JP6643316B2 - 無線周波アプリケーションの構造 - Google Patents
無線周波アプリケーションの構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6643316B2 JP6643316B2 JP2017505533A JP2017505533A JP6643316B2 JP 6643316 B2 JP6643316 B2 JP 6643316B2 JP 2017505533 A JP2017505533 A JP 2017505533A JP 2017505533 A JP2017505533 A JP 2017505533A JP 6643316 B2 JP6643316 B2 JP 6643316B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radio frequency
- frequency application
- layer
- active layer
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 79
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 36
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 5
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- -1 helium ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/802—Circuitry or processes for operating piezoelectric or electrostrictive devices not otherwise provided for, e.g. drive circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3226—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering of silicon on insulator
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Transceivers (AREA)
Description
・低部と、深さDにp型ドーピングされた上部とを含む高い抵抗率のシリコンの支持基板と、
・前記支持基板のドーピングされた上部に形成されたシリコンのメソ多孔性トラップ層とを含む。
−メソ多孔層の良好な機械的な強度を確保し、最終的な機能的な装置に保持させることを可能にする;
−そして、無線周波アプリケーションにとって適切である構造についての抵抗性と絶縁特性を与える。
−前記メソ多孔トラップ層は、直径が2nmから50nmの孔である、
−前記メソ多孔トラップ層は、ドープされた支持基板の上部の電気分解のプロセスによって得られる、
−電気分解プロセスは、電気分解の端子における電圧制御の技術により制御される、
−その支持基板の低部分の抵抗率は、1000ohm.cmよりも大きい。
−活性層は、前記トラップ層上に配置される;
−前記活性層は、直接的な接合により、前記トラップ層上に転写される、
−前記活性層は、半導体材料で形成される、
−前記活性層は、圧電性材料で形成される、
−前記活性層は、以下のグループから選ばれた材料のうちの少なくとも1つを含む:シリコン、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、リチウムニオブ酸塩、タンタル酸リチウム、クオーツ、アルミニウム窒化物、
−前記活性層の厚さは、10nm及び50μmの間にあり、
−誘電体層は、前記トラップ層と前記活性層との間に配置される、
−前記誘電体層は、直接的な接合により、前記トラップ層に転写される、
−前記誘電体層は、以下のグループから選ばれた材料のうちの少なくとも一つを含む:二酸化珪素、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、
−前記誘電体層は10nmから6μmまでである、
−シリコン窒化物(SiN)の層は、前記トラップ層と前記活性層との間に配置される。
−マイクロエレクトロニクス機器は、スイッチ回路又はアンテナチューニング回路又は無線周波数パワー増幅器回路である、
−前記マイクロエレクトロニクス機器は、少なくとも1つの制御素子及びオームコンタクト付きマイクロスイッチ又は静電容量マイクロスイッチから成る少なくとも1つのMEMSスイッチ素子を含む、
−前記マイクロエレクトロニクス機器は、バルク弾性波又は表面弾性波によって動作する無線周波数フィルタである。
−一般的に、弱くドープされたn型のシリコンから得られ、50nmより大きい孔直径を有しているマクロ多孔性シリコン、
−一般的に、強くドープされたp型シリコンから得られ、2nmから50nmの間までの孔直径を有しているメソ多孔性シリコン、
−一般的に、弱くドープされたp型シリコンから得られ、2nm未満の孔直径を有しているナノ多孔性(また、いわゆるマイクロ多孔性)シリコン。
Po = (d − dPo)/ d
−マイクロエレクトロニクスのコンポーネントの作製の様々なストレスの多いステップに耐える良好な機械的な強度と、
−マイクロエレクトロニクスのコンポーネントの作製のための高温度での熱処理の適用の後でさえ、支持基板2の高抵抗率及びメソ多孔質層4の電荷トラップ特性に関連した安定した絶縁特性。
−スマートカット(商標)プロセスは、ドナー基板と接合の軽水素及び/又はヘリウムイオンの注入を基礎とし、例えば、分子粘着により、トラップ層4に直接、このドナー基板の結合であり、自身で支持基板2に配置される。分離ステップは、次いで、イオンの注入の深さにより定義された脆化平面のレベルにおいて、ドナー基板(活性層)からの薄い表面層を分離することを可能とする。最終ステップは、高温度熱処理を含むことができ、最終的に、活性層5において必要とされる結晶性と表面品質を与える。このプロセスは、例えば、シリコンの層に対して、数nmと約1.5μmの間の厚さを有する薄い活性層の作製に適している。
−エピタキシーステップが後に続くスマートカットプロセスは、例えば、数十nmから20μmまでのより厚い活性層を得ることを可能にしている。
−直接的な接合方法及び機械的な、化学的な、及び/又は機械的化学的薄膜プロセス;それらは、それ自身で支持基板2に配置される、トラップ層4上に、直接、分子付着によってドナー基板を組み立て、次いで、例えば、粉砕及び研磨(CMP「化学機械平坦化」)により、活性層5の所望の厚さにドナー基板を薄くすることである。これらのプロセスは、特に、例えば、数μmから十数μm、数百μmまで、厚い層の転写に適合する。
Claims (15)
- 低部と、深さ(D)にp型ドーピングされた上部(3)とを含む高い抵抗率のシリコンの支持基板(2)と、
前記支持基板(2)のドーピングされた上部(3)に形成されたシリコンのメソ多孔性トラップ層(4)と、
を含む無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)であって、
前記構造(1、1’、11)は、前記深さ(D)が1μm未満であり、前記メソ多孔性トラップ層(4)は20%及び60%間の多孔率を有していることを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。 - 請求項1に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、前記メソ多孔性トラップ層(4)は、2nmと50nmとの間の直径を有する孔を有することを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。
