JP6540583B2 - 単結晶の製造方法および装置 - Google Patents
単結晶の製造方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6540583B2 JP6540583B2 JP2016080942A JP2016080942A JP6540583B2 JP 6540583 B2 JP6540583 B2 JP 6540583B2 JP 2016080942 A JP2016080942 A JP 2016080942A JP 2016080942 A JP2016080942 A JP 2016080942A JP 6540583 B2 JP6540583 B2 JP 6540583B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- single crystal
- crystal
- diameter
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
1a 先端部
1b コーン部
1c 直胴部
2 種結晶
3 単結晶
3I 単結晶インゴット
3a 絞り部
3b コーン部
3c 直胴部
3d ボトム部
4 溶融帯
10 単結晶製造装置
11 原料軸
12 原料送り機構
13 結晶軸
14 結晶送り機構
15 誘導加熱コイル
16 発振器
17 CCDカメラ
18 画像処理部
19 制御部
Dp 原料直径
Ds 結晶直径
E 発振電圧
Rp 原料回転速度
Rs 結晶回転速度
S1 融着工程
S2 絞り工程
S3 コーン部育成工程
S4 直胴部育成工程
S5 ボトム部育成工程
S6 冷却工程
T1 電圧下降領域
T2 電圧一定領域
T3 電圧上昇領域
Vp 原料送り速度
Vs 結晶送り速度
Claims (6)
- 原料ロッドを回転させながら一方向に送ると共に、誘導加熱コイルを用いて前記原料ロッドを加熱して溶融帯を発生させ、前記溶融帯から単結晶を育成し、前記単結晶を回転させながら前記一方向に送る浮遊帯域溶融法による単結晶の製造方法であって、
無転位化のために前記単結晶の直径を細く絞る絞り工程と、
前記単結晶の直径が徐々に増加したコーン部を育成するコーン部育成工程と、
前記単結晶の直径が一定に維持された直胴部を育成する直胴部育成工程とを備え、
前記コーン部育成工程は、前記原料ロッドの直径に基づいて予め設定された発振電圧プロファイルおよび原料融解位置における前記原料ロッドの直径の実測値に基づいて、前記誘導加熱コイルに高周波電流を供給する発振器の発振電圧をPID制御する工程を含み、
前記発振電圧プロファイルは、前記コーン部育成工程の開始直後から前記発振電圧が徐々に小さくなる電圧下降領域と、前記電圧下降領域の後に前記発振電圧が一定となる電圧一定領域と、前記電圧一定領域の後に前記発振電圧が徐々に大きくなる電圧上昇領域とを有することを特徴とする単結晶の製造方法。 - 前記コーン部育成工程における前記単結晶の送り速度は前記絞り工程における前記単結晶の送り速度よりも小さい、請求項1に記載の単結晶の製造方法。
- 前記原料ロッドの下端部はテーパー形状を有する、請求項1又は2に記載の単結晶の製造方法。
- 浮遊帯域溶融法により単結晶を製造する単結晶製造装置であって、
原料ロッドを回転させながら一方向に送る原料送り機構と、
前記原料ロッドを加熱して溶融帯を発生させる誘導加熱コイルと、
前記溶融帯から育成された単結晶を回転させながら前記一方向に送る結晶送り機構と、
前記誘導加熱コイルに高周波電流を供給する発振器と、
前記溶融帯近傍の前記原料ロッドおよび前記溶融帯近傍の前記単結晶を撮影する少なくとも一台のカメラと、
前記カメラが撮影した画像データに基づいて前記原料送り機構、前記結晶送り機構および前記発振器を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記単結晶の直径を徐々に増加させるコーン部育成工程において、前記原料ロッドの直径に基づいて予め設定された発振電圧プロファイルおよび前記カメラで撮影した画像から求めた原料融解位置における前記原料ロッドの直径の実測値に基づいて、前記発振器の発振電圧をPID制御し、
前記発振電圧プロファイルは、前記コーン部育成工程の開始直後から前記発振電圧が徐々に小さくなる電圧下降領域と、前記電圧下降領域の後に前記発振電圧が一定となる電圧一定領域と、前記電圧一定領域の後に前記発振電圧が徐々に大きくなる電圧上昇領域とを有することを特徴とする単結晶製造装置。 - 前記制御部は、前記コーン部育成工程の前に無転位化のために前記単結晶の直径を細く絞る絞り工程を実施すると共に、前記コーン部育成工程における前記単結晶の送り速度が前記絞り工程における前記単結晶の送り速度よりも小さくなるように前記結晶送り機構を制御する、請求項4に記載の単結晶製造装置。
- 前記原料ロッドの下端部はテーパー形状を有する、請求項4又は5に記載の単結晶製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016080942A JP6540583B2 (ja) | 2016-04-14 | 2016-04-14 | 単結晶の製造方法および装置 |
CN201710239838.XA CN107299387B (zh) | 2016-04-14 | 2017-04-13 | 单晶体的制造方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016080942A JP6540583B2 (ja) | 2016-04-14 | 2016-04-14 | 単結晶の製造方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017190261A JP2017190261A (ja) | 2017-10-19 |
JP6540583B2 true JP6540583B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=60084548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016080942A Active JP6540583B2 (ja) | 2016-04-14 | 2016-04-14 | 単結晶の製造方法および装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6540583B2 (ja) |
