JP6697521B2 - メモリデバイス - Google Patents
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Description
110、210:データ受信器
120、220:ラッチドライバ
130、230:電圧レベルシフタ
210a:インバータ回路
221、222:ラッチドライバ回路
221a:ラッチ回路
221b:ドライバ回路
231、232:電圧シフト回路
231a:第一入力回路
231b:第一出力設定回路
Din:入力データ信号
En:イネーブル信号
GND:接地電圧
IDS:内部データ信号
INV1〜7、INV9〜10、INVa:インバータ
IVC1、IVC2:ラッチ
LDS、LDS1、LDS2:ラッチデータ信号
NAND1:NANDゲート
ODS、ODS1、ODS2:出力データ信号
Ref:参照信号
Reset:リセット信号
T1〜T8、T9a、T9b、T10a、T10b、T11〜T16:トランジスタ
TC1、TC2:伝送ゲート
V1:第一電圧
V2:第二電圧
WDQS:書込み選択信号
Claims (16)
- 第一電圧で動作し、イネーブル信号、参照信号、入力データ信号を受信し、前記第一電圧に基づいて内部データ信号を出力するのに用いられるデータ受信器と、
前記データ受信器に結合され、書込み選択信号及び前記内部データ信号を受信し、前記第一電圧に基づいて前記内部データ信号をラッチし、第二電圧に基づいて少なくとも一つのラッチデータ信号を出力するのに用いられるラッチドライバと、
前記ラッチドライバに結合され、前記第二電圧に基づいて前記少なくとも一つのラッチデータ信号を受信し、前記少なくとも一つのラッチデータ信号に基づいて少なくとも一つの出力データ信号を生成し、前記第一電圧に基づいて前記少なくとも一つの出力データ信号の電圧値を設定する電圧レベルシフタと、を含み、
前記第一電圧の電圧値は、前記第二電圧の電圧値より大きいことを特徴とするメモリデバイス。 - 前記ラッチドライバは、さらにリセット信号を受信して、リセット動作を行う請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記データ受信器は、
第一端は、前記第一電圧を受信し、制御端は、前記イネーブル信号を受信する第一トランジスタと、
第一端は、前記第一トランジスタの第二端に結合され、制御端は、前記参照信号を受信する第二トランジスタと、
第一端は、前記第二トランジスタの第二端に結合され、制御端は、その第一端に結合し、第二端は、接地電圧を受信する第三トランジスタと、
第一端は、前記第一トランジスタの第二端に結合され、制御端は、前記入力データ信号を受信する第四トランジスタと、
第一端は、前記第四トランジスタの第二端に結合され、制御端は、前記第三トランジスタの制御端に結合され、第二端は、前記接地電圧を受信する第五トランジスタと、
第一端は、第五トランジスタの第一端に結合され、制御端は、前記イネーブル信号を受信し、第二端は、前記接地電圧を受信する第六トランジスタと、
前記第六トランジスタの第一端に結合され、前記内部データ信号を出力するのに用いられるインバータ回路と、を含む請求項1または2に記載のメモリデバイス。 - 前記インバータ回路は、
第一端は、前記第一電圧を受信し、制御端は、前記第六トランジスタの第一端に結合され、第二端は、前記内部データ信号を出力する第七トランジスタと、
第一端は、前記第七トランジスタの第二端に結合され、制御端は、前記第七トランジスタの制御端に結合され、第二端は、前記接地電圧を受信する第八トランジスタと、を含む請求項3に記載のメモリデバイス。 - 前記ラッチドライバは、
前記データ受信器に結合され、前記リセット信号、前記書込み選択信号、前記内部データ信号を受信し、前記第一電圧に基づいて前記内部データ信号をラッチし、前記第二電圧に基づいて前記少なくとも一つのラッチデータ信号のうちの第一ラッチデータ信号を出力する第一ラッチドライバ回路と、
前記データ受信器に結合され、前記リセット信号、前記書込み選択信号、前記内部データ信号を受信し、前記第一電圧に基づいて前記内部データ信号をラッチし、前記第二電圧に基づいて前記少なくとも一つのラッチデータ信号のうちの第二ラッチデータ信号を出力する第二ラッチドライバ回路と、を含む請求項2〜4のいずれか一項に記載のメモリデバイス。 - 前記第一ラッチデータ信号は、奇数チャネル信号であり、前記第二ラッチデータ信号は、偶数チャネル信号である請求項5に記載のメモリデバイス。
- 前記第一ラッチドライバ回路及び前記第二ラッチドライバ回路のそれぞれは、
前記データ受信器に結合され、前記リセット信号、前記書込み選択信号、前記内部データ信号を受信し、前記第一電圧に基づいて前記内部データ信号をラッチするラッチ回路と、
前記ラッチ回路に結合されるドライバ回路と、を含み、
前記第一ラッチドライバ回路のドライバ回路は、前記第二電圧に基づいて前記第一ラッチデータ信号を出力し、
前記第二ラッチドライバ回路のドライバ回路は、前記第二電圧に基づいて前記第二ラッチデータ信号を出力する請求項5に記載のメモリデバイス。 - 前記ラッチ回路は、
反転内部データ信号を受信し、反転書込み選択信号に制御されて、オン又はオフにされる第一伝送ゲートと、
前記第一伝送ゲートに結合され、前記反転内部データ信号をラッチするのに用いられる第一ラッチと、
前記第一ラッチに結合され、前記第一ラッチの信号を受信し、前記反転書込み選択信号に制御されて、オン又はオフにされるのに用いられる第二伝送ゲートと、
