JP6673601B2 - シフトレジスタ、その駆動方法、ゲートドライバ回路及び表示装置 - Google Patents

シフトレジスタ、その駆動方法、ゲートドライバ回路及び表示装置 Download PDF

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Description

本願は、2015年9月6日に中国特許庁に提出された中国特許出願201510560839.5の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本願に取り込まれる。
本開示は、表示技術分野に関し、特にシフトレジスタ、その駆動方法、ゲートドライバ回路及び表示装置に関する。
薄膜トランジスタ表示パネルにおいて、通常、ゲートドライバ回路から画素領域の各薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)のゲートにゲート駆動信号を提供する。ゲートドライバ回路は、アレイ工程によりディスプレイのアレイ基板に形成され、即ちゲートドライバオンアレイ(GOA;Gate Driver on Array)工程である。このような集成工程により、コストを節約するだけではなく、ゲート集成回路(IC;Integrated Circuit)のボンディング(Bonding)領域及びファンアウト(Fan-Out)の配線空間が省かれ、表示パネルの狭額縁化が図れる。
現在、通常のゲートドライバ回路は、多段接続したシフトレジスタからなり、各段シフトレジスタにより、順に表示パネル上の各行のゲート線にゲート走査信号を提供する。タッチと表示が異なる時間で駆動される表示装置において、1フレームを表示する時間区間に複数のタッチ時間区間を挿入するために、通常ゲートドライバ回路を多段接続する必要がある。各ゲートドライバ回路が対応する数行のゲート線としか接続せず、各段ゲートドライバ回路の起動トリガ信号のシーケンスを制御する方法により、1フレームを表示する時間区間にタッチ時間区間を挿入する。しかし、上述の方法では、1フレームを表示する時間区間に、挿入されるタッチ時間区間が多ければ多いほど、必要とされる制御信号が多くなり、制御線も多くなり、回路が複雑になるため狭額縁化に不利である。しかも、上述の方法では、タッチ時間区間が一定時間区間に挿入されるしかできず、自由に調整することができない。
本開示の一部の実施例によるシフトレジスタ、その駆動方法、ゲートドライバ回路及び表示装置は、構造が簡単であるため狭額縁化に有利であり、任意の表示時間区間にタッチ時間区間を挿入することができる。
従って、本開示の一部の実施例において、入力モジュールと、リセットモジュールと、タッチ切換モジュールと、ノード制御モジュールと、第1出力モジュールと、第2出力モジュールとを含むシフトレジスタを提供する。ここで、第1端子が入力信号を受信し、第2端子が第1クロック信号を受信し、第3端子が第1ノードと接続する上記入力モジュールは、上記入力信号の電位と上記第1クロック信号の電位が共に第1電位であるとき、上記第1ノードの電位を第1電位にする。第1端子がリセット信号を受信し、第2端子が第3クロック信号を受信し、第3端子が上記第1ノードと接続する上記リセットモジュールは、上記リセット信号の電位と上記第3クロック信号の電位が共に第1電位であるとき、上記第1ノードの電位を第1電位にする。第1端子が第1タッチ制御信号を受信し、第2端子が上記第1ノードと接続し、第3端子が第2ノードと接続する上記タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、表示段階で上記第1ノードと上記第2ノードを導通させ、タッチ段階で上記第1ノードと上記第2ノードを遮断させる。第1端子が直流信号を受信し、第2端子が第4クロック信号を受信し、第3端子が第2タッチ制御信号を受信し、第4端子が上記第1ノードと接続し、第5端子が上記第2ノードと接続し、第6端子が第3ノードと接続する上記ノード制御モジュールは、上記第3ノードの電位が第1電位であるとき、上記直流信号を上記第1ノードに提供し、上記第4クロック信号の電位が第1電位であるとき、上記第4クロック信号を上記第3ノードに提供し、上記第2ノードの電位が第1電位であるとき、上記第2タッチ制御信号を上記第3ノードに提供し、上記第3ノードがフローティング状態にあるとき、上記ノード制御モジュールの第1端子と上記第3ノードの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持する。第1端子が上記第2ノードと接続し、第2端子が第2クロック信号を受信し、第3端子がシフトレジスタの駆動信号出力端子と接続する上記第1出力モジュールは、上記第2ノードの電位が第1電位であるとき、上記第2クロック信号を上記駆動信号出力端子に提供し、上記第2ノードがフローティング状態にあるとき、第2ノードと上記駆動信号出力端子の電圧差を直前時間区間の電圧差に保持する。第1端子が上記第3ノードと接続し、第2端子が上記直流信号を受信し、第3端子が上記駆動信号出力端子と接続する上記第2出力モジュールは、上記第3ノードの電位が第1電位であるとき、上記直流信号を上記駆動信号出力端子に提供する。上記入力信号の有効パルス信号が高電位であるとき、上記第1電位が高電位であり、上記直流信号が低電位であり、上記第2タッチ制御信号の電位が表示段階で低電位、タッチ段階で高電位である。上記入力信号の有効パルス信号が低電位であるとき、上記第1電位が低電位であり、上記直流信号が高電位であり、上記第2タッチ制御信号の電位が表示段階で高電位、タッチ段階で低電位である。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、第1端子が第3タッチ制御信号を受信し、第2端子が上記直流信号を受信し、第3端子が上記駆動信号出力端子と接続する第3出力モジュールであって、上記第3タッチ制御信号の制御下、タッチ段階で上記直流信号を上記駆動信号出力端子に提供するための第3出力モジュールを更に含む。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、上記入力モジュールは、ドレインが上記第1ノードと接続する第1スイッチングトランジスタを含み、上記第1スイッチングトランジスタは、ゲートが上記入力信号を受信し、ソースが上記第1クロック信号を受信し、又は、ゲートが上記第1クロック信号を受信し、ソースが上記入力信号を受信する。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、上記リセットモジュールは、ドレインが上記第1ノードと接続する第2スイッチングトランジスタを含み、上記第2スイッチングトランジスタは、ゲートが上記リセット信号を受信し、ソースが上記第3クロック信号を受信し、又は、ゲートが上記第3クロック信号を受信し、ソースが上記リセット信号を受信する。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、上記タッチ切換モジュールは、ゲートが上記第1タッチ制御信号を受信し、ソースが上記第1ノードと接続し、ドレインが上記第2ノードと接続する第3スイッチングトランジスタを含む。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、上記ノード制御モジュールは、ゲートが上記第3ノードと接続し、ソースが上記直流信号を受信し、ドレインが上記第1ノードと接続する第4スイッチングトランジスタと、ゲートとソースが共に上記第4クロック信号を受信し、ドレインが上記第3ノードと接続する第5スイッチングトランジスタと、ゲートが上記第2ノードと接続し、ソースが上記第2タッチ制御信号を受信し、ドレインが上記第3ノードと接続する第6スイッチングトランジスタと、一端が上記第3ノードと接続し、他端が上記直流信号を受信する第1コンデンサとを含む。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、上記第1出力モジュールは、ゲートが上記第2ノードと接続し、ソースが上記第2クロック信号を受信し、ドレインが上記駆動信号出力端子と接続する第7スイッチングトランジスタと、一端が上記第2ノードと接続し、他端が上記駆動信号出力端子と接続する第2コンデンサとを含む。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、上記第2出力モジュールは、ゲートが上記第3ノードと接続し、ソースが上記直流信号を受信し、ドレインが上記駆動信号出力端子と接続する第8スイッチングトランジスタを含む。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、上記第3出力モジュールは、ゲートが上記第3タッチ制御信号を受信し、ソースが上記直流信号を受信し、ドレインが上記駆動信号出力端子と接続する第9スイッチングトランジスタを含む。
更に、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、上記入力信号の有効パルス信号が高電位であるとき、全てのスイッチングトランジスタがN型トランジスタであり、又は、上記入力信号の有効パルス信号が低電位であるとき、全てのスイッチングトランジスタがP型トランジスタである。
対応して、本開示の一部の実施例において、本開示の一部の実施例による上記いずれか1つのシフトレジスタを多段接続したゲートドライバ回路を提供する。ゲートドライバ回路において、1段目シフトレジスタは、その入力信号が起動信号端子から入力され、1段目シフトレジスタ以外の各段シフトレジスタは、その入力信号が1段上シフトレジスタの駆動信号出力端子から入力され、最終段シフトレジスタ以外の各段シフトレジスタは、そのリセット信号が1段下シフトレジスタの駆動信号出力端子から入力される。
対応して、本開示の一部の実施例において、本開示の一部の実施例による上記いずれか1つのゲートドライバ回路を含む表示装置を提供する。
対応して、本開示の一部の実施例において、本開示の一部の実施例による上記いずれか1つのシフトレジスタの駆動方法を提供する。駆動方法は、第1段階、第2段階、第3段階及び第4段階を含む表示段階と、タッチ段階とを含む。上記第1段階で、上記入力モジュールは、上記入力信号の制御下、上記第1クロック信号を上記第1ノードに提供し、上記タッチ切換モジュールは、上記第1タッチ制御信号の制御下、上記第1ノードと上記第2ノードを導通状態にするとともに、上記第1ノードの電位を上記第2ノードに提供し、上記ノード制御モジュールは、上記第2ノードの電位制御下、上記第2タッチ制御信号を上記第3ノードに提供し、上記第1出力モジュールは、上記第2ノードの電位制御下、上記第2クロック信号を上記駆動信号出力端子に提供する。上記第2段階で、上記第1出力モジュールは、フローティング状態にある上記第2ノードと上記駆動信号出力端子の電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、上記第2ノードの電位制御下、上記第2クロック信号を上記駆動信号出力端子に提供し、上記ノード制御モジュールは、上記第2ノードの電位制御下、上記第2タッチ制御信号を上記第3ノードに提供する。上記第3段階で、上記リセットモジュールは、上記リセット信号の制御下、上記第3クロック信号を上記第1ノード二提供し、上記タッチ切換モジュールは、上記第1タッチ制御信号の制御下、上記第1ノードと上記第2ノードを導通状態にするとともに、上記第1ノードの電位を上記第2ノードに提供し、上記ノード制御モジュールは、上記第2ノードの電位制御下、上記第2タッチ制御信号を上記第3ノードに提供し、上記第1出力モジュールは、上記第2ノードの電位制御下、上記第2クロック信号を上記駆動信号出力端子に提供する。上記第4段階で、上記ノード制御モジュールは、上記第4クロック信号の制御下、上記第4クロック信号を上記第3ノードに提供し、上記第3ノードの電位制御下、上記直流信号を上記第1ノードに提供し、上記タッチ切換モジュールは、上記第1タッチ制御信号の制御下、上記第1ノードと上記第2ノードを導通状態にするとともに、上記第1ノードの電位を上記第2ノードに提供し、上記第2出力モジュールは、上記第3ノードの電位制御下、上記直流信号を上記駆動信号出力端子に提供する。上記タッチ段階で、上記タッチ切換モジュールは、上記第1タッチ制御信号の制御下、上記第1ノードと上記第2ノードを遮断状態にし、上記第1出力モジュールは、フローティング状態にある上記第2ノードと上記駆動信号出力端子の電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、上記ノード制御モジュールは、上記第2ノードの制御下、上記第2タッチ制御信号を上記第3ノードに提供し、又は、上記ノード制御モジュールは、その第1端子とフローティング状態にある上記第3ノードの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、上記第2出力モジュールは、上記第3ノードの電位制御下、上記直流信号を上記駆動信号出力端子に提供する。
また、上記タッチ段階は、表示段階の上記第1段階、第2段階、第3段階及び第4段階のうち、任意の隣接する両段階の間に挿入され、又は、表示段階の上記第4段階の後に挿入される。
また、タッチ段階が上記第1段階と第2段階の間、又は上記第2段階と第3段階の間、又は第3段階と第4段階の間に挿入されると、上記タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、第1ノードと第2ノードを遮断状態にし、上記第1出力モジュールは、フローティング状態にある第2ノードと駆動信号出力端子の電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、上記ノード制御モジュールは、第2ノードの制御下、第2タッチ制御信号を第3ノードに提供し、上記第2出力モジュールは、第3ノードの電位制御下、直流信号を駆動信号出力端子に提供する。タッチ段階が第4段階の後に挿入されると、上記タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、第1ノードと第2ノードを遮断状態にし、上記ノード制御モジュールは、その第1端子とフローティング状態にある第3ノードの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、上記第2出力モジュールは、第3ノードの電位制御下、直流信号を駆動信号出力端子に提供する。
本開示の一部の実施例は、上記のシフトレジスタ、その駆動方法、ゲートドライバ回路及び表示装置を提供する。上記シフトレジスタは、入力モジュールと、リセットモジュールと、タッチ切換モジュールと、ノード制御モジュールと、第1出力モジュールと、第2出力モジュールとを含む。ここで、入力モジュールは、入力信号と第1クロック信号により第1ノードの電位を調整する。リセットモジュールは、リセット信号と第3クロック信号により第1ノードの電位を調整する。タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号により、表示段階で第1ノードと第2ノードを導通状態に、タッチ段階で第1ノードと第2ノードを遮断状態にするように調整する。ノード制御モジュールは、直流信号、第4クロック信号、第2タッチ制御信号、第2ノードの電位及び第3ノードの電位により第1ノードの電位と第3ノードの電位を調整する。第1出力モジュールは、第2クロック信号と第2ノードの電位により駆動信号出力端子の電位を調整する。第2出力モジュールは、直流信号と第3ノードの電位により駆動信号出力端子の電位を調整する。当該シフトレジスタは、上記6個のモジュールの相互協力により、表示段階の任意の隣接する両時間区間の間にタッチ段階を挿入することができ、タッチ段階にシフトレジスタの駆動信号出力端子から直流信号を出力させ、タッチ段階終了後、表示段階の作動状態が続く。当該シフトレジスタは、構造が簡単であり狭額縁化に有利であるのみならず、任意の表示時間区間内にタッチ時間区間を挿入することができる。
本開示の一部の実施例や関連技術をより明確に説明するために、以下、実施例や関連技術の記載に必要とされる図面を簡単に紹介する。明らかに、以下の記載に関する図面は、単に本開示の一部の実施例である。当業者にとって、創造性のある作業をしない前提で、これらの図面から他の図面を得ることもできる。
本開示の一部の実施例によるシフトレジスタの構造模式図その1である。 本開示の一部の実施例によるシフトレジスタの構造模式図その2である。 図1aによるシフトレジスタの具体構造模式図その1である。 図1aによるシフトレジスタの具体構造模式図その2である。 図1bによるシフトレジスタの具体構造模式図その1である。 図1bによるシフトレジスタの具体構造模式図その2である。 図1bによるシフトレジスタの具体構造模式図その3である。 図1bによるシフトレジスタの具体構造模式図その4である。 図1bによるシフトレジスタの具体構造模式図その5である。 図1bによるシフトレジスタの具体構造模式図その6である。 図2aに示すシフトレジスタの回路シーケンス図である。 図2aに示すシフトレジスタの回路シーケンス図である。 図2aに示すシフトレジスタの回路シーケンス図である。 図2aに示すシフトレジスタの回路シーケンス図である。 図2aに示すシフトレジスタの回路シーケンス図である。 本開示の一部の実施例による単方向走査機能を持つゲートドライバ回路の構造模式図である。 図6によるゲートドライバ回路の順方向走査時の部分回路シーケンス図である。 図6によるゲートドライバ回路の逆方向走査時の部分回路シーケンス図である。
本開示の実施例の目的、技術及び利点をより明確にするために、以下、本開示の実施例の図面と共に、本開示の実施例の技術を明確且つ完全的に記載する。明らかに、記載する実施例は、本開示の実施例の一部であり、全てではない。記載する本開示の実施例に基づき、当業者が為しえる全ての実施例は、本文の保護範囲に属する。
別途に定義することを除き、ここで使用される技術用語や科学用語は、本開示の所属する分野の一般技能を持つ者が理解する通常の意味である。本開示の明細書及び特許請求の範囲に使用される「第1」、「第2」及び類似用語は、単に異なる構成部分を区別するためのものであり、順番、数量又は重要度をいっさい表さない。同様に、「1つ」又は「一」などその他の類似用語は、少なくとも1つ存在することを表し、数の限定ではない。「接続」や「連結」などその他の類似用語は、物理や機械的接続に限定するのではなく、直接か間接かを関係なしに、電気的接続も含む。「上」、「下」、「左」、「右」などは、相対的位置関係を表すものであり、記載対象の絶対位置が変わると、当該相対的位置関係も対応的に変わる。
以下、図面と共に、本開示の一部の実施例によるシフトレジスタ、その駆動方法、ゲートドライバ回路及び表示装置の具体的な実施形態を詳細に説明する。
本実施例によるシフトレジスタは、図1aに示すように、入力モジュール1と、リセットモジュール2と、タッチ切換モジュール3と、ノード制御モジュール4と、第1出力モジュール5と、第2出力モジュール6とを含む。ここで、第1端子が入力信号Inputを受信し、第2端子が第1クロック信号CK1を受信し、第3端子が第1ノードAと接続する入力モジュール1は、入力信号Inputの電位と第1クロック信号CK1の電位が共に第1電位であるとき、第1ノードAの電位を第1電位にする。第1端子がリセット信号Resetを受信し、第2端子が第3クロック信号CK3を受信し、第3端子が第1ノードAと接続するリセットモジュール2は、リセット信号Resetの電位と第3クロック信号CK3の電位が共に第1電位であるとき、第1ノードAの電位を第1電位にする。第1端子が第1タッチ制御信号G1を受信し、第2端子が第1ノードAと接続し、第3端子が第2ノードBと接続するタッチ切換モジュール3は、第1タッチ制御信号G1の制御下、表示段階で第1ノードAと第2ノードBを導通させ、タッチ段階で第1ノードAと第2ノードBを遮断させる。第1端子が直流信号Vを受信し、第2端子が第4クロック信号CK4を受信し、第3端子が第2タッチ制御信号G2を受信し、第4端子が第1ノードAと接続し、第5端子が第2ノードBと接続し、第6端子が第3ノードCと接続するノード制御モジュール4は、第3ノードCの電位が第1電位であるとき、直流信号Vを第1ノードAに提供し、第4クロック信号CK4の電位が第1電位であるとき、第4クロック信号CK4を第3ノードCに提供し、第2ノードBの電位が第1電位であるとき、第2タッチ制御信号G2を第3ノードCに提供し、第3ノードCがフローティング状態にあるとき、ノード制御モジュールの第1端子と第3ノードCの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持する。第1端子が第2ノードBと接続し、第2端子が第2クロック信号CK2を受信し、第3端子がシフトレジスタの駆動信号出力端子Outputと接続する第1出力モジュール5は、第2ノードBの電位が第1電位であるとき、第2クロック信号CK2を駆動信号出力端子Outputに提供し、第2ノードBがフローティング状態にあるとき、第2ノードBと駆動信号出力端子Outputの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持する。第1端子が第3ノードCと接続し、第2端子が直流信号Vを受信し、第3端子が駆動信号出力端子Outputと接続する第2出力モジュール6は、第3ノードCの電位が第1電位であるとき、直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供する。入力信号Inputの有効パルス信号が高電位であるとき、第1電位が高電位であり、直流信号Vが低電位であり、第2タッチ制御信号G2の電位が表示段階で低電位、タッチ段階で高電位である。入力信号Inputの有効パルス信号が低電位であるとき、第1電位が低電位であり、直流信号Vが高電位であり、第2タッチ制御信号G2の電位が表示段階で高電位、タッチ段階で低電位である。
本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタは、入力モジュールと、リセットモジュールと、タッチ切換モジュールと、ノード制御モジュールと、第1出力モジュールと、第2出力モジュールとを含む。ここで、入力モジュールは、入力信号と第1クロック信号により第1ノードの電位を調整する。リセットモジュールは、リセット信号と第3クロック信号により第1ノードの電位を調整する。タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号により、表示段階で第1ノードと第2ノードを導通状態に、タッチ段階で第1ノードと第2ノードを遮断状態にするように調整する。ノード制御モジュールは、直流信号、第4クロック信号、第2タッチ制御信号、第2ノードの電位及び第3ノードの電位により第1ノードの電位と第3ノードの電位を調整する。第1出力モジュールは、第2クロック信号と第2ノードの電位により駆動信号出力端子の電位を調整する。第2出力モジュールは、直流信号と第3ノードの電位により駆動信号出力端子の電位を調整する。当該シフトレジスタは、上記6個のモジュールの相互協力により、表示段階の任意の隣接する両時間区間の間にタッチ段階を挿入することができ、タッチ段階にシフトレジスタの駆動信号出力端子から直流信号を出力させ、タッチ段階終了後、表示段階の作動状態が続く。当該シフトレジスタは、構造が簡単であり狭額縁化に有利であるのみならず、任意の表示時間区間内にタッチ時間区間を挿入することができる。
なお、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタは、表示段階で、第1クロック信号、第2クロック信号、第3クロック信号、第4クロック信号の周期が同一であり、デューティー比が同一である。入力信号の有効パルス信号が高電位であるとき、入力信号の立ち上がり縁が第1クロック信号の立ち上がり縁と揃い、リセット信号の立ち上がり縁が第3クロック信号の立ち上がり縁と揃い、第1クロック信号の立ち下がり縁が第2クロック信号の立ち上がり縁及び入力信号の立ち下がり縁と揃い、第2クロック信号の立ち下がり縁が第3クロック信号の立ち上がり縁と揃い、第3クロック信号の立ち下がり縁が第4クロック信号の立ち上がり縁及びリセット信号の立ち下がり縁と揃い、第4クロック信号の立ち下がり縁が第1クロック信号の立ち上がり縁と揃い、且つそれらのデューティー比が全て0.25である。又は、入力信号の有効パルス信号が低電位であるとき、入力信号の立ち下がり縁が第1クロック信号の立ち下がり縁と揃い、リセット信号の立ち下がり縁が第3クロック信号の立ち下がり縁と揃い、第1クロック信号の立ち上がり縁が第2クロック信号の立ち下がり縁及び入力信号の立ち上がり縁と揃い、第2クロック信号の立ち上がり縁が第3クロック信号の立ち下がり縁と揃い、第3クロック信号の立ち上がり縁が第4クロック信号の立ち下がり縁及びリセット信号の立ち上がり縁と揃い、第4クロック信号の立ち上がり縁が第1クロック信号の立ち下がり縁と揃い、且つそれらのデューティー比が全て0.75である。
更に、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタのタッチ段階での駆動信号出力端子Outputの電位を保証するために、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、図1bに示すように、第1端子が第3タッチ制御信号CK3を受信し、第2端子が直流信号Vを受信し、第3端子が駆動信号出力端子Outputと接続する第3出力モジュール7を含む。第3出力モジュール7は、第3タッチ制御信号CK3の制御下、タッチ段階で直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供する。
以下、具体的な実施例により、本開示を詳細に説明する。なお、本実施例は、本開示を更に説明するためのものであり、本開示を限定するものではない。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、図2a〜図4bに示すように、入力モジュール1は、ドレインが第1ノードAと接続する第1スイッチングトランジスタT1を含む。図2a〜図3dに示すように、第1スイッチングトランジスタT1は、ゲートが入力信号Inputを受信し、ソースが第1クロック信号CK1を受信する。又は、図4aと図4bに示すように、第1スイッチングトランジスタT1は、ゲートが第1クロック信号CK1を受信し、ソースが入力信号Inputを受信する。
また、具体的に実施する際に、入力信号Inputの有効パルス信号が高電位であるとき、図2a、図3a、図3c、図4aに示すように、第1スイッチングトランジスタT1がN型スイッチングトランジスタであり、又は、入力信号Inputの有効パルス信号が低電位であるとき、図2b、図3b、図3d、図4bに示すように、第1スイッチングトランジスタT1がP型スイッチングトランジスタであるが、ここでは限定しない。
更に、具体的に実施する際に、第1スイッチングトランジスタT1は、入力信号Inputの電位と第1クロック信号CK1の電位が共に第1電位であるとき、第1ノードAの電位を第1電位とする。
以上は、シフトレジスタの入力モジュールの具体構造を例示したが、具体的に実施する際に、入力モジュールの具体構造は、本開示の一部の実施例による上記構造に限定されず、当業者が把握するほかの構造であってもよく、ここでは限定されない。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、図2a〜図4bに示すように、リセットモジュール2は、ドレインが第1ノードAと接続する第2スイッチングトランジスタT2を含む。図2a〜図3dに示すように、第2スイッチングトランジスタT2は、ゲートがリセット信号Resetを受信し、ソースが第3クロック信号CK3を受信する。又は、図4aと図4bに示すように、第2スイッチングトランジスタT2は、ゲートが第3クロック信号CK3を受信し、ソースがリセット信号Resetを受信する。
また、具体的に実施する際に、入力信号Inputの有効パルス信号が高電位であるとき、図2a、図3a、図3c、図4aに示すように、第2スイッチングトランジスタT2がN型スイッチングトランジスタであり、又は、入力信号Inputの有効パルス信号が低電位であるとき、図2b、図3b、図3d、図4bに示すように、第2スイッチングトランジスタT2がP型スイッチングトランジスタであるが、ここでは限定しない。
更に、具体的に実施する際に、第2スイッチングトランジスタT2は、リセット信号Resetの電位と第3クロック信号CK3の電位が共に第1電位であるとき、第1ノードAの電位を第1電位とする。
以上は、シフトレジスタのリセットモジュールの具体構造を例示したが、具体的に実施する際に、リセットモジュールの具体構造は、本開示の一部の実施例による上記構造に限定されず、当業者が把握するほかの構造であってもよく、ここでは限定されない。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、図2a〜図4bに示すように、タッチ切換モジュール3は、ゲートが第1タッチ制御信号G1を受信し、ソースが第1ノードAと接続し、ドレインが第2ノードBと接続する第3スイッチングトランジスタT3を含む。
また、具体的に実施する際に、入力信号Inputの有効パルス信号が高電位であるとき、図2a、図3a、図3c、図4aに示すように、第3スイッチングトランジスタT3がN型スイッチングトランジスタであり、又は、図2b、図3b、図3d、図4bに示すように、入力信号Inputの有効パルス信号が低電位であるとき、第3スイッチングトランジスタT3がP型スイッチングトランジスタであるが、ここでは限定しない。
更に、具体的に実施する際に、表示段階で、第3スイッチングトランジスタT3は、第1タッチ制御信号G1の制御下、導通状態にあるため、第1ノードAと第2ノードBとを導通状態にする。タッチ段階で、第3スイッチングトランジスタT3は、第1タッチ制御信号G1の制御下、遮断状態にあるため、第1ノードAと第2ノードBとを遮断状態にする。
以上は、シフトレジスタのタッチ切換モジュールの具体構造を例示したが、具体的に実施する際に、タッチ切換モジュールの具体構造は、本開示の一部の実施例による上記構造に限定されず、当業者が把握するほかの構造であってもよく、ここでは限定されない。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、図2a〜図4bに示すように、ノード制御モジュール4は、ゲートが第3ノードCと接続し、ソースが直流信号Vを受信し、ドレインが第1ノードAと接続する第4スイッチングトランジスタT4と、ゲートとソースが共に第4クロック信号CK4を受信し、ドレインが第3ノードCと接続する第5スイッチングトランジスタT5と、ゲートが第2ノードBと接続し、ソースが第2タッチ制御信号G2を受信し、ドレインが第3ノードCと接続する第6スイッチングトランジスタT6と、一端が第3ノードCと接続し、他端が直流信号Vを受信する第1コンデンサC1とを含む。
また、具体的に実施する際に、入力信号Inputの有効パルス信号が高電位であるとき、図2a、図3a、図3c、図4aに示すように、第4スイッチングトランジスタT4、第5スイッチングトランジスタT5、第6スイッチングトランジスタT6がN型スイッチングトランジスタであり、又は、入力信号Inputの有効パルス信号が低電位であるとき、図2b、図3b、図3d、図4bに示すように、第4スイッチングトランジスタT4、第5スイッチングトランジスタT5、第6スイッチングトランジスタT6がP型スイッチングトランジスタであるが、ここでは限定しない。
更に、具体的に実施する際に、第4スイッチングトランジスタT4は、第3ノードCの電位制御下、導通状態にあるとき、直流信号Vを第1ノードAに提供する。第5スイッチングトランジスタT5は、第4クロック信号CK4の制御下、導通状態にあるとき、第4クロック信号CK4を第3ノードCに提供する。第6スイッチングトランジスタT6は、第2ノードBの制御下、導通状態にあるとき、第2タッチ制御信号G2を第3ノードCに提供する。第3ノードCがフローティング状態にあるとき、コンデンサのブートストラップ作用により、第4スイッチングトランジスタT4のソースと第3ノードCの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持する。
以上は、シフトレジスタのノード制御モジュールの具体構造を例示したが、具体的に実施する際に、ノード制御モジュールの具体構造は、本開示の一部の実施例による上記構造に限定されず、当業者が把握するほかの構造であってもよく、ここでは限定されない。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、図2a〜図4bに示すように、第1出力モジュール5は、ゲートが第2ノードBと接続し、ソースが第2クロック信号CK2を受信し、ドレインが駆動信号出力端子Outputと接続する第7スイッチングトランジスタT7と、一端が第2ノードBと接続し、他端が駆動信号出力端子Outputと接続する第2コンデンサC2とを含む。
また、具体的に実施する際に、入力信号Inputの有効パルス信号が高電位であるとき、図2a、図3a、図3c、図4aに示すように、第7スイッチングトランジスタT7がN型スイッチングトランジスタであり、又は、入力信号Inputの有効パルス信号が低電位であるとき、図2b、図3b、図3d、図4bに示すように、第7スイッチングトランジスタT7がP型スイッチングトランジスタであるが、ここでは限定しない。
更に、具体的に実施する際に、第7スイッチングトランジスタT7は、第2ノードBの制御下、導通状態にあるとき、第2クロック信号CK2を駆動信号出力端子Outputに提供する。第2ノードBがフローティング状態にあるとき、第2コンデンサC2のブートストラップ作用により、第2ノードBと駆動信号出力端子Outputの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持する。
以上は、シフトレジスタの第1出力モジュールの具体構造を例示したが、具体的に実施する際に、第1出力モジュールの具体構造は、本開示の一部の実施例による上記構造に限定されず、当業者が把握するほかの構造であってもよく、ここでは限定されない。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、図2a〜図4bに示すように、第2出力モジュール6は、ゲートが第3ノードCと接続し、ソースが直流信号Vを受信し、ドレインが駆動信号出力端子Outputと接続する第8スイッチングトランジスタT8を含む。
また、具体的に実施する際に、入力信号Inputの有効パルス信号が高電位であるとき、図2a、図3a、図3c、図4aに示すように、第8スイッチングトランジスタT8がN型スイッチングトランジスタであり、又は、入力信号Inputの有効パルス信号が低電位であるとき、図2b、図3b、図3d、図4bに示すように、第8スイッチングトランジスタT8がP型スイッチングトランジスタであるが、ここでは限定しない。
更に、具体的に実施する際に、第8スイッチングトランジスタT8は、第3ノードCの制御下、導通状態にあるとき、直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供する。
以上は、シフトレジスタの第2出力モジュールの具体構造を例示したが、具体的に実施する際に、第2出力モジュールの具体構造は、本開示の一部の実施例による上記構造に限定されず、当業者が把握するほかの構造であってもよく、ここでは限定されない。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、図3a〜図3dに示すように、第3出力モジュール7は、第9スイッチングトランジスタT9を含む。図3aと図3bに示すように、第9スイッチングトランジスタT9は、ゲートが第3タッチ制御信号G3を受信し、ソースが直流信号Vを受信し、ドレインが駆動信号出力端子Outputと接続する。
また、具体的に実施する際に、図3aに示すように、第9スイッチングトランジスタT9がN型スイッチングトランジスタであり、又は、図3bに示すように、第9スイッチングトランジスタT9がP型スイッチングトランジスタであるが、ここでは限定しない。
更に、具体的に実施する際に、第9スイッチングトランジスタT9は、第3タッチ制御信号G3の制御下、導通状態にあるとき、タッチ段階で直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供する。
更に、具体的に実施する際に、第2タッチ制御信号G2と第3タッチ制御信号G3は、同一のタッチ制御信号であってもよい。図3cと図3dに示すように、第9スイッチングトランジスタT9は、ゲートが第2タッチ制御信号G2を受信し、ソースが直流信号Vを受信し、ドレインが駆動信号出力端子Outputと接続する。
また、具体的に実施する際に、図3cに示すように、入力信号Inputの有効パルス信号が高電位であるとき、第9スイッチングトランジスタT9がN型スイッチングトランジスタであり、又は、図3dに示すように、入力信号Inputの有効パルス信号が低電位であるとき、第9スイッチングトランジスタT9がP型スイッチングトランジスタであるが、ここでは限定しない。
以上は、シフトレジスタの第3出力モジュールの具体構造を例示したが、具体的に実施する際に、第3出力モジュールの具体構造は、本開示の一部の実施例による上記構造に限定されず、当業者が把握するほかの構造であってもよく、ここでは限定されない。
また、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、スイッチングトランジスタは、通常同一材質のトランジスタを採用する。具体的に実施する際に、入力信号の有効パルス信号が高電位であるとき、全てのスイッチングトランジスタがN型トランジスタであり、入力信号の有効パルス信号が低電位であるとき、全てのスイッチングトランジスタがP型トランジスタである。
更に、具体的に実施する際に、N型スイッチングトランジスタは、高電位作用で導通するが、低電位作用で遮断する。P型スイッチングトランジスタは、高電位作用で遮断するが、低電位作用で導通する。
なお、本開示の上記実施例に言及したスイッチングトランジスタは、いずれも金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOS;Metal Oxide Semiconductor)である。具体的に実施する際に、これらのトランジスタのソースとドレインは、トランジスタのタイプ及び入力信号の相違により、その機能が相互に交替することができるが、ここで具体的に区別しない。
更に、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、入力モジュールとリセットモジュールは、対称に設計されたため、機能の相互交替ができる。従って、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタは、双方向走査ができる。逆方向走査時、シフトレジスタの入力モジュールとリセットモジュールの機能を相互に交替させ、即ち、順方向走査に対し、リセットモジュールを入力モジュールとし、リセット信号を入力信号とし、入力モジュールをリセットモジュールとし、入力信号をリセット信号とする。リセット信号の有効パルス信号が高電位であるとき、リセット信号の立ち上がり縁が第3クロック信号の立ち上がり縁と揃い、入力信号の立ち上がり縁が第1クロック信号の立ち上がり縁と揃い、第3クロック信号の立ち下がり縁が第2クロック信号の立ち上がり縁及びリセット信号の立ち下がり縁と揃い、第2クロック信号の立ち下がり縁が第1クロック信号の立ち上がり縁と揃い、第1クロック信号の立ち下がり縁が第4クロック信号の立ち上がり縁及び入力信号の立ち下がり縁と揃い、第4クロック信号の立ち下がり縁が第3クロック信号の立ち上がり縁と揃う。又は、リセット信号の有効パルス信号が低電位であるとき、リセット信号の立ち下がり縁が第3クロック信号の立ち下がり縁と揃い、入力信号の立ち下がり縁が第1クロック信号の立ち下がり縁と揃い、第3クロック信号の立ち上がり縁が第2クロック信号の立ち下がり縁及びリセット信号の立ち上がり縁と揃い、第2クロック信号の立ち上がり縁が第1クロック信号の立ち下がり縁と揃い、第1クロック信号の立ち上がり縁が第4クロック信号の立ち下がり縁及び入力信号の立ち上がり縁と揃い、第4クロック信号の立ち上がり縁が第3クロック信号の立ち下がり縁と揃う。
以下、回路のシーケンス図とともに、順方向走査を例として本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタの作動過程を記載する。以下の記載では、1が高電位信号、0が低電位信号を表す。
一部の例において、図2aに示すシフトレジスタの構造を例としてその作動過程を記載する。図2aに示すシフトレジスタにおいて、全てのスイッチングトランジスタがN型スイッチングトランジスタであり、各N型スイッチングトランジスタが高電位作用で導通し、低電位作用で遮断する。また、直流信号Vが低電位であり、第1タッチ制御信号G1の電位が表示段階で高電位、第2タッチ制御信号G2の電位が表示段階で低電位であり、対応する入出力シーケンス図を図5aに示す。具体的に、図5aに示す入出力シーケンス図の表示段階S1を取り上げる。ここで、表示段階S1は、a、b、c、dの四段階に分けられる。
表示段階S1において、G1=1、G2=0、V=0。G1=1のため、第3スイッチングトランジスタT3が導通し、第1ノードAと第2ノートBを導通状態にする。
段階aにおいて、CK1=1、CK2=0、CK3=0、CK4=0、Input=1、Reset=0。Input=1のため、第1スイッチングトランジスタT1が導通する。第1スイッチングトランジスタT1が導通し入力信号Inputの電位を第1ノードAに提供するため、第1ノードAの電位が高電位である。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。第1ノードAと第2ノートBが導通状態にあるため、第2ノートBの電位が高電位である。第2ノートBの電位が高電位であるため、第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が導通する。第6スイッチングトランジスタT6が導通し低電位の第2タッチ制御信号G2を第3ノードCに提供するため、第3ノードCの電位が低電位である。第3ノードCの電位が低電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が遮断する。CK4=0のため、第5スイッチングトランジスタT5が遮断する。第7スイッチングトランジスタT7が導通し低電位の第2クロック信号CK2を駆動信号出力端子Outputに提供するため、第2コンデンサC2の充電が開始し、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。
段階bにおいて、CK1=0、CK2=1、CK3=0、CK4=0、Input=0、Reset=0。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。CK4=0のため、第5スイッチングトランジスタT5が遮断する。第2ノートBがフローティング状態(Floating)にあるため、第2コンデンサC2のブートストラップ作用により、第2コンデンサC2の両端の電圧差が維持されるよう第2ノートBの電位が更に引き上げられ、当該段階で第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が導通することを保証する。第6スイッチングトランジスタT6が導通し低電位の第2タッチ制御信号G2を第3ノードCに提供するため、第3ノードCの電位が低電位である。第3ノードCの電位が低電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が遮断する。第7スイッチングトランジスタT7が導通し高電位の第2クロック信号CK2を駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから高電位走査信号が出力される。
段階cにおいて、CK1=0、CK2=0、CK3=1、CK4=0、Input=0、Reset=1。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=1のため、第2スイッチングトランジスタT2が導通しリセット信号の電位を第1ノードAに提供する。従って、第1ノードAの電位が高電位である。第1ノードAと第2ノートBが導通状態にあるため、第2ノートBの電位が高電位である。第2ノートBの電位が高電位であるため、第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が導通する。第6スイッチングトランジスタT6が導通し低電位の第2タッチ制御信号G2を第3ノードCに提供するため、第3ノードCの電位が低電位である。第3ノードCの電位が低電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が遮断する。CK4=0のため、第5スイッチングトランジスタT5が遮断する。第7スイッチングトランジスタT7が導通し低電位の第2クロック信号CK2を駆動信号出力端子Outputに提供するため、第1コンデンサC1の充電が開始し、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。
段階dにおいて、CK1=0、CK2=0、CK3=0、CK4=1、Input=0、Reset=0。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。CK4=1のため、第5スイッチングトランジスタT5が導通する。第5スイッチングトランジスタT5が導通し高電位の第4クロック信号CK4を第3ノードCに提供するため、第3ノードCの電位が高電位であり、第1コンデンサC1の充電が開始する。第3ノードCの電位が高電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が導通する。第4スイッチングトランジスタT4が導通し低電位の直流信号Vを第1ノードAに提供するため、第1ノードAの電位が低電位である。第1ノードAと第2ノートBが導通状態にあるため、第2ノートBの電位が低電位である。第2ノートBの電位が低電位であるため、第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が遮断する。第8スイッチングトランジスタT8が導通し低電位の直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。
段階d終了後、V=0、G1=1、G2=1、Input=0、Reset=0。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。CK、CK、CK3=1のとき、第3ノードCがフローティング状態(Floating)にある。第1コンデンサC1のブートストラップ作用により、第1コンデンサC1の両端の電圧差が維持されるよう第3ノートCの電位が高電位に維持され、当該段階で第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が導通することを保証する。CK4=1のたびに、第1コンデンサC1の充電が開始する。第4スイッチングトランジスタT4が導通し低電位の直流信号Vを第1ノードAに提供するため、第1ノードAの電位が低電位である。第1ノードAと第2ノートBが導通状態にあるため、第2ノートBの電位が低電位である。第2ノートBの電位が低電位であるため、第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が遮断する。第8スイッチングトランジスタT8が導通し低電位の直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。
本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、表示段階S1における段階dの終了後、CK4=1のたびに、第1コンデンサC1の充電が開始し、第1コンデンサC1により、CK1=1、CK2=1、CK3=1のときに第3ノートCの電位を高電位に維持する。駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力されるよう、次のフレームが開始するまで第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8が導通する。
一部の例において、図2aに示すシフトレジスタの構造を例としてその作動過程を記載する。上記例を基として、タッチ段階S2を表示段階S1の段階dの後に挿入し、第1タッチ制御信号G1の電位がタッチ段階で低電位であり、第2タッチ制御信号G2の電位がタッチ段階で高電位であり、対応する入出力シーケンス図を図5bに示す。具体的に、図5bに示す入出力シーケンス図の表示段階S1、タッチ段階S2、表示段階S3を取り上げる。ここで、表示段階S1は、a、b、c、dの四段階に分けられる。
表示段階S1において、G1=1、G2=0、V=0。G1=1のため、第3スイッチングトランジスタT3が導通し、第1ノードAと第2ノートBを導通状態にする。
ここで、段階aにおいて、CK1=1、CK2=0、CK3=0、CK4=0、Input=1、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階aの作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
段階bにおいて、CK1=0、CK2=1、CK3=0、CK4=0、Input=0、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階bの作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
段階cにおいて、CK1=0、CK2=0、CK3=1、CK4=0、Input=0、Reset=1。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階cの作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
段階dにおいて、CK1=0、CK2=0、CK3=0、CK4=1、Input=0、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階dの作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
段階d終了後、V=0、G1=1、G2=1、Input=0、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階d終了後の作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
タッチ段階S2において、CK1=0、CK2=0、CK3=0、CK4=0、G1=0、G2=1、V=0、Input=0、Reset=0。G1=0のため、第3スイッチングトランジスタT3が遮断し、第1ノードAと第2ノートBを遮断状態にする。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。第3ノードCがフローティング状態(Floating)にあるため、第1コンデンサC1のブートストラップ作用により、第1コンデンサC1の両端の電圧差が維持されるよう第3ノートCの電位が高電位に維持され、当該段階で第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が導通することを保証する。第4スイッチングトランジスタT4が導通し低電位の直流信号Vを第1ノードAに提供するため、第1ノードAの電位が低電位である。第1ノードAと第2ノートBが遮断状態にあるため、第2ノートBの電位が低電位に保持される。第2ノートBの電位が低電位であるため、第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が遮断する。第8スイッチングトランジスタT8が導通し低電位の直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。
表示段階S3において、V=0、G1=1、G2=1、Input=0、Reset=0。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。CK、CK、CK3=1のとき、第3ノードCがフローティング状態(Floating)にあり、第1コンデンサC1のブートストラップ作用により、第1コンデンサC1の両端の電圧差が維持されるよう第3ノートCの電位が高電位に維持され、当該段階で第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が導通することを保証する。CK4=1のたびに、第1コンデンサC1の充電が開始する。第4スイッチングトランジスタT4が導通し低電位の直流信号Vを第1ノードAに提供するため、第1ノードAの電位が低電位である。第1ノードAと第2ノートBが導通状態にあるため、第2ノートBの電位が低電位である。第2ノートBの電位が低電位であるため、第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が遮断する。第8スイッチングトランジスタT8が導通し低電位の直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。表示段階S3の作動過程は、表示段階S1の段階d終了後の作動過程と同一であることが分かる。ここでは繰り返して記載しない。
本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタは、図5aを参照して記載した例を基としてタッチ段階S2を表示段階S1の段階d終了後に挿入し、タッチ段階で駆動信号出力端子Outputから低電位に維持された走査信号を出力させ、タッチ段階終了後引き続き表示段階S1の段階d終了後の作動過程を実行することを、たった8個のスイッチングトランジスタにより実現することができる。
一部の実施例において、図2aに示すシフトレジスタの構造を例としてその作動過程を記載する。上記実施例を基として、タッチ段階S2を表示段階S1の段階cと段階dの間に挿入し、第1タッチ制御信号G1の電位がタッチ段階で低電位であり、第2タッチ制御信号G2の電位がタッチ段階で高電位であり、対応する入出力シーケンス図を図5cに示す。具体的に、図5cに示す入出力シーケンス図の表示段階S1、タッチ段階S2、表示段階S3の三段階を取り上げる。ここで、表示段階S1は、a、b、cの三段階に分けられ、表示段階S3は、段階dを含む。
表示段階S1の段階aにおいて、CK1=1、CK2=0、CK3=0、CK4=0、Input=1、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階aの作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
段階bにおいて、CK1=0、CK2=1、CK3=0、CK4=0、Input=0、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階bの作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
段階cにおいて、CK1=0、CK2=0、CK3=1、CK4=0、Input=0、Reset=1。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階cの作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
タッチ段階S2において、CK1=0、CK2=0、CK3=0、CK4=0、G1=0、G2=1、V=0、Input=0、Reset=0。G1=0のため、第3スイッチングトランジスタT3が遮断し、第1ノードAと第2ノートBを遮断状態にする。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。第1ノードAと第2ノートBが遮断状態にあるため、第2ノードBがフローティング状態(Floating)にある。第2コンデンサC2のブートストラップ作用により、第2コンデンサC2の両端の電圧差が維持されるよう第2ノートBの電位が高電位に維持される。第2ノートBの電位が高電位に維持されるため、第6スイッチングトランジスタT6が導通する。第6スイッチングトランジスタT6が導通し低電位の第2タッチ制御信号G2を第3ノートCに提供するため、第3ノートCの電位が高電位である。第3ノートCの電位が高電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が導通する。第4スイッチングトランジスタT4が導通し低電位の直流信号Vを第1ノードAに提供するため、第1ノードAの電位が低電位である。第8スイッチングトランジスタT8が導通し低電位の直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。
表示段階S3の段階dにおいて、CK1=0、CK2=0、CK3=0、CK4=1、Input=0、Reset=0。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。CK4=1のため、第5スイッチングトランジスタT5が導通する。第5スイッチングトランジスタT5が導通し高電位の第4クロック信号CK4を第3ノードCに提供するため、第3ノードCの電位が高電位であり、第1コンデンサC1の充電が開始する。第3ノードCの電位が高電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が導通する。第4スイッチングトランジスタT4が導通し低電位の直流信号Vを第1ノードAに提供するため、第1ノードAの電位が低電位である。第1ノードAと第2ノートBが導通状態にあるため、第2ノートBの電位が低電位である。第2ノートBの電位が低電位であるため、第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が遮断する。第8スイッチングトランジスタT8が導通し低電位の直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。表示段階S3の段階dの作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階dの作動過程と同じであることが分かる。ここでは繰り返して記載しない。
段階d終了後、V=0、G1=1、G2=1、Input=0、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階d終了後の作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタは、図5aを参照して記載した例を基としてタッチ段階S2を表示段階S1の段階cと段階dの間に挿入し、タッチ段階開始後、駆動信号出力端子Outputから低電位に維持された走査信号を出力させることを、たった8個のスイッチングトランジスタにより実現することができる。
一部の実施例において、図2aに示すシフトレジスタの構造を例としてその作動過程を記載する。図5aを参照して記載した例を基として、タッチ段階S2を表示段階S1の段階bと段階cの間に挿入し、第1タッチ制御信号G1の電位がタッチ段階で低電位であり、第2タッチ制御信号G2の電位がタッチ段階で高電位であり、対応する入出力シーケンス図を図5dに示す。具体的に、図5dに示す入出力シーケンス図の表示段階S1、タッチ段階S2、表示段階S3の三段階を取り上げる。ここで、表示段階S1は、a、bの2段階に分けられ、表示段階S3は、段階c、dの2段階に分けられる。
表示段階S1の段階aにおいて、CK1=1、CK2=0、CK3=0、CK4=0、Input=1、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階aの作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
段階bにおいて、CK1=0、CK2=1、CK3=0、CK4=0、Input=0、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階bの作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
タッチ段階S2において、CK1=0、CK2=0、CK3=0、CK4=0、G1=0、G2=1、V=0、Input=0、Reset=0。G1=0のため、第3スイッチングトランジスタT3が遮断し、第1ノードAと第2ノートBを遮断状態にする。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。第2ノードBがフローティング状態(Floating)にあるため、第2コンデンサC2のブートストラップ作用により、第2コンデンサC2の両端の電圧差が維持されるよう第2ノートBの電位が高電位に維持され、当該段階で第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が導通することを保証する。第6スイッチングトランジスタT6が導通し高電位の第2タッチ制御信号G2を第3ノードCに提供するため、第3ノードCの電位が高電位である。第3ノードCの電位が高電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が導通する。第8スイッチングトランジスタT8が導通し低電位の直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。
表示段階S3の段階cにおいて、CK1=0、CK2=0、CK3=1、CK4=0、Input=0、Reset=1。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=1のため、第2スイッチングトランジスタT2が導通しリセット信号の電位を第1ノードAに提供する。従って、第1ノードAの電位が高電位である。第1ノードAと第2ノートBが導通状態にあるため、第2ノートBの電位が高電位である。第2ノートBの電位が高電位であるため、第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が導通する。第6スイッチングトランジスタT6が導通し低電位の第2タッチ制御信号G2の電位を第3ノードCに提供するため、第3ノードCの電位が低電位である。第3ノードCの電位が低電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が遮断する。CK4=0のため、第5スイッチングトランジスタT5が遮断する。第7スイッチングトランジスタT7が導通し低電位の第2クロック信号CK2を駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。表示段階S3の段階cの作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階cの作動過程と同じであることが分かる。ここでは繰り返して記載しない。
段階dにおいて、CK1=0、CK2=0、CK3=0、CK4=1、Input=0、Reset=0。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。CK4=1のため、第5スイッチングトランジスタT5が導通する。第5スイッチングトランジスタT5が導通し高電位の第4クロック信号CK4を第3ノードCに提供するため、第3ノードの電位が高電位であり、第1コンデンサC1の充電が開始する。第3ノードCの電位が高電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が導通する。第4スイッチングトランジスタT4が導通し低電位の直流信号Vを第1ノードAに提供するため、第1ノードAの電位が低電位である。第1ノードAと第2ノートBが導通状態にあるため、第2ノートBの電位が低電位である。第2ノートBの電位が低電位であるため、第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が遮断する。第8スイッチングトランジスタT8が導通し低電位の直流信号を駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。表示段階S3の段階dの作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階dの作動過程と同じであることが分かる。ここでは繰り返して記載しない。
段階d終了後、V=0、G1=1、G2=1、Input=0、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階d終了後の作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタは、図5aを参照して記載した例を基としてタッチ段階S2を表示段階S1の段階bと段階cの間に挿入し、タッチ段階S2開始後、駆動信号出力端子Outputから低電位に維持された走査信号を出力させることを、たった8個のスイッチングトランジスタにより実現することができる。
一部の実施例において、図2aに示すシフトレジスタの構造を例としてその作動過程を記載する。上記図5aを参照して記載した例を基として、タッチ段階S2を表示段階S1の段階aと段階bの間に挿入し、第1タッチ制御信号G1の電位がタッチ段階で低電位であり、第2タッチ制御信号G2の電位がタッチ段階で高電位であり、対応する入出力シーケンス図を図5eに示す。具体的に、図5eに示す入出力シーケンス図の表示段階S1、タッチ段階S2、表示段階S3の三段階を取り上げる。ここで、表示段階S1は、段階aを含み、表示段階S3は、段階b、c、dの3段階に分けられる。
表示段階S3の段階aにおいて、CK1=1、CK2=0、CK3=0、CK4=0、Input=1、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階aの作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
タッチ段階S2において、CK1=0、CK2=0、CK3=0、CK4=0、G1=0、G2=1、V=0。G1=0のため、第3スイッチングトランジスタT3が遮断し、第1ノードAと第2ノートBを遮断状態にする。第2ノードBがフローティング状態(Floating)にあるため、第2コンデンサC2のブートストラップ作用により、第2コンデンサC2の両端の電圧差が維持されるよう第2ノートBの電位が高電位に維持され、当該段階で第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が導通することを保証する。第6スイッチングトランジスタT6が導通し高電位の第2タッチ制御信号G2を第3ノードCに提供するため、第3ノードCの電位が高電位である。第3ノードCの電位が高電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が導通する。第8スイッチングトランジスタT8が導通し低電位の直流信号Vを駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。
表示段階S3の段階bにおいて、CK1=0、CK2=1、CK3=0、CK4=0、Input=0、Reset=0。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。CK4=0のため、第5スイッチングトランジスタT5が遮断する。第2ノートBがフローティング状態(Floating)にあるため、第2コンデンサC2のブートストラップ作用により、第2コンデンサC2の両端の電圧差が維持されるよう第2ノートBの電位が更に引き上げられ、当該段階で第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が導通することを保証する。第6スイッチングトランジスタT6が導通し低電位の第2タッチ制御信号G2を第3ノードCに提供するため、第3ノードCの電位が低電位である。第3ノードCの電位が低電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が遮断する。第7スイッチングトランジスタT7が導通し高電位の第2クロック信号CK2を駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから高電位走査信号が出力される。表示段階S3の段階bの作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階bの作動過程と同じであることが分かる。
段階cにおいて、CK1=0、CK2=0、CK3=1、CK4=0、Input=0、Reset=1。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=1のため、第2スイッチングトランジスタT2が導通しリセット信号の電位を第1ノードAに提供する。従って、第1ノードAの電位が高電位である。第1ノードAと第2ノートBが導通状態にあるため、第2ノートBの電位が高電位である。第2ノートBの電位が高電位であるため、第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が導通する。第6スイッチングトランジスタT6が導通し低電位の第2タッチ制御信号G2の電位を第3ノードCに提供するため、第3ノードCの電位が低電位である。第3ノードCの電位が低電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が遮断する。CK4=0のため、第5スイッチングトランジスタT5が遮断する。第7スイッチングトランジスタT7が導通し低電位の第2クロック信号CK2を駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。表示段階S3の段階bの作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階cの作動過程と同じであることが分かる。
段階dにおいて、CK1=0、CK2=0、CK3=0、CK4=1、Input=0、Reset=0。Input=0のため、第1スイッチングトランジスタT1が遮断する。Reset=0のため、第2スイッチングトランジスタT2が遮断する。CK4=1のため、第5スイッチングトランジスタT5が導通する。第5スイッチングトランジスタT5が導通し高電位の第4クロック信号CK4を第3ノードCに提供するため、第3ノードの電位が高電位であり、第1コンデンサC1の充電が開始する。第3ノードCの電位が高電位であるため、第4スイッチングトランジスタT4と第8スイッチングトランジスタT8の両方が導通する。第4スイッチングトランジスタT4が導通し低電位の直流信号Vを第1ノードAに提供するため、第1ノードAの電位が低電位である。第1ノードAと第2ノートBが導通状態にあるため、第2ノートBの電位が低電位である。第2ノートBの電位が低電位であるため、第6スイッチングトランジスタT6と第7スイッチングトランジスタT7の両方が遮断する。第8スイッチングトランジスタT8が導通し低電位の直流信号を駆動信号出力端子Outputに提供するため、駆動信号出力端子Outputから低電位走査信号が出力される。表示段階S3の段階bの作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階dの作動過程と同じであることが分かる。
段階d終了後、V=0、G1=1、G2=1、Input=0、Reset=0。具体的な作動過程は、図5aを参照して記載した例の表示段階S1の段階d終了後の作動過程と同じであるため、ここでは繰り返して記載しない。
本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタは、図5aを参照して記載した例を基としてタッチ段階S2を表示段階S1の段階aと段階bの間に挿入し、タッチ段階S2開始後、駆動信号出力端子Outputから低電位に維持された走査信号を出力させることを、たった8個のスイッチングトランジスタにより実現することができる。
本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタは、8個のスイッチングトランジスタにより、表示段階の任意の隣接する両時間区間の間にタッチ段階を挿入することができ、タッチ段階にシフトレジスタの駆動信号出力端子から直流信号を出力させ、タッチ段階終了後表示段階の作動状態が続く。当該シフトレジスタは、構造が簡単であり狭額縁化に有利であるのみならず、任意の表示時間区間内にタッチ時間区間を挿入することができる。
同一の発明構想に基づき、本開示の一部の実施例は、上記いずれか1つのシフトレジスタの駆動方法を提供する。当該方法は、第1段階、第2段階、第3段階及び第4段階を含む表示段階と、タッチ段階とを含む。第1段階で、入力モジュールは、入力信号の制御下、第1クロック信号を第1ノードに提供し、タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、第1ノードと第2ノードを導通状態にするとともに、第1ノードの電位を第2ノードに提供し、ノード制御モジュールは、第2ノードの電位制御下、第2タッチ制御信号を第3ノードに提供し、第1出力モジュールは、第2ノードの電位制御下、第2クロック信号を駆動信号出力端子に提供する。第2段階で、第1出力モジュールは、フローティング状態にある第2ノードと駆動信号出力端子の電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、第2ノードの電位制御下、第2クロック信号を駆動信号出力端子に提供し、ノード制御モジュールは、第2ノードの電位制御下、第2タッチ制御信号を第3ノードに提供する。第3段階で、リセットモジュールは、リセット信号の制御下、第3クロック信号を第1ノード二提供し、タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、第1ノードと第2ノードを導通状態にするとともに、第1ノードの電位を第2ノードに提供し、ノード制御モジュールは、第2ノードの電位制御下、第2タッチ制御信号を第3ノードに提供し、第1出力モジュールは、第2ノードの電位制御下、第2クロック信号を駆動信号出力端子に提供する。第4段階で、ノード制御モジュールは、第4クロック信号の制御下、第4クロック信号を第3ノードに提供し、第3ノードの電位制御下、直流信号を第1ノードに提供し、タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、第1ノードと第2ノードを導通状態にするとともに、第1ノードの電位を第2ノードに提供し、第2出力モジュールは、第3ノードの電位制御下、直流信号を駆動信号出力端子に提供する。タッチ段階で、タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、第1ノードと第2ノードを遮断状態にし、第1出力モジュールは、フローティング状態にある第2ノードと駆動信号出力端子の電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、ノード制御モジュールは、第2ノードの制御下、第2タッチ制御信号を第3ノードに提供し、又は、ノード制御モジュールは、その第1端子とフローティング状態にある第3ノードの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、第2出力モジュールは、第3ノードの電位制御下、直流信号を駆動信号出力端子に提供する。
なお、本開示の一部の実施例による上記駆動方法において、タッチ段階は、表示段階の第1段階、第2段階、第3段階及び第4段階のうち、任意の隣接する両段階の間に挿入され、又は、表示段階の第4段階の後に挿入されるが、ここでは限定されない。
具体的に、タッチ段階が第1段階と第2段階の間、又は第2段階と第3段階の間、又は第3段階と第4段階の間に挿入されると、タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、第1ノードと第2ノードを遮断状態にし、第1出力モジュールは、フローティング状態にある第2ノードと駆動信号出力端子の電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、ノード制御モジュールは、第2ノードの制御下、第2タッチ制御信号を第3ノードに提供し、第2出力モジュールは、第3ノードの電位制御下、直流信号を駆動信号出力端子に提供する。タッチ段階が第4段階の後に挿入されると、タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、第1ノードと第2ノードを遮断状態にし、ノード制御モジュールは、その第1端子とフローティング状態にある第3ノードの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、第2出力モジュールは、第3ノードの電位制御下、直流信号を駆動信号出力端子に提供する。
同一の発明構造に基づき、本開示の一部の実施例は、ゲートドライバ回路を更に提供する。図6に示すように、ゲートドライバ回路は、多段接続した複数のシフトレジスタSR(1)、SR(2)……SR(n)……SR(N−1)、SR(N)(計N個のシフトレジスタ、1≦n≦N)を含む。1段目シフトレジスタSR(1)の入力信号Inputは、起動信号STVから入力される。1段目シフトレジスタSR(1)以外の各段シフトレジスタSR(n)は、その入力信号が1段上シフトレジスタSR(n−1)の駆動信号出力端子Output_n−1から出力された走査信号により入力される。各段シフトレジスタSR(n)は、そのリセット信号Resetが1段下シフトレジスタSR(n+1)の駆動信号出力端子Output_n+1から出力される走査信号により入力される。
具体的に、上記ゲートドライバ回路の各シフトレジスタの具体的な構造は、本開示の上記シフトレジスタとは機能上、構造上同一であるため、繰り返して記載しない。
更に、本開示による上記ゲートドライバ回路において、第1クロック信号、第2クロック信号、第3クロック信号、第4クロック信号、第1タッチ制御信号、第2タッチ制御信号及び直流信号は、各段のシフトレジスタに入力される。
更に、本開示の一部の実施例による上記シフトレジスタにおいて、図6に示すように、4n+1段目シフトレジスタの第1クロック信号CK1、4n+2段目シフトレジスタの第4クロック信号CK4、4n+3段目シフトレジスタの第3クロック信号CK3、4n+4段目シフトレジスタの第2クロック信号CK2は、同一のクロック信号端子、即ち第1クロック信号端子ck1から入力される。4n+1段目シフトレジスタの第2クロック信号CK2、4n+2段目シフトレジスタの第1クロック信号CK1、4n+3段目シフトレジスタの第4クロック信号CK4、4n+4段目シフトレジスタの第3クロック信号CK3は、同一のクロック信号端子、即ち第2クロック信号端子ck2から入力される。4n+1段目シフトレジスタの第3クロック信号CK3、4n+2段目シフトレジスタの第2クロック信号CK2、4n+3段目シフトレジスタの第1クロック信号CK1、4n+4段目シフトレジスタの第4クロック信号CK4は、同一のクロック信号端子、即ち第3クロック信号端子ck3から入力される。4n+1段目シフトレジスタの第4クロック信号CK4、4n+2段目シフトレジスタの第3クロック信号CK3、4n+3段目シフトレジスタの第2クロック信号CK2、4n+4段目シフトレジスタの第1クロック信号CK1は、同一のクロック信号端子、即ち第4クロック信号端子ck4から入力される。
図6に示すゲートドライバ回路の構造を例とし、以下、図7aに示すシーケンス図と共に、本開示の一部の実施例による上記ゲートドライバ回路の順方向走査の作動過程を記載する。
12段目シフトレジスタSR(12)から走査信号を出力した後であって、13段目シフトレジスタSR(13)から走査信号を出力する前にタッチ段階S2を挿入するとき、図7aに示すように、具体的にタッチ段階S2において、1段目シフトレジスタSR(1)の第1ノードA_1の電位、第2ノードB_1の電位及び駆動信号出力端子Output_1の電位は、共に低電位であり、第3ノードC_1の電位は、高電位である。2段目シフトレジスタSR(2)から10段目シフトレジスタSR(10)の具体的な作動過程は、1段目シフトレジスタSR(1)の作動過程とは同一であるため、その具体的なシーケンスが図7aに示されていない。11段目シフトレジスタSR(11)の具体的な作動過程は、図5cを参照して記載した一部の実施例において表示段階S1の段階cとdの間にタッチ段階S2を挿入する作動過程に似ており、タッチ段階S2において、第1ノードA_11の電位、第2ノードB_11の電位及び駆動信号出力端子Output_11の電位は、共に低電位であり、第3ノードC_11の電位は、高電位である。12段目シフトレジスタSR(12)の具体的な作動過程は、図5dを参照して記載した一部の実施例において表示段階S1の段階bとcの間にタッチ段階S2を挿入する作動過程と同一であり、タッチ段階S2において、第1ノードA_12の電位と駆動信号出力端子Output_12の電位は、共に低電位であり、第2ノードB_12の電位と第3ノードC_12の電位は、高電位である。13段目シフトレジスタSR(13)の具体的な作動過程は、図5eを参照して記載した一部の実施例において表示段階S1の段階aとbの間にタッチ段階S2を挿入する作動過程と同一であり、タッチ段階S2において、第1ノードA_13の電位と駆動信号出力端子Output_13の電位は、共に低電位であり、第2ノードB_13の電位と第3ノードC_13の電位は、高電位である。13段目シフトレジスタSR(13)以降の各シフトレジスタは、次のタッチ段階が開始し又は次のフレームが開始するまで、正常に走査信号を出力する。
上記ゲートドライバ回路は、ゲート線の双方向走査時に、各シフトレジスタの入力モジュールとリセットモジュールの機能を相互に交替させ、即ち、順方向走査に対し、逆方向走査時に各シフトレジスタのリセットモジュールを入力モジュールとし、リセット信号を入力信号とし、各シフトレジスタの入力モジュールをリセットモジュールとし、入力信号をリセット信号とする。このとき、回路の接続関係に変化がなく、単に回路の機能が変わる。
図6に示すゲートドライバ回路の構造を例とし、以下、図7bに示すシーケンス図と共に、本開示の一部の実施例による上記ゲートドライバ回路の逆方向走査の作動過程を記載する。
N−11段目シフトレジスタSR(N−11)から走査信号を出力した後であって、N−12段目シフトレジスタSR(N−12)から走査信号を出力する前にタッチ段階S2を挿入するとき、図7bに示すように、具体的にタッチ段階S2において、N段目シフトレジスタSR(N)の第1ノードA_Nの電位、第2ノードB_Nの電位及び駆動信号出力端子Output_Nの電位は、共に低電位であり、第3ノードC_Nの電位は、高電位である。N−1段目シフトレジスタSR(N−1)からN−9段目シフトレジスタSR(N−9)の具体的な作動過程は、N段目シフトレジスタSR(N)の作動過程とは同一であるため、その具体的なシーケンスが図7bに示されていない。N−10段目シフトレジスタSR(N−10)の具体的な作動過程は、図5cを参照して記載した一部の実施例において表示段階S1の段階cとdの間にタッチ段階S2を挿入する作動過程に似ており、タッチ段階S2において、第1ノードA_N−10の電位、第2ノードB_N−10の電位及び駆動信号出力端子Output_N−10の電位は、共に低電位であり、第3ノードC_N−10の電位は、高電位である。N−11段目シフトレジスタSR(N−11)の具体的な作動過程は、図5dを参照して記載した一部の実施例において表示段階S1の段階bとcの間にタッチ段階S2を挿入する作動過程と同一であり、タッチ段階S2において、第1ノードA_N−11の電位と駆動信号出力端子Output_N−11の電位は、共に低電位であり、第2ノードB_N−11の電位と第3ノードC_N−11の電位は、高電位である。N−12段目シフトレジスタSR(N−12)の具体的な作動過程は、図5eを参照して記載した一部の実施例において表示段階S1の段階aとbの間にタッチ段階S2を挿入する作動過程と同一であり、タッチ段階S2において、第1ノードA_N−12の電位と駆動信号出力端子Output_N−12の電位は、共に低電位であり、第2ノードB_N−12の電位と第3ノードC_N−12の電位は、高電位である。N−12段目シフトレジスタSR(N−12)以降の各シフトレジスタは、次のタッチ段階が開始し又は次のフレームが開始するまで、正常に走査信号を出力する。
同一の発明構想に基づき、本開示の一部の実施例は、上述のゲートドライバ回路を含む表示装置を更に提供する。当該ゲートドライバ回路により、表示装置のアレイ基板上の各ゲート線に走査信号を提供するが、その具体的な実施について、上述のゲートドライバ回路の記載を参照されたく、同一内容の部分について繰り返して記載しない。
本開示の一部の実施例は、上記のシフトレジスタ、その駆動方法、ゲートドライバ回路及び表示装置を提供する。上記シフトレジスタは、入力モジュールと、リセットモジュールと、タッチ切換モジュールと、ノード制御モジュールと、第1出力モジュールと、第2出力モジュールとを含む。ここで、入力モジュールは、入力信号と第1クロック信号により第1ノードの電位を調整する。リセットモジュールは、リセット信号と第3クロック信号により第1ノードの電位を調整する。タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号により、表示段階で第1ノードと第2ノードを導通状態に、タッチ段階で第1ノードと第2ノードを遮断状態にするように調整する。ノード制御モジュールは、直流信号、第4クロック信号、第2タッチ制御信号、第2ノードの電位及び第3ノードの電位により第1ノードの電位と第3ノードの電位を調整する。第1出力モジュールは、第2クロック信号と第2ノードの電位により駆動信号出力端子の電位を調整する。第2出力モジュールは、直流信号と第3ノードの電位により駆動信号出力端子の電位を調整する。当該シフトレジスタは、上記6個のモジュールの相互協力により、表示段階の任意の隣接する両時間区間の間にタッチ段階を挿入することができ、タッチ段階にシフトレジスタの駆動信号出力端子から直流信号を出力させ、タッチ段階終了後、表示段階の作動状態が続く。当該シフトレジスタは、構造が簡単であり狭額縁化に有利であるのみならず、任意の表示時間区間内にタッチ時間区間を挿入することができる。
明らかに、当業者にとって、本開示の趣旨と範囲を逸脱することなく、本開示に対し様々な変更や変形を為すことができる。このように、本開示のこれらの修正や変形も本開示の特許請求の範囲及びその同等技術の範囲内に含まれるのであれば、本開示は、これらの変更や変形も含むことを意図とする。

Claims (15)

  1. 入力モジュールと、リセットモジュールと、タッチ切換モジュールと、ノード制御モジュールと、第1出力モジュールと、第2出力モジュールとを含むシフトレジスタであって、
    第1端子が入力信号を受信し、第2端子が第1クロック信号を受信し、第3端子が第1ノードと接続する上記入力モジュールは、上記入力信号の電位と上記第1クロック信号の電位が共に第1電位であるとき、上記第1ノードの電位を第1電位にし、
    第1端子がリセット信号を受信し、第2端子が第3クロック信号を受信し、第3端子が上記第1ノードと接続する上記リセットモジュールは、上記リセット信号の電位と上記第3クロック信号の電位が共に第1電位であるとき、上記第1ノードの電位を第1電位にし、
    第1端子が第1タッチ制御信号を受信し、第2端子が上記第1ノードと接続し、第3端子が第2ノードと接続する上記タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、表示段階で上記第1ノードと上記第2ノードを導通させ、タッチ段階で上記第1ノードと上記第2ノードを遮断させ、
    第1端子が直流信号を受信し、第2端子が第4クロック信号を受信し、第3端子が第2タッチ制御信号を受信し、第4端子が上記第1ノードと接続し、第5端子が上記第2ノードと接続し、第6端子が第3ノードと接続する上記ノード制御モジュールは、上記第3ノードの電位が第1電位であるとき、上記直流信号を上記第1ノードに提供し、上記第4クロック信号の電位が第1電位であるとき、上記第4クロック信号を上記第3ノードに提供し、上記第2ノードの電位が第1電位であるとき、上記第2タッチ制御信号を上記第3ノードに提供し、上記第3ノードがフローティング状態にあるとき、上記ノード制御モジュールの第1端子と上記第3ノードの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、
    第1端子が上記第2ノードと接続し、第2端子が第2クロック信号を受信し、第3端子がシフトレジスタの駆動信号出力端子と接続する上記第1出力モジュールは、上記第2ノードの電位が第1電位であるとき、上記第2クロック信号を上記駆動信号出力端子に提供し、上記第2ノードがフローティング状態にあるとき、第2ノードと上記駆動信号出力端子の電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、
    第1端子が上記第3ノードと接続し、第2端子が上記直流信号を受信し、第3端子が上記駆動信号出力端子と接続する上記第2出力モジュールは、上記第3ノードの電位が第1電位であるとき、上記直流信号を上記駆動信号出力端子に提供し、
    上記入力信号の有効パルス信号が高電位であるとき、上記第1電位が高電位であり、上記直流信号が低電位であり、上記第2タッチ制御信号の電位が表示段階で低電位、タッチ段階で高電位であり、
    上記入力信号の有効パルス信号が低電位であるとき、上記第1電位が低電位であり、上記直流信号が高電位であり、上記第2タッチ制御信号の電位が表示段階で高電位、タッチ段階で低電位であることを特徴とするシフトレジスタ。
  2. 第1端子が第3タッチ制御信号を受信し、第2端子が上記直流信号を受信し、第3端子が上記駆動信号出力端子と接続する第3出力モジュールであって、上記第3タッチ制御信号の制御下、タッチ段階で上記直流信号を上記駆動信号出力端子に提供するための第3出力モジュールを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ。
  3. 上記入力モジュールは、
    ドレインが上記第1ノードと接続する第1スイッチングトランジスタを含み、
    上記第1スイッチングトランジスタは、
    ゲートが上記入力信号を受信し、ソースが上記第1クロック信号を受信し、
    又は、
    ゲートが上記第1クロック信号を受信し、ソースが上記入力信号を受信することを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ。
  4. 上記リセットモジュールは、
    ドレインが上記第1ノードと接続する第2スイッチングトランジスタを含み、
    上記第2スイッチングトランジスタは、
    ゲートが上記リセット信号を受信し、ソースが上記第3クロック信号を受信し、
    又は、
    ゲートが上記第3クロック信号を受信し、ソースが上記リセット信号を受信することを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ。
  5. 上記タッチ切換モジュールは、
    ゲートが上記第1タッチ制御信号を受信し、ソースが上記第1ノードと接続し、ドレインが上記第2ノードと接続する第3スイッチングトランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ。
  6. 上記ノード制御モジュールは、
    ゲートが上記第3ノードと接続し、ソースが上記直流信号を受信し、ドレインが上記第1ノードと接続する第4スイッチングトランジスタと、
    ゲートとソースが共に上記第4クロック信号を受信し、ドレインが上記第3ノードと接続する第5スイッチングトランジスタと、
    ゲートが上記第2ノードと接続し、ソースが上記第2タッチ制御信号を受信し、ドレインが上記第3ノードと接続する第6スイッチングトランジスタと、
    一端が上記第3ノードと接続し、他端が上記直流信号を受信する第1コンデンサとを含むことを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ。
  7. 上記第1出力モジュールは、
    ゲートが上記第2ノードと接続し、ソースが上記第2クロック信号を受信し、ドレインが上記駆動信号出力端子と接続する第7スイッチングトランジスタと、
    一端が上記第2ノードと接続し、他端が上記駆動信号出力端子と接続する第2コンデンサとを含むことを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ。
  8. 上記第2出力モジュールは、
    ゲートが上記第3ノードと接続し、ソースが上記直流信号を受信し、ドレインが上記駆動信号出力端子と接続する第8スイッチングトランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載のシフトレジスタ。
  9. 上記第3出力モジュールは、
    ゲートが上記第3タッチ制御信号を受信し、ソースが上記直流信号を受信し、ドレインが上記駆動信号出力端子と接続する第9スイッチングトランジスタを含むことを特徴とする請求項2に記載のシフトレジスタ。
  10. 上記入力信号の有効パルス信号が高電位であるとき、全てのスイッチングトランジスタがN型トランジスタであり、
    又は、
    上記入力信号の有効パルス信号が低電位であるとき、全てのスイッチングトランジスタがP型トランジスタであることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のシフトレジスタ。
  11. 請求項1〜10のいずれか一項に記載のシフトレジスタを多段接続したゲートドライバ回路において、
    1段目シフトレジスタは、その入力信号が起動信号端子から入力され、
    1段目シフトレジスタ以外の各段シフトレジスタは、その入力信号が1段上シフトレジスタの駆動信号出力端子から入力され、
    最終段シフトレジスタ以外の各段シフトレジスタは、そのリセット信号が1段下シフトレジスタの駆動信号出力端子から入力されることを特徴とするゲートドライバ回路。
  12. 請求項11に記載のゲートドライバ回路を含む表示装置。
  13. 第1段階、第2段階、第3段階及び第4段階を含む表示段階と、タッチ段階とを含む請求項1〜10のいずれか一項に記載のシフトレジスタの駆動方法において、
    上記第1段階で、上記入力モジュールは、上記入力信号の制御下、上記第1クロック信号を上記第1ノードに提供し、上記タッチ切換モジュールは、上記第1タッチ制御信号の制御下、上記第1ノードと上記第2ノードを導通状態にするとともに、上記第1ノードの電位を上記第2ノードに提供し、上記ノード制御モジュールは、上記第2ノードの電位制御下、上記第2タッチ制御信号を上記第3ノードに提供し、上記第1出力モジュールは、上記第2ノードの電位制御下、上記第2クロック信号を上記駆動信号出力端子に提供し、
    上記第2段階で、上記第1出力モジュールは、フローティング状態にある上記第2ノードと上記駆動信号出力端子の電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、上記第2ノードの電位制御下、上記第2クロック信号を上記駆動信号出力端子に提供し、上記ノード制御モジュールは、上記第2ノードの電位制御下、上記第2タッチ制御信号を上記第3ノードに提供し、
    上記第3段階で、上記リセットモジュールは、上記リセット信号の制御下、上記第3クロック信号を上記第1ノードに提供し、上記タッチ切換モジュールは、上記第1タッチ制御信号の制御下、上記第1ノードと上記第2ノードを導通状態にするとともに、上記第1ノードの電位を上記第2ノードに提供し、上記ノード制御モジュールは、上記第2ノードの電位制御下、上記第2タッチ制御信号を上記第3ノードに提供し、上記第1出力モジュールは、上記第2ノードの電位制御下、上記第2クロック信号を上記駆動信号出力端子に提供し、
    上記第4段階で、上記ノード制御モジュールは、上記第4クロック信号の制御下、上記第4クロック信号を上記第3ノードに提供し、上記第3ノードの電位制御下、上記直流信号を上記第1ノードに提供し、上記タッチ切換モジュールは、上記第1タッチ制御信号の制御下、上記第1ノードと上記第2ノードを導通状態にするとともに、上記第1ノードの電位を上記第2ノードに提供し、上記第2出力モジュールは、上記第3ノードの電位制御下、上記直流信号を上記駆動信号出力端子に提供し、
    上記タッチ段階で、上記タッチ切換モジュールは、上記第1タッチ制御信号の制御下、上記第1ノードと上記第2ノードを遮断状態にし、上記第1出力モジュールは、フローティング状態にある上記第2ノードと上記駆動信号出力端子の電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、上記ノード制御モジュールは、上記第2ノードの制御下、上記第2タッチ制御信号を上記第3ノードに提供し、又は、上記ノード制御モジュールは、その第1端子とフローティング状態にある上記第3ノードの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、上記第2出力モジュールは、上記第3ノードの電位制御下、上記直流信号を上記駆動信号出力端子に提供することを特徴とするシフトレジスタの駆動方法。
  14. 上記タッチ段階は、表示段階の上記第1段階、第2段階、第3段階及び第4段階のうち、任意の隣接する両段階の間に挿入され、又は、表示段階の上記第4段階の後に挿入されることを特徴とする請求項13に記載のシフトレジスタの駆動方法。
  15. タッチ段階が上記第1段階と第2段階の間、又は上記第2段階と第3段階の間、又は第3段階と第4段階の間に挿入されると、上記タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、第1ノードと第2ノードを遮断状態にし、上記第1出力モジュールは、フローティング状態にある第2ノードと駆動信号出力端子の電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、上記ノード制御モジュールは、第2ノードの制御下、第2タッチ制御信号を第3ノードに提供し、上記第2出力モジュールは、第3ノードの電位制御下、直流信号を駆動信号出力端子に提供し、
    タッチ段階が第4段階の後に挿入されると、上記タッチ切換モジュールは、第1タッチ制御信号の制御下、第1ノードと第2ノードを遮断状態にし、上記ノード制御モジュールは、その第1端子とフローティング状態にある第3ノードの電圧差を直前時間区間の電圧差に保持し、上記第2出力モジュールは、第3ノードの電位制御下、直流信号を駆動信号出力端子に提供することを特徴とする請求項14に記載のシフトレジスタの駆動方法。
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