JP6536517B2 - 結晶欠陥評価方法 - Google Patents
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Description
また、特許文献1の欠陥サイズの求め方については、所定のサイズの欠陥を作ったのではなく、OPPで検出された全てのCOPの密度(累積欠陥密度)とGOI不良(GOI歩留まり)から、サイズが比較的大きなCOPがGOIを劣化させるものと仮定して、GOI欠陥の最小サイズを求めている。つまり、欠陥サイズとGOI不良の関係について確認をしていない。
実際に、特許文献1の測定では、ゲート酸化膜厚108nmの水準の良品率(GOI歩留まり)99.1%というのは、測定数229個のうち不良は2点だけであり、この良品率を用いて密度(GOI欠陥密度)計算をするには精度の点で無理がある。
具体的には、図1のS11において、複数のシリコンウェーハを準備し、図1のS12において、準備した複数のシリコンウェーハのそれぞれに、評価する結晶欠陥の複数のサイズに対応する複数種類の厚さの酸化膜を形成し、図1のS13において、それぞれ膜厚の異なる酸化膜が形成された複数のシリコンウェーハのGOI特性を測定し、図1のS14において、複数のGOI特性の測定結果からシリコンウェーハ内の結晶欠陥サイズ別の結晶欠陥分布を求めることができる。
酸化膜厚さ5nm、10nm、25nmの3種類の酸化膜をそれぞれ形成した、同じロットのシリコン単結晶から切り出した3枚の直径300mmのシリコンウェーハについて酸化膜耐圧を測定した。ここで、同じロットのシリコン単結晶から切り出したシリコンウェーハでは欠陥分布はほぼ同じになると考えられる。
また、通常、酸化膜耐圧はシリコンウェーハの一部しか測らない(面積で1%〜10%)ため、欠陥密度が低い場合は欠陥の見逃しが起きやすく、欠陥があってもGOI不良を起こさないと誤解を招く場合がある。欠陥の見逃しが無くなるように、全面を測定する事もよくあるが、測定の容易さなどから、一点当たりの面積を広くするのが通常のやり方である。しかし、その場合、正確な欠陥分布が分からなくなる問題が生じる。そこで、今回の酸化膜耐圧は、2×2mm2のパターンを14700個敷き詰めたパターンを用いて、全面を細かく測定する事にした。
図2からわかるように、3枚のシリコンウェーは同じ欠陥分布であるにもかかわらず、酸化膜厚さの違いによって、欠陥分布が全く異なる結果となった。
1)25nm近辺のサイズの欠陥は外周に多くあり、中心には無い。
2)10nm近辺のサイズの欠陥はウェーハ全体に存在し、外周の方が高密度である。
3)5nm近辺のサイズの欠陥は全体的に低密度である。
Claims (3)
- シリコンウェーハ内に存在する結晶欠陥の分布を評価する結晶欠陥評価方法であって、
評価する結晶欠陥のサイズと同じ厚さの酸化膜を前記シリコンウェーハに形成して前記シリコンウェーハのGOI特性を測定し、前記GOI特性が低下した領域では前記酸化膜の厚さと同等のサイズの結晶欠陥が存在していたと見做して、前記GOI特性の測定結果から前記シリコンウェーハ内の評価する結晶欠陥サイズの結晶欠陥分布を求めることを特徴とする結晶欠陥評価方法。 - 前記評価する結晶欠陥のサイズを複数とし、前記シリコンウェーハ内の結晶欠陥サイズ別の結晶欠陥分布を求めることを特徴とする請求項1に記載の結晶欠陥評価方法。
- 前記評価する結晶欠陥のサイズは10nm以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の結晶欠陥評価方法。
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