JP6668697B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2012−190938号公報
[特許文献2] 特開2000−101076号公報
[特許文献3] 特開2012−238715号公報
Claims (15)
- 半導体基板のおもて面側における予め定められた領域を挟んで設けられた、第1の方向に延在する2つの第1のトレンチ部と、
前記予め定められた領域に設けられ、前記2つの第1のトレンチ部とは空間的に分離し、延在する方向が前記第1の方向とは平行ではなく、前記2つの第1のトレンチ部のいずれよりも短い2つの第2のトレンチ部と、
前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の各々と空間的に分離して設けられ、前記第1の方向において2つの前記第2のトレンチ部に挟まれて配置され、且つ、前記第2のトレンチ部とは延在する方向が異なる第3のトレンチ部と、
前記半導体基板の前記予め定められた領域の一部に電気的に接続される電極層と、
前記半導体基板の前記おもて面側において前記第1の方向に沿って設けられ、前記電極層と接続する1以上の第1導電型領域と、
前記半導体基板の前記おもて面側において前記第1導電型領域に接し、少なくとも一部が前記第1導電型領域の下方に位置する第2導電型領域と、
を備え、
前記第1のトレンチ部、前記第2のトレンチ部および前記第3のトレンチ部の各々は、トレンチ絶縁膜と前記トレンチ絶縁膜に接して設けられたトレンチ電極とを有し、
同一の前記電極層に覆われた前記第2導電型領域に、前記第1のトレンチ部、前記第2のトレンチ部および前記第3のトレンチ部の各々が接している
半導体装置。 - 前記第1のトレンチ部、前記第2のトレンチ部および第3のトレンチ部は、前記第2導電型領域を前記半導体基板の深さ方向に貫通して設けられる、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の各々は同じ幅を有する、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2のトレンチ部が延在する方向と前記第1の方向とは直交する、請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第3のトレンチ部は前記第1の方向と平行に延在する
請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 半導体基板のおもて面側における予め定められた領域を挟んで設けられた、第1の方向に延在する2つの第1のトレンチ部と、
前記予め定められた領域に設けられ、前記2つの第1のトレンチ部とは空間的に分離し、延在する方向が前記第1の方向とは平行ではなく、前記2つの第1のトレンチ部のいずれよりも短い第2のトレンチ部と、
前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の各々と空間的に分離して設けられ、且つ、前記第2のトレンチ部とは延在する方向が異なる第3のトレンチ部と、
前記半導体基板の前記おもて面側において前記第1の方向に沿って交互に設けられた、1以上の第1導電型領域および1以上の第2導電型領域と、
を備え、
前記第2導電型領域の少なくとも一部は、前記第1導電型領域の下方に位置し、
前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の各々は、トレンチ絶縁膜と前記トレンチ絶縁膜に接して設けられたトレンチ電極とを有し、
前記第2のトレンチ部は、少なくとも1つの第1導電型領域内に設けられ、
前記第3のトレンチ部の少なくとも一部の領域は、第2導電型領域に設けられる
半導体装置。 - 前記第3のトレンチ部の全ての領域が、前記第2導電型領域内に設けられる
請求項6に記載の半導体装置。 - 前記第3のトレンチ部は、前記第2導電型領域と、前記第2導電型領域に隣接する少なくとも1つの第1導電型領域とに設けられる
請求項6に記載の半導体装置。 - 前記第1のトレンチ部の前記トレンチ電極と、前記第2のトレンチ部の前記トレンチ電極とを電気的に接続する配線層を更に備える
請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記予め定められた領域において複数の前記第2のトレンチ部が第1の方向に沿って設けられ、
前記配線層は、前記第1の方向に延在して形成され、前記複数の第2のトレンチ部と電気的に接続する
請求項9に記載の半導体装置。 - 前記第1の方向とは直交する方向に配列された3以上の前記第1のトレンチ部を備え、
それぞれの前記第1のトレンチ部に挟まれるそれぞれの前記予め定められた領域に前記第2のトレンチ部が形成され、
前記配線層は、前記第1の方向とは直交する方向に延在して形成され、それぞれの前記予め定められた領域のそれぞれの前記第2のトレンチ部と電気的に接続する
