JP6584936B2 - 磁気ディスク基板用研磨液組成物 - Google Patents
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本開示に係る研磨液組成物は、上述したように、非球状シリカ粒子A(以下、「粒子Aともいう」)を含有する。
球形度=4π×S/L2
個々の粒子Aの球形度は、前記平均球形度と同様、0.60以上が好ましく、0.70以上がより好ましく、そして、0.85以下が好ましく、0.80以下がより好ましく、0.75以下が更に好ましい。
平均一次粒子径(nm)=2727/S
本開示に係る研磨液組成物のpHは、研磨速度向上、粗研磨後のロールオフ低減、及び長波長うねり低減の観点から、0.5以上6.0以下である。本開示に係る研磨液組成物は、研磨速度向上、粗研磨後のロールオフ低減、長波長うねり低減、及びpHを調整する観点から、pH調整剤を含有することが好ましい。pH調整剤としては、同様の観点から、酸及び塩から選ばれる1種以上が好ましい。
本開示に係る研磨液組成物は、研磨速度向上、粗研磨後のロールオフ低減、及び長波長うねり低減の観点から、酸化剤を含有してもよい。酸化剤としては、同様の観点から、例えば、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄(III)、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄(III)及び硫酸アンモニウム鉄(III)から選ばれる少なくとも1種が好ましく、研磨速度向上の観点、被研磨基板の表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から、過酸化水素がより好ましい。これらの酸化剤は、単独で又は2種以上を混合して使用してもよい。
本開示に係る研磨液組成物は、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が挙げられる。研磨液組成物中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いが容易になるため、61質量%以上が好ましく、70質量%以上がより好ましく、80質量%以上が更に好ましく、85質量%以上が更により好ましく、そして、同様の観点から、99質量%以下が好ましく、98質量%以下がより好ましく、97質量%以下が更に好ましい。
本開示に係る研磨液組成物は、必要に応じてその他の成分を含有してもよい。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、研磨速度向上剤、界面活性剤、高分子化合物等が挙げられる。前記その他の成分は、本開示の効果を損なわない範囲で研磨液組成物中に含有されることが好ましく、研磨液組成物中の前記その他の成分の含有量は、0質量%以上が好ましく、0質量%超がより好ましく、0.1質量%以上が更に好ましく、そして、10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましい。
本開示に係る研磨液組成物は、突起欠陥の低減化の観点から、アルミナ砥粒の含有量が、0.1質量%以下が好ましく、0.05質量%以下がより好ましく、0.02質量%以下が更に好ましく、アルミナ砥粒を実質的に含まないことが更に好ましい。本開示において「アルミナ砥粒を実質的に含まない」とは、アルミナ粒子を含まないこと、砥粒として機能する量のアルミナ粒子を含まないこと、又は、研磨結果に影響を与える量のアルミナ粒子を含まないこと、を含みうる。アルミナ粒子の研磨液組成物中の含有量は、研磨液組成物中の砥粒全量に対し、2質量%以下が好ましく、1質量%以下がより好ましく、0.5質量%以下が更に好ましく、実質的に0質量%であることが更により好ましい。
本開示に係る研磨液組成物のpHは、研磨速度向上、及び長波長うねり低減の観点から、0.5以上であり、0.7以上が好ましく、0.9以上がより好ましく、1.0以上が更に好ましく、1.2以上が更により好ましく、1.4以上が更により好ましく、そして、同様の観点から、6.0以下であり、4.0以下が好ましく、3.0以下がより好ましく、2.5以下が更に好ましく、2.0以下が更により好ましい。pHの調整は、前述の酸や公知のpH調整剤を用いて、調整することが好ましい。上記のpHは、25℃における研磨液組成物のpHであり、pHメータを用いて測定でき、好ましくは、pHメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して2分後の数値である。
本開示に係る研磨液組成物は、例えば、粒子Aを含むシリカスラリーと、更に所望により、pH調整剤、酸化剤及びその他の成分とを公知の方法で配合し、pHを0.5以上6.0以下とすることにより製造できる。したがって、本開示は、少なくとも粒子A及び水を配合する工程を含む、研磨液組成物の製造に用いられるシリカスラリーの製造方法に関する。さらに、本開示は、少なくとも粒子A及び水を配合する工程を含み、必要に応じてpHを0.5以上6.0以下に調整する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、粒子A及び水、並びに必要に応じてpH調整剤、酸化剤及びその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器等を用いて行うことができる。研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じである。
工程1:水と、pH調整剤と、任意で酸化剤を混合し、pH6.0以下の分散媒を調製する工程
工程2:前記分散媒と、粒子Aを含むシリカスラリーとを、混合する工程
工程1において、得られる分散媒のpHは、研磨液組成物のpHが所望の値となるように調整されることが好ましい。
本開示は、研磨液組成物を製造するためのキットであって、前記粒子Aを含むシリカスラリーが容器に収納された容器入りスラリーを含む、研磨液キットに関する。本開示に係る研磨液キットは、前記容器入りスラリーとは別の容器に収納されたpH6.0以下の分散媒をさらに含むことができる。本開示によれば、砥粒としてシリカ粒子を使用した場合でも、粗研磨における研磨速度を大きく損ねることなく、さらに、粗研磨後のロールオフを大きく悪化させることなく、粗研磨後の基板表面の長波長うねりを低減できる研磨液組成物が得られうる研磨液キットを提供できる。
本開示に係る研磨液組成物が研磨の対象とする被研磨基板、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板であり、例えば、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられ、強度と扱いやすさの観点からNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板が好ましい。本開示において「Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板」とは、アルミニウム合金基材の表面を研削後、無電解Ni−Pメッキ処理したものをいう。被研磨基板の表面を本開示にかかる研磨液組成物を用いて研磨する工程の後、スパッタ等でその基板表面に磁性層を形成する工程を行うことにより、磁気ディスクを製造できうる。被研磨基板の形状には、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状が挙げられ、好ましくはディスク状の被研磨基板である。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は、例えば10〜120mmであり、その厚みは、例えば0.5〜2mmである。
本開示は、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程(以下、「本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう)を含む、磁気ディスク基板の製造方法(以下、「本開示に係る基板製造方法」ともいう。)に関する。
本開示は、本開示に係る研磨液組成物を用いた研磨工程を含む、磁気ディスク基板の研磨方法(以下、本開示に係る研磨方法ともいう)に関する。
表1の砥粒(非球状シリカ粒子A、アルミナ砥粒)、pH調整剤(硫酸)、酸化剤(過酸化水素)、及び水を用い、実施例1〜4及び比較例1〜4の研磨液組成物を調製した。研磨液組成物中の各成分の含有量は、砥粒:7.5質量%、硫酸:0.5質量%、過酸化水素:0.5質量%であった。研磨液組成物のpHは1.4であった。粒子Aは、水ガラス法により製造されたコロイダルシリカ粒子である。pHは、pHメータ(東亜ディーケーケー社製)を用いて測定し、電極を研磨液組成物へ浸漬して2分後の数値を採用した(以下、同様)。
[シリカ粒子の平均短径、平均アスペクト比及び平均球形度の測定方法]
シリカ粒子をTEM(日本電子社製「JEM−2000FX」、80kV、1〜5万倍)で観察した写真をパーソナルコンピュータにスキャナで画像データとして取込み、解析ソフト(三谷商事「WinROOF(Ver.3.6)」)を用いて500個のシリカ粒子の投影画像について下記の通り解析した。
個々のシリカ粒子の短径及び長径を求め、短径の平均値(平均短径)を得た。さらに、長径を短径で除した値からアスペクト比の平均値(平均アスペクト比)を得た。さらに、個々のシリカ粒子の面積Sと周囲長Lとから、下記式により個々のシリカ粒子の球形度を算出し、球形度の平均値(平均球形度)を得た。
球形度=4π×S/L2
シリカ砥粒の平均一次粒子径は、BET法によって算出されるBET比表面積S(m2/g)を用いて下記式から算出した。
平均一次粒子径(nm)=2727/S
[前処理]
スラリー状の粒子をシャーレにとり150℃の熱風乾燥機内で1時間乾燥させた。乾燥後の試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。
シリカ粒子をイオン交換水で希釈し、シリカ粒子を0.02質量%含有する分散液を調製して試料とし、動的光散乱装置(大塚電子社製「DLS−7000」)を用いて、下記の条件で測定した。得られた重量換算での粒度分布の面積が全体の50%となる粒径(D50)を平均二次粒子径とした。同時に、得られた重量換算分布における標準偏差を、前記平均二次粒径で除して、100をかけた値をCV値(単位:%)とした。
測定条件:試料量 30mL
:レーザー He−Ne、3.0mW、633nm
:散乱光検出角 90°
:積算回数 200回
ポイズ530(花王社製、ポリカルボン酸型高分子界面活性剤)を0.5質量%含有する水溶液を分散媒として、下記測定装置内に投入し、続いて透過率が75〜95%になるようにサンプル(アルミナ粒子)を投入し、その後、5分間超音波を付与した後、粒径を測定した。
測定機器 :堀場製作所製 レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置 LA920
循環強度 :4
超音波強度:4
調製した実施例1〜4及び比較例1〜4の研磨液組成物を用いて、下記の研磨条件で被研磨基板を研磨した。
研磨機:両面研磨機(9B型両面研磨機、スピードファム社製)
被研磨基板:Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板、厚み:1.27mm、直径95mm、枚数:10枚
研磨液:研磨液組成物
研磨パッド:スエードタイプ(発泡層:ポリウレタンエラストマー)、厚み:1.0mm、平均気孔径:30μm、表面層の圧縮率:2.5%(Filwel社製)
定盤回転数:40rpm
研磨荷重:9.8kPa(設定値)
研磨液供給量:60mL/min
研磨時間:シリカ砥粒5分30秒、アルミナ砥粒3分30秒
[研磨速度の評価]
実施例1〜4及び比較例1〜4の研磨液組成物の研磨速度は、以下のようにして評価した。まず、研磨前後の各基板1枚当たりの重さを計り(Sartorius社製、「BP−210S」)を用いて測定し、各基板の質量変化から質量減少量を求めた。全10枚の平均の質量減少量を研磨時間で割った値を研磨速度とし、下記式により算出した。さらに比較例1を100とした相対値を算出した。
質量減少量(g)={研磨前の質量(g)−研磨後の質量(g)}
研磨速度(mg/min)=質量減少量(mg)/研磨時間(min)
研磨後の10枚の両面、計20面について、下記の条件で測定した。その20面の測定値の平均値を基板の長波長うねりとして算出した。さらに比較例1を100.0とした相対値を算出した。
測定機器: KLA Tencor社製「OptiFLAT III」
Radius Inside/Out: 14.87mm/47.83mm
Center X/Y: 55.44mm/53.38mm
Low Cutoff: 2.5mm
Inner Mask: 18.50mm
Outer Mask: 45.5mm
Long Period: 2.5mm
Wa Correction: 0.9
Rn Correction: 1.0
No Zernike Terms: 8
研磨後の10枚の基板から任意に1枚を選択し、選択した基板のロールオフ値について、Zygo社製「New View 5032(レンズ:2.5倍、ズーム:0.5倍)」を用いて下記のとおり測定した。
(測定条件)
