを用い、この一対の成膜ロール上に基材を配置して、この一対の成膜ロール間に放電することにより、成膜時に一方の成膜ロール上に存在する基材の表面部分を成膜しつつ、もう一方の成膜ロール上に存在する基材の表面部分も同時に成膜することが可能となって、効率よく第1薄膜層を形成できるだけでなく、成膜レートを倍にすることが可能となる。また、生産性が優れるので、第1薄膜層は、ロールツーロール方式で基材の表面上に形成することが好ましい。プラズマCVD法により積層フィルムを製造する際に用いることが可能な装置としては、限定されないが、少なくとも一対の成膜ロールと、プラズマ電源とを有し、且つ前記一対の成膜ロール間において放電することが可能な構成となっている装置であることが好ましい。
ロールツーロール方式のプラズマCVD法に適用する成膜装置の例としては、成膜上流側(基材の搬送方向の上流側)から順に、送り出しロール、搬送ロール、成膜ロール、搬送ロール、巻き取りロールを備え、ガス供給管、プラズマ発生用電源および磁場発生装置を備えたものが挙げられる。これらのうち、少なくとも成膜ロール、ガス供給管および磁場発生装置は、第1薄膜層を形成するときに、真空チャンバー内に配置され、この真空チャンバーは、真空ポンプに接続される。真空チャンバーの内部の圧力は、真空ポンプの動作により調整される。
前記の成膜装置は、成膜ロールとして一対の成膜ロールを備えたものが好ましく、これら成膜ロール間にさらに搬送ロールを備えたものが好ましい。そして、これら成膜ロールの内部に磁場発生装置が配置され、これら磁場発生装置は、成膜ロールの回転に伴って姿勢が変化しないように取付けられているものが好ましい。
これらの成膜装置を用いた場合、送り出しロールに巻き取られている基材は、送り出しロールから最上流側の搬送ロールを経由して、前段(上流側)の成膜ロールへ搬送される。基材の表面に第1薄膜層が形成されたフィルム基材は、前段の成膜ロールから、搬送ロールを経由して、後段(下流側)の成膜ロールへ搬送される。さらに成膜されて第1薄膜層が形成されて得られた積層フィルムは、後段の成膜ロールからこれよりもさらに下流側(最下流側)の搬送ロールを経由して巻き取りロールへ搬送され、この巻き取りロールに巻き取られる。
前記の成膜装置において、一対(前段および後段)の成膜ロールは、互いに対向するように配置されている。これら成膜ロールの軸は実質的に平行であり、これら成膜ロールの直径は実質的に同じである。これらの成膜装置では、基材が前段の成膜ロール上を搬送されているときおよび前記フィルム基材が後段の成膜ロール上を搬送されているときに、成膜が行われる。
前記の成膜装置においては、一対の成膜ロールで挟まれる空間に、プラズマを発生可能となっている。プラズマ発生用電源は、これら成膜ロール中の電極と電気的に接続されており、これら電極は、前記空間を挟むように配置される。
前記の成膜装置は、プラズマ発生用電源から前記電極に供給された電力によって、プラズマを発生可能である。プラズマ発生用電源としては、公知の電源等を適宜用いることができ、例えば、前記二つの電極の極性を交互に反転可能な交流電源が挙げられる。プラズマ発生用電源は、効率よく成膜できるので、その供給する電力が、例えば0.1〜10kWに設定され、且つ交流の周波数が、例えば50Hz〜100MHzに設定される。原料ガスの分解効率が向上するので、1MHz〜100MHzに設定された交流周波数を用いてもよい。
成膜ロールの内部に配置された磁場発生装置は、前記空間に磁場を発生可能であり、成膜ロール上での搬送方向で、磁束密度が変化するように磁場を発生させてもよい。
ガス供給管は、第1薄膜層の形成に用いる供給ガスを前記空間に供給可能である。供給ガスは、第1薄膜層の原料ガスを含む。ガス供給管から供給された原料ガスは、前記空間に発生するプラズマによって分解され、薄膜層の膜成分が生成される。第1薄膜層の膜成分は、一対の成膜ロール上を搬送されている基材または前記フィルム基材上に堆積する。
原料ガスとしては、例えば、珪素を含有する有機珪素化合物を用いることができる。有機珪素化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサンが挙げられる。これらの有機珪素化合物の中でも、化合物の取り扱い性および得られる薄膜層のガスバリア性が優れるので、ヘキサメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンが好ましい。有機珪素化合物は、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
原料ガスとして、前記有機珪素化合物の他にモノシランを含有させ、形成するバリア膜の珪素源として用いてもよい。
供給ガスは、原料ガスの他に反応ガスを含んでいてもよい。反応ガスとしては、原料ガスと反応して酸化物、窒化物等の無機化合物となるガスを適宜選択して用いることができる。酸化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、酸素、オゾンが挙げられる。窒化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、窒素、アンモニアが挙げられる。これらの反応ガスは、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができ、例えば、酸窒化物を形成する場合には、酸化物を形成するための反応ガスと窒化物を形成するための反応ガスとを組み合わせて用いることができる。
供給ガスは、キャリアガスおよび放電用ガスの少なくとも一方を含んでいてもよい。キャリアガスとしては、原料ガスの真空チャンバー内への供給を促進するガスを適宜選択して用いることができる。放電用ガスとしては、空間SPでのプラズマ放電の発生を促進するガスを適宜選択して用いることができる。キャリアガスおよび放電用ガスとしては、例えば、ヘリウムガス、アルゴンガス、ネオンガス、キセノンガス等の希ガス;水素ガスが挙げられる。キャリアガスおよび放電用ガスは、いずれも、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
以下、珪素−酸素系の第1薄膜層を製造する場合を例に挙げて説明する。本例の供給ガスは、原料ガスとしてのヘキサメチルジシロキサン(有機珪素化合物:HMDSO:(CH3)6Si2O)と、反応ガスとしての酸素(O2)とを含有している。
プラズマCVD法において、ヘキサメチルジシロキサンおよび酸素を含有する供給ガスGを反応させると、下記式(A)で示す反応により、二酸化珪素が生成される。
(CH3)6Si2O+12O2→6CO2+9H2O+2SiO2 ・・・・(A)
供給ガス中の原料ガスの量に対する反応ガスの量の比率は、例えば、原料ガスを完全に反応させるために化学量論的に必要な比率(化学量論比)に対して、過剰に高くなり過ぎないように設定される。例えば、式(A)で示す反応において、ヘキサメチルジシロキサン1モルを完全酸化するのに化学量論的に必要な酸素量は12モルである。すなわち、供給ガスGがヘキサメチルジシロキサン1モルに対して酸素を12モル以上含有している場合に、理論上は、薄膜層として均一な二酸化珪素膜が形成されることになる。しかし、実際には、供給された反応ガスの一部が反応に寄与しないことがある。そこで、原料ガスを完全に反応させるためには、通常は化学量論比よりも高い比率で反応ガスを含むガスが供給される。実際に原料ガスを完全に反応させ得る反応ガスの原料ガスに対するモル比(以下、「実効比率」という。)は、実験等によって調べることができる。例えば、プラズマCVD法でヘキサメチルジシロキサンを完全酸化するには、酸素のモル量(流量)を原料のヘキサメチルジシロキサンのモル量(流量)の20倍(実効比率を20)以上にする場合もある。したがって、供給ガス中の原料ガスの量に対する反応ガスの量の比率は、実効比率(例えば20)未満でもよいし、化学量論比(例えば12)以下でもよく、化学量論比よりも低い値(例えば10)でもよい。
本例において、原料ガスを完全に反応させることができないように、反応ガスが不足する条件に反応条件を設定すると、完全酸化されなかったヘキサメチルジシロキサン中の炭素原子および水素原子が第1薄膜層中に取り込まれる。例えば、前記の成膜装置において、原料ガスの種類、供給ガス中の原料ガスのモル量に対する反応ガスのモル量の比率、電極に供給する電力、真空チャンバー内の圧力、一対の成膜ロールの直径および基材(フィルム基材)の搬送速度等のパラメータの一以上を適宜調整することによって、所定の条件を満たすように、第1薄膜層を形成することができる。なお、前記パラメータの一以上は、基材(フィルム基材)が前記空間に面する成膜エリア内を通過する期間内に時間的に変化してもよいし、成膜エリア内で空間的に変化してもよい。
電極に供給する電力は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができ、例えば、0.1〜10kWに設定できる。電力が0.1kW以上であることで、パーティクルの発生を抑制する効果が高くなる。また、電力が10kW以下であることで、電極から受ける熱によって可とう性基材に皺または損傷が生じることを抑制する効果が高くなる。
真空チャンバー内の圧力(真空度)は、排気口内に設置され、原料ガスの種類等に応じて適宜調整することができ、例えば、0.1Pa〜50Paに設定できるが、0.2Pa〜10Paが好ましく、0.3Pa〜5Paがより好ましく、0.4Pa〜2Paがさらに好ましく、0.5Pa〜1.5Paが特に好ましい。
可とう性基材の搬送速度(ライン速度)は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるが、基材を搬送ロールに接触させるときの、基材の搬送速度と同じであることが好ましい。
前記第2薄膜層は、一般的な誘導結合プラズマCVD装置を用いて、誘導コイルに対して高周波電力を印加することで誘導電界を形成し、原料ガスを導入してプラズマを発生させ、第1薄膜層上に薄膜を形成することが好ましい(例えば、特開2006−164543号公報参照)。
図1は本実施形態の積層フィルムを作製するための誘導結合型プラズマCVD装置の一例である。真空チャンバー2の中に送り出しロール7および巻き取りロール8が配置され、第1薄膜層付き可とう性基材9が連続的に搬送される。送り出しロール7および巻き取りロール8は、状況に応じて反転することも可能で、送り出しロールが巻き取りロールへ、巻き取りロールが送り出しロールへと適宜変えることが可能である。基材9へ第2薄膜層が形成される成膜部11の上方に、酸化アルミニウム等で構成される矩形の誘電体窓を介して、磁場を発生させる誘導コイル3を備え、ガス導入配管10および余剰ガスを排気する真空ポンプ4が設けられている。ガスの導入および排気する付近に、ガスを均一化するための整流板が設けられていてもよい。誘導コイル3は、マッチングボックス5を介して高周波電源6に接続されている。
本発明の積層フィルムは、例えば、この誘導結合プラズマCVD装置1を用いて、第1薄膜層付き可とう性基材9を一定速度で搬送しながら、前記ガス導入配管10から原料ガスを供給し、成膜部11にて誘導コイル3によってプラズマを発生させ、原料ガスを分解・再結合して成る第2薄膜層を基材9の上に形成することで製造する。
前記第2薄膜層の形成にあたっては、基材の搬送方向が、成膜部11の上部に配置された矩形の誘電体窓の一方の対辺二辺に対して平行であって、かつ残りの対辺二辺に対して垂直方向になるように、一定速度で搬送する。それによって、成膜部11を通過する際に、基材の搬送方向に対して垂直方向である誘電体窓の対辺二辺の真下において、プラズマ密度が減少し、それに伴って原料ガスが分解・再結合した後の薄膜層組成が変化し、前記第3の薄膜層および第4の薄膜層を安定的に形成することが可能となる。
前記第2薄膜層は、原料ガスとして無機シラン系ガス、アンモニアガス、酸素ガス、および不活性ガスを用いることで形成される。前記第2薄膜層は、原料ガスを、それぞれ通常の誘導結合プラズマCVD法で用いられる範囲の流量および流量比で流すことにより形成される。無機シラン系ガスとしては、例えば、モノシランガス、ジシランガス、トリシランガス、ジクロロシランガス、トリクロロシランガス、テトラクロロシランガス等の水素化シランガス、ハロゲン化シランガスが挙げられる。これらの無機シラン系ガスの中でも、化合物の取り扱い性および得られる第2薄膜層の緻密性が優れるので、モノシランガス、ジシランガスが好ましい。これらの無機シラン系ガスは、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス、ネオンガス、キセノンガス等が挙げられる。
電極に供給する電力は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができ、例えば、0.1〜10kWに設定され、且つ交流の周波数が、例えば50Hz〜100MHzに設定される。電力が0.1kW以上であることで、パーティクルの発生を抑制する効果が高くなる。また、電力が10kW以下であることで、電極から受ける熱によって第1薄膜層付き可とう性基材に皺や損傷が生じることを抑制する効果が高くなる。さらに、原料ガスの分解効率が向上するので、1MHz〜100MHzに設定された交流周波数を用いてもよい。
真空チャンバー内の圧力(真空度)は、原料ガスの種類等に応じて適宜調整することができ、例えば、0.1Pa〜50Paに設定できるが、0.2Pa〜10Paが好ましく、0.3Pa〜5Paがより好ましく、0.4Pa〜2Paがさらに好ましく、0.5Pa〜1.5Paが特に好ましい。
第1薄膜層付き可とう性基材の搬送速度は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるが、基材を搬送ロールに接触させるときの、基材の搬送速度と同じであることが好ましい。
第1および第2薄膜層は、連続的な成膜プロセスで形成することが好ましく、長尺の基材を連続的に搬送しながら、その上に連続的に薄膜層を形成することがより好ましい。
第1および第2薄膜層は、可とう性基材を送り出しロールから巻き取りロールへ搬送しながら形成した後に、送り出しロールおよび巻き取りロールを反転させて、逆向きに基材を搬送させることで、更に上から形成することが可能である。所望の積層数、厚さ、搬送速度に応じて、適宜変更が可能である。
本発明における積層フィルムは、基材との密着性が高い薄膜層上に、無色透明で高い光学特性を有する薄膜を形成することで、ガスバリア性、光学特性、耐屈曲性および密着性を両立可能な積層フィルムを提供する。本発明における積層フィルムは、ガスバリア性を必要とする、食品、工業用品、医薬品等の包装用途として用いることができ、液晶表示素子、太陽電池、有機EL等の電子デバイスのフレキシブル基板として用いることが好ましい。
電子デバイスのフレキシブル基板として用いる場合、前記積層フィルム上に直接素子を形成してもよいし、別の基板上に素子を形成した後に前記積層フィルムを上から重ね合せてもよい。
<薄膜層の厚さの比の算出法>
可とう性基材上に第1薄膜層(SiOC)を形成し、小坂研究所製サーフコーダET200を用いて、無成膜部と成膜部の段差測定を行い、第1薄膜層の厚さ(T1)を求めた。また、可とう性基材上に第1薄膜層(SiOC)および第2薄膜層(SiON)を順に形成し、同様の方法で無成膜部と成膜部の段差測定を行い、全体の厚さ(T)を求めた。
第1薄膜層の全体の厚さに対する厚さの比を、T1/Tから求めた。
<基材と薄膜層との密着性>
積層フィルムを90℃の熱水中に1時間浸漬後、表面付着水を取り除いてからクロスカット試験(JIS K 5600−5−6に準拠)を実施した。テープ剥離後に一箇所も剥離がみられない場合を「○」と判定し、一箇所でも剥離がみられた場合を「×」として判定した。
<積層フィルムのガスバリア性>
積層フィルムのガスバリア性は、温度40℃、湿度90%RHの条件において、カルシウム腐食法(特開2005−283561号公報に記載される方法)によって測定し、積層フィルムの水蒸気透過度を求めた。
<積層フィルムの耐屈曲性>
積層フィルムの耐屈曲性は、温度23℃、湿度50%RHの環境下において、薄膜層が外側になるように直径30mmのSUS製の棒に1回巻きつけた後の積層フィルムについて、温度40℃、湿度90%RHの条件において、カルシウム腐食法(特開2005−283561号公報に記載される方法)によって水蒸気透過度(P2)を求め、巻きつける前の水蒸気透過度との比率(P2/P1)を百分率で表して求めた。
<積層フィルムの光学特性>