請求項9に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の前記おもて面から前記第2導電型領域の底部より深くまで設けられ、前記第2導電型領域よりも高濃度の第2導電型のウェル領域を更に備える
請求項1から11のいずれか一項に記載の半導体装置。 - IGBT領域およびダイオード領域を備える半導体装置であって、
半導体基板のおもて面側における予め定められた領域を挟んで設けられた、第1の方向に延在する2つの第1のトレンチ部と、
前記予め定められた領域に設けられ、前記2つの第1のトレンチ部とは空間的に分離し、延在する方向が前記第1の方向とは平行ではなく、前記2つの第1のトレンチ部のいずれよりも短い第2のトレンチ部と
を備え、
前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の各々は、トレンチ絶縁膜と前記トレンチ絶縁膜に接して設けられたトレンチ電極とを有し、
前記半導体装置は、
前記第1のトレンチ部の前記トレンチ電極と、前記第2のトレンチ部の前記トレンチ電極とを電気的に接続する配線層と、
前記半導体基板の前記予め定められた領域の一部に電気的に接続される電極層と
を更に備え、
前記配線層は、前記電極層と前記半導体基板との間に形成され、
前記IGBT領域および前記ダイオード領域の各々は、前記第1のトレンチ部、前記第2のトレンチ部および前記配線層を有し、
それぞれの前記配線層は、対応する前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の前記トレンチ電極に電気的に接続され、
前記電極層は、前記ダイオード領域における前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の前記トレンチ電極に電気的に接続され、
前記IGBT領域の前記配線層と前記ダイオード領域の前記配線層とは電気的に分離されている
半導体装置。 - 半導体基板のおもて面側における予め定められた領域を挟んで設けられた、第1の方向に延在する2つの第1のトレンチ部と、
前記予め定められた領域に設けられ、前記2つの第1のトレンチ部とは空間的に分離し、延在する方向が前記第1の方向とは平行ではなく、前記2つの第1のトレンチ部のいずれよりも短い第2のトレンチ部と、
前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の各々と空間的に分離して設けられ、且つ、前記第2のトレンチ部とは延在する方向が異なる第3のトレンチ部と、
配線層と、
前記配線層よりも前記半導体基板の前記おもて面側に設けられる電極層と
を備え、
前記第1のトレンチ部、前記第2のトレンチ部および前記第3のトレンチ部の各々は、トレンチ絶縁膜と前記トレンチ絶縁膜に接して設けられたトレンチ電極とを有し、
前記配線層は、前記第2のトレンチ部の前記トレンチ電極に電気的に接続し、
前記電極層は、
前記第1のトレンチ部の前記トレンチ電極に電気的に接続する第1の電極層と、
前記第2のトレンチ部および前記第3のトレンチ部の前記トレンチ電極に電気的に接続する第2の電極層と
を有し、
前記第1の電極層には第1のパルス信号が入力され、
前記第2の電極層には第2のパルス信号が入力され、
前記第1のパルス信号と前記第2のパルス信号とは、予め定められた期間において共に高レベル電位を有し、
前記第1のトレンチ部と前記第2のトレンチ部および前記第3のトレンチ部との前記おもて面における面積のうち、面積が小さい方に入力される前記第1のパルス信号および前記第2のパルス信号の一方は、前記第1のパルス信号および前記第2のパルス信号の他方よりも先に低レベル電位となる
半導体装置。 - 半導体基板のおもて面側における予め定められた領域を挟んで設けられた、第1の方向に延在する2つの第1のトレンチ部と、
前記予め定められた領域に設けられ、前記2つの第1のトレンチ部とは空間的に分離し、延在する方向が前記第1の方向とは平行ではなく、前記2つの第1のトレンチ部のいずれよりも短い2つの第2のトレンチ部と、
前記第1のトレンチ部および前記第2のトレンチ部の各々と空間的に分離して設けられ、前記第1の方向において2つの前記第2のトレンチ部に挟まれて配置され、且つ、前記第2のトレンチ部とは延在する方向が異なる第3のトレンチ部と、
前記半導体基板の前記おもて面側において前記第1の方向に沿って交互に設けられた、1以上の第1導電型領域および1以上の第2導電型領域と、
を備え、
前記第2導電型領域の少なくとも一部は、前記第1導電型領域の下方に位置し、
前記第1のトレンチ部、前記第2のトレンチ部および前記第3のトレンチ部の各々は、トレンチ絶縁膜と前記トレンチ絶縁膜に接して設けられたトレンチ電極とを有し、
前記第2のトレンチ部は、少なくとも1つの前記第1導電型領域内に設けられる
半導体装置。
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