JP6587676B2 - ビームダンプ装置、それを備えたレーザ装置および極端紫外光生成装置 - Google Patents
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Description
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成システムの全体説明
3.1 構成
3.2 動作
4.ビームダンプ装置を備えた極端紫外光生成装置:比較例
4.1 構成
4.2 動作
4.4 課題
5.実施形態1
5.1 ビームダンプ装置の概略構成
5.2 アッテネータモジュールの構成
5.3 アッテネータモジュールの動作
5.4 ビームダンプモジュールの構成
5.5 ビームダンプモジュールの動作
5.6 ビームダンプ装置の詳細構成例
5.7 ビームダンプ装置の動作:レーザ光遮断時
5.8 ビームダンプ装置の動作:レーザ光出力時
5.9 ビームダンプ装置の動作:レーザ光路調整時
5.10 ビームダンプ装置の動作:レーザ光出力調整時
5.11 効果
5.12 実施形態1の変形例
5.12.1 ビームダンプ装置の他の構成
5.12.2 ビームダンプ装置の他の構成:動作
6.実施形態2
6.1 構成
6.2 動作
7.実施形態3
7.1 構成
7.2 動作
7.3 効果
8.実施形態4
8.1 構成
8.2 動作
8.3 効果
9.実施形態5
9.1 構成
9.2 動作
9.3 効果
9.4 実施形態5の変形例1
9.4.1 構成
9.4.2 効果
9.5 実施形態5の変形例2
9.5.1 構成
9.5.2 効果
10.実施形態6
10.1 構成
10.2 動作
10.3 効果
10.4 実施形態6の変形例
10.4.1 構成
10.4.2 動作
10.4.3 効果
本開示の実施形態は、EUV光生成装置に用いられるビームダンプ装置、それを備えたレーザ装置およびEUV光生成装置に関するものであってよい。
本開示において使用される用語について、以下のように定義する。
「ドロップレット」とは、融解したターゲット材料の液滴であってもよい。その形状は、略球形であってもよい。
「プラズマ生成領域」とは、プラズマが生成される空間として予め設定された3次元空間であってもよい。
レーザ光の「上流」とは、そのレーザ光の進行経路において対象の位置おりも光源に近い側であってもよい。また、レーザ光の「下流」とは、そのレーザ光の進行経路において対象の位置よりも光源から遠い側であってもよい。
3.1 構成
図1に、例示的なLPP方式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給部26を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部26から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
つぎに、比較例に係るEUV光生成装置について、図面を用いて詳細に説明する。
図2は、比較例に係るEUV光生成装置の概略構成を示す模式図である。図2に例示するEUV光生成装置は、図1に示すEUV光生成装置1と同様に、チャンバ2と、レーザ装置3と、レーザ光進行方向制御部34と、EUV光生成制御装置5とを含んでもよい。
つづいて、図2に示すEUV光生成装置の動作例について説明する。EUV光を出力する場合、EUV光生成制御装置5は、露光装置6からのEUV光出力指令に従って、ターゲット供給部26にターゲット27を出力させてもよい。この時、ビームダンプ装置1000は退避位置に退避していてもよい。
比較例のレーザ装置3のように、レーザ光路調整時とEUV光出力時とで異なるパワーのレーザ光31を出力する場合、レーザ装置3内の光学部品に対する熱負荷がパルスエネルギーに応じて異なり得る。すなわち、熱による光学部品の特性変化が、レーザ光路調整時とEUV光出力時とで異なり得る。そのため、レーザ光路調整時とEUV光出力時とでは、レーザ光31のビームダイバージェンスや断面強度分布が異なり得る。これは、光学部品の熱レンズ効果が熱負荷に依存するためと推定できる。
まず、実施形態1にかかるビームダンプ装置、それを備えたレーザ装置およびEUV光生成装置を、図面を用いて詳細に説明する。
図3は、実施形態1にかかるビームダンプ装置を含むレーザ装置の概略構成例を示す模式図である。図3に示すように、レーザ装置3は、レーザ制御部41と、マスタオシレータMOおよび増幅器PA1〜PA3の他に、ビームダンプ装置100と、冷却装置190とを備えてもよい。
図4および図5は、各アッテネータモジュールの概略構成例を示す模式図である。図4は、各アッテネータモジュールの移動プレートが低出力配置(第1位置)にある場合を示し、図5は、移動プレートが高出力配置(第2位置)にある場合を示している。
各ビームスプリッタ102Aおよび102Bと各ビームダンパ104Aおよび104Bとは、冷却装置190から供給された冷却媒体が循環することで冷却されてもよい。
図6および図7は、ビームダンプモジュールの概略構成例を示す模式図である。図6は、ビームダンプモジュールの移動プレートがレーザ光遮断配置(第3位置)にある場合を示し、図7は、移動プレートがレーザ光出力配置(第4位置)にある場合を示している。
1軸ステージ106Cは、レーザ制御部からの信号に従って移動プレート105Cを移動してもよい。移動プレート105Cの位置は、図6に示すレーザ光遮断配置(第3位置)と、図7に示すレーザ光出力配置(第4位置)とを含んでもよい。
図8〜図11は、図3に示すビームダンプ装置100の概略構成例を示す模式図である。図8〜図11に示すように、ビームダンプ装置100は、アッテネータモジュール110および120(図4および図5参照)と、ビームダンプモジュール130(図6および図7参照)とを備えてもよい。
・アッテネータモジュール110
・・ビームスプリッタ102Aの反射率=33%、透過率=67%
・・ビームスプリッタ102Bの反射率=50%、透過率=50%
・・ビームダンパ104Aの容量=10kW
・・ビームダンパ104Bの容量=10kW
・アッテネータモジュール120
・・ビームスプリッタ102Aの反射率=99%、透過率=1%
・・ビームスプリッタ102Bの反射率=90%、透過率=10%
・・ビームダンパ104Aの容量=10kW
・・ビームダンパ104Bの容量=1kW
・ビームダンプモジュール130
・・高反射ミラー102Cの反射率=99%以上
・・ビームダンパ104Cの容量=1kW
つづいて、ビームダンプ装置100の動作について、図面を参照して詳細に説明する。図8は、レーザ光を遮断する際の各モジュール内の配置例を示す模式図である。
・アッテネータモジュール110
・・ビームダンパ104A:6.6kW
・・ビームダンパ104B:6.7kW
・アッテネータモジュール120
・・ビームダンパ104A:6.6kW
・・ビームダンパ104B:60W
・ビームダンプモジュール130
・・ビームダンパ104C:6.7W
図9は、レーザ光を出力する際(たとえばEUV光出力時)の各モジュール内の配置例を示す模式図である。
図10は、レーザ光路調整時の各モジュール内の配置例を示す模式図である。
図11は、レーザ光のパワーをビームダンプ装置を用いて調整する際の各モジュール内の配置例を示す模式図である。
以上のように、実施形態1では、レーザ光30は、各アッテネータモジュール110および120の複数のビームスプリッタ102Aおよび102Bによって減光され、減光に伴って生じる不要な反射光を複数のビームダンパに分配し得る。そのため、各ビームスプリッタ102A、102Bおよび高反射ミラー102Cによる反射光30a〜30cを受ける各ビームダンパ104A〜104Cの容量を小さくできる。それにより、各ビームダンパ104A〜104Cとして、たとえば市販のビームダンパの利用が可能となる。
なお、上述の例では、各アッテネータモジュール110および120が20kWのレーザ光30に対して6.7kWのレーザ光30を出力し得るが、この例に限定されない。すなわち、各アッテネータモジュール110および120の各ビームスプリッタ102Aおよび102Bの反射率は適宜選択可能である。さらに、アッテネータモジュール110および120の段数についても、上述の例における2段に限定されない。すなわち、3段以上のアッテネータモジュールが搭載されてもよい。ビームダンプ装置は、アッテネータモジュールの段数および各ビームスプリッタ102Aおよび102Bの反射率を調整することで、数段階のエネルギーのレーザ光31を出力可能に構成されてもよい。
図12は、アッテネータモジュールの段数を4とした場合の概略構成例を示す模式図である。図12に示す構成では、各アッテネータモジュール110、120、140および150における各ビームスプリッタ102Aおよび102Bの反射率が、レーザ光31に対して要求する複数のパワーの値に応じて決定されてもよい。
図12において、レーザ制御部41は、各アッテネータモジュール110、120、140および150の1軸ステージ106Aを制御してもよい。それにより、様々なパワーのレーザ光31がビームダンプ装置100から出力されてもよい。
つぎに、実施形態2にかかるビームダンプ装置、それを備えたレーザ装置およびEUV光生成装置を、図面を用いて詳細に説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同様の構成については、同一の符号を付す。
図13〜図15は、実施形態2にかかるビームダンプ装置の概略構成例を示す模式図である。図13は、ビームダンプ装置200の上視図である。図14および図15は、ビームダンプ装置200の側視図である。なお、図13および図14は、レーザ光30を遮断する際の各モジュール内の配置例を示す模式図である。図15は、レーザ光を出力する際(たとえばEUV光出力時)の各モジュール内の配置例を示す模式図である。
レーザ光遮断時、レーザ制御部41は、図13および図14に示すように、各アッテネータモジュール210および220の移動プレート105Aを低出力配置(第1位置)とし、ビームダンプモジュール230の移動プレート105Bをレーザ光遮断配置(第3位置)としてもよい。
つぎに、実施形態3にかかるビームダンプ装置、それを備えたレーザ装置およびEUV光生成装置を、図面を用いて詳細に説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同様の構成については、同一の符号を付す。
図16および図17は、実施形態3にかかるアッテネータモジュールの概略構成例を示す模式図である。ビームダンプ装置100に搭載される複数のアッテネータモジュールのうち少なくとも1つは、図16にアッテネータモジュール310に置き換えられてもよい。アッテネータモジュール310は、出力するレーザ光30のパワーを連続的に変更できてもよい。
レーザ光路調整時およびレーザ光出力調整時、レーザ制御部41は、図16に示すように、アッテネータモジュール310の移動プレート105Aを低出力配置(第1位置)としてよい。
以上のような構成を備えることで、アッテネータモジュール310から出力されるレーザ光30のパワーを連続的かつ任意に変更し得る。それにより、レーザ装置3の出力を連続的かつ任意に変更し得る。
つぎに、実施形態4にかかるビームダンプ装置、それを備えたレーザ装置およびEUV光生成装置を、図面を用いて詳細に説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同様の構成については、同一の符号を付す。
図20は、実施形態4にかかるレーザ装置の概略構成例を示す模式図である。上述の実施形態において例示したアッテネータモジュールおよびビームダンプモジュールの配置場所は、レーザ装置3の出力段に限られない。すなわち、マスタオシレータMOからPA3までの間の光路上に、1つ以上のアッテネータモジュール140および/またはビームダンプモジュール150が配置されてもよい。たとえば図20に示すように、マスタオシレータMOと増幅器PA1との間に、アッテネータモジュール160とビームダンプモジュール170とが配置されてもよい。また、配置される1つ以上のアッテネータモジュールは、上述したアッテネータモジュール110/120,210/220および310のいずれであってもよい。
図20に例示した構成では、レーザ光出力時、レーザ制御部41は、アッテネータモジュール160の移動プレート105Aを高出力配置(第2位置)とし、ビームダンプモジュール170の移動プレート105Cをレーザ光出力配置(第4位置)としてもよい。ただし、アッテネータモジュール160としてアッテネータモジュール310を用いた場合、レーザ制御部41は、移動プレート105Aを低出力配置(第1位置)としつつ各回転プレートの回転角を調整することで、レーザ装置3からの出力を調整してもよい。
たとえばマスタオシレータMOに量子カスケードレーザ(QCL)等の半導体レーザを用いる場合、マスタオシレータMOの出力エネルギーを変更すると、半導体レーザの熱負荷が変動し得る。それにより、マスタオシレータMOの発振波長が変化し得る。それに対し、実施形態4の構成によれば、マスタオシレータMOを常に一定のエネルギーで発振させることができるため、マスタオシレータMOの発振波長の変動を抑制し得る。
つぎに、実施形態5にかかるビームダンプ装置、およびそれを備えたチャンバ装置およびEUV光生成装置を、図面を用いて詳細に説明する。実施形態5では、図2のチャンバ2に取り付けられるビームダンプ装置を例示する。以下の説明において、上述した実施形態と同様の構成については、同一の符号を付す。
図21は、実施形態5にかかるビームダンプ装置の概略構成例を示す模式図である。図21に示すように、ビームダンプ装置500は、1つ以上のビームダンプモジュール510〜530を備えてもよい。ビームダンプ装置500は、終端モジュール540をさらに備えてもよい。
・ビームダンプモジュール510
・・ビームスプリッタ102の反射率=25%
・・ビームダンパ104の容量=3kW
・ビームダンプモジュール520
・・ビームスプリッタ102の反射率=33%
・・ビームダンパ104の容量=3kW
・ビームダンプモジュール530
・・ビームスプリッタ102の反射率=50%
・・ビームダンパ104の容量=3kW
・終端モジュール540
・・ビームダンパ104の容量=3kW
・ビームダンプモジュール510のビームダンパ104:2.50kW
・ビームダンプモジュール520のビームダンパ104:2.47kW
・ビームダンプモジュール530のビームダンパ104:2.51kW
・終端モジュール540のビームダンパ104:2.51kW
チャンバ2内のダンパミラー57で反射したレーザ光60は、ダンパウインドウ58を介して、ビームダンプ装置500の初段のビームダンプモジュール510に入射してもよい。
実施形態5によれば、ビームダンプモジュール1つ分の面積をチャンバ2の外壁に確保することで、ビームダンプ装置500をチャンバ2へ取り付けることができる。また、大容量のビームダンプ装置500を容易に実現できる。すなわち、レーザ光60のエネルギーに応じてビームダンプモジュールを増設することも容易である。
上述の実施形態5では、ビームダンプ装置500に入射するレーザ光60のエネルギーが10kWである場合を例示した。これに対し、変形例1では、ビームダンプ装置に入射するレーザ光60のエネルギーが20kWである場合を例示する。
図23は、変形例1にかかるビームダンプ装置の概略構成例を示す模式図である。図23に示すように、ビームダンプ装置500Aは、ビームダンプ装置500と同様の構成に加え、ビームダンプモジュール550および560をさらに備えてもよい。すなわち、ビームダンプ装置500Aは、ビームダンプ装置500に2つのビームダンプモジュール550および560が増設された構成を備えてもよい。
・ビームダンプモジュール510
・・ビームスプリッタ102の反射率=12%
・・ビームダンパ104の容量=3kW
・ビームダンプモジュール520
・・ビームスプリッタ102の反射率=15%
・・ビームダンパ104の容量=3kW
・ビームダンプモジュール530
・・ビームスプリッタ102の反射率=25%
・・ビームダンパ104の容量=5kW
・ビームダンプモジュール550
・・ビームスプリッタ102の反射率=33%
・・ビームダンパ104の容量=5kW
・ビームダンプモジュール560
・・ビームスプリッタ102の反射率=50%
・・ビームダンパ104の容量=5kW
・終端モジュール540
・・ビームダンパ104の容量=5kW
・ビームダンプモジュール510のビームダンパ104:2.40kW
・ビームダンプモジュール520のビームダンパ104:2.64kW
・ビームダンプモジュール530のビームダンパ104:3.74kW
・ビームダンプモジュール550のビームダンパ104:3.70kW
・ビームダンプモジュール560のビームダンパ104:2.51kW
・終端モジュール540のビームダンパ104:2.51kW
以上のように、レーザ光60の進行経路において下流に位置するビームダンパ104ほど大きな容量のビームダンパとすることで、チャンバ2へのビームダンプ装置500Aの設置面積を増加させることなく、ビームダンプ装置500Aを大容量化できる。また、レーザ光60の進行経路において上流に位置するビームダンパ104ほど小さな容量のビームダンパとすることで、チャンバ2近傍でビームダンプ装置500Aが占有する空間を縮小させ得る。
上述の実施形態5では、ビームダンプモジュール510〜530が直列に配置された場合を例示した。これに対し、変形例2では、ビームダンプモジュール51〜530の他の配置を例示する。
図24は、変形例2にかかるビームダンプ装置の概略構成例を示す模式図である。図24に示すように、ビームダンプ装置500Bは、ビームダンプ装置500と同様、ビームダンプモジュール510〜530と、終端モジュール540とを備えてもよい。ただし、ビームダンプ装置500Bは、ビームダンプモジュール510〜530がL字型に折り曲がって配列してもよい。
以上のように、複数のビームダンプモジュールは、直線的な配列に限らず、様々な配列で接続され得る。その際、各フレーム501の接続フランジ501aをすべて共通化することで、ビームダンプモジュールの配列自由度がより高められ得る。
実施形態5において例示したビームダンプ装置500において、各モジュールのビームダンパ104は、パワーメータやビームプロファイラ等のレーザ光計測器に置き換えられ得る。そこで実施形態6では、終端モジュール540のビームダンパ104の代わりに、パワーメータが用いられた場合を例示する。
図25は、実施形態6にかかるビームダンプ装置の概略構成例を示す模式図である。図25に示すように、ビームダンプ装置600は、ビームダンプモジュール510および520と、終端モジュールとしてのパワーメータ610とを備えてもよい。ビームダンプモジュール510および520は、上述したビームダンプモジュール510および520と同様であってもよい。
パワーメータ610は、入射したレーザ光60のパワーを計測し得る。パワーメータ610は、計測されたレーザ光60のパワーをレーザ制御部41に入力してもよい。
レーザ光33は、ターゲット27よりも大きな径で照射され得る。そのため、ビームダンプ装置600には、ターゲット27の周辺を通過したレーザ光33も入射し得る。このレーザ光33のパワーを計測することで、レーザ光33のターゲット27への照射状態を推定し得る。また、推定した照射状態に基づいてレーザ光マニュピレータ53を動作させることで、ターゲット27へのレーザ光33の照射状態を適正に維持し得る。
また、変形例では、終端モジュール540のビームダンパ104の代わりに、ビームプロファイラが用いられた場合を例示する。
図26は、変形例にかかるビームダンプ装置の概略構成例を示す模式図である。図26に示すように、ビームダンプ装置600Aは、ビームダンプモジュール510〜530と、終端モジュールとしてのビームプロファイラ620とを備えてもよい。ビームダンプモジュール510〜530は、上述したビームダンプモジュール510〜530と同様であってもよい。ただし、その配置は、L字状に折れ曲がっていてもよい。
ビームプロファイラ620は、入射したレーザ光60の断面プロファイル画像を計測し得る。断面プロファイル画像は、プラズマ生成領域25においてターゲット27に照射されたレーザ光33の断面プロファイル画像であってもよい。
以上のような構成とすることで、減光されたレーザ光60を用いて、レーザ光33のターゲット27への照射状態を適正に維持し得る。
Claims (17)
- アッテネータモジュールと、
ビームダンプモジュールと
前記アッテネータモジュールおよび前記ビームダンプモジュールを制御するレーザ制御部と、
を備え、
前記アッテネータモジュールは、
レーザ光の光軸に対して第1角度傾いて配置された第1ビームスプリッタと、
前記光軸に対して前記第1角度と絶対値が等しく且つ反対符号の第2角度傾いて配置された第2ビームスプリッタと、
前記第1ビームスプリッタによって反射された前記レーザ光が入射するよう配置された第1ビームダンパと、
前記第2ビームスプリッタによって反射された前記レーザ光が入射するよう配置された第2ビームダンパと、
前記第1および第2ビームスプリッタを前記レーザ光の光路に対して挿入または退避する第1ステージと、
を含み、
前記ビームダンプモジュールは、
レーザ光の光軸に対して傾いて配置されたミラーと、
前記ミラーによって反射された前記レーザ光が入射するよう配置された第3ビームダンパと、
前記ミラーを前記光路に対して挿入または退避する第2ステージと、
を含み、
前記レーザ制御部は、前記第1ステージを制御することで前記第1および第2ビームスプリッタを前記光路に対して選択的に挿入または退避し、前記第2ステージを制御することで前記ミラーを前記光路に対して選択的に挿入または退避する、
ビームダンプ装置であって、
前記第1ビームダンパ、前記第2ビームダンパ、及び前記第3ビームダンパの各々の容量は、前記ビームダンプ装置に入射するレーザ出力よりも小さい、
ビームダンプ装置。 - 前記第1ステージは、前記第1および第2ビームスプリッタを前記光軸と垂直な方向へ平行移動し、
前記第2ステージは、前記ミラーを前記光軸と垂直な方向へ平行移動する、
請求項1に記載のビームダンプ装置。 - 前記レーザ制御部は、前記第1および第2ビームスプリッタを前記光路に挿入した状態で前記ミラーを前記光路から退避させる制御を行う、請求項1に記載のビームダンプ装置。
- 前記アッテネータモジュールは、
前記第1ステージに配置され、前記第1ビームスプリッタを載置する第1回転ステージと、
前記第1ステージに配置され、前記第1ビームダンパを載置する第2回転ステージと、
前記第1ステージに配置され、前記第2ビームスプリッタを載置する第3回転ステージと、
前記第1ステージに配置され、前記第2ビームダンパを載置する第4回転ステージと、
をさらに含み、
前記レーザ制御部は、前記第1から第4回転ステージの回転を制御し、前記第1回転ステージを第3角度回転させた場合、前記第2回転ステージを前記第3角度の2倍である第4角度回転させ、前記第3回転ステージを前記第3角度と絶対値が等しく且つ反対符号の第5角度回転させ、且つ、前記第4回転ステージを前記第5角度の2倍である第6角度回転させるよう制御する、
請求項1に記載のビームダンプ装置。 - 前記第1および第2ビームスプリッタ、前記ミラーおよび前記第1〜第3ビームダンパのうち少なくとも1つを冷却する冷却機構をさらに備えた、請求項1に記載のビームダンプ装置。
- レーザ光を出力するマスタオシレータと、
前記レーザ光を増幅する増幅器と、
前記レーザ光の光路上に配置された請求項5に記載のビームダンプ装置と、
を備えた、レーザ装置。 - プラズマ生成領域に供給されたターゲット物質にレーザ光を照射して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
前記レーザ光を出力する請求項6に記載のレーザ装置と、
内部に前記プラズマ生成領域が設定されたチャンバと、
前記プラズマ生成領域付近に前記レーザ光を集光する集光光学系と、
前記プラズマ生成領域付近に前記ターゲット物質を供給するターゲット供給装置と、
前記レーザ光によって照射されることで前記ターゲット物質から発生したプラズマから放射した極端紫外光を集光する集光ミラーと、
を備えた極端紫外光生成装置。 - 前記プラズマ生成領域を通過した前記レーザ光を反射するよう配置されたダンパミラーと、
前記ダンパミラーによって反射された前記レーザ光が入射するように配置された第4ビームダンプ装置と、
を備える請求項7に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記第3のビームダンパの容量は、前記第2のビームダンパの容量よりも小さい、
請求項1に記載のビームダンプ装置。 - 前記第1ステージ、および前記第2ステージの各々は1軸ステージを含み、
前記1軸ステージはボールスクリューとモータとの組み合わせ、または伸縮可能なエアシリンダによって構成される、
請求項1に記載のビームダンプ装置。 - 前記第1ビームスプリッタ、前記第2ビームスプリッタ、および第3ビームスプリッタの各々は、ZnSeまたはダイヤモンドの基板で構成され、
前記基板の前記レーザ光が出射する面には反射防止膜がコーティングされる、
請求項1に記載のビームダンプ装置。 - 前記第1ビームダンパ、前記第2ビームダンパ、および前記第3ビームダンパの各々は、円錐状のコーン部と、
前記コーン部で拡散されたレーザ光が各ビームダンパ外に拡散するのを抑制するひだ状部と、
を備えた請求項1に記載のビームダンプ装置。 - 前記ミラーは、金コートが施された銅基板または高反射多層膜でコーティングされたシリコン基板からなる、
請求項1に記載のビームダンプ装置。 - 前記レーザ制御部は、前記第1ビームスプリッタ、前記第2ビームスプリッタ、および前記ミラーを前記光路に挿入する制御を行う、
請求項1に記載のビームダンプ装置。 - 前記レーザ制御部は、前記第1ビームスプリッタ、前記第2ビームスプリッタ、および前記ミラーを前記光路から退避させる制御を行う、
請求項1に記載のビームダンプ装置。 - 前記アッテネータモジュールを複数備え、
前記複数のアッテネータモジュールのうちの1つは前記第1ビームダンパまたは前記第2ビームダンパの代わりにパワーメータまたは集光光学系を備えたビームプロファイラを備える、
請求項1に記載のビームダンプ装置。 - 前記第1ビームダンパ、前記第2ビームダンパ、及び前記第3ビームダンパの容量の合計は、前記レーザ出力以上である、請求項1に記載のビームダンプ装置。
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