図3のように、基板表面の中心から外周方向に向かって43.0mm及び44.0mmとなる位置をそれぞれA点及びB点とし、A点とB点とを結ぶ延長線上において基板表面の中心から46.6mmとなる位置をC点とする。そして、研磨後の基板1枚のC点の位置を表裏3箇所ずつ(計6箇所)算出し、それぞれのC点から基板表面までの基板の厚み方向の距離を測定し、それらの平均値をロールオフ値(nm)とした。各測定点の位置算出には、Zygo社製の解析ソフト(Metro Pro)を用いた。ロールオフ値が正(プラス)の値に近づくほど、基板の端部が盛り上がっていることを示し、ロールオフが抑制されたといえる。
研磨後の各基板の表面を走査型電子顕微鏡(日立製作所社製:S−4000)にて1万倍で観察し、下記の3段階評価をした。
○:表面にアルミナ残留物が全く観察されないもの
△:表面にわずかにアルミナ残留物が観察されたもの
×:表面にアルミナ残留物が観察されたもの
各評価の結果を表1に示した。
Claims (9)
- 非球状シリカ粒子A及び水を含み、
pHが、0.5以上6.0以下であり、
前記非球状シリカ粒子Aの平均二次粒子径D2と平均一次粒子径D1との比D2/D1が、2.1以上4.0以下であり、
前記非球状シリカ粒子Aの平均一次粒子径D1が、80nm以上であり、
前記非球状シリカ粒子Aの平均二次粒子径D2が、180nm以上であり、
前記非球状シリカ粒子Aの平均短径が、150nm以上500nm以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物。 - 前記非球状シリカ粒子Aの平均球形度が、0.85以下である、請求項1に記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。
- アルミナ砥粒の含有量が、0.1質量%以下である、請求項1又は2に記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。
- 前記非球状シリカ粒子Aの二次粒子径の変動係数CVが、30%以下である、請求項1から3のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。
- Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨に用いられる、請求項1から4のいずれかに記載された磁気ディスク基板用研磨液組成物。
- pH調整剤を更に含む、請求項1から5のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。
- 酸化剤を更に含む、請求項1から6のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物。
- 請求項1から7のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
- 請求項1から7のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含み、前記被研磨基板は、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015233520A JP6584936B2 (ja) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015233520A JP6584936B2 (ja) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2017102990A JP2017102990A (ja) | 2017-06-08 |
JP6584936B2 true JP6584936B2 (ja) | 2019-10-02 |
Family
ID=59017461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015233520A Active JP6584936B2 (ja) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6584936B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6957232B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2021-11-02 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP7262197B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2023-04-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびその利用 |
JP7396953B2 (ja) | 2020-03-31 | 2023-12-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、基板の製造方法および研磨方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4954398B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2012-06-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP4083528B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2008-04-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP6092623B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-03-08 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
JP6081317B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2017-02-15 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
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2015
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017102990A (ja) | 2017-06-08 |
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