積層フィルムの全光線透過率は、スガ試験機社製の直読ヘーズコンピュータ(型式HGM−2DP)によって測定した。サンプルがない状態でバックグランド測定を行った後、積層フィルムをサンプルホルダーにセットして測定を行い、全光線透過率を求めた。
積層フィルムの黄色度(Yellow Index:YI)は、日本分光社製の紫外可視近赤外分光光度計V−670によって測定した。サンプルがない状態でバックグランド測定を行った後、積層フィルムをサンプルホルダーにセットして測定を行い、3刺激値(X、Y、Z)を求めた。YIは下記の式に基づいて算出した。
YI=100×(1.28X−1.06Z)/Y
<薄膜層表面のX線光電子分光測定>
積層フィルムの第2薄膜層表面の原子数比は、X線光電子分光法(ULVACPHI社製、QuanteraSXM)によって測定した。X線源としてはAlKα線(1486.6eV、X線スポット100μm)を用い、測定時の帯電補正のために、中和電子銃(1eV)、低速Arイオン銃(10V)を使用した。測定後の解析は、MultiPak V6.1A(アルバックファイ社)を用いてスペクトル解析を行い、測定したワイドスキャンスペクトルから得られるSi:2p、O:1s、N:1s、C:1sのバインディングエネルギーに相当するピークを用いて、Siに対するCの表面原子数比を算出した。表面原子数比を算出するにあたっては、5回測定した値の平均値を採用した。
[実施例1]
二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム(帝人デュポンフィルム社製、テオネックスQ65FA、厚み100μm、幅350mm、長さ100m)を基材として用い、これを真空チャンバー内の送り出しロールに装着した。真空チャンバー内を1×10−3Pa以下になるまで真空引きした後、基材を0.5m/minの一定速度で搬送させながら基材上に第1薄膜層の成膜を行った。基材に用いた二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムは片面に易接着処理を施した非対称構造をしており、易接着処理が施されていない面へ第1薄膜層の成膜を行った。
第1薄膜層を形成させるために用いたプラズマCVD装置においては、一対の電極間でプラズマを発生させて、前記電極表面に密接しながら基材が搬送され、基材上に薄膜層が形成される。前記の一対の電極は、磁束密度が電極表面で高くなるように電極内部に磁石が配置されており、プラズマ発生時に電極上でプラズマが高密度に拘束される。
第1薄膜層の成膜にあたっては、成膜ゾーンとなる電極間の空間に向けてヘキサメチルジシロキサンガスを55ccm(Standard Cubic Centimeter per Minute、0℃、1気圧基準)、酸素ガスを550sccm導入し、電極ロール間に0.8kW、周波数70kHzの交流電力を供給し、放電してプラズマを発生させた。次いで、真空チャンバー内の排気口周辺における圧力が1Paになるように排気量を調節した後、グロー放電プラズマを用いたプラズマCVD法により搬送基材上に第1薄膜層を形成した。積層フィルム1の第1薄膜層の厚みは200nmであった。
次に、積層フィルム1を別の真空チャンバー内に設置された、送り出しロールに装着し、薄膜層の成膜ゾーンを経て、巻き取りロールまで連続的に搬送できるように装着した。積層フィルム1を装着後、真空チャンバー内を1×10−3Pa以下になるまで真空引きした後、積層フィルム1を0.1m/minの一定速度で搬送させながら積層フィルム1上に第2薄膜層の成膜を行った。積層フィルム1は、第2薄膜層の成膜ゾーン上部に設置されている矩形の誘電体窓の一方の対辺二辺に対して平行であって、かつ残りの対辺二辺に対して垂直方向になるように搬送を行った。
第2薄膜層は、一般的な誘導結合プラズマCVD法により、積層フィルム1上に成膜した。成膜にあたって、成膜ゾーンにモノシランガスを100sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute、0℃、1気圧基準)、アンモニアガスを500sccm、酸素ガスを0.75sccm導入し、誘導コイルに1.0kW、周波数13.56kHzの電力を供給し、放電してプラズマを発生させた。次いで、真空チャンバー内の圧力が1Paになるように排気量を調節した後、グロー放電プラズマを用いた誘導結合プラズマCVD法により積層フィルム1上に第2薄膜層を形成し、積層フィルム2を得た。その後、真空チャンバー内を大気圧に戻して積層フィルム2を取り出した後、常圧プラズマ表面処理装置(積水化学社製、AP−T03−S440)を用いて、電力130V、電流4A、速度20m/minの条件で前記第2薄膜層の表面に大気圧プラズマ処理を施し、積層フィルム3を得た。積層フィルム3における第1および第2薄膜層の全体厚みは1000nmであった。積層フィルム3の第1薄膜層の厚さの比、基材/薄膜層の密着性、ガスバリア性および光学特性の結果を表1に示す。積層フィルム3の薄膜層表面の原子数比は0.10であった。
[実施例2]
第1薄膜層の厚みを200nm、第1および第2薄膜層の全体厚みを1000nmとすることに代えて、第1薄膜層の厚みを500nm、第1および第2薄膜層の全体厚みを1000nmとした以外は、実施例1と同様にして、積層フィルム4を得た。積層フィルム4の第1薄膜層の厚さの比、基材/薄膜層の密着性、ガスバリア性および光学特性の結果を表1に示す。積層フィルム4の薄膜層表面の原子数比は0.11であった。
[実施例3]
