JP6544485B2 - セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
このように、本発明のセラミック電子部品では、内部導体層とセラミック絶縁体との間での空隙の形成を抑制することができるため、めっき液等の液体の外部からの浸入を防止することができる。その結果、マイグレーション等の発生が抑制され、導体間のショートが低減するため、信頼性の向上に繋がる。さらに、液体の浸入が原因となってセラミック電子部品の実装時に問題となる、外部導体の膨張、半田爆ぜ、半田内部での空隙の形成、外部導体の変色等の不良を低減することもできる。
セラミック絶縁体が第1絶縁体領域及び第2絶縁体領域に含まれる金属元素と同じ金属元素を含んでいると、内部導体層の焼結挙動がセラミック絶縁体の焼結挙動に近くなるため、内部導体層とセラミック絶縁体との間での空隙の形成をさらに抑制することができる。
これは、セラミック絶縁体が第1絶縁体領域及び第2絶縁体領域に含まれる金属元素と同じ金属元素を含む場合であっても、内部導体層に含まれる金属酸化物の成分が内部導体層の内部、及び、内部導体層とセラミック絶縁体との間に留まることを意味する。したがって、焼成時における内部導体層の収縮が抑制され、内部導体層とセラミック絶縁体との間に空隙が形成されにくくなる。
このように、セラミック電子部品が外部から液体が浸入しやすい構造であっても、内部導体層とセラミック絶縁体との間での空隙の形成を抑制することができるため、めっき液等の液体の外部からの浸入を防止することができる。
本発明のセラミック電子部品においては、内部導体層とセラミック絶縁体との間の中でも空隙が形成されやすい、内部導体層の下面のうち、内部導体層の上面と接する部分に生じる空隙の形成を抑制することができる。
導体ペーストに含まれる金属酸化物粉末又は金属酸化物前駆体粉末の比表面積が上記範囲であると、焼結した金属粉末同士の間に金属酸化物粉末又は金属酸化物前駆体粉末が閉じ込められやすくなる。つまり、内部導体層に含まれる金属酸化物の成分がセラミック絶縁体へ拡散しにくくなるため、焼成時における内部導体層の収縮がさらに抑制される。
金属粉末の粒径に対する金属酸化物粉末又は金属酸化物前駆体粉末の粒径が小さいと、焼結した金属粉末同士の間に金属酸化物粉末又は金属酸化物前駆体粉末が閉じ込められやすくなる。つまり、内部導体層に含まれる金属酸化物の成分がセラミック絶縁体へ拡散しにくくなるため、焼成時における内部導体層の収縮がさらに抑制される。
グリーンシートの焼結が低温で開始すると、セラミック絶縁体の液相成分が導体ペースト中の金属酸化物と反応してしまい、第1絶縁体領域及び第2絶縁体領域が形成されないおそれがある。したがって、金属粉末の焼結開始温度をグリーンシートの焼結開始温度以下とすることにより、第1絶縁体領域及び第2絶縁体領域を確実に形成することができる。
上記の原料粉末は、1000℃以下の温度の焼成温度で焼結可能であり、AgやCuとの同時焼成が可能である。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を2つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。
図1は、多層セラミック基板の一例を模式的に示す断面図である。
図1に示す多層セラミック基板1は、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック絶縁体11と、セラミック絶縁体11の内部に設けられた内部導体層12とを備えている。内部導体層12は、配線導体として、セラミック層の間に配置されており、セラミック絶縁体11の主面に実質的に平行に形成されている。
さらに、多層セラミック基板1は、内部導体層12以外の配線導体として、多層セラミック基板1の一方主面上に設けられた外部導体層13と、多層セラミック基板1の他方主面上に設けられた外部導体層14と、内部導体層12、外部導体層13及び外部導体層14のいずれかと電気的に接続され、かつセラミック層を厚み方向に貫通するように設けられたビア導体15とを備えている。
図2に示す積層セラミックコンデンサ2は、複数の誘電体層が積層されてなるセラミック絶縁体21と、セラミック絶縁体21の内部に設けられた内部導体層としての内層電極22a〜22fとを備えている。内層電極22a〜22fは、誘電体層の間に配置されており、セラミック絶縁体21の主面に実質的に平行に形成されている。セラミック絶縁体21の一方端面には外部導体としての外部電極23aが形成されており、セラミック絶縁体21の他方端面には外部導体としての外部電極23bが形成されている。
なお、本発明のセラミック電子部品において、外部導体は、セラミック絶縁体の表面に設けられるものであり、上述の外部電極のほか、電磁シールド用に設けられる金属ケース等であってもよい。
低温焼結セラミック材料とは、セラミック材料のうち、1000℃以下の焼成温度で焼結可能であり、AgやCuとの同時焼成が可能である材料を意味する。
内部導体層に含まれる金属としては、例えば、Au、Ag、Cu、Pt、Ta、W、Ni、Fe、Cr、Mo、Ti、Pd、Ru及びこれらの金属の1種を主成分とする合金等が挙げられる。内部導体層は、金属として、Au、Ag又はCuを含むことが好ましく、Ag又はCuを含むことがより好ましい。Au、Ag及びCuは低抵抗であるため、特に、セラミック電子部品が高周波用途である場合に適している。
図3(b)及び図3(c)に示すように、内部導体層32の内部に、セラミック絶縁体31と不連続な第1絶縁体領域41が分散して存在するとともに、内部導体層32の周囲に、第2絶縁体領域42が存在する。
また、第2絶縁体領域は、内部導体層とセラミック絶縁体との間に存在していればよい。中でも、第2絶縁体領域は、内部導体層とセラミック絶縁体との間、厚さ3μmの領域に存在することが好ましい。図3(b)では、第2絶縁体領域42が、内部導体層32とセラミック絶縁体31との間、厚さ3μmの領域に存在する例を示している。
上記領域において、上述のWDXによるTi、Mg及びZrからなる群より選択される少なくとも1種の金属元素の強度が第1絶縁体領域及び第2絶縁体領域における上記金属元素の強度よりも小さければ、セラミック絶縁体に含まれる上記金属元素の濃度は、第1絶縁体領域における上記金属元素の濃度よりも低く、第2絶縁体領域における上記金属元素の濃度よりも低いと言うことができる。
なお、内部導体層と第2絶縁体領域との界面とは、実施例で説明する条件でWDXによる元素分析を行った場合における、内部導体層に含まれる金属成分の元素(例えばCu)の強度が600未満となる部位を意味する。
本明細書においては、内部導体層が形成されている面を「内部導体層の下面」とし、それ以外の面を「内部導体層の上面」とする。例えば、形状が直方体である内部導体層がセラミック層上に形成されている場合、当該セラミック層と接する内部導体層の底面が「内部導体層の下面」に該当し、上記底面と対向する平面及び側面がまとめて「内部導体層の上面」に該当する。
なお、上記空隙の長さは、実施例で説明するように、セラミック電子部品に蛍光液を含浸させた後、内部導体層とセラミック絶縁体との間に侵入した蛍光液の長さを測定することによって求められる。
グリーンシートは、例えば低温焼結セラミック材料のようなセラミック原料の粉末と、有機バインダと溶剤とを含むスラリーを、ドクターブレード法等によってシート状に成形したものである。上記スラリーには、分散剤、可塑剤等の種々の添加剤が含まれていてもよい。
金属粉末としては、Cu粉末を用いることが好ましい。また、有機ビヒクルとしては、例えば、エチルセルロース系樹脂、アクリル樹脂及びポリビニルブチラール樹脂等を用いることができ、中でもエチルセルロース系樹脂を用いることが好ましい。
なお、金属酸化物粉末又は金属酸化物前駆体粉末の比表面積は、N2ガスによるBET(Brunauer,Emmet and Teller’s equation)1点法によるSSA測定装置(マウンテック製 商品名マックソーブ(登録商標))を用いて測定した値である。
なお、金属酸化物粉末又は金属酸化物前駆体粉末の比表面積換算粒径DOsf[nm]は、BET1点法により測定した金属酸化物粉末又は金属酸化物前駆体粉末の比表面積をs[m2/g]、金属酸化物粉末又は金属酸化物前駆体粉末の構成物質の密度をρ[g/cm3]としたとき、式「DOsf=(6×103)/(s×ρ)」から求めた値である。
また、金属粉末の体積基準メディアン径DM50[nm]は、レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置(堀場製作所製 LAシリーズ)を用いて測定した値である。
ここで、金属粉末及びグリーンシートの焼結開始温度とは、熱機械測定装置(TMA)を用い、400℃以上1000℃以下の温度範囲で、主たる収縮温度域、即ち収縮量が最大となる温度領域内にあって、TMA曲線が変曲を示す点の接線、並びに、600℃以上700℃以下の範囲におけるTMA曲線の接線を引いた時、その2線の交点が示す温度である。