- 請求項1又は2に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、前記支持基板(2)の低部の抵抗率は、1000ohm.cm.より大きいことを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、活性層(5)が、前記メソ多孔性トラップ層(4)上に配置されることを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。
- 請求項4に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、前記活性層(5)は半導体材料で形成されることを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。
- 請求項4に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、前記活性層(5)は圧電性材料で形成されることを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。
- 請求項4に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、前記活性層(5)は、シリコン、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、リチウムニオブ酸塩、タンタル酸リチウム、クオーツ、アルミニウム窒化物からなる群から選ばれた材料のうち少なくとも1つを含むことを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。
- 請求項4乃至7のいずれか一項に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、前記活性層(5)の厚さが10nmから50μmの間にあることを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。
- 請求項4乃至8いずれか一項に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、誘電体層(6)が、前記メソ多孔性トラップ層(4)と前記活性層(5)との間に配置されることを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。
- 請求項9に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、前記誘電体層(6)は、二酸化珪素、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物からなる群から選ばれた材料のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。
- 請求項9又は10に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、前記誘電体層(6)の厚さは、10 nmから6μmまでであることを特徴とする無線周波アプリケーションの構造。
- 請求項4乃至11のいずれか一に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)
において、
少なくとも1つのマイクロエレクトロニクス機器(7)は、前記活性層(5)の中又は上にあり
、前記マイクロエレクトロニクス機器(7)は、スイッチング回路、アンテナチューニング回路又は無線周波数パワー増幅器回路であることを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。 - 請求項4乃至11のいずれか一に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、
少なくとも1つのマイクロエレクトロニクス機器(7)は、前記活性層(5)の中又は上にあり、
前記マイクロエレクトロニクス機器(7)は、複数のアクティブコンポーネントおよび複数のパッシブコンポーネントを含むことを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。 - 請求項4乃至11のいずれか一に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、
少なくとも1つのマイクロエレクトロニクス機器(7)は、前記活性層(5)の中又は上にあり、 前記マイクロエレクトロニクス機器(7)は、少なくとも1つの制御素子及びオームコンタクト付きマイクロスイッチまたは静電容量マイクロスイッチから成る少なくとも1つのMEMSスイッング素子を含むことを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。 - 請求項4乃至11のいずれか一に記載の無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)において、
少なくとも1つのマイクロエレクトロニクス機器(7)は、前記活性層(5)の中又は上にあり、
前記マイクロエレクトロニクス機器(7)は、バルク弾性波又は表面弾性波の伝播によって動作する無線周波フィルタであることを特徴とする無線周波アプリケーションの構造(1、1’、11)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1401800A FR3024587B1 (fr) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | Procede de fabrication d'une structure hautement resistive |
FR14/01800 | 2014-08-01 | ||
PCT/FR2015/051854 WO2016016532A1 (fr) | 2014-08-01 | 2015-07-03 | Structure pour applications radio-frequences |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017532758A JP2017532758A (ja) | 2017-11-02 |
JP6643316B2 true JP6643316B2 (ja) | 2020-02-12 |
Family
ID=52102706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017505533A Active JP6643316B2 (ja) | 2014-08-01 | 2015-07-03 | 無線周波アプリケーションの構造 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10347597B2 (ja) |
EP (1) | EP3175477B1 (ja) |
JP (1) | JP6643316B2 (ja) |
KR (1) | KR102403499B1 (ja) |
CN (1) | CN106575637B (ja) |
FR (1) | FR3024587B1 (ja) |
SG (2) | SG11201700606YA (ja) |
WO (1) | WO2016016532A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107275197A (zh) | 2016-04-08 | 2017-10-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
KR102301594B1 (ko) * | 2016-12-05 | 2021-09-14 | 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. | 높은 저항률 실리콘-온-절연체 구조 및 그의 제조 방법 |
FR3062238A1 (fr) * | 2017-01-26 | 2018-07-27 | Soitec | Support pour une structure semi-conductrice |
FR3062517B1 (fr) | 2017-02-02 | 2019-03-15 | Soitec | Structure pour application radiofrequence |
FR3063854B1 (fr) * | 2017-03-13 | 2021-08-27 | Commissariat Energie Atomique | Resonateur saw a couches d'attenuation d'ondes parasites |
US10784348B2 (en) | 2017-03-23 | 2020-09-22 | Qualcomm Incorporated | Porous semiconductor handle substrate |
US10134837B1 (en) * | 2017-06-30 | 2018-11-20 | Qualcomm Incorporated | Porous silicon post processing |
US10224396B1 (en) * | 2017-11-20 | 2019-03-05 | Globalfoundries Inc. | Deep trench isolation structures |
WO2019111893A1 (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
FR3079661A1 (fr) * | 2018-03-29 | 2019-10-04 | Soitec | Procede de fabrication d'un substrat pour filtre radiofrequence |
FR3079662B1 (fr) * | 2018-03-30 | 2020-02-28 | Soitec | Substrat pour applications radiofrequences et procede de fabrication associe |
US20210183691A1 (en) * | 2018-07-05 | 2021-06-17 | Soitec | Substrate for an integrated radiofrequency device, and process for manufacturing same |
US10658474B2 (en) * | 2018-08-14 | 2020-05-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming thin semiconductor-on-insulator (SOI) substrates |
DE102018131946A1 (de) | 2018-12-12 | 2020-06-18 | RF360 Europe GmbH | Dünnfilm-SAW-Vorrichtung |
FR3098342B1 (fr) | 2019-07-02 | 2021-06-04 | Soitec Silicon On Insulator | structure semi-conductrice comprenant une couche poreuse enterrée, pour applications RF |
US11355340B2 (en) * | 2019-07-19 | 2022-06-07 | Iqe Plc | Semiconductor material having tunable permittivity and tunable thermal conductivity |
JP7500913B2 (ja) * | 2019-09-18 | 2024-06-18 | ソイテック | 弾性波デバイス用の変換器構造体 |
US11469137B2 (en) * | 2019-12-17 | 2022-10-11 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Manufacturing process of an RF-SOI trapping layer substrate resulting from a crystalline transformation of a buried layer |
FR3105574B1 (fr) * | 2019-12-19 | 2023-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Empilement multicouches de type semi-conducteur-sur-isolant, procédé d’élaboration associé, et module radiofréquence le comprenant |
CN113540339B (zh) * | 2020-04-21 | 2024-07-12 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种制备压电复合薄膜的方法及压电复合薄膜 |
CN113629182A (zh) * | 2020-05-08 | 2021-11-09 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种tc-saw复合衬底及其制备方法 |
US20220140812A1 (en) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | RF360 Europe GmbH | Multi mirror stack |
GB2625281A (en) * | 2022-12-12 | 2024-06-19 | Iqe Plc | Systems and methods for porous wall coatings |
FR3146020A1 (fr) * | 2023-02-20 | 2024-08-23 | Soitec | Support comprenant une couche de piégeage de charges, substrat composite comprenant un tel support et procédé de fabrication associés |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2994837B2 (ja) | 1992-01-31 | 1999-12-27 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の平坦化方法、半導体基板の作製方法、及び半導体基板 |
US6255731B1 (en) * | 1997-07-30 | 2001-07-03 | Canon Kabushiki Kaisha | SOI bonding structure |
JP4623451B2 (ja) | 1997-07-30 | 2011-02-02 | 忠弘 大見 | 半導体基板及びその作製方法 |
EP0969522A1 (en) * | 1998-07-03 | 2000-01-05 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | A thin-film opto-electronic device and a method of making it |
US6180497B1 (en) * | 1998-07-23 | 2001-01-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor base members |
JP2004014841A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4434592B2 (ja) * | 2003-01-14 | 2010-03-17 | キヤノン株式会社 | デバイス |
US20040152276A1 (en) | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Naoki Nishimura | Device, and substrate on which circuit and antenna are formed |
WO2005031842A2 (en) | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Universite Catholique De Louvain | Method of manufacturing a multilayer semiconductor structure with reduced ohmic losses |
TWI243496B (en) * | 2003-12-15 | 2005-11-11 | Canon Kk | Piezoelectric film element, method of manufacturing the same, and liquid discharge head |
JP2005340327A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006229282A (ja) | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Kyocera Corp | 薄膜バルク音響波共振子およびフィルタならびに通信装置 |
US7410883B2 (en) * | 2005-04-13 | 2008-08-12 | Corning Incorporated | Glass-based semiconductor on insulator structures and methods of making same |
FR2967812B1 (fr) | 2010-11-19 | 2016-06-10 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Dispositif electronique pour applications radiofrequence ou de puissance et procede de fabrication d'un tel dispositif |
US8481405B2 (en) * | 2010-12-24 | 2013-07-09 | Io Semiconductor, Inc. | Trap rich layer with through-silicon-vias in semiconductor devices |
JP5673170B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2015-02-18 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせ基板、貼り合わせ基板の製造方法、半導体デバイス、及び半導体デバイスの製造方法 |
FR2977070A1 (fr) * | 2011-06-23 | 2012-12-28 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat semi-conducteur comprenant du silicium poreux, et substrat semi-conducteur |
FR2977075A1 (fr) * | 2011-06-23 | 2012-12-28 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat semi-conducteur, et substrat semi-conducteur |
US20140212982A1 (en) * | 2013-01-29 | 2014-07-31 | University Of Saskatchewan | Methods of selectively detecting the presence of a compound in a gaseous medium |
-
2014
- 2014-08-01 FR FR1401800A patent/FR3024587B1/fr active Active
-
2015
- 2015-07-03 SG SG11201700606YA patent/SG11201700606YA/en unknown
- 2015-07-03 EP EP15742368.2A patent/EP3175477B1/fr active Active
- 2015-07-03 CN CN201580041382.5A patent/CN106575637B/zh active Active
- 2015-07-03 SG SG10201900450PA patent/SG10201900450PA/en unknown
- 2015-07-03 WO PCT/FR2015/051854 patent/WO2016016532A1/fr active Application Filing
- 2015-07-03 JP JP2017505533A patent/JP6643316B2/ja active Active
- 2015-07-03 US US15/500,721 patent/US10347597B2/en not_active Ceased
- 2015-07-03 US US16/920,274 patent/USRE49365E1/en active Active
- 2015-07-03 KR KR1020177002895A patent/KR102403499B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102403499B1 (ko) | 2022-05-31 |
US10347597B2 (en) | 2019-07-09 |
CN106575637A (zh) | 2017-04-19 |
US20170221839A1 (en) | 2017-08-03 |
JP2017532758A (ja) | 2017-11-02 |
WO2016016532A1 (fr) | 2016-02-04 |
EP3175477A1 (fr) | 2017-06-07 |
KR20170038819A (ko) | 2017-04-07 |
FR3024587A1 (fr) | 2016-02-05 |
SG11201700606YA (en) | 2017-02-27 |
SG10201900450PA (en) | 2019-02-27 |
FR3024587B1 (fr) | 2018-01-26 |
CN106575637B (zh) | 2019-11-19 |
USRE49365E1 (en) | 2023-01-10 |
EP3175477B1 (fr) | 2021-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6643316B2 (ja) | 無線周波アプリケーションの構造 | |
CN107004572B (zh) | 用于射频应用的结构 | |
TWI733831B (zh) | 用於射頻應用之結構 | |
JP2018501651A5 (ja) | ||
JP7464631B2 (ja) | 高周波アプリケーション用の埋め込みポーラス層を含む半導体構造 | |
TWI764978B (zh) | 用於射頻應用之結構 | |
US20110248602A1 (en) | Acoustic resonator comprising an electret and method of producing said resonator, application to switchable coupled resonator filters | |
TWI849089B (zh) | 供無線射頻應用之包含埋置多孔層之半導體結構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180611 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6643316 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |