JP6601350B2 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

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Description

本発明は高周波モジュール及び通信装置に関する。
従来、各種の通信装置において、信号経路の切り替えが可能な高周波回路が用いられている（例えば、特許文献１）。
図６は、特許文献１に開示される高周波回路のブロック図である。当該高周波回路は、第１及び第２のアンテナ端子ＡＮＴ１、ＡＮＴ２、差動の送信端子Ｔｘ、第１の受信端子Ｒｘ１、及び第２の受信端子Ｒｘ２、並びにスイッチング回路ＤＰ３Ｔを有する。スイッチング回路ＤＰ３Ｔは、電源端子Ｖａ１、Ｖａ２、Ｖｔ、Ｖｒに供給される電圧に応じて、所望の信号経路の接続／非接続を切り替える。また、電源端子Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２、Ｖｂ、Ｖａｔｔ、ＶｂＬ１、ＶｂＬ２、ＶｃＬに供給される電圧に応じて、高周波増幅回路ＨＰＡ、低雑音増幅回路ＬＮＡ１、ＬＮＡ２がＯＮ／ＯＦＦされる。
当該高周波回路は、これらの電源端子に供給される電圧の組み合わせに応じて、例えば、送受信動作の切り替え、及び送信動作における最適アンテナの選択（いわゆる送信ダイバーシティ動作）を行う。
また、特許文献１には、印加する電圧の高／低が常に同じ電圧を供給するための電源端子は共通化（共用）できること、及び共用により電源端子数や電源ラインを少なくでき、回路部品の構造の簡素化、小型化が行いやすくなることが記載されている。
国際公開第２０１１／０６１９４６号
しかしながら、電源端子や電源配線をただ共用しただけでは、共用した電源端子や電源配線を介したノイズの回り込みが懸念される。
そこで、本発明は、電源端子や電源配線を複数の回路への電源供給に共用しつつ、共用した電源端子や電源配線を介して回り込むノイズを抑制できる高周波モジュールを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、基板と、前記基板上に配置され、電源から電力供給を受けるための受電端子と、前記基板上に配置された増幅回路と、前記基板上に配置され、帯域が異なる複数の信号を切り替えて前記増幅回路へ出力するスイッチ回路と、前記受電端子から前記スイッチ回路の電源端子に至る第１の導電経路と、前記第１の導電経路上の分岐点から前記増幅回路の電源端子に至る第２の導電経路と、前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路の少なくとも一方から分岐し、グランドに至る第３の導電経路と、前記第３の導電経路に挿入されたコンデンサと、を備え、前記第２の導電経路の第２インダクタンスは、前記第１の導電経路の前記分岐点から前記スイッチ回路の電源端子に至る専有部分の第１インダクタンスより大きい。
この構成によれば、前記受電端子で受け取った電源電圧を、前記第１の導電経路の前記受電端子から前記分岐点に至る部分を共用して、前記増幅回路と前記スイッチ回路とに供給している。そのため、受電端子数の削減や導電経路の単純化は実現されるものの、前記スイッチ回路のノイズが、前記第１及び第２の導電経路を通って、前記増幅回路へ回り込む懸念が生じる。この懸念に対し、前記第２の導電経路の前記第２インダクタンスを、前記第１の導電経路の前記分岐点から前記スイッチ回路の電源端子に至る専有部分の前記第１インダクタンスより大きく設けている。これにより、前記スイッチ回路から、前記第１及び第２の導電経路を通って、前記増幅回路へ回り込むノイズは、前記第２の導電経路で減衰される。その結果、電源端子や電源配線を複数の回路への電源供給に共用しつつ、共用した電源端子や電源配線を介して回り込むノイズを抑制できる高周波モジュールが得られる。
さらには、前記コンデンサによって、電源ノイズが前記増幅回路及び前記スイッチ回路に及ぼす影響が低減されるので、優れたノイズ特性を持つ高周波モジュールが得られる。
また、前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路は、第１の配線導体及び第２の配線導体でそれぞれ構成され、前記第２の配線導体の長さは、前記第１の配線導体の前記分岐点から前記スイッチ回路の前記電源端子に至る専有部分の長さより長くてもよい。
この構成によれば、前記第２の配線導体及び前記第１の配線導体の専有部分のそれぞれの単位長あたりのインダクタンスの値が略等しいことを前提としたとき、前記第２インダクタンスを前記第１インダクタンスよりも大きく構成することができる。
また、前記第１の導電経路は、第１の配線導体で構成され、前記第２の導電経路は、第２の配線導体と、当該第２の配線導体に挿入されたインダクタ素子とで構成されていてもよい。
この構成によれば、前記インダクタ素子のインダクタンスに応じて、前記第２インダクタンスを前記第１インダクタンスよりも大きく構成することができる。
また、前記スイッチ回路と前記増幅回路とは、単一の集積回路チップ内に設けられ、前記スイッチ回路の電源端子は前記集積回路チップの第１の電源端子であり、前記増幅回路の電源端子は、前記集積回路チップの第２の電源端子であってもよい。
この構成によれば、前記スイッチ回路と前記増幅回路とを単一の集積回路チップで構成するので、高周波モジュールを小型化できる。
また、前記高周波モジュールは、前記基板上に配置された分波回路と、前記スイッチ回路から前記分波回路に至る第４の導電経路と、をさらに備え、前記基板を平面視したとき、前記第４の導電経路は、前記第１の導電経路、前記第２の導電経路、及び前記第３の導電経路のいずれの１つとも交差しないとしてもよい。
この構成によれば、前記基板の平面視において、信号の経路である前記第４の導電経路が、電源の経路である前記第１、第２、第３の導電経路のいずれとも交差しないので、高周波モジュールのノイズ特性をさらに向上できる。
また、前記コンデンサは、セラミックコンデンサであってもよい。
この構成によれば、前記コンデンサに、一般的に容量あたりの体積が小さいセラミックコンデンサを採用するので、高周波モジュールを小型化できる。
本発明に係る高周波モジュールによれば、電源端子や電源配線を複数の回路への電源供給に共用しつつ、共用した電源端子や電源配線を介して回り込むノイズを抑制できる高周波モジュールが得られる。
実施の形態１に係る高周波モジュールの機能的な構成の一例を示すブロック図である。 実施の形態１に係る高周波モジュールの要部の機能的な構成の一例を示すブロック図である。 実施の形態１に係る高周波モジュールにおける導電経路の配置例を示す平面図である。 実施の形態１に係る高周波モジュールにおける導電経路の配置例を示す断面図である。 実施の形態１の変形例に係る高周波モジュールの要部の機能的な構成の一例を示すブロック図である。 実施の形態２に係る通信装置の機能的な構成の一例を示すブロック図である。 従来例に係る高周波回路のブロック図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ又は大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
（実施の形態１）
実施の形態１に係る高周波モジュールは、例えば、マルチバンド（複数の周波数帯域）／マルチモード（複数の無線通信規格）に対応する通信装置のフロントエンド回路に用いられる複合部品である。当該高周波モジュールは、互いに異なるバンド／モードの高周波（ＲＦ）信号を処理する複数の信号経路を有し、信号経路の接続／非接続の切り替えにより、所望のバンド／モードのＲＦ信号を処理する。
図１は、実施の形態１に係る高周波モジュールの機能的な構成の一例を示すブロック図である。図１に示される高周波モジュール１００は、異なる３つのバンドＢａｎｄ Ａ、Ｂａｎｄ Ｂ、Ｂａｎｄ Ｃの中から選択される１つの選択バンドのＲＦ信号を処理する。３つのバンドのそれぞれは、異なる無線通信規格に対応するバンドであってもよい。各バンドでは、送信用のサブバンドと受信用のサブバンドとを用いて、周波数分割による全二重通信が行われる。
高周波モジュール１００は、電力増幅器（ＰＡ）１１１、送信スイッチ１１２、低雑音増幅器（ＬＮＡ）１２１、受信スイッチ１２２、バンドごとのデュプレクサ１３１、１３２、１３３、アンテナスイッチ１３４、電源供給回路１４０を備える。
ＰＡ１１１は、ＲＦ信号入力端子１０１で受信した送信ＲＦ信号を増幅し、送信スイッチ１１２へ送信する。
送信スイッチ１１２は、ＰＡ１１１から受信した送信ＲＦ信号を、図示していない制御信号に従って、選択バンドの信号経路へ出力する。
ＬＮＡ１２１は、受信スイッチ１２２から受信した受信ＲＦ信号を増幅し、ＲＦ信号出力端子１０２へ出力する。
受信スイッチ１２２は、デュプレクサ１３１、１３２、１３３からそれぞれ受信ＲＦ信号を受信する。受信スイッチ１２２は、受信した受信ＲＦ信号のうち、図示していない制御信号に従って、選択バンドの受信ＲＦ信号をＬＮＡ１２１へ出力する。
デュプレクサ１３１、１３２、１３３は、バンドごとに設けられ、当該バンド内の送信サブバンドの送信ＲＦ信号と受信サブバンドの受信ＲＦ信号とを混合／分離する。
アンテナスイッチ１３４は、図示していない制御信号に従って、選択バンドの信号経路と、アンテナ端子１０３とを接続する。
受電端子１０４及びグランド端子１０５は、図示していない電源回路から、電源電圧及びグランド電圧をそれぞれ受け取る。
電源供給回路１４０は、単一の受電端子１０４で受け取った電源電圧を、ＬＮＡ１２１及び受信スイッチ１２２へ供給する回路である。なお、ＰＡ１１１、送信スイッチ１１２、アンテナスイッチ１３４への電源供給回路の図示は省略しているが、電源供給回路１４０と同様の電源供給回路が利用可能である。
この構成において、ＬＮＡ１２１は増幅回路の一例であり、受信スイッチ１２２はスイッチ回路の一例である。また、デュプレクサ１３１、１３２、１３３の各々は、分波回路の一例である。
次に、高周波モジュール１００の電源供給回路１４０を含む要部について説明する。
図２は、高周波モジュール１００の要部の機能的な構成の一例を示すブロック図である。図２の例において、ＬＮＡ１２１及び受信スイッチ１２２は、単一の集積回路（ＩＣ）チップ１２０内に設けられる。ＩＣチップ１２０は、受信スイッチ１２２の電源端子である電源端子１２６と、ＬＮＡ１２１の電源端子である電源端子１２７とを有する。
電源供給回路１４０は、受電端子１０４から受信スイッチ１２２の電源端子１２６に至る第１の導電経路１４１と、第１の導電経路１４１上の分岐点１４３からＬＮＡ１２１の電源端子１２７に至る第２の導電経路１４２とを有する。ここで、第２の導電経路１４２の第２インダクタンスＬ２が、第１の導電経路１４１の分岐点１４３からスイッチ回路の電源端子１２６に至る専有部分の第１インダクタンスＬ１より大きくなるように、第１及び第２の導電経路１４１、１４２は設けられる。
また、電源供給回路１４０は、第１の導電経路１４１及び第２の導電経路１４２の少なくとも一方（図２の例では、第１の導電経路１４１）から分岐し、グランドに至る第３の導電経路１４５と、第３の導電経路１４５に挿入されたコンデンサ１４４とを有する。
また、高周波モジュール１００は、第４の導電経路１２３、１２４、１２５を有する。第４の導電経路１２３、１２４、１２５は、受信スイッチ１２２と、デュプレクサ１３１、１３２、１３３（図２では示さず）とをそれぞれ接続する。
この構成によれば、受電端子１０４で受け取った電源電圧を、第１の導電経路１４１の受電端子１０４から分岐点１４３に至る部分を共用して、ＬＮＡ１２１と受信スイッチ１２２とに供給している。また、第２の導電経路１４２の第２インダクタンスＬ２を、第１の導電経路１４１の分岐点１４３から受信スイッチ１２２の電源端子１２６に至る専有部分の第１インダクタンスＬ１より大きく設けている。
これにより、受信スイッチ１２２から、第１及び第２の導電経路１４１、１４２を通って、ＬＮＡ１２１へ回り込むノイズは、第２の導電経路１４２で減衰される。その結果、受電端子１０４及び第１の導電経路１４１の一部を、ＬＮＡ１２１及び受信スイッチ１２２への電源供給に共用しつつ、受信スイッチ１２２からＬＮＡ１２１へ回り込むノイズが抑制される。
さらには、コンデンサ１４４によって、電源ノイズがＬＮＡ１２１及び受信スイッチ１２２に及ぼす影響が低減されるので、優れたノイズ特性を持つ高周波モジュール１００が得られる。
次に、図２の機能構成に対応する高周波モジュール１００の構造（特には、導電経路の配置）について説明する。
図３及び図４は、高周波モジュール１００の構造の一例を示す平面図及び断面図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線を矢印方向に見た断面に相当するが、理解の便宜のため、別断面に位置する構成要素も適宜図示している。
高周波モジュール１００は、基板１５０上に構成される。図３及び図４の例において、基板１５０は多層配線基板である。
基板１５０の一方主面には、ＬＮＡ１２１及び受信スイッチ１２２を含むＩＣチップ１２０、デュプレクサ１３１、１３２、１３３、並びにコンデンサ１４４が面実装されている。また、基板１５０の他方主面には、受電端子１０４及びグランド端子１０５を含む複数の表面電極が設けられている。高周波モジュール１００は、当該複数の表面電極を介して、プリント配線基板などのマザー基板に実装される。
基板１５０の内層には、グランドプレーンとしての面内導体１４６２が設けられている。面内導体１４６２は、層間導体１４６１でグランド端子１０５に接続されている。
第１の導電経路１４１は、層間導体１４１１、１４１３及び面内導体１４１２で構成される。
層間導体１４１１の一端は、受電端子１０４に接続されている。層間導体１４１３の一端は、ＩＣチップ１２０に設けられた受信スイッチ１２２の電源端子１２６に接続されている。
第２の導電経路１４２は、面内導体１４２１及び層間導体１４２２で構成される。
面内導体１４２１の一端は、面内導体１４１２の分岐点１４３に接続されている。層間導体１４２２の一端は、ＩＣチップ１２０に設けられたＬＮＡ１２１の電源端子１２７に接続されている。
面内導体１４１２、１４２１は分岐点１４３を含む単一の導体箔であってもよく、その場合、分岐点１４３を境として、当該導体箔の一方部分が面内導体１４１２であり、他方部分が面内導体１４２１である。
第３の導電経路１４５は、層間導体１４５１、１４５２で構成される。層間導体１４５１の一端は、面内導体１４１２に接続され、他端は、コンデンサ１４４の一端に接続されている。層間導体１４５２の一端は、コンデンサ１４４の他端に接続され、他端は、面内導体１４６２に接続されている。層間導体１４５２と面内導体１４１２とは、別断面にあり、接続していない。
第４の導電経路１２３、１２４、１２５は、基板１５０に設けられる面内導体１２３１、１２４１、１２５１と層間導体（図示せず）とで、それぞれ構成される。第４の導電経路１２３、１２４、１２５は、デュプレクサ１３１、１３２、１３３から受信スイッチ１２２を含むＩＣチップ１２０へ、バンドごとの受信ＲＦ信号を伝達する。
上述のように配置された導電経路によって、図２に示される高周波モジュール１００の要部が構成される。
図３及び図４の例では、層間導体１４１１、１４１３及び面内導体１４１２が、第１の導電経路１４１を構成する第１の配線導体に対応する。第１の配線導体の分岐点１４３から受信スイッチ１２２の電源端子１２６に至る専有部分の長さは、面内導体１４１２の分岐点１４３から層間導体１４１３に至る部分の長さと層間導体１４１３の高さとの和で表される。
また、面内導体１４２１及び層間導体１４２２が、第２の導電経路１４２を構成する第２の配線導体に対応する。第２の配線導体の長さは、面内導体１４２１の長さと層間導体１４２２の高さとの和で表される。
なお、一般に、層間導体の高さは面内導体の長さに比べて十分に小さいので、層間導体の高さを無視し、面内導体の長さのみで配線導体の長さを表してもよい。
ここで、第２の配線導体の長さは、第１の配線導体の専有部分の長さより長い。つまり、第２の配線導体及び第１の配線導体の専有部分のそれぞれの単位長あたりのインダクタンスの値が略等しいことを前提としたとき、第２の導電経路１４２の第２インダクタンスＬ２を、第１の導電経路１４１の専有部分の第１インダクタンスＬ１より大きく構成することができる。
また、図３に示すように、基板１５０の平面視において、受信ＲＦ信号の経路である第４の導電経路１２３、１２４、１２５が、電源の経路である第１、第２、第３の導電経路１４１、１４２、１４５のいずれとも交差していない。これにより、第１、第２、第３の導電経路１４１、１４２、１４５から第４の導電経路１２３、１２４、１２５へ回り込むノイズが低減するので、高周波モジュール１００のノイズ特性が向上する。
なお、上記では、第２の導電経路１４２の第２インダクタンスＬ２を、第１の導電経路１４１の専有部分の第１インダクタンスＬ１より大きく構成するために、第２の配線導体の長さを第１の配線導体の専有部分の長さより長く設けたが、この例には限られない。
例えば、図示は省略するが、第２の導電経路１４２に、インダクタ素子を挿入することによって、第２インダクタンスＬ２を、第１インダクタンスＬ１より大きく構成してもよい。この場合、第１の導電経路１４１は、前述と同様、第１の配線導体で構成され、第２の導電経路１４２は、第２の配線導体と、当該第２の配線導体に挿入されたインダクタ素子とで構成される。
この構成によれば、インダクタ素子のインダクタンスに応じて、第２インダクタンスＬ２を第１インダクタンスＬ１より大きく構成することができる。
次に、高周波モジュールの変形例について説明する。
図５は、変形例に係る高周波モジュール１００ａの要部の機能的な構成の一例を示すブロック図である。高周波モジュール１００ａは、図２の高周波モジュール１００と比べて、電源供給回路１４０ａが変更される。電源供給回路１４０ａには、第５の導電経路１４７と、第５の導電経路１４７に挿入されたコンデンサ１４６とが追加される。
これにより、コンデンサ１４４、１４６の双方によって、電源ノイズがＬＮＡ１２１及び受信スイッチ１２２に及ぼす影響が低減されるので、さらに優れたノイズ特性を持つ高周波モジュール１００ａが得られる。
（実施の形態２）
実施の形態２では、実施の形態１及びその変形例に係る高周波モジュールを備える通信装置について説明する。
図６は、実施の形態２に係る通信装置１の機能的な構成の一例を示すブロック図である。図６に示されるように、通信装置１は、フロントエンド回路１０、ＲＦ信号処理回路２０、及びベースバンド信号処理回路３０を備える。
フロントエンド回路１０は、ＲＦ信号処理回路２０で生成された送信ＲＦ信号を電力増幅器により増幅してアンテナ４０へ供給し、アンテナ４０で受信された受信ＲＦ信号を低雑音増幅器により増幅してＲＦ信号処理回路２０へ供給する。フロントエンド回路１０は、実施の形態１及びその変形例に係る高周波モジュールで構成される。
ＲＦ信号処理回路２０は、ベースバンド信号処理回路３０で生成された送信信号を送信ＲＦ信号に変換し、フロントエンド回路１０へ供給する。当該変換は、信号の変調及びアップコンバートを含んでもよい。また、フロントエンド回路１０から受信した受信ＲＦ信号を受信信号に変換し、ベースバンド信号処理回路３０へ供給する。当該変換は、信号の復調及びダウンコンバートを含んでもよい。ＲＦ信号処理回路２０は、高周波集積回路（ＲＦＩＣ）チップで構成されてもよい。
ベースバンド信号処理回路３０は、応用装置／応用ソフトウェアで生成された送信データを送信信号に変換し、ＲＦ信号処理回路２０へ供給する。当該変換は、データの圧縮、多重化、誤り訂正符号の付加を含んでもよい。また、ＲＦ信号処理回路２０から受信した受信信号を受信データに変換し、応用装置／応用ソフトウェアへ供給する。当該変換は、データの伸長、多重分離、誤り訂正を含んでもよい。ベースバンド信号処理回路３０は、ベースバンド集積回路（ＢＢＩＣ）チップで構成されてもよい。
応用装置／応用ソフトウェアは、送信データ及び受信データを用いて、音声通話や画像表示などの応用動作を行う。
通信装置１によれば、フロントエンド回路１０に、実施の形態１及びその変形例に係る高周波モジュールを用いることにより、電源端子や電源配線を複数の回路への電源供給に共用しつつ、共用した電源端子や電源配線を介して回り込むノイズを抑制できる。
以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置について説明したが、本発明は、個々の実施の形態には限定されない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の一つ又は複数の態様の範囲内に含まれてもよい。
例えば、図１の高周波モジュール１００では、ＬＮＡ１２１の出力を単一のＲＦ信号出力端子１０２に出力しているが、ＲＦ信号出力端子１０２は１つには限られない。
例えば、図示はしていないが、複数のＲＦ信号出力端子と出力スイッチとを設け、ＬＮＡ１２１の出力を、当該出力スイッチで、当該複数のＲＦ信号出力端子に切り替えて出力してもよい。
この場合、電源供給回路１４０は、受信スイッチ１２２に代えて当該出力スイッチとＬＮＡ１２１とに電源電圧を供給する。当該出力スイッチからＬＮＡ１２１へ回り込むノイズは、実施の形態での説明と同様にして、電源供給回路１４０で減衰される。
その結果、電源端子や電源配線を複数の回路への電源供給に共用しつつ、共用した電源端子や電源配線を介して回り込むノイズを抑制できる高周波モジュールが得られる。
本発明は、高周波モジュールとして、各種の通信装置に広く利用できる。
１ 通信装置
１０ フロントエンド回路
２０ ＲＦ信号処理回路
３０ ベースバンド信号処理回路
４０ アンテナ
１００、１００ａ 高周波モジュール
１０１ ＲＦ信号入力端子
１０２ ＲＦ信号出力端子
１０３ アンテナ端子
１０４ 受電端子
１０５ グランド端子
１１１ ＰＡ
１１２ 送信スイッチ
１２０ ＩＣチップ
１２１ ＬＮＡ
１２２ 受信スイッチ
１２３、１２４、１２５ 第４の導電経路
１２６ 受信スイッチの電源端子
１２７ ＬＮＡの電源端子
１３１、１３２、１３３ デュプレクサ
１３４ アンテナスイッチ
１４０、１４０ａ 電源供給回路
１４１ 第１の導電経路
１４２ 第２の導電経路
１４３ 分岐点
１４４、１４６ コンデンサ
１４５ 第３の導電経路
１４７ 第５の導電経路
１５０ 基板
１２３１、１４１２、１４２１、１４６２ 面内導体
１４１１、１４１３、１４２２、１４５１、１４５２、１４６１ 層間導体

Claims (7)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置され、電源から電力供給を受けるための受電端子と、
    前記基板上に配置された増幅回路と、
    前記基板上に配置され、複数の信号を切り替えて前記増幅回路と通信するスイッチ回路と、
    前記受電端子から前記スイッチ回路の電源端子に至る第１の導電経路と、
    前記第１の導電経路上の分岐点から前記増幅回路の電源端子に至る第２の導電経路と、
    前記第１の導電経路又は前記第２の導電経路の少なくとも一方から分岐し、グランドに至る第３の導電経路と、
    前記第３の導電経路に挿入されたコンデンサと、を備え、
    前記第１の導電経路の前記分岐点から前記スイッチ回路の電源端子に至る専有部分のインダクタンス値を第１インダクタンスとし、前記第２の導電経路のインダクタンス値を第２インダクタンスとしたとき、前記第２インダクタンスは前記第１インダクタンスより大きい、
    高周波モジュール。
  2. 前記第１の導電経路は、第１の配線導体で構成され、
    前記第２の導電経路は、第２の配線導体で構成され、
    前記第２の配線導体の長さは、前記第１の配線導体の前記分岐点から前記スイッチ回路の前記電源端子に至る専有部分の長さより長い、
    請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 前記第１の導電経路は、第１の配線導体で構成され、
    前記第２の導電経路は、第２の配線導体と、当該第２の配線導体に挿入されたインダクタ素子とで構成されている、
    請求項１に記載の高周波モジュール。
  4. 前記スイッチ回路と前記増幅回路とは、単一の集積回路チップ内に設けられ、前記スイッチ回路の電源端子は前記集積回路チップの第１の電源端子であり、前記増幅回路の電源端子は、前記集積回路チップの第２の電源端子である、
    請求項１から３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 前記基板上に配置された分波回路と、
    前記スイッチ回路から前記分波回路に至る第４の導電経路と、をさらに備え、
    前記基板を平面視したとき、前記第４の導電経路は、前記第１の導電経路、前記第２の導電経路、及び前記第３の導電経路のいずれの１つとも交差しない、
    請求項１から４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  6. 前記コンデンサは、セラミックコンデンサである、
    請求項１から５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 請求項１から６にいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
    前記高周波モジュールへ高周波送信信号を送信し、前記高周波モジュールから高周波受信信号を受信するＲＦ信号処理回路と、
    を備える通信装置。
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