生の積層体は、上述のように、予めシート状に成形されたグリーンシートを積層することによって作製されることが好ましいが、セラミックスラリーを同一場所でシート状に成形することを繰り返すことによって作製されてもよい。
出発原料として、いずれも平均粒径(D50)2.0μm以下のSiO2、Al2O3、BaCO3、TiO2、Mg(OH)2及びZrO2の各粉末を準備した。これらの出発原料粉末を、所定の組成比となるように秤量し、湿式混合粉砕した後、乾燥し、混合物を得た。得られた混合物を還元雰囲気下で熱処理することにより、セラミック絶縁体のグリーンシートのための原料粉末を得た。この熱処理によって、BaCO3はBaOに、Mg(OH)2はMgOに変化した。
出発原料として、表1に示す金属粉末、表2に示す金属酸化物粉末、及び、表3に示す有機ビヒクルを準備した。
導体ペーストP−1〜P−15を用いて、スクリーン印刷により、グリーンシートの表面に内部導体層となる導体ペースト膜を形成した。導体ペースト膜が形成されたグリーンシートを所定枚数積層し、導体パターン膜が形成されていないグリーンシートで挟持した後、圧着して生の積層体を作製した。その後、還元雰囲気下、800〜1000℃、60〜180分間で焼成を行うことにより、セラミック絶縁体の内部に内部導体層が設けられたセラミック電子部品を得た。得られたセラミック電子部品に、導体ペーストの番号に対応したサンプル番号S−1〜S−15を付した。
機械研磨機を用いてセラミック電子部品S−1〜S−15を研磨することにより、セラミック電子部品S−1〜S−15の断面を露出させた。セラミック電子部品S−1〜S−15の断面に対してフラットミリング処理及びカーボンコーティング処理を行った、WDX(波長分散型X線分光分析)測定装置(JEOL製 商品名JXA−8530F)を用いて元素分析を行った。WDXの測定条件を表5に示す。
図4A〜図4Dに示すように、金属酸化物粉末としてTiO2粉末を含む導体ペーストP−1〜P−4を用いて内部導体層を形成したセラミック電子部品S−1〜S−4では、内部導体層の内部に、セラミック絶縁体と不連続な第1絶縁体領域が分散して存在するとともに、内部導体層の周囲に第2絶縁体領域が存在することが確認できる。さらに、図4Aから図4Dに向かってTiO2粉末のSSA(比表面積)が大きくなるほど、すなわち、比表面積換算粒径DOsfが小さくなるほど、第1絶縁体領域を構成する小領域のサイズが小さくなっていくことが確認できる。
図5A〜図5Dにおいても、図4A〜図4Dと同様に、内部導体層の内部に、セラミック絶縁体と不連続な第1絶縁体領域が分散して存在するとともに、内部導体層の周囲に第2絶縁体領域が存在することが確認できる。一方、内部導体層と第2絶縁体領域との界面から20μm離れた領域では、第1絶縁体領域及び第2絶縁体領域に比べてTi元素の強度が小さいことが確認できる。したがって、セラミック絶縁体に含まれるTi元素の濃度は、第1絶縁体領域及び第2絶縁体領域におけるTi元素の濃度よりも低くなっていることが分かる。
図6Aに示すように、金属酸化物粉末としてMgO粉末を含む導体ペーストP−11を用いて内部導体層を形成したセラミック電子部品S−11、及び、図6Bに示すように、金属酸化物粉末としてZrO2粉末を含む導体ペーストP−12を用いて内部導体層を形成したセラミック電子部品S−12では、内部導体層の周囲の一部に第2絶縁体領域が存在しないものの、セラミック電子部品S−1〜S−4と同様、内部導体層の内部に、セラミック絶縁体と不連続な第1絶縁体領域が分散して存在するとともに、内部導体層の周囲に第2絶縁体領域が存在することが確認できる。
内部導体層とセラミック絶縁体との間で生じる空隙を確認するため、各セラミック電子部品に蛍光液を真空含浸させた後、乾燥機を用いて乾燥させた。その後、機械研磨機を用いて内部導体層を含む面が露出するまでセラミック電子部品を研磨した。Hg光源の顕微鏡を用いて研磨面を確認し、内部導体層とセラミック絶縁体との間に蛍光液が浸入しているかを確認した。
第1絶縁体領域及び第2絶縁体領域が存在するセラミック電子部品S−4では、図7に示すように蛍光液が浸入していないのに対し、第1絶縁体領域及び第2絶縁体領域が存在しないセラミック電子部品S−15では、図8に示すように蛍光液が浸入していることが確認できる。以上の結果から、第1絶縁体領域及び第2絶縁体領域を形成することにより、内部導体層とセラミック絶縁体との間で生じる空隙の形成が抑制されることが分かる。
2 積層セラミックコンデンサ(セラミック電子部品)
11,21,31 セラミック絶縁体
12,32 内部導体層
13,14 外部導体層
15 ビア導体
22a,22b,22c,22d,22e,22f 内層電極(内部導体層)
23a,23b 外部電極
41 第1絶縁体領域
42 第2絶縁体領域
43 内部導体層と第2絶縁体領域との界面から20μm離れた厚さ3μmの領域
44 内部導体層と第2絶縁体領域との界面
A 内部導体層の下面のうち、内部導体層の上面と接する部分
Claims (11)
- セラミック絶縁体と、前記セラミック絶縁体の内部に設けられた内部導体層とを備えるセラミック電子部品であって、
前記内部導体層は、金属と、Ti、Mg及びZrからなる群より選択される少なくとも1種の金属元素を含む金属酸化物とを含み、
前記内部導体層の内部に、Ti、Mg及びZrからなる群より選択される少なくとも1種の金属元素を含み、前記セラミック絶縁体と不連続な第1絶縁体領域が分散して存在するとともに、
前記セラミック絶縁体と接する前記内部導体層の周囲の全体に、前記第1絶縁体領域に含まれる前記金属元素と同じ金属元素を含む第2絶縁体領域が存在することを特徴とするセラミック電子部品。 - 前記セラミック絶縁体は、前記第1絶縁体領域及び前記第2絶縁体領域に含まれる前記金属元素と同じ金属元素を含む請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 前記セラミック絶縁体に含まれる前記金属元素の濃度は、前記第1絶縁体領域における前記金属元素の濃度よりも低く、前記第2絶縁体領域における前記金属元素の濃度よりも低い請求項2に記載のセラミック電子部品。
- 前記内部導体層は、前記セラミック絶縁体の表面に露出している請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。
- 前記セラミック絶縁体の表面に設けられた外部導体をさらに備え、
前記内部導体層は、前記外部導体によって被覆されている請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。 - 前記内部導体層の下面のうち、前記内部導体層の上面と接する部分に生じる空隙の長さが100μm以下である請求項1〜5のいずれか1項に記載のセラミック電子部品。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法であって、
セラミック絶縁体の原料粉末を含む複数のグリーンシートを準備する工程と、
金属粉末と、金属酸化物粉末又は金属酸化物前駆体粉末と、有機ビヒクルとを含み、前記金属酸化物粉末又は前記金属酸化物前駆体粉末がTi、Mg及びZrからなる群より選択される少なくとも1種の金属元素を含む導体ペーストを準備する工程と、
前記グリーンシートの少なくとも1枚の主面に前記導体ペーストを塗布することによって、内部導体層となる導体ペースト膜を形成する工程と、
複数の前記グリーンシートが積層されるとともに、前記導体ペースト膜が前記グリーンシート間に形成された生の積層体を作製する工程と、
前記生の積層体を焼成する工程と、を備えることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。 - 前記金属酸化物粉末又は前記金属酸化物前駆体粉末の比表面積が、6m2/g以上90m2/g以下である請求項7に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記金属酸化物粉末又は金属酸化物前駆体粉末の比表面積換算粒径をDOsf[nm]、前記金属粉末の体積基準メディアン径をDM50[nm]としたとき、2.28≦DM50/DOsf≦105.5である請求項7又は8に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記金属粉末の焼結開始温度が、前記グリーンシートの焼結開始温度以下である請求項7〜9のいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記セラミック絶縁体の原料粉末は、SiO2とAl2O3とBa化合物とを含む請求項7〜10のいずれか1項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
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