JP6691067B2 - 半導体メモリおよびその駆動方法 - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1に係る半導体メモリの構成について図1A〜図1Eを用いて説明する。図1Aは、平面図である。図1Bは、図1Aのaa’線の断面を示す断面図である。図1Cは、図1Aのbb’線の断面を示す断面図である。図1Dは、図1Aのcc’線の断面を示す断面図である。図1Eは、図1Aのdd’線の断面を示す断面図である。
また、実施の形態1における半導体メモリは、図5A,図5B,図5Cに示すように構成してもよい。図5Bは、図5Aのaa’線の断面を示す断面図である。図5Cは、図5Aのcc’線の断面を示す断面図である。
次に、本発明の実施の形態2に係る半導体メモリの構成について図6A〜図6Cを用いて説明する。図6Aは、平面図である。図6Bは、図6Aのaa’線の断面を示す断面図である。図6Cは、図6Aのcc’線の断面を示す断面図である。
次に、本発明の実施の形態3に係る半導体メモリの構成について図7A〜図7Cを用いて説明する。図7Aは、平面図である。図7Bは、図7Aのaa’線の断面を示す断面図である。図7Cは、図7Aのcc’線の断面を示す断面図である。
Claims (5)
- 半導体が縮退しない範囲の不純物濃度とされた半導体層と、
前記半導体層の一方の面に形成された第1電極と、
前記半導体層の前記一方の面の前記第1電極の第1の側に形成された第1導電型の第1領域と、
前記半導体層の前記一方の面の前記第1電極の前記第1の側と反対の第2の側に形成された第1導電型の第2領域と、
前記半導体層の他方の面に形成された第2電極と、
前記半導体層の他方の面の前記第2電極の前記第1の側に形成された第2導電型の第3領域と、
前記半導体層の他方の面の前記第2電極の前記第2の側に形成された第3電極と
を備え、
前記第1電極と前記第2電極および前記第3電極とは、前記半導体層を挟んで対面して配置され、
前記第1電極、前記第1領域、前記第2領域、および前記第1領域と前記第2領域とに挾まれた前記半導体層により前記第1電極をゲート電極とした第1トランジスタが構成され、
前記第2電極、前記第3領域、前記半導体層により、前記第2電極をゲート電極とした第2トランジスタが構成され、
前記第1電極と、前記第2電極と、前記第1電極および前記第2電極にはさまれた前記半導体層とにより第1キャパシタが構成され、
前記第2電極と、前記第3電極と、前記第2電極および前記第3電極の間の前記半導体層とにより第2キャパシタが構成され、
前記半導体層は、半導体基板の表面に設けられたリッジパターンである
ことを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1記載の半導体メモリにおいて、
前記第1電極は、第1絶縁層を介して前記半導体層の前記一方の面に形成され、
前記第2電極および前記第3電極は、第2絶縁層を介して前記半導体層の他方の面に形成されている
ことを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1または2記載の半導体メモリにおいて、
前記第1電極と前記第2電極および前記第3電極との間の前記半導体層に電界を印加する第4電極を更に備えることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体メモリにおいて、
前記第1電極と前記第2電極とは、互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項4記載の半導体メモリの駆動方法であって、
前記第1電極を用いて前記第1トランジスタをオフ状態とし、かつ前記第2トランジスタをオン状態とする書き込みステップと、
前記書き込みステップの後で、前記第1電極を用いて前記第1トランジスタをオン状態とし、かつ前記第2トランジスタをオフ状態とする蓄積ステップと、
前記書き込みステップの後で、前記第1電極の電圧を一定として前記第1トランジスタの電流をモニタする読み出しステップと
を備えることを特徴とする半導体メモリの駆動方法。
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JP2017018441A JP6691067B2 (ja) | 2017-02-03 | 2017-02-03 | 半導体メモリおよびその駆動方法 |
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JP2018125483A JP2018125483A (ja) | 2018-08-09 |
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