前記第二伝送ゲートに結合され、前記第一ラッチの信号及び反転リセット信号をラッチするのに用いられる第二ラッチと、を含む請求項7に記載のメモリデバイス。 - 前記第一ラッチは、
入力端は、前記第一伝送ゲートの出力端に結合され、出力端は、前記第二伝送ゲートの入力端に結合される第一インバータと、
入力端は、前記第一インバータの出力端に結合され、出力端は、前記第一インバータの入力端に結合される第二インバータと、を含み、
前記第二ラッチは、
第一端は、前記第二伝送ゲートの出力端に結合され、第二端は、前記反転リセット信号を受信する第一NANDゲートと、
入力端は、前記第一NANDゲートの出力端に結合され、出力端は、前記第一NANDゲートの第一端に結合される第三インバータと、を含む請求項8に記載のメモリデバイス。 - 前記ラッチ回路は、
入力端は、前記第二ラッチの出力端に結合され、出力端は、前記ドライバ回路に結合される第四インバータをさらに含む請求項9に記載のメモリデバイス。 - 前記ドライバ回路は、
第一端は、前記第二電圧を受信し、制御端は、前記ラッチ回路に結合される第九トランジスタと、
第一端は、前記第九トランジスタの第二端に結合され、制御端は、前記ラッチ回路に結合され、第二端は、前記接地電圧を受信する第十トランジスタと、を含み、
前記第一ラッチドライバ回路のドライバ回路の前記第九トランジスタの第二端は、前記第一ラッチデータ信号を出力し、
前記第二ラッチドライバ回路のドライバ回路の前記第九トランジスタの第二端は、前記第二ラッチデータ信号を出力する請求項7に記載のメモリデバイス。 - 前記第九トランジスタは、P型又はN型トランジスタであり、前記第十トランジスタは、N型トランジスタである請求項11に記載のメモリデバイス。
- 前記電圧レベルシフタは、
前記第一ラッチドライバ回路に結合され、前記第二電圧に基づいて前記第一ラッチデータ信号を受信し、前記第一ラッチデータ信号に基づいて前記少なくとも一つの出力データ信号のうちの第一出力データ信号を生成し、前記第一電圧に基づいて前記第一出力データ信号の電圧値を設定する第一電圧シフト回路と、
前記第二ラッチドライバ回路に結合され、前記第二電圧に基づいて前記第二ラッチデータ信号を受信し、前記第二ラッチデータ信号に基づいて前記少なくとも一つの出力データ信号のうちの第二出力データ信号を生成し、前記第一電圧に基づいて前記第二出力データ信号の電圧値を設定する第二電圧シフト回路と、を含む請求項5に記載のメモリデバイス。 - 前記第一電圧シフト回路は、
前記第一ラッチドライバ回路に結合され、前記第二電圧に基づいて前記第一ラッチデータ信号を受信する第一入力回路と、
前記第一入力回路に結合され、前記第一ラッチデータ信号に基づいて前記第一出力データ信号を生成し、前記第一電圧に基づいて前記第一出力データ信号の電圧値を設定する第一出力設定回路と、を含み、
前記第二電圧シフト回路は、
前記第二ラッチドライバ回路に結合され、前記第二電圧に基づいて前記第二ラッチデータ信号を受信する第二入力回路と、
前記第二入力回路に結合され、前記第二ラッチデータ信号に基づいて前記第二出力データ信号を生成し、前記第一電圧に基づいて前記第二出力データ信号の電圧値を設定する第二出力設定回路と、を含む請求項13に記載のメモリデバイス。 - 前記第一入力回路及び前記第二入力回路のそれぞれは、
第一インバータ及び第二インバータと、を含み、
前記第二インバータの入力端と前記第一インバータの出力端は相互に結合され、
前記第一入力回路の前記第一インバータの入力端は、前記第一ラッチデータ信号を受信し、前記第一入力回路の前記第一インバータの出力端及び前記第二インバータの出力端は、前記第一出力設定回路に結合され、
前記第二入力回路の前記第一インバータの入力端は、前記第二ラッチデータ信号を受信し、前記第二入力回路の前記第一インバータの出力端及び前記第二インバータの出力端は、前記第二出力設定回路に結合される請求項14に記載のメモリデバイス。 - 前記第一出力設定回路及び前記第二出力設定回路のそれぞれは、
第一端は、前記第一電圧を受信する第九トランジスタと、
第一端は、前記第九トランジスタの第二端に結合され、第二端は、前記接地電圧を受信する第十トランジスタと、
第一端は、前記第一電圧を受信し、制御端は、前記第九トランジスタの第二端に結合され、第二端は、前記第九トランジスタの制御端に結合される第十一トランジスタと、
第一端は、前記第十一トランジスタの第二端に結合され、第二端は、前記接地電圧を受信する第十二トランジスタと、
第一端は、前記第一電圧を受信し、制御端は、前記第十一トランジスタの第二端に結合される第十三トランジスタと、
第一端は、前記第十三トランジスタの第二端に結合され、制御端は、前記第十三トランジスタの制御端に結合され、第二端は、前記接地電圧を受信する第十四トランジスタと、を含み、
前記第一出力設定回路の前記第十トランジスタの制御端及び前記第十二トランジスタの制御端は、前記第一入力回路に結合され、前記第一出力設定回路の前記第十三トランジスタの第二端は、前記第一出力データ信号を生成し、
前記第二出力設定回路の前記第十トランジスタの制御端及び前記第十二トランジスタの制御端は、前記第二入力回路に結合され、前記第二出力設定回路の前記第十三トランジスタの第二端は、前記第二出力データ信号を生成する請求項15に記載のメモリデバイス。
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