CN (1) | CN107299387B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6988461B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2022-01-05 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法及び製造装置 |
JP7272239B2 (ja) * | 2019-11-08 | 2023-05-12 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63307186A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 晶出結晶径制御装置 |
JPH0977588A (ja) * | 1995-09-13 | 1997-03-25 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 浮遊帯域溶融法における晶出結晶径の自動制御方法およびその装置 |
JPH11314993A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 浮遊帯域溶融法における半導体単結晶の製造方法 |
JP4694996B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-06-08 | Sumco Techxiv株式会社 | 単結晶育成方法、単結晶育成装置 |
JP6064675B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-01-25 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶棒の製造方法 |
JP6318938B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2018-05-09 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法及び製造装置 |
-
2016
- 2016-04-14 JP JP2016080942A patent/JP6540583B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-13 CN CN201710239838.XA patent/CN107299387B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017190261A (ja) | 2017-10-19 |
CN107299387B (zh) | 2019-10-18 |
CN107299387A (zh) | 2017-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6318938B2 (ja) | 単結晶の製造方法及び製造装置 | |
JP4957600B2 (ja) | Fz法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 | |
WO2000056956A9 (en) | Method and apparatus for controlling diameter of a silicon crystal in a growth process | |
KR101623644B1 (ko) | 잉곳 성장장치의 온도제어장치 및 그 제어방법 | |
JP6540583B2 (ja) | 単結晶の製造方法および装置 | |
KR20120030028A (ko) | 단결정 인상 장치 및 단결정 인상 방법 | |
JP6248816B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP4677882B2 (ja) | 半導体結晶の製造方法及び半導体結晶の製造装置 | |
JP6319040B2 (ja) | 単結晶の製造方法及び製造装置 | |
JP5768764B2 (ja) | 半導体単結晶棒の製造方法 | |
JP2001019588A (ja) | 単結晶直径の制御方法及び結晶成長装置 | |
JP3601280B2 (ja) | Fz法による半導体単結晶の製造方法 | |
JP6642234B2 (ja) | 単結晶の製造方法および装置 | |
JP6988461B2 (ja) | 単結晶の製造方法及び製造装置 | |
JP5716689B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置 | |
JP2014240338A (ja) | 半導体単結晶棒の製造方法 | |
JP2024081376A (ja) | 単結晶の製造方法及び装置 | |
JP5246209B2 (ja) | 半導体単結晶棒の製造方法 | |
CN110291232B (zh) | 用fz法拉制单晶的方法和设备 | |
JP7272239B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP2004035353A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
CN118147734A (zh) | 单晶的制造方法和装置 | |
JP6777013B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP5505359B2 (ja) | ヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置 | |
JP6269397B2 (ja) | 半導体単結晶棒の製造装置及び製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190527 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6540583 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |