JP6669327B1 - 電気接点、電気接点を備えた真空バルブ - Google Patents

電気接点、電気接点を備えた真空バルブ Download PDF

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Abstract

本開示は、機械強度と導電率の確保を同時に満足することができる、低沸点金属を添加した電気接点を提供することを目的とする。本開示に係る電気接点は、Cuからなる母材と、母材中に分散して配置された高融点金属の粒子又は高融点金属の炭化物の粒子の少なくとも一方である高融点物質粒子と、母材中に分散して配置されたTe及びTiとを含む電気接点であって、全体を100質量%とした場合、Teは3.5質量%以上14.5質量%以下で添加されているとともに、Ti/Teは、0.12以上0.38以下である。

Description

本開示は、高電圧配電設備のひとつである真空遮断器に用いられる真空バルブ、真空バルブに用いられる電気接点及び電気接点の製造方法に関する。
高電圧配電設備に備えられた真空遮断器は、高電圧配電設備の故障及び異常時に電流を遮断するために用いられている。真空遮断器は、電流を遮断する機能を有する真空バルブを備えている。真空バルブは、高真空に保たれた絶縁容器内部で、固定電極と可動電極とが同軸対向配置された構造を有している。
配電設備に過負荷電流又は短絡電流が発生した際には、固定電極から可動電極が瞬時に開極されて電流が遮断される。しかし、電極間にアークが発生するため、開極されて瞬時に電流が遮断されることはない。交流電流を遮断する際には、交流電流が小さくなるにつれアークが弱くなり、アークが消滅することで遮断が成立する。交流電流がゼロとなる前の時点で瞬間的に電流が遮断される現象が裁断である。
裁断時には、開閉サージと呼ばれる大きなサージ電圧が発生する。配電設備に接続されている機器が容量性又は誘導性の機器である場合、発生した大きなサージ電圧で接続されている機器が損傷する場合がある。サージ電圧を低くするためには、裁断が発生する時点の電流である裁断電流を小さくする必要がある。裁断電流を小さくするには、開極時に電極間に発生するアークを交流電流のゼロ点近くまで持続させることによって実現できる。
アークの持続は真空中にある粒子数に依存しており、アークの持続のためには、裁断時に真空中への粒子の供給が必要となる。供給される粒子には、金属粒子及び熱電子の二つがある。従来の低裁断電流特性を有する電気接点材料には、導電成分のAgと、高融点の金属又は、例えばWCといった高融点金属の炭化物との混合物が選定されている。発生するアークによる電極加熱によって、導電成分のAgの蒸発と、高融点金属又は高融点金属の炭化物の熱電子放出とが促進されアークが持続されるためである。
熱電子放出能力を電流密度で示したリチャードソン・ダッシュマンの式によれば、熱電子放出能力は、材料の仕事関数と温度とに依存することが知られている。特に、温度の寄与率は大きい。そのため、高融点金属及び高融点金属の炭化物は融点が高いために広く用いられている。以上の観点から、優れた低裁断電流特性を発揮するAg−WC電気接点を用いた真空バルブが開発され実用化されている。
従来の真空バルブにおいては、低コストの観点からAgに替えてCuを導電成分とした電気接点材料において、例えばTe又はSe等を添加することで安定した低裁断電流特性が得られている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。これは、Te及びSeの沸点が金属の中で非常に低い低沸点金属であり、アーク照射による電極加熱によって低沸点金属が多量に蒸発することでアークの持続を可能としているためである。
低沸点金属の添加により低裁断電流特性を実現できるが、低沸点金属の選択的蒸発は、電気接点の材料消耗とも捉えることができる。そのため、開閉回数の増大と共に低沸点金属が消耗し、電気接点間の空間への金属蒸気の供給量が減少して低裁断電流特性が劣化していた。そこで、低裁断電流特性の劣化を抑制するために、低沸点金属の添加量を多くすることが考えられる。だが、低沸点金属であるTeを電気接点に過剰に添加すると、TeとCuとの金属間化合物であるCuTeが生成され、電気接点が脆くなる。
したがって、Mnを適量添加することで、電気接点の機械強度を確保していた(例えば、特許文献3参照)。
特開2014−56784号公報 特開2007−332429号公報 特許第6497491号公報
しかしながら、機械強度が確保される一方で、MnはCuと互いに固溶するため、電気接点の導電率が低下し、適用された真空バルブが通電時に温度上昇する恐れがあるという問題があった。
本開示は、上述のような課題を解決するためになされたもので、Mnを用いず、機械強度と導電率の確保を同時に満足することができる、低沸点金属を添加した電気接点を提供することを目的とする。
本開示に係る電気接点は、Cuからなる母材と、母材中に分散して配置された高融点金
属の粒子又は高融点金属の炭化物の粒子の少なくとも一方である高融点物質粒子と、母材
中に分散して配置されたTe及びTiとを含む電気接点であって、全体を100質量%と
した場合、Teは3.5質量%以上14.5質量%以下で添加されているとともに、Ti
/Teは、0.12以上0.38以下であり、Te及びTiの少なくとも一部は、Te及
びTiによる金属間化合物を形成している
本開示に係る真空バルブは、Cuからなる母材と、母材中に分散して配置された高融点
金属の粒子又は高融点金属の炭化物の粒子の少なくとも一方である高融点物質粒子と、母
材中に分散して配置されたTe及びTiとを含む電気接点であって、全体を100質量%
とした場合、Teは3.5質量%以上14.5質量%以下で添加されているとともに、T
i/Teは、0.12以上0.38以下であり、Te及びTiの少なくとも一部は、Te
及びTiによる金属間化合物を形成している電気接点を備えている。
本開示に係る電気接点によれば、Ti及びTeに関して、Teは3.5質量%以上14.5質量%以下であり、さらにTi/Teは、0.12以上0.38以下とすることで、Mnを入れることなく、機械強度及び導電性を確保することができる。
本開示に係る電気接点を備えた真空バルブによれば、Ti及びTeに関して、Teは3.5質量%以上14.5質量%以下であり、さらにTi/Teは、0.12以上0.38以下とすることで、Mnを入れることなく、機械強度及び導電性を確保することができる。
本開示に係る電気接点の製造方法によれば、Ti粉末及びTe粉末に関して、Te粉末は3.5質量%以上14.5質量%以下で混合し、さらにTi/Teは、0.12以上0.38以下とすることで、機械強度及び導電性が確保された電気接点を製造することができる。
本開示の実施の形態1に係る真空バルブの断面模式図。 本開示の実施の形態1に係る実施例1〜4及び比較例1〜3の電気接点の組成を表した表。 本開示の実施の形態1に係る実施例5〜9及び比較例4〜5の電気接点の組成を表した表。 本開示の実施の形態1に係る実施例10〜13及び比較例6〜8の電気接点の組成を表した表。 本開示の実施の形態1に係る実施例3で作製した電気接点の内部組織構造を示す断面図。 本開示の実施の形態1に係るTi−Teの状態図。 本開示の実施の形態1に係る比較例2の電気接点の様子を示した図。 比較例2で残された被溶浸材のCu中にTi及びその化合物が析出している様子をSEMにて観察した図。 本開示の実施の形態1に係る実施例14〜16及び比較例9〜10の電気接点の組成を表した表。 本開示の実施の形態1に係る実施例17〜19及び比較例11〜12の電気接点の組成を表した表。 本開示の実施の形態1に係る実施例20〜22の電気接点の組成を表した表。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係る真空バルブの断面模式図である。本実施の形態の真空バルブ1は、遮断室2を備えている。
遮断室2は、円筒状の絶縁容器3と、金属蓋5a及び5bで構成されている。金属蓋5a及び5bの両端は、封止金具4a及び4bによって固定されており、金属蓋5a及び5bの内部は、真空気密に保たれている。
遮断室2内には、固定電極棒6と可動電極棒7とが対向して取り付けられている。固定電極棒6及び可動電極棒7の端部には、固定電極8及び可動電極9がロウ付によりそれぞれ取り付けられている。また、固定電極8及び可動電極9の接触部には、固定電気接点10及び可動電気接点11がロウ付によりそれぞれ取り付けられている。固定電気接点10及び可動電気接点11の少なくとも一方には、本実施の形態による電気接点が使用されている。
可動電極棒7には、ベローズ12が取り付けられている。ベローズ12は、遮断室2の内部を真空気密に保持しながら可動電極9の軸方向の移動を可能にしている。可動電極9の軸方向の移動によって、可動電極9が固定電極8に接触したり離れたりする。
ベローズ12の上部には、金属製のベローズ用アークシールド13が設けられている。ベローズ用アークシールド13は、ベローズ12にアーク蒸気が付着することを防止している。また、固定電極8及び可動電極9を覆うように、遮断室2内に金属製の絶縁容器用アークシールド14が設けられている。絶縁容器用アークシールド14は、絶縁容器3の内壁にアーク蒸気が付着することを防止している。
一般的に、固定電極8及び可動電極9並びに固定電気接点10及び可動電気接点11は、円盤状の形状を有する。以下、本実施の形態の電気接点の形状は、円盤状であるとして説明する。
始めに、本実施の形態の電気接点の製造方法について説明する。本実施の形態の電気接点は、原料粉末を混合しあらかじめ定めたプレス金型でプレスして成形体を作製する工程、成形体を仮焼きして焼結体を得る工程、得た焼結体にCuを溶浸させて溶浸体を得る工程、及び得られた溶浸体をあらかじめ定めた形状に加工して電気接点を得る工程を経て製造される。
以下、本実施の形態の電気接点の製造方法について詳細に説明する。
原料粉末を混合してあらかじめ定めたプレス金型でプレスして成形体を作製する工程においては、導電成分の母材としてCu粉末、耐弧成分となる高融点金属であるCr粉末、アークを持続するための低沸点金属であるTi粉末及びTe粉末を混合し、できた混合粉末をプレス機によって圧縮成形することでCu−Cr−Ti−Te成形体を得る。
混合粉末の質量を100質量%(以下、wt%として表す)としたとき、Ti粉末の質量は20〜80wt%、Te粉末の質量は3.5〜14.5wt%、残部がCu粉末及びCr粉末の質量となるようにする。このとき、Ti/Teが質量比で0.12以上0.38以下である。
上記の各物質の値を定めるために行った実験については、後述する。
Cr粒子のような比較的に硬質で塑性変形を起こさない粉体が細かくなると粉体の比表面積が大きいため、プレス成型の場合には、粉体同士の接触点近傍に空隙が多数存在して緻密化が困難となる。粒径が細かい場合、所望の密度を有する成形体を得るためのプレス成形圧が高くなり過ぎるため、プレス成形時に割れが発生する場合がある。そのため、Cr粉末の平均粒径は、0.1μmよりも大きい値であることが望ましい。
また、Cr粉末の平均粒径が大きい場合、遮断時にばらつきが発生し、低裁断電流特性が不安定になる可能性があるため、120μm以下であることが望ましい。
なお、原料粉末の平均粒径は、例えばレーザ回折式粒度分布装置で測定した粒度分布における平均粒径を採用する。
成形体を仮焼きして焼結体を得る工程においては、水素雰囲気下又は1×10−5Pa以下の真空下の500〜950℃で、Cu−Cr−Ti−Te成形体を焼結する。
焼結温度は、Teの沸点である988℃よりも30℃以上低ければよい。
焼結体にCuを溶浸させて溶浸体を得る工程においては、水素雰囲気下又は1×10−5Pa以下の真空下に、焼結体と同等若しくは焼結体より小さい大きさのCu円板又はCu角板を焼結体の直下に置き、Cuの融点である1083℃以上1140℃未満の温度で溶浸する。
溶浸の温度が1140℃以上であると、焼結体中に存在する低沸点金属の飽和蒸気圧が高くなることで始まるTeの昇華により焼結体が膨張して緻密な電気接点が得られない場合、又は、焼結体中のCuが溶融して焼結体の形状が崩れる場合がある。
なお、Cu円板又はCu角板と、焼結体との配置は、どちらが上であってもよい。また、2枚のCu円板で焼結体を上下から挟んで配置してもよい。
溶浸体を所望の形状に加工して電気接点を得る工程においては、真空バルブ用の固定電気接点又は可動電気接点として、設計上の必要な厚さ及び直径となるまで接点材料を研削する。最後に、端部にテーパー加工又は表面を研磨することで電気接点を得ることができる。
溶浸体をあらかじめ定めた形状に加工して電気接点を得る工程においては、真空バルブ用の固定電気接点又は可動電気接点として、設計上の必要な厚さ及び直径となるまで接点材料を研削する。最後に、端部にテーパー加工又は表面を研磨することで電気接点を得ることができる。
次に、実施例および比較例を挙げてより詳細に説明する。
[実施例1]
実施例1では、平均粒径10μmのCu粉末、平均粒径40μmのCr粉末、平均粒径40μmのTe粉末及び平均粒径30μmのTi粉末を、ボールミル又はV型混合攪拌機等を用いて、30分間以上混合して均一な混合粉末を作製した。混合粉末を内径φ23mmの鋼製のダイス金型に入れ、油圧プレス機を用いて20〜100MPaの圧力で圧縮成形し、厚さ5mmの成形体を作製した。
得られた成形体を水素雰囲気下900℃で2時間焼結し、焼結体を作製した。
そして、厚さ2mm程度で直径φ20mmのCu円板の上に焼結体を置き、水素雰囲気下1110℃で2時間溶浸して実施例1の電気接点を得た。被溶浸材のCuが未溶融の場合は、10℃ずつ温度を上げて再度溶浸処理を施した。溶浸処理のとき、Cuが溶けた温度を溶浸温度と定義する。実施例1で得られた電気接点の組成を図2の表で示す。
[実施例2〜13]
実施例2〜13では、実施例1と同じ手順で電気接点を作製し、Ti濃度の効果を検証した。ただし、混合粉末作製時の各粉末の質量比を調整し、電気接点の組成比を変えている。実施例2〜4では、Te濃度を3.5wt%と固定し、電気接点の組成を図2の表で示す。実施例2〜13では、Te濃度を9wt%と固定し、得られた電気接点の組成をそれぞれ図3に示す。実施例10〜13では、Te濃度を14.5wt%と固定し、電気接点の組成をそれぞれ図4に示す。
[比較例1〜8]
比較例1〜8では、実施例1と同じ手順で電気接点を作製した。Ti濃度の効果を検証した。ただし、混合粉末作製時の各粉末の質量比を調整し、電気接点の組成比を変えている。Te濃度をそれぞれ、比較例1及び2では3.5wt%、比較例3では2.5wt%、比較例4及び5では9wt%、比較例6及び7では14.5wt%、比較例8では15.5wt%と固定した。比較例1〜3の電気接点の組成をそれぞれ図2に、比較例4及び5の電気接点の組成をそれぞれ図3に、比較例6〜8の電気接点の組成を図4に、それぞれ述べる。
本実施の形態では、実施例1〜13及び比較例1〜8について、製造性、低裁断電流特性及び遮断特性の観点で評価した。また、導電率についても良好か否かを確認した。順に詳しく説明する。
まず、製造性について説明する。製造性の評価は、電気接点の製造ができるか否かの評価とする。電気接点の製造性の評価点は、2点ある。
第一の評価点は、電気接点の密度比が、電気接点として有用な密度比である95%を超えることである。本実施の形態では、密度比=試作した電気接点の密度÷配合組成から算出した理論密度とする。真空バルブ組み立て時のろう付け工程において、密度比が95%以下の場合、電気接点内に空隙を有しているために、毛細管現象によって電気接点内の空隙がろう材を吸収する可能性が高く、ろう付け不良を発生する頻度が増す可能性がある。そのため、実用上は95%を超える密度比が望ましく、密度比が95%に達しない電気接点は不良と判断する。
第二の評価点は、溶浸処理によって作製した電気接点の機械強度が、あらかじめ定めた形状で機械加工によって切り出すことが可能な程度に強度を有していることである。機械強度の低い電気接点は溶着性が良いため良好な電気接点とみなされるが、機械強度が過度に低い場合は機械加工時に割れが発生して加工が困難であるであるため、割れない程度の最低限以上の機械強度が必要とされる。
本実施の形態では、機械加工時に割れが発生しない場合を合格とし、割れが発生した場合を不良として判断した。
続いて、低裁断電流特性及び遮断特性の評価について説明する。低裁断電流特性及び遮断特性の評価は、各実施例及び比較例で得られた電気接点を試験接点として用いた裁断電流試験及び遮断電流試験を行うことで得た結果とする。
各実施例及び比較例で得られた厚さ5mm直径φ23mmの電気接点を機械加工して、厚さ3mm直径φ20mmの試験接点を作製する。さらに、試験接点の端部から内側2mmまでの部分には表面に対して約15°のテーパー加工を施す。テーパー加工を施した試験接点を2つ作製して、それぞれを固定接点及び可動接点とする評価用真空バルブを組み立てる。各実施例及び比較例に従って作製した評価用真空バルブを用いて、裁断電流試験及び遮断電流試験を行い、低裁断電流特性及び遮断特性を評価した。
裁断電流試験は、20Ωの抵抗と評価用真空バルブとを直列接続した回路を組み、AC200V電源を用いて10Aの電流で通電し、評価用真空バルブを閉極した状態からを開極したときにアーク電流がゼロになる直前の電流を測定し、その電流を裁断電流とした。裁断電流試験は、同じ評価用真空バルブを用いて1000回実施し、その平均値を各実施例及び比較例の裁断電流値とした。
なお、遮断時に発生するサージ電圧上昇による電気機器の損傷を避ける観点から裁断電流値が1A以下である必要がある。今回の試験では、裁断電流値が1A以下となった場合は、試験合格としている。
遮断試験は、サイリスタと評価用真空バルブとを直列接続した回路を組み、評価用真空バルブを閉極した状態でコンデンサバンクからの放電を利用した通電電流を流し、評価用真空バルブを開極したときに、正常に遮断できるか否かで遮断試験の合否を判定した。コンデンサバンクは外部電源で充電される。通電電流を2kAから1kAずつ上げて遮断試験を行い、4kAで遮断試験が成功した時点で遮断試験の合否を判定した。なお、遮断試験の成功とは、評価用真空バルブを開極したときに、再点弧やアークの継続が発生しない場合をいう。
次に、作製された電気接点の導電率の評価について説明する。電気接点は通電部材であるため、高い導電率が必要とされている。電気伝導度の基準として、国際的に採択された焼鈍標準軟銅(体積抵抗率: 1.7241×10−2μm)の導電率を、100%IACS(international annealed copper standard、IACS)として規定した値を用いる。
本実施の形態では、低サージ接点として広く普及しているAg―WC接点の導電率を基準として、20%IACSより高い導電率であった場合は合格とした。
図5は、本実施の形態の実施例3で作製した電気接点の内部組織構造を示す断面図である。図5は、走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)を用いて観察された電気接点の断面写真である。走査型電子顕微鏡の波長分散型X線分光またはエネルギー分散型X線分光による組成分析機能を用いて内部構造の組成分布を測定した。
図5に示すように、Cuを導電成分とした母材15に、高融点物質の粒子であるCr粒子16、Ti及びTeが金属間化合物を形成したTi―Te金属間化合物の粒子17が分散して配置されている。
また、SEMに付属する波長分散型X線分光又はエネルギー分散型X線分光による組成分析機能を用いて、Ti―Te金属間化合物の粒子17の内部構造の組成分布を測定したところ、TiとTeの原子量比が1:2又は3:4であった。
図6は、図5で示した電気接点のTi−Teの状態図である。図6より、Ti―Te金属間化合物のうちTiTe金属間化合物18又はTiTe金属間化合物19を有していることから、Ti粉末及びTe粉末を混ぜて加熱する過程において互いに反応し、金属間化合物が形成したものと考えられる。
電気接点の機械加工を可能とする機械強度を保つように、脆弱性の原因であるCuTeを形成しない量のTiを添加した。Ti―Te金属間化合物の粒子17を形成するには、原子量比でTi:Te=1:2又は3:4が望まれるため、原子量比でTi/Teは0.5以上であり、質量比換算でTi/Teは0.17以上が必要となると考えられる。以下の説明では、質量比で記載する。
順に、実施例1〜13及び比較例1〜8の結果について述べる。
まず、図2を用いて実施例1〜4及び比較例1〜2について述べる。
製造性の密度比の観点では、実施例1〜4及び比較例1は、1140℃の溶浸温度までに、Cuが溶浸されるため電気接点の試作が可能であった。
製造性の機械強度の観点では、実施例1〜4と比較例1を機械加工したところ、比較例1では一部割れが発生した。
比較例2はCuがほとんど溶浸されることなく、溶浸材のCuが残ったままであり、密度比が95%に達しないので、電気接点の製造が不可であった。
以上の結果から、TiTe金属間化合物又はTiTe金属間化合物が形成するTi/Teの値は、Ti/Teが0.17以上でなくとも、Ti/Teが0.12以上であれば良いことが分かった。図6のTi−Teの状態図より、てこの原理から、Ti/Teが0.17以下であっても、TiTe金属間化合物が形成されることが推定できるためと考えられる。
つまり、全てのTeがTiTe金属間化合物又はTiTe金属間化合物になるのではなく、一部のTi―Te金属間化合物とすることで、電気接点の破壊に耐え得る程度の機械強度を持つことができると考えられる。実施例からは、Ti/Teが0.09以下においては割れが発生したため、Ti/Teが0.12以上でも製造可能であったといえる。
また、Ti/Teが0.09以下の比較例1の断面分析では、脆弱性の原因であるCuTeが多く検出された。これは、Ti―Te金属間化合物を形成するためのTiが不十分であるためであると考えられる。
実施例1〜4は、裁断試験及び遮断試験についても良好な結果が得られた。
また、実施例1〜4は、Cuに固溶するTi成分を断面分析したところ1wt%以下と少なく、導電率は20%IACS以上であった。
したがって、本実施の形態の実施例1〜4の電気接点は、導電率が向上し、通電時の発熱を抑えることができるといえる。
次に、図7及び図8を用いて、比較例2でCuが残ったままの原因について2点述べる。
1点目は、Ti添加による焼結体と溶浸材のCuとの漏れ性悪化である。図7は、比較例2の電気接点の様子を示した図である。図7より、焼結体に浸みこまず焼結体の外に流れ出る溶けたCu22、表面で液滴として凝固しているCu23及び溶浸材のCu21が確認できる。図7より、比較例2のように過度にTiを添加した場合、焼結体と溶浸材のCuとの濡れ性が悪化するため、焼結体内部に入ることなく、溶融したCuが液滴となって外に流れ出たものと考えられる。
2点目は、Ti添加による溶浸温度の上昇である。図8は、比較例2で残された被溶浸材のCu中にTi及びその化合物が析出している様子をSEMにて観察した図である。図8では、焼結体24と溶浸材のCu25とを確認できる。Cu25中にTi26がまばらに配置されていることがわかる。TiTe金属間化合物に必要な、Ti/Teが0.12よりも大きい値であるTiを添加することによって、1083℃の融点であるCuよりも高い1668℃の融点であるTiが溶浸材のCu中に存在する状態となり、通常のCuの融点を上昇させることとなったものと考えられる。本実施の形態では、実施例4より、Ti/Teが0.38以下であれば、1140℃までの溶浸温度で溶浸可能であった。
つまり、本実施の形態では、実施例1〜4及び比較例1〜2より、Ti/Teが0.38以下であれば、1140℃までの溶浸温度で溶浸が可能であった。
比較例2では、融点の上昇したCuを十分に溶解させるために、加熱温度を1150℃で処理を施したものの、成形体にもCuが使用されているため、成形体中のCuも溶けて電気接点の形状を維持することが困難であった。
また、TeはTiとの金属間化合物として存在していることより、Teの融点は上昇しているものの、Teの飽和蒸気圧は非常に低いため、高温での溶浸時に一部で蒸発する可能性がある。Teが蒸発すると成形体の密度低下につながることから、1150℃以上の処理では製造不可と判断した。
以上より、脆弱性の原因であるCuTeを形成しない量のTiを添加する一方で、必要以上のTiの添加は電気接点の製造性を困難にさせることが判明した。
次に、比較例3について述べる。比較例3は、実施例3と同程度のTi/Te比であり、Te濃度を2.5wt%としたものである。比較例3において、溶浸体は密度比95%以上であり、断面分析からTi―Te金属間化合物が確認できた。
評価用真空バルブによる低裁断電流特性を評価した結果、裁断電流が1Aよりも大きくなり、不合格であった。これは、低サージ性を確保するための低沸点金属であるTeが不足していたためと考えられる。そのため、安定した低裁断電流特性を得るには、3.5wt%以上が必要であると考えられる。
図6に示したTi及びTeの状態図並びに、上記で述べた実施例1〜4及び比較例1〜3の結果から、Ti―Te金属間化合物が生成するTi/Teの範囲を0.12以上0.38以下とすれば、TiTe又はTiTeが生成すると考えられる。特に図6の状態図からは、Ti/Teの範囲は、0.17以上0.3以下が望ましいと考えられる。
図2の結果をまとめると、製造性、低裁断電流特性及び導電率が満たされる電気接点のTi及びTeにおいて、Teは3.5wt%以上であり、Ti/Teは、0.12以上0.38以下であるといえる。
続いて、実施例5〜13及び比較例4〜8の結果について述べる。
図3より、実施例5〜9及び比較例4〜5では、Te濃度を9wt%に固定して、Ti/Teは、0.08以上0.43以下とした。
実施例5〜9では、95%以上の密度比を有した溶浸体が作製でき、機械加工も問題なく可能であった。また、導電率も20%IACSであり、低裁断電流特性及び遮断特性共に良好であった。
Ti/Teが0.09よりも小さい値である比較例4では、1110℃で被溶浸材のCuが溶融したが、断面分析では脆性の原因であるCuTeが多く検出され、機械加工時においても一部割れが発生した。
比較例5では、1130℃までの溶浸温度では十分に溶浸ができなかった。比較例2と同様の原因であると考えられる。
図3の結果をまとめると、製造性、低裁断電流特性及び導電率が満たされる電気接点のTi及びTeにおいて、Teは9wt%であり、Ti/Teは、0.12以上0.37以下であるといえる。
次に、実施例10〜13及び比較例6〜8の結果について述べる。
図4より、実施例10〜13及び比較例6〜7では、Te濃度を14.5wt%と固定して、Ti/Teは、0.09以上0.42以下とした。
その結果、上記の実施例1〜9及び比較例1〜5と同様の結果が得られた。
また、比較例8では、Te濃度の上限を確認するため、Te濃度を15.5wt%まで増加させた。比較例8では、電気接点の作製可能であったが、低裁断電流特性及び遮断特性の試験時に低沸点金属であるTeの蒸発量が多くなり4kAの遮断失敗が散見された。 したがって、実用上Teの含有量は15wt%未満であると考えられる。
図4の結果をまとめると、製造性、低裁断電流特性及び導電率が満たされる電気接点のTi及びTeにおいて、Teは14.5wt%であり、Ti/Teは、0.12以上0.36以下であるといえる。
次に、耐弧成分であるCrの含有量を検討するため、実施例14〜16及び比較例9〜10を行った。図9の表では、各実施例14〜16及び比較例9〜10の電気接点の組成及び結果を示している。図9の実施例及び比較例では、Te濃度を9wt%、Ti/Teを0.29の一定とし、Cr濃度を変化させた。
実施例14〜16では、Ti―Te金属間化合物が形成しており、機械加工が可能であった。
また、低裁断電流特性及び遮断特性の評価では、共に良好な結果が得られた。
Cr量と導電率には相関があり、Cr量が少ないほど導電率が高い傾向にあった。図9では、実施例14〜16の中で最も多いCr濃度60wt%の実施例13でも、IACSで20%以上が確認できた。
図9中でCr量が15wt%である比較例9では、遮断試験で4kAの遮断が不可であった。断面分析により、耐弧成分である高融点物質のCrが少なく、Cuが溶着した跡が確認できた。そのため、少ないCrでは電気接点として機能しないものと考えられる。
図9中でCr量が70wt%である比較例10では、成形体を形成することが困難であった。硬質なCrを添加していることで、プレス金型から取り出したときに成形体の側面に軽微ではあるが割れが発生した。
図9の結果をまとめると、製造性、低裁断電流特性及び導電率が満たされる電気接点において、Te濃度を9wt%、Ti/Teを0.29である場合、Cr濃度は、20wt%以上60wt%以下であるといえる。
次に、Crの使用粒径を検討するため、実施例17〜19及び比較例11〜12を行った。図10の表は、各実施例17〜19及び比較例11〜12の電気接点の組成及び結果を示している。図10の実施例及び比較例では、Te濃度を9wt%、Ti/Teを0.29として一定させ、Cr粒径を変化させた。
実施例17のCr粒径が1μmの場合では、プレス成形が可能であった。実施例18〜19においても、プレス成型が可能であった。
比較例11のCr粒径が0.1μmの場合では、成形体の側面に割れが発生した。あらかじめ定めた成形体の密度を得るため、成形時の圧力が高くなるためであると考えられる。
比較例12のCr粒径が150μmの場合では、遮断試験時に遮断失敗が散見された。これは、高融点物質であるCr粒子の粒径が150μm以上である場合は、接点表面が均一組織でなくなり、発生したアークが高融点物質であるCr粒子に留まったためであると考えられる。
図10結果をまとめると、製造性、低裁断電流特性及び導電率が満たされる電気接点において、Te濃度を9wt%、Ti/Teを0.29である場合、実用的なCrの粒径は0.1μmより大きく120μm以下であるといえる。
また、耐弧成分を、例えばCrのようなCrの炭化物、W、及び例えばWCのようなWの炭化物に変更して実施例20〜22を行った。図11は、実施例20〜22の電気接点の組成及び結果を示している。
図11の結果より、耐弧成分をCrでなく、Crの炭化物、W、及びWの炭化物であっても同様の効果が得られた。これは、耐弧成分として、Crの炭化物、W及びWの炭化物は、高融点金属であるため実用上問題がないためと考えられる。
したがって、高融点物質粒子は、Cr粉末に限らず、他の高融点金属の粒子であるW粉末でもよいし、高融点金属の炭化物である例えばCrの炭化物のCr粉末、及びWの炭化物の粒子である例えばWC粉末であってもよい。つまり、高融点物質粒子は、高融点金属又は高融点金属の炭化物の粒子の少なくとも一方であればよい。さらに他の例としては、高融点金属の粒子として、Cr粉末及びW粉末と同様に、Mo粉末でもよいし、高融点金属の炭化物の粒子として、Cr粉末及びWC粉末と同様に、例えばMoC粉末のようなMoの炭化物の粒子でもよい。
本実施の形態では、機械強度を保つための添加物としてMnの代わりにTiを用いることで高い導電率を維持することができる電気接点を製造した。
上記の実施例及び比較例の結果より、Teは3.5wt%以上14.5wt%以下であり、さらに、Ti/Teは0.12以上0.38以下とすることで、Tiの一部が、TiTe又はTiTeを形成する。その結果、脆弱性の原因であるCuTeを形成せず、機械強度を保つことができる。また、本実施の形態での電気接点は、低裁断電流特性及び遮断特性も満足することができる。すなわち、大電流の遮断性能、低サージ性能及び通電性能を満たす電気接点を作製することができる。
なお、Crの濃度及び粒径は、他の条件等によって変化するものであるため、実施例1〜19及び比較例1〜12で求めた0.1μmより大きく120μm以下のCrの粒径では、発明の効果を奏する範囲であればこの限りではない。
10 固定電気接点
11 可動電気接点
15 母材のCu
16 Cr
17 Ti−Te金属間化合物
18 TiTe金属間化合物
19 TiTe金属間化合物
22 溶けたCu
23 凝固しているCu

Claims (6)

  1. Cuからなる母材と、
    前記母材中に分散して配置された高融点金属の粒子又は前記高融点金属の炭化物の粒子
    の少なくとも一方である高融点物質粒子と、
    前記母材中に分散して配置されたTe及びTiとを含む電気接点であって、
    全体を100質量%とした場合、
    前記Teは3.5質量%以上14.5質量%以下で添加されているとともに、
    前記Ti/前記Teは、0.12以上0.38以下
    であり、
    前記Te及び前記Tiの少なくとも一部は、前記Te及び前記Tiによる金属間化合物
    を形成している
    電気接点。
  2. 前記金属間化合物は、TiTe又はTiTeを形成している
    ことを特徴とする請求項に記載の電気接点。
  3. 前記Cuは、前記Tiを1質量%以下で固溶している
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気接点。
  4. 前記高融点物質粒子は、Cr、Crの炭化物、W、Wの炭化物、Mo、及びMoの炭化
    物の少なくともいずれか1つである
    ことを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の電気接点。
  5. 前記高融点物質粒子がCrである場合、
    前記Crの濃度は、20質量%以上60質量%以下であり、
    前記Crの粒径は、0.1μmより大きく120μm以下である
    ことを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の電気接点。
  6. Cuからなる母材と、
    前記母材中に分散して配置された高融点金属の粒子又は前記高融点金属の炭化物の粒子
    の少なくとも一方である高融点物質粒子と、
    前記母材中に分散して配置されたTe及びTiとを含む電気接点であって、
    全体を100質量%とした場合、
    前記Teは3.5質量%以上14.5質量%以下で添加されているとともに、
    前記Ti/前記Teは、0.12以上0.38以下
    であり、
    前記Te及び前記Tiの少なくとも一部は、前記Te及び前記Tiによる金属間化合物
    を形成している
    電気接点を備えた真空バルブ。
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