第1薄膜層の厚みを200nm、第1および第2薄膜層の全体厚みを1000nmとすることに代えて、第1薄膜層の厚みを764nm、第1および第2薄膜層の全体厚みを868nmとした以外は、実施例1と同様にして、積層フィルム5を得た。積層フィルム5の第1薄膜層の厚さの比、基材/薄膜層の密着性、ガスバリア性および光学特性の結果を表1に示す。積層フィルム5の薄膜層表面の原子数比は0.10であった。
[比較例1]
第1薄膜層の厚みを200nm、第1および第2薄膜層の全体厚みを1000nmとすることに代えて、第1薄膜層の厚みを980nm、第2薄膜層を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、積層フィルム6を得た。積層フィルム6の第1薄膜層の厚さの比、基材/薄膜層の密着性、ガスバリア性および光学特性の結果を表1に示す。
さらに、第1薄膜層の厚みを200nm、第1および第2薄膜層の全体厚みを1000nmとすることに代えて、第1薄膜層の厚みを250nm、第2薄膜層を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、積層フィルム7を得た。第1薄膜層の厚さ方向における、第1薄膜層の表面からの距離と、前記距離に位置する点の前記第1薄膜層に含まれる珪素原子、酸素原子、窒素原子、および炭素原子の分布曲線を図2に示す。すなわち、図2は比較例1で得られた積層フィルム7における第1薄膜層の珪素分布曲線、酸素分布曲線、窒素分布曲線および炭素分布曲線を示すグラフである。
[比較例2]
第1薄膜層の厚みを200nm、第1および第2薄膜層の全体厚みを1000nmとすることに代えて、第1薄膜層を形成せず、基材上に直接第2薄膜層の厚みを1000nm形成した以外は、実施例1と同様にして、積層フィルム8を得た。積層フィルム8の第1薄膜層の厚さの比、基材/薄膜層の密着性、ガスバリア性および光学特性の結果を表1に示す。積層フィルム8の薄膜層表面の原子数比(表面組成)は0.11であった。
積層フィルム8の第2薄膜層の赤外分光測定を実施するために、環状シクロオレフィンフィルム(日本ゼオン社製、ゼオノアZF16、厚み100μm、幅350mm、長さ100m)を基材として用いた場合についても、同様の操作にて第2薄膜層を形成して積層フィルム8’を得た。積層フィルム8’における薄膜層の厚みおよび構成は積層フィルム8と同様であった。
積層フィルム8’について、下記条件にて赤外分光測定を行った。
<薄膜層の赤外分光測定>
赤外分光測定は、プリズムにゲルマニウム結晶を用いたATRアタッチメント(PIKE MIRacle)を備えたフーリエ変換型赤外分光光度計(日本分光製、FT/IR−460Plus)によって測定した。
得られた赤外吸収スペクトルから、810〜880cm−1の間に存在するピーク強度(I)と2100〜2200cm−1に存在するピーク強度(I’)の吸収強度比(I’/I)を求めると、I’/I=0.11であった。
[比較例3]
第1薄膜層の厚みを200nm、第1および第2薄膜層の全体厚みを1000nmとすることに代えて、第1薄膜層を形成せず、基材上に直接第2薄膜層の厚みを500nm形成した以外は、実施例1と同様にして、積層フィルム9を得た。第2薄膜層の厚さ方向における、第2薄膜層の表面からの距離と、前記距離に位置する点の前記第1薄膜層に含まれる珪素原子、酸素原子、窒素原子および炭素原子の分布曲線を図3に示す。すなわち、図3は比較例3で得られた積層フィルム9における第2薄膜層の珪素分布曲線、酸素分布曲線、窒素分布曲線および炭素分布曲線を示すグラフである。図3の結果より、第2薄膜層の表面から第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さの範囲および前記第2薄膜層と、前記第1薄膜層との界面から、第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さの範囲において、N/Si≦0.2を満たすことが明らかとなった。
積層フィルム9の薄膜層に対して、分光エリプソメトリー(SOPRA社GRS−5)を用いて評価を行った。550nmにおける複素屈折率の実部nより、屈折率は1.75であった。
2 真空チャンバー
3 誘導コイル、誘電体窓
4 真空ポンプ(排気)
5 マッチングボックス
6 高周波電源
7 送り出しロール
8 巻き取りロール
9 基材
10 ガス導入配管
11 成膜部
Claims (7)
- 可とう性基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成される第1薄膜層と、第1薄膜層上に形成される第2薄膜層とを有する積層フィルムの製造方法であって、
グロー放電プラズマを用いてプラズマ化学気相成長法により前記第1薄膜層を形成する工程と、
グロー放電プラズマを用いてプラズマ化学気相成長法により第2薄膜層を形成する工程と(ただし原料ガスに炭素原子を含む形態を除く)を有し、
前記第1薄膜層は、珪素原子(Si)、酸素原子(O)および炭素原子(C)を含有し、前記第2薄膜層は、珪素原子、酸素原子および窒素原子(N)を含有し、
前記第2薄膜層の厚みが80nm以上であり、前記第2薄膜層の表面から第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さの範囲において珪素原子および酸素原子を含有し、珪素原子に対する窒素原子の原子数比が下記式(3)の範囲にある積層フィルムの製造方法。
N/Si≦0.2 (3) - 前記第1薄膜層の厚さ方向における、前記第1薄膜層の表面からの距離と、前記距離に位置する点の前記第1薄膜層に含まれる珪素原子、酸素原子および炭素原子の合計数に対する珪素原子数の比率(珪素の原子数比)、酸素原子数の比率(酸素の原子数比)、炭素原子数の比率(炭素の原子数比)との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線および炭素分布曲線において、下記の条件(i)〜(iii):
(i)珪素の原子数比、酸素の原子数比および炭素の原子数比が、前記第1薄膜層の厚さ方向における90%以上の領域において、下記式(1)で表される条件を満たすこと、 (酸素の原子数比)>(珪素の原子数比)>(炭素の原子数比)・・・(1)
(ii)前記炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有すること、
(iii)前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値および最小値の差の絶対値が0.05以上であることを全て満たす請求項1に記載の積層フィルムの製造方法。 - 前記第2薄膜層の表面に対してX線光電子分光測定を行った場合、ワイドスキャンスペクトルから算出した珪素原子に対する炭素原子の原子数比が下記式(2)の範囲にある請求項1または2に記載の積層フィルムの製造方法。
0<C/Si≦0.2 (2) - 前記第2薄膜層の厚みが80nm以上であり、前記第2薄膜層と、前記第1薄膜層との界面から、第2薄膜層内部へ向けて厚み方向に40nmまでの深さの範囲において珪素原子および酸素原子を含有し、珪素原子に対する窒素原子の原子数比が下記式(4)の範囲にある請求項1〜3のいずれか一項に記載の積層フィルムの製造方法。
N/Si≦0.2 (4) - 前記第2薄膜層に対して赤外分光測定を行った場合、810〜880cm−1に存在するピーク強度(I)と、2100〜2200cm−1に存在するピーク強度(I’)との強度比が下記式(5)の範囲にある請求項1〜4のいずれか一項に記載の積層フィルムの製造方法。
0.05≦I’/I≦0.20 (5) - 誘導結合型プラズマCVD法により前記第2薄膜層を形成する請求項1〜5のいずれか一項に記載の積層フィルムの製造方法。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の積層フィルムの製造方法を用いて基板を形成し、当該基板を用いてフレキシブル電子デバイスを製造する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013268641 | 2013-12-26 | ||
JP2013268641 | 2013-12-26 | ||
PCT/JP2014/083497 WO2015098672A1 (ja) | 2013-12-26 | 2014-12-11 | 積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015098672A1 JPWO2015098672A1 (ja) | 2017-03-23 |
JP6705170B2 true JP6705170B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=53478535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015554791A Active JP6705170B2 (ja) | 2013-12-26 | 2014-12-11 | 積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10704148B2 (ja) |
JP (1) | JP6705170B2 (ja) |
KR (1) | KR102374491B1 (ja) |
CN (1) | CN105848880B (ja) |
TW (1) | TWI650438B (ja) |
WO (1) | WO2015098672A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI672391B (zh) | 2014-09-08 | 2019-09-21 | 日商住友化學股份有限公司 | 積層膜及可撓性電子裝置 |
JP6723051B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-07-15 | 住友化学株式会社 | 積層フィルム及びその製造方法、並びに、積層フィルムの分析方法 |
JP6691803B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-05-13 | 住友化学株式会社 | 積層フィルム及びその製造方法 |
JP7133904B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2022-09-09 | 住友化学株式会社 | 積層フィルム及びその製造方法 |
US20200109473A1 (en) * | 2018-10-08 | 2020-04-09 | Ascentool, Inc. | High throughput vacuum deposition sources and system thereof |
GB2598936B (en) * | 2020-09-18 | 2023-10-18 | Haydale Graphene Ind Plc | Method and apparatus for plasma processing |
