JP7221484B1 - 単結晶引き上げ方法および単結晶引き上げ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- シリコン材料を坩堝に入れて溶融し、溶融されたシリコン材料でシリコン融液を形成するステップと、
熱シールドを所定の位置に下降させ、この時に前記熱シールドの下縁と前記シリコン融液の液面との間に第1所定距離が形成されるステップと、
第1段階において、重錘を用いて種結晶軸を吊り下げて第1方向に沿って徐々に下降させ、撮像装置を用いて前記種結晶軸および前記熱シールドの下縁の画素画像を取得し、画像処理装置を用いて前記熱シールドの下縁の画素画像に基づいて基準円をフィッティングし、前記基準円が第2方向に沿って延在する基準線を有し、前記基準円の円心が前記基準線にあり、前記種結晶軸が下降するとき、前記種結晶軸の画素画像が徐々に前記基準線に近づくステップと、
前記種結晶軸の画素画像の底辺が前記基準線と交差するとき、前記種結晶軸の底面が前記熱シールドの下縁と面一となり、この時に第2段階に入り、画像処理装置がこの時の前記種結晶軸の位置を記録し、その後、引き続き前記種結晶軸を所定の高さだけ下降させ、前記種結晶軸の底端が前記シリコン融液内に延在し、溶接を行うステップと、
シーディングを行うステップと、
ショルダーリングを行うステップと、
同径化を行うステップと、
仕上を行うステップと、を含む、ことを特徴とする単結晶引き上げ方法。 - 前記第1段階において、前記種結晶軸が前記シリコン融液の液面から第2所定距離だけ離れる位置まで徐々に下降し、前記シリコン融液の液面温度が徐々に溶接温度に近づくまで加熱されると、この時に前記種結晶軸を再び前記熱シールドの下縁と面一となるまで下降させることが可能であり、この時に前記第2段階に入り、前記シリコン融液の液面温度が溶接温度条件に達すると、前記種結晶軸を所定の高さだけ下降させ、前記種結晶軸の底部が前記シリコン融液内に延在し、溶接を行う、ことを特徴とする請求項1に記載の単結晶引き上げ方法。
- 前記第1段階において、前記種結晶軸を初期位置から前記シリコン融液の液面から第3所定距離だけ離れる位置まで下降させて第1時間間隔保持し、その後、前記種結晶軸を前記シリコン融液の液面から第4所定距離だけ離れる位置まで下降させて第2時間間隔保持し、最後に前記種結晶軸を前記シリコン融液の液面から第2所定距離だけ離れる位置まで下降させて第3時間間隔保持する、ことを特徴とする請求項1に記載の単結晶引き上げ方法。
- 前記所定の高さは、前記第1所定距離と前記種結晶軸の細径の長さとの和に等しい、ことを特徴とする請求項1に記載の単結晶引き上げ方法。
- 前記第1方向は、前記第2方向に垂直である、ことを特徴とする請求項1に記載の単結晶引き上げ方法。
- 前記種結晶軸の軸線方向は、前記熱シールドの軸線方向と重なる、ことを特徴とする請求項1に記載の単結晶引き上げ方法。
- 前記第1所定距離は、30mm~50mmである、ことを特徴とする請求項1に記載の単結晶引き上げ方法。
- 前記第2所定距離は、350mm~450mmである、ことを特徴とする請求項2に記載の単結晶引き上げ方法。
- 単結晶引き上げ装置であって、
請求項1~8のいずれか一項に記載の単結晶引き上げ方法を用いて引き上げを行い、
シリコン融液を収容するための坩堝および前記坩堝を加熱するための加熱部材が内部に設けられる炉体と、
前記炉体内に設けられ、前記坩堝の上方に位置する熱シールドと、
前記熱シールドの内部に吊り下げられ、下端に種結晶軸が接続され、前記種結晶軸が前記シリコン融液の液面に対して接近するまたは離れるように前記種結晶軸が第1方向に沿って移動可能である重錘と、
前記熱シールドの上方に設けられ、種結晶軸および前記熱シールドの下縁の画素画像を取得するための撮像装置と、
前記撮像装置と信号接続され、前記熱シールドの下縁の画素画像に基づいて基準円をフィッティング可能であり、前記基準円が第2方向に沿って延在する基準線を有し、前記基準円の円心が前記基準線にあり、前記種結晶軸の画素画像の底辺が前記基準線と交差するとき、前記種結晶軸の底面が前記熱シールドの下縁と面一となる画像処理装置と、を備える、ことを特徴とする単結晶引き上げ装置。 - 前記撮像装置は、CCDカメラである、ことを特徴とする請求項9に記載の単結晶引き上げ装置。
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