JP6697144B2 - 磁気センサ - Google Patents
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Description
全ての前記磁気抵抗効果素子がストライプ形状の素子部を有し、全ての前記素子部は、その長手方向が感度軸となって、前記感度軸が、測定すべき外部磁界の強度変化の方向に向けられており、
それぞれの前記素子部は、固定磁性層と非磁性材料層とフリー磁性層および反強磁性層を有し、前記反強磁性層からフリー磁性層へ作用する交換結合磁界によって、前記フリー磁性層にバイアス磁界が与えられ、前記バイアス磁界の向きと前記固定磁性層の固定磁化の向きとが、共にストライプ形状の前記素子部の長手方向に向けられ、
前記フルブリッジ回路では、前記フリー磁性層の磁化の向きと前記固定磁化の向きとの組み合わせが互いに相違する前記磁気抵抗効果素子が直列に接続された第1の直列部と第2の直列部とが構成され、前記第1の直列部と前記第2の直列部が並列に接続されて、各直列部の一方に電圧が与えられ他方が接地されており、
前記差動回路で前記第1の直列部の中点電位と前記第2の直列部の中点電位の差が検出されることを特徴とするものである。
前記第1の直列部と前記第2の直列部のそれぞれにおいて、前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子とが直列に接続され、一方の直列部では前記第1の磁気抵抗効果素子が電源電圧側に位置し、他方の直列部では前記第2の磁気抵抗効果素子が電源電圧側に位置しているものとして構成できる。
前記第1の直列部と前記第2の直列部の一方では、前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第3の磁気抵抗効果素子とが直列に接続され、他方では、前記第2の磁気抵抗効果素子と前記第4の磁気抵抗効果素子とが直列に接続されており、
前記第2の磁気抵抗効果素子と前記第3の磁気抵抗効果素子が電源電圧側に位置し、または、前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第4の磁気抵抗効果素子が電源電圧側に位置しているものとして構成できる。
図2に本発明の第1の実施の形態の磁気センサ1が示されている。
を示している。
非磁性材料層22は、Cu(銅)などである。
第1の実施の形態の磁気センサ1の動作は以下の通りである。
図7に、本発明の第2の実施の形態の磁気センサ101が示されている。
図7に示すように、フルブリッジ回路102において、第1の直列部2aの中点5aの出力電位(Out1)と、第2の直列部2bの中点5bの出力電位(Out2)が差動増幅器6に与えられる。
2,102 フルブリッジ回路
2a 第1の直列部
2b 第2の直列部
6 差動増幅器
7 コンパレータ
9 処理回路
10a 第1の磁気抵抗効果素子
10b 第2の磁気抵抗効果素子
10c 第3の磁気抵抗効果素子
10d 第4の磁気抵抗効果素子
12 素子部
21 固定磁性層
22 非磁性材料層
23 フリー磁性層
24 反強磁性層
F フリー磁性層の磁化方向
P 固定磁化方向
Claims (8)
- フルブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗効果素子と、前記フルブリッジ回路からの出力を検知する差動回路とを有する磁気センサにおいて、
全ての前記磁気抵抗効果素子がストライプ形状の素子部を有し、全ての前記素子部は、その長手方向が感度軸となって、前記感度軸が、測定すべき外部磁界の強度変化の方向に向けられており、
それぞれの前記素子部は、固定磁性層と非磁性材料層とフリー磁性層および反強磁性層を有し、前記反強磁性層からフリー磁性層へ作用する交換結合磁界によって、前記フリー磁性層にバイアス磁界が与えられ、前記バイアス磁界の向きと前記固定磁性層の固定磁化の向きとが、共にストライプ形状の前記素子部の長手方向に向けられ、
前記フルブリッジ回路では、前記フリー磁性層の磁化の向きと前記固定磁化の向きとの組み合わせが互いに相違する前記磁気抵抗効果素子が直列に接続された第1の直列部と第2の直列部とが構成され、前記第1の直列部と前記第2の直列部が並列に接続されて、各直列部の一方に電圧が与えられ他方が接地されており、
前記差動回路で前記第1の直列部の中点電位と前記第2の直列部の中点電位の差が検出されることを特徴とする磁気センサ。 - 前記フリー磁性層の磁化の向きと前記固定磁化の向きとが同じ方向である第1の磁気抵抗効果素子と、前記フリー磁性層の磁化の向きと前記固定磁化の向きが同じ方向であり且つそれぞれが前記第1の磁気抵抗効果素子と逆に向けられた第2の磁気抵抗効果素子とが設けられ、
前記第1の直列部と前記第2の直列部のそれぞれにおいて、前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子とが直列に接続され、一方の直列部では前記第1の磁気抵抗効果素子が電源電圧側に位置し、他方の直列部では前記第2の磁気抵抗効果素子が電源電圧側に位置している請求項1記載の磁気センサ。 - 前記感度軸方向に外部磁界が作用していないときに、前記差動回路からの出力が中間値であり、外部磁界が前記感度軸方向に沿う第1の方向と、これと逆方向の第2の方向に作用しているときとで、前記出力が前記中間値を挟んで互いに異なる極性に変化する請求項2記載の磁気センサ。
- 前記フリー磁性層の磁化の向きと前記固定磁化の向きとが同じ方向である第1の磁気抵抗効果素子と、前記フリー磁性層の磁化の向きと前記固定磁化の向きが同じ方向であり且つそれぞれが前記第1の磁気抵抗効果素子と逆に向けられた第2の磁気抵抗効果素子と、前記フリー磁性層の磁化の向きと前記固定磁化の向きが互いに逆方向である第3の磁気抵抗効果素子と、前記フリー磁性層の磁化の向きと前記固定磁化の向きが互いに逆方向であり且つそれぞれが前記第3の磁気抵抗効果素子と逆に向けられた第4の磁気抵抗効果素子と、が設けられ、
前記第1の直列部と前記第2の直列部の一方では、前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第3の磁気抵抗効果素子とが直列に接続され、他方では、前記第2の磁気抵抗効果素子と前記第4の磁気抵抗効果素子とが直列に接続されており、
前記第2の磁気抵抗効果素子と前記第3の磁気抵抗効果素子が電源電圧側に位置し、または、前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第4の磁気抵抗効果素子が電源電圧側に位置している請求項1記載の磁気センサ。 - 前記感度軸方向に外部磁界が作用していないときは、前記差動回路からの出力がハイレベルであり、外部磁界が前記感度軸方向に沿う第1の方向と、これと逆方向の第2の方向に作用しているときに、ローレベルに変化する請求項4記載の磁気センサ。
- 前記感度軸方向に外部磁界が作用していないときは、前記差動回路からの出力がローレベルであり、外部磁界が前記感度軸方向に沿う第1の方向と、これと逆方向の第2の方向に作用しているときにハイレベルに変化する請求項5記載の磁気センサ。
- 前記差動回路からの出力を、前記中間値を挟んで設定される2つのしきい値と比較して、外部磁界が第1の方向へ作用したときと第2の方向へ作用したときのそれぞれでスイッチ出力を得るコンパレータが設けられている請求項3記載の磁気センサ。
- 前記差動回路からの出力をしきい値と比較して、外部磁界が第1の方向へ作用したときと第2の方向へ作用したときのそれぞれでスイッチ出力を得るコンパレータが設けられている請求項5または6記載の磁気センサ。
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