US20240024840A1 (en) * | 2020-09-18 | 2024-01-25 | Haydale Graphene Industries Plc | Methods and Apparatus for Delivering Feedstocks for Plasma Treatment |
WO2023153307A1 (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 日東電工株式会社 | ガスバリアフィルム及びその製造方法、並びにガスバリア層付き偏光板及び画像表示装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01109699A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP4414781B2 (ja) | 2004-02-09 | 2010-02-10 | 大日本印刷株式会社 | バリアフィルムの製造方法 |
JP4425167B2 (ja) | 2005-03-22 | 2010-03-03 | 富士フイルム株式会社 | ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4698310B2 (ja) | 2005-07-11 | 2011-06-08 | 富士フイルム株式会社 | ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4766243B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-09-07 | 大日本印刷株式会社 | ガスバリアフィルム、およびその製造方法 |
JP4717674B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2011-07-06 | 富士フイルム株式会社 | ガスバリア性フィルム、基材フィルムおよび有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5453719B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2014-03-26 | 大日本印刷株式会社 | ガスバリア性シート |
JP5024220B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2012-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
KR101718560B1 (ko) * | 2009-04-09 | 2017-03-21 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 가스 배리어성 적층 필름 |
JP5394867B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2014-01-22 | 富士フイルム株式会社 | ガスバリア膜およびガスバリアフィルム |
JP5375732B2 (ja) | 2010-04-26 | 2013-12-25 | 株式会社島津製作所 | バリヤ膜を形成する方法およびバリヤ膜を形成するために用いるcvd装置 |
JP2012081633A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 積層フィルム |
JP2012084307A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el装置 |
JP2012082467A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | プラズマcvd成膜装置、成膜方法 |
JP2012084306A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el装置 |
JP2012082468A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 積層フィルム |
JP5649431B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2015-01-07 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマcvd装置 |
JP5740179B2 (ja) | 2011-02-28 | 2015-06-24 | 日東電工株式会社 | 透明ガスバリアフィルム、透明ガスバリアフィルムの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、太陽電池および薄膜電池 |
US9312511B2 (en) * | 2012-03-16 | 2016-04-12 | Universal Display Corporation | Edge barrier film for electronic devices |
US9891473B2 (en) * | 2012-03-27 | 2018-02-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Laminated film, organic electroluminescence device, photoelectric converter, and liquid crystal display |
JP6094577B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2017-03-15 | コニカミノルタ株式会社 | 透明ガスバリアーフィルム、その製造方法及び電子デバイス |
JP2013234365A (ja) * | 2012-05-09 | 2013-11-21 | Mitsubishi Plastics Inc | ガスバリア性フィルムの製造方法 |
JP2014092637A (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Canon Inc | 画像形成装置およびその制御方法 |
CN104968492A (zh) * | 2013-01-31 | 2015-10-07 | 柯尼卡美能达株式会社 | 气体阻隔性膜 |
-
2014
- 2014-12-11 WO PCT/JP2014/083497 patent/WO2015098672A1/ja active Application Filing
- 2014-12-11 US US15/107,518 patent/US10704148B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-12-11 JP JP2015554791A patent/JP6705170B2/ja active Active
- 2014-12-11 KR KR1020167018635A patent/KR102374491B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-11 CN CN201480070996.1A patent/CN105848880B/zh active Active
- 2014-12-17 TW TW103144078A patent/TWI650438B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015098672A1 (ja) | 2017-03-23 |
KR102374491B1 (ko) | 2022-03-14 |
TW201531582A (zh) | 2015-08-16 |
TWI650438B (zh) | 2019-02-11 |
KR20160102453A (ko) | 2016-08-30 |
CN105848880B (zh) | 2017-09-08 |
US20160312362A1 (en) | 2016-10-27 |
US10704148B2 (en) | 2020-07-07 |
CN105848880A (zh) | 2016-08-10 |
WO2015098672A1 (ja) | 2015-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6705170B2 (ja) | 積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス | |
JP6642003B2 (ja) | 積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス | |
JP6638182B2 (ja) | 積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス | |
JP5513959B2 (ja) | ガスバリア性積層フィルム | |
JP6657687B2 (ja) | 積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス | |
JP5673926B2 (ja) | 積層フィルム | |
TWI775926B (zh) | 積層膜 | |
JP2014000782A (ja) | 積層フィルム | |
TW201919889A (zh) | 積層膜 | |
JP2012081630A (ja) | ガスバリア性積層フィルム | |
CN109778149B (zh) | 阻气膜、气体阻隔性薄膜、有机电致发光元件和电子纸以及气体阻隔性薄膜的制造方法 | |
KR20150003730A (ko) | 적층 필름 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190801 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20191029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200128 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20200204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200414 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200427 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6705170 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |