KR20210083169A - 고주파 모듈 및 통신 장치 - Google Patents
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Abstract
고주파 모듈(1)은 통신 밴드 A를 위한 듀플렉서(61)와, 듀플렉서(61)에 접속된 전력 증폭기(11) 및 저잡음 증폭기(21)와, 통신 밴드 B를 위한 전력 증폭기(12) 및 저잡음 증폭기(22)와, 안테나 접속 단자(100) 및 전력 증폭기(12)의 접속과 안테나 접속 단자(100) 및 저잡음 증폭기(22)의 접속을 스위칭하는 스위치(51)를 구비하고, 전력 증폭기(11 및 12)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 배치되고, 저잡음 증폭기(21 및 22)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치된 반도체 IC(20)에 내장되고, 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(11)와 반도체 IC(20)의 거리는 전력 증폭기(12)와 반도체 IC(20)의 거리보다 크다.
Description
본 발명은 고주파 모듈 및 통신 장치에 관한 것이다.
휴대전화 등의 이동체 통신 기기에서는, 특히 멀티밴드화의 진전에 따라 고주파 프런트 엔드 회로를 구성하는 회로 부품의 배치 구성이 복잡화되어 있다.
그런데 특허문헌 1에서는 프런트 엔드 모듈이 주파수 분할 복신(FDD: Frequency Division Duplex)의 신호 경로뿐만 아니라 시분할 복신(TDD: Time Division Duplex)의 신호 경로를 가져도 좋은 것이 개시되어 있다. 즉, 특허문헌 1에는 송신 및 수신이 동시에 행해지는 통신 밴드와 송신 및 수신이 시간적으로 스위칭되어 행해지는 통신 밴드의 양쪽을 이용 가능한 시스템이 시사되어 있다.
그러나 상기 종래 기술에는 송신 및 수신이 동시에 행해지는 통신 밴드와 송신 및 수신이 시간적으로 스위칭되어 행해지는 통신 밴드의 양쪽을 이용 가능한 시스템에 있어서 프런트 엔드 모듈의 회로 부품을 어떻게 배치하면 좋은지가 개시되어 있지 않고, 특히 양면 실장형의 모듈에 있어서 송신 회로 및 수신 회로 사이의 아이솔레이션 특성의 저하가 우려된다.
그래서 본 발명은 송신 및 수신이 동시에 행해지는 통신 밴드와 송신 및 수신이 시간적으로 스위칭되어 행해지는 통신 밴드의 양쪽을 이용 가능한 시스템에 있어서 송신 회로 및 수신 회로 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있는 양면 실장형의 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공한다.
본 발명의 일실시형태에 의한 고주파 모듈은 제 1 통신 밴드의 송신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 제 1 필터 및 상기 제 1 통신 밴드의 수신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 제 2 필터를 포함하는 듀플렉서와, 상기 제 1 필터에 접속되고, 상기 제 1 통신 밴드의 송신 신호를 증폭하는 제 1 전력 증폭기와, 상기 제 2 필터에 접속되고, 상기 제 1 통신 밴드의 수신 신호를 증폭하는 제 1 저잡음 증폭기와, 상기 제 1 통신 밴드와 상이한 제 2 통신 밴드의 송신 신호를 증폭하는 제 2 전력 증폭기와, 상기 제 2 통신 밴드의 수신 신호를 증폭하는 제 2 저잡음 증폭기와, 안테나 접속 단자 및 상기 제 2 전력 증폭기의 접속과 상기 안테나 접속 단자 및 상기 제 2 저잡음 증폭기의 접속을 스위칭하는 스위치와, 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 구비하고, 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기는 상기 제 1 주면에 배치되고, 상기 제 1 저잡음 증폭기 및 상기 제 2 저잡음 증폭기는 상기 제 2 주면에 배치된 반도체 집적 회로에 내장되고, 상기 기판의 평면으로부터 볼 때에 있어서 상기 제 1 전력 증폭기와 상기 반도체 집적 회로 사이의 거리는 상기 제 2 전력 증폭기와 상기 반도체 집적 회로 사이의 거리보다 크다.
(발명의 효과)
본 발명의 일실시형태에 의한 고주파 모듈에 의하면 송신 및 수신이 동시에 행해지는 통신 밴드와 송신 및 수신이 시간적으로 스위칭되어 행해지는 통신 밴드의 양쪽을 이용 가능한 시스템에 있어서 송신 회로 및 수신 회로 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시형태에 의한 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 2는 실시형태에 의한 고주파 모듈의 평면도이다.
도 3은 실시형태에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 4는 변형예 1에 의한 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 5는 변형예 1에 의한 고주파 모듈의 평면도이다.
도 6은 변형예 2에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 2는 실시형태에 의한 고주파 모듈의 평면도이다.
도 3은 실시형태에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
도 4는 변형예 1에 의한 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 5는 변형예 1에 의한 고주파 모듈의 평면도이다.
도 6은 변형예 2에 의한 고주파 모듈의 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태 및 그 변형예에 대해서 도면을 사용해서 상세하게 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 실시형태 및 그 변형예는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태 및 그 변형예에 의해 나타내어지는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치, 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지는 아니다.
또한, 각 도면은 본 발명을 나타내기 위해서 적당히 강조, 생략, 또는 비율의 조정을 행한 모식도이며, 반드시 엄밀하게 도시된 것은 아니고, 실제의 형상, 위치 관계, 및 비율과는 상이한 경우가 있다. 각 도면에 있어서 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 있으며, 중복되는 설명은 생략 또는 간소화되는 경우가 있다.
이하의 각 도면에 있어서 X축 및 Y축은 모듈 기판의 주면과 평행인 평면 상에서 서로 직교하는 축이다. 또한, Z축은 모듈 기판의 주면에 수직인 축이며, 그 ＋방향은 상방향을 나타내고, 그 -방향은 하방향을 나타낸다.
또한, 본 발명에 있어서의 용어의 의미는 이하와 같다.
·「접속된다」란 접속 단자 및/또는 배선 도체에 의해 직접 접속되는 경우뿐만 아니라 다른 회로 소자를 통해 전기적으로 접속되는 경우도 포함한다.
·「평행」 및 「수직」 등의 요소 간의 관계성을 나타내는 용어, 및 「직사각형」 등의 요소의 형상을 나타내는 용어, 및 수치 범위는 엄격한 의미만을 나타내는 것은 아니고, 실질적으로 동등한 범위, 예를 들면 수% 정도의 차이도 포함하는 것을 의미한다.
·「기판의 평면으로부터 볼 때」란 Z축 ＋측으로부터 XY 평면으로 물체를 정투영해서 보는 것을 의미한다.
·「기판의 평면으로부터 볼 때에 있어서 C가 A와 B 사이에 위치한다」란 기판의 평면으로부터 볼 때에 있어서 A 내의 임의의 점과 B 내의 임의의 점을 잇는 선분이 C를 지나는 것을 의미한다.
(실시형태)
실시형태에 대해서 도 1~도 3을 참조하면서 설명한다.
[1.1 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성]
본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 실시형태에 의한 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성도이다.
[1.1.1 통신 장치(5)의 회로 구성]
우선, 통신 장치(5)의 회로 구성에 대해서 도 1을 참조하면서 구체적으로 설명한다. 도 1에 나타내는 바와 같이 통신 장치(5)는 고주파 모듈(1)과, 안테나(2)와, RFIC(3)와, BBIC(4)를 구비한다.
고주파 모듈(1)은 안테나(2)와 RFIC(3) 사이에서 고주파 신호를 전송한다. 고주파 모듈(1)의 상세한 회로 구성에 대해서는 후술한다.
안테나(2)는 고주파 모듈(1)의 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 고주파 모듈(1)로부터 출력된 고주파 신호를 방사하고, 또한 외부로부터의 고주파 신호를 수신해서 고주파 모듈(1)로 출력한다.
RFIC(3)는 안테나(2)에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 신호 처리 회로의 일례이다. 구체적으로는 RFIC(3)는 고주파 모듈(1)의 수신 신호 경로를 통해 입력된 고주파 수신 신호를 다운 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리해서 생성된 수신 신호를 BBIC(4)로 출력한다. 또한, RFIC(3)는 BBIC(4)로부터 입력된 송신 신호를 업 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리해서 생성된 고주파 송신 신호를 고주파 모듈(1)의 송신 신호 경로에 출력한다.
BBIC(4)는 고주파 모듈(1)이 전송하는 고주파 신호보다 저주파의 중간 주파수 대역을 사용해서 신호 처리하는 베이스 밴드 신호 처리 회로이다. BBIC(4)에서 처리된 신호는, 예를 들면 화상 표시를 위한 화상 신호로서 사용되거나 또는 스피커를 통한 통화를 위해서 음성 신호로서 사용된다.
또한, RFIC(3)는 사용되는 통신 밴드에 의거하여 고주파 모듈(1)이 갖는 스위치(51 및 53)의 접속을 제어한다. 또한, RFIC(3)는 고주파 모듈(1)의 전력 증폭기(11)의 이득 등을 조정하기 위한 제어 신호를 고주파 모듈(1)에 전달한다.
또한, 본 실시형태에 의한 통신 장치(5)는 안테나(2) 및 BBIC(4)를 구비하지 않아도 좋다. 즉, 안테나(2) 및 BBIC(4)는 본 발명에 의한 통신 장치에 필수 구성요소는 아니다.
[1.1.2 고주파 모듈(1)의 회로 구성]
이어서, 고주파 모듈(1)의 회로 구성에 대해서 도 1을 참조하면서 구체적으로 설명한다. 도 1에 나타내는 바와 같이 고주파 모듈(1)은 전력 증폭기(11 및 12)와, 저잡음 증폭기(21 및 22)와, 스위치(51 및 53)와, 듀플렉서(61)와, 필터(62)와, 안테나 접속 단자(100)와, 송신 입력 단자(111 및 112)와, 수신 출력 단자(121 및 122)를 구비한다.
전력 증폭기(11)는 제 1 전력 증폭기의 일례이며, 송신 입력 단자(111)로부터 입력된 고주파 송신 신호를 증폭한다. 구체적으로는 전력 증폭기(11)는 송신 필터(61T)에 접속되어 통신 밴드 A의 송신 신호를 증폭한다.
전력 증폭기(12)는 제 2 전력 증폭기의 일례이며, 송신 입력 단자(112)로부터 입력된 고주파 송신 신호를 증폭한다. 구체적으로는 전력 증폭기(12)는 스위치(51)를 통해 필터(62)에 접속되어 통신 밴드 B의 송신 신호를 증폭한다.
본 실시형태에 있어서 통신 밴드 A는 제 1 통신 밴드의 일례이며, 복신 모드로서 FDD가 적용되는 통신 밴드이다. 또한, 통신 밴드 B는 제 2 통신 밴드의 일례이며, 복신 모드로서 TDD가 적용되는 통신 밴드이다. 구체적으로는 통신 밴드 A로서는, 예를 들면 LTE(Long Term Evolution) 밴드의 Band1(송신 대역: 1920-1980㎒, 수신 대역: 2110-2170㎒) 또는 Band3(송신 대역: 1710-1785㎒, 수신 대역: 1805-1880㎒) 등을 사용할 수 있다. 또한, 통신 밴드 B로서는, 예를 들면 LTE 밴드의 Band39(1880-1920㎒), Band40(2300-2400㎒) 또는 Band41(2496-2690㎒) 등을 사용할 수 있다. 또한, 통신 밴드 A 및 통신 밴드 B는 이들 통신 밴드에 한정되지 않고, 상이한 주파수 대역의 통신 밴드이어도 좋고, 상이한 통신 시스템(예를 들면, 제 5 세대 이동 통신 시스템 또는 무선 LAN 시스템 등)의 통신 밴드이어도 좋다.
저잡음 증폭기(21)는 제 1 저잡음 증폭기의 일례이며, 고주파 수신 신호를 증폭해서 수신 출력 단자(121)에 출력한다. 구체적으로는 저잡음 증폭기(21)는 수신 필터(61R)에 접속되고, 수신 필터(61R)를 통과한 통신 밴드 A의 수신 신호를 저잡음으로 증폭한다.
저잡음 증폭기(22)는 제 2 저잡음 증폭기의 일례이며, 고주파 수신 신호를 증폭해서 수신 출력 단자(122)에 출력한다. 구체적으로는 저잡음 증폭기(21)는 스위치(51)를 통해 필터(62)에 접속되고, 필터(62)를 통과한 통신 밴드 B의 수신 신호를 저잡음으로 증폭한다.
듀플렉서(61)는 통신 밴드 A의 고주파 신호를 통과시킨다. 구체적으로는 듀플렉서(61)는 통신 밴드 A의 송신 신호와 수신 신호를 FDD 방식으로 전송한다. 즉, 듀플렉서(61)는 통신 밴드 A에 있어서 송신 신호 및 수신 신호를 동시 전송하기 위한 회로 소자이다. 듀플렉서(61)는 송신 필터(61T) 및 수신 필터(61R)를 포함한다.
송신 필터(61T)는 제 1 통신 밴드의 송신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 제 1 필터의 일례이며, 통신 밴드 A의 송신 대역을 통과 대역으로서 갖는다. 송신 필터(61T)는 전력 증폭기(11)와 안테나 접속 단자(100) 사이에 접속되고, 전력 증폭기(11)에서 증폭된 통신 밴드 A의 송신 신호를 선택적으로 통과시킨다.
수신 필터(61R)는 제 1 통신 밴드의 수신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 제 2 필터의 일례이며, 통신 밴드 A의 수신 대역을 통과 대역으로서 갖는다. 수신 필터(61R)는 저잡음 증폭기(21)와 안테나 접속 단자(100) 사이에 접속되고, 통신 밴드 A의 수신 신호를 선택적으로 통과시킨다.
필터(62)는 제 2 통신 밴드를 포함하는 통과 대역을 갖는 제 3 필터의 일례이며, 통신 밴드 B를 통과 대역으로서 갖는다. 필터(62)는 통신 밴드 B의 송신 신호와 수신 신호를 TDD 방식으로 전송한다. 필터(62)는 안테나 접속 단자(100)와 전력 증폭기(12) 및 저잡음 증폭기(22) 사이에 접속된다. 보다 구체적으로는 필터(62)는 스위치(51)와 스위치(53) 사이에 접속된다.
스위치(51)는 필터(62)와 전력 증폭기(12) 및 저잡음 증폭기(22) 사이에 접속되어 있으며, 필터(62) 및 스위치(53)를 통해 안테나 접속 단자(100)에 접속된다. 구체적으로는 스위치(51)는 공통 단자 및 2개의 선택 단자를 갖는다. 스위치(51)의 공통 단자는 필터(62)에 접속되어 있다. 스위치(51)의 2개의 선택 단자의 일방인 제 1 선택 단자는 전력 증폭기(12)에 접속되고, 2개의 선택 단자의 타방인 제 2 선택 단자는 저잡음 증폭기(22)에 접속되어 있다.
이 접속 구성에 있어서 스위치(51)는 공통 단자 및 제 1 선택 단자의 접속과 공통 단자 및 제 2 선택 단자의 접속을 스위칭한다. 즉, 스위치(51)는 안테나 접속 단자(100) 및 전력 증폭기(12)의 접속과 안테나 접속 단자(100) 및 저잡음 증폭기(22)의 접속을 배타적으로 스위칭하는 TDD 스위치이다. 바꿔 말하면 스위치(51)는 통신 밴드 B에 있어서 송신 신호 및 수신 신호를 시간적으로 스위칭해서 전송하기 위한 회로 소자이다. 스위치(51)는, 예를 들면 SPDT(Single Pole Double Throw)형의 스위치 회로로 구성된다.
스위치(53)는 안테나 접속 단자(100)와 듀플렉서(61) 및 필터(62) 사이에 접속되어 있다. 구체적으로는 스위치(53)는 공통 단자 및 2 이상의 선택 단자를 갖는다. 스위치(53)의 공통 단자는 안테나 접속 단자(100)에 접속되어 있다. 스위치(53)의 2 이상의 선택 단자 중 1개인 제 1 선택 단자는 듀플렉서(61)에 접속되고, 2 이상의 선택 단자 중 다른 1개인 제 2 선택 단자는 필터(62)에 접속되어 있다.
이 접속 구성에 있어서 스위치(53)는 공통 단자와 제 1 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 공통 단자와 제 2 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 즉, 스위치(53)는 안테나 접속 단자(100)와 듀플렉서(61)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 안테나 접속 단자(100)와 필터(62)의 접속 및 비접속을 스위칭하는 안테나 스위치이다. 스위치(53)는, 예를 들면 멀티 접속형의 스위치 회로로 구성된다.
또한, 도 1에 나타내어진 회로 소자의 몇 가지는 고주파 모듈(1)에 포함되지 않아도 좋다. 예를 들면, 고주파 모듈(1)은 듀플렉서(61)와, 전력 증폭기(11 및 12)와, 저잡음 증폭기(21 및 22)와, 스위치(53)를 구비하면 좋고, 다른 회로 소자를 구비하지 않아도 좋다.
[1.2 고주파 모듈(1)의 회로 부품의 배치]
이어서, 이상과 같이 구성된 고주파 모듈(1)의 회로 부품의 배치에 대해서 도 2 및 도 3을 참조하면서 구체적으로 설명한다.
도 2는 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)의 평면도이다. 도 2에 있어서 도 2의 (a)는 Z축 ＋측으로부터 모듈 기판(91)의 주면(91a)을 본 도면을 나타내고, 도 2의 (b)는 Z축 ＋측으로부터 모듈 기판(91)의 주면(91b)을 투시한 도면을 나타낸다. 또한, 도 2의 (a)에 있어서 주면(91b)에 배치된 회로 부품이 파선으로 나타내어져 있다. 도 3은 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)의 단면도이다. 도 3에 있어서의 고주파 모듈(1)의 단면은 도 2의 iii-iii선에 있어서의 단면이다.
도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이 고주파 모듈(1)은 도 1에 나타내어진 회로 소자를 내장하는 회로 부품에 추가하여 또한, 저잡음 증폭기(21 및 22)와 스위치(53)를 내장하는 반도체 집적 회로(IC: Integrated Circuit)(20)와, 모듈 기판(91)과, 수지 부재(92 및 93)와, 실드 전극층(94)과, 복수의 포스트 전극(150)을 구비한다. 또한, 도 2에서는 회로 부품을 도시하기 위해서 수지 부재(92 및 93)의 기재가 생략되어 있다.
모듈 기판(91)은 서로 대향하는 주면(91a) 및 주면(91b)을 갖는다. 본 실시형태에서는 모듈 기판(91)은 평면으로부터 볼 때에 있어서 직사각형상을 갖는다. 모듈 기판(91)으로서는, 예를 들면 프린트 기판(Printed Circuit Board: PCB), 저온 동시 소성 세라믹스(Low Temperature Co-fired Ceramics: LTCC) 기판 또는 수지 다층 기판 등을 사용할 수 있지만 이것에 한정되지 않는다.
주면(91a)은 제 1 주면의 일례이며, 상면 또는 표면이라고 불리는 경우가 있다. 주면(91a)에는 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이 전력 증폭기(11 및 12)와, 스위치(51)와, 듀플렉서(61)와, 필터(62)가 배치되어 있다.
주면(91b)은 제 2 주면의 일례이며, 하면 또는 이면이라고 불리는 경우가 있다. 주면(91b)에는 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이 저잡음 증폭기(21 및 22)와 스위치(53)를 내장하는 반도체 IC(20)와, 복수의 포스트 전극(150)이 배치되어 있다.
듀플렉서(61)는 제 2 도전 부품의 일례이다. 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이 듀플렉서(61)는 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(11) 및 반도체 IC(20) 사이에 배치되어 있다.
도전 부품이란 신호 인출 전극 등의 도전 부재를 갖고 있는 전자 부품이다. 도전 부품은, 예를 들면 칩 저항, 칩 콘덴서, 칩 인덕터, 필터, 및 스위치 등의 수동 디바이스와, 증폭기 및 제어 회로 등의 능동 디바이스 중 적어도 일방을 포함한다.
필터(62)는 제 1 도전 부품의 일례이다. 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이 필터(62)는 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(11 및 12) 사이에 배치되어 있다.
듀플렉서(61) 및 필터(62) 각각은, 예를 들면 SAW(Surface Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터, BAW(Bulk Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터, LC 공진 필터, 유전체 필터 또는 그들의 임의의 조합에 의해 실현되지만 이들에 한정되지 않는다.
스위치(51)는 제 3 도전 부품의 일례이다. 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이 스위치(51)는 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(12) 및 반도체 IC(20) 사이에 배치되어 있다.
반도체 IC(20)는, 예를 들면 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)로 구성되어 있으며, 구체적으로는 SOI(Silicon on Insulator) 프로세스에 의해 구성되어 있다. 이것에 의해 반도체 IC(20)를 저렴하게 제조하는 것이 가능해진다. 또한, 반도체 IC(20)는 GaAs, SiGe, 및 GaN 중 적어도 1개로 구성되어 있어도 좋다. 이것에 의해 고품질인 증폭 성능 및 잡음 성능을 갖는 고주파 신호를 출력하는 것이 가능해진다. 또한, 반도체 IC(20)에는 스위치(51)가 더 내장되어도 좋다.
도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(11)와 반도체 IC(20)는 모듈 기판(91)의 직사각형상의 대각(對角)에 배치되고, 전력 증폭기(12)와 반도체 IC(20)는 모듈 기판(91)의 이웃하는 각에 배치되어 있다. 이것에 의해 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(11)와 반도체 IC(20) 사이의 거리는 전력 증폭기(12)와 반도체 IC(20) 사이의 거리보다 크다.
또한, 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서의 2개의 물체 사이의 거리란 XY 평면에 정투영된 2개의 물체의 외측 가장자리 간의 최단 거리를 의미한다. 바꿔 말하면 2개의 물체 사이의 거리는 XY 평면에 있어서 일방의 물체의 외측 가장자리와 타방의 물체의 외측 가장자리를 잇는 복수의 선분 중 가장 짧은 선분의 길이이다.
반도체 IC(20) 내에서는 저잡음 증폭기(21)는 전력 증폭기(11 및 12)로부터 가장 떨어진 위치에 배치되고, 스위치(53)는 저잡음 증폭기(21)와 전력 증폭기(12) 사이에 배치되어 있다.
복수의 포스트 전극(150)은 외부 접속 단자의 일례이다. 복수의 포스트 전극(150) 각각은 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치되고, 주면(91b)으로부터 수직으로 연장되어 있다. 또한, 복수의 포스트 전극(150) 각각은 수지 부재(93)를 관통하고, 그 일단이 수지 부재(93)로부터 노출되어 있다. 수지 부재(93)로부터 노출된 복수의 포스트 전극(150)의 일단은 고주파 모듈(1)의 Z축 －측에 배치된 마더 기판 상의 입출력 단자 및/또는 그라운드 전극 등에 접속된다.
수지 부재(92)는 모듈 기판(91)의 주면(91a) 상에 배치되고, 주면(91a) 상의 회로 부품을 덮고 있다. 또한, 수지 부재(93)는 모듈 기판(91)의 주면(91b) 상에 배치되고, 주면(91b) 상의 회로 부품을 덮고 있다. 수지 부재(92 및 93)는 주면(91a 및 91b) 상의 회로 부품의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖는다.
실드 전극층(94)은 수지 부재(92)의 상표면 및 측표면과, 모듈 기판(91)의 측표면과, 수지 부재(93)의 측표면을 덮고 있다. 실드 전극층(94)은 그라운드 전위로 설정됨으로써 외래 노이즈가 고주파 모듈(1)을 구성하는 회로 부품에 침입하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1)은 수지 부재(92 및 93)와 실드 전극층(94)을 구비하지 않아도 좋다. 즉, 수지 부재(92 및 93)와 실드 전극층(94)은 본 발명에 의한 고주파 모듈에 필수 구성 요소는 아니다.
[1.3 효과 등]
이상과 같이 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)은 통신 밴드 A의 송신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 송신 필터(61T) 및 통신 밴드 A의 수신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 수신 필터(61R)를 포함하는 듀플렉서(61)와, 송신 필터(61T)에 접속되고, 통신 밴드 A의 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기(11)와, 수신 필터(61R)에 접속되고, 통신 밴드 A의 수신 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기(21)와, 통신 밴드 A와 상이한 통신 밴드 B의 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기(12)와, 통신 밴드 B의 수신 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기(22)와, 안테나 접속 단자(100) 및 전력 증폭기(12)의 접속과 안테나 접속 단자(100) 및 저잡음 증폭기(22)의 접속을 스위칭하는 스위치(51)와, 서로 대향하는 주면(91a) 및 주면(91b)을 갖는 모듈 기판(91)을 구비하고, 전력 증폭기(11 및 12)는 주면(91a)에 배치되고, 저잡음 증폭기(21 및 22)는 주면(91b)에 배치된 반도체 IC(20)에 내장되고, 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(11)와 반도체 IC(20) 사이의 거리는 전력 증폭기(12)와 반도체 IC(20) 사이의 거리보다 크다.
또한, 본 실시형태에 의한 통신 장치(5)는 안테나(2)에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RFIC(3)와, 안테나(2)와 RFIC(3) 사이에서 고주파 신호를 전송하는 고주파 모듈(1)을 구비한다.
이것에 의하면 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 듀플렉서(61)에 접속되는 전력 증폭기(11)와 저잡음 증폭기(21 및 22)를 포함하는 반도체 IC(20) 사이의 거리를 스위치(51)에 접속되는 전력 증폭기(12)와 반도체 IC(20) 사이의 거리보다 크게 할 수 있다. 따라서, 동시에 동작하는 FDD용의 전력 증폭기(11) 및 저잡음 증폭기(21)를 동시에 동작하지 않는 TDD용의 전력 증폭기(12) 및 저잡음 증폭기(22)보다 수평 방향으로 서로 떨어져 배치할 수 있다. 또한, 전력 증폭기(11) 및 반도체 IC(20)를 모듈 기판(91)의 서로 상이한 주면에 배치할 수 있다. 따라서, 동시에 동작하는 FDD용의 전력 증폭기(11) 및 저잡음 증폭기(21)를 수직 방향으로 서로 떨어져 배치할 수 있다. 그 결과 FDD용의 전력 증폭기(11) 및 저잡음 증폭기(21)의 자계 결합, 전계 결합 또는 전자계 결합을 억제할 수 있고, 송신 회로 및 수신 회로 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 회로 부품을 모듈 기판(91)의 양면에 배치함으로써 고주파 모듈(1)의 소형화를 도모할 수도 있다.
또한, 예를 들면 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)은 주면(91a)에 배치되고, 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(11 및 12) 사이에 배치된 제 1 도전 부품을 더 구비해도 좋다.
이것에 의하면 전력 증폭기(11 및 12) 사이에 제 1 도전 부품을 배치할 수 있다. 따라서, 전력 증폭기(11 및 12)의 자계 결합, 전계 결합 또는 전자계 결합을 제 1 도전 부품에 의해 억제할 수 있고, 통신 밴드 A의 송신 신호와 통신 밴드 B의 송신 신호의 상호 간섭을 억제할 수 있다.
또한, 예를 들면 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)은 통신 밴드 B를 포함하는 통과 대역을 갖는 필터(62)를 더 구비해도 좋고, 스위치(51)는 필터(62)를 통해 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 제 1 도전 부품은 필터(62)를 포함해도 좋다.
이것에 의하면 통신 밴드 B의 TDD에 있어서 송신 신호와 수신 신호에 의해 필터(62)가 공용될 경우에 상기 필터(62)를 제 1 도전 부품에 이용할 수 있다. 따라서, 전용 부품을 제 1 도전 부품에 이용할 경우보다 고주파 모듈(1)의 부품 점수를 저감할 수 있다.
또한, 예를 들면 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)은 주면(91a)에 배치되고, 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(11) 및 반도체 IC(20) 사이에 배치된 제 2 도전 부품을 더 구비해도 좋다.
이것에 의하면 전력 증폭기(11) 및 반도체 IC(20) 사이에 제 2 도전 부품을 배치할 수 있다. 따라서, FDD용의 전력 증폭기(11) 및 저잡음 증폭기(21)의 자계 결합, 전계 결합 또는 전자계 결합을 제 2 도전 부품에 의해 억제할 수 있고, 송신 회로 및 수신 회로 사이의 아이솔레이션 특성을 더 향상시킬 수 있다.
또한, 예를 들면 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)에 있어서 제 2 도전 부품은 듀플렉서(61)를 포함해도 좋다.
이것에 의하면 듀플렉서(61)를 제 2 도전 부품에 이용할 수 있다. 따라서, 전용 부품을 제 2 도전 부품에 이용할 경우보다 고주파 모듈(1)의 부품 점수를 저감할 수 있다.
또한, 예를 들면 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)은 주면(91a) 또는 주면(91b)에 배치되고, 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(12) 및 반도체 IC(20) 사이에 배치된 제 3 도전 부품을 더 구비해도 좋다.
이것에 의하면 전력 증폭기(12) 및 반도체 IC(20) 사이에 제 3 도전 부품을 배치할 수 있다. 따라서, 동시에 동작할 수 있는 전력 증폭기(12) 및 저잡음 증폭기(21)의 자계 결합, 전계 결합 또는 전자계 결합을 제 3 도전 부품에 의해 억제할 수 있고, 송신 회로 및 수신 회로 사이의 아이솔레이션 특성을 더 향상시킬 수 있다.
또한, 예를 들면 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)에 있어서 제 3 도전 부품은 스위치(51)를 포함해도 좋다.
이것에 의하면 스위치(51)를 제 3 도전 부품에 이용할 수 있다. 따라서, 전용 부품을 제 3 도전 부품에 이용할 경우보다 고주파 모듈(1)의 부품 점수를 저감할 수 있다.
또한, 예를 들면 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)은 주면(91b)에 배치된 외부 접속 단자(포스트 전극(150))를 더 구비해도 좋다.
이것에 의하면 전력 증폭기(11 및 12)가 배치되는 주면(91a)은 아니고, 반도체 IC(20)가 배치되는 주면(91b)에 외부 접속 단자를 배치할 수 있다. 따라서, 외부 접속 단자가 배치되는 주면(91b)에 전력 증폭기(11 및 12)가 배치될 경우보다 전력 증폭기(11 및 12)의 방열 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 비교적 저배(低背)인 반도체 IC(20)를 외부 접속 단자가 배치되는 주면(91b)에 배치할 수 있어 외부 접속 단자의 높이를 저감해서 고주파 모듈(1)의 저배화에 공헌할 수 있다.
또한, 예를 들면 본 실시형태에 의한 고주파 모듈(1)에 있어서 통신 밴드 A는 복신 모드로서 FDD가 적용되는 통신 밴드이며, 통신 밴드 B는 복신 모드로서 시분할 복신이 적용되는 통신 밴드이어도 좋다.
이것에 의하면 FDD 및 TDD 양쪽을 이용 가능한 시스템에 있어서 송신 회로 및 수신 회로 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
(변형예 1)
이어서, 상기 실시형태의 변형예 1에 대해서 설명한다. 본 변형예에서는 TDD를 위한 회로 구성이 상기 실시형태와 주로 상이하다. 이하에 본 변형예에 대해서 상기 실시형태와 상이한 점을 중심으로 도면을 참조하면서 설명한다.
[2.1 고주파 모듈(1A) 및 통신 장치(5A)의 회로 구성]
도 4는 변형예 1에 의한 고주파 모듈(1A) 및 통신 장치(5A)의 회로 구성도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이 본 변형예에 의한 통신 장치(5A)는 고주파 모듈(1A)과, 안테나(2)와, RFIC(3)와, BBIC(4)를 구비한다. 또한, 고주파 모듈(1A)은 전력 증폭기(11 및 12)와, 저잡음 증폭기(21 및 22)와, 스위치(53A)와, 듀플렉서(61)와, 송신 필터(62T)와, 수신 필터(62R)와, 안테나 접속 단자(100)와, 송신 입력 단자(111 및 112)와, 수신 출력 단자(121 및 122)를 구비한다.
송신 필터(62T)는 제 2 통신 밴드의 송신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 제 4 필터의 일례이며, 통신 밴드 B의 송신 대역을 통과 대역으로서 갖는다. 송신 필터(62T)는 전력 증폭기(12)와 안테나 접속 단자(100) 사이에 접속되고, 통신 밴드 B의 송신 신호를 선택적으로 통과시킨다.
수신 필터(62R)는 제 2 통신 밴드의 수신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 제 5 필터의 일례이며, 통신 밴드 B의 수신 대역을 통과 대역으로서 갖는다. 수신 필터(62R)는 저잡음 증폭기(22)와 안테나 접속 단자(100) 사이에 접속되고, 통신 밴드 B의 수신 신호를 선택적으로 통과시킨다.
스위치(53A)는 안테나 접속 단자(100)와 듀플렉서(61), 송신 필터(62T), 및 수신 필터(62R) 사이에 접속되어 있다. 구체적으로는 스위치(53A)는 공통 단자 및 3 이상의 선택 단자를 갖는다. 스위치(53A)의 공통 단자는 안테나 접속 단자(100)에 접속되어 있다. 스위치(53A)의 3 이상의 선택 단자 중 1개인 제 1 선택 단자는 듀플렉서(61)에 접속되어 있다. 스위치(53A)의 3 이상의 선택 단자 중 다른 1개인 제 2 선택 단자는 송신 필터(62T)에 접속되어 있다. 스위치(53A)의 3 이상의 선택 단자 중 다른 1개인 제 3 선택 단자는 수신 필터(62R)에 접속되어 있다.
이 접속 구성에 있어서 스위치(53A)는 공통 단자와 제 1 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 공통 단자와 제 2 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 공통 단자와 제 3 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 즉, 스위치(53A)는 안테나 접속 단자(100)와 듀플렉서(61)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 안테나 접속 단자(100)와 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R)의 접속 및 비접속을 스위칭하는 안테나 스위치이다. 또한, 스위치(53A)는 안테나 접속 단자(100) 및 전력 증폭기(12)의 접속과 안테나 접속 단자(100) 및 저잡음 증폭기(22)의 접속을 배타적으로 스위칭하는 TDD 스위치이기도 하다. 스위치(53A)는, 예를 들면 멀티 접속형의 스위치 회로로 구성된다.
[2.2 고주파 모듈(1A)의 회로 부품의 배치]
이어서, 이상과 같이 구성된 고주파 모듈(1A)의 회로 부품의 배치에 대해서 도 5를 참조하면서 구체적으로 설명한다.
도 5는 변형예 1에 의한 고주파 모듈(1A)의 평면도이다. 도 5에 있어서 도 5의 (a)는 Z축 ＋측으로부터 모듈 기판(91)의 주면(91a)을 본 도면을 나타내고, 도 5의 (b)는 Z축 ＋측으로부터 모듈 기판(91)의 주면(91b)을 투시한 도면을 나타낸다. 또한, 도 5의 (a)에 있어서 주면(91b)에 배치된 회로 부품이 파선으로 나타내어져 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이 본 변형예에서는 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R)는 제 1 도전 부품의 일례이다. 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R)는 주면(91a)에 배치되고, 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(11 및 12) 사이에 배치되어 있다.
송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R) 각각은, 예를 들면 SAW를 사용한 탄성파 필터, BAW를 사용한 탄성파 필터, LC 공진 필터, 유전체 필터 또는 그들의 임의의 조합에 의해 실현되지만 이들에 한정되지 않는다.
스위치(53A)는 주면(91b)에 배치되고, 스위치(53)와 마찬가지로 반도체 IC(20)에 내장되어 있다.
[2.3 효과 등]
이상과 같이 본 변형예에 의한 고주파 모듈(1A)은 실시형태와 마찬가지로 통신 밴드 A의 송신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 송신 필터(61T) 및 통신 밴드 A의 수신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 수신 필터(61R)를 포함하는 듀플렉서(61)와, 송신 필터(61T)에 접속되고, 통신 밴드 A의 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기(11)와, 수신 필터(61R)에 접속되고, 통신 밴드 A의 수신 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기(21)와, 통신 밴드 A와 상이한 통신 밴드 B의 송신 신호를 증폭하는 전력 증폭기(12)와, 통신 밴드 B의 수신 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기(22)와, 안테나 접속 단자(100) 및 전력 증폭기(12)의 접속과 안테나 접속 단자(100) 및 저잡음 증폭기(22)의 접속을 스위칭하는 스위치(53A)와, 서로 대향하는 주면(91a) 및 주면(91b)을 갖는 모듈 기판(91)을 구비하고, 전력 증폭기(11 및 12)는 주면(91a)에 배치되고, 저잡음 증폭기(21 및 22)는 주면(91b)에 배치된 반도체 IC(20)에 내장되고, 모듈 기판(91)의 평면으로부터 볼 때에 있어서 전력 증폭기(11)와 반도체 IC(20) 사이의 거리는 전력 증폭기(12)와 반도체 IC(20) 사이의 거리보다 크다.
이상과 같이 본 변형예에 의한 고주파 모듈(1A)은 통신 밴드 B의 송신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 송신 필터(62T)와, 통신 밴드 B의 수신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 수신 필터(62R)를 구비하고, 전력 증폭기(12)는 송신 필터(62T)를 통해 스위치(53A)에 접속되고, 저잡음 증폭기(22)는 수신 필터(62R)를 통해 스위치(53A)에 접속되고, 제 1 도전 부품은 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R) 중 적어도 일방을 포함한다.
이것에 의하면 상기 실시형태와 마찬가지로 송신 회로 및 수신 회로 사이의 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 통신 밴드 B의 TDD에 있어서 송신 신호와 수신 신호에 의해 각각의 필터(송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R))가 이용되는 경우에 상기 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R) 중 적어도 일방을 제 1 도전 부품에 이용할 수 있다. 따라서, 전용 부품을 제 1 도전 부품에 이용하는 경우보다 고주파 모듈(1A)의 부품 점수를 저감할 수 있다.
(변형예 2)
이어서, 변형예 2에 대해서 설명한다. 본 변형예에서는 포스트 전극(150) 대신에 범프 전극(150B)이 외부 접속 단자로서 사용되는 점이 상기 실시형태와 주로 상이하다. 이하에 본 변형예에 의한 고주파 모듈(1B)에 대해서 상기 실시형태와 상이한 점을 중심으로 도 6을 참조하면서 구체적으로 설명한다.
도 6은 변형예 2에 의한 고주파 모듈(1B)의 단면도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이 본 변형예에 의한 고주파 모듈(1B), 복수의 포스트 전극(150) 대신에 복수의 범프 전극(150B)을 구비한다.
복수의 범프 전극(150B)은 외부 접속 단자의 일례이다. 복수의 범프 전극(150B) 각각은 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치되고, 고주파 모듈(1B)의 Z축 －측에 배치된 마더 기판 상의 입출력 단자 및/또는 그라운드 전극 등에 접속된다.
또한, 본 변형예에서는 고주파 모듈(1B)의 주면(91b) 상의 회로 부품은 수지 부재로 덮여 있지 않다.
이상과 같이 본 변형예에 의한 고주파 모듈(1B)은 포스트 전극(150) 대신에 범프 전극(150B)을 외부 접속 단자로서 구비한다. 이와 같은 구성이어도 상기 실시형태와 마찬가지의 효과를 나타낼 수 있다.
(다른 변형예)
이상, 본 발명에 의한 고주파 모듈 및 통신 장치에 대해서 실시형태 및 그 변형예를 들어 설명했지만 본 발명에 의한 고주파 모듈 및 통신 장치는 상기 실시형태 및 그 변형예에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태 및 그 변형예에 있어서의 임의의 구성 요소를 조합해서 실현되는 다른 실시형태나, 상기 실시형태 및 그 변형예에 대해서 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해내는 각종 변형을 실시해서 얻어지는 변형예나, 상기 고주파 모듈 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
예를 들면, 상기 각 실시형태 및 그 변형예에 의한 고주파 모듈 및 통신 장치에 있어서 도면에 개시된 각 회로 소자 및 신호 경로를 접속하는 경로 사이에 다른 회로 소자 및 배선 등이 삽입되어도 좋다. 예를 들면, 상기 실시형태에 있어서 듀플렉서(61)와 스위치(53) 사이 및/또는 필터(62)와 스위치(53) 사이에 임피던스 조정 회로가 접속되어도 좋다.
또한, 상기 실시형태 및 그 변형예에 있어서의 부품의 형상 및 배치, 및 전극의 형상, 수, 및 배치는 예시이며, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 전력 증폭기(11 및 12)와, 스위치(51)와, 듀플렉서(61)와, 필터(62) 중 1 이상은 주면(91b)에 배치되어도 좋고, 저잡음 증폭기(21 및 22)와 스위치(53) 중 1 이상은 주면(91a)에 배치되어도 좋다. 또한, 듀플렉서(61), 필터(62), 및 스위치(51)는 서로 바꿔 넣어서 배치되어도 좋다. 또한, 도전 부품과 전력 증폭기(11 및 12) 및 반도체 IC(20)의 위치 관계도 상기에 한정되지 않는다. 예를 들면, 전력 증폭기(11 및 12) 사이에 도전 부품이 배치되지 않아도 좋다.
(산업상 이용가능성)
본 발명은 프런트 엔드부에 배치되는 고주파 모듈로서 휴대전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.
1, 1A, 1B: 고주파 모듈
2: 안테나
3: RFIC 4: BBIC
5, 5A: 통신 장치 11, 12: 전력 증폭기
20: 반도체 IC(반도체 집적 회로) 21, 22: 저잡음 증폭기
51, 53, 53A: 스위치 61: 듀플렉서
61R, 62R: 수신 필터 61T, 62T: 송신 필터
62: 필터 91: 모듈 기판
91a, 91b: 주면 92, 93: 수지 부재
100: 안테나 접속 단자 111, 112: 송신 입력 단자
121, 122: 수신 출력 단자 150: 포스트 전극
150B: 범프 전극
3: RFIC 4: BBIC
5, 5A: 통신 장치 11, 12: 전력 증폭기
20: 반도체 IC(반도체 집적 회로) 21, 22: 저잡음 증폭기
51, 53, 53A: 스위치 61: 듀플렉서
61R, 62R: 수신 필터 61T, 62T: 송신 필터
62: 필터 91: 모듈 기판
91a, 91b: 주면 92, 93: 수지 부재
100: 안테나 접속 단자 111, 112: 송신 입력 단자
121, 122: 수신 출력 단자 150: 포스트 전극
150B: 범프 전극
Claims (11)
- 제 1 통신 밴드의 송신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 제 1 필터 및 상기 제 1 통신 밴드의 수신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 제 2 필터를 포함하는 듀플렉서와,
상기 제 1 필터에 접속되고, 상기 제 1 통신 밴드의 송신 신호를 증폭하는 제 1 전력 증폭기와,
상기 제 2 필터에 접속되고, 상기 제 1 통신 밴드의 수신 신호를 증폭하는 제 1 저잡음 증폭기와,
상기 제 1 통신 밴드와 상이한 제 2 통신 밴드의 송신 신호를 증폭하는 제 2 전력 증폭기와,
상기 제 2 통신 밴드의 수신 신호를 증폭하는 제 2 저잡음 증폭기와,
안테나 접속 단자 및 상기 제 2 전력 증폭기의 접속과 상기 안테나 접속 단자 및 상기 제 2 저잡음 증폭기의 접속을 스위칭하는 스위치와,
서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 구비하고,
상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기는 상기 제 1 주면에 배치되고,
상기 제 1 저잡음 증폭기 및 상기 제 2 저잡음 증폭기는 상기 제 2 주면에 배치된 반도체 집적 회로에 내장되고,
상기 기판의 평면으로부터 볼 때에 있어서 상기 제 1 전력 증폭기와 상기 반도체 집적 회로 사이의 거리는 상기 제 2 전력 증폭기와 상기 반도체 집적 회로 사이의 거리보다 큰 고주파 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 주면에 배치되고, 상기 기판의 평면으로부터 볼 때에 있어서 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 제 2 전력 증폭기 사이에 배치된 제 1 도전 부품을 더 구비하는 고주파 모듈. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 통신 밴드를 포함하는 통과 대역을 갖는 제 3 필터를 더 구비하고,
상기 스위치는 상기 제 3 필터를 통해 상기 안테나 접속 단자에 접속되고,
상기 제 1 도전 부품은 상기 제 3 필터를 포함하는 고주파 모듈. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 통신 밴드의 송신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 제 4 필터와,
상기 제 2 통신 밴드의 수신 대역을 포함하는 통과 대역을 갖는 제 5 필터를 더 구비하고,
상기 제 2 전력 증폭기는 상기 제 4 필터를 통해 상기 스위치에 접속되고,
상기 제 2 저잡음 증폭기는 상기 제 5 필터를 통해 상기 스위치에 접속되고,
상기 제 1 도전 부품은 상기 제 4 필터 및 상기 제 5 필터 중 적어도 일방을 포함하는 고주파 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 주면에 배치되고, 상기 기판의 평면으로부터 볼 때에 있어서 상기 제 1 전력 증폭기 및 상기 반도체 집적 회로 사이에 배치된 제 2 도전 부품을 더 구비하는 고주파 모듈. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 도전 부품은 상기 듀플렉서를 포함하는 고주파 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 주면 또는 상기 제 2 주면에 배치되고, 상기 기판의 평면으로부터 볼 때에 있어서 상기 제 2 전력 증폭기 및 상기 반도체 집적 회로 사이에 배치된 제 3 도전 부품을 더 구비하는 고주파 모듈. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 3 도전 부품은 상기 스위치를 포함하는 고주파 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 주면에 배치된 외부 접속 단자를 더 구비하는 고주파 모듈. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 통신 밴드는 복신 모드로서 주파수 분할 복신이 적용되는 통신 밴드이며,
상기 제 2 통신 밴드는 복신 모드로서 시분할 복신이 적용되는 통신 밴드인 고주파 모듈. - 안테나에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 신호 처리 회로와,
상기 안테나와 상기 신호 처리 회로 사이에서 상기 고주파 신호를 전송하는 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치.
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