JP6555867B2 - 撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 50
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 141
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
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Description
図2を用いて第1実施形態に係る撮像装置1000を説明する。図2は、図1(b)のA―A’線における画素領域1の断面および、周辺領域2の断面を示している。図2に示すように、p型ウェルが形成された半導体基板10内には、STI(Shallow Trench Isoration)などによる素子分離部9が形成されている。また、半導体基板10には、例えば画素回路110の各トランジスタのソースまたはドレインとして機能する不純物領域7や、制御回路6の接続部として機能する不純物領域81、82が設けられている。半導体基板10の上には、ゲート絶縁膜(不図示)を介して、ゲート18および他の不図示のゲート14、19を成すゲート電極層が設けられている。これらの構造は第1画素101、第2画素102、第3画素103のそれぞれの画素回路111、112、113に共通である。
次に、図5(a)〜(c)を用いて第2実施形態に係る撮像装置の製造方法を説明する。第3実施形態は、中間電極43および絶縁膜44の形成方法が第1実施形態と異なる。図5(a)に示すように配線構造体120の上に導電膜を形成して、導電膜をパターニングすることで、画素電極40および中間電極43を同時に形成する。図5(b)に示すように画素電極40および中間電極43を覆うように絶縁膜を堆積させる。
次に、図6(a)〜(e)を用いて第3実施形態に係る撮像装置の製造方法を説明する。第3実施形態は、画素電極40の形成方法が第1実施形態と主に異なる。図6(a)に示すように、ダマシン法を用いて画素電極40を絶縁部材20に埋め込んで形成する。そのため、画素電極40の上面と絶縁部材20の上面とが連続した平坦面が形成される。次に、図6(b)に示すように、画素電極40および絶縁部材20を覆う様に絶縁膜44を形成する。ここで、絶縁膜44を第1実施形態と同様にパターニングすることもできるが、本例では画素境界部に絶縁膜44を残している。次に、絶縁膜44の上に導電膜を形成し、この導電膜をパターニングすることにより、中間電極43を形成する。画素電極40は絶縁部材20と絶縁膜44との間に配されており、絶縁膜44は、絶縁部材20と中間電極43との間に延在している。この中間電極43は第1実施形態や第2実施形態とは異なり、画素電極40間ではなく、画素電極40間の上方に形成される。このような形態によれば、距離D1、D2を大きくしつつ、距離D0を小さくできるため、感度の向上と残像の防止を両立することができる。
402 第2画素電極
50 光電変換膜
43 中間電極
44 絶縁膜
Claims (20)
- 第1画素電極と、前記第1画素電極に隣り合う第2画素電極と、前記第1画素電極および前記第2画素電極を連続的に覆う光電変換膜と、を備える撮像装置であって、
前記第1画素電極と前記光電変換膜との間および前記第2画素電極と前記光電変換膜との間には絶縁膜が設けられており、
前記光電変換膜を介して前記第1画素電極および前記第2画素電極に対向する対向電極が設けられており、
前記第1画素電極と前記第2画素電極の間に対応する位置において、前記光電変換膜の前記第1画素電極および前記第2画素電極が配された側に中間電極が設けられており、
前記中間電極と前記第1画素電極の間の電位差を、前記中間電極と前記対向電極の間の電位差よりも大きくする制御回路を備え、
前記光電変換膜と前記中間電極との距離は、前記光電変換膜と前記第1画素電極との距離および前記光電変換膜と前記第2画素電極との距離よりも小さく、
前記光電変換膜に存在する電荷は前記中間電極を介して排出されることを特徴とする撮像装置。 - 第1画素電極と、前記第1画素電極に隣り合う第2画素電極と、前記第1画素電極および前記第2画素電極を連続的に覆う光電変換膜と、を備える撮像装置であって、
前記第1画素電極と前記光電変換膜との間および前記第2画素電極と前記光電変換膜との間には絶縁膜が設けられており、
前記第1画素電極と前記第2画素電極の間に対応する位置において、前記光電変換膜の前記第1画素電極および前記第2画素電極が配された側に中間電極が設けられており、
前記第1画素電極は絶縁部材と前記絶縁膜との間に配されており、前記絶縁膜は、前記絶縁部材と前記中間電極との間に延在しており、
前記光電変換膜と前記中間電極との距離は、前記光電変換膜と前記第1画素電極との距離および前記光電変換膜と前記第2画素電極との距離よりも小さく、
前記光電変換膜に存在する電荷は前記中間電極を介して排出されることを特徴とする撮像装置。 - 前記中間電極と前記第1画素電極の間の電位差を、前記第1画素電極と前記第2画素電極の間の電位差よりも大きくする制御回路を備える、請求項1または2に記載の撮像装置。
- 前記光電変換膜を介して前記第1画素電極および前記第2画素電極に対向する対向電極が設けられている、請求項2に記載の撮像装置。
- 前記対向電極と前記中間電極との距離が、前記対向電極と前記第1画素電極との距離および前記対向電極と前記第2画素電極との距離よりも小さい、請求項1または4に記載の撮像装置。
- 外部回路と電気的に接続するための接続電極を備え、前記中間電極は前記接続電極と同じ材料で構成されている、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記中間電極は前記第1画素電極の材料および前記第2画素電極の材料とは異なる材料で構成されている、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記中間電極が前記絶縁膜から離れて設けられている、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記第1画素電極は絶縁部材と前記絶縁膜との間に配されており、前記絶縁膜は、前記絶縁部材と前記中間電極との間に延在している、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記中間電極は、グリッド状あるいはストライプ状の形状を有する、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 基板と、前記第1画素電極と前記基板との間に設けられた絶縁部材と、を備え、前記対向電極と前記第1画素電極との距離が、前記対向電極と前記絶縁部材との距離よりも小さい、請求項1、4または5に記載の撮像装置。
- 前記絶縁膜と前記対向電極との距離は、前記中間電極と前記対向電極との距離よりも小さい、請求項1、4、5、または、請求項11に記載の撮像装置。
- 前記中間電極の幅が、前記第1画素電極の幅よりも小さい、請求項1乃至12のいずれか1項に記載の撮像装置。
- トランジスタを有する半導体基板を備え、前記トランジスタのソースまたはドレインとなる不純物領域が前記半導体基板に設けられており、前記第1画素電極は前記不純物領域に接続されている、請求項1乃至13のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 第1画素回路および第2画素回路を有する半導体基板を備え、前記第1画素電極は前記第1画素回路に接続されており、前記第2画素電極は前記第2画素回路に接続されており、
前記第1画素回路および前記第2画素回路の各々は、第1トランジスタおよび第2トランジスタを含み、前記第1トランジスタのゲートは前記半導体基板に設けられた不純物領域に接続されており、前記第2トランジスタは前記不純物領域の電位をリセットする、請求項1乃至14のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記第1画素回路および前記第2画素回路の各々は第3トランジスタを含み、前記不純物領域は前記第3トランジスタのドレインであって、前記第1画素電極は前記第1画素回路に含まれる第3トランジスタのソースに接続されており、前記第2画素電極は前記第2画素回路に含まれる第3トランジスタのソースに接続されている、請求項15に記載の撮像装置。
- 第1画素回路および第2画素回路を有する半導体基板を備え、前記第1画素電極は前記第1画素回路に接続されており、前記第2画素電極は前記第2画素回路に接続されており、
前記第1画素回路および前記第2画素回路の各々には、ソースフォロワ回路を構成する増幅トランジスタが設けられている、請求項1乃至16のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記中間電極は前記光電変換膜に接する、請求項1乃至16のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記光電変換膜の上にマイクロレンズアレイが設けられている、請求項1乃至17のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 請求項1乃至19のいずれか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から得られた信号を処理する信号処理装置および/または前記撮像装置で撮影された画像を表示する表示装置と、を備えるシステム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014196672A JP6555867B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 撮像装置 |
US14/863,254 US9647018B2 (en) | 2014-09-26 | 2015-09-23 | Imaging device including an intermediate electrode between first and second pixel electrodes and in contact with a photoelectric conversion film |
US15/480,251 US10269849B2 (en) | 2014-09-26 | 2017-04-05 | Imaging device including photoelectric conversion film for continuously covering electrodes having a distance between a counter electrode and a pixel electrode or an intermediate electrode is smaller than a distance between the counter electrode and an insulating member |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014196672A JP6555867B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016072271A JP2016072271A (ja) | 2016-05-09 |
JP6555867B2 true JP6555867B2 (ja) | 2019-08-07 |
Family
ID=55585318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014196672A Active JP6555867B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9647018B2 (ja) |
JP (1) | JP6555867B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7005331B2 (ja) * | 2017-12-21 | 2022-01-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
CN110071126A (zh) * | 2018-01-23 | 2019-07-30 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
FR3093233B1 (fr) * | 2019-02-25 | 2021-03-05 | Isorg | Dispositif matriciel pour capteur d'image, à transistors en couches minces et photodiodes organiques |
WO2021240998A1 (ja) * | 2020-05-26 | 2021-12-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57173969A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | Solid state image pickup device |
JPS6218755A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-27 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP3066944B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2000-07-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム |
JPH09275201A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 固体撮像素子 |
US6229191B1 (en) * | 1999-11-19 | 2001-05-08 | Agilent Technologies, Inc. | Conductive guard rings for elevated active pixel sensors |
JP2006156555A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Toshiba Corp | X線平面検出器 |
JP2007192611A (ja) | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出器の残像消去方法および装置 |
JP2008198910A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置およびその製造方法 |
JP5107747B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2012-12-26 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出器 |
JP4961590B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2012-06-27 | 力晶科技股▲ふん▼有限公司 | イメージセンサー及びその製作方法 |
JP2008306080A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Hitachi Ltd | 光センサ素子、およびこれを用いた光センサ装置、画像表示装置 |
US7675101B2 (en) | 2007-09-07 | 2010-03-09 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Image sensor and manufacturing method thereof |
JP2011151271A (ja) | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Rohm Co Ltd | 光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置 |
JP2011238781A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Panasonic Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2011249623A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Panasonic Corp | 光電変換素子とその製造方法、および固体撮像素子とその製造方法 |
WO2012004923A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 |
WO2013001809A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
KR101774491B1 (ko) | 2011-10-14 | 2017-09-13 | 삼성전자주식회사 | 유기 포토다이오드를 포함하는 유기 픽셀, 이의 제조 방법, 및 상기 유기 픽셀을 포함하는 장치들 |
WO2013111637A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
JP5895650B2 (ja) | 2012-03-28 | 2016-03-30 | ソニー株式会社 | 撮像装置および撮像表示システム |
JP2013219067A (ja) | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Canon Inc | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置、及び放射線撮像システム |
JP5946132B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2016-07-05 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2016033972A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP6521586B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2019-05-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
-
2014
- 2014-09-26 JP JP2014196672A patent/JP6555867B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-23 US US14/863,254 patent/US9647018B2/en active Active
-
2017
- 2017-04-05 US US15/480,251 patent/US10269849B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160093650A1 (en) | 2016-03-31 |
US10269849B2 (en) | 2019-04-23 |
JP2016072271A (ja) | 2016-05-09 |
US20170207260A1 (en) | 2017-07-20 |
US9647018B2 (en) | 2017-05-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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