JP2014240338A - 半導体単結晶棒の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
近年FZ結晶製造においても大直径ウェーハの要求が多くなり、シリコン単結晶においては直径150mmあるいは直径200mmを超える大直径ウェーハを安定製造する必要が出てきた。
FZ法による大直径結晶の製造においては、溶融帯域のシリコンメルト量が多く、誘導加熱コイルや原料結晶棒の移動速度の制御の制御出力に対する時定数が大きくなる。その結果、半導体単結晶棒の直径を所望の直径に安定して制御できないという問題があった。
図1に示すように、FZ法による半導体単結晶棒製造装置1は、原料結晶棒2を収容する成長炉3と、原料結晶棒2を溶融して溶融帯域4を形成する熱源となる誘導加熱コイル5とを有する。さらには、晶出側の半導体単結晶棒6の直径を検出して自動制御する直径検出手段20を有する。
そして、調節器16からの制御値に基づいて、発振機制御回路17で制御された高周波発振機10によって、誘導加熱コイル5へ電力を供給できるようになっている。
上記高周波発振機10から誘導加熱コイル5へ高周波電力が供給されて原料結晶棒2の一部が加熱溶融され、原料結晶棒2と半導体単結晶棒6との間に溶融帯域4が形成される。
ここで、半導体単結晶棒6は、不図示の下軸によって鉛直に配置されており、昇降用可変速モーター12により下軸を移動させることで、下方へ速さVsで移動可能である。また図示されない回転用可変速モーターにより回転可能である。
一方、原料結晶棒2は、不図示の上軸によって鉛直に配置されており、昇降用可変速モーター11により上軸を移動させることで、下方へ速さVpで移動可能である。また図示されない回転用可変速モーターにより、回転可能である。
ここで、まず、FZ法による半導体単結晶棒の製造方法の全体の工程について説明する。
上軸に取り付けた原料結晶棒2の先端を誘導加熱コイル5で溶融した後、下軸に取り付けた種結晶に融着させる。そして融着の際に結晶に生じた転位を抜くために絞りを行う(種付け・絞り工程)。
そして所望の長さの直胴部を得た後は、原料結晶の供給を止め、半導体単結晶棒6の直径を縮小させて、原料結晶棒2から切り離す(切り離し工程)。
これまで、固液界面位置の単結晶直径Dsや溶融帯域4の肩部直径Dmを測定し、パターン設定器に格納にされたデータパターンと測定された各パラメータの検出値を比較する比較器での比較演算を基にして、調節器にて発振機や可変速モーター等の各制御機器へ送る制御値を計算していた。
図1に示す半導体単結晶棒製造装置を用い、本発明の半導体単結晶棒の製造方法に従って、直径155mmのシリコン単結晶棒を製造した。すなわち、シリコン単結晶棒の成長は、原料結晶棒を溶融して種結晶に融着させ、さらにこの種付けの際に結晶に生じた転位を抜くための絞りを行う工程の後、シリコン単結晶を155mmの直径まで拡げながら成長させる工程、シリコン単結晶棒を155mmの一定の直径に制御しつつ成長させていく工程を経ながら単結晶を成長させた。
実施例では、溶融帯域の肩部角度θmの変化に応じて、誘導加熱コイルへの電力を制御することにより、メルト量の適切な制御が可能となり、より安定した単結晶成長を行うことができるとわかった。
シリコン単結晶製造の際、結晶成長中の晶出側単結晶直径を表すパラメータとして、溶融帯域の肩部の直径Dmのみを用いること以外、実施例と同様な条件でシリコン単結晶棒を製造した。すなわち、溶融帯域の肩部の直径Dmのみの変化に応じて、誘導加熱コイルに供給する電力をフィードバック制御した。
その結果、実施例に比べて、シリコン単結晶棒の直径のばらつきが多く見られた。さらに、滴下トラブルが5%発生していた。また、有転位化率は35%であった。
4…溶融帯域、5…誘導加熱コイル、6…半導体単結晶棒、
7…CCDカメラ、8…画像処理装置、9…制御コンピュータ、
10…高周波発振機、11、12…可変速モーター、
13…パターン設定器、14…データ演算器、15…比較器、
16…調節器、17…発振機制御回路、18、19…移動速度調整・駆動回路。
20…直径検出手段
Claims (2)
- 原料結晶棒の一部分を誘導加熱コイルで溶融して溶融帯域を形成し、前記誘導加熱コイルに対し上側の原料結晶棒及び下側の半導体単結晶棒を軸方向へ移動させることにより前記溶融帯域を軸方向に移動させ、前記半導体単結晶棒の直径を制御しながら、前記半導体単結晶棒を成長させて製造するFZ法による半導体単結晶棒の製造方法であって、
前記半導体単結晶棒の成長中に、前記溶融帯域と前記半導体単結晶棒の固液界面位置の単結晶直径あるいは前記溶融帯域の肩部の直径のいずれかに加えて、前記溶融帯域の肩部角度を測定し、
前記半導体単結晶棒の直径の制御を、前記測定した前記固液界面位置の単結晶直径あるいは前記溶融帯域の肩部の直径のいずれかに加えて、前記溶融帯域の肩部角度を用いて行うことを特徴とする半導体単結晶棒の製造方法。 - 前記半導体単結晶棒の直径の制御をする際に、前記測定した前記固液界面位置の単結晶直径あるいは前記溶融帯域の肩部の直径のいずれかに加えて、前記溶融帯域の肩部角度を用いて、前記誘導加熱コイルに供給する電力及び前記原料結晶棒の移動速度のいずれか1つ以上を制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体単結晶棒の製造方法。
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JP2013123887A JP2014240338A (ja) | 2013-06-12 | 2013-06-12 | 半導体単結晶棒の製造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017193461A (ja) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法および装置 |
CN109778308A (zh) * | 2019-03-05 | 2019-05-21 | 山东大学 | 一种调节激光加热基座晶体生长温度梯度的装置及方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5233042B1 (ja) * | 1971-03-22 | 1977-08-25 | ||
JPH07206573A (ja) * | 1994-01-17 | 1995-08-08 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 浮遊帯域溶融法における晶出結晶径の制御方法 |
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2013
- 2013-06-12 JP JP2013123887A patent/JP